JPH09324178A - 液晶組成物及びそれを含む液晶表示素子 - Google Patents

液晶組成物及びそれを含む液晶表示素子

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JPH09324178A
JPH09324178A JP9075124A JP7512497A JPH09324178A JP H09324178 A JPH09324178 A JP H09324178A JP 9075124 A JP9075124 A JP 9075124A JP 7512497 A JP7512497 A JP 7512497A JP H09324178 A JPH09324178 A JP H09324178A
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JP9075124A
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Takaaki Shimizu
孝明 清水
Tsutomu Ogiwara
勤 荻原
Tatsushi Kaneko
達志 金子
Toshiaki Takahashi
俊明 高橋
Mutsuo Nakajima
睦雄 中島
Takeshi Kanou
剛 金生
Ryuichi Saito
隆一 斎藤
Hideshi Kurihara
英志 栗原
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Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/40—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit containing elements other than carbon, hydrogen, halogen, oxygen, nitrogen or sulfur, e.g. silicon, metals
    • C09K19/406—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit containing elements other than carbon, hydrogen, halogen, oxygen, nitrogen or sulfur, e.g. silicon, metals containing silicon

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のシラシクロヘキサン化合物含有液晶組
成物の低いΔｎ（屈折率異方性）を改良し、かつ粘度を
低く保ち応答速度の低下のない液晶組成物を提供する。 【解決手段】 シラシクロヘキサン環を有する化合物と
トラン構造とを有する化合物とを組み合わせて、または
シラシクロヘキサン環とトラン構造とを併せ持つ化合物
を用いて、Δｎが０．１３〜０．２０と高く、粘度が３
０ｃｐ以下と低く、低閾値電圧でかつ電圧保持率の高い
液晶組成物を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、トラン骨格を有す
る化合物およびシラシクロヘキサン環を有する化合物を
含む液晶組成物、およびそれを含有する液晶表示素子に
関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は、液晶物質が持つ光学異
方性および誘電異方性を利用したものであり、その表示
様式によってＴＮ型（ねじれネマチック型）、ＳＴＮ型
（超ねじれネマチック型）、ＳＢＥ型（超複屈折型）、
ＤＳ型（動的散乱型）、ゲスト・ホスト型、ＤＡＰ型
（整列相の変形型）およびＯＭＩ型（光学的モード干渉
型）など各種の方式がある。最も一般的なディスプレー
デバイスはシャットーヘルフリッヒ効果に基づき、ねじ
れネマチック構造を有するものである。
【０００３】これらの液晶表示に用いられる液晶物質に
要求される性質は、その表示方式によって若干異なる
が、液晶温度範囲が広いこと、水分、空気、光、熱、電
界等に対して安定であること等は、いずれの表示方式に
おいても共通して要求される。さらに、液晶材料は低粘
度であり、かつセル中において短いアドレス時間、低い
閾値電圧および高いコントラストを与えることが望まれ
る。現在、単一の化合物でこれらの要求をすべて満たす
物質はなく、実際には数種〜十数種の液晶化合物・潜在
液晶化合物を混合して得られる液晶性混合物が使用され
ている。それ故、構成成分が互いに容易に混和できるこ
とが重要ともなる。
【０００４】表示方式に関しては、各種方式のうち、そ
の画像表示品位（高精細性、高コントラスト、高速応答
性）の高さからＴＦＴ(Thin Film Transistor)素子アレ
イまたはＴＦＤ(Thin Film Diode) 素子アレイによるア
クティブマトリクス（ＡＭ）駆動のＴＮ(Twisted Nemat
ic) モードが盛んに採用されつつある。他方、単純マト
リクス駆動によるＳＴＮモードにおいても、複数ライン
同時選択法(MLS:Multi-Line Selection)等の新規駆動法
が開発されたことで、表示品位の改良が進み独自の応用
分野を拓きつつある。
【０００５】表示品位に直接影響するセル設計上の因子
の一つにリターデーション（Ｒ＝ｄ×Δｎ、ｄ：セルギ
ャップ厚み、Δｎ：液晶材料の屈折率異方性）がある。
ＴＮモードでは、視角特性を優先させる場合には、Ｒ＝
０．４〜０．５の透過率 first minimumが選択され、コ
ントラストを優先させる場合には、Ｒ＝０．８〜１．０
の透過率 second minimum が選択される。一方、ＳＴＮ
モードでは、Ｒ＝０．８〜０．９が選択される。従っ
て、液晶材料のΔｎに関しては、透過率 first minimum
の場合には０．０８〜０．０９が求められ、透過率 sec
ond minimum およびＳＴＮモードの場合には０．１１〜
０．２０が求められる。
【０００６】透過率 first minimumが主流となっている
ＡＭ駆動ＴＮモード液晶パネルは近年益々需要を拡大し
つつあり、ドライバーＩＣの低電圧化と相俟って液晶材
料にも低電圧駆動の要求が強い。従来の低電圧駆動用液
晶材料では、粘度が増大し応答速度が低下する欠点があ
った。
【０００７】また、ＡＭ駆動では、駆動方式特有の理由
から信号電圧保持特性なるものが液晶材料に求められ
る。この信号電圧保持特性とは、所定フレーム周期内
に、液晶を含む画素に印加された信号電圧の低下の度合
を表わす。従って信号電圧の低下が無い場合、すなわ
ち、電圧保持率が１００％の場合には液晶分子の配向が
解けず従ってコントラストの低下は生じない。また、こ
の電圧保持特性は、液晶パネルが使用される環境にも影
響され、プロジェクション用液晶パネルのように高強度
の光に曝される環境、あるいは車載用液晶パネルのよう
に高温に曝される環境では特性寿命が短くなり易い。液
晶材料の低電圧化を図るには、液晶材料の誘電率異方性
（Δε）を増大することで可能となるが、逆にΔεの大
きい液晶材料は、高い電圧保持率が得られないという欠
点があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】これまで出願したシラ
シクロヘキサン化合物含有液晶組成物はΔｎが０．１１
以下と低かった。混合組成を改良することでΔｎ＝０．
１３位までは可能となるが、反面、粘度が３０ｃＰ以上
に上昇し応答速度が低下する。また、更に高いΔｎ（〜
