JPH09324263A - スパッタリング用ターゲット - Google Patents
スパッタリング用ターゲットInfo
- Publication number
- JPH09324263A JPH09324263A JP14412396A JP14412396A JPH09324263A JP H09324263 A JPH09324263 A JP H09324263A JP 14412396 A JP14412396 A JP 14412396A JP 14412396 A JP14412396 A JP 14412396A JP H09324263 A JPH09324263 A JP H09324263A
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- alloy
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安定したＩＴＯ成膜プロセスが実現でき、し
かも得られたＩＴＯ膜の耐久性が優れたスパッタリング
用ターゲットを提供する。 【解決手段】 インジウム、錫からなる合金金属ターゲ
ットにおいて、その表面にＩＴＯを積層して合金と酸化
物の２層構造としたスパッタリング用ターゲットであ
る。
かも得られたＩＴＯ膜の耐久性が優れたスパッタリング
用ターゲットを提供する。 【解決手段】 インジウム、錫からなる合金金属ターゲ
ットにおいて、その表面にＩＴＯを積層して合金と酸化
物の２層構造としたスパッタリング用ターゲットであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、優れた耐久性を有
するＩＴＯ膜を安定して成膜することが可能なスパッタ
リングターゲットに関するものである。
するＩＴＯ膜を安定して成膜することが可能なスパッタ
リングターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来技術】近年液晶表示パネルのカラー化素子の微細
化に伴い、ＩＴＯ膜の低抵抗化、低温成膜化、膜質の均
一化が求められている。
化に伴い、ＩＴＯ膜の低抵抗化、低温成膜化、膜質の均
一化が求められている。
【０００３】これらの要求に答えるべく、インジュウ
ム、錫の合金でできたターゲットにかわるＩＴＯ焼結ス
パッタリングターゲットの開発が行われてきた。その結
果、ガラス基板上へのある程度加熱成膜可能なＩＴＯ膜
については生産性、品質ともにインジュウム、錫の合金
ターゲットを凌ぐＩＴＯ焼結体ターゲットができ、今や
その殆どが焼結体ターゲットに置き換えられている。し
かし、高分子フィルムを基板として用いた時のＩＴＯ膜
は、極めて低温で成膜しないといけない点、成膜中に高
分子フィルムからガスがでる点、基板可とう性があるた
め曲げ強度が問題になる点などから焼結体ターゲットで
は合金ターゲットでは得られる十分な耐久性が得られて
いない。
ム、錫の合金でできたターゲットにかわるＩＴＯ焼結ス
パッタリングターゲットの開発が行われてきた。その結
果、ガラス基板上へのある程度加熱成膜可能なＩＴＯ膜
については生産性、品質ともにインジュウム、錫の合金
ターゲットを凌ぐＩＴＯ焼結体ターゲットができ、今や
その殆どが焼結体ターゲットに置き換えられている。し
かし、高分子フィルムを基板として用いた時のＩＴＯ膜
は、極めて低温で成膜しないといけない点、成膜中に高
分子フィルムからガスがでる点、基板可とう性があるた
め曲げ強度が問題になる点などから焼結体ターゲットで
は合金ターゲットでは得られる十分な耐久性が得られて
いない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のインジュウム、
錫の合金でできたターゲットでえられる十分な耐久性を
持ったＩＴＯ膜をＩＴＯ焼結体ターゲットで、実現可能
な安定したＩＴＯ成膜条件で高分子フィルム上に成膜可
能にする。
錫の合金でできたターゲットでえられる十分な耐久性を
持ったＩＴＯ膜をＩＴＯ焼結体ターゲットで、実現可能
な安定したＩＴＯ成膜条件で高分子フィルム上に成膜可
能にする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】インジウム、錫からなる
合金金属ターゲットにおいて、その表面にＩＴＯを積層
して２層構造とするスパッタリング用ターゲットであ
り、該ＩＴＯがインジュウム、錫の合金金属ターゲット
と同じ比の金属組成の酸化物でかつ厚み０．１〜２ｍｍ
のＩＴＯ焼結体をボンディングしてなり、または該ＩＴ
Ｏがインジュウム、錫の合金金属ターゲットと同じ比の
金属組成の酸化物で０．１〜１００μｍ厚さのＩＴＯを
蒸着してなり、該ＩＴＯの積層箇所がスパッタ成膜時の
エロージョンエリア以外であるスパッタリング用ターゲ
