JPS63167558A - レ−ザ記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、画像信号に基づいて変調されたレーザビーム
を感光材料上に走査させて連続調画像を記録するレーザ
記録装置、特に詳細にはレーザビームの光強度をアナロ
グ的に変調して高階調の画像を記録できるようにしたレ
ーザ記録装置に関するものである。

（従来の技術） 従来より、光ビームを光偏向器により偏向して感光材料
上に走査させ、該感光材料に画像を記録する光走査記録
Ｈ置が広く実用に供されている。

このような光走査記録装置において光ビームを発生する
手段の１つとして、半導体レーザが従来から用いられて
いる。この半導体レーザは、ガスレーザ等に比べれば小
型、安価で消費電力も少なく、また駆ｅ雷流を変えるこ
とによって直接変調が可能である等、数々の長所を有し
ている。

しかしながら、その反面この半導体レーザは、第２図に
示すように駆動電流に対する光出力特性が、ＬＥＤ領域
（自然発光領域）とレーザ発振領域とで極端に変わるの
で、連続調画偉の記録には適用困難であるという問題が
有る。すなわち上記の駆動電流対光出力特性が線形であ
るレーザ発振領域のみを利用して強度変調を行なうと、
光出力のダイナミックレンジがたかだか２桁程度しかと
れない。周知のように、この程度のダイナミックレンジ
では高品位の連続調画像を得ることは不可能である。

そこで例えば特開昭５６−１１５０７７号、同５６−１
５２３７２号等に示されるように、半導体レーザの光出
力は一定とするとともに、該半導体レーザを連続的に０
Ｎ−ＯＦＦさせて走査ビームをパルス光とし、このパル
スの数あるいは幅を各画素毎に制御して走査光量を変化
させることにより連続調画像を記録する試みもなされて
いる。

ところが上記のようなパルス数変調あるいはパルス幅変
調を行なう場合には、例えば画素クロック周波数がＩＭ
Ｈｚのとき、濃度スケールすなわち走査光量の分解能を
１０ｂｉｔ（約３桁）確保しようとすると、パルスの周
波数は少なくとも１ＧＨｚと極めて高く設定しなければ
ならない。半導体レーザ自体はこの程度の周波数で０Ｎ
−ＯＦＦすることも可能であるが、パルス数制御あるい
はパルス幅制御のためのパルスカウント回路等はこのよ
うな高周波数に対応して作動し得ず、結局は画素クロッ
ク周波数を上記の値よりも大幅に下げなければならない
。従って装置の記録速度を大巾に下げざるをえない。

さらに上記の方法にあっては、各画素の記録期間中に出
力されるパルスの数あるいは幅に依存して半導体レーザ
チップの発熱量が変化し、そのために半導体レーザの駆
動電流対光出力特性が変化し、１パルス当りの露光量が
変動してしまうこともある。こうなると記録両会の階調
にズレが生じ、高品位の連続調画像を得ることは不可能
となる。

一方、例えば特開昭５６−７１３７４号に示されるよう
に、上記パルス数変調あるいはパルス幅変調と、前述し
た光強度変調とを組み合わせて高階調画像を記録する方
法も提案されている。しかしこの場合にも、上記のよう
にパルスの数あるいは幅に依存して半導体レーザチップ
の発熱量が変化し、その結果１パルス当りの露光量が変
動してしまうという問題が同様に生じる。

上記のことを鑑みると、例えば１ｍ度スケール１Ｑｂｉ
ｔつまり１０２４階調程度の高１＠調画像を記録するに
は、前述の第２図に示したＬＥＤ領域とレーザ発振領域
とに亘りて光強度変調を行なって、光出力のダイナミッ
クレンジを３桁程度確保可能とすることが望まれる。し
かし上記２つの領域に亘ると、半導体レーザの駆動電流
対光出力特性は当然線形ではなくなるので、高階調画像
を容易かつ＃１度良く記録できるように画像信号の一定
吊変化に対して等濃度間隔で画像濃度を制御可能とする
ためには、上記の特性を何らかの方法で補償して半導体
レーザの発光レベル指令信号と光出力との関係を線形に
変える必要がある。