０．２５）を持つ液晶組成物は製造不可能であった。
【０００９】
【発明を解決するための手段】本発明によれば、必須成
分として、シラシクロヘキサン環を有する化合物とトラ
ン骨格
【化１０】 を有する化合物とを組合せて、またはシラシクロヘキサ
ン環とトラン骨格を併せ持つ化合物を用いて、Δｎが
０．１３〜０．２５と高く、粘度が３０ｃＰ以下と低
く、低閾値電圧でかつ電圧保持率の高い液晶組成物を得
ることが可能となった。
【００１０】本発明は、一般式（I)
【化１１】 〔上式中、Ｒは、炭素数１〜７を有するアルキル基、炭
素数２〜７のアルコキシアルキル基、炭素数２〜７のモ
ノまたはジフルオロアルキル基、炭素数２〜７のアルケ
ニル基を表す。ａおよびｂは、０または１を表す。
【化１２】 は、トランス−１−シラ−１，４−シクロヘキシレン
基、トランス−４−シラ−１，４−シクロヘキシレン
基、またはトランス−１，４−シクロヘキシレン基のい
ずれかを表す。Ｘは、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＯＣＨＦ2 、ＯＣ
Ｆ3 、ＣＦ3 、（Ｏ）s Ｃp Ｈq Ｆr（ｓは、０または
１、ｐは、２、３、または４、ｑ＋ｒ＝２ｐ＋１を表
す。）、（Ｏ）s ＣＹ＝ＣＸ1 Ｘ2 （Ｘ1 およびＹは、
Ｈ、Ｆ、またはＣｌを表し、Ｘ2は、ＦまたはＣｌを表
す。）、炭素数５以下のアルキル基、または炭素数５以
下のアルコキシ基を表す。Ｙ1 およびＹ2 は、Ｈまたは
Ｆを表し、Ｌ1 は、Ｆであり、ｎは、０、１、または２
である。〕で表される化合物の一種または二種以上を含
有する液晶組成物であって、かつ該液晶組成物のうち少
なくとも一種の化合物は、トランス−１−シラ−１，４
−シクロヘキシレン基またはトランス−４−シラ−１，
４−シクロヘキシレン基を有する化合物である液晶組成
物を提供する。
【００１１】また、本発明は、一般式（I)で表される化
合物の一種または二種以上と、シラシクロヘキサン環を
有する化合物の一種または二種以上とを含有する液晶組
成物を提供する。
【００１２】本発明は、下記一般式（Ia）、（Id）、ま
たは（Ig）で表される化合物の一種または二種以上と、
下記一般式（Ib）、（Ic）、（Ie）、または（If）
【化１３】 （上式中、Ｒ、Ｘ、Ｙ1 、Ｙ2 、Ｌ1 、ｎの定義は、一
般式（I)と同様である。）で表される化合物の一種また
は二種以上とを含有する液晶組成物を提供する。
【００１３】本発明は、一般式（I)で表される化合物の
一種または二種以上と、下記一般式（II）
【化１４】 〔上式中、Ｒは、炭素数１〜７を有するアルキル基、炭
素数２〜７のアルコキシアルキル基、炭素数２〜７のモ
ノまたはジフルオロアルキル基、炭素数２〜７のアルケ
ニル基を表す。ｂは、０または１を表す。
【化１５】 は、トランス−１−シラ−１，４−シクロヘキシレン
基、トランス−４−シラ−１，４−シクロヘキシレン
基、またはトランス−１，４−シクロヘキシレン基のい
ずれかを表す。Ｘは、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＯＣＨＦ2 、ＯＣ
Ｆ3 、ＣＦ3 、（Ｏ）s Ｃp Ｈq Ｆr（ｓは、０または
１、ｐは、２、３、または４、ｑ＋ｒ＝２ｐ＋１を表
す。）、（Ｏ）s ＣＹ＝ＣＸ1 Ｘ2 （Ｘ1 およびＹは、
Ｈ、Ｆ、またはＣｌを表し、Ｘ2は、ＦまたはＣｌを表
す。）、炭素数５以下のアルキル基、または炭素数５以
下のアルコキシ基を表す。Ｙ1 およびＹ2 は、Ｈまたは
Ｆを表し、Ｌ1 は、Ｆであり、ｎは、０、１、または２
である。〕で表される化合物の一種または二種以上とを
含有する液晶組成物であって、該液晶組成物の少なくと
も一種の化合物は、トランス−１−シラ−１，４−シク
ロヘキシレン基またはトランス−４−シラ−１，４−シ
クロヘキシレン基を有する化合物である液晶組成物を提
供する。
【００１４】本発明は、一般式（I)で表される化合物の
一種または二種以上と、下記一般式（III)、（IV）、ま
たは（V)
【化１６】 〔上式中、Ｒは、炭素数１〜７を有するアルキル基、炭
素数２〜７のアルコキシアルキル基、炭素数２〜７のモ
ノまたはジフルオロアルキル基、炭素数の２〜７のアル
ケニル基を表す。ａは、０または１を表す。
【化１７】 は、トランス−１−シラ−１，４−シクロヘキシレン
基、トランス−４−シラ−１，４−シクロヘキシレン
基、またはトランス−１，４−シクロヘキシレン基のい
ずれかを表す。Ｘは、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＯＣＨＦ2 、ＯＣ
Ｆ3 、ＣＦ3 、（Ｏ）s Ｃp Ｈq Ｆr（ｓは、０または
１、ｐは、２、３、または４、ｑ＋ｒ＝２ｐ＋１を表
す。）、（Ｏ）s ＣＹ＝ＣＸ1 Ｘ2 （Ｘ1 およびＹは、
Ｈ、Ｆ、またはＣｌを表し、Ｘ2は、ＦまたはＣｌを表
す。）、炭素数５以下のアルキル基、または炭素数５以
下のアルコキシ基を表す。Ｙ1 およびＹ2 は、Ｈまたは
Ｆを表す。〕で表される化合物の一種または二種以上と
を含有する液晶組成物であって、該液晶組成物の少なく
とも一種の化合物は、トランス−１−シラ−１，４−シ
クロヘキシレン基またはトランス−４−シラ−１，４−
シクロヘキシレン基を有する化合物である液晶組成物を
提供する。
【００１５】本発明は、一般式（I)で表される化合物の
一種または二種以上と、一般式（II）で表される化合物
の一種または二種以上と、一般式（III)、（IV）、また
は（V)で表される化合物の一種または二種以上とを含有
する液晶組成物であって、該液晶組成物の少なくとも一
種の化合物は、トランス−１−シラ−１，４−シクロヘ
キシレン基またはトランス−４−シラ−１，４−シクロ
ヘキシレン基を有する化合物である液晶組成物を提供す
る。
【００１６】本発明は、一般式（I)で表される化合物の
一種または二種以上と、下記一般式（VI）、（VII)、ま
たは（VIII）
【化１８】 〔上式中、ＲおよびＲ′は、炭素数１〜７を有するアル
キル基、炭素数２〜７のアルコキシアルキル基、炭素数
２〜７のモノまたはジフルオロアルキル基、炭素数の２
〜７のアルケニル基を表す。ｂは、０または１を表す。
【化１９】 は、トランス−１−シラ−１，４−シクロヘキシレン
基、トランス−４−シラ−１，４−シクロヘキシレン
基、またはトランス−１，４−シクロヘキシレン基のい
ずれかを表す。Ｘは、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＯＣＨＦ2 、ＯＣ
Ｆ3 、ＣＦ3 、（Ｏ）s Ｃp Ｈq Ｆr（ｓは、０または
１、ｐは、２、３、または４、ｑ＋ｒ＝２ｐ＋１を表
す。）、（Ｏ）s ＣＹ＝ＣＸ1 Ｘ2 （Ｘ1 およびＹは、
Ｈ、Ｆ、またはＣｌを表し、Ｘ2は、ＦまたはＣｌを表
す。）、炭素数５以下のアルキル、または炭素数５以下
のアルコキシ基を表す。Ｙ1 およびＹ2 は、ＨまたはＦ
を表し、Ｌ1 およびＬ2 は、Ｆであり、ｍおよびｎは、
０、１、または２である。〕で表される化合物の一種、
または二種以上とを含有する液晶組成物であって、該液
晶組成物の少なくとも一種の化合物は、トランス−１−
シラ−１，４−シクロヘキシレン基またはトランス−４
−シラ−１，４−シクロヘキシレン基を有する化合物で
ある液晶組成物を提供する。
【００１７】本発明は、一般式（I)で表される化合物の
一種または二種以上と、一般式（II）で表される化合物
の一種または二種以上と、一般式（VI）、（VII)、また
は（VIII）で表される化合物の一種または二種以上とを
含有する含有する液晶組成物であって、該液晶組成物の
