JP2805300B2 - レーザ記録装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、画像信号に基づいて変調されたレーザビー
ムを感光材料上に走査させて連続調画像を記録するレー
ザ記録装置、特に詳細にはレーザビームの光強度をアナ
ログ的に変調して高階調の画像を記録できるようにした
レーザ記録装置に関するものである。 （従来の技術） 従来より、光ビームを光偏向器により偏向して感光材
料上に走査させ、該感光材料に画像を記録する光走査記
録装置が広く実用に供されている。このような光走査記
録装置において光ビームを発生する手段の１つとして、
半導体レーザが従来から用いられている。この半導体レ
ーザは、ガスレーザ等に比べれば小型、安価で消費電力
も少なく、また駆動電流を変えることによって直接変調
が可能である等、数々の長所を有している。 しかしながら、その反面この半導体レーザは、第２図
に示すように駆動電流に対する光出力特性が、LED領域
（自然発光領域）とレーザ発振領域とで極端に変わるの
で、連続調画像の記録には適用困難であるという問題が
有る。すなわち上記の駆動電流対光出力特性が線形であ
るレーザ発振領域のみを利用して強度変調を行なうと、
光出力のダイナミックレンジがたかだか２桁程度しかと
れない。周知のように、この程度のダイナミックレンジ
では高品位の連続調画像を得ることは不可能である。 そこで例えば特開昭56−115077号、同56−152372号等
に示されるように、半導体レーザの光出力は一定とする
とともに、該半導体レーザを連続的にON−OFFさせて走
査ビームをパルス光とし、このパルスの数あるいは幅を
各画素毎に制御して走行光量を変化させることにより、
連続調画像を記録する試みもなされている。 ところが上記のようなパルス数変調あるいはパルス幅
変調を行なう場合には、例えば画素クロック周波数が1M
Hzのとき、濃度スケールすなわち走査光量の分解能を10
bit（約３桁）確保しようとすると、パルスの周波数は
少なくとも1GHzと極めて高く設定しなければならない。
半導体レーザ自体はこの程度の周波数でON−OFFするこ
とも可能であるが、パルス数制御あるいはパルス幅制御
のためのパルスカウント回路等はこのような高周波数に
対応して作動し得ず、結局は画素クロック周波数を上記
の値よりも大幅に下げなければならない。従って装置の
記録速度を大巾に下げざるをえない。 さらに上記の方法にあっては、各画素の記録期間中に
出力されるパルスの数あるいは幅に依存して半導体レー
ザチップの発熱量が変化し、そのために半導体レーザの
駆動電流対光出力特性が変化し、１パルス当りの露光量
が変動してしまうこともある。こうなると記録画像の階
調にズレが生じ、高品位の連続調画像を得ることは不可
能となる。 一方、例えば特開昭56−71374号に示されるように、
上記パルス数変調あるいはパルス幅変調と、前述した光
強度変調とを組み合わせて高階調画像を記録する方法も
提案されている。しかしこの場合にも、上記のようにパ
ルスの数あるいは幅に依存して半導体レーザチップの発
熱量が変化し、その結果１パルス当りの露光量が変動し
てしまうという問題が同様に生じる。 上記のことを鑑みると、例えば濃度スケール10bitつ
まり1024階調程度の高階調画像を記録するには、前述の
第２図に示したLED領域とレーザ発振領域とに亘って光
強度変調を行なって、光出力のダイナミックレンジを３
桁程度確保可能とすることが望まれる。しかし上記２つ
の領域に亘ると、半導体レーザの駆動電流対光出力特性
は当然線形ではなくなるので、高階調画像を容易かつ精
度良く記録できるように画像信号の一定量変化に対して
等濃度間隔で画像濃度を制御可能とするためには、上記
の特性を何らかの方法で補償して半導体レーザの発光レ
ベル指令信号と光出力との関係を線形に変える必要があ
る。 上記半導体レーザの発光レベル指令信号と光出力との
関係を線形にする回路として従来より、レーザビームの
光強度を検出し、この検出された光強度に対応する帰還
信号を半導体レーザの発光レベル指令信号にフィードバ
ックさせる光出力安定化回路（以下、APC回路と称す
る）が知られている。第３図はこのAPC回路の一例を示
