JPH0946045A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
多層配線基板の製造方法Info
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- JPH0946045A JPH0946045A JP19003395A JP19003395A JPH0946045A JP H0946045 A JPH0946045 A JP H0946045A JP 19003395 A JP19003395 A JP 19003395A JP 19003395 A JP19003395 A JP 19003395A JP H0946045 A JPH0946045 A JP H0946045A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スルーホールの穴径が小さく、工程も簡略化
され、低コスト化を図ることができる多層配線基板の製
造方法を提供する。 【構成】 有機材料を中間絶縁層とする多層配線構造を
有する多層配線基板の製造方法において、下層配線１１
を形成する工程と、前記下層配線１１上に金属からなる
スルーホールポストとしてのスタッドバンプ１２を形成
する工程と、中間絶縁層１３を形成し、前記スルーホー
ルポストとしてのスタッドバンプ１２上面を露出させ埋
め込む工程と、上層配線１４を形成する工程とを順次施
す。
され、低コスト化を図ることができる多層配線基板の製
造方法を提供する。 【構成】 有機材料を中間絶縁層とする多層配線構造を
有する多層配線基板の製造方法において、下層配線１１
を形成する工程と、前記下層配線１１上に金属からなる
スルーホールポストとしてのスタッドバンプ１２を形成
する工程と、中間絶縁層１３を形成し、前記スルーホー
ルポストとしてのスタッドバンプ１２上面を露出させ埋
め込む工程と、上層配線１４を形成する工程とを順次施
す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層配線基板の製造方
法に係り、特に、プリント基板で高密度配線が可能な低
価格の多層配線基板の製造方法に関するものである。
法に係り、特に、プリント基板で高密度配線が可能な低
価格の多層配線基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この様な分野の技術としては、
日経マイクロデバイス １９９５年１月号 １０２頁
第１回マイクロエレクトロニクスシンポジウム １９
８５年７月 東京 第４０〜４３頁 エレクトロニク
ス実装技術基礎講座 第３巻、膜回路形成技術第９８〜
１００頁に開示されるようなものがあった。
日経マイクロデバイス １９９５年１月号 １０２頁
第１回マイクロエレクトロニクスシンポジウム １９
８５年７月 東京 第４０〜４３頁 エレクトロニク
ス実装技術基礎講座 第３巻、膜回路形成技術第９８〜
１００頁に開示されるようなものがあった。
【０００３】従来から電子機器には部品搭載及び部品間
相互接続のために、プリント配線基板が用いられてい
る。これらの基板は機能向上のため多層となり、層数も
増える傾向にある。２層配線基板も含め上下の配線層を
電気的に接続するには、従来は層間絶縁膜に穴をあけ、
その穴の周囲をメッキ等で導通をもたせる方法が一般的
であった。
相互接続のために、プリント配線基板が用いられてい
る。これらの基板は機能向上のため多層となり、層数も
増える傾向にある。２層配線基板も含め上下の配線層を
電気的に接続するには、従来は層間絶縁膜に穴をあけ、
その穴の周囲をメッキ等で導通をもたせる方法が一般的
であった。
【０００４】しかし、このような方法では、その部分は
穴になっているので、部品搭載用のパットを表層に形成
することができない。また、その穴の直径も０．３ｍｍ
前後より小さくなり難く、基板縮小の障害、高密度実装
のネックになっていた。プリント基板において、ライン
アンドスペースの値は着実に小さくなっているが、スル
ーホールの高密度化が未解決のため、高密度多層配線基
板ではセラミック製が主に用いられている。
穴になっているので、部品搭載用のパットを表層に形成
することができない。また、その穴の直径も０．３ｍｍ
前後より小さくなり難く、基板縮小の障害、高密度実装
のネックになっていた。プリント基板において、ライン
アンドスペースの値は着実に小さくなっているが、スル
ーホールの高密度化が未解決のため、高密度多層配線基
板ではセラミック製が主に用いられている。
【０００５】このような問題を解決する１つの手法とし
て、文献に示すように、炭酸ガスレーザーで穴をあけ
（この手法によると、０．１５ｍｍΦの穴をあけること
ができる。）、この穴に銅ペーストを充填する方法があ
る。しかし、素材単価が上がるという問題の他、穴径が
０．１５ｍｍ以下にならないという問題点があり本質的
な解決には至っていない。
て、文献に示すように、炭酸ガスレーザーで穴をあけ
（この手法によると、０．１５ｍｍΦの穴をあけること