上記半導体レーザの発光レベル指令信号と光出力との関
係を線形にする回路として従来より、レーザビームの光
強度を検出し、この検出された光強度に対応する帰還信
号を半導体レーザの発光レベル指令信号にフィードバッ
クさせる光出力安定化回路（以下、ＡＰＣ回路と称する
）が知られている。第３図はこのＡＰＣ回路の一例を示
すものであり、以下、この第３図を参照してＡＰＣ回路
について説明する。半導体レーザ１の発光強度を指令す
る発光レベル指令信号ｙ　ｒｅｆは、加算点２を通して
電圧−電流変換アンプ３に入力され、該アンプ３はこの
指令信号Ｖ　ｒａｆに比例した駆１ｌｌＪ電流を半導体
レーザ１に供給する。半導体レーザ１から前方に出射さ
れた光ビーム４は、図示しない走査光学系を通して感光
材料走査に利用される。

一方半導体レーザ１の後方側に出射された光ビーム５の
強度は、例えば半導体レーザのケース内に設置された光
示モニタ用のピンフォトダイオード６によって検出され
る。こうして検出される光ビーム５の強度は、実際に両
会記録に利用される上記光ビーム４の強度と比例関係に
ある。該光ビーム５の強度、すなわち光ビーム４の強度
を示すフォトダイオード６の出力電流は、電流−電圧変
換アップ７によって帰還信号（電圧信号）Ｖｐｄに変換
され、該帰還信号Ｖｐｄは前述の加算点２に入力される
。この加算点２からは、上記発光レベル指令信号Ｖ　ｒ
ｅｆと帰還信号Ｖｐｄとの偏差を示す偏差信号■ｅが出
力され、該偏差信号■ｅは前記電圧−電流変換アンプ３
によって電流に変換され、半導体レーザ１を駆動する。

上述の加算点２から電圧−電流変換アンプ３、半導体レ
ーザ１、フォトダイオード６、電流−電圧変換アンプ７
を経て加算点２に戻るループで構成されるＡＰＣ回路の
ループゲインが十分大きく確保されれば、発光レベル指
令信号対半導体レーザ光出力の関係は線形となる。

（発明が解決しようとする問題点） 上記のようなフィードバックループで構成されているＡ
ＰＣ回路においては、半導体レーザの発光応答性は、帯
域が広いほど高く、狭いほど低くなる。またＬＤは利得
変化素子であり、ＡＰＣ回路は光出力が高いほど帯域が
広がり応答性が上がる。つまり応答性が低くて問題とな
るのは低出力のときで鮮鋭度が劣化してしまう。ＡＰＣ
回路の帯域を全光φレベルにてアップできれば問題はな
いが、現実にはオペアンプの高周波特性、光検出器の接
合容量等で制限を受ける。

このような不具合を無くすため、ＡＰＣ回路のカットオ
フ周波数をできるだけ高くとって低出力での応答性を上
げるように回路設計することも考えられるが、そのよう
にすると今度はＡＰＣ回路のループゲインを高く取れず
、発光レベル指令信号対半導体レーザ光出力の関係を線
形に補正することが困難になる。

本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり
、ＡＰＣ回路のループゲインを低下させることなく半導
体レーザの発光応答性を高めて、鮮鋭度の高い画像を記
録することができるレーザ記録装置を提供することを目
的とするものである。