すものであり、以下、この第３図を参照してAPC回路に
ついて説明する。半導体レーザ１の発光強度を指令する
発光レベル指令信号Vrefは、加算点２を通して電圧−電
流変換アンプ３に入力され、該アンプ３はこの指令信号
Vrefに比例した駆動電流を半導体レーザ１に供給する。
半導体レーザ１から前方に出射された光ビーム４は、図
示しない走査光学系を通して感光材料走査に利用され
る。一方半導体レーザ１の後方側に出射された光ビーム
５の強度は、例えば半導体レーザのケース内に設置され
た光量モニタ用のピンフォトダイオード６によって検出
される。こうして検出される光ビーム５の強度は、実際
に画像記録に利用される上記光ビーム４の強度と比例関
係にある。該光ビーム５の強度、すなわち光ビーム４の
強度を示すフォトダイオード６の出力電流は、電流−電
圧変換アンプ７によって帰還信号（電圧信号）Vpdに変
換され、該帰還信号Vpdは前述の加算点２に入力され
る。この加算点２からは、上記発光レベル指令信号Vref
と帰還信号Vpdとの偏差を示す偏差信号Veが出力され、
該偏差信号Veは前記電圧−電流変換アンプ３によって電
流に変換され、半導体レーザ１を駆動する。 （発明が解決しようとする問題点） 上述の加算点２から電圧−電流変換アンプ３、半導体
レーザ１、フォトダイオード６、電流−電圧変換アンプ
７を経て加算点２に戻るループで構成されるAPC回路の
ループゲインが十分大きく確保されれば、発光レベル指
令信号対半導体レーザ光出力の関係は線形となる。 APC回路のループゲインは、そこに含まれるアンプの
ゲインや、光検出器、そして半導体レーザ自身のゲイン
等によって決まるが、このループゲインは、同一の回路
要素を使用しても各APC回路毎にまちまちになることが
多い。つまりアンプのゲインは一定に抑えやすいもの
の、半導体レーザのゲインとなる微分量子効率や、フォ
トダイオード等の光検出器の感度に比較的大きな個体差
が存在するので、APC回路のループゲインがまちまちに
なるのである。 このようにAPC回路のループゲインにバラツキがある
と、記録画像の鮮鋭度が各レーザ記録装置毎にまちまち
になってしまう。つまりAPC回路のループゲインが高い
場合には半導体レーザの発光応答性が良くなるので画像
の鮮鋭度が高まるが、このループゲインが低い場合には
発光応答性が悪化して画像の鮮鋭度が低くなる。またAP
C回路のループゲインにバラツキがあると、発光レベル
指令信号に対する半導体レーザの光出力の対応もまちま
ちになるので、精度良く光量制御を行なうことが不可能
となる。 さらにAPC回路のループゲインにバラツキがあって、
設計値よりも高くなり過ぎていると、APC回路の動作が
不安定になって発振を起こすこともある。 本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであ
り、APC回路のループゲインのバラツキを無くして、上
記種々の問題を解決することができるレーザ記録装置を
提供することを目的とするものである。 （問題点を解決するための手段） 本発明のレーザ記録装置は、半導体レーザと、該半導
体レーザから射出された光ビームを感光材料上に走査さ
せるビーム走査系と、画像信号に対応したアナログの発
光レベル指令信号を生成し、該信号に基づいて前記半導
体レーザの駆動電流を自然発光領域とレーザ発振領域と
に亘ってアナログ制御してレーザビームの光強度を変調
するレーザ動作制御回路とを備えたレーザ記録装置にお
いて、 上記レーザ動作制御回路に、前述したAPC回路を設け
るとともに、このAPC回路の帰還信号の経路および偏差
信号の経路にそれぞれ、ゲイン調節手段を設けたことを
特徴とするものである。 （作用） 上記のようなゲイン調節手段が設けられていれば、半
導体レーザの微分量子効率や光検出器の感度差を補償す
るように該ゲイン調節手段のゲインを設定することによ
り、APC回路のループゲインを一定に揃えることができ
る。 （実 施 例） 以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を詳細に説
明する。 第１図は本発明の一実施例によるレーザ記録装置を示