少なくとも一種の化合物は、トランス−１−シラ−１，
４−シクロヘキシレン基またはトランス−４−シラ−
１，４−シクロヘキシレン基を有する化合物である液晶
組成物を提供する。
【００１８】本発明は、一般式（I)で表される化合物の
一種または二種以上と、一般式（II）で表される化合物
の一種または二種以上と、一般式（III)、（IV）、また
は（V)で表される化合物の一種または二種以上と、上記
一般式（VI）、（VII)、または（VIII）で表される化合
物の一種または二種以上を含有する液晶組成物であっ
て、該液晶組成物の少なくとも一種の化合物は、トラン
ス−１−シラ−１，４−シクロヘキシレン基またはトラ
ンス−４−シラ−１，４−シクロヘキシレン基を有する
化合物である液晶組成物を提供する。
【００１９】さらに、本発明は、これらの液晶組成物を
含有する液晶表示素子を提供する。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明で用いられる化合物Ｉ〜VI
IIの合成方法については、表１に示すように既に出願さ
れている。
【表１】
【００２１】以下に、本発明の構成成分について具体的
に記す。一般式（Ｉ）の具体的化学構造は、以下であ
る。
【化２０】
【００２２】上式中、Ｒは以下のいずれかの基を表す。 （ａ）炭素数１〜７のアルキル基、即ち、メチル基、エ
チル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル
基、ｎ−ヘキシル基またはｎ−ヘプチル基。 （ｂ）炭素数２〜７のアルコキシアルキル基、即ち、メ
トキシメチル基、２−メトキシエチル基、３−メトキシ
プロピル基、４−メトキシブチル基、５−メトキシペン
チル基、６−メトキシヘキシル基、エトキシメチル基、
２−エトキシエチル基、３−エトキシプロピル基、４−
エトキシブチル基、５−エトキシペンチル基、（ｎ−プ
ロポキシ）メチル基、２−（ｎ−プロポキシ）エチル
基、３−（ｎ−プロポキシ）プロピル基、４−（ｎ−プ
ロポキシ）ブチル基、（ｎ−ブトキシ）メチル基、２−
（ｎ−ブトキシ）エチル基、３−（ｎ−ブトキシ）プロ
ピル基、（ｎ−ペントキシ）メチル基、２−（ｎ−ペン
トキシ）エチル基または（ｎ−ヘキシロキシ）メチル
基。 （ｃ）炭素数２〜７のモノまたはジフルオロアルキル
基、即ち、１−フルオロエチル基、１−フルオロプロピ
ル基、１−フルオロブチル基、１−フルオロペンチル
基、１−フルオロヘキシル基、１−フルオロヘプチル
基、２−フルオロエチル基、２−フルオロプロピル基、
２−フルオロブチル基、２−フルオロペンチル基、２−
フルオロヘキシル基、２−フルオロヘプチル基、３−フ
ルオロプロピル基、３−フルオロブチル基、３−フルオ
ロペンチル基、３−フルオロヘキシル基、３−フルオロ
ヘプチル基、４−フルオロブチル基、４−フルオロペン
チル基、４−フルオロヘキシル基、４−フルオロヘプチ
ル基、５−フルオロペンチル基、５−フルオロヘキシル
基、５−フルオロヘプチル基、６−フルオロヘキシル
基、６−フルオロヘプチル基、７−フルオロヘプチル
基、１，１−ジフルオロエチル基、１，１−ジフルオロ
プロピル基、１，１−ジフルオロブチル基、１，１−ジ
フルオロペンチル基、２，２−ジフルオロエチル基、
２，２−ジフルオロプロピル基、２，２−ジフルオロブ
チル基、２，２−ジフルオロペンチル基、３，３−ジフ
ルオロプロピル基、３，３−ジフルオロブチル基、３，
３−ジフルオロペンチル基、４，４−ジフルオロブチル
基、４，４−ジフルオロペンチル基または５，５−ジフ
ルオロペンチル基。 （ｄ）炭素数２〜７のアルケニル基、即ち、ビニル基、
１Ｅ−プロペニル基、１Ｅ−ブテニル基、１Ｅ−ペンテ
ニル基、１Ｅ−ヘキセニル基、１Ｅ−ヘプテニル基、３
−ブテニル基、３Ｅ−ペンテニル基、３Ｅ−ヘキセニル
基、３Ｅ−ヘプテニル基、４−ペンテニル基、４Ｅ−ヘ
キセニル基、４Ｚ−ヘキセニル基、４Ｅ−ヘプテニル
基、４Ｚ−ヘプテニル基、５−ヘキセニル基、５Ｅ−ヘ
プテニル基、５Ｚ−ヘプテニル基または６−ヘプテニル
基。
【００２３】一般式（I)において、Ｘは、Ｈ、Ｆ、Ｃ
ｌ、ＯＣＨＦ2 、ＯＣＦ3 、ＣＦ3 、（Ｏ）s Ｃp Ｈq
Ｆr （ｓは、０または１、ｐは、２、３、または４、ｑ
＋ｒ＝２ｐ＋１を表す。）、（Ｏ）s ＣＹ＝ＣＸ1 Ｘ2
（Ｘ1,およびＹは、Ｈ、Ｆ、またはＣｌを表し、Ｘ
2 は、ＦまたはＣｌを表す。）、炭素数５以下のアルキ
ル基、または炭素数５以下のアルコキシ基を表す。
（Ｏ）s Ｃp Ｈq Ｆr の具体例は、以下が好ましい。Ｃ
Ｈ2 ＣＨ2 Ｆ、ＣＨ2 ＣＨＦ2 、ＣＨ2 ＣＦ3 、ＣＨ2
ＣＨ2 ＣＦ3 、ＣＦ 2 ＣＨ（Ｆ）ＣＦ3 、ＯＣＨ2 ＣＨ
2 Ｆ、ＯＣＨ2 ＣＨＦ2 、ＯＣＨ2 ＣＦ3 、ＯＣＨ2 Ｃ
Ｈ2 ＣＨＦ2 、ＯＣＨ2 ＣＨ2 ＣＦ3 、ＯＣＨ2 ＣＦ2
ＣＨＦ2 、ＯＣＨ2 ＣＦ2 ＣＦ3 、ＯＣＦ2 ＣＨ（Ｆ）
ＣＦ3 、ＯＣＦ2 ＣＦ3 。（Ｏ）s ＣＹ＝ＣＸ1 ＣＸ2
の具体例は、以下が好ましい。−ＣＨ＝ＣＦ2 、−ＯＣ
Ｈ＝ＣＦ2 、−ＣＦ＝ＣＦＨ、−ＯＣＦ＝ＣＦＨ、−Ｃ
Ｆ＝ＣＦ2 、−ＯＣＦ＝ＣＦ2 、−ＣＦ＝ＣＨＣｌ、−
ＣＦ＝ＣＣｌ2 、−ＣＣｌ＝ＣＨＣｌ、−ＣＨ＝ＣＣｌ
2 。
【００２４】一般式（I)において、Ｙ1 およびＹ2 は、
ＨまたはＦを表し、Ｌ1 は、Ｆであり、ｎは、０、１、
または２である。また、一般式（I)において、シラシク
ロヘキサン環、シクロヘキサン環の立体配置はいずれも
トランス体である。
【００２５】一般式（I)において、部分骨格
【化２１】 の具体例としては、以下が好ましい。
【化２２】
【００２６】一般式（I)において、部分骨格構造（ＰＳ
−１）
【化２３】 の具体例としては、以下が好ましい。
【化２４】 （上式中、ｋは１〜５の任意の整数である。）
【００２７】本発明は、一般式（I)で表される化合物の
一種、または二種以上を含有する液晶組成物であって、
該液晶組成物のうち少なくとも一種の化合物は、トラン
ス−１−シラ−１，４−シクロヘキシレン基またはトラ
ンス−４−シラ−１，４−シクロヘキシレン基を有する
化合物である液晶組成物を提供する。当該シラシクロへ
キサン環含有化合物は、一般式（I)で表される化合物で
あってもよいし、一般式（I)で表される化合物以外であ
ってもよい。本発明は、また、一般式（I)で表される化
合物の一種、または二種以上と、シラシクロヘキサン環
を有する化合物の一種または二種以上とを含有する液晶
組成物を提供する。本発明は、好ましくは、一般式（I)
で表される化合物のうち、（Ia）、（Id）、または（I
g）で表される化合物のようなシラシクロヘキサン環を
有しないトラン化合物の一種または二種以上と、シラシ
クロヘキサン環を有する化合物の一種または二種以上と
を含有する液晶組成物を提供する。本発明は、好ましく
は、一般式（I)で表される化合物のうち、（Ia）、（I
d）、または（Ig）で表される化合物のようなシラシク
ロヘキサン環を有しないトラン化合物の一種または二種
以上と、一般式（I)で表される化合物のうち、（Ib）、
（Ic）、（Ie）、または（If）で表される化合物のよう
なシラシクロヘキサン環を有するトラン化合物の一種ま
たは二種以上とを含有する液晶組成物を提供する。（I
b）、（Ic）、（Ie）、または（If）で表される化合物
のうち、（Ib）または（Ie）で表される化合物が特に好
ましい。
【００２８】一般式（II）の具体的化学構造は、以下で
ある。
【化２５】
【００２９】一般式（II）において、Ｒ、Ｘ、Ｙ1 、Ｙ