ができる。）、この穴に銅ペーストを充填する方法があ
る。しかし、素材単価が上がるという問題の他、穴径が
０．１５ｍｍ以下にならないという問題点があり本質的
な解決には至っていない。
【０００６】また、穴径を本質的に小さくし、上下層間
の接続を確実にする手法として、文献に示す方法があ
る。図２はかかる従来の高密度多層配線基板の要部断面
図である。図において、１は基板、２は下層配線、３は
層間絶縁層、４は下層配線２上に立てられたスルーホー
ルポスト、５は上層配線である。因みに、下層配線２の
厚さは１２μｍ、層間絶縁層３の厚さは４０μｍ、上層
配線５の厚さは１２μｍである。
の接続を確実にする手法として、文献に示す方法があ
る。図２はかかる従来の高密度多層配線基板の要部断面
図である。図において、１は基板、２は下層配線、３は
層間絶縁層、４は下層配線２上に立てられたスルーホー
ルポスト、５は上層配線である。因みに、下層配線２の
厚さは１２μｍ、層間絶縁層３の厚さは４０μｍ、上層
配線５の厚さは１２μｍである。
【０００７】この図に示すように、配線基板を作製する
のに、基板１上に下層配線２を作製した後、必要な場所
にいわゆるバンプを作製する時と略同じ工程でスルーホ
ールポスト４を形成する。従って、スルーホールポスト
４を立てるに当たっては、ホトリソ技術によるレジスト
塗布、現像、更にメッキ等の工程が必要となり、価格と
しては高いものになる。
のに、基板１上に下層配線２を作製した後、必要な場所
にいわゆるバンプを作製する時と略同じ工程でスルーホ
ールポスト４を形成する。従って、スルーホールポスト
４を立てるに当たっては、ホトリソ技術によるレジスト
塗布、現像、更にメッキ等の工程が必要となり、価格と
しては高いものになる。
【０００８】スルーホールポスト４形成後、層間絶縁膜
３を全面に塗布し、上からホットプレスにより加圧す
る。適度な条件を選ぶことにより、絶縁層表面にスルー
ホールポスト４の上面が現れるので、この上から上層配
線５を行う。文献では配線材に銅を用いている。
３を全面に塗布し、上からホットプレスにより加圧す
る。適度な条件を選ぶことにより、絶縁層表面にスルー
ホールポスト４の上面が現れるので、この上から上層配
線５を行う。文献では配線材に銅を用いている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たスルーホールポストによる手法では、ホトリソ技術を
用いるので工程が多くなり、コストが高くなるという大
きな欠点があった。また、上記したように、レーザー技
術を用いる方法では、穴径が大きくなりすぎ、基板サイ
ズの縮小、高密度実装の達成が難しい。
たスルーホールポストによる手法では、ホトリソ技術を
用いるので工程が多くなり、コストが高くなるという大
きな欠点があった。また、上記したように、レーザー技
術を用いる方法では、穴径が大きくなりすぎ、基板サイ
ズの縮小、高密度実装の達成が難しい。
【００１０】本発明は、上記問題点を除去し、スルーホ
ールの穴径が小さく、工程も簡略化され、低コスト化を
図ることができる多層配線基板の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
ールの穴径が小さく、工程も簡略化され、低コスト化を
図ることができる多層配線基板の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （１）有機材料を中間絶縁層とする多層配線構造を有す
る多層配線基板の製造方法において、下層配線を形成す
る工程と、前記下層配線上に金属からなるスルーホール
ポストを形成する工程と、中間絶縁層を形成し、前記ス
ルーホールポスト上面を露出させ埋め込む工程と、上層
配線を形成する工程とを順次施すようにしたものであ
る。
成するために、 （１）有機材料を中間絶縁層とする多層配線構造を有す
る多層配線基板の製造方法において、下層配線を形成す
る工程と、前記下層配線上に金属からなるスルーホール
ポストを形成する工程と、中間絶縁層を形成し、前記ス
ルーホールポスト上面を露出させ埋め込む工程と、上層
配線を形成する工程とを順次施すようにしたものであ
る。
【００１２】（２）上記（１）記載の多層配線基板の製
造方法において、前記スルーホールポストは、スタッド
バンプにより形成するようにしたものである。 （３）上記（１）記載の多層配線基板の製造方法におい
て、前記スルーホールポストは、導電性ボールの固着に
より形成するようにしたものである。 （４）上記（１）記載の多層配線基板の製造方法におい
て、前記スルーホールポストは、微粒子金属の堆積によ
り形成するようにしたものである。
造方法において、前記スルーホールポストは、スタッド
バンプにより形成するようにしたものである。 （３）上記（１）記載の多層配線基板の製造方法におい
て、前記スルーホールポストは、導電性ボールの固着に
より形成するようにしたものである。 （４）上記（１）記載の多層配線基板の製造方法におい
て、前記スルーホールポストは、微粒子金属の堆積によ
