JPH09325186A - 減少された残光を有するシンチレーション結晶及びその作製方法 - Google Patents

減少された残光を有するシンチレーション結晶及びその作製方法

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JPH09325186A
JPH09325186A JP9033748A JP3374897A JPH09325186A JP H09325186 A JPH09325186 A JP H09325186A JP 9033748 A JP9033748 A JP 9033748A JP 3374897 A JP3374897 A JP 3374897A JP H09325186 A JPH09325186 A JP H09325186A
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cobalt
crystal
afterglow
ppm
concentration
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JP9033748A
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Harold J Murphy
ジェイ．マーフィー ハロルド
F Rybicki Alan
エフ．ライビッキ アラン
P Novak William
ピー．ノバク ウィリアム
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Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc
Original Assignee
Saint Gobain Norton Industrial Ceramics Corp
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • C30B29/32—Titanates; Germanates; Molybdates; Tungstates

Abstract

(57)【要約】 【課題】 残光が削減又は除去されたシンチレーション
結晶及びその作製方法を提供すること。 【解決手段】 シンチレーション結晶を作製する方法で
あって、結晶融成物を調製するステップと、その結晶を
成長させる前に前記融成物に残光削減性添加物を加える
ステップと、相対的に低い濃度の前記残光削減性添加物
を含むように前記結晶を成長させるステップと、を含む
ことを特徴とする方法、並びに残光削減性添加物が添加
されたシンチレーター結晶格子を含むことを特徴とする
シンチレーション結晶を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、放射線検出器に用
いられるシンチレーション結晶に関する。更に詳しく
は、本発明はＸ線又はガンマ線を検出するのに用いられ
るシンチレーション結晶に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピューター補助され、又はコンピュ
ーターによる断層撮影法は、ヒトの体の内部構造又は
（例えば航空旅行用携行品のような）他のものの内部構
造を非侵襲的に研究するために医学及び他の分野におい
て広く用いられている。断層撮影スキャナーは、典型的
には、Ｘ線又はガンマ線のような電離放射線の１以上の
ソース、及び１以上の放射線検出器を一般に含む。検出
器は、スキャナー内のその全数が数百又は数千である検
出器が整列して配置される。研究されるべき対象物は放
射線ソースと検出器との間に置かれる。対称物は、放射
線ソースをパルスで送る間、選択された平面内で対象物
に対して相対的に、検出器、放射線ソース、又はその両
方を動かすことによりスキャンされる。検出器の出力は
特定時間にわたって記録され、コンピューターにより分
析されて一連のスキャンを作り、これは正確に統合され
た場合、スキャンされた対象物の内部構造の３次元像を
形成するのに用いられ得る。
【０００３】断層撮影スキャナーの精度及び安全性に影
響を与える多くの因子がある。生きている対象物をスキ
ャンする場合、安全性の点で放射線への露出の量を最少
化することが要求される。高分解能の像を得るために、
秒当り１００回の位で放射線ソースをパルスで送り、各
々のパルスにおける検出器の出力を記録することが要求
される。
【０００４】断層撮影スキャナーに用いられる放射線検
出器はシンチレーター及び光電センサーから作製され
る。シンチレーターはルミネセンスを示し、又は電離放
射線が衝撃を与えた時に発光し、光電センサーがシンチ
レーターの光出力を電気シグナルに変換する。対象物が
スキャンされる場合、その対象物の内部構造はその内部
構造の密度及び組成により多少の放射線を吸収する。そ
れゆえ、シンチレーターの光出力は対象物がスキャンさ
れる時に種々であり、それゆえ光電センサーの出力はス
