JPH1051033A - 半導体受発光素子 - Google Patents
半導体受発光素子Info
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- JPH1051033A JPH1051033A JP20035096A JP20035096A JPH1051033A JP H1051033 A JPH1051033 A JP H1051033A JP 20035096 A JP20035096 A JP 20035096A JP 20035096 A JP20035096 A JP 20035096A JP H1051033 A JPH1051033 A JP H1051033A
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3442—Leadless components having edge contacts, e.g. leadless chip capacitors, chip carriers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 実装工程で半田食われに耐える電極構造をと
ることにより、配線基板上に直接搭載できるチップ型受
発光素子を提供する。 【解決手段】 オーミック電極部を耐半田浸食性の高い
金属で完全に覆った電極構造とする。
ることにより、配線基板上に直接搭載できるチップ型受
発光素子を提供する。 【解決手段】 オーミック電極部を耐半田浸食性の高い
金属で完全に覆った電極構造とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半田で直接配線基板
に接続、実装でき、なおかつ小型化できる半導体受発光
素子に関する。
に接続、実装でき、なおかつ小型化できる半導体受発光
素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】発光素子の代表的な利用分野は、表示パ
ネルや携帯機器のインジケータ、照光スイッチ、ＯＡ機
器の光源等がある。また、受光素子は光学センサーなど
に用いられている。また、受光素子と発光素子を組み合
わせたフォトカカプラー（フォトアイソレーター）とし
て用いられる。従来は、このようなデバイスを作製する
際に、受発光素子はランプ状あるいは用途に合わせた形
に樹脂モールドした状態で配線基板に実装される。例え
ば図２に示すように樹脂モールドされた発光素子は、通
常隙間のある対向する１対のリード端子の一方の１１の
先端に、発光素子１２の下面電極１３を導電性ペースト
１４で接続し、上面電極１５を金線１６でワイヤーボン
ディングし、他方のリード端子１７と接続させる。受光
素子においても同様である。このようにして作製された
部品型受発光素子端子を配線基板２６に半田２４により
実装される。
ネルや携帯機器のインジケータ、照光スイッチ、ＯＡ機
器の光源等がある。また、受光素子は光学センサーなど
に用いられている。また、受光素子と発光素子を組み合
わせたフォトカカプラー（フォトアイソレーター）とし
て用いられる。従来は、このようなデバイスを作製する
際に、受発光素子はランプ状あるいは用途に合わせた形
に樹脂モールドした状態で配線基板に実装される。例え
ば図２に示すように樹脂モールドされた発光素子は、通
常隙間のある対向する１対のリード端子の一方の１１の
先端に、発光素子１２の下面電極１３を導電性ペースト
１４で接続し、上面電極１５を金線１６でワイヤーボン
ディングし、他方のリード端子１７と接続させる。受光
素子においても同様である。このようにして作製された
部品型受発光素子端子を配線基板２６に半田２４により
実装される。
【０００３】従来の通常の実装技術は上記の通りである
が、最近では例えば特開平6-326365の特許のように配線
基板に直接実装できるチップ部品型ＬＥＤ（発光ダイオ
ード）に関するものがあり、この方法では電極をあらか
じめ半田等のろう材でコーティングすることを提案して
いる。しかし、一般的に電極部を半田などのろう材でコ
ーティングすると素子分離などの工程で不都合が生じや
すくなる可能性がある。またろう材でコーティングされ
ているからといって実装時の半田耐性が強い保証はな
い。
が、最近では例えば特開平6-326365の特許のように配線
基板に直接実装できるチップ部品型ＬＥＤ（発光ダイオ
ード）に関するものがあり、この方法では電極をあらか
じめ半田等のろう材でコーティングすることを提案して
いる。しかし、一般的に電極部を半田などのろう材でコ
ーティングすると素子分離などの工程で不都合が生じや
すくなる可能性がある。またろう材でコーティングされ
ているからといって実装時の半田耐性が強い保証はな
