JPH0945891A - 半導体デバイス - Google Patents
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Abstract
し、且つ温度負荷のもとでのデバイスの有効寿命も極め
て長くする。 【解決手段】 半導体デバイスは、担体(4)、この担
体の上に設けた少なくとも1個の半導体部品(1)及び
半導体部品と担体との間に多層メタライゼーション(2
1〜24)を具えている。半導体部品の表面上にアルミ
ニウム、金又は金合金の第1金属層(21)を設ける。
この第1金属層の上にはチタンの第2金属層(22)を
設け、この第2金属層の上にニッケルの第3金属層(2
3)を設け、この第3金属層の上には二成分又は三成分
の金−ゲルマニウム合金の第4金属層(24)を設け
る。
Description
設けた少なくとも1個の半導体部品及び該半導体部品と
前記担体との間に多層のメタライゼーション層を具えて
いる半導体デバイスに関するものである。
び他の部品、例えばディジタルトランジスタ、ダイオー
ド、センサ、抵抗又は小形キャパシタンスと組合わせた
トランジスタチップは半導体デバイスの第1製造工程と
して製造する。この目的のために、このような個別部品
は珪素ウェハの上に数千個同時に製造する。
ップに切断する。こうした各チップは電気接続線を設け
て担体の上に固着させてからパッケージ内に収納する。
パッケージに収納したトランジスタ、ダイオード等は回
路又はアセンブリにはんだ付けする。
るためには、部品本体と、電極と、担体と、パッケージ
と、接続線との間に良好な電気的及び熱的接触が得られ
るようにするのが重要である。特に、ダイオード、トラ
ンジスタ等の場合に、半導体領域を電極及び外部の電線
に接続するための非整流金属−半導体接点を製造するの
が難問である。
点となり得る。こうした2つの接点のどちらが形成され
るかは、使用する接点材料の性質、製造技法及び他の要
因に依存する。オーム接続では、総電流値が印加電圧の
極性に無関係となる。これに対し、整流接点に流れる電
流は印加電圧の方向に左右される。
に良好に接続する必要がある。電極を同時に形成する多
層メタライゼーションによる担体又はチップ固着部品上
への珪素半導体素子の固着方法は様々な方法が既知であ
る。
と、この担体の上に設けた半導体部品とを具え、半導体
部品と担体との間に、金及びゲルマニウムを含む金属層
も具え、またバナジウム、アルミニウム、チタン、クロ
ム、ブリブデン及びニッケル−クロム合金の群からの金
属製の第1金属層を半導体部品の表面上に設け、この第
1金属層の上に銅、銅合金、ニッケル及びニッケル合金
の群からの金属製の第2金属層を設け、且つこの第2金
属層の上に金属及びゲルマニウムを含有する金−ゲルマ
ニウム合金又は金−ゲルマニウムを主成分とする合金で
作った金属層を設けた半導体デバイスが開示されてい
る。
たような接続層では、メタライゼーション層のそれぞれ
の拡散処理が障害をまねき、特に高い動作温度でのこれ
らの層そのものの寿命をかなり短くする。さらに、半導
体とメタライゼーション層との間の接触も不十分であ
る。
設けた少なくとも1個の半導体部品と、半導体部品と担
体との間における多層のメタライゼーション層とを具え
ており、且つ半導体部品と、メタライゼーション層と、
担体との間の電気的、機械的及び熱的接触を長期にわた
り安定な永続性のあるものとする半導体デバイスを提供
することにある。
上に設けた少なくとも1個の半導体部品及び該半導体部
品と前記担体との間に多層のメタライゼーション層を具
えている半導体デバイスにおいて、前記半導体部品の担
体側の表面上にアルミニウム、金又は金合金の第1金属
層を設け、該第1金属層の上にチタンの第2金属層を設
け、該第2金属層の上にニッケルの第3金属層を設け、
且つ該第3金属層の上に二成分又は三成分の金−ゲルマ
ニウム合金製の第4金属層を設けたことを特徴とする。
が極めて長くなることを確かめた。高めの温度でも接点
領域にてエージグが殆ど又は全く生じないため、このよ
うな半導体デバイスは、例えば自動車の用途にて生じる
ような150℃までの周囲温度での使用に好適である。
部品をPNPトランジスタとし、且つ前記第1金属層を
金製とする。このようにすれば、半導体デバイスの接点
層のオーム抵抗が低くなり、しかも有効寿命が著しく延
びる。
