JPH09328553A - ケイ素系高分子化合物及びその製造方法 - Google Patents
ケイ素系高分子化合物及びその製造方法Info
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- JPH09328553A JPH09328553A JP15118196A JP15118196A JPH09328553A JP H09328553 A JPH09328553 A JP H09328553A JP 15118196 A JP15118196 A JP 15118196A JP 15118196 A JP15118196 A JP 15118196A JP H09328553 A JPH09328553 A JP H09328553A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐熱性に優れたケイ素系高分子化合物を得
る。 【解決手段】 一般式(1)で示される単位と一般式
(2)で示される単位とからなり、重量平均分子量が5
×102 〜1×107 の網目構造型のケイ素系高分子化
合物。 (式中、Xは例えばビフェニレン基など、R1 は例えば
メチル基やフェニル基など)
る。 【解決手段】 一般式(1)で示される単位と一般式
(2)で示される単位とからなり、重量平均分子量が5
×102 〜1×107 の網目構造型のケイ素系高分子化
合物。 (式中、Xは例えばビフェニレン基など、R1 は例えば
メチル基やフェニル基など)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性、光反応性
及び耐熱性などに優れた機能材料として有用なケイ素系
高分子化合物及びその製造方法に関する。
及び耐熱性などに優れた機能材料として有用なケイ素系
高分子化合物及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、主鎖にアリーレン基又はアルキレ
ン基を有するケイ素系高分子はいくつか合成されてき
た。
ン基を有するケイ素系高分子はいくつか合成されてき
た。
【0003】例えば、ジリチオベンゼンとジクロロメチ
ルシランとを反応させることにより、ポリ〔(メチルシ
リレン)フェニレン〕が合成されている(Macromolecul
es Vol.27, No.20, 1994. 5583〜5590頁参照)。また、
ビニルジメチルシランを白金触媒の存在下で反応させる
ことにより、ポリ(ジメチルシリルエチレン)が合成さ
れている(0rganometallics Vol.12, No.2, 1993. 454
〜462 頁参照)。
ルシランとを反応させることにより、ポリ〔(メチルシ
リレン)フェニレン〕が合成されている(Macromolecul
es Vol.27, No.20, 1994. 5583〜5590頁参照)。また、
ビニルジメチルシランを白金触媒の存在下で反応させる
ことにより、ポリ(ジメチルシリルエチレン)が合成さ
れている(0rganometallics Vol.12, No.2, 1993. 454
〜462 頁参照)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ケ
イ素系高分子は、いずれも十分な耐熱性が得られないと
いう欠点があった。
イ素系高分子は、いずれも十分な耐熱性が得られないと
いう欠点があった。
【0005】本発明は、上記欠点に鑑み、耐熱性に優れ
たケイ素系高分子化合物及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
たケイ素系高分子化合物及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【0006】本発明のケイ素系高分子化合物は、前記一
般式(1)で表される単位と前記一で表される単位と前
記一般式(2)で表される単位とからなり、重量平均分
子量が5×102 〜1×107 である網目構造型のケイ
素系高分子化合物である(請求項1の発明)。
般式(1)で表される単位と前記一で表される単位と前
記一般式(2)で表される単位とからなり、重量平均分
子量が5×102 〜1×107 である網目構造型のケイ
素系高分子化合物である(請求項1の発明)。
【0007】もう一つの本発明のケイ素系高分子化合物
は、前記一般式(1)で表される単位と前記一般式
(2)で表される単位と前記一般式(4)で表される単
位からなり、重量平均分子量が5×102 〜1×107
である網目構造型のケイ素系高分子化合物である(請求
項2の発明)。
は、前記一般式(1)で表される単位と前記一般式
(2)で表される単位と前記一般式(4)で表される単
位からなり、重量平均分子量が5×102 〜1×107
である網目構造型のケイ素系高分子化合物である(請求
項2の発明)。
【0008】上記各一般式において、X、R1 〜R7 、
Y1 及びYで示される炭化水素基の炭素数は、脂肪族の
場合は多くなると結合が切れやすくなり耐熱性が低下す
るため、芳香族の場合は多くなると溶媒に対する溶解性
が低下するため、前記のような各範囲の炭素数に限定さ
れる。
Y1 及びYで示される炭化水素基の炭素数は、脂肪族の
場合は多くなると結合が切れやすくなり耐熱性が低下す
るため、芳香族の場合は多くなると溶媒に対する溶解性
が低下するため、前記のような各範囲の炭素数に限定さ
れる。
【0009】Xで示されるアルキレン基としては、例え
ば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレ
ン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノ
ニレン基、デシレン基、ウンデシレン基、ドデシレン
基、トリデシレン基、テトラデシレン基、ペンタデシレ
ン基、ヘキサデシレン基、ヘプタデシレン基、オクタデ
シレン基、ノナデシレン基、エイコシレン基などが挙げ
られる。
ば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレ
ン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノ
ニレン基、デシレン基、ウンデシレン基、ドデシレン
基、トリデシレン基、テトラデシレン基、ペンタデシレ
ン基、ヘキサデシレン基、ヘプタデシレン基、オクタデ
シレン基、ノナデシレン基、エイコシレン基などが挙げ
られる。
【0010】また、Xで示されるアリーレン基として
は、例えば、フェニレン基、トリレン基、キシリレン
基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、クォーターフ
ェニレン基、ナフタニレン基、アントラセニレン基など
等が挙げられる。
は、例えば、フェニレン基、トリレン基、キシリレン
基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、クォーターフ
ェニレン基、ナフタニレン基、アントラセニレン基など
等が挙げられる。
【0011】R1 〜R7 で示されるアルキル基として
は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、
トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシレン基、ヘ
キサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナ
デシル基、エイコシル基などが挙げられる。
は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、
トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシレン基、ヘ
キサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナ
デシル基、エイコシル基などが挙げられる。
【0012】また、R1 〜R7 で示されるアリール基と
しては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、
ビフェニル基、ナフチル基など等が挙げられる。
しては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、
ビフェニル基、ナフチル基など等が挙げられる。
【0013】Y1 で示される炭化水素基としては、例え
ば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ジメチル
メチレン基、ジフェニルメチレン基などが挙げられる。
また、シリレン基は−SiH2 −で示される。また、置
換シリレン基とは、シリレン基の一つ又は二つの水素が
炭素数1〜20の炭化水素基で置換された基を意味し、
例えば、ジメチルシリレン基、ジフェニルシリレン基な
どが挙げられる。スルホン基は−SO2 −で示される。
ば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ジメチル
メチレン基、ジフェニルメチレン基などが挙げられる。