すものである。画像信号発生器10は、連続調画像を担持
する画像信号S1を発生する。この画像信号S1は一例とし
て10bitの濃度スケールの連続調画像を示すデジタル信
号である。画像信号発生器10は後述するラインクロック
S2に基づいて１主走査ライン分の信号を切り換え、また
画素クロックS3に基づいて各画素毎の画像信号S1を出力
する。本例において画素クロック周波数は1MHz、換言す
れば１画素記録時間は１μsec（秒）に設定される。 上述の画像信号S1はマルチプレクサ11を通し、RAMか
らなる補正テーブル40において後述する補正を受けて、
例えば16bitの発光レベル指令信号S5に変換される。こ
の発光レベル指令信号S5はマルチプレクサ15を介してD/
A変換器16に入力され、ここでアナログの電圧信号から
なる発光レベル指令信号Vrefに変換される。この発光レ
ベル指令信号Vrefは、APC回路８の加算点２に入力され
る。APC回路８の電圧−電流変換アンプ３、半導体レー
ザ１、フォトダイオード６、電流−電圧変換アンプ７は
それぞれ、先に説明した第３図の回路における電圧−電
流変換アンプ３、半導体レーザ１、フォトダイオード
６、電流−電圧変換アンプ７と同様に作動するものであ
り、したがって半導体レーザ１からは発光レベル指令信
号Vrefに対応した（つまり画像信号S1に対応した）強度
の光ビーム４が発せられる。なお本装置においては、第
３図の回路と異なって、加算点２から電圧−電流変換ア
ンプ３への経路にゲイン調節手段50とローパスフィルタ
51がこの順に配置され、また電流−電圧変換アンプ７か
ら加算点２への経路にもゲイン調節手段52が配置されて
いるが、これらの作用については後に説明する。 上記光ビーム４はコリメータレンズ17に通されて平行
ビームとされ、次に例えばポリゴンミラー等の光偏向器
18に入射してそこで反射偏向される。こうして偏向され
た光ビーム４は、通常ｆθレンズからなる集束レンズ19
に通されて感光材料20上において微小なスポットに集束
し、該感光材料20上をＸ方向に走査（主走査）する。感
光材料20は図示しない移送手段により、上記主走査方向
Ｘと略直角なＹ方向に移送され、それによって光ビーム
４の副走査がなされる。こうして感光材料20は光ビーム
４によって２次元的に走査され、感光する。前述したよ
うに光ビーム４は画像信号S1に基づいて強度変調されて
いるので、この感光材料20上には、画像信号S1が担持す
る連続調画像が写真潜像として記録される。なお上記の
ように光ビーム４が感光材料20上を走査するとき、主走
査の始点を該ビーム４が通過したことが光検出器21によ
って検出され、該光検出器21が出力する始点検出信号S6
がクロックジェネレータ36に入力される。クロックジェ
ネレータ36はこの始点検出信号S6の入力タイミングに同
期させて、前述のラインクロックS2および画素クロック
Ｓを出力する。 次に感光材料20は現像機22に通されて、そこで現像処
理を受ける。それにより感光材料20上には、上記連続調
画像が可視像として記録される。 ここで、前述の補正テーブル40における画像信号S1の
補正について説明する。該補正テーブル40は階調補正テ
ーブル12、逆log変換テーブル13、および半導体レーザ
１の発光レベル指令信号対光出力特性を線形に補正する
補正テーブル（以下、Ｖ−Ｐ特性補正テーブルと称す
る）14からなる。上記階調補正テーブル12は、感光材料
20およびその現像処理系の階調特性を補正する公知のも
のである。この階調補正テーブル12は、補正特性が固定
のものが用いられてもよいが、本実施例においては、感
光材料20の階調特性がロット毎に変化したり、あるいは
現像機22中の現像液特性が経時変化すること等を考慮し
て、実際の階調特性に対応して補正特性を適宜修正可能
に構成されている。すなわちテストパターン発生回路26
からは、感光材料20上における何段階か（例えば16段
階）の画像濃度を担持するテストパターン信号S4が出力
され、該信号S4はマルチプレクサ11に入力される。この
際マルチプレクサ11は、前述のように画像信号S1を補正
テーブル40に入力させる画像記録時の状態から切り換え
られて、上記テストパターン信号S4を補正テーブル40に