2 、Ｌ1 、ｎの定義は、一般式（Ｉ）と同様であり、シ
ラシクロヘキサン環、シクロヘキサン環の立体配置は、
トランス体である。
【００３０】一般式（II）において、部分骨格構造（Ｐ
Ｓ−２）
【化２６】 の具体例としては、以下が好ましい。なお、ｋは１〜５
の任意の整数である。
【化２７】
【化２８】
【００３１】本発明は、一般式（I)で表される化合物の
一種または二種以上と、一般式（II）で表される化合物
の一種または二種以上と、シラシクロヘキサン環とを有
する化合物の一種または二種以上とを含有する液晶組成
物を提供する。本発明は、また、一般式（I)で表される
化合物の一種または二種以上と、一般式（II）で表され
る化合物の一種または二種以上とを含有する液晶組成物
であって、該液晶組成物のうち少なくとも一種の化合物
は、トランス−１−シラ−１，４−シクロヘキシレン基
またはトランス−４−シラ−１，４−シクロヘキシレン
基を有する化合物である液晶組成物を提供する。当該シ
ラシクロヘキサン環含有化合物は、一般式（I)または
（II）で表される化合物であってもよいし、一般式（I)
にも一般式（II）にも属さない化合物であってもよい。
本発明は、好ましくは、一般式（I)で表される化合物の
一種または二種以上と、一般式（II）で表される化合物
のうち、一般式（IIa)、（IIb)、（IId)、または（IIe)
で表される化合物のようなシラシクロヘキサン環を有す
る一種または二種以上とを含有する液晶組成物を提供す
る。本発明は、好ましくは、一般式（I)で表される化合
物のうち、一般式（Ia）、（Id）、または（Ig）で表さ
れる化合物のようなシラシクロヘキサン環を有さないト
ラン化合物の一種または二種以上と、一般式（I)で表さ
れる化合物のうち、一般式（Ib）、（Ic）、（Ie）、ま
たは（If）で表される化合物のようなシラシクロヘキサ
ン環を有するトラン化合物の一種または二種以上とを含
有する液晶組成物であって、さらに、一般式（II）で表
される化合物の一種または二種以上とを含有する液晶組
成物を提供する。一般式（Ib）、（Ic）、（Ie）、また
は（If）で表される化合物のうちでは、（Ib）または
（Ie）を用いることが、特に好ましい。
【００３２】一般式（III)の具体的化学構造は以下であ
る。
【化２９】 一般式（III)において、Ｒ、Ｘ、Ｙ1 、Ｙ2 の定義は、
一般式（Ｉ）と同様であり、シラシクロヘキサン環、シ
クロヘキサン環の立体配置は、トランス体である。部分
骨格構造（ＰＳ−１）は、一般式（I)と同様である。
【００３３】一般式（IV）の具体的化学構造は以下であ
る。
【化３０】 一般式（IV）において、Ｒ、Ｘ、Ｙ1 、Ｙ2 の定義は、
一般式（Ｉ）と同様であり、シラシクロヘキサン環、シ
クロヘキサン環の立体配置は、トランス体である。部分
骨格構造（ＰＳ−１）は、一般式（I)と同様である。
【００３４】一般式（V ）の具体的化学構造は以下であ
る。
【化３１】
【００３５】一般式（V)において、Ｒ、Ｘ、Ｙ1 、Ｙ2
の定義は、一般式（Ｉ）と同様であり、シラシクロヘキ
サン環、シクロヘキサン環の立体配置は、トランス体で
ある。部分骨格構造（ＰＳ−１）は、一般式（I)と同様
である。本発明は、一般式（Ｉ）で表される化合物の一
種または二種以上と、シラシクロヘキサン環を有する化
合物の一種または二種以上とを含有する液晶組成物に、
一般式（III)、（IV）、または（V)で表される化合物の
一種または二種以上を任意に配合する液晶組成物を提供
する。また、本発明は、一般式（Ｉ）で表される化合物
の一種または二種以上と、一般式（II）で表される化合
物の一種または二種以上と、シラシクロヘキサン環を有
する化合物の一種または二種以上とを含有する液晶組成
物に、一般式（III)、（IV）、または（V)で表される化
合物の一種または二種以上を任意に配合する液晶組成物
を提供する。本発明は、一般式（Ｉ）で表される化合物
の一種または二種以上を含有する液晶組成物に、一般式
（III)、（IV）、または（V)で表される化合物の一種ま
たは二種以上を任意に配合する液晶組成物を提供する。
なお、この場合にも、必ず組成物中にトランス−１−シ
ラ−１，４−シクロヘキシレン基またはトランス−４−
シラ−１，４−シクロヘキシレン基を有する化合物を含
まなければならない。当該シラシクロヘキサン環含有化
合物は、一般式（I)、（II）、（III)、（IV）、または
（V)で表される化合物であってもよいし、一般式（I)、
（II）、（III)、（IV）、（V)のいずれにも属さない化
合物であってもよい。また、本発明は、一般式（Ｉ）で
表される化合物の一種または二種以上を含有する液晶組
成物と、一般式（II）で表される化合物の一種または二
種以上を含有する液晶組成物に、一般式（III)、（I
V）、または（V)で表される化合物の一種または二種以
上を任意に配合する液晶組成物を提供する。なお、この
場合にも、必ず組成物中にトランス−１−シラ−１，４
−シクロヘキシレン基またはトランス−４−シラ−１，
４−シクロヘキシレン基を有する化合物を含まなければ
ならない。当該シラシクロヘキサン環含有化合物は、一
般式（I)、（II）、（III)、（IV）、または（V)で表さ
れる化合物であってもよいし、一般式（I)、（II）、
（III)、（IV）、（V)のいずれにも属さない化合物であ
ってもよい。一般式（III)、（IV）、または（V)で表さ
れる化合物のうちでは、（III)で表される化合物を用い
ることが、特に好ましい。
【００３６】一般式（VI）の具体的化学構造は以下であ
る。
【化３２】 一般式（VI）において、Ｒ、Ｌ1 、ｎの定義は、一般式
（I)と同様であり、シラシクロヘキサン環、シクロヘキ
サン環の立体配置は、トランス体である。また、Ｒ′は
Ｒの定義に同じであり、Ｌ2 は、Ｆであり、ｍは、０、
１、または２である。
【００３７】一般式（VI）において、部分骨格構造（Ｐ
Ｓ−３）
【化３３】 の具体例としては、以下が好ましい。
【化３４】
【００３８】一般式（VII)の具体的化学構造は以下であ
る。
【化３５】 一般式（VII)において、Ｒ、Ｘ、Ｙ1 、Ｙ2 、Ｌ1 、ｎ
の定義は、一般式（Ｉ）と同様であり、シラシクロヘキ
サン環、シクロヘキサン環の立体配置は、トランス体で
ある。部分骨格構造（ＰＳ−２）は、一般式（II）と同
様である。
【００３９】一般式（VIII）の具体的化学構造は以下で
ある。
【化３６】 一般式（VIII）において、Ｒ、Ｘ、Ｙ1 、Ｙ2 、Ｌ1 、
ｎの定義は、一般式（Ｉ）と同様であり、シラシクロヘ
キサン環、シクロヘキサン環の立体配置は、トランス体
である。また、Ｌ2 は、Ｆであり、ｍは、０、１、また
は２であり、一般式（VI）と同様である。
【００４０】一般式（VIII）において、部分骨格構造
【化３７】 の具体例は、以下が好ましい。
【化３８】 また、部分骨格構造（ＰＳ−１）は、一般式（I)と同様
である。
【００４１】本発明は、一般式（Ｉ）で表される化合物
の一種または二種以上と、シラシクロヘキサン環を有す
る化合物の一種または二種以上とを含有する液晶組成物
に、一般式（VI）、（VII)、または（VIII）で表される
化合物の一種または二種以上を任意に配合する液晶組成
物を提供する。また、本発明は、一般式（Ｉ）で表され
る化合物の一種または二種以上と、一般式（II）で表さ
れる化合物の一種または二種以上と、シラシクロヘキサ
ン環を有する化合物の一種または二種以上とを含有する
液晶組成物に、一般式（VI）、（VII)、または（VIII）