り形成するようにしたものである。
【００１３】
（１）請求項１記載の多層配線基板の製造方法によれ
ば、下層配線を形成する工程と、前記下層配線上に金属
からなるスルーホールポストを形成する工程と、中間絶
縁層を形成し、前記スルーホールポスト上面を露出させ
埋め込む工程と、上層配線を形成する工程とを順次施す
ようにしたので、極ありふれたスルーホールポストの形
成手段により、従来技術より一桁小さい直径を有するス
ルーホールポストを形成し、極めて細かいピッチのスル
ーホール配線をもつ樹脂多層配線基板を得ることができ
る。
ば、下層配線を形成する工程と、前記下層配線上に金属
からなるスルーホールポストを形成する工程と、中間絶
縁層を形成し、前記スルーホールポスト上面を露出させ
埋め込む工程と、上層配線を形成する工程とを順次施す
ようにしたので、極ありふれたスルーホールポストの形
成手段により、従来技術より一桁小さい直径を有するス
ルーホールポストを形成し、極めて細かいピッチのスル
ーホール配線をもつ樹脂多層配線基板を得ることができ
る。
【００１４】また、上下配線を結ぶスルーホール上に
も、部品搭載のためのパッドを容易に形成することがで
きる。 （２）請求項２記載の多層配線基板の製造方法によれ
ば、前記スルーホールポストは、スタッドバンプにより
形成するようにしたので、容易にスルーホールポストを
形成し、極めて細かいピッチのスルーホール配線を形成
することができる。
も、部品搭載のためのパッドを容易に形成することがで
きる。 （２）請求項２記載の多層配線基板の製造方法によれ
ば、前記スルーホールポストは、スタッドバンプにより
形成するようにしたので、容易にスルーホールポストを
形成し、極めて細かいピッチのスルーホール配線を形成
することができる。
【００１５】（３）請求項３記載の多層配線基板の製造
方法によれば、前記スルーホールポストは、導電性ボー
ルの固着により形成するようにしたので、例えば、半田
付きの金属ボールにより、容易に細かいピッチのスルー
ホール配線を形成することができる。 （４）請求項４記載の多層配線基板の製造方法によれ
ば、前記スルーホールポストは、微粒子金属の堆積によ
り形成するようにしたので、ノズルの操作により、容易
に思い通りの細かいピッチのスルーホール配線を形成す
ることができる。
方法によれば、前記スルーホールポストは、導電性ボー
ルの固着により形成するようにしたので、例えば、半田
付きの金属ボールにより、容易に細かいピッチのスルー
ホール配線を形成することができる。 （４）請求項４記載の多層配線基板の製造方法によれ
ば、前記スルーホールポストは、微粒子金属の堆積によ
り形成するようにしたので、ノズルの操作により、容易
に思い通りの細かいピッチのスルーホール配線を形成す
ることができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。図１は本発明の第１実施例を示す多層
配線基板の製造工程断面図である。 （１）まず、図１（ａ）に示すように、基板１０上に下
層配線１１を形成し、その下層配線１１上にスルーホー
ルポストをいわゆるスタッドバンプ１２により形成す
る。ここでは、下層配線１１として銅を用い、スタッド
バンプ１２の材質も銅で行った。出来上がったスタッド
バンプ１２の直径は、略３０μｍで高さも同じであっ
た。
ながら説明する。図１は本発明の第１実施例を示す多層
配線基板の製造工程断面図である。 （１）まず、図１（ａ）に示すように、基板１０上に下
層配線１１を形成し、その下層配線１１上にスルーホー
ルポストをいわゆるスタッドバンプ１２により形成す
る。ここでは、下層配線１１として銅を用い、スタッド
バンプ１２の材質も銅で行った。出来上がったスタッド
バンプ１２の直径は、略３０μｍで高さも同じであっ
た。
【００１７】ボンディングはＡｒガスに水素ガスを混入
させた雰囲気で行い、基板１０の温度２００℃、ボンデ
ィング圧力７０グラムで行った。また、スタッドバンプ
１２によるスルーホールポストの可能なピッチを検討し
たところ１００μｍピッチまでは細かく出来ることが分
かった。すなわち、この実施例によれば、従来のいわゆ
るビアホールに相当するスルーホールピッチを、１００
μｍに設定することが可能である。
させた雰囲気で行い、基板１０の温度２００℃、ボンデ
ィング圧力７０グラムで行った。また、スタッドバンプ
１２によるスルーホールポストの可能なピッチを検討し
たところ１００μｍピッチまでは細かく出来ることが分
かった。すなわち、この実施例によれば、従来のいわゆ
るビアホールに相当するスルーホールピッチを、１００
μｍに設定することが可能である。
【００１８】また、銅ワイヤを用いたのでボンディング
条件が金の場合に比べ、若干きつく、下層配線１１
（銅）の膜厚を１μｍに設定した時は、下地基板１０に
クラックが生じた。しかし、２μｍ以上にすることによ
り、下層配線１１と安定な接続を得ることができた。 （２）次に、図１（ｂ）に示すように、エポキシ樹脂１
０を基板全面にコートし、上からホットプレス（図示せ