キャンされる対象物の内部構造に関連する。
【０００５】コンピューターによる断層撮影に一般に用
いられるシンチレーターには２つのタイプ：ガス充填チ
ューブ及び結晶がある。密接に充填された配列に容易に
配列され得るので結晶が好ましい。シンチレーション結
晶を作製するために種々の材料が用いられる。タングス
テン酸カドミウム（ＣｄＷＯ4 ）の発光及び物理的特徴
はそれを放射線検出器に用いるのに優れた選択とさせ
る。結晶は、直角の断面を有する小さな結晶棒状体とし
て切断され、光検出器は各々の結晶の一面に直接取り付
けられる。典型的には、検出器に取り付けられたいくつ
かの結晶は共に結合されて米国特許番号４，６９４，１
７７及び番号４，７２５，７３４に記載されるような検
出器配列を形成する。
【０００６】タングステン酸カドミウム結晶を含む全て
のシンチレーターは、光出力、発光スペクトル、崩壊構
成物、及び残光を含む特定の測定可能な特徴を有する。
Ｘ線により励起された場合、タングステン酸カドミウム
結晶は約４８０nmにおいてピークの出力を有する約３５
０nm（ナノメーター）〜７５０nmの範囲の波長で光を放
射する。結晶の光出力はその純度に大きく依存する。タ
ングステン酸カドミウムは２つの天然の対数崩壊構成
物：約１．１マイクロ秒におけるもの及び約１４マイク
ロ秒におけるものを有する。即ち、Ｘ線励起が終わる
時、ルミネセンスはマイクロ秒のおよその数で停止する
だろう。全ての結晶は天然の崩壊の時間を超えて持続す
る極めて低いレベルの光として検出される特定量の残光
を有するだろう。結晶内の残光は通常、対数的に崩壊
し、結晶が完全に暗くなる前数秒間続き得る。特に残光
は人工物の形成、又は像を曇らせる明るいピクセルを生
じさせる。残光の効果を避けるために、より遅いスキャ
ン速度が用いられ得るが、これは生きている器官の像の
全体の分解能を減少させる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】特定のシンチレーショ
ン材料において、残光の削減又は除去のための必要性が
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】以下に詳細に議論される
本発明によれば、チョクラルスキー（Czochralsky)又は
いずれかの他の技術に従ってシンチレーション結晶を成
長させるための結晶融成物は、該融成物から成長した結
晶のルミネセンス光出力を大きく減少させずに残光を減
少させる要素又は化合物が添加される。これにより、本
発明は、適切な濃度で結晶融成物内に導入される特定の
不純物が残光を実際に減少させるという発見に関連す
る。実験は、コバルト、ニオブ、カルシウム、ナトリウ
ム、ゲルマニウム、及び三酸化クロムのいずれか一を前
記融成物に添加することが前記結晶の光出力を過度に減
少させることなく残光を大きく減少させることを示し
た。現在の好ましい添加物は約５０ppm 以下の濃度で前
記融成物に加えられるコバルトである。
【０００９】本発明の更なる対象及び利点は供される図
と合わせて詳細な記載を参照することにより当業者に明
らかになるだろう。
【００１０】
【発明の実施の形態】いくつかのタングステン酸カドミ
ウム結晶の残光を、その結晶を３秒間、Ｘ線（最大１２
０KeV)に個々に露出し、その後Ｘ線の出力を中断するこ
とにより研究した。実験の目的のために、残光（ＡＧ）
を以下に示す等式１の比率として定義した。ここで、Ｉ
DCは（放射線に露出する前の）暗結晶から放射された光
の強度であり、ＩO は放射線が中断された瞬間ｔ＝０に
おける結晶から放射される光の強度であり、そしてＩ
(t) は時間“ｔ”において結晶から放射された光の強度
である。この等式における一定因子を、全光出力に関す
る残光のための測定の単位として“１００万当りの部
（ｐａｒｔｓ ｐｅｒ ｍｉｌｌｉｏｎ）”を割り当て
るために用いた。
【００１１】
【数１】
【００１２】各々の結晶を研究するために、Ｉ(t) の測
定は、ｔ＝０後からｔ＝３秒まで全てのミリ秒で行っ
た。ｔ＝２０ms（ミリ秒）において得られた測定値が比
較標準として用いられるであろうように決定した。２０
msにおいて、残光の許容されるレベルは５０ppm であ
る。最初に研究した結晶において３００ppm 〜５００pp
mの範囲の残光が頻繁に観察された。残光発光のスペク
トル分布はほぼ全体が５５０nm（ナノメーター）より大
きく、大部分が６５０nmより大きい波長においてであっ
た。それゆえ、約４８０nmにおいてピークを有する通常
の光出力を実質的に減少させることなく残光発光を光学
的にフィルターにかけることが可能であろうことが想像
された。
【００１３】結晶をフィルター層で被覆して不適切な結
果が得られたいくつかの実験の後、赤色吸収性不純物を
結晶融成物に添加することが残光を吸収するよう機能す
ることが想像された。いくつかのボウルをコバルトが添
加された融成物から成長させ、同じ生の材料から成長し