また、シリレン基は−SiH2 −で示される。また、置
換シリレン基とは、シリレン基の一つ又は二つの水素が
炭素数1〜20の炭化水素基で置換された基を意味し、
例えば、ジメチルシリレン基、ジフェニルシリレン基な
どが挙げられる。スルホン基は−SO2 −で示される。
【0014】Yで示されるアリーレン基としては、例え
ば、フェニレン基、トリレン基、キシリレン基、ビフェ
ニレン基、ターフェニレン基、クォーターフェニレン
基、ナフタニレン基、アントラセニレン基などが挙げら
れる。エチニレン基は−C≡C−で示される。また、ジ
エチニレン基とは−C≡C−C≡C−で示される基を意
味する。
ば、フェニレン基、トリレン基、キシリレン基、ビフェ
ニレン基、ターフェニレン基、クォーターフェニレン
基、ナフタニレン基、アントラセニレン基などが挙げら
れる。エチニレン基は−C≡C−で示される。また、ジ
エチニレン基とは−C≡C−C≡C−で示される基を意
味する。
【0015】Mで示されるアルカリ土類金属のハロゲン
化としては、マグネシウム及びカルシウムのハロゲン化
物(塩素化物、臭素化物、ヨウ素化物)が挙げられる。
アルカリ金属としては、リチウム、ナトリウム、カリウ
ムが挙げられ、また、Z1 及びZ2 としては、塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
化としては、マグネシウム及びカルシウムのハロゲン化
物(塩素化物、臭素化物、ヨウ素化物)が挙げられる。
アルカリ金属としては、リチウム、ナトリウム、カリウ
ムが挙げられ、また、Z1 及びZ2 としては、塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【0016】この発明のケイ素系高分子化合物は、その
重量平均分子量は、小さくなると十分な耐熱性が得られ
なくなるので、5×102 以上に限定され、逆に大きく
なると溶剤に対する溶解性が低下し、取扱いが困難にな
るので、1×107 以下が好ましい。ここで、重量平均
分子量は、ケイ素系高分子化合物のテトラヒドロフラン
溶液を用い、ゲル透過クロマトグラフィー(GPC)に
より測定され、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量
を意味する。
重量平均分子量は、小さくなると十分な耐熱性が得られ
なくなるので、5×102 以上に限定され、逆に大きく
なると溶剤に対する溶解性が低下し、取扱いが困難にな
るので、1×107 以下が好ましい。ここで、重量平均
分子量は、ケイ素系高分子化合物のテトラヒドロフラン
溶液を用い、ゲル透過クロマトグラフィー(GPC)に
より測定され、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量
を意味する。
【0017】次に、請求項1の発明に係るケイ素系高分
子化合物の製造方法について説明する。この種のケイ素
系高分子化合物は、例えば、前記一般式(5)で表され
る有機金属化合物と前記一般式(6)で表されるケイ素
化合物とを反応させることにより得ることができる(請
求項3の発明)。
子化合物の製造方法について説明する。この種のケイ素
系高分子化合物は、例えば、前記一般式(5)で表され
る有機金属化合物と前記一般式(6)で表されるケイ素
化合物とを反応させることにより得ることができる(請
求項3の発明)。
【0018】一般式(5)で表されるケイ素化合物とし
ては、種々の方法で合成されるが、一般式Z3 −X−Z
3 で表される有機ハロゲン化物と、一般式M1 で表され
る金属又は一般式R8 M2 で表される有機金属化合物と
を反応させることにより合成するのが好ましい。
ては、種々の方法で合成されるが、一般式Z3 −X−Z
3 で表される有機ハロゲン化物と、一般式M1 で表され
る金属又は一般式R8 M2 で表される有機金属化合物と
を反応させることにより合成するのが好ましい。
【0019】ここで、Xは、前述のように、炭素数2〜
20のアルキレン基、炭素数6〜30のアリーレン基又
は前記一般式(3)で表される炭素数12〜60の二価
の芳香族炭化水素基を示す。Z3 はハロゲン原子(塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子)を示す。
20のアルキレン基、炭素数6〜30のアリーレン基又
は前記一般式(3)で表される炭素数12〜60の二価
の芳香族炭化水素基を示す。Z3 はハロゲン原子(塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子)を示す。
【0020】また、M1 は、アルカリ金属又はアルカリ
土類金属を示し、M2 は、アルカリ金属を示す。R
8 は、前述したような炭素数1〜20のアルキル基又は
炭素数6〜30のアリール基を示す。
土類金属を示し、M2 は、アルカリ金属を示す。R
8 は、前述したような炭素数1〜20のアルキル基又は
炭素数6〜30のアリール基を示す。
【0021】一般式Z3 −X−Z3 で表される有機ハロ
ゲン化物としては、例えば、1,2−ジブロモエタン、
1,3−ジブロモプロパン、1,4−ジブロモブタン、
1,5−ジブロモペンタン、1,6−ジブロモヘキサ
ン、1,7−ジブロモヘプタン、1,8−ジブロモオク
タン、1,9−ジブロモノナン、1,10−ジブロモデ
カン、1,11−ジブロモウンデカン、1,12−ジブ
ロモドデカン、1,13−ジブロモトリデカン、1,1
4−ジブロモテトラデカン、1,15−ジブロモペンタ
デカン、1,16−ジブロモヘキサデカン、1,17−
ジブロモヘプタデカン、1,18−ジブロモオクタデカ
ン、1,19−ジブロモノナデカン、1,20−ジブロ
モエイコサン、ジブロモベンゼン、ジブロモトルエン、
ジブロモキシレン、ジブロモビフェニル、ジブロモター
フェニル、ジブロモクォターフェニル、ジブロモナフタ
レン、ジブロモアントラセン、ビス(ブロモフェニル)
エーテル、ビス(ブロモフェニル)チオエーテル、ビス
(ブロモフェニル)メタン、ビス(ブロモフェニル)ジ
メチルシラン、ビス(ブロモフェニル)ジフェニルシラ
ン、ビス(ブロモフェニル)スルホン及びこれ等に対応
する塩化物、ヨウ化物などが挙げられる。
ゲン化物としては、例えば、1,2−ジブロモエタン、
1,3−ジブロモプロパン、1,4−ジブロモブタン、
1,5−ジブロモペンタン、1,6−ジブロモヘキサ
ン、1,7−ジブロモヘプタン、1,8−ジブロモオク
タン、1,9−ジブロモノナン、1,10−ジブロモデ
カン、1,11−ジブロモウンデカン、1,12−ジブ
ロモドデカン、1,13−ジブロモトリデカン、1,1
4−ジブロモテトラデカン、1,15−ジブロモペンタ
デカン、1,16−ジブロモヘキサデカン、1,17−
ジブロモヘプタデカン、1,18−ジブロモオクタデカ
ン、1,19−ジブロモノナデカン、1,20−ジブロ
モエイコサン、ジブロモベンゼン、ジブロモトルエン、
ジブロモキシレン、ジブロモビフェニル、ジブロモター
フェニル、ジブロモクォターフェニル、ジブロモナフタ
レン、ジブロモアントラセン、ビス(ブロモフェニル)
エーテル、ビス(ブロモフェニル)チオエーテル、ビス
(ブロモフェニル)メタン、ビス(ブロモフェニル)ジ
メチルシラン、ビス(ブロモフェニル)ジフェニルシラ
ン、ビス(ブロモフェニル)スルホン及びこれ等に対応
する塩化物、ヨウ化物などが挙げられる。
【0022】一般式M1 で表される金属としては、リチ
ウム、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウ
ムなどが挙げられる。また、一般式R8 M2 で表される
有機金属化合物としては、例えば、メチルリチウム、ブ
チルリチウム、フェニルリチウム、ナフタレンリチウム
及びこれ等に対応するナトリウム化合物、カリウム化合
物などが挙げられる。
ウム、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウ
ムなどが挙げられる。また、一般式R8 M2 で表される
有機金属化合物としては、例えば、メチルリチウム、ブ
チルリチウム、フェニルリチウム、ナフタレンリチウム
及びこれ等に対応するナトリウム化合物、カリウム化合
物などが挙げられる。
【0023】一般式Z3 −X−Z3 で表される有機ハロ
ゲン化物と、一般式M1 で表される金属又は一般式R8
M2 で表される有機金属化合物との混合比(モル比)
は、両者のいずれかが多すぎても少なすぎても反応が効
率よく進行しないので、前者の有機ハロゲン化物:後者
の金属又は有機金属化合物=1:0.1〜10が好まし
く、より好ましくは1:1.5〜5である。
ゲン化物と、一般式M1 で表される金属又は一般式R8
M2 で表される有機金属化合物との混合比(モル比)
は、両者のいずれかが多すぎても少なすぎても反応が効
率よく進行しないので、前者の有機ハロゲン化物:後者
の金属又は有機金属化合物=1:0.1〜10が好まし
く、より好ましくは1:1.5〜5である。
【0024】上記反応には溶媒が使用され、これは極
性、無極性のいずれの溶媒でもよいが、好ましくはジエ
チルエーテルやテトラヒドロフランなどの非プロトン性
溶媒が使用される。このような溶媒は、上記一般式Z3
−X−Z3 で表される有機ハロゲン化物に対して、0.