入力させる状態とされる。半導体レーザ１はこのテスト
パターン信号S4に基づいて前述のように駆動され、した
がって光ビーム４が強度変調される。それにより感光材
料20上には、段階的に濃度が変化する例えば16個のステ
ップウェッジ（テストパターン）が写真潜像として記録
される。この感光材料20は現像機22に送られ、上記ステ
ップウェッジが現像される。現像後この感光材料20は濃
度計23にセットされ、上記ステップウェッジの各々の光
学濃度が測定される。こうして測定された光学濃度は、
各ステップウェッジと対応付けて濃度値入力手段24に入
力され、該濃度値入力手段24からは各ステップウェジの
光学濃度を示す濃度信号S7が出力される。この濃度信号
S7はテーブル作成手段37に入力され、該テーブル作成手
段37はこの濃度信号S7と前記テストパターン信号S4とに
基づいて、所定の画像信号S1の値によって所定の画像濃
度が得られる階調補正テーブルを作成する。この階調補
正テーブルは前述のように16段階程度の画像信号値をそ
れぞれ所定の画像濃度値に対応させるものである。この
階調補正テーブルを示すデータS8はデータ補間手段38に
入力され、ここで補間処理がなされて、1024段階（＝10
bit）の画像信号S1に対応できる階調補正テーブルが得
られる。この階調補正テーブルを示すデータS9に基づい
て、前述の階調補正テーブル12が形成される。 画像信号S1に基づく画像記録時には、マルチプレクサ
11を介して階調補正テーブル12に入力された画像信号S1
が、この階調補正テーブル12によって信号S1′に変換さ
れ、次いで逆log変換テーブル13により発光レベル指令
信号S1″に変換される。 次にＶ−Ｐ特性補正テーブル14について説明する。AP
C回路８において、帰還信号Vpdを加算点２にフィードバ
ックさせても、発光レベル指令信号と光ビーム４の強度
との関係を理想的なもの（第４図の実線表示の関係）と
することは困難である。すなわちこの理想的な関係を得
るためには、APC回路８のループゲインを70dB程度と極
めて高く設定することが必要であるが、現状ではこのよ
うな高いループゲインを実現することは極めて難しい。
Ｖ−Ｐ特性補正テーブル14は、上記の理想的な関係を得
るために設けられている。すなわち、発光レベル指令信
号Vrefと半導体レーザ１の光出力との理想的な関係を第
５図にａで示す直線とし、実際の関係を同じく第５図に
ｂで示す曲線とすると、Ｖ−Ｐ特性補正テーブル14は、
発光レベル指令信号S1″がそのままD/A変換された場合
の電圧値がVinであったと仮定すると、この電圧値Vinを
Ｖなる値に変換するように形成されている。つまり発光
レベル指令信号Vrefの値がVinであったとすると、Ｐ′
の光強度しか得られないが、上記の変換がなされていれ
ば、電圧値Vinに対してP₀の光強度が得られる。すなわ
ち発光レベル指令信号S1″に対応する電圧値Vinと光出
力Pfとの関係は、線形なものとなる。 このようになっていれば、画像信号S1を所定量変化さ
せることにより、感光材料20における濃度を等間隔で制
御できる。また第５図の特性曲線ｂは、前述したように
半導体レーザ１をそのLED領域とレーザ発振領域に亘っ
て駆動させた場合のものであり、このようにすれば３桁
程度の光出力ダイナミックレンジが確保されるから、前
述のように1024段階程度の高階調画像を、容易にかつ高
精度で記録できるようになる。 以上述べたように、半導体レーザ１の駆動電流対光出
力特性が非線形であることに起因する発光レベル指令信
号対レーザ光出力特性の非線形性を、Ｖ−Ｐ特性補正テ
ーブル14によって線形に補正すれば、電圧−電流変換ア
ンプ３、半導体レーザ１、フォトダイオード６、電流−
電圧変換アンプ７から加算点２に戻る系で構成されるAP
C回路８のループゲインには、上記非線形性を補正する
のに必要なゲインを含まなくて済むようになる。すなわ
ちこのループゲインは、半導体レーザ１の動作中に生じ
る過渡的温度変化、あるいは半導体レーザ１のケース温
度一定化制御の誤差による半導体レーザ１の駆動電流対
光出力特性からのズレを補正するため、さらにはアンプ
等のドリフトを補正するために必要なだけ確保されてい