たボウルと比較した。コバルト添加結晶は、以下の実施
例１〜４で議論される。
【００１４】
【実施例】
（実施例１）対照標準ボウルを、添加物を加えずに、タ
ングステン酸カドミウムの第１のバッチから対照ボウル
として用いるために成長させた。１２０KeV(１０００電
子ボルト）強度の標準Ｘ線放射線に露出した時のこの対
照標準ボウルのシンチレーション光出力を、便利のため
１００％となるよう定義した。その残光は光出力の１５
５ppm であると測定された。
【００１５】第１の対照標準ボウルと同じ生の材料から
第１の添加ボウルを成長させた。しかしながらその融成
物には５０ppm のコバルトが添加されている。標準放射
線に露出した時のこの材料の光出力は無添加の対照標準
ボウルのそれの７６％であった。その残光は極めて低く
均一で、３６ppm 〜４４ppm の範囲内であり、平均残光
は４２ppm であった。その結晶は約６３０nmを中心とし
た赤色吸収のため濃青色を有し、ピークの出力波長は無
添加の標準対照ボウルのそれから青色に向かって１５nm
移った。その結晶をセンサー配列内に取り付け、像形成
への残光効果についてテストした。それは残光に関して
極めて良好に作用したが、その光出力はいくつかの適用
のために許容されるレベルより低いと判断された。
【００１６】（実施例２）他の対照標準ボウルを生の材
料の新しいバッチから成長させた。その光出力を測定し
て１００％として定義した。その残光は１５５ppm と測
定された。添加ボウルを２５ppm のコバルトを添加した
融成物でこの生の材料から成長させた。そのコバルト添
加ボウルの光出力は対照標準ボウルのそれの９２％と測
定され、その平均残光は３９ppm と測定された。
【００１７】（実施例３）第３のボウルを融成物内の１
０ppm のコバルトのみを添加して成長させた。それは２
６ppm 〜５９ppm の範囲で平均３８ppm の低い残光を有
していた。光出力は生の材料の同じバッチから成長した
無添加ボウルの１０２％であった。これは、光出力の読
み取りの誤差の限界内で測定可能な光の損失がないこと
を意味すると解釈され得る。
【００１８】（実施例４）３つのコバルト添加ボウルを
標準的な製造炉内で成長させた。それらの融成物は２５
ppm のコバルトを含んでいる。その３つのボウルの平均
残光は４０ppm であり、その範囲は３２ppm 〜５５ppm
であった。それらの平均光出力は、同じ生の材料から成
長し、同じ時間に測定された４つの他の無添加対照標準
ボウルの平均の９６％であった。
【００１９】（一般的考察）コバルト添加タングステン
酸カドミウムボウルは５４０nm〜７００nmの間の波長領
域において広範囲の吸収を有するようである。コバルト
添加ボウルは同じ生の材料からの無添加ボウルより低い
光出力も有する。タングステン酸カドミウム中のコバル
トの量を減少させることは、それが吸収する光の量を削
減し、それによりその光出力を増加させる。コバルトの
量を調節することにより、無添加の結晶の光出力の９０
％を超える光出力、及び５倍以上削減された残光を有す
る結晶とすることが可能である。
【００２０】融成物中のコバルトの濃度は１０ppm 〜５
０ppm の間で種々であるが、添加された結晶中のコバル
トの実際の濃度は成長中に添加物を退ける結晶格子の自
然の傾向のためかなり少なかった。３の典型的なボウル
を以下の表１に列挙する。ここで、ボウル中のコバルト
濃度は融成物中の濃度に関する。
【００２１】
【表１】
【００２２】純粋なタングステン酸カドミウム結晶は発
光の波長域において約２．２の屈折率を有し、それはこ
の範囲において全体的に透明である。放射線検出器とし
て用いた場合、それは直角の方形の固体のいくつかの形
態において用いられる。その高い屈折率及び透明度が合
わさった固体により供される高い程度の対称は、Ｘ線光
子の吸収により結晶内で作られた光の光子が、検出器内
に逃れる前に結晶内で極めて長い平均光学経路を有する
だろう。このことは、発光の波長域内の極めて少い吸収
でさえ光出力のスペクトル分布に絶大なる効果を与える
だろう。これにより、結晶の格子内に赤色吸収物を配す
ることにより、光出力の残光構成物が全体の光出力から
選択的かつ効果的に除去され得る。
【００２３】コバルトでの実験が、コバルト添加物が残
光の比較的長い波長のスペクトル構成物を除去するため
の光学吸収フィルターとして作用することを示唆する一
方、コバルト添加物はそのソースを不活性化することに
より残光を消光するように実際に作用し得る。残光に反
応する正確な機構はまだ明らかではないが、コバルトが
フィルター、消光剤、又はその両方のいずれとして主に
作用するかは明確に決められていない。
【００２４】先に記載されるコバルトでの実験に加え
て、残光削減性添加物の候補となり得る他の材料を同定
するために他の添加物をタングステン酸カドミウムに用
いた。各々の生の材料のバッチのために、無添加の結晶
を最初に標準対照ボウルとして成長させ、標準放射線ソ