い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術では、
受発光素子はボンディングワイヤーである金線を保護す
るため、ステムなどに樹脂モールドしなければならない
ため、チップ自体の大きさよりもかなり大きくなってし
まう。従って、配線基板上に占める面積の割合が大きく
なり高密度実装に不利であるばかりでなくその構成部材
の材料費及び加工費が増大し、製品に余計なコストがか
かってしまう。また、特開平6-326365のように配線基板
に直接実装できるチップ部品型のものにおいても、実装
工程でのろう付けに耐えることができる電極でなければ
ならない。本発明の目的は、電極部の半田耐性を強化す
ることにより直接配線基板表面に実装でき、なおかつ小
型化できる半導体受発光素子を提供することである。
受発光素子はボンディングワイヤーである金線を保護す
るため、ステムなどに樹脂モールドしなければならない
ため、チップ自体の大きさよりもかなり大きくなってし
まう。従って、配線基板上に占める面積の割合が大きく
なり高密度実装に不利であるばかりでなくその構成部材
の材料費及び加工費が増大し、製品に余計なコストがか
かってしまう。また、特開平6-326365のように配線基板
に直接実装できるチップ部品型のものにおいても、実装
工程でのろう付けに耐えることができる電極でなければ
ならない。本発明の目的は、電極部の半田耐性を強化す
ることにより直接配線基板表面に実装でき、なおかつ小
型化できる半導体受発光素子を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明の半導体受発光素子は配線基板表面にボン
ディングワイヤーを介さずに直接実装できるものであっ
て、図１に示すようにｐｎ接合部と平行をなして互いに
対向するチップの両端面に設けられた正、負の電極部が
オーミック電極をなす第一の金属層２２とそれよりも実
装条件下において半田に浸食されにくく、なおかつ半田
濡れ性が比較的良好な第二の金属層２３を有し、その第
二の金属層が形成されている範囲が第一の金属層の側面
を保護するように覆っている構造を有することを特徴と
する。さらに、実装条件をより安定にするために第二の
金属層の半田濡れ性よりさらに良好な第三の金属層を有
する構造にしても良い。
めに、本発明の半導体受発光素子は配線基板表面にボン
ディングワイヤーを介さずに直接実装できるものであっ
て、図１に示すようにｐｎ接合部と平行をなして互いに
対向するチップの両端面に設けられた正、負の電極部が
オーミック電極をなす第一の金属層２２とそれよりも実
装条件下において半田に浸食されにくく、なおかつ半田
濡れ性が比較的良好な第二の金属層２３を有し、その第
二の金属層が形成されている範囲が第一の金属層の側面
を保護するように覆っている構造を有することを特徴と
する。さらに、実装条件をより安定にするために第二の
金属層の半田濡れ性よりさらに良好な第三の金属層を有
する構造にしても良い。
【０００６】具体的に、この受発光素子に使用される半
導体の種類はＳｉ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ系化合物半
導体、ＩｎＰ、ＡｌＩｎＧａＰ系など様々である。第一
の金属層はそれら半導体とオーミック接合となる金属を
選定する。例えば、ＳｉではＡｕ、Ａｌなどを熱処理に
よってオーミック接触させる。ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ
系ではｐ型側ではＡｕ−Ｂｅ系合金を、ｎ型側ではＡｕ
−Ｇｅ系合金を熱処理によりオーミック接触させること
が多い（サイエンスフォーラム刊、最新化合物半導体ハ
ンドブックＰ．１７０〜Ｐ．１７１参照）。
導体の種類はＳｉ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ系化合物半
導体、ＩｎＰ、ＡｌＩｎＧａＰ系など様々である。第一
の金属層はそれら半導体とオーミック接合となる金属を
選定する。例えば、ＳｉではＡｕ、Ａｌなどを熱処理に
よってオーミック接触させる。ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ
系ではｐ型側ではＡｕ−Ｂｅ系合金を、ｎ型側ではＡｕ
−Ｇｅ系合金を熱処理によりオーミック接触させること
が多い（サイエンスフォーラム刊、最新化合物半導体ハ
ンドブックＰ．１７０〜Ｐ．１７１参照）。
【０００７】第二の金属層を形成する金属が具備しなけ
ればならない条件は、耐半田浸食性に優れかつ半田濡れ
性が良好なことである。また、半導体及び金属層１との
密着性が良いという条件も有することが必要である。具
体的には、貴金属系ではＰｄ、Ａｕ−Ｐｄ合金、それ以