（問題点を解決するための手段） 本発明のレーザ記録装置は、半導体レーザと、該半導体
レーザから射出された光ビームを感光材料上に走査させ
るビーム走査系と、画像信号に対応した発光レベル指令
信号を生成し、該信号に基づいて前記半導体レーザの駆
ｖＪｔ流を制御してレーザビームの光強度を変調するレ
ーザ動作制御回路とを備えたレーザ記録装置において、
上記レーザ動作制御回路に、前述したＡＰＣ回路を設け
るとともに、このＡＰＣ回銘の前段において発光レベル
指令信号を通過させるように配され、ＡＰＣ回路のカッ
トオフ周波数近辺から高域側に向かってゲインが次第に
高くなるように形成されたフィルタ回路を設けたことを
特徴とするものである。

上述のフィルタ回路としては、例えばリードラグフィル
タを用いることができる。

（作　　用） 上記のようなフィルタ回路とＡＰＣ回路とを含めた系の
帯域は、ＡＰＣ回路のみの帯域と比較すると、より広い
ことになる。

（実　施　例） 以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。

第１図は本発明の一実施例によるレーザ記録装置を示す
ものである。画像信号発生器１０は、連続調画像を担持
する画像信号Ｓ１を発生する。この画像信号Ｓ１は一例
として１０ｂｉｔの濃度スケールの連続調画像を示すデ
ジタル信号である。画像信号発生器１０は後述するライ
ンクロックＳ２に基づいて１主走査ライン分の信号を切
り換え、また画素クロックＳ３に基づいて各画素毎の画
像信号Ｓ１を出力する。本例において画素クロック周波
数はＩ　Ｍ　Ｈｚ　、換言すれば１画素記録時間は１μ
ｓｅｃ　　（秒）に設定される。

上述の画僚信号Ｓ１はマルチプレクサ１１を通し、ＲＡ
Ｍからなる補正テーブル４０において後述する補正を受
けて、例えば１５ｂｉｔの発光レベル指令信号Ｓ５に変
換される。この発光レベル指令信＠Ｓ５はマルチプレク
サ１５を介してＤ／Ａ変換器１６に入力され、ここでア
ナログの電圧信号からなる発光レベル指令信号Ｖ　ｒｅ
ｆに変換される。この発光レベル指令信号Ｖ　ｒｃｆは
、ＡＰＣ回路８の加算点２に入力される。ＡＰＣ回路８
の電圧−電流変換アンプ３、半導体レーザ１、フォトダ
イオード６、電流−電圧変換アンプ７はそれぞれ、先に
説明した第３図の回路における電圧−電流変換アンプ３
、半導体レーザ１、フォトダイオード６、電流−電圧変
換アンプ７と同様に作動するものであり、したがって半
導体レーザ１からは発光レベル指令信号Ｖｒａｆに対応
したくつまり画像信号Ｓ１に対応した）強度の光ビーム
４が発せられる。

なお本装置においては加算点２の前段に、発光レベル指
令信号Ｖ　ｒｅｆを通過させるリードラグフィルタ５０
が配置されているが、これの作用については後に説明す
る。

上記光ビーム４はコリメータレンズ１７に通されて平行
ビームとされ、次に例えばポリゴンミラー等の光偏向器
１８に入射してそこで反０４偏向される。

こうして偏向された光ビーム４は、通常ｆθレンズから
なる集束レンズ１９に通されて感光材料２０上において
微小なスポットに集束し、該感光材料２０上をＸ方向に
走査（主走査）する。感光材料２０は図示しない移送手
段により、上記主走査方向Ｘと略直角なＹ方向に移送さ
れ、それによって光ビーム４の副走査がなされる。こう
して感光材料２０は光ビーム４によって２次元的に走査
され、感光する。前述したように光ビーム４は画像信号
Ｓ１に基づいて強度変調されているので、この感光材料
２０上には、画像信号Ｓ１が担持する連続調画像が写真
潜像として記録される。なお上記のように光ビーム４が
感光材料２０上を走査するとき、主走査の始点を該ビー
ム４が通過したことが光検出器２１によって検出され、
該光検出器２１が出力する始点検出信号Ｓ６がクロック
ジェネレータ３６に入力される。クロックジェネレータ
３６はこの始点検出信号Ｓ６の入力タイミングに同期さ
せて、前述のラインクロックＳ２および画素りＯツクＳ
を出力する。