ースへの露出により光出力についてテストし、これを１
００％と定義して残光についてテストした。その後、同
じ生の材料のバッチを用いて、他に示さなければ融成物
に５０ppm の添加物を加えることにより以下の表に列挙
されるような異なる不純物を添加した一連の他の結晶を
成長させた。表に示されるいくつかの添加物は光学的吸
収体として作用せず、むしろ残光消光物質として作用す
るようである。
【００２５】生の材料の第１のバッチから成長したボウ
ルの材料の光出力及び残光を以下の表２に列挙する。
【００２６】
【表２】
【００２７】他のタングステン酸カドミウム対照標準を
生の材料の第２のバッチから成長させ、標準放射線ソー
スにより照射された時のその光出力を１００％として定
義した。他に示されるものを除いて５０ppm の濃度で融
成物内に含まれる種々の添加物の各々異なるものを有す
る７の更なるボウルを成長させた。それらの特徴を以下
の表３に列挙する。
【００２８】
【表３】
【００２９】他のタングステン酸カドミウム対照標準ボ
ウルを生の材料の第３のバッチから成長させ、そのセッ
トした放射線強度により照射された時の光出力を１００
％として定義した。他に示したものを除いて５０ppm の
濃度において融成物内に含まれる種々の添加物の異なる
ものを有する５の更なるボウルを成長させた。添加物臭
素、ヨウ素、及びリンの場合、各々２５ppm の３の添加
物を融成物に加えた。結果として生じたボウルの特徴を
以下の表４に列挙する。
【００３０】
【表４】
【００３１】３つの１００％を超える光出力値は測定の
不正確さの結果であると考えられる。表３及び４に列挙
される残光測定結果は材料の割られたスラブに基づく測
定により得られたものであるが、表２に列挙されるもの
は材料の仕上げた棒状体に基づく測定により得られたも
のであることに注意すべきである。スラブはボウルから
単純に切断され、それゆえ完全な結晶棒状体ほど正確な
寸法及び表面仕上げではないので、スラブからの残光測
定結果は、仕上げられた結晶棒状体から作られた同じ材
料のものより全体的に実質的に高く、またかなり低い一
貫性を有する。それゆえ、仕上げられた結晶棒状体に基
づいた測定から得られた表２の値は表３及び４のものと
比較するべきでない。更に、限られた比較情報のみが、
生の材料の異なるバッチから作られたボウルの材料間の
いずれかの測定結果から利用できることを認識すべきで
ある。しかしながら、表３及び４の値は測定された材料
についての相対的な残光値のおおまかな示唆を得るため
に用いられ得る。これにより、カルシウム、コバルト、
ゲルマニウム、ニオブ、ナトリウム、及びクロムがタン
グステン酸カドミウム内の残光を減少させるための特に
優れた添加候補であり、ネオジムも興味あるものである
ことが表３及び４から見られるだろう。残光を約５０pp
m 未満に減少させるいずれかの添加物が残光を制御する
目的のために関心のものであるようである。先のテスト
に含まれるこれらの添加物の中にはない更なる候補があ
り得る。これらはシンチレーション結晶のための周知の
活性化物質であると予想され得、典型的には、遷移金属
又はまれな土類要素であるだろう。
【００３２】減少された残光を有するタングステン酸カ
ドミウムのいくつかの実施形態、及びそれを作るいくつ
かの方法が本明細書に記載され、実例として示されてい
る。本発明の特定の実施形態が記載されているが、本発
明をそれに限定することを意図したものではなく、本発
明は当業者が許容するであろう範囲において広いもので
あり、明細書も同様に読まれるべきであることを意図す
る。これにより、特定の有効な添加物が開示されている
が、他の添加物も残光を吸収するか又は消光するかのい
ずれかにおいて役立ち得ることが考えられる。どのよう
にして添加物が残光を減らすように作用するかは不確か
であるが、正確な濃度において用いられる時にいくつか
の添加物が残光を大きく減少させることは確かである。
また、タングステン酸カドミウム結晶が議論されている
が、本発明の添加方法は他のタイプのシンチレーション
結晶においても残光を削減するのに役立ち得ると確信さ
れる。このような結晶内の残光削減性添加物の濃度は、
更なる濃縮が結晶の光出力を減少させるようであるの
で、要求される残光削減を供するのに必要とされるほど
高くないように一般的に選択されるべきである。融成物
への５０ppm の添加物の添加から生ずる濃度より低くな
るようにほとんどの結晶のために正確な量の添加物が期
待されるが、先の例におけるもののような経験に基づく
方法により特定の結晶及び添加物のために最もよく見い
出される。本明細書内の実施例において添加物は添加材
料の融成物への添加により結晶内に導入されるが、本発
明は特定の結晶成長方法又は特定の結晶材料に限定する
ものでなく、いずれかの方法により作られるいずれかの
シンチレーション結晶へのいずれかの残光削減性添加物
のいずれかの方法による添加にも関することが理解され