で表される化合物の一種または二種以上を任意に配合す
る液晶組成物を提供する。本発明は、一般式（Ｉ）で表
される化合物の一種または二種以上を含有する液晶組成
物に、一般式（VI）、（VII)、または（VIII）で表され
る化合物の一種または二種以上を任意に配合する液晶組
成物を提供する。なお、この場合にも、必ず組成物中に
トランス−１−シラ−１，４−シクロヘキシレン基また
はトランス−４−シラ−１，４−シクロヘキシレン基を
有する化合物を含まなければならない。当該シラシクロ
ヘキサン環含有化合物は、一般式（I)、（VI）、（VI
I)、または（VIII）で表される化合物であってもよい
し、一般式（I)、（VI）、（VII)、（VIII）のいずれに
も属さない化合物であってもよい。本発明は、一般式
（Ｉ）で表される化合物の一種または二種以上と、一般
式（II）で表される化合物の一種または二種以上の化合
物とを含有する液晶組成物に、一般式（VI）、（VII)、
または（VIII）で表される化合物の一種または二種以上
を任意に配合する液晶組成物を提供する。なお、この場
合にも、必ず組成物中にトランス−１−シラ−１，４−
シクロヘキシレン基またはトランス−４−シラ−１，４
−シクロヘキシレン基を有する化合物を含まなければな
らない。当該シラシクロヘキサン環含有化合物は、一般
式（I)、（II）、（VI）、（VII)、または（VIII）で表
される化合物であってもよいし、一般式（I)、（II）、
（VI）、（VII)、（VIII）のいずれにも属さない化合物
であってもよい。一般式（VI）、（VII)、または（VII
I）で表される化合物のうちでは、（VI）または（VII)
で表される化合物を用いることが、特に好ましい。一般
式（VI）、（VII)、または（VIII）で表される化合物を
添加する場合には、一般式（II）で表される化合物とと
もに用いることが、特に好ましい。
【００４２】本発明の液晶組成物は、一般式（Ｉ）のト
ラン化合物を必須成分とする組成物であるが、該組成物
中に含まれるシラシクロヘキサン環含有化合物は、特に
は、トランス−１−シラ−１，４−シクロヘキシレン基
またはトランス−４−シラ−１，４−シクロヘキシレン
基含有化合物は、一般式（I)〜（VIII）の化合物の中か
ら選ばれることが特に好ましい。
【００４３】上記のうち、液晶組成物に、広温度範囲に
わたるネマチック液晶相、高速応答速度、低閾値電圧、
高電圧保持率および低温ネマチック安定性を与える上
で、特に以下のものが好ましい。
【００４４】一般式（Ｉ）〜（VIII）で表される化合物
のＲについては、以下のいずれかの基が好ましい。 （ｅ）炭素数２〜７のアルキル基、即ち、エチル基、ｎ
−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘ
キシル基またはｎ−ヘプチル基。 （ｆ）炭素数２〜６のアルコキシアルキル基、即ちメト
キシメチル基、２−メトキシエチル基、３−メトキシプ
ロピル基、５−メトキシペンチル基、エトキシメチル
基、２−エトキシエチル基、（ｎ−プロポキシ）メチル
基または（ｎ−ペントキシ）メチル基。 （ｇ）炭素数２〜７のモノまたはジフルオロアルキル基
のうち、２−フルオロエチル基、２−フルオロプロピル
基、４−フルオロブチル基、４−フルオロペンチル基、
５−フルオロペンチル基、６−フルオロヘキシル基、７
−フルオロヘプチル基、１，１−ジフルオロエチル基、
２，２−ジフルオロエチル基、２，２−ジフルオロプロ
ピル基、２，２−ジフルオロブチル基、４，４−ジフル
オロブチル基または４，４−ジフルオロペンチル基。 （ｈ）炭素数２〜７のアルケニル基のうち、ビニル基、
１Ｅ−プロペニル基、１Ｅ−ブテニル基、１Ｅ−ペンテ
ニル基、１Ｅ−ヘキセニル基、１Ｅ−ヘプテニル基、３
−ブテニル基、３Ｅ−ペンテニル基、３Ｅ−ヘキセニル
基、３Ｅ−ヘプテニル基、４−ペンテニル基、４Ｅ−ヘ
キセニル基、４Ｚ−ヘキセニル基、４Ｅ−ヘプテニル
基、４Ｚ−ヘプテニル基、５−ヘキセニル基または６−
ヘプテニル基。
【００４５】環構造としては、好ましくは、（Ia）、
（Ib）、（Id）、（Ie）、（Ig）、（IIa)、（IIc)、
（IId)、（IIf)、（IIIa）、（IIIc）、（IIId）、（II
If）、（IIIi）、（IVa)、（IVc)、（IVd)、（IVf)、
（IVi)、（Va）、（Vf）、（VIa)、（VId)、（VIe)、
（VIh)、（VIIa）、（VIIc）、（VIIf）、（VIIg）、
（VIIi）、（VIIl）、（VIIIa)、（VIIIc)、（VIIId)、
（VIIIf)である。
【００４６】部分骨格構造（ＰＳ−１）としては、さら
に好ましくは以下である。
【化３９】 （上式中、ｋは１〜５の任意の整数である。）
【００４７】部分骨格構造（ＰＳ−２）としては、さら
に好ましくは以下である。なお、ｋは１〜５の任意の整
数である。
【化４０】
【化４１】
【００４８】部分骨格構造（ＰＳ−３）としては、さら
に好ましくは以下である。
【化４２】
【００４９】部分骨格構造
【化４３】 としては、特に好ましくは以下である。
【化４４】
【００５０】以下に組成物の混合割合について記述す
る。本発明は、一般式（１）で表されるトラン化合物を
組成物中１０〜１００ｍｏｌ％含むことが好ましく、該
トラン化合物の他に、一般式（II）〜（VIII）を任意に
組成中に０〜９０ｍｏｌ％配合することができる。任意
の成分である一般式（II）で表される化合物は、一般式
（I)で表される化合物に対して０〜４００ｍｏｌ％、任
意の成分である一般式（III)、（IV）、または（V)で表
される化合物は、一般式（I)で表される化合物に対して
０〜１５０ｍｏｌ％、任意の成分である一般式（VI）、
（VII)、（VIII）で表される化合物は、一般式（I)で表
される化合物に対して０〜１１０ｍｏｌ％配合すること
が好ましい。本発明は、トラン骨格およびシラシクロヘ
キサン環から構成される組成物であり、該組成物中に
は、シラシシクロヘキサン環含有化合物を組成物中に３
０ｍｏｌ％〜１００ｍｏｌ％配合させることが望まし
い。組成物中のシラシクロヘキサン環含有化合物の割合
が少ない場合は、Δεを過大にせずに駆動電圧を低下さ
せることが困難となり、本発明の目的である低閾値電圧
で、かつ高い電圧保持率を有する液晶組成物が得られな
くなる。さらに、Δｎに関しては、一般式（I)、（I
I）、（VI）、（VII)、（VIII）の混合割合を増加する
ことで増大する。特に一般式（I)の効果が著しい。
【００５１】本発明は、上記組成で効果を有することが
できるが、さらに、具体的に各成分の混合割合を記述す
る。群Ａ〔一般式（Ia）、（IIIa〜c)、（IVa 〜c)で表
される化合物の中から選ばれる一種、または二種以上の
化合物〕が、０〜４０ｍｏｌ％、好ましくは２〜２０ｍ
ｏｌ％、群Ｂ〔一般式（Ib〜g)、（IIa 〜f)、（IIId〜
i)、（IVd 〜i)、（Va〜f)で表される化合物の中から選
ばれる一種、または二種以上の化合物〕が、６０〜１０
０ｍｏｌ％、好ましくは７０〜９６ｍｏｌ％、これら
に、群Ｃ〔一般式（VIa 〜h)、（VIIa〜l)、（VIIIa 〜
f)の中から選ばれる一種、または二種以上の化合物〕が
添加される場合には、好ましくは２〜１５ｍｏｌ％であ
る。
【００５２】群Ａが過剰の場合は、高速応答速度化の点
では有利になるものの、ネマチック相の上限温度が低下
し液晶範囲が狭まる。逆に過少の場合には、応答速度が
低下する。群Ｂが過剰の場合は、低閾値電圧化には有利
になるものの応答速度が低下する。逆に過少の場合は、