次に感光材料２０は現ｌＩＩ機２２に通されて、そこで
現像処理を受ける。それにより感光材料２０上には、上
記連続調画像が可視像として記録される。

ここで、前述の補正テーブル４０における画像信号Ｓ１
の補正について説明する。該補正テーブル４０は階調補
正テーブル１２、逆ｌｏｇ変換テーブル１３゜および半
導体レーザ１の発光レベル指令信号対光出力特性を線形
に補正する補正テーブル（以下、Ｖ−Ｐ特性補正テーブ
ルと称する）１４からなる。

上記階調補正テーブル１２は、感光材料２０およびその
現像処理系の階調特性を補正する公知のものである。こ
の階調補正テーブル１２は、補正特性が固定のものが用
いられてもよいが、本実７７ｉ例においては、感光材料
２０の階調特性が０ツト毎に変化したり、あるいは現像
＠２２中の現像液特性が経時変化すること等を考慮して
、実際の階調特性に対応して補正特性を適宜修正可能に
構成されている。

すなわちテストパターン発生回路２６からは、感光材料
２０上における何段階か（例えば１６段階）の画像濃度
を担持するテストパターン信号Ｓ４が出力され、該信号
Ｓ４はマルチプレクサ１１に入力される。この際マルチ
プレクサ１１は、前述のように画像信号Ｓ１を補正テー
ブル４０に入力させる画像記録時の状態から切り換えら
れて、上記テストパターン信号Ｓ４を補正テーブル４０
に入力させる状態とされる。半導体レーザ１はこのテス
トパターン信号Ｓ４に基づいて前述のように駆動され、
したガって光ビーム４が強度変調される。それにより感
光材′４４２０上には、段階的に濃度が変化する例えば
１６個のステップウェッジ（テストパターン）が写真潜
像として記録される。この感光材′Ｐ４２０は現＠機２
２に送られ、上記ステップウェッジが現像される。現体
後この感光材料２０は濃度計２３にセットされ、上記ス
テップウェッジの各々の光学濃度が測定される。こうし
て測定された光学ｍ度は、各ステップウェッジと対応付
けて濃度値入力手段２４に入力され、該濃度値入力手段
２４からは各ステップウェッジの光学濃度を示す濃度信
号Ｓ７が出力される。この濃度信号Ｓ７はテーブル作成
手段３７に入力され、該テーブル作成手段３７はこの濃
度信号Ｓ７と前記テストパターン信号Ｓ４とに基づいて
、所定の画像信号Ｓ１の値によって所定の画ｔｉ１１度
が得られる階調補正テーブルを作成する。

この階調補正テーブルは前述のように１６段階程度の両
件信号値をそれぞれ所定の画像濃度値に対応させるもの
である。この階調補正テーブルを示すデータＳ８はデー
タ補間手段３８に入力され、ここで補間処理がなされて
、１０２４段階（＝１０ｂｉｔ）の画像信＠＄１に対応
できる階調補正テーブルが得られる。この階調補正テー
ブルを示すデータＳ９に基づいて、前述の階調補正テー
ブル１２が形成される。

画像信号Ｓ１に基づく画像記録時には、マルチプレクサ
１１を介して階調補正テーブル１２に入力された画像信
号Ｓ１が、このＩＩＩ調補正補正テーブル１２って信号
８１’に変換され、次いで逆ｌｏｇ変換テーブル１３に
より発光レベル指令信＠Ｓ１”に変換される。