外ではＣｕ、Ｎｉ等が使用される。この金属の選定は実
装時に使用するろう材及び半導体、第一金属層との密着
性の善し悪しにより決定される。
ればならない条件は、耐半田浸食性に優れかつ半田濡れ
性が良好なことである。また、半導体及び金属層１との
密着性が良いという条件も有することが必要である。具
体的には、貴金属系ではＰｄ、Ａｕ−Ｐｄ合金、それ以
外ではＣｕ、Ｎｉ等が使用される。この金属の選定は実
装時に使用するろう材及び半導体、第一金属層との密着
性の善し悪しにより決定される。
【０００８】第三の金属層は実装効率を向上させるため
に効果がある。第三金属層は第二金属層の上部に位置し
ていればよく、特に形状などは実装を最適化するように
任意に選定することができる。この金属層において必要
となる特性は、第二金属層より半田濡れ性が良好である
こと及び第二金属層との密着性が良好であることであ
る。具体的にはＡｇ、Ｃｕ、Ａｕなどの金属が用いるこ
とが可能である。しかし、表面の酸化等の耐環境性を考
慮した場合Ａｕが最も適した金属であるといえる。以上
の内容を表１にまとめた。
に効果がある。第三金属層は第二金属層の上部に位置し
ていればよく、特に形状などは実装を最適化するように
任意に選定することができる。この金属層において必要
となる特性は、第二金属層より半田濡れ性が良好である
こと及び第二金属層との密着性が良好であることであ
る。具体的にはＡｇ、Ｃｕ、Ａｕなどの金属が用いるこ
とが可能である。しかし、表面の酸化等の耐環境性を考
慮した場合Ａｕが最も適した金属であるといえる。以上
の内容を表１にまとめた。
【０００９】
【表１】
【００１０】第一の金属層と第二の金属層の形状関係に
ついて述べる。第一の金属層であるオーミック層の縁と
半田食われ防止層として機能する第二の金属層との縁と
の距離（図１（ｂ）に示す平面的な大きさの関係）は電
極の半田耐性と大きな相関を持つということが実験的に
明らかとなった。実装工程を考慮して、半田ディップの
温度条件を２３０℃及び２６０℃の２水準とし、電極の
半田耐性の第一合格基準を２３０℃で１０秒以上とし、
第二合格基準を２６０℃で５秒以上とし、試験を行っ
た。その結果、オーミック電極と第二金属層（本試験で
はＮｉ、層厚０．４μｍ）との縁との距離が１０μｍ以
下の場合、第一合格基準を満たさなかった。１０μｍ以
上の差を有する場合、第一合格基準を満たすが、第二合
格基準は１０μｍの場合かろうじて満たす。縁との差が
大きくなるほど半田ディップの耐性時間が長くなる。従
って、１０μｍ以上の差を有することにおいても実用上
の実力はあるが、より安全なプロセスを組むためには３
０μｍ以上の差を有するのが望ましい。
ついて述べる。第一の金属層であるオーミック層の縁と
半田食われ防止層として機能する第二の金属層との縁と
の距離（図１（ｂ）に示す平面的な大きさの関係）は電
極の半田耐性と大きな相関を持つということが実験的に
明らかとなった。実装工程を考慮して、半田ディップの
温度条件を２３０℃及び２６０℃の２水準とし、電極の
半田耐性の第一合格基準を２３０℃で１０秒以上とし、
第二合格基準を２６０℃で５秒以上とし、試験を行っ
た。その結果、オーミック電極と第二金属層（本試験で
はＮｉ、層厚０．４μｍ）との縁との距離が１０μｍ以
下の場合、第一合格基準を満たさなかった。１０μｍ以
上の差を有する場合、第一合格基準を満たすが、第二合
格基準は１０μｍの場合かろうじて満たす。縁との差が
大きくなるほど半田ディップの耐性時間が長くなる。従
って、１０μｍ以上の差を有することにおいても実用上
の実力はあるが、より安全なプロセスを組むためには３
０μｍ以上の差を有するのが望ましい。
【００１１】次に第二金属層の厚みと電極の半田耐性の
関係について述べる。第二金属層としてＮｉを使用し、
約０．１５μｍの厚みで第二金属層を形成したとき、半
田ディップ法による半田耐性試験の合格基準を上記の様
に定めた場合、第一合格基準は満たすが第二合格基準を
満たすのが限界であった。従って、実装工程プロセスを
考慮した場合、第二金属層のＮｉの厚さは０．４μｍ以
上が望ましい。
関係について述べる。第二金属層としてＮｉを使用し、
約０．１５μｍの厚みで第二金属層を形成したとき、半
田ディップ法による半田耐性試験の合格基準を上記の様
に定めた場合、第一合格基準は満たすが第二合格基準を
満たすのが限界であった。従って、実装工程プロセスを
考慮した場合、第二金属層のＮｉの厚さは０．４μｍ以
上が望ましい。
【００１２】ここで本発明の第二の金属層が第一の金属
層を包み、かつ第一の金属層の側面を覆っていることに
ついて説明する。第二の金属層は、単に第一のオーミッ
ク電極をなす金属層に電気的に接触しているだけでな
く、オーミック電極の全面、特に側面も完全に覆ってい