ットである。
合金金属ターゲットにおいて、その表面にＩＴＯを積層
して２層構造とするスパッタリング用ターゲットであ
り、該ＩＴＯがインジュウム、錫の合金金属ターゲット
と同じ比の金属組成の酸化物でかつ厚み０．１〜２ｍｍ
のＩＴＯ焼結体をボンディングしてなり、または該ＩＴ
Ｏがインジュウム、錫の合金金属ターゲットと同じ比の
金属組成の酸化物で０．１〜１００μｍ厚さのＩＴＯを
蒸着してなり、該ＩＴＯの積層箇所がスパッタ成膜時の
エロージョンエリア以外であるスパッタリング用ターゲ
ットである。
【０００６】
【発明の実施の形態】我々は、まず合金ターゲットでい
かに生産性良く均一な膜質のＩＴＯ膜が得られるか検討
した。その結果、合金ターゲットを、使い込みターゲッ
ト上の特に水平磁場強度が強く局部的に合金の蒸発量の
多いエロージョンエリアと呼ばれる部分以外をＩＴＯで
覆われた状態にすると、ＩＴＯターゲットと同様の安定
したＩＴＯ成膜プロセスが得られることを見いだした。
次に、ターゲット表面を適度に酸化させる方法が無いか
検討したが、インジウムの融点が１５０℃と極めて低い
ため酸化させるのに十分な加熱が行えないことが分かっ
た。そこで、ターゲットをまず合金とＩＴＯの全面２層
構造とし、使用開始前にエロージョンエリア表面のＩＴ
Ｏを研磨除去した後生産に用いると、従来のインジュウ
ム、錫の合金でできたターゲットでえられる十分な耐久
性を持ったＩＴＯ膜をＩＴＯ焼結体ターゲットで、実現
可能な安定したＩＴＯ成膜条件で高分子フィルム上に成
膜できることを発見するに至った。
かに生産性良く均一な膜質のＩＴＯ膜が得られるか検討
した。その結果、合金ターゲットを、使い込みターゲッ
ト上の特に水平磁場強度が強く局部的に合金の蒸発量の
多いエロージョンエリアと呼ばれる部分以外をＩＴＯで
覆われた状態にすると、ＩＴＯターゲットと同様の安定
したＩＴＯ成膜プロセスが得られることを見いだした。
次に、ターゲット表面を適度に酸化させる方法が無いか
検討したが、インジウムの融点が１５０℃と極めて低い
ため酸化させるのに十分な加熱が行えないことが分かっ
た。そこで、ターゲットをまず合金とＩＴＯの全面２層
構造とし、使用開始前にエロージョンエリア表面のＩＴ
Ｏを研磨除去した後生産に用いると、従来のインジュウ
ム、錫の合金でできたターゲットでえられる十分な耐久
性を持ったＩＴＯ膜をＩＴＯ焼結体ターゲットで、実現
可能な安定したＩＴＯ成膜条件で高分子フィルム上に成
膜できることを発見するに至った。
【０００７】本発明で用いるスパッタリングターゲット
としてインジューム９０重量％、錫１０重量％の合金表
面に厚み０．１ｍｍ〜２ｍｍのＩＴＯ焼結板を該合金と
同成分のボンディング材で接合したものが上げられる。
２ｍｍ以上だと使用前のエロージョン部削り出しに多大
な工数がかかり好ましくない。それ以外の厚みに関する
制限は製作に関わるものであり、効果のうえではなんら
問題ない。
としてインジューム９０重量％、錫１０重量％の合金表
面に厚み０．１ｍｍ〜２ｍｍのＩＴＯ焼結板を該合金と
同成分のボンディング材で接合したものが上げられる。
２ｍｍ以上だと使用前のエロージョン部削り出しに多大
な工数がかかり好ましくない。それ以外の厚みに関する
制限は製作に関わるものであり、効果のうえではなんら
問題ない。
【０００８】本発明のスパッタリングターゲットを蒸着
にて形成する時は、ＩＴＯの厚みは０．１〜１００μｍ
が良い。厚みが０．１μｍ以下だと放電プラズマによる
スパッタ現象によりＩＴＯが除去されてしまい十分な効
果が得られず、厚みが１００μｍ以上でも効果は１００
μｍと差がなく蒸着時のターゲットの熱蓄積が起こりそ
の表面の結晶性が変化することから好ましくない。蒸着
の場合はボンディングと比較して厚みが少なくてよく、
これは機械的な接合を必要としないためターゲット表面
に接合するために必要な機械的強度がＩＴＯに求められ
ないためである。
にて形成する時は、ＩＴＯの厚みは０．１〜１００μｍ
が良い。厚みが０．１μｍ以下だと放電プラズマによる
スパッタ現象によりＩＴＯが除去されてしまい十分な効
果が得られず、厚みが１００μｍ以上でも効果は１００
μｍと差がなく蒸着時のターゲットの熱蓄積が起こりそ
の表面の結晶性が変化することから好ましくない。蒸着
の場合はボンディングと比較して厚みが少なくてよく、
これは機械的な接合を必要としないためターゲット表面
に接合するために必要な機械的強度がＩＴＯに求められ
ないためである。
【０００９】ＩＴＯを成膜する高分子基板としては、ポ
リエステルフィルム、ポリアリレートフィルム、ポリエ
ーテルスルフォンフィルム等が上げられる。ＩＴＯと高
分子フィルム双方に優れた密着力を示すための脱ガス処
理、コロナ放電処理、火炎処理等の表面処理やアクリル
