JPH0936161A - ボンディングワイヤ - Google Patents
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Abstract
接続する場合などに用いるボンディングワイヤに係り、
特に多ピン半導体デバイス用として好適な高強度ボンデ
ィングワイヤを提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明によるボンディングワイヤは、A
uを主成分とし、それに少なくとも希土類元素のうちの
1種以上を合計で0.01〜8重量%含有させたことを
特徴とする。
Description
上の電極と外部リードとを接続する場合などに用いるボ
ンディングワイヤに関する。
ップ)の電極と外部リードとを接続するために、0.0
2〜0.1mmの範囲の直径を有するボンディングワイ
ヤが用いられている。ボンディングワイヤには良好な導
電性、チップや外部リードとの接合性、使用雰囲気中で
の耐環境性が要求され、そのためボンディングワイヤと
してはAl、Au、Cu等の純金属もしくはその合金が
用いられていた。
を用いた半導体パッケージが多用されてきており、その
ため耐環境性に優れるAu系ワイヤが最も多く用いられ
ている。従来より用いられているAu系ワイヤの多くは
99.99重量%(以下単に%と記す)以上の純度を有
する軟質のものであった。
の多ピン化をもたらし、その結果、より細いワイヤを狭
いピッチや長い距離でワイヤボンディングする必要性が
増してきた。しかしながら、従来のボンディングワイヤ
を用いた場合には、ワイヤの強度が弱いため、半導体デ
バイス組立時におけるワイヤ変形によりワイヤの接触不
良が頻発化し、半導体デバイスの収率が低下するという
問題があった。
添加元素量を増せばいいが、例えば特公昭62−234
54号公報、特公昭62−23455号公報等で示され
ているPtやPdなどの貴金属元素等を多量に添加して
高強度化した場合には、ワイヤの導電性が大きく低下す
る等の問題を生じ、多ピンパッケージ用のワイヤとして
は必ずしも好適でなかった。
に鑑みて提案されたもので、特に多ピン半導体デバイス
用として好適な高強度ボンディングワイヤを提供するこ
とを目的とする。
めに、本発明によるボンディングワイヤは、以下の構成
としたものである。すなわち、希土類元素のうちの1種
以上を合計で0.01〜8%含み、残部がAuおよび不
可避不純物からなる点に特徴がある。
を有する元素であり、金中に微細析出物を析出させるこ
とにより、導電性をあまり低下させずに強度を向上させ
ることが可能となる。希土類元素の含有量を合計で0.
01〜8%としたのは、0.01%未満では析出する析
出物の量が少なすぎて強度向上の効果が不充分であり、
逆に8%を越すと希土類元素と金からなる粗大な金属間
化合物が晶出して合金の加工性が著しく低下するからで
ある。
適されているように、希土類元素を多量に添加すると、
極細線の伸線時に断線が多発するという問題が発生する
が、伸線加工実施前に溶体化処理を施せば、断線を発生
させずに極細線までの伸線が可能となる。溶体化処理条
件については特に限定しないが、溶体化温度としては7
00〜900℃程度、特に800℃が好ましく、溶体化
時間としては0.5〜10時間程度が好ましい。
によるワイヤの強化にあり、その希土類元素を前記の割
合で含有させる以外は不可避不純物を除きAuのみで構
成すればよいが、導電性等の諸特性を劣化させない範囲
内において、その他の元素を添加することは何ら差し支
えない。その他の元素としては、0.01%以下のB
e、Ca、Sr、Ba、Y、Ga、In、Ge、Snや
2%未満のNi、Co、Cu、Ag、およびPt族元素
等がある。
び高電導度化の特性を充分に引き出すには、溶体化処理
を施すのに加えて希土類元素析出のために焼鈍を施すの
が望ましい。その焼鈍の条件としては焼鈍温度150〜
400℃、焼鈍時間0.5〜10時間程度が好ましい。
なお、焼鈍は必ずしもワイヤボンディング前に実施して
おく必要はなく、チップへ損傷が加わらない範囲であれ
ば、ワイヤボンディング後にチップと一緒に実施するこ
とも可能である。
ワイヤが高強度化されていないため、チップ損傷が少な
いワイヤボンディングが可能となったり、あるいは従来
の軟質ワイヤと近い条件でワイヤボンディングすること
が可能となる等のワイヤ使用上の利点が生ずる。このよ
うにワイヤボンディング後に焼鈍を施してワイヤの強化
を行なった場合にも、高いワイヤ変形防止性能は十分に
発揮され、本発明ワイヤの前記の特性を損ねることはな
い。
明する。
高純度金、および所定の添加元素を1〜20%含む金母
合金を用いて、種々の組成の金合金を溶解鋳造した。そ
の得られた鋳塊を800℃で3時間溶体化処理した後
に、溝ロール加工を施し、さらにダイヤモンドダイスを
用いた伸線加工を実施して、直径0.02mmの合金線
を得た。その得られた合金線に熱処理を施すことにより
特性を調整して試料とし、それらの試料の評価を行っ
た。その結果を下記表1に示す。
り求めた。また導電性については、直流4端子法によっ
て比抵抗を測定することによって代用特性とした。さら
にボンディング接合性すなわちボンディングワイヤと半
導体素子の電極及び外部リードとの接合性は、ステージ
温度を300℃に設定したウェッジボンディング機を用