次に■−Ｐ特性補正テーブル１４について説明する。Ａ
ＰＣ回路８において、帰還信号Ｖｐｄを加算点２にフィ
ードバックさせても、発光レベル指令信号と光ビーム４
の強度との関係を理想的なもの（第４図の実線表示の関
係）とすることは困難である。すなわちこの理想的な関
係を得るためには、ＡＰＣ回路８のループゲインを７０
ｄＢ程度と極めて高く設定することが必要であるが、現
状ではこのような高いループゲインを実現することは極
めて難しい。ｖ−Ｐ特性補正テーブル１４は、上記の理
想的な関係を得るために設けられている。すなわち、発
光レベル指令信号Ｖ　ｒｅｆと半導体レーザ１の光出力
との理想的な関係を第５図にａで示す直線とし、実際の
関係を同じく第５図にｂで示す曲線とすると、Ｖ−Ｐ特
性補正テーブル１４は、発光レベル指令信号８１″がそ
のままＤ／Ａ変換された場合の電圧値がＶｉｎであった
と仮定すると、この電圧値ＶｉｎをＶなる値に変換する
ように形成されている。つまり発光レベル指令信号Ｖｒ
ｅｆの値がＶｉｎであったとすると、Ｐ′の光強度しか
得られないが、上記の変換がなぎれていれば、電圧値Ｖ
ｉｎに対してＰｏの光強度が得られる。すなわち発光レ
ベル指令信号Ｓ１ｎに対応する電圧値■ｉｎと光出力Ｐ
ｆどの関係は、線形なものとなる。

このようになっていれば、画像信号Ｓ１を所定量変化さ
せることにより、感光材料２０における濃度を等間隔で
制御できる。また第５図の特性曲線すは、前述したよう
に半導体レーザ１をそのＬＥＤ領域とレーザ発振領域に
亘って駆動させた場合のものであり、このようにすれば
３桁程度の光出力ダイナミックレンジが確保されるから
、前述のように１０２４段階程度の高ｐ１！ｉ調画像を
、容易にかつ高精度で記録できるようになる。

以上述べたように、半導体レーザ１の駆動電流対光出力
特性が非線形であることに起因する発光レベル指令信号
対レーザ光出力特性の非線形性を、Ｖ−Ｐ特性補正テー
ブル１４によって線形に補正すれば、電圧−電流変換ア
ンプ３、半導体レーザ１、フ゛４トダイオード６、電流
−電圧変換アンプ７から加算点２に戻る系で構成される
ＡＰＣ回路８のループゲインには、上記非線形性を補正
するのに必要なゲインを含まなくて済むようになる。す
なわちこのループゲインは、半導体レーザ１の動作中に
生じる過渡的温度変化、あるいは半導体レーザ１のケー
ス温度一定化制御の誤差やハンチングによる半導体レー
ザ１の駆動電流対光出力特性からのズレを補正するため
、さらにはアンプ等のドリフトを補正するために必要な
だけ確保されていればよい。具体的には、例えば画素ク
ロック周波数がＩＭＩ−１２で、半導体レーザ１が光出
力３ｍＷで作動している状態において、上記ループゲイ
ンは３０ｄＢ程度確保されていれば十分である。この程
度のループゲインは、現在の技術水準で容易に確保可能
である。