て、半導体表面との間に実質的に間隙の無いものでなけ
ればならない。オーミック電極をなす第一の金属層の露
出部があると半田食われ性が弱いためディップした際に
電極の剥離等の障害が発生するからである。
層を包み、かつ第一の金属層の側面を覆っていることに
ついて説明する。第二の金属層は、単に第一のオーミッ
ク電極をなす金属層に電気的に接触しているだけでな
く、オーミック電極の全面、特に側面も完全に覆ってい
て、半導体表面との間に実質的に間隙の無いものでなけ
ればならない。オーミック電極をなす第一の金属層の露
出部があると半田食われ性が弱いためディップした際に
電極の剥離等の障害が発生するからである。
【００１３】
【作用】上記のようなオーミック電極を半田浸食性の高
い金属で覆った電極構造を有するため、ろう付けによっ
て配線基板に直接実装が可能となることにより、受発光
素子の寸法がチップの寸法まで小型化、薄型化でき、し
かも従来のワイヤーボンディングや樹脂モールドが不要
になるため、コスト的にも有利である。
い金属で覆った電極構造を有するため、ろう付けによっ
て配線基板に直接実装が可能となることにより、受発光
素子の寸法がチップの寸法まで小型化、薄型化でき、し
かも従来のワイヤーボンディングや樹脂モールドが不要
になるため、コスト的にも有利である。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を赤外発光ダイオードに関する
実施例により詳細に説明する。 （実施例１）ｎ型ＧａＡｓ基板の上にｐ型ＧａＡｓを液
層エピタキシャル法で成長させた基板に第一の金属層と
して、ｐ型側にオーミック電極としてＡｕ−Ｂｅ系合金
を、ｎ型側にはＡｕ−Ｇｅ系合金をそれぞれ約０．６μ
ｍの厚みに真空蒸着法によって形成した。次に第一の金
属層をＧａＡｓ半導体基板とオーミック接触させるた
め、４５０℃、１０分、窒素雰囲気中で熱処理した。そ
れをフォトリソグラフィー工程によって直径１４０μｍ
の丸形電極を形成した。なお、素子の形状は３００μｍ
の正方形状とした。次に第二の金属層として、その上に
半田食われ防止層として基板両面にＮｉを厚さ約０．４
μｍで蒸着し、これを再びフォトリソグラフィー工程に
より２３０μｍの正方形状に加工した。このとき、図１
（ｂ）の様に第一の金属層の縁が第二、第三の金属層の
縁から、加工誤差を含めても最低３０μｍ以上の距離を
有していることを確認した。
実施例により詳細に説明する。 （実施例１）ｎ型ＧａＡｓ基板の上にｐ型ＧａＡｓを液
層エピタキシャル法で成長させた基板に第一の金属層と
して、ｐ型側にオーミック電極としてＡｕ−Ｂｅ系合金
を、ｎ型側にはＡｕ−Ｇｅ系合金をそれぞれ約０．６μ
ｍの厚みに真空蒸着法によって形成した。次に第一の金
属層をＧａＡｓ半導体基板とオーミック接触させるた
め、４５０℃、１０分、窒素雰囲気中で熱処理した。そ
れをフォトリソグラフィー工程によって直径１４０μｍ
の丸形電極を形成した。なお、素子の形状は３００μｍ
の正方形状とした。次に第二の金属層として、その上に
半田食われ防止層として基板両面にＮｉを厚さ約０．４
μｍで蒸着し、これを再びフォトリソグラフィー工程に
より２３０μｍの正方形状に加工した。このとき、図１
（ｂ）の様に第一の金属層の縁が第二、第三の金属層の
縁から、加工誤差を含めても最低３０μｍ以上の距離を
有していることを確認した。
【００１５】次に、このエピ基板をパターンに沿ってダ
イシングにより素子分離を行った。素子分離した後、ダ
イシングのダメージの残っている部分を除去するための
エッチングを施した。このようにして得られた素子を配
線基板の所定の位置に置き、半田ディップ法にて実装を
行った。このときの半田処理時間は１０秒とした。この
ときの組立工程における歩留まりは９８％であった。組
立工程における歩留まりの関係を表２に示す。
イシングにより素子分離を行った。素子分離した後、ダ
イシングのダメージの残っている部分を除去するための
エッチングを施した。このようにして得られた素子を配
線基板の所定の位置に置き、半田ディップ法にて実装を
行った。このときの半田処理時間は１０秒とした。この
ときの組立工程における歩留まりは９８％であった。組
立工程における歩留まりの関係を表２に示す。
【００１６】
【表２】
【００１７】（比較例１）比較のため赤外発光ダイオー
ドにおいて、実施例１と同様のエピタキシャル基板にオ
ーミック電極を厚さ０．６μｍで蒸着し、熱処理した。
次に第二金属層としてＮｉをオーミック電極の表面にの
み０．４μｍで蒸着した。これをフォトリソグラフィー
工程によって２３０μｍの正方形状の電極に形成した。
その後の工程は実施例１と同様である。この素子の組立
工程における歩留まりは７５％となった。この結果を表
２に併記する。