系、エポキシ系の公知のアンカーコートが施されていて
もなんら問題ない。
リエステルフィルム、ポリアリレートフィルム、ポリエ
ーテルスルフォンフィルム等が上げられる。ＩＴＯと高
分子フィルム双方に優れた密着力を示すための脱ガス処
理、コロナ放電処理、火炎処理等の表面処理やアクリル
系、エポキシ系の公知のアンカーコートが施されていて
もなんら問題ない。
【００１０】
〈実施例１〉高分子フィルムに厚さ１００μｍのポリエ
ーテルスルフォンフィルムを用い、高分子フィルム上に
アンカー層として分子量約１０４０、融点５５℃のエポ
キシアクリレートプレポリマー（昭和高分子株式会社製
ＶＲ−９０）１００重量部、ジエチレングリコール２０
０重量部、酢酸エチル１００重量部、ベンゼンエチルエ
ーテル２重量部、シランカップリング剤（信越化学株式
会社製ＫＭＢ−５０３）１重量部を５０℃にて攪拌して
均一な溶液をつくり、高分子フィルム上に該溶液をディ
ッピング法により両面に塗布し８０℃１０分間加熱した
後に紫外線を照射して該コーティングを形成した。
ーテルスルフォンフィルムを用い、高分子フィルム上に
アンカー層として分子量約１０４０、融点５５℃のエポ
キシアクリレートプレポリマー（昭和高分子株式会社製
ＶＲ−９０）１００重量部、ジエチレングリコール２０
０重量部、酢酸エチル１００重量部、ベンゼンエチルエ
ーテル２重量部、シランカップリング剤（信越化学株式
会社製ＫＭＢ−５０３）１重量部を５０℃にて攪拌して
均一な溶液をつくり、高分子フィルム上に該溶液をディ
ッピング法により両面に塗布し８０℃１０分間加熱した
後に紫外線を照射して該コーティングを形成した。
【００１１】その後、その片側表面にインジュウム、錫
が９：１の合金ターゲットの表面に真空蒸着法で、イン
ジュウ、錫の割合が同じく９：１のＩＴＯを１０μｍ成
膜したものを用い、ターゲットのエロージョンエリアを
削りだした後に、ロール・ツウ・ロール方式のリアクテ
ィブマグネトロンスパッタＩＴＯ成膜装置を用い表１の
条件でＩＴＯ膜を厚さ０．０３μｍ形成した。このよう
にして作った透明導電性フィルムは８０℃、９０％Ｒ
Ｈ、３００時間湿熱処理する前後でのシート抵抗値の上
昇率が８％（規格：２０％以下）と安定しており、ＭＤ
方向１００ｍでのシート抵抗値も２９０〜３１４Ω／□
（規格：３００±４０Ω／□）と非常に均一な膜質のも
のが得られた。
が９：１の合金ターゲットの表面に真空蒸着法で、イン
ジュウ、錫の割合が同じく９：１のＩＴＯを１０μｍ成
膜したものを用い、ターゲットのエロージョンエリアを
削りだした後に、ロール・ツウ・ロール方式のリアクテ
ィブマグネトロンスパッタＩＴＯ成膜装置を用い表１の
条件でＩＴＯ膜を厚さ０．０３μｍ形成した。このよう
にして作った透明導電性フィルムは８０℃、９０％Ｒ
Ｈ、３００時間湿熱処理する前後でのシート抵抗値の上
昇率が８％（規格：２０％以下）と安定しており、ＭＤ
方向１００ｍでのシート抵抗値も２９０〜３１４Ω／□
（規格：３００±４０Ω／□）と非常に均一な膜質のも
のが得られた。
【００１２】〈実施例２〉ターゲットをインジュウムと
錫の比率が９：１の合金表面に同比率の金属組成のＩＴ
Ｏの１．０ｍｍ厚の平板を該合金をボンディング材とし
て接合した以外は実施例１となんらかわらない条件でＩ
ＴＯ膜を厚さ０．０３μｍ形成した。実施例１と同様の
湿熱処理前後でのシート抵抗値の上昇率が６％（規格：
２０％以下）と安定しており、ＭＤ方向１００ｍでのシ
ート抵抗値も２８４〜３１０Ω／□（規格：３００±４
０Ω／□）と非常に均一な膜質のものが得られた。
錫の比率が９：１の合金表面に同比率の金属組成のＩＴ
Ｏの１．０ｍｍ厚の平板を該合金をボンディング材とし
て接合した以外は実施例１となんらかわらない条件でＩ
ＴＯ膜を厚さ０．０３μｍ形成した。実施例１と同様の
湿熱処理前後でのシート抵抗値の上昇率が６％（規格：
２０％以下）と安定しており、ＭＤ方向１００ｍでのシ
ート抵抗値も２８４〜３１０Ω／□（規格：３００±４
０Ω／□）と非常に均一な膜質のものが得られた。
【００１３】〈比較例１〉ターゲットを密度９５％以
上、錫１０％のＩＴＯ焼結体にかえた以外は、なんら実
施例１と変えずにつくった透明導電性フィルムは、その
ＩＴＯ膜の均一性は実施例同様に良好であったが、８０
℃、９０％ＲＨ、３００時間湿熱処理したときの抵抗値
の上昇が１．４倍以上と実用上問題のあるレベルであっ
た。
上、錫１０％のＩＴＯ焼結体にかえた以外は、なんら実
施例１と変えずにつくった透明導電性フィルムは、その
ＩＴＯ膜の均一性は実施例同様に良好であったが、８０
℃、９０％ＲＨ、３００時間湿熱処理したときの抵抗値
の上昇が１．４倍以上と実用上問題のあるレベルであっ
た。
【００１４】〈比較例２〉ターゲットをインジュウム、
錫の合金にかえた以外は、なんら実施例１と変えずにつ