ここで上記Ｖ−Ｐ特性補正テーブル１４の作成について
説明する。第１図の装置には、テーブル作成装置３５が
適宜接続されつるようになっている。

このテーブル作成装置３５は、テスト信号発生回路２７
、テーブル作成回路２８およびメモリ２９からなる。

Ｖ−Ｐ特性補正テーブル１４を作成する際には、上記テ
スト信号発生回路２７からレベル可変のデジタルテスト
信号Ｓ１０が出力され、マルチプレクサ１５に入力され
る。この際該マルチプレクサ１５は、前述のように発光
レベル指令信＠Ｓ５を０／Ａ変換器１６に送る両会記録
時の状態から切り換えて、テスト信号８１０をＤ／Ａ変
換器１６に送る状態とされる。またテーブル作成回路２
８は、ＡＰＣ回路８の電流−電圧変換アンプ７が出力す
る帰還信号Ｖｐｄが入力されるように接続される。テス
ト信号８１０は、段階的にレベルが増大あるいは減小す
るように出力される。そしてこのときテーブル作成回路
２８は、内蔵するレベル可変信号発生器から、まず最低
の光出力に対応する基準信号を発生させ、該基準信号と
帰１１＠号Ｖｐｄとを比較する。この基準信号は、第５
図における電圧値ｖｉｎを有するものである。そしてテ
ーブル作成回路２８は、これら両信号が一致したときの
テスト信号Ｓ１０の値をラッチする。このラッチされた
テスト信号Ｓ１０が示す電圧値は、第５図における電圧
値Ｖに相当するものであるから、上記電圧値ＶｉｎとＶ
との関係が分かる。テーブル作成回路２８は上記基準信
号の値を１０２４通りに変えて、それぞれの場合の電圧
値ＶｉｎとＶとの関係を求める。それにより、先に述べ
たように１０２４段階の電圧値ｖｉｎをＶに変換する補
正テーブルが作成される。こうして作成された補正テー
ブルはメモリ２９に−たん記憶された後、Ｖ−Ｐ特性補
正テーブル１４として設定される。

こうしてＶ−Ｐ特性補正テーブル１４を作成した後、テ
ーブル作成装置３５はＡＰＣ回路８から切り離される。

次に、前記リードラグフィルタ５０の作用について説明
する。このリードラグフィルタ５０は具体的には、例え
ば第６図に回路を示すパッシブフィルタから構成されて
いる。このリードラグフィルタ５０のゲインは、第７図
（ｂ）に示すように、周波数ｆ、まではフラットで、該
周波数ｆ１を超えると次第に増大し、周波数ｆ２を超え
ると再びフラットになるように設定されている。なお第
６図の回路構成においては、 ｆ、＝□ ２πＲＩ　Ｃ ｆ２＝□ ２π（Ｒｓ　Ｒｚ　／　＜Ｒ１＋Ｒｚ　））Ｃである。

一方ＡＰＣ回路８のゲインは第７図（ａ）に示すように
なっている。すなわち前述した理由により、高域側で帯
域が制限されている。このように形成されたＡＰＣ回路
８のカットオフ周波数をｆｃとすると、上記リードラグ
フィルタ５０はほぼｆ１＝ｆｃとなるように構成されて
いる。なおＡＰＣ回路８のカットオフ周波数ｆｃは、半
導体レーザ１のゲインとなる微分吊子効率がその光出力
によって変動することにより変動するが、上記周波ｔ　
ｆ　ｔは、最も低いカットオフ周波数、つまり半導体レ
ーザ１の光出力が最低のときのカットオフ周波数ｆｃと
ほぼ等しくなるように設定されている。

ＡＰＣ回路８の前段に上記のようなリードラグフィルタ
５０が設けられていることにより、該り−ドラグフィル
タ５０からＡＰＣ回路８までの系のゲインは第７図（Ｃ
）に示すようなものとなる。つまりこの系のカットオフ
周波数はｆＣ’（＝ｆｚ）となって、ＡＰＣ回路８のカ
ットオフ周波数ｆｃよりも高域側にシフトし、その帯域
がＡＰＣ回路８の帯域よりも広がることになる。したが
って半導体レーザ１の発光応答性は、リードラグフィル
タ５０が設けられない場合と比べると、上記のようにし
て帯域が広がった分だけ向上する。こうして半導体レー
ザ１の発光応答性が高くな、ると、前述のようにして感
光材料２０に記録される画像の鮮鋭度が向上する。

なお上記実施例においては、発光レベル指令信丹Ｓ１″
対光出力ｐｆの関係を線形にするＶ−Ｐ補正テーブル１
４が設けられているが、ＡＰＣ回路８のゲインを例えば
７０ｄＢ程度と十分に大きく確保できれば、このＡＰＣ
回路８のみにより第４図の実線で示す理想的な関係が得
られるから、特に上記のようなＶ−Ｐ補正テーブル１４
を設ける必要はない。