るはずである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウィリアム ピー．ノバク アメリカ合衆国，オハイオ 44062，ミド ルフィールド，レーク アベニュー 15180

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 シンチレーション結晶を作製する方法で
    あって、 ａ）結晶融成物を調製するステップと、 ｂ）その結晶を成長させる前に前記融成物に残光削減性
    添加物を加えるステップと、 ｃ）相対的に低い濃度の前記残光削減性添加物を含むよ
    うに前記結晶を成長させるステップと、 を含むことを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 前記残光削減性添加物が、カルシウム、
    コバルト、ゲルマニウム、ニオブ、ナトリウム、及びク
    ロムからなる群から選択されることを特徴とする請求項
    １に記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記残光削減性添加物が、約５０ppm よ
    り少い濃度で前記融成物に加えられるコバルトであるこ
    とを特徴とする請求項２に記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記残光削減性添加物が約１ppm 〜約５
    ０ppm の間の濃度で前記融成物に加えられることを特徴
    とする請求項３に記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記結晶が、約５ppm より少いコバルト
    濃度を含むように成長されることを特徴とする請求項３
    に記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記結晶が、約１ppm 〜約５ppm の間の
    コバルト濃度を含むように成長されることを特徴とする
    請求項５に記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記結晶がタングステン酸カドミウムで
    あることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記残光削減性添加物が、カルシウム、
    コバルト、ゲルマニウム、ニオブ、ナトリウム、及びク
    ロムからなる群から選択されることを特徴とする請求項
    ７に記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記残光削減性添加物が、約５０ppm よ
    り少い濃度で前記融成物に加えられるコバルトであるこ
    とを特徴とする請求項８に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記結晶が約５ppm より少いコバルト
    濃度を含むように成長されることを特徴とする請求項９
    に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 前記結晶融成物を調製することがチョ
    クラルスキー技術に従うことを特徴とする請求項１に記
    載の方法。
  12. 【請求項１２】 残光削減性添加物が添加されたシンチ
    レーター結晶格子を含むことを特徴とするシンチレーシ
    ョン結晶。
  13. 【請求項１３】 前記残光削減性添加物がカルシウム、
    コバルト、ゲルマニウム、ニオブ、ナトリウム、及びク
    ロムからなる群から選択されることを特徴とする請求項
    １２に記載のシンチレーション結晶。
  14. 【請求項１４】 前記残光削減性添加物が約５ppm より
    少い濃度のコバルトであることを特徴とする請求項１３
    に記載のシンチレーション結晶。
  15. 【請求項１５】 前記残光削減性添加物が約１ppm 〜約
    ５ppm の間の濃度のコバルトであることを特徴とする請
    求項１４に記載のシンチレーション結晶。
  16. 【請求項１６】 前記シンチレーション結晶格子がタン
    グステン酸カドミウムであることを特徴とする請求項１
    ５に記載のシンチレーション結晶。
  17. 【請求項１７】 前記残光削減性添加物がカルシウム、
    コバルト、ゲルマニウム、ニオブ、ナトリウム、及びク
    ロムからなる群から選択されることを特徴とする請求項
    １６に記載のシンチレーション結晶。
  18. 【請求項１８】 前記残光削減性添加物が約５ppm より
    少い濃度のコバルトであることを特徴とする請求項１７
    に記載のシンチレーション結晶。
JP9033748A 1996-02-23 1997-02-18 減少された残光を有するシンチレーション結晶及びその作製方法 Pending JPH09325186A (ja)