ず）で加圧、加熱を行い、中間絶縁層１３を形成した。
ホットプレスの温度は１００℃、加圧時間は１時間とし
た。適度な圧力（ここでは、１０ｇ／スルーホールポス
ト）を選ぶことにより、中間絶縁層１３としてのエポキ
シ樹脂の同一表面に、スタッドバンプ１２の上面１２ａ
を露出させることができた。なお、加圧時、プレスと樹
脂間に離型フィルムを挿入したが、これは必ずしも必要
ではない。
条件が金の場合に比べ、若干きつく、下層配線１１
（銅）の膜厚を１μｍに設定した時は、下地基板１０に
クラックが生じた。しかし、２μｍ以上にすることによ
り、下層配線１１と安定な接続を得ることができた。 （２）次に、図１（ｂ）に示すように、エポキシ樹脂１
０を基板全面にコートし、上からホットプレス（図示せ
ず）で加圧、加熱を行い、中間絶縁層１３を形成した。
ホットプレスの温度は１００℃、加圧時間は１時間とし
た。適度な圧力（ここでは、１０ｇ／スルーホールポス
ト）を選ぶことにより、中間絶縁層１３としてのエポキ
シ樹脂の同一表面に、スタッドバンプ１２の上面１２ａ
を露出させることができた。なお、加圧時、プレスと樹
脂間に離型フィルムを挿入したが、これは必ずしも必要
ではない。
【００１９】（３）次いで、図１（ｃ）に示すように、
上層配線１４をスルーホールポストとしてのスタッドバ
ンプ１２に接続できるように形成した。なお、従来の文
献では、ホトリソ技術等、高価格な技術を必要とした
が、本発明では、一台のボンディング装置でスルーホー
ルポストを精度よく作製できた。 次に、本発明の第２
実施例について説明する。
上層配線１４をスルーホールポストとしてのスタッドバ
ンプ１２に接続できるように形成した。なお、従来の文
献では、ホトリソ技術等、高価格な技術を必要とした
が、本発明では、一台のボンディング装置でスルーホー
ルポストを精度よく作製できた。 次に、本発明の第２
実施例について説明する。
【００２０】上記第１実施例では、スルーホールポスト
をスタッドバンプにより得るようにしたが、検討の結
果、金属ボールを所定の位置に設置することにより、同
様の効果を得られることが判明した。なお、現在では種
々の金属ボールが市販されている。以下、本発明の第２
実施例について図３を参照しながら説明する。
をスタッドバンプにより得るようにしたが、検討の結
果、金属ボールを所定の位置に設置することにより、同
様の効果を得られることが判明した。なお、現在では種
々の金属ボールが市販されている。以下、本発明の第２
実施例について図３を参照しながら説明する。
【００２１】（１）まず、図３（ａ）に示すように、基
板２０上に下層配線２１を形成し、その下層配線２１上
にスルーホールポストとして、３０μｍ径の銅ボール２
２Ａに半田２２Ｂがコートされた導電性ボール２２を熱
により固定した。 （２）次に、図３（ｂ）に示すように、エポキシ樹脂を
基板２０全面にコートし、上からホットプレス（図示せ
ず）で加圧、加熱を行い、中間絶縁層２３を形成した。
板２０上に下層配線２１を形成し、その下層配線２１上
にスルーホールポストとして、３０μｍ径の銅ボール２
２Ａに半田２２Ｂがコートされた導電性ボール２２を熱
により固定した。 （２）次に、図３（ｂ）に示すように、エポキシ樹脂を
基板２０全面にコートし、上からホットプレス（図示せ
ず）で加圧、加熱を行い、中間絶縁層２３を形成した。
【００２２】（３）次に、図３（ｃ）に示すように、上
層配線２４をスルーホールポストとしての導電性ボール
２２に接続できるように形成した。この方法によって
も、目的とする多層配線構造をえることができた。次
に、本発明の第３実施例について説明する。スルーホー
ルポストを得る手段として金属微粒子を堆積する手段も
検討した。
層配線２４をスルーホールポストとしての導電性ボール
２２に接続できるように形成した。この方法によって
も、目的とする多層配線構造をえることができた。次
に、本発明の第３実施例について説明する。スルーホー
ルポストを得る手段として金属微粒子を堆積する手段も
検討した。
【００２３】これはジェットプリンティングシステムと
呼ばれる技術（文献にも示されている）を用いるもの
で、予めＡｒガス中等で作製された金属微粒子をノズル
で所定の位置に導き堆積させるものである。以下、本発
明の第３実施例について図４を参照しながら説明する。 （１）まず、図４（ａ）に示すように、基板３０上に下
層配線３１を形成し、その下層配線３１上にジェットプ
リンティングにより、スルーホールポストとして、金属
微粒子３２をノズル３３より導き堆積させる。
呼ばれる技術（文献にも示されている）を用いるもの
で、予めＡｒガス中等で作製された金属微粒子をノズル
で所定の位置に導き堆積させるものである。以下、本発
明の第３実施例について図４を参照しながら説明する。 （１）まず、図４（ａ）に示すように、基板３０上に下
層配線３１を形成し、その下層配線３１上にジェットプ
リンティングにより、スルーホールポストとして、金属
微粒子３２をノズル３３より導き堆積させる。
【００２４】（２）次に、図４（ｂ）に示すように、エ