低閾値電圧化にとって不利となる。群Ａ，Ｂのみで組成
物を構成することは可能であるが、高温側に更にネマチ
ック相を拡大したい場合には群Ｃが添加される。ただし
過剰の群Ｃは、高速応答速度化、低閾値電圧化、低温に
おけるネマチック相の安定化にとっては不利となる。
【００５３】これら成分を混合するには、所望量の少量
成分を主成分に加熱溶解するか、または、ヘキサン、メ
タノール、クロロホルム等の有機溶剤に溶解した各成分
の溶液を混合した後、有機溶剤を揮散させる。
【００５４】このようにして得られた本発明の液晶組成
物は、ネマチック相下限温度が−２０℃以下で、上限温
度が７０〜１００℃の広温度範囲に亘るネマチック液晶
相を有し、−２０℃での長期保存状態でもスメクチック
相や結晶相を発生しない。また、得られた閾値電圧は、
２．０Ｖ以下、特には、１．０〜１．６Ｖの範囲にあ
る。電圧保持率に関しては、１００℃における測定にお
いても９８％以上の値を示した。
【００５５】液晶表示素子中に用いられる本発明の液晶
組成物には、着色ゲスト−ホスト系を形成するためのア
ゾ系やアントラキノン系などの多色性色素を添加するこ
とができる。具体的には、本発明の組成物に、例えば、
二色性色素を添加した色素含有液晶組成物を、相転移型
ゲスト・ホストモードに用いることができる。
【００５６】本発明において用いることができる二色性
色素としては、アゾ系、アントラキノン系が好ましい
が、さらには、一般式
【化４５】 （上式中、Ｒ1 およびＲ2 は、置換または非置換の炭素
数１〜７のアルキル基、またはジアルキルアミノ基であ
り、置換アルキル基の場合には、複数のフッ素原子で置
換されたもの、または鎖中の隣接しない−ＣＨ2 −が、
Ｏ、Ｓ、ＮＨ、ＳＯ2 、ＯＣＯ、あるいは、
【化４６】 で置換されたものを表す。Ｚ1 〜Ｚ9 は、水素、メチル
基、メトキシ基、ハロゲン基を表す。また、Ｚ1 と
Ｚ2 、Ｚ4 とＺ5 、Ｚ7 とＺ8 は、互いに連結して脂肪
族環、芳香族環、または、含窒素芳香環を形成すること
ができる。Ｖは、フルオロアルキル基を表す。ｈは、
０、１、または２、ｉは、０、１、または２、ｊは、０
または１を表すが、ｉ＝０のときは必ず、ｐ＝０とな
る。）で表されるアゾ色素、あるいは、一般式
【化４７】 （上式中、Ｘ1 〜Ｘ5 は、Ｈ、ＯＨ、ハロゲン、ＣＮ、
非置換または置換基含有アミノ基、非置換または置換基
含有カルボン酸エステル基、非置換または置換基含有フ
ェニルオキシ基、非置換または置換基含有ベンジル基、
非置換または置換基含有フェニルチオ基、非置換または
置換基含有フェニル基、非置換または置換基含有シクロ
ヘキシルオキシカルボニル基、あるいは、非置換または
置換基含有ピリジルもしくはピリミジル基を表す。）で
表されるアントラキノン系色素といった二色性色素を用
いて、液晶組成物に添加するとよい。これらの二色性色
素は、液晶組成物に対し、０．２〜３重量％添加するの
が好ましい。
【００５７】さらに、捩れ方向、強度を与えるためのカ
イラルドーピング剤等、その他の添加剤を含有すること
ができる。この添加物含有液晶組成物は、ＴＦＴまたは
ＴＦＤ等のアクティブ素子或いは単純マトリックス電極
が形成された透明基板の間に封入して、液晶表示素子と
して使用される。この素子は、必要において各種アンダ
ーコート、配向制御用オーバーコート、偏光板、フィル
ター、反射層等を有しても良い。また、多層セルとした
り、他の表示素子と組み合わせたり、半導体基板を用い
たり、あるいは光源を用いたりする種々のものが使用で
きる。
【００５８】
【実施例】本発明の液晶組成物は、所定量秤量した各成
分を合わせた後、アイソトロピック状態になるまで加熱
し溶解することで構成した。なお、実施例に記載の混合
物組成における％はモル％を示す。このようにして得ら
れた本発明の液晶組成物について物性を測定する。実施
例中の記号の定義およびその測定条件は、以下である。 ＴNI：ネマチック−アイソトロピック転移温度（℃） Δｎ：屈折率異方性 Abbeの屈折率計を用い、ホメオトロピック配向したプリ
ズム上にサンプルを載せて測った異常光屈折率ｎe と常
光屈折率ｎo の差を示す。測定温度２５℃、測定波長５
８９．３ｎｍ η：バルク粘度 円錐−平板タイプのＥ型回転粘度計で測定した。測定温
度２５℃ Δε：誘電率異方性 ホモジニアス配向した充填セルの電圧−静電容量を測定
し算出。測定温度２５℃ ＶＨＲ：電圧保持率 セル電極面積：１ｃｍ2 、セルギャップ：５μｍ（ＴＮ
セル） 配向膜＝日本合成ゴム社製ポリイミド：ＡＬ−１０５１ 測定周波数：３０Ｈｚ矩形波、測定温度：１００℃ パルス幅：６０μｓｅｃ（±５Ｖ ＴＴＬ） 以上の条件で測定した時の電極間電圧波形の保持率を示
す。
【００５９】実施例１ 混合物の組成 ４−ｎ−ブチル−４′−ｎ−プロピルトラン ７．９％ ４−ｎ−ペンチル−４′−エチルトラン ７．９％ ４−ｎ−ブチル−４′−エトキシトラン １５．８％ ４−（トランス−４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）−３′−フ ルオロ−４′−ジフルオロメトキシビフェニル ３０．５％ ４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）−３′−フ ルオロ−４′−ジフルオロメトキシビフェニル ３７．９％ 物性 ＴNI＝７４℃、Δｎ＝０．１７１、η＝２３．０ｃＰ、
Δε＝５．３、ＶＨＲ＝９９．４％
【００６０】実施例２ 混合物の組成 ４−ｎ−ペンチル−４′−トリフルオロメトキシトラン １０．０％ ２−フルオロ−４−ｎ−ペンチル−４′−トリフルオロメトキシトラン １０．０％ ４−（トランス−４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）−３′， ５′−ジフルオロ−４′−（２，２−ジフルオロエトキシ）ビフェニル ５６．５％ ４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）−３′， ５′−ジフルオロ−４′−（２，２−ジフルオロエトキシ）ビフェニル ２３．５％ 物性 ＴNI＝７２．６℃、Δｎ＝０．１６０、η＝１９．７ｃ
Ｐ、Δε＝１２．３、ＶＨＲ＝９９．０％
【００６１】実施例３ 混合物の組成 ４−ｎ−ブチル−４′−ｎ−プロピルトラン ４．６％ ４−ｎ−ペンチル−４′−エチルトラン ４．６％ ４−ｎ−ブチル−４′−エトキシトラン ９．３％ ４−（トランス−４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）−３′， ４′，５′−トリフルオロトラン ２２．２％ ４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）−３′， ４′，５′−トリフルオロトラン ２１．０％ ４−（２−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）エチル）−３′ −フルオロ−４′−トリフルオロメトキシトラン ３８．３％ 物性 ＴNI＝９１．１℃、Δｎ＝０．１９９、η＝２１．０ｃ
Ｐ、Δε＝８．７、ＶＨＲ＝９９．０％