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JP (1) JPH09325186A (ja)
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005263621A (ja) * 2004-02-17 2005-09-29 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd タングステン酸亜鉛単結晶及びその製造方法
JP2005263515A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd タングステン酸亜鉛単結晶及びその製造方法
JP2005272274A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd タングステン酸亜鉛単結晶及びその製造方法
JP2005343753A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd タングステン酸亜鉛単結晶及びその製造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CZ302527B6 (cs) * 2003-08-28 2011-06-29 Fyzikální Ústav Av Cr Scintilátor na bázi wolframanu olovnatého s posunutou stechiometrií
US7279120B2 (en) * 2003-09-04 2007-10-09 Intematix Corporation Doped cadmium tungstate scintillator with improved radiation hardness
FR2874021B1 (fr) 2004-08-09 2006-09-29 Saint Gobain Cristaux Detecteu Materiau scintillateur dense et rapide a faible luminescence retardee
WO2012066425A2 (en) 2010-11-16 2012-05-24 Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs Scintillation compound including a rare earth element and a process of forming the same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1126615A (en) * 1965-09-23 1968-09-11 Mullard Ltd Improvements in and relating to crystal growing
JPS597679B2 (ja) * 1979-03-28 1984-02-20 株式会社日立製作所 シンチレ−タ用結晶及びその製造方法
JPS60236632A (ja) 1984-05-10 1985-11-25 株式会社東芝 第４世代ｃｔ装置
JPS61110079A (ja) 1984-11-02 1986-05-28 Toshiba Corp 放射線検出器
CA2042147A1 (en) * 1990-06-29 1991-12-30 Veneta G. Tsoukala Hole-trap-compensated scintillator material

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005263621A (ja) * 2004-02-17 2005-09-29 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd タングステン酸亜鉛単結晶及びその製造方法
JP2005263515A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd タングステン酸亜鉛単結晶及びその製造方法
JP2005272274A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd タングステン酸亜鉛単結晶及びその製造方法
JP2005343753A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd タングステン酸亜鉛単結晶及びその製造方法

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EP0795631A1 (en) 1997-09-17
CA2198064A1 (en) 1997-08-24

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