ポキシ樹脂を基板３０全面にコートし、上からホットプ
レス（図示せず）で加圧、加熱を行い、中間絶縁層３４
を形成した。 （３）次に、図４（ｃ）に示すように、上層配線３５を
スルーホールポストとしての金属微粒子３２に接続でき
るように形成した。
ポキシ樹脂を基板３０全面にコートし、上からホットプ
レス（図示せず）で加圧、加熱を行い、中間絶縁層３４
を形成した。 （３）次に、図４（ｃ）に示すように、上層配線３５を
スルーホールポストとしての金属微粒子３２に接続でき
るように形成した。
【００２５】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２６】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、下層配線を形成す
る工程と、前記下層配線上に金属からなるスルーホール
ポストを形成する工程と、中間絶縁層を形成し、前記ス
ルーホールポスト上面を露出させ埋め込む工程と、上層
配線を形成する工程とを順次施すようにしたので、極あ
りふれたスルーホールポストの形成手段により、スルー
ホールポストを形成し、極めて細かいピッチのスルーホ
ール配線をもつ樹脂多層配線基板を得ることができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、下層配線を形成す
る工程と、前記下層配線上に金属からなるスルーホール
ポストを形成する工程と、中間絶縁層を形成し、前記ス
ルーホールポスト上面を露出させ埋め込む工程と、上層
配線を形成する工程とを順次施すようにしたので、極あ
りふれたスルーホールポストの形成手段により、スルー
ホールポストを形成し、極めて細かいピッチのスルーホ
ール配線をもつ樹脂多層配線基板を得ることができる。
【００２７】また、上下配線を結ぶスルーホール上に
も、部品搭載のためのパッドを容易に形成することがで
きる。 （２）請求項２記載の発明によれば、前記スルーホール
ポストは、スタッドバンプにより形成するようにしたの
で、容易にスルーホールポストを形成し、極めて細かい
ピッチのスルーホール配線を形成することができる。
も、部品搭載のためのパッドを容易に形成することがで
きる。 （２）請求項２記載の発明によれば、前記スルーホール
ポストは、スタッドバンプにより形成するようにしたの
で、容易にスルーホールポストを形成し、極めて細かい
ピッチのスルーホール配線を形成することができる。
【００２８】（３）請求項３記載の発明によれば、前記
スルーホールポストは、導電性ボールの固着により形成
するようにしたので、例えば、半田付きの金属ボールに
より、容易に細かいピッチのスルーホール配線を形成す
ることができる。 （４）請求項４記載の発明によれば、前記スルーホール
ポストは、微粒子金属の堆積により形成するようにした
ので、ノズルの操作により、容易に思い通りの細かいピ
ッチのスルーホール配線を形成することができる。
スルーホールポストは、導電性ボールの固着により形成
するようにしたので、例えば、半田付きの金属ボールに
より、容易に細かいピッチのスルーホール配線を形成す
ることができる。 （４）請求項４記載の発明によれば、前記スルーホール
ポストは、微粒子金属の堆積により形成するようにした
ので、ノズルの操作により、容易に思い通りの細かいピ
ッチのスルーホール配線を形成することができる。
【００２９】この樹脂多層基板によれば、上下配線を結
ぶスルーホール上にも、部品搭載のためのパッドを容易
に形成することができる。従来技術より一桁小さい直径
を持ち、ランドが不要なスルーホールポストによりほぼ
理想的な多層配線構造を価格の上昇なく得る事が可能と
なる。
ぶスルーホール上にも、部品搭載のためのパッドを容易
に形成することができる。従来技術より一桁小さい直径
を持ち、ランドが不要なスルーホールポストによりほぼ
理想的な多層配線構造を価格の上昇なく得る事が可能と
なる。
【図１】本発明の第１実施例を示す多層配線基板の製造
工程断面図である。
工程断面図である。
【図２】従来の高密度多層配線基板の要部断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の第２実施例を示す多層配線基板の製造
工程断面図である。
工程断面図である。
【図４】本発明の第３実施例を示す多層配線基板の製造
工程断面図である。
工程断面図である。
１０，２０，３０ 基板 １１，２１，３１ 下層配線 １２ スタッドバンプ １２ａ スタッドバンプの上面 １３，２３，３４ 中間絶縁層 １４，２４，３５ 上層配線 ２２ 導電性ボール ２２Ａ 銅ボール ２２Ｂ 半田 ３２ 金属微粒子 ３３ ノズル
Claims (4)
- 【請求項１】 有機材料を中間絶縁層とする多層配線構
造を有する多層配線基板の製造方法において、（ａ）下
層配線を形成する工程と、（ｂ）前記下層配線上に金属
からなるスルーホールポストを形成する工程と、（ｃ）
中間絶縁層を形成し、前記スルーホールポスト上面を露
出させ埋め込む工程と、（ｄ）上層配線を形成する工程