【００６２】実施例４ 混合物の組成 ４−ｎ−ブチル−４′−ｎ−プロピルトラン ５．５％ ４−ｎ−ペンチル−４′−エチルトラン ５．５％ ４−ｎ−ブチル−４′−エトキシトラン １１．１％ ４−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）−３′，５′−ジフル オロ−４′−（２，２−ジフルオロビニルオキシ）ビフェニル ６．２％ ４−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）−３′，５′−ジフル オロ−４′−（２，２−ジフルオロビニルオキシ）ビフェニル ６．１％ ４−（トランス−４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）−３′， ４′−ジフルオロトラン ３０．８％ ４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）−３′， ４′−ジフルオロトラン ３４．８％ 物性 ＴNI＝９５．０℃、Δｎ＝０．１９８、η＝２１．１ｃ
Ｐ、Δε＝５．９、ＶＨＲ＝９９．２％
【００６３】実施例５ 混合物の組成 ４−ｎ−ヘキシル−４′−ｎ−ブチルトラン ９．５％ ４−ｎ−ペンチル−４′−ｎ−ペンチルトラン ７．０％ ４−ｎ−ブチル−４′−エキシトラン ５．５％ ４−（トランス−４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）−３′−フ ルオロ−４′−ジフルオロメトキシビフェニル １７．８％ ４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）−３′−フ ルオロ−４′−ジフルオロメトキシビフェニル ２２．２％ ４−（トランス−４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）−２，６− ジフルオロ−４′−トリフルオロメトキシビフェニル １．７％ ４−（トランス−４−ｎ−ブチル−４−シラシクロヘキシル）−２，６−ジ フルオロ−４′−トリフルオロメトキシビフェニル １．７％ ４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）−２，６− ジフルオロ−４′−トリフルオロメトキシビフェニル １．７％ ４−（トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキ シル）シクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン ６．３％ ４−（トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキ シル）シクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン ３．４％ ４−（トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキ シル）シクロヘキシル）−３′，４′，５′−トリフルオロビフェニル １２．８％ ４−（トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキ シル）シクロヘキシル）−３′，４′，５′−トリフルオロビフェニル １０．４％ 物性 ＴNI＝９９．５℃、Δｎ＝０．１５６、η＝２７．３ｃ
Ｐ、Δε＝７．７、ＶＨＲ＝９９．２％
【００６４】実施例６ 混合物の組成 ４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）−１−メト キシベンゼン ７．０％ ４−ｎ−ブチル−4 ′−ｎ−プロピルトラン ３．８％ ４−ｎ−ペンチル−４′−エチルトラン ３．７％ ４−ｎ−ブチル−４′−エトキシトラン ７．５％ ４−（トランス−４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）−２−フル オロ−４′−トリフルオロメトキシビフェニル １２．４％ ４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）−２−フル オロ−４′−トリフルオロメトキシビフェニル ２２．６％ ４−（トランス−４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）−２，３′ ，４′，５′−テトラフルオロビフェニル ４．２％ ４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）−２，３′ ，４′，５′−テトラフルオロビフェニル ３．８％ ４−（トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）−４ −シラシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン １１．４％ ４−（トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）−４ −シラシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ３．６％ ４−（トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキ シル）シクロヘキシル）−３′，４′，５′−トリフルオロビフェニル １１．０％ ４−（トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキ シル）シクロヘキシル）−３′，４′，５′−トリフルオロビフェニル ９．０％ 物性 ＴNI＝８６．５℃、Δｎ＝０．１３８、η＝２４．１ｃ
Ｐ、Δε＝７．５、ＶＨＲ＝９９．０％
【００６５】実施例７ 混合物の組成 ４−ｎ−ヘキシル−４′−ｎ−ブチルトラン ５．４％ ４−ｎ−ブチル−４′−エトキシトラン ４．５％ ４−（トランス−４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）−２−フル オロ−４′−トリフルオロメトキシビフェニル １２．６％ ４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）−２−フル オロ−４′−トリフルオロメトキシビフェニル ２３．０％ ４−（トランス−４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）−２，３′ ，４′，５′−テトラフルオロビフェニル ２．９％ ４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）−２，３′ ，４′，５′−テトラオロビフェニル ２．７％ ４−（トランス−４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）−３′， ４′−ジフルオロトラン １６．７％ ４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）−３′， ４′−ジフルオロトラン １８．９％ ４−（トランス−４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）−３′， ４′，５′−トリフルオロトラン ６．９％ ４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）−３′， ４′，５′−トリフルオロトラン ６．４％ 物性 ＴNI＝７５．５℃、Δｎ＝０．１６６、η＝２２．６ｃ
Ｐ、Δε＝７．５、ＶＨＲ＝９９．０％