01〜10mol/lの濃度、好ましくは0.1〜1m
ol/lの濃度で使用される。
性、無極性のいずれの溶媒でもよいが、好ましくはジエ
チルエーテルやテトラヒドロフランなどの非プロトン性
溶媒が使用される。このような溶媒は、上記一般式Z3
−X−Z3 で表される有機ハロゲン化物に対して、0.
01〜10mol/lの濃度、好ましくは0.1〜1m
ol/lの濃度で使用される。
【0025】そして、上記反応は、一般に−80℃から
使用する溶媒の沸点までの範囲の温度で行われる。ま
た、この反応は空気又は不活性ガス雰囲気下のいずれで
も進行するが、アルゴンや窒素のような不活性ガス雰囲
気下で反応させるのが好ましい。
使用する溶媒の沸点までの範囲の温度で行われる。ま
た、この反応は空気又は不活性ガス雰囲気下のいずれで
も進行するが、アルゴンや窒素のような不活性ガス雰囲
気下で反応させるのが好ましい。
【0026】このようにして得られる一般式(5)で表
される有機金属化合物を用い、この有機金属化合物と上
記一般式(6)で表されるケイ素化合物とを反応させる
には、上述のような方法で有機金属化合物を調製した
後、この反応系に一般式(6)で表されるケイ素化合物
を加え、引き続いて反応を行うのが好ましい。
される有機金属化合物を用い、この有機金属化合物と上
記一般式(6)で表されるケイ素化合物とを反応させる
には、上述のような方法で有機金属化合物を調製した
後、この反応系に一般式(6)で表されるケイ素化合物
を加え、引き続いて反応を行うのが好ましい。
【0027】ここで、一般式(6)で表されるケイ素化
合物としては、例えば、トリクロロシラン、メチルトリ
クロロシラン、エチルトリクロロシラン、プロピルトリ
クロロシラン、ブチルトリクロロシラン、ペンチルトリ
クロロシラン、ヘキシルトリクロロシラン、ヘプチルト
リクロロシラン、オクチルトリクロロシラン、ノニルト
リクロロシラン、デシルトリクロロシラン、ウンデシル
トリクロロシラン、ドデシルトリクロロシラン、トリデ
シルトリクロロシラン、テトラデシルトリクロロシラ
ン、ペンタデシルトリクロロシラン、ヘキサデシルトリ
クロロシラン、ヘプタデシルトリクロロシラン、オクタ
デシルトリクロロシラン、ノナデシルトリクロロシラ
ン、エイコシルトリクロロシラン、フェニルトリクロロ
シラン、トリルトリクロロシラン、キシリルトリクロロ
シラン、ビフェニルトリクロロシラン、ナフチルトリク
ロロシラン及びこれ等に対応するフッ化物、臭素物、ヨ
ウ化物などが挙げられる。
合物としては、例えば、トリクロロシラン、メチルトリ
クロロシラン、エチルトリクロロシラン、プロピルトリ
クロロシラン、ブチルトリクロロシラン、ペンチルトリ
クロロシラン、ヘキシルトリクロロシラン、ヘプチルト
リクロロシラン、オクチルトリクロロシラン、ノニルト
リクロロシラン、デシルトリクロロシラン、ウンデシル
トリクロロシラン、ドデシルトリクロロシラン、トリデ
シルトリクロロシラン、テトラデシルトリクロロシラ
ン、ペンタデシルトリクロロシラン、ヘキサデシルトリ
クロロシラン、ヘプタデシルトリクロロシラン、オクタ
デシルトリクロロシラン、ノナデシルトリクロロシラ
ン、エイコシルトリクロロシラン、フェニルトリクロロ
シラン、トリルトリクロロシラン、キシリルトリクロロ
シラン、ビフェニルトリクロロシラン、ナフチルトリク
ロロシラン及びこれ等に対応するフッ化物、臭素物、ヨ
ウ化物などが挙げられる。
【0028】一般式(5)で表される有機金属化合物
と、一般式(6)で表されるケイ素化合物との混合比
(モル比)は、両者のいずれかが多すぎても少なすぎて
も反応が効率よく進行しないので、前者の有機金属化合
物:後者のケイ素化合物=1:0.1〜10が好まし
く、より好ましくは1:1.5〜3である。
と、一般式(6)で表されるケイ素化合物との混合比
(モル比)は、両者のいずれかが多すぎても少なすぎて
も反応が効率よく進行しないので、前者の有機金属化合
物:後者のケイ素化合物=1:0.1〜10が好まし
く、より好ましくは1:1.5〜3である。
【0029】上記反応には溶媒が使用され、これは極
性、無極性のいずれの溶媒でもよいが、好ましくはジエ
チルエーテルやテトラヒドロフランなどの非プロトン性
溶媒が使用される。このような溶媒は、一般式(5)で
表される有機金属化合物に対して、0.01〜10mo
l/lの濃度、好ましくは0.1〜1mol/lの濃度
で使用される。
性、無極性のいずれの溶媒でもよいが、好ましくはジエ
チルエーテルやテトラヒドロフランなどの非プロトン性
溶媒が使用される。このような溶媒は、一般式(5)で
表される有機金属化合物に対して、0.01〜10mo
l/lの濃度、好ましくは0.1〜1mol/lの濃度
で使用される。
【0030】そして、上記反応は、一般に−80℃から
使用する溶媒の沸点までの範囲の温度で行われる。ま
た、この反応は空気又は不活性ガス雰囲気下のいずれで
も進行するが、アルゴンや窒素のような不活性ガス雰囲
気下で反応させるのが好ましい。
使用する溶媒の沸点までの範囲の温度で行われる。ま
た、この反応は空気又は不活性ガス雰囲気下のいずれで
も進行するが、アルゴンや窒素のような不活性ガス雰囲
気下で反応させるのが好ましい。
【0031】反応が終了した後、反応生成物(ケイ素系
高分子化合物)は、各種溶媒による再沈澱法又はゲル透
過クロマトグラフィー(GPC)を用いた分離法などに
より精製される。こうして、請求項1の発明に係るケイ
素系高分子化合物が得られる。
高分子化合物)は、各種溶媒による再沈澱法又はゲル透
過クロマトグラフィー(GPC)を用いた分離法などに
より精製される。こうして、請求項1の発明に係るケイ
素系高分子化合物が得られる。
【0032】このようなケイ素系高分子化合物は、前記
一般式(2)で表される単位の三つの結合手に、それぞ
れ前記一般式(1)で表される単位の一つの結合手が結
合し、その残りの一つの結合手に、別の一般式(2)で
表される単位の一つの結合手が結合し、その残りの二つ
の結合手に、別の一般式(1)で表される単位の一つの
結合手が結合し、これ等の結合が順次に繰り返され、網
目状構造となっているものと推察される。
一般式(2)で表される単位の三つの結合手に、それぞ
れ前記一般式(1)で表される単位の一つの結合手が結
合し、その残りの一つの結合手に、別の一般式(2)で
表される単位の一つの結合手が結合し、その残りの二つ
の結合手に、別の一般式(1)で表される単位の一つの
結合手が結合し、これ等の結合が順次に繰り返され、網
目状構造となっているものと推察される。
【0033】次に、請求項2の発明に係るケイ素系高分
子化合物の製造方法について説明する。この種のケイ素