くった透明導電性フィルムは８０℃、９０％、３００時
間熱処理した時の抵抗値の上昇率は、８％と実施例同様
に良好であったが、シート抵抗値が１２０〜６００Ω／
□とバラツキが大きく実用上問題となるレベルとなって
しまった。シート抵抗値を実施例と同程度まで均一にす
るためには投入電力を１Ｗ／ｃｍ2にまで下げなければ
ならず、その結果生産速度は１／３となってしまった。
錫の合金にかえた以外は、なんら実施例１と変えずにつ
くった透明導電性フィルムは８０℃、９０％、３００時
間熱処理した時の抵抗値の上昇率は、８％と実施例同様
に良好であったが、シート抵抗値が１２０〜６００Ω／
□とバラツキが大きく実用上問題となるレベルとなって
しまった。シート抵抗値を実施例と同程度まで均一にす
るためには投入電力を１Ｗ／ｃｍ2にまで下げなければ
ならず、その結果生産速度は１／３となってしまった。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【発明の効果】本発明により提供されるターゲットを用
いてつくった透明導電性フィルムは、そのＩＴＯ膜質が
均一で、しかも耐久力に優れている。その上、ＩＴＯ焼
結体ターゲットを用いた時と同様の生産性が実現でき
る。
いてつくった透明導電性フィルムは、そのＩＴＯ膜質が
均一で、しかも耐久力に優れている。その上、ＩＴＯ焼
結体ターゲットを用いた時と同様の生産性が実現でき
る。
Claims (4)
- 【請求項１】 インジュウム、錫からなる合金金属ター
ゲットにおいて、その表面にＩＴＯを積層して２層構造
とすることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。 - 【請求項２】 該ＩＴＯがインジュウム、錫の合金金属
ターゲットと同じ比の金属組成の酸化物でかつ厚み０．
１〜２ｍｍのＩＴＯ焼結体をボンディングしてなること
を特徴とする請求項１記載のスパッタリング用ターゲッ
ト。 - 【請求項３】 該ＩＴＯがインジュウム、錫の合金金属
ターゲットと同じ比の金属組成の酸化物で、０．１〜１
００μｍ厚さのＩＴＯを蒸着してなることを特徴とする
請求項１記載のスパッタリング用ターゲット。 - 【請求項４】 該ＩＴＯの積層箇所がスパッタ成膜時の
エロージョンエリア以外であることを特徴とする請求項
１、２、または３記載のスパッタリング用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14412396A JPH09324263A (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | スパッタリング用ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14412396A JPH09324263A (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | スパッタリング用ターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09324263A true JPH09324263A (ja) | 1997-12-16 |
Family
ID=15354738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14412396A Pending JPH09324263A (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | スパッタリング用ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09324263A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100495886B1 (ko) * | 2001-09-18 | 2005-06-16 | 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 | Ｉｔｏ 스퍼터링 타겟 |
-
1996
- 1996-06-06 JP JP14412396A patent/JPH09324263A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100495886B1 (ko) * | 2001-09-18 | 2005-06-16 | 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 | Ｉｔｏ 스퍼터링 타겟 |
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