ればよい。具体的には、例えば画素クロック周波数が1M
Hzで、半導体レーザ１が光出力3mWで作動している状態
において、上記ループゲインは30dB程度確保されていれ
ば十分である。この程度のループゲインは、現在の技術
水準で容易に確保可能である。 ここで上記Ｖ−Ｐ特性補正テーブル14の作成について
説明する。第１図の装置には、テーブル作成装置35が適
宜接続されうるようになっている。このテーブル作成装
置35は、テスト信号発生回路27、テーブル作成回路28お
よびメモリ29からなる。Ｖ−Ｐ特性補正テーブル14を作
成する際には、上記テスト信号発生回路27からレベル可
変のデジタルテスト信号S10が出力され、マルチプレク
サ15に入力される。この際該マルチプレクサ15は、前述
のように発光レベル指令信号S5をD/A変換器16に送る画
像記録時の状態から切り換えて、テスト信号S10をD/A変
換器16に送る状態とされる。またテーブル作成回路28
は、APC回路８の電流−電圧変換アンプ７が出力する帰
還信号Vpdが入力されるように接続される。テスト信号S
10は、段階的にレベルが増大あるいは減小するように出
力される。そしてこのときテーブル作成回路28は、内蔵
するレベル可変信号発生器から、まず最低の光出力に対
応する基準信号を発生させ、該基準信号と帰還信号Vpd
とを比較する。この基準信号は、第５図における電圧値
Vinを有するものである。そしてテーブル作成回路28
は、これら両信号が一致したときのテスト信号S10の値
をラッチする。このラッチされたテスト信号S10が示す
電圧値は、第５図における電圧値Ｖに相当するものであ
るから、上記電圧値VinとＶとの関係が分かる。テーブ
ル作成回路28は上記基準信号の値を1024通りに変えて、
それぞれの場合の電圧値VinとＶとの関係を求める。そ
れにより、先に述べたように1024段階の電圧値VinをＶ
に変換する補正テーブルが作成される。こうして作成さ
れた補正テーブルはメモリ29に一たん記憶された後、Ｖ
−Ｐ特性補正テーブル14として設定される。こうしてＶ
−Ｐ特性補正テーブル14を作成した後、テーブル作成装
置35はAPC回路８から切り離される。 次にAPC回路８のループゲインを一定に設定する点に
ついて説明する。前記ゲイン調節手段50および52は、例
えばトリマー抵抗からなるアッテネータであり、これら
のゲイン調節手段50、52を調整することにより、APC回
路８のループゲインが変えられる。本実施例においては
特に、フォトダイオード６の感度バラツキがゲイン調節
手段52によって解消されるようになっている。この感度
調整に際しては、発光レベル指令信号Vrefの代わりに、
レベル可変のテスト信号Vtesが入力される。このテスト
信号Vtesは、例えば前記テスト信号発生回路27を利用す
る等して入力される。このとき、光ビーム４の強度を例
えば光パワーメータ等で測定し、所定の光強度Ptesが得
られるようにテスト信号Vtesの値を設定する。そしてゲ
イン調節手段52から出力される帰還信号Vpdをモニタし
ながら、該信号Vpdと上記光強度Ptesが所定の関係とな
るようにゲイン調節手段52を調整する。こうすることに
より、フォトダイオード６の感度バラツキが補償され
る。 上記の調整を行なった後、ゲイン調節手段50によりAP
C回路８のループゲインを所定値に設定する調整を行な
う。この調整に際しては所定の発光レベル指令信号Vref
を加算点２に入力し、該加算点２からの出力すなわち偏
差信号Veをモニタする。APC回路８のループゲインをGo
とすると、 Ve＝Vref/（１＋Go） となるから、上式を満足する偏差信号Veが得られるよう
にゲイン調節手段50を調整する。また発光レベル指令信
号Vrefとしてステップ入力を与え、そのオーバーシュー
ト量および行き過ぎ時間などを観察することにより調整
することもできる。なお上記ループゲインの調整は、半
導体レーザ１の微分量子効率が高いレーザ発振領域にお
いて行なわなくてはならない。 上記ループゲインをさらに正確に所定値に合せ込むに
は、前述のフォトダイオード６の感度バラツキ補償を行
なった後、ゲイン調節手段52と加算点２との間でAPC回
路８のループを開き、発光レベル指令信号Vrefに正弦波