系高分子化合物は、例えば、前記一般式(5)で表され
る有機金属化合物と前記一般式(6)で表されるケイ素
化合物と前記一般式(7)で表されるケイ素化合物とを
反応させることにより得ることができる(請求項4の発
明)。
子化合物の製造方法について説明する。この種のケイ素
系高分子化合物は、例えば、前記一般式(5)で表され
る有機金属化合物と前記一般式(6)で表されるケイ素
化合物と前記一般式(7)で表されるケイ素化合物とを
反応させることにより得ることができる(請求項4の発
明)。
【0034】ここで、一般式(5)で表される有機金属
化合物及び一般式(6)で表されるケイ素化合物は、請
求項1の発明に係るケイ素系高分子化合物の製造方法
(請求項3)の発明で説明した有機金属化合物及びケイ
素化合物と同様な化合物が用いられる。
化合物及び一般式(6)で表されるケイ素化合物は、請
求項1の発明に係るケイ素系高分子化合物の製造方法
(請求項3)の発明で説明した有機金属化合物及びケイ
素化合物と同様な化合物が用いられる。
【0035】一般式(7)で表されるケイ素化合物とし
ては、例えば、ジクロロシラン、ジメチルジクロロシラ
ン、ジエチルジクロロシラン、ジプロピルジクロロシラ
ン、ジブチルジクロロシラン、ジペンチルジクロロシラ
ン、ジヘキシルジクロロシラン、ジヘプチルジクロロシ
ラン、ジオクチルジクロロシラン、ジノニルジクロロシ
ラン、ジデシルジクロロシラン、ジウンデシルジクロロ
シラン、ジドデシルジクロロシラン、ジトリデシルジク
ロロシラン、ジテトラデシルジクロロシラン、ジペンタ
デシルジクロロシラン、ジヘキサデシルジクロロシラ
ン、ジヘプタデシルジクロロシラン、ジオクタデシルジ
クロロシラン、ジノナデシルジクロロシラン、ジエイコ
シルジクロロシラン、ジフェニルジクロロシラン、ジト
リルジクロロシラン、ジキシリルジクロロシラン、ジビ
フェニルジクロロシラン、ジナフチルジクロロシラン、
1,1,3,3−テトラメチル−1,3−ジクロロジシ
ロキサン、1,1,3,3−テトラフェニル−1,3−
ジクロロジシロキサン、ビス(ジメチルクロロシリル)
ベンゼン、ビス(ジフェニルクロロシリル)ベンゼン、
ビス(ジメチルクロロシリル)ビフェニル、ビス(ジフ
ェニルクロロシリル)ビフェニル、ビス(ジメチルクロ
ロシリル)アセチレン、ビス(ジフェニルクロロシリ
ル)アセチレン、1,4−ビス(ジメチルクロロシリ
ル)ブタジイン、1,4−ビス(ジフェニルクロロシリ
ル)ブタジイン及びこれ等に対応するフッ化物、臭化物
及びヨウ化物が挙げられる。
ては、例えば、ジクロロシラン、ジメチルジクロロシラ
ン、ジエチルジクロロシラン、ジプロピルジクロロシラ
ン、ジブチルジクロロシラン、ジペンチルジクロロシラ
ン、ジヘキシルジクロロシラン、ジヘプチルジクロロシ
ラン、ジオクチルジクロロシラン、ジノニルジクロロシ
ラン、ジデシルジクロロシラン、ジウンデシルジクロロ
シラン、ジドデシルジクロロシラン、ジトリデシルジク
ロロシラン、ジテトラデシルジクロロシラン、ジペンタ
デシルジクロロシラン、ジヘキサデシルジクロロシラ
ン、ジヘプタデシルジクロロシラン、ジオクタデシルジ
クロロシラン、ジノナデシルジクロロシラン、ジエイコ
シルジクロロシラン、ジフェニルジクロロシラン、ジト
リルジクロロシラン、ジキシリルジクロロシラン、ジビ
フェニルジクロロシラン、ジナフチルジクロロシラン、
1,1,3,3−テトラメチル−1,3−ジクロロジシ
ロキサン、1,1,3,3−テトラフェニル−1,3−
ジクロロジシロキサン、ビス(ジメチルクロロシリル)
ベンゼン、ビス(ジフェニルクロロシリル)ベンゼン、
ビス(ジメチルクロロシリル)ビフェニル、ビス(ジフ
ェニルクロロシリル)ビフェニル、ビス(ジメチルクロ
ロシリル)アセチレン、ビス(ジフェニルクロロシリ
ル)アセチレン、1,4−ビス(ジメチルクロロシリ
ル)ブタジイン、1,4−ビス(ジフェニルクロロシリ
ル)ブタジイン及びこれ等に対応するフッ化物、臭化物
及びヨウ化物が挙げられる。
【0036】一般式(5)で表される有機金属化合物と
一般式(6)で表されるケイ素化合物と一般式(7)で
表されるケイ素化合物とを反応させるには、請求項1の
発明に係るケイ素系高分子化合物の製造方法(請求項3
の発明)で説明した方法と同様な方法で、有機金属化合
物を調製した後、この反応系に一般式(6)で表される
ケイ素化合物と一般式(7)で表されるケイ素化合物と
を加え、引き続いて反応を行うのが好ましい。
一般式(6)で表されるケイ素化合物と一般式(7)で
表されるケイ素化合物とを反応させるには、請求項1の
発明に係るケイ素系高分子化合物の製造方法(請求項3
の発明)で説明した方法と同様な方法で、有機金属化合
物を調製した後、この反応系に一般式(6)で表される
ケイ素化合物と一般式(7)で表されるケイ素化合物と
を加え、引き続いて反応を行うのが好ましい。
【0037】ここで、一般式(5)で表される有機金属
化合物と、一般式(6)及び一般式(7)で表されるケ
イ素化合物との混合比(モル比)は、両者のいずれかが
多すぎても少なすぎても反応が効率よく進行しないの
で、前者の有機金属化合物:後者〔一般式(6)及
(7)〕のケイ素化合物=1:0.1〜10が好まし
く、より好ましくは1:1.5〜3である。
化合物と、一般式(6)及び一般式(7)で表されるケ
イ素化合物との混合比(モル比)は、両者のいずれかが
多すぎても少なすぎても反応が効率よく進行しないの
で、前者の有機金属化合物:後者〔一般式(6)及
(7)〕のケイ素化合物=1:0.1〜10が好まし
く、より好ましくは1:1.5〜3である。
【0038】なお、一般式(6)のケイ素化合物と一般
式(7)のケイ素化合物との混合比は任意である。ま
た、溶媒は、一般式(5)で表される有機金属化合物に
対して、0.01〜10mol/lの濃度、好ましくは
0.1〜1mol/lの濃度で使用される。こうして、
請求項2の発明に係るケイ素系高分子化合物が得られ
る。
式(7)のケイ素化合物との混合比は任意である。ま
た、溶媒は、一般式(5)で表される有機金属化合物に
対して、0.01〜10mol/lの濃度、好ましくは
0.1〜1mol/lの濃度で使用される。こうして、
請求項2の発明に係るケイ素系高分子化合物が得られ
る。
【0039】このようなケイ素系高分子化合物は、上記
請求項3の製造方法で得られたような、一般式(1)で
表される単位と一般式(2)で表される単位とからなる
網目状構造と、前記一般式(4)で表される単位の一つ
の結合手に、前記一般式(1)で表される単位の一つの
結合手が結合し、その残りの一つの結合手に、別の一般