体部品をNPNトランジスタ又はPNダイオードとし、
且つ前記第1金属層を金−ヒ素合金で構成する。
のもとでメタライゼーション層と半導体部品との間の転
移部に、この位置における半導体内でも見られるのと同
じタイプの電荷キャリヤが生成されることになる。この
結果、転移部は障壁層特性、即ち整流作用を呈すること
なく、低いオーム抵抗を呈する。
金属層の層厚を0.1〜0.5μmとし、前記第2金属
層の層厚を0.05〜0.3μmとし、前記第3金属層
の層厚を0.05〜0.5μmとし、且つ前記第4金属
層の層厚を0.5〜5μmとする。
バイスは半導体部品1を具えており、この部品は個別バ
イポーラトランジスタ、特にプレーナトランジスタ又は
電界効果トランジスタとするか、或いは半導体ダイオー
ド、特に接合ダイオード又はショットキーダイオードと
するか、又はセンサー部品か、トランジスタと他の部
品、例えばディジタルトランジスタとを組合わせたもの
とすることもできる。これら又は他の半導体部品は、他
の金属層3を支持する担体、又はチップ固着部4の上に
多層メタライゼーション21,22,23,24によっ
てはんだ付けされ、このメタライゼーションは同時にコ
レクタ電極を形成し、その後半導体部品はパッケージ内
に収納される。デバイスは、それに電気的な接続線を設
けた後にプリント基板等の上に取り付けるのに用いるこ
とができる。
れる。個別部品の場合、この半導体部品は層厚が0.0
5〜0.6mmで、面積が0.02〜20mm2 の薄い
ドープ珪素ウェハとするのが普通である。
部品の隣接層、例えばトランジスタのコレクタ層の導電
形がP型であるのか、N形であるのかに応じてアルミニ
ウム、金又は金の合金製とする。Mドープドコレクタ層
用には、金−ヒ素合金のヒ素の含有量が0.05〜1.
00重量%の金−ヒ素合金を用いるのが好適である。
とし、第3メタライゼーション層23はニッケル製と
し、第4メタライゼーション層24は二成分又は三成分
の金−ゲルマニウム合金製とする。二成分の金−ゲルマ
ニウム合金は、そのゲルマニウム含有量を4〜20重量
%とするのが好適である。使用し得る三成分の金−ゲル
マニウム合金は第3合金成分としてホウ素又はアンチモ
ンを含有するものとする。
での例えば電子ビームによる蒸発や、陰極スパッタリン
グ又は同様な処理による蒸着法により製造することがで
きる。金又はアルミニウムを含有する第1層を設けた後
に、ウェハを還元状態のもとで熱処理する。この熱処理
中に金又はアルミニウムは珪素と共に融点の低い共融混
合物を形成し、これにより低オーム接点が得られる。
a又はIn)か、第4族からの金属(P,As,Sb)
との金の合金を用いる場合には、純粋な半導体材料の珪
素又はゲルマニウムのドーピングが境界層にて達成され
る。このような合金の金の成分そのものはSi又はGe
と結合して、熱処理中に関連する共融混合物を形成す
る。他の合金金属は前もって計算した厚さの半導体格子
層内に溶解して、この層をドーピングする。このような
追加ドーピングは、コレクタ領域が弱くドープされた半
導体の場合に接触を良くする。
んだ付け、特にろう付けによって行われる。この目的の
ために担体にははんだ付け可能な金属層を設ける必要も
ある。このはんだ付け/ろう付け層は銀、金、Sn/S
b合金等を含むものとすることができる。
ないが、それにも拘らず熱力学的に準平衡状態となる金
属系を設ける。これにより、酸素の拡散及び金属同士及
び半導体材料との間の相互拡散による酸化が抑制され
る。従って、温度負荷のもとでの長期挙動が十分に改善
された。促進寿命試験(ALT)では、従来の半導体デ
バイスに比べて製品寿命が6〜7倍に延びることを示し
た。
にてNドープ珪素基板ウェハの前側に形成した。次い
で、珪素基板ウェハの裏側に0.4重量%のヒ素成分を
有するAuAs合金の第1層を蒸着により堆積した。こ
のAuAs層の厚さは0.3μmとした。
ェハを420℃の温度で30分間加熱処理した。次に基
板ウェハを冷却して室温にまで下げた後に、AuAsの
メタライゼーション層の表面をアルゴンイオンでスパッ
ターエッチングすることにより清浄にして、酸化物及び
他の不純物を除去するようにした。次に第1メタライゼ
ーション層の上にチタンの第2層を0.15μmの厚さ
に堆積した。次いで、第2層の上にニッケルの第3層を
0.25μmの厚さに堆積し、最後にゲルマニウム成分
を12重量%含有するAuGeの第4層を1.3μmの