を重畳させて、帰還信号Vpdに表われる正弦波の振幅と
上記正弦波の振幅とを比較し、それらの比が所望のルー
プゲインと等しくなるようにゲイン調節手段50を調整し
てもよい。 このように、ゲイン調節手段52によってフォトダイオ
ード６の感度バラツキを補償するのみならず、ゲイン調
節手段50によって半導体レーザ１の微分量子効率のバラ
ツキも補償すれば、APC回路８のループゲイン調節がよ
りきめ細かく行なわれ得るので、記録画像の鮮鋭度をよ
り精度良く一定値に合わせることができる。 なお上記実施例においては、発光レベル指令信号S1″
対光出力Pfの関係を線形にするＶ−Ｐ補正テーブル14が
設けられているが、APC回路８のゲインを例えば70dB程
度と十分に大きく確保できれば、このAPC回路８のみに
より第４図の実線で示す理想的な関係が得られるから、
特に上記のようなＶ−Ｐ補正テーブル14を設ける必要は
ない。 また、光ビーム４を走査させるビーム走査系には、入
射光強度対光透過率特性が非線形な光学素子、例えば偏
光フィルタや干渉フィルタ、あるいは開口制限板等が設
けられることがあるが、このような場合にはＶ−Ｐ補正
テーブル14を、上記非線形性も補償するように形成する
のが好ましい。 また上記実施例においては、２つのゲイン調節手段5
0、52が設けられているが、本発明のレーザ記録装置に
おいては、１つあるいは３つ以上のゲイン調節手段が設
けられてもよい。 （発明の効果） 以上詳細に説明した通り本発明のレーザ記録装置にお
いては、APC回路のループゲインを所望値に揃えること
ができるから、発光レベル指令信号対半導体レーザ光出
力の関係を個体差無く一定に設定して、光量制御を精度
良く行なえるようになり、またAPC回路のループゲイン
が設計値よりも高くなり過ぎて該回路が発振を起こすこ
とも防止できる。さらに、APC回路のループゲインが各
レーザ記録装置間で揃っていれば、半導体レーザの発光
応答性が各レーザ記録装置間で一定に揃うようになり、
したがって記録画像の鮮鋭度を好ましい一定値に合わせ
ることが可能となり、レーザ記録装置の商品価値を高め
ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の一実施例によるレーザ記録装置を示す
概略図、 第２図は半導体レーザの駆動電流対光出力特性を示すグ
ラフ、 第３図は半導体レーザ光出力安定化回路の一例を示すブ
ロック図、 第４図は発光レベル指令信号と半導体レーザ光出力との
関係を示すグラフ、 第５図は上記実施例装置におけるＶ−Ｐ特性補正テーブ
ルの作用を説明するグラフである。 １……半導体レーザ、２……加算点 ３……電圧−電流変換アンプ ４、５……光ビーム、６……フォトダイオード ７……電流−電圧変換アンプ ８……APC回路、10……画像信号発生器 14……Ｖ−Ｐ特性補正テーブル 16……D/A変換器、17……コリメータレンズ 18……光偏向器、19……集束レンズ 20……感光材料、35……テーブル作成装置 50、52……ゲイン調節手段、S1……画像信号 S5、Vref……発光レベル指令信号 Vpd……帰還信号、Ve……偏差信号

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】 １．光ビームを発する半導体レーザと、 前記光ビームを感光材料上に走査させるビーム走査系
   と、 画像信号に対応したアナログの発光レベル指令信号を生
   成し、該信号に基づいて前記半導体レーザの駆動電流を
   自然発光領域とレーザ発振領域とに亘ってアナログ制御
   して前記光ビームの強度を変調するレーザ動作制御回路
   とを有するレーザ記録装置において、 前記レーザ動作制御回路が、前記光ビームの強度を検出
   し、この検出された光強度に対応する帰還信号を前記発
   光レベル指令信号にフィードバックし、これら発光レベ
   ル指令信号と帰還信号との偏差を示す偏差信号に基づい
   て前記半導体レーザを駆動させる光出力安定化回路を有
   し、 この光出力安定化回路の帰還信号の経路および偏差信号
   の経路にそれぞれ、ゲイン調節手段が設けられているこ
   とを特徴とするレーザ記録装置。