式(4)で表される単位の一つの結合手が結合し、これ
等の結合が順次に繰り返された直鎖状構造とが混合され
た構造を有するケイ素系高分子化合と推察される。
請求項3の製造方法で得られたような、一般式(1)で
表される単位と一般式(2)で表される単位とからなる
網目状構造と、前記一般式(4)で表される単位の一つ
の結合手に、前記一般式(1)で表される単位の一つの
結合手が結合し、その残りの一つの結合手に、別の一般
式(4)で表される単位の一つの結合手が結合し、これ
等の結合が順次に繰り返された直鎖状構造とが混合され
た構造を有するケイ素系高分子化合と推察される。
【0040】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例及び比較例
を説明する。請求項1及び3に係る発明の実施例及び比較例 実施例1 アルゴンで置換した攪拌機及び還流冷却管付きの100
ml(ミリリットル)の2つ口フラスコ内をアルゴンで
置換し、これに4,4′−ジブロモビフェニル1.56
g(5.00mmol)(ミリモル)とテトラヒドロフ
ラン25mlを入れた後、この系を−78℃に冷却し
た。
を説明する。請求項1及び3に係る発明の実施例及び比較例 実施例1 アルゴンで置換した攪拌機及び還流冷却管付きの100
ml(ミリリットル)の2つ口フラスコ内をアルゴンで
置換し、これに4,4′−ジブロモビフェニル1.56
g(5.00mmol)(ミリモル)とテトラヒドロフ
ラン25mlを入れた後、この系を−78℃に冷却し
た。
【0041】次いで、1.6mol/lのn−ブチルリ
チウムのヘキサン溶液6.25ml(10.0mmo
l)を2分間かけて加えた。−78℃で3時間攪拌後、
メチルトリクロロシラン0.498g(3.33mmo
l、4,4′−ジブロモビフェニルに対して0.67当
量)を加え、20℃まで2時間かけて昇温し、引き続い
て8時間加熱還流させた。
チウムのヘキサン溶液6.25ml(10.0mmo
l)を2分間かけて加えた。−78℃で3時間攪拌後、
メチルトリクロロシラン0.498g(3.33mmo
l、4,4′−ジブロモビフェニルに対して0.67当
量)を加え、20℃まで2時間かけて昇温し、引き続い
て8時間加熱還流させた。
【0042】反応終了後、反応溶液を飽和塩化アンモニ
ウム水溶液に滴下し、その後濾過により不溶物を取り除
いた。引き続いて濾液にジエチルエーテル50mlを加
え抽出した後、その有機相を無水硫酸マグネシウムで乾
燥させた。引き続いて、乾燥剤(硫酸マグネシウム)を
濾過により取り除いた後、約5mlの溶液になるまで濃
縮した。この溶液を100mlのイソプロピルアルコー
ルに滴下し、析出した白色固体を濾過及び減圧乾燥し、
白色固体(ケイ素系高分子化合物)57mg(ミリグラ
ム)を得た。
ウム水溶液に滴下し、その後濾過により不溶物を取り除
いた。引き続いて濾液にジエチルエーテル50mlを加
え抽出した後、その有機相を無水硫酸マグネシウムで乾
燥させた。引き続いて、乾燥剤(硫酸マグネシウム)を
濾過により取り除いた後、約5mlの溶液になるまで濃
縮した。この溶液を100mlのイソプロピルアルコー
ルに滴下し、析出した白色固体を濾過及び減圧乾燥し、
白色固体(ケイ素系高分子化合物)57mg(ミリグラ
ム)を得た。
【0043】上記白色固体(ケイ素系高分子化合物)を
テトラヒドロフランに溶解し、ゲル透過クロマトグラフ
ィー(GPC)(日本分光社製)を使用して、重量平均
分子量(ポリスチレン換算)を測定した。この場合、カ
ラムの排除限界を超えるため、正確な重量平均分子量は
測定困難であったが、カラムの排除限界内で算出したと
ころ、その重量平均分子量は35,000であり、この
ことより実際の重量平均分子量は、35,000以上で
あると推定される。
テトラヒドロフランに溶解し、ゲル透過クロマトグラフ
ィー(GPC)(日本分光社製)を使用して、重量平均
分子量(ポリスチレン換算)を測定した。この場合、カ
ラムの排除限界を超えるため、正確な重量平均分子量は
測定困難であったが、カラムの排除限界内で算出したと
ころ、その重量平均分子量は35,000であり、この
ことより実際の重量平均分子量は、35,000以上で
あると推定される。
【0044】また、上記白色固体(ケイ素系高分子化合
物)の赤外吸収スペクトル(IR)(パーキンエルマー
製システム2000を使用)を測定し、これを図1に示
す。図1に示すように、3200〜3000cm-1付近
に芳香族C−H結合に由来する吸収が確認され、290
0cm-1〜2800cm-1付近に脂肪族C−H結合に由
来する吸収が確認され、1250cm-1及び800cm
-1付近にSi−Me(メチル)結合に由来する吸収が確
認された。
物)の赤外吸収スペクトル(IR)(パーキンエルマー
製システム2000を使用)を測定し、これを図1に示
す。図1に示すように、3200〜3000cm-1付近
に芳香族C−H結合に由来する吸収が確認され、290
0cm-1〜2800cm-1付近に脂肪族C−H結合に由
来する吸収が確認され、1250cm-1及び800cm
-1付近にSi−Me(メチル)結合に由来する吸収が確
認された。
【0045】また、上記白色固体(ケイ素系高分子化合
物)の 1H−核磁気共鳴スペクトル( 1H−NMR)
(日立製作所製R−9000使用)を測定し、これを図
2に示す。図2に示すように、0.4〜1.2ppmに
メチル基に由来するピークが確認され、7.2〜8.0
ppmにフェニル基に由来するピークが確認され、ピー
クの積分比はメチル基:フェニル基=約1:4であっ
た。
物)の 1H−核磁気共鳴スペクトル( 1H−NMR)
(日立製作所製R−9000使用)を測定し、これを図
2に示す。図2に示すように、0.4〜1.2ppmに
メチル基に由来するピークが確認され、7.2〜8.0
ppmにフェニル基に由来するピークが確認され、ピー
クの積分比はメチル基:フェニル基=約1:4であっ
た。
【0046】以上の結果より、合成された上記白色固体
(ケイ素系高分子化合物)は、一般式(1a)で表され
る単位と一般式(2a)で表される単位とからなる新規
構造のケイ素系高分子化合物と同定した(収率6重量
%)。なお、(1a)単位と(2a)単位との構成比
は、 1H−核磁気共鳴スペクトルから、(1a)単位:
(2a)単位=約3:2であると推定される。
(ケイ素系高分子化合物)は、一般式(1a)で表され
る単位と一般式(2a)で表される単位とからなる新規
構造のケイ素系高分子化合物と同定した(収率6重量
%)。なお、(1a)単位と(2a)単位との構成比
は、 1H−核磁気共鳴スペクトルから、(1a)単位:
(2a)単位=約3:2であると推定される。