ドにおいて、実施例１と同様のエピタキシャル基板にオ
ーミック電極を厚さ０．６μｍで蒸着し、熱処理した。
次に第二金属層としてＮｉをオーミック電極の表面にの
み０．４μｍで蒸着した。これをフォトリソグラフィー
工程によって２３０μｍの正方形状の電極に形成した。
その後の工程は実施例１と同様である。この素子の組立
工程における歩留まりは７５％となった。この結果を表
２に併記する。
【００１８】（実施例２）次に、赤色（可視光）発光ダ
イオードにおける実施例を示す。ｐ型ＧａＡｓ基板の上
にｐ型ＧａＡｌＡｓ層を液層エピタキシャル法で成長さ
せ、さらにその上にＡｌ組成の異なるｎ型ＧａＡｌＡｓ
層を同様に成長させた基板上に実施例１と同様に第一の
金属層としてｐ型側にＡｕ−Ｂｅ系合金を、ｎ型側にＡ
ｕ−Ｇｅ系合金を厚さ約０．６μｍとなるように真空蒸
着法により形成した。以下、第二の金属層のＮｉを蒸着
するまでの工程は実施例１と同様である。本実施例では
Ｎｉ層の上に、第三の金属層として真空蒸着法により約
０．５μｍのＡｕ層を形成した。その後の工程は実施例
１と同様であるが、第三の金属層を形成した効果とし
て、実装時における半田処理時間の条件を５秒と実施例
１の時の半分の時間で処理できた。また、半田濡れ性不
良による歩留まりも向上した。また、このときの歩留ま
りは９９．５％になり実施例１より組立不良が低減され
た。この結果を表２に併記する。
イオードにおける実施例を示す。ｐ型ＧａＡｓ基板の上
にｐ型ＧａＡｌＡｓ層を液層エピタキシャル法で成長さ
せ、さらにその上にＡｌ組成の異なるｎ型ＧａＡｌＡｓ
層を同様に成長させた基板上に実施例１と同様に第一の
金属層としてｐ型側にＡｕ−Ｂｅ系合金を、ｎ型側にＡ
ｕ−Ｇｅ系合金を厚さ約０．６μｍとなるように真空蒸
着法により形成した。以下、第二の金属層のＮｉを蒸着
するまでの工程は実施例１と同様である。本実施例では
Ｎｉ層の上に、第三の金属層として真空蒸着法により約
０．５μｍのＡｕ層を形成した。その後の工程は実施例
１と同様であるが、第三の金属層を形成した効果とし
て、実装時における半田処理時間の条件を５秒と実施例
１の時の半分の時間で処理できた。また、半田濡れ性不
良による歩留まりも向上した。また、このときの歩留ま
りは９９．５％になり実施例１より組立不良が低減され
た。この結果を表２に併記する。
【００１９】実施例１及び実施例２と比較例とを比較す
ると比較例はかなり低い数字となった。実施例１と比較
例が異なる点はオーミック電極の側面が半田浸食耐性の
強いＮｉに覆われていないことである。組立不良となっ
た素子を観察したところ、第一金属層であるオーミック
電極が側面から半田浸食されているのが確認された。
ると比較例はかなり低い数字となった。実施例１と比較
例が異なる点はオーミック電極の側面が半田浸食耐性の
強いＮｉに覆われていないことである。組立不良となっ
た素子を観察したところ、第一金属層であるオーミック
電極が側面から半田浸食されているのが確認された。
【００２０】
【発明の効果】受発光素子にオーミック電極である第一
の金属層に、それを覆うように形成された半田食われが
少なくかつ半田濡れ性も比較的良い第二の金属層である
Ｎｉ層により、配線基板に直接半田にて実装が可能とな
った。第二金属層が半田耐性の劣る第一金属層の側面ま
で保護することにより組立工程での不良が激減した。ま
た直接実装できることより素子の小型化が可能となり、
高密度実装、この素子を用いたデバイスの小型化が実現
できた。
の金属層に、それを覆うように形成された半田食われが
少なくかつ半田濡れ性も比較的良い第二の金属層である
Ｎｉ層により、配線基板に直接半田にて実装が可能とな
った。第二金属層が半田耐性の劣る第一金属層の側面ま
で保護することにより組立工程での不良が激減した。ま
た直接実装できることより素子の小型化が可能となり、
高密度実装、この素子を用いたデバイスの小型化が実現
できた。
【図１】本発明の請求項１の半導体受発光素子の実施例
を示す断面図（ａ）及び電極面図（ｂ）である。
を示す断面図（ａ）及び電極面図（ｂ）である。
【図２】従来の樹脂モールド型の半導体受発光素子を示
す側面図（ａ）及び平面図（ｂ）である。
す側面図（ａ）及び平面図（ｂ）である。
【図３】 本発明の請求項２の半導体受発光素子の実施
例を示す断面図（ａ）及び電極面図（ｂ）である。
例を示す断面図（ａ）及び電極面図（ｂ）である。
１１ リード端子１ １２ 半導体受発光素子 １３ 下面電極 １４ 導電性ペースト １５ 上面電極 １６ 金線 １７ リード端子２ １８ 樹脂モールド ２１ 半導体受発光素子 ２２ 金属層１ ２３ 金属層２ ２４ 半田 ２５ 配線パターン ２６ プリント基板 ２７ 金属層３
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体受発光素子において、半導体面上