厚さに堆積した。
をダイヤモンドのこで個々のチップに分離した。これら
の各チップを銀めっきした担体にはんだ付けした。この
ようにして、各々が個別のNPNトランジスタチップを
具えている半導体部品を製造した。
特性を呈する。これらのトランジスタはかなり改善され
た長期安定性を呈し、しかも寿命試験での不良率も低減
した。接触抵抗は150℃での高温貯蔵試験で、300
0時間の経過後においても依然変化しなかった。
にてPドープ珪素基板ウェハの前側に形成した。次い
で、珪素基板ウェハの裏側に第1の金層を蒸着した。こ
のAu層の厚さは0.3μmとした。次に、このように
して金属化した基板ウェハを430℃の温度で20分間
加熱処理した。次いで基板ウェハを冷却して室温にまで
下げた後に、Auのメタライゼーション層の表面をアル
ゴンイオンでスパッターエッチングすることにより清浄
にして、酸化物及び他の不純物を除去するようにした。
次に、第1メタライゼーション層の上にチタンの第2層
を0.15μmの厚さに堆積した。次いで、この第2層
の上にニッケルの第3層を0.25μmの厚さに堆積
し、最後にゲルマニウム成分を12重量%含有するAu
Geの第4層を1.3μmの厚さに堆積した。
をダイヤモンドのこで個々のチップに分離した。これら
の各チップを銀めっきした担体にはんだ付けした。この
ようにして、各々が個別のPNPトランジスタチップを
具えている半導体部品を製造した。
特性を呈する。これらのトランジスタはかなり改善され
た長期安定性を呈し、しかも寿命試験での不良率も低減
した。接触抵抗は150℃での高温貯蔵試験で、300
0時間の経過後においても依然変化しなかった。
珪素基板ウェハの前側に形成した。次いで、珪素基板ウ
ェハの裏側に0.4重量%のヒ素成分を有するAuAs
合金の第1層を蒸着により堆積した。このAuAs層の
厚さは0.3μmとした。次いで、このようにして金属
化した基板ウェハを420℃の温度で30分間加熱処理
した。次に、この基板ウェハを冷却して室温にまで下げ
た後に、AuAsのメタライゼーション層の表面をアル
ゴンイオンでスパッターエッチングすることにより清浄
にして、酸化物及び他の不純物を除去するようにした。
次に第1メタライゼーション層の上にチタンの第2層を
0.15μmの厚さに堆積した。次いで、この第2層の
上にニッケルの第3層を0.25μmの厚さに堆積し、
最後にゲルマニウム成分を12重量%含有するAuGe
の第4層を1.3μmの厚さに堆積した。
をダイヤモンドのこで個々のチップに分離した。これら
の各チップを銀めっきした担体にはんだ付けした。この
ようにして、各々が個別のPNダイオードチップを具え
ている半導体部品を製造した。
を呈する。これらのPNダイオードは明らかに改善され
た長期安定性を呈し、しかも寿命試験での不良率も低減
した。接触抵抗は150℃での高温貯蔵試験で、300
0時間の経過後においても依然変化しなかった。
Claims (4)
- 【請求項1】 担体、該担体上に設けた少なくとも1個
の半導体部品及び該半導体部品と前記担体との間に多層
のメタライゼーション層を具えている半導体デバイスに
おいて、前記半導体部品の担体側の表面上にアルミニウ
ム、金又は金合金の第1金属層を設け、該第1金属層の
上にチタンの第2金属層を設け、該第2金属層の上にニ
ッケルの第3金属層を設け、且つ該第3金属層の上に二
成分又は三成分の金−ゲルマニウム合金製の第4金属層
を設けたことを特徴とする半導体デバイス。 - 【請求項2】 前記半導体部品をPNPトランジスタと
し、且つ前記第1金属層を金製としたことを特徴とする
請求項1に記載の半導体デバイス。 - 【請求項3】 前記半導体部品をNPNトランジスタ又
はPNダイオードとし、且つ前記第1金属層を金−ヒ素
合金で構成したことを特徴とする請求項1に記載の半導
体デバイス。 - 【請求項4】 前記第1金属層の層厚を0.1〜0.5
μmとし、前記第2金属層の層厚を0.05〜0.3μ
mとし、前記第3金属層の層厚を0.05〜0.5μm
とし、且つ前記第4金属層の層厚を0.5〜5μmとし
たことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載
の半導体デバイス。
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