また、光ビーム４を走査させるビーム走査系には、入射
光強度射光透過率特性み非線形な光学素子、例えば偏光
フィルタや干渉フィルタ、あるいは開口制限板等が設け
られることがあるが、このような場合にはＶ−Ｐ補正テ
ーブル１４を、上記非線形性も補償するように形成する
のが好ましい。

（発明の効果） 以上詳細に説明した通り本発明のレーザ記録装置におい
ては、半導体レーザの発光応答性を高めることができる
ので、鮮鋭度の高い良質の連続調画像を記録可能となる
。しかも上記発光応答性を改善する効果は、ＡＰＣ回路
の前段に配したフィルタ回路によって得られるものであ
り、この効果を得るためにＡＰＣ回路のループゲインが
低下することがない。したがって本発明装置によれば、
半導体レーザの発光レベル指令信号対光出力の関係を線
形に保ち、′ａ度分解能の優れた精細な連続調画像を記
録可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例によるレーザ記録装置を示す
概略図、 第２図は半導体レーザの駆動電流対光出力特性を示すグ
ラフ、 第３図は半導体レーザ光出力安定化回路の一例を示すブ
ロック図、 第４図は発光レベル指令信号と半導体レーザ光出力との
関係を示すグラフ、 第５図は上記実施例＠置における■−Ｐ特性補正テーブ
ルの作用を説明するグ、ラフ、第６図は上記実施例＠置
に用いられたリードラグフィルタの回路図、 第７図は上記リードラグフィルタの作用を説明する利得
線図である。 １・・・半導体レーザ　　　２・・・加算点３・・・電
圧−電流変換アンプ ４．５・・・光ビーム　　　６・・・フォトダイオード
７・・・電流−電圧変換アンプ ８・・・ＡＰＣ回路　　　　１０・・・画像信号発生器
１４・・・Ｖ−Ｐ特性補正テーブル １６・・・Ｄ／Ａ変換器　　　１７・・・コリメータレ
ンズ１８・・・光偏向器　　　　　１９・・・集束レン
ズ２０・・・感光材料　　　　　３５・・・テーブル作
成装置５０・・・リードラグフィルタ ＄１・・・画像信号 Ｓ５、ｙｒｅｒ・・・発光レベル指令信号Ｖｐｄ・・・
帰還信号　　　　■ｅ・・・偏差信号第２図 第３１」 第４図 第５図 （Ｊ　　　　　　　Ｖｉｎ　　Ｖ　　　　　ｌｏｇＶｒ
ｅｆ第６図 第７図 町；ｊ仮 （自　発〉手続ンＦ１３　、ｉＥ書 特許庁長官　殿　　　　　　　　　　　昭和６２年２月
９日特願昭６１−３１０２４６号 ２、発明の名称 レーザ記録装置 ３、補正をする者 事件との関係　　　　特許出願人 ４、代理人

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 光ビームを発する半導体レーザと、 前記光ビームを感光材料上に走査させるビーム走査系と
   、 画像信号に対応した発光レベル指令信号を生成し、該信
   号に基づいて前記半導体レーザの駆動電流を制御して前
   記光ビームの強度を変調するレーザ動作制御回路とを有
   するレーザ記録装置において、 前記レーザ動作制御回路に、前記光ビームの強度を検出
   し、この検出された光強度に対応する帰還信号を前記発
   光レベル指令信号にフィードバックさせる光出力安定化
   回路と、 この光出力安定化回路の前段において前記発光レベル指
   令信号を通過させるように配され、前記光出力安定化回
   路のカットオフ周波数近辺から高域側に向かつてゲイン
   が次第に高くなるように形成されたフィルタ回路とが設
   けられていることを特徴とするレーザ記録装置。