【0047】
【化15】
【0048】
【化16】
【0049】実施例2 メチルトリクロロシラン0.498gに替えて、フェニ
ルトリクロロシラン0.705g(3.33mmol、
4,4′−ジブロモビフェニルに対して0.67当量)
を用いたこと以外は、実施例1と同様の操作で反応を行
い、白色固体(ケイ素系高分子化合物)552mgを得
た。この白色固体(ケイ素系高分子化合物)の重量平均
分子量も、カラムの排除限界を超えるため、正確な重量
平均分子量は測定困難であったが、カラムの排除限界内
で算出したところ、その重量平均分子量は61,000
であり、このことより実際の重量平均分子量は、61,
000以上であると推定される。
ルトリクロロシラン0.705g(3.33mmol、
4,4′−ジブロモビフェニルに対して0.67当量)
を用いたこと以外は、実施例1と同様の操作で反応を行
い、白色固体(ケイ素系高分子化合物)552mgを得
た。この白色固体(ケイ素系高分子化合物)の重量平均
分子量も、カラムの排除限界を超えるため、正確な重量
平均分子量は測定困難であったが、カラムの排除限界内
で算出したところ、その重量平均分子量は61,000
であり、このことより実際の重量平均分子量は、61,
000以上であると推定される。
【0050】また、上記白色固体(ケイ素系高分子化合
物)の赤外吸収スペクトルを図2に示す。図2に示すよ
うに、3200〜3000cm-1付近に芳香族C−H結
合に由来する吸収が確認され、1430cm-1及び11
10cm-1付近にSi−Ph(フェニル)結合に由来す
る吸収が確認された。
物)の赤外吸収スペクトルを図2に示す。図2に示すよ
うに、3200〜3000cm-1付近に芳香族C−H結
合に由来する吸収が確認され、1430cm-1及び11
10cm-1付近にSi−Ph(フェニル)結合に由来す
る吸収が確認された。
【0051】また、上記白色固体(ケイ素系高分子化合
物)の 1H−核磁気共鳴スペクトルを図4に示す。図4
に示すように、7.0〜7.9ppmにフェニル基に由
来するピークが確認された。
物)の 1H−核磁気共鳴スペクトルを図4に示す。図4
に示すように、7.0〜7.9ppmにフェニル基に由
来するピークが確認された。
【0052】以上の結果より、合成された上記白色固体
(ケイ素系高分子化合物)は、一般式(1a)で表され
る単位と一般式(2b)で表される単位とからなる新規
構造のケイ素系高分子化合物と同定した(収率50重量
%)。なお、(1a)単位と(2b)単位との構成比
は、反応の当量関係から、(1a)単位:(2b)単位
=約3:2であると推定される。
(ケイ素系高分子化合物)は、一般式(1a)で表され
る単位と一般式(2b)で表される単位とからなる新規
構造のケイ素系高分子化合物と同定した(収率50重量
%)。なお、(1a)単位と(2b)単位との構成比
は、反応の当量関係から、(1a)単位:(2b)単位
=約3:2であると推定される。
【0053】
【化17】
【0054】
【化18】
【0055】比較例1 メチルトリクロロシラン0.498gに替えて、メチル
ジクロロシラン0.646g(5.00mmol)を用
いたこと以外は、実施例1と同様の操作で反応を行い、
白色固体(ケイ素系高分子化合物)915mgを得た。
この白色固体(ケイ素系高分子化合物)の重量平均分子
量は5,100であった。
ジクロロシラン0.646g(5.00mmol)を用
いたこと以外は、実施例1と同様の操作で反応を行い、
白色固体(ケイ素系高分子化合物)915mgを得た。
この白色固体(ケイ素系高分子化合物)の重量平均分子
量は5,100であった。
【0056】また、上記白色固体(ケイ素系高分子化合
物)の赤外吸収スペクトルでは、3200〜3000c
m-1付近に芳香族C−H結合に由来する吸収が確認さ
れ、2900〜2800cm-1付近に脂肪族C−H結合
に由来する吸収が確認され、1250cm-1及び800
cm-1付近にSi−Me結合に由来する吸収が確認され
た。
物)の赤外吸収スペクトルでは、3200〜3000c
m-1付近に芳香族C−H結合に由来する吸収が確認さ
れ、2900〜2800cm-1付近に脂肪族C−H結合
に由来する吸収が確認され、1250cm-1及び800
cm-1付近にSi−Me結合に由来する吸収が確認され
た。
【0057】また、上記白色固体(ケイ素系高分子化合
物)の 1H−核磁気共鳴スペクトルでは、0.3〜0.
5ppmにメチル基に由来するピークが確認され、7.
5〜7.7ppmにフェニル基に由来するピークが確認
され、ピークの積分比はメチル基:フェニル基=約4:
3であった。
物)の 1H−核磁気共鳴スペクトルでは、0.3〜0.
5ppmにメチル基に由来するピークが確認され、7.
5〜7.7ppmにフェニル基に由来するピークが確認
され、ピークの積分比はメチル基:フェニル基=約4:
3であった。
【0058】以上の結果より、合成された上記白色固体
(ケイ素系高分子化合物)は、一般式(8)で表される
単位からなる直鎖状のケイ素系高分子化合物と同定した
(収率87重量%)。
(ケイ素系高分子化合物)は、一般式(8)で表される
単位からなる直鎖状のケイ素系高分子化合物と同定した
(収率87重量%)。
【0059】
【化19】
【0060】比較例2 メチルトリクロロシラン0.498gに替えて、ジフェ
ニルジクロロシラン1.27g(5.00mmol)を
用いたこと以外は、実施例1と同様の操作で反応を行
い、白色固体(ケイ素系高分子化合物)1.07gを得
た。この白色固体(ケイ素系高分子化合物)の重量平均
分子量は3,000であった。
ニルジクロロシラン1.27g(5.00mmol)を
用いたこと以外は、実施例1と同様の操作で反応を行
い、白色固体(ケイ素系高分子化合物)1.07gを得
た。この白色固体(ケイ素系高分子化合物)の重量平均
分子量は3,000であった。
【0061】また、上記白色固体(ケイ素系高分子化合
物)の赤外吸収スペクトルでは、3200〜3000c
m-1付近に芳香族C−H結合に由来する吸収が確認さ
れ、1430cm-1及び1110cm-1付近にSi−P
h結合に由来する吸収が確認された。
物)の赤外吸収スペクトルでは、3200〜3000c
m-1付近に芳香族C−H結合に由来する吸収が確認さ
れ、1430cm-1及び1110cm-1付近にSi−P
h結合に由来する吸収が確認された。
【0062】また、上記白色固体(ケイ素系高分子化合
物)の 1H−核磁気共鳴スペクトルでは、7.2〜7.
8ppmにフェニル基に由来するピークが確認された。
物)の 1H−核磁気共鳴スペクトルでは、7.2〜7.