い、超音波熱圧着方式によりボンディングしたワイヤに
ついて、ボンディング後のワイヤにフックを引っかけて
引張り試験を実施した際に、破断がワイヤの部分で起こ
った場合を良、接合部で破断した場合を不良として評価
した。またボンディング接合性の経時変化については、
上記と同様な方法でワイヤボンディングした試料を20
0℃で100時間保持した後に、上記と同様のプル試験
を実施して評価した。
については、上記と同様な方法で5mmの間隔にワイヤ
ボンディングした試料についてモールディング機(トラ
ンスファーモールド型)によりエポキシ樹脂(住友ベー
クライト製、EME−6300)を金型温度180℃、
射出圧100Kg/cm2 の条件でモールドしたときの
ワイヤの流れ量を、X線透過装置により撮影したX線写
真から求め、その値から評価した。なお上記のワイヤ流
れ量は、図1に示すようにボンディング直後のワイヤW
を真上から見たときの同図鎖線示の状態からエポキシ樹
脂をモールドした後にワイヤWが図の実線位置に変位し
たときの変位量の最大値δを求めた。
する比較例1〜2として希土類以外の元素を含む試料を
上記と同様の要領で作製し、それらの試料について上記
と同様の評価を行うと共に、比較例3〜4として市販品
についても同様の評価を行った。その結果を下記表2に
示す。
ように、本発明に基づく実施例1〜15によるボンディ
ングワイヤは、比較例3〜4の市販品と比べて強度が高
く、ワイヤ流れ量も小さい。また、比較例1〜2の希土
類以外の元素を含むものと比べると、比抵抗が小さく、
導電性が良好であり、かつワイヤボンディング性にも問
題のないことがわかる。
ディングワイヤは、主成分である金の他に希土類元素の
うちの1種以上を合計で0.01〜8重量%含めるだけ
の簡単な構成によって導電性を殆ど低下させることなく
強度を向上させることが可能となるもので、例えば半導
体デバイス組立時におけるワイヤ同士の接触不良が起こ
りにくく、かつ導電性も良好である多ピン半導体デバイ
ス用として好適なボンディングワイヤを提供できる等の
効果がある。
Claims (1)
- 【請求項1】 Auを主成分とし、それに少なくとも希
土類元素のうちの1種以上を合計で0.01〜8重量%
含有させたことを特徴とするボンディングワイヤ。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP20388195A JP3550812B2 (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | ボンディングワイヤ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20388195A JP3550812B2 (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | ボンディングワイヤ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0936161A true JPH0936161A (ja) | 1997-02-07 |
JP3550812B2 JP3550812B2 (ja) | 2004-08-04 |
Family
ID=16481272
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20388195A Expired - Fee Related JP3550812B2 (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | ボンディングワイヤ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3550812B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006078076A1 (ja) * | 2005-01-24 | 2006-07-27 | Nippon Steel Corporation | 半導体素子接続用金線 |
-
1995
- 1995-07-18 JP JP20388195A patent/JP3550812B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006078076A1 (ja) * | 2005-01-24 | 2006-07-27 | Nippon Steel Corporation | 半導体素子接続用金線 |
JP2006229202A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-31 | Nippon Steel Corp | 半導体素子接続用金線 |
US7830008B2 (en) | 2005-01-24 | 2010-11-09 | Nippon Steel Materials Co., Ltd. | Gold wire for connecting semiconductor chip |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3550812B2 (ja) | 2004-08-04 |
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