に半導体とオーミック接触をなす第一の金属層と第一の
金属層より耐半田浸食性の高い第二の金属層を有し、第
二の金属層が形成されている範囲が第一の金属層を包み
かつ第一の金属層の側面が第二の金属層で覆われている
構造の電極を有することを特徴とする半導体受発光素
子。 - 【請求項２】 第二の金属層の上に第二の金属層よりも
半田濡れ性の良好な第三の金属層を有することを特徴と
する請求項１記載の受発光素子。 - 【請求項３】 第一の金属層の端が第二の金属層よりも
１０μｍ以上内側にあることを特徴とする請求項１及び
請求項２に記載の半導体受発光素子。 - 【請求項４】 半導体が化合物半導体であることを特徴
とする請求項１から請求項３に記載の半導体受発光素
子。 - 【請求項５】 化合物半導体が III−Ｖ族化合物半導体
であることを特徴とする請求項４に記載の半導体受発光
素子。 - 【請求項６】 第二の金属層がＮｉであることを特徴と
する請求項１から請求項５に記載の半導体受発光素子。 - 【請求項７】 Ｎｉ金属層の厚さが０．１μｍ以上の厚
さを有することを特徴とする請求項６に記載の半導体受
発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20035096A JPH1051033A (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 半導体受発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20035096A JPH1051033A (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 半導体受発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1051033A true JPH1051033A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16422844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20035096A Pending JPH1051033A (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 半導体受発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1051033A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7679091B2 (en) | 2007-04-18 | 2010-03-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion element having a semiconductor and semiconductor device using the same |
| JP2012169355A (ja) * | 2011-02-10 | 2012-09-06 | Mitsubishi Materials Corp | はんだ接合用積層体および接合体 |
| US9095066B2 (en) | 2008-06-18 | 2015-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Printed board |
-
1996
- 1996-07-30 JP JP20035096A patent/JPH1051033A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7679091B2 (en) | 2007-04-18 | 2010-03-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion element having a semiconductor and semiconductor device using the same |
| US9095066B2 (en) | 2008-06-18 | 2015-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Printed board |
| JP2012169355A (ja) * | 2011-02-10 | 2012-09-06 | Mitsubishi Materials Corp | はんだ接合用積層体および接合体 |
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