8ppmにフェニル基に由来するピークが確認された。
【0063】以上の結果より、合成された上記白色固体
(ケイ素系高分子化合物)は、一般式(9)で表される
単位からなる直鎖状のケイ素系高分子化合物と同定した
(収率64重量%)。
(ケイ素系高分子化合物)は、一般式(9)で表される
単位からなる直鎖状のケイ素系高分子化合物と同定した
(収率64重量%)。
【0064】
【化20】
【0065】請求項2及び4に係る発明の実施例及び比
較例 実施例3 メチルトリクロロシラン0.498gに替えて、メチル
トリクロロシラン25mg(0.167mmol:4,
4′−ジブロモビフェニルに対して0.033当量)と
1,1,3,3−テトラフェニル−1,3−ジクロロジ
シロキサン2.14g(4.75mmol:4,4′−
ジブロモビフェニルに対して0.95当量)との混合物
のテトラヒドロフラン溶液3mlを用いた以外は、実施
例1と同様の操作で反応を行い、白色固体819mgを
得た。この白色固体(ケイ素系高分子化合物)の重量平
均分子量は4,300であった。
較例 実施例3 メチルトリクロロシラン0.498gに替えて、メチル
トリクロロシラン25mg(0.167mmol:4,
4′−ジブロモビフェニルに対して0.033当量)と
1,1,3,3−テトラフェニル−1,3−ジクロロジ
シロキサン2.14g(4.75mmol:4,4′−
ジブロモビフェニルに対して0.95当量)との混合物
のテトラヒドロフラン溶液3mlを用いた以外は、実施
例1と同様の操作で反応を行い、白色固体819mgを
得た。この白色固体(ケイ素系高分子化合物)の重量平
均分子量は4,300であった。
【0066】また、上記白色固体(ケイ素系高分子化合
物)の赤外吸収スペクトルを図5に示す。図5に示すよ
うに、3200〜3000cm-1付近に芳香族C−H結
合に由来する吸収が確認され、2900〜2800cm
-1付近に脂肪族C−H結合に由来する吸収が確認され、
1430cm-1及び1110cm-1付近にSi−Ph結
合に由来する吸収が確認された。
物)の赤外吸収スペクトルを図5に示す。図5に示すよ
うに、3200〜3000cm-1付近に芳香族C−H結
合に由来する吸収が確認され、2900〜2800cm
-1付近に脂肪族C−H結合に由来する吸収が確認され、
1430cm-1及び1110cm-1付近にSi−Ph結
合に由来する吸収が確認された。
【0067】また、上記白色固体(ケイ素系高分子化合
物)の 1H−核磁気共鳴スペクトルを図6に示す。図6
に示すように、0.4〜1.2ppmにメチル基に由来
するピークが確認され、7.2〜8.0ppmにフェニ
ル基に由来するピークが確認され、ピークの積分比はメ
チル基:フェニル基=約1:100であった。
物)の 1H−核磁気共鳴スペクトルを図6に示す。図6
に示すように、0.4〜1.2ppmにメチル基に由来
するピークが確認され、7.2〜8.0ppmにフェニ
ル基に由来するピークが確認され、ピークの積分比はメ
チル基:フェニル基=約1:100であった。
【0068】以上の結果より、合成された上記白色固体
(ケイ素系高分子化合物)は、一般式(1a)で表され
る単位と一般式(2a)で表される単位と一般式(4
a)で表される単位からなるケイ素系高分子化合物と同
定した(収率32重量%)。なお、(1a)単位と(2
a)単位+(4a)単位との構成比は、 1H−核磁気共
鳴スペクトルから、(1a)単位:(2a)単位+(4
a)単位=約1:20であると推定される。
(ケイ素系高分子化合物)は、一般式(1a)で表され
る単位と一般式(2a)で表される単位と一般式(4
a)で表される単位からなるケイ素系高分子化合物と同
定した(収率32重量%)。なお、(1a)単位と(2
a)単位+(4a)単位との構成比は、 1H−核磁気共
鳴スペクトルから、(1a)単位:(2a)単位+(4
a)単位=約1:20であると推定される。
【0069】
【化21】
【0070】
【化22】
【0071】
【化23】
【0072】比較例3 メチルトリクロロシラン0.498gに替えて、1,
1,3,3−テトラフェニル−1,3−ジクロロジシロ
キサン2.26g(5.00mmol)のテトラヒドロ
フラン溶液3mlを用いた以外は、実施例1と同様の操
作で反応を行い、白色固体819mgを得た。この白色
固体(ケイ素系高分子化合物)の重量平均分子量は4,
300であった。
1,3,3−テトラフェニル−1,3−ジクロロジシロ
キサン2.26g(5.00mmol)のテトラヒドロ
フラン溶液3mlを用いた以外は、実施例1と同様の操
作で反応を行い、白色固体819mgを得た。この白色
固体(ケイ素系高分子化合物)の重量平均分子量は4,
300であった。
【0073】また、上記白色固体(ケイ素系高分子化合
物)の赤外吸収スペクトルでは、3200〜3000c
m-1付近に芳香族C−H結合に由来する吸収が確認さ
れ、1430cm-1及び1110cm-1付近にSi−P
h結合に由来する吸収が確認された。
物)の赤外吸収スペクトルでは、3200〜3000c
m-1付近に芳香族C−H結合に由来する吸収が確認さ
れ、1430cm-1及び1110cm-1付近にSi−P
h結合に由来する吸収が確認された。
【0074】また、上記白色固体(ケイ素系高分子化合
物)の 1H−核磁気共鳴スペクトルでは、7.2〜7.
8ppmにフェニル基に由来するピークが確認され、ピ
ークの積分比はメチル基:フェニル基=約4:3であっ
た。
物)の 1H−核磁気共鳴スペクトルでは、7.2〜7.
8ppmにフェニル基に由来するピークが確認され、ピ
ークの積分比はメチル基:フェニル基=約4:3であっ
た。
【0075】以上の結果より、合成された上記白色固体
(ケイ素系高分子化合物)は、一般式(10)で表され
る単位からなる直鎖状のケイ素系高分子化合物と同定し
た(収率17重量%)。
(ケイ素系高分子化合物)は、一般式(10)で表され
る単位からなる直鎖状のケイ素系高分子化合物と同定し
た(収率17重量%)。
【化24】
【0076】ケイ素系高分子化合物の性能評価 上記実施例1、2及び比較例1、2で得られた白色固体
(ケイ素系高分子化合物)につき、下記の方法で耐熱性
の評価を行い、その結果を表1に示す。また、上記実施
例3及び比較例3で得られた白色固体(ケイ素系高分子
化合物)につき、下記の方法で耐熱性の評価を行い、そ
の結果を表2に示す。
(ケイ素系高分子化合物)につき、下記の方法で耐熱性
の評価を行い、その結果を表1に示す。また、上記実施
例3及び比較例3で得られた白色固体(ケイ素系高分子
化合物)につき、下記の方法で耐熱性の評価を行い、そ
の結果を表2に示す。
【0077】<耐熱性>各実施例及び各比較例で得られ
た白色固体(ケイ素系高分子化合物)の熱重量分析(T
GA)(リガク社製TAS300使用)を行い、窒素及
び空気気流下で20℃/分の昇温速度で30℃から80
0℃まで昇温し、初期重量に対して5重量%減少した時
の温度〔表中、T5(℃)で示す〕及び10重量%減少
した時の温度〔表中、T10(℃)で示す〕並びに80
0℃における重量残存率〔表中、W800(%)で示
す)を測定して耐熱性を評価した。
た白色固体(ケイ素系高分子化合物)の熱重量分析(T
GA)(リガク社製TAS300使用)を行い、窒素及
び空気気流下で20℃/分の昇温速度で30℃から80
0℃まで昇温し、初期重量に対して5重量%減少した時
の温度〔表中、T5(℃)で示す〕及び10重量%減少
した時の温度〔表中、T10(℃)で示す〕並びに80
0℃における重量残存率〔表中、W800(%)で示
す)を測定して耐熱性を評価した。
【0078】
【表1】
【0079】表1から明らかなように、本発明の実施例
1、2で得られたケイ素系高分子化合は、比較例1、2
で得られたケイ素系高分子化合に比べて、T5(℃)、
T10(℃)、W800(%)のほとんどの値が高く、
耐熱性が優れていることがわかる。
1、2で得られたケイ素系高分子化合は、比較例1、2
で得られたケイ素系高分子化合に比べて、T5(℃)、
T10(℃)、W800(%)のほとんどの値が高く、
耐熱性が優れていることがわかる。
【0080】
【表2】
【0081】表2から明らかなように、本発明の実施例
3で得られたケイ素系高分子化合は、比較例3で得られ
たケイ素系高分子化合に比べて、T5(℃)、T10
(℃)、W800(%)のすべての値が高く、耐熱性が
優れていることがわかる。
3で得られたケイ素系高分子化合は、比較例3で得られ
たケイ素系高分子化合に比べて、T5(℃)、T10
(℃)、W800(%)のすべての値が高く、耐熱性が
優れていることがわかる。
【0082】