とを順次施すことを特徴とする多層配線基板の製造方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載の多層配線基板の製造方法
において、前記スルーホールポストは、スタッドバンプ
により形成することを特徴とする多層配線基板の製造方
法。 - 【請求項３】 請求項１記載の多層配線基板の製造方法
において、前記スルーホールポストは、導電性ボールの
固着により形成することを特徴とする多層配線基板の製
造方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の多層配線基板の製造方法
において、前記スルーホールポストは、微粒子金属の堆
積により形成することを特徴とする多層配線基板の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19003395A JPH0946045A (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19003395A JPH0946045A (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 多層配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0946045A true JPH0946045A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16251252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19003395A Withdrawn JPH0946045A (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0946045A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005091313A1 (ja) * | 2004-03-24 | 2005-09-29 | Minowa Koa Inc. | 電子部品 |
| JP2006066865A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-03-09 | Minowa Koa Inc | 電子部品 |
| JP2007305774A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品内蔵基板及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-07-26 JP JP19003395A patent/JPH0946045A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005091313A1 (ja) * | 2004-03-24 | 2005-09-29 | Minowa Koa Inc. | 電子部品 |
| JPWO2005091313A1 (ja) * | 2004-03-24 | 2008-02-07 | 箕輪興亜株式会社 | 電子部品 |
| JP4568719B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2010-10-27 | コーア株式会社 | 電子部品 |
| JP2006066865A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-03-09 | Minowa Koa Inc | 電子部品 |
| JP4646296B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2011-03-09 | コーア株式会社 | 電子部品 |
| JP2007305774A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品内蔵基板及びその製造方法 |
| EP1868422A2 (en) * | 2006-05-11 | 2007-12-19 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Electronic component built-in substrate and method of manufacturing the same |
| EP1868422A3 (en) * | 2006-05-11 | 2014-01-08 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Electronic component built-in substrate and method of manufacturing the same |
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