【発明の効果】上述の通り、本発明のケイ素系高分子化
合物及び本発明の方法で得られるケイ素系高分子化合物
は、耐熱性に優れており、航空宇宙材料、建築材料等に
好適に用いられる。
合物及び本発明の方法で得られるケイ素系高分子化合物
は、耐熱性に優れており、航空宇宙材料、建築材料等に
好適に用いられる。
【図1】実施例1で得られたケイ素系高分子化合物の赤
外吸収スペクトルである。
外吸収スペクトルである。
【図2】実施例1で得られたケイ素系高分子化合物の 1
H核磁気共鳴スペクトルである。
H核磁気共鳴スペクトルである。
【図3】実施例2で得られたケイ素系高分子化合物の赤
外吸収スペクトルである。
外吸収スペクトルである。
【図4】実施例2で得られたケイ素系高分子化合物の 1
H核磁気共鳴スペクトルである。
H核磁気共鳴スペクトルである。
【図5】実施例3で得られたケイ素系高分子化合物の赤
外吸収スペクトルである。
外吸収スペクトルである。
【図6】実施例3で得られたケイ素系高分子化合物の 1
H核磁気共鳴スペクトルである。
H核磁気共鳴スペクトルである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 文治 大阪府三島郡島本町百山2−1 積水化学 工業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項1】 一般式(1)で表される単位と一般式
(2)で表される単位とからなり、重量平均分子量が5
×102 〜1×107 であることを特徴とする網目構造
型のケイ素系高分子化合物。 【化1】 【化2】 〔式中、Xは、炭素数2〜20のアルキレン基、炭素数
6〜30のアリーレン基又は一般式(3)で表される炭
素数12〜60の二価の芳香族炭化水素基を示す。R1
は、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基又は炭素数
6〜30のアリール基を示す。〕 【化3】 〔式中、Y1 は、酸素原子、硫黄原子、炭素数1〜20
の炭化水素基、シリレン基、置換シリレン基又はスルホ
ン基を示し、式(2)中のケイ素原子との結合位置はY
1 の結合位置に対していずれでもよい。R4 〜R7 は、
Y1 とケイ素原子が結合している炭素以外の炭素に置換
している炭素数1〜20のアルキル基又は炭素数6〜3
0のアリール基を示し、それぞれ同一であっても異なっ
ていてもよい。〕 - 【請求項2】 一般式(1)で表される単位と一般式
(2)で表される単位と一般式(4)で表される単位と
からなり、重量平均分子量が5×102 〜1×107 で
あることを特徴とする網目構造型のケイ素系高分子化合
物。 【化4】 【化5】 【化6】 〔式中、Xは、炭素数2〜20のアルキレン基、炭素数
6〜30のアリーレン基又は一般式(3)で表される炭
素数12〜60の二価の芳香族炭化水素基を示す。R1
は、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基又は炭素数
6〜30のアリール基を示す。Yは、酸素原子、炭素数
6〜30のアリーレン基、エチニレン基又はジエチニレ
ン基を示す。R2 及びR3 は、水素原子、炭素数1〜2
0のアルキル基又は炭素数6〜30のアリール基を示
し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。m
は、0〜10の整数を示す。〕 【化7】 〔式中、Y1 は、酸素原子、硫黄原子、炭素数1〜20
の炭化水素基、シリレン基、置換シリレン基又はスルホ
ン基を示し、式(2)及び(4)中のケイ素原子との結
合位置はY1 の結合位置に対していずれでもよい。R4
〜R7 は、Y1とケイ素原子が結合している炭素以外の
炭素に置換している炭素数1〜20のアルキル基又は炭
素数6〜30のアリール基を示し、それぞれ同一であっ
ても異なっていてもよい。〕 - 【請求項3】 一般式(5)で表される有機金属化合物
と一般式(6)で表されるケイ素化合物とを反応させる
ことを特徴とするケイ素系高分子化合物の製造方法。 【化8】 【化9】 〔式中、Xは、炭素数2〜20のアルキレン基、炭素数
6〜30のアリーレン基又は一般式(3)で表される炭
素数12〜60の二価の芳香族炭化水素基を示す。M
は、アルカリ土類金属のハロゲン化物又はアルカリ金属
を示す。R1 は、水素原子、炭素数1〜20のアルキル
基又は炭素数6〜30のアリール基を示す。Z1 は、ハ
ロゲン原子を示す。〕 【化10】 〔式中、Y1 は、酸素原子、硫黄原子、炭素数1〜20
の炭化水素基、シリレン基、置換シリレン基又はスルホ
ン基を示し、式(2)中の金属原子との結合位置はY1
の結合位置に対していずれでもよい。R4 〜R7 は、Y
1 とケイ素原子が結合している炭素以外の炭素に置換し
ている炭素数1〜20のアルキル基又は炭素数6〜30
のアリール基を示し、それぞれ同一であっても異なって
いてもよい。〕 - 【請求項4】 一般式(5)で表される有機金属化合物
と一般式(6)で表されるケイ素化合物と一般式(7)
で表されるケイ素化合物とを反応させることを特徴とす
るケイ素系高分子化合物の製造方法。 【化11】 【化12】 【化13】 〔式中、Xは、炭素数2〜20のアルキレン基、炭素数
6〜30のアリーレン基又は一般式(3)で表される炭
素数12〜60の二価の芳香族炭化水素基を示す。M
は、アルカリ土類金属のハロゲン化物又はアルカリ金属
を示す。R1 は、水素原子、炭素数1〜20のアルキル
基又は炭素数6〜30のアリール基を示す。Z1 は、ハ
ロゲン原子を示す。Yは、酸素原子、炭素数6〜30の
アリーレン基、エチニレン基又はジエチニレン基を示
す。R2 及びR3 は、水素原子、炭素数1〜20のアル
キル基又は炭素数6〜30のアリール基を示し、それぞ
れ同一であっても異なっていてもよい。Z2 は、ハロゲ
ン原子を示す。mは、0〜10の整数を示す。〕 【化14】 〔式中、Y1 は、酸素原子、硫黄原子、炭素数1〜20
の炭化水素基、シリレン基、置換シリレン基又はスルホ
ン基を示し、式(5)中の金属原子との結合位置はY1
の結合位置に対していずれでもよい。R4 〜R7 は、Y
1 とケイ素原子が結合している炭素以外の炭素に置換し
ている炭素数1〜20のアルキル基又は炭素数6〜30
のアリール基を示し、それぞれ同一であっても異なって
いてもよい。〕
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15118196A JPH09328553A (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | ケイ素系高分子化合物及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15118196A JPH09328553A (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | ケイ素系高分子化合物及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09328553A true JPH09328553A (ja) | 1997-12-22 |
Family
ID=15513071
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15118196A Pending JPH09328553A (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | ケイ素系高分子化合物及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09328553A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2020171054A1 (ja) * | 2019-02-20 | 2021-12-16 | Jsr株式会社 | 半導体基板の製造方法及び半導体基板製造用組成物 |
-
1996
- 1996-06-12 JP JP15118196A patent/JPH09328553A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2020171054A1 (ja) * | 2019-02-20 | 2021-12-16 | Jsr株式会社 | 半導体基板の製造方法及び半導体基板製造用組成物 |
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