【００６６】実施例８ 混合物の組成 ４−ｎ−ペンチル−２−フルオロ−４′−フルオロトラン １０．０％ ４−ｎ−ペンチル−２−フルオロ−４′−トリフルオロメトキシトラン １０．０％ ４−（トランス−４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）−３′， ５′−ジフルオロ−４′−（２，２−ジフルオロエトキシ）ビフェニル ２９．０％ ４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）−３′， ５′−ジフルオロ−４′−（２，２−ジフルオロエトキシ）ビフェニル １２．０％ ４−（トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキ シル）シクロヘキシル）−２−フルオロ−１−トリフルオロメトキシベンゼ ン ９．９％ ４−（トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキ シル）シクロヘキシル）−２−フルオロ−１−トリフルオロメトキシベンゼ ン ２０．１％ トランス，トランス−２′−フルオロ−４−（４−ｎ−プロピル−４−シラ シクロヘキシル）−４′−（４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）ビフェニル ３．０％ トランス，トランス−２′−フルオロ−４−（４−ｎ−ペンチル−４−シラ シクロヘキシル）−４′−（４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）ビフェニル ３．０％ トランス，トランス−２′−フルオロ−４−（４−ｎ−ペンチル−４−シラ シクロヘキシル）−４′−（４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）ビフェニル ３．０％ 物性 ＴNI＝８２．８℃、Δｎ＝０．１３８、η＝２４．０ｃ
Ｐ、Δε＝８．８、ＶＨＲ＝９９．０％
【００６７】実施例９ 混合物の組成 ４−ｎ−ブチル−４′−ｎ−プロピルトラン ７．９％ ４−ｎ−ペンチル−４′−エチルトラン ７．９％ ４−ｎ−ブチル−４′−エトキシトラン １５．８％ ４−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）−２，６，３′，５′ −テトラフルオロ−４′−（２，２−ジフルオロエトキシ）ビフェニル ３．５％ ４−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）−２，６，３′，５′− テトラフルオロ−４′−（２，２−ジフルオロエトキシ）ビフェニル ３．５％ ４−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）−２，６，３′，５′ −テトラフルオロ−４′−（２，２−ジフルオロエトキシ）ビフェニル ３．５％ ４−（トランス−４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）−３′， ４′，５′−トリフルオロトラン ８．１％ ４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）−３′， ４′，５′−トリフルオロトラン ７．７％ ４−（トランス−４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）−３′，４ ′−ジフルオロトラン ８．８％ ４−（トランス−４−ｎ−ブチル−４−シラシクロヘキシル）−３′，４′ −ジフルオロトラン ８．８％ ４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）−３′，４ ′−ジフルオロトラン ８．８％ ４−（トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）シク ロヘキシル）−２−フルオロ−１−トリフルオロメトキシベンゼン ５．３％ ４−（トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）シク ロヘキシル）−２−フルオロ−１−トリフルオロメトキシベンゼン ５．３％ トランス，トランス−２−フルオロ−４−（４−ｎ−プロピルシクロヘキシ ル）−４′−（４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）ビフェニル １．７％ トランス，トランス−２−フルオロ−４−（４−ｎ−ペンチルシクロヘキシ ル）−４′−（４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）ビフェニル １．７％ トランス，トランス−２−フルオロ−４−（４−ｎ−ペンチルシクロヘキシ ル）−４′−（４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）ビフェニル １．７％ 物性 ＴNI＝９１．４℃、Δｎ＝０．１８３、η＝２４．５ｃ
Ｐ、Δε＝５．８、ＶＨＲ＝９９．０％
【００６８】実施例１０ 混合物の組成 ４−ｎ−ブチル−４′−ｎ−プロピルトラン ６．３％ ４−ｎ−ペンチル−４′−エチルトラン ６．２％ ４−ｎ−ブチル−４′−エトキシトラン １２．５％ ４−（トランス−４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）−２，３′ ，４′，５′−テトラフルオロビフェニル ５．３％ ４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）−２，３′ ，４′，５′−テトラフルオロビフェニル ４．７％ ４−（トランス−４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）−３′， ４′−ジフルオロトラン １０．０％ ４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）−３′， ４′−ジフルオロトラン １０．０％ ４−（２−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）エチル）−２， ３′，４′−トリフルオロトラン １５．０％ ４−（２−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）エチル）−２， ３′，４′−トリフルオロトラン １５．０％ ４−（トランス−４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）−２−フル オロ−４′−（２−（３，４−ジフルオロフェニル）エチル）ビフェニル ７．５％ ４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）−２−フル オロ−４′−（２−（３，４−ジフルオロフェニル）エチル）ビフェニル ７．５％ 物性 ＴNI＝９０．８℃、Δｎ＝０．１９８、η＝２２．５ｃ
Ｐ、Δε＝６．０、ＶＨＲ＝９９．２％
【００６９】実施例１１ 混合物の組成 ４−ｎ−ペンチル−２−フルオロ−４′−フルオロトラン ５．０％ ４−ｎ−ペンチル−２−フルオロ−４′−トリフルオロメトキシトラン ８．０％ ４−（トランス−４−（３−メトキシ−ｎ−プロピル）−４−シラシクロヘ キシル）−３′，４′−ジフルオロビフェニル １０．０％ ４−（トランス−４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）−３′， ５′−ジフルオロ−４′−ジフルオロメトキシビフェニル ８．０％ ４−（トランス−４−ｎ−ブチル−４−シラシクロヘキシル）−３′， ５′−ジフルオロ−４′−ジフルオロメトキシビフェニル ７．０％ ４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）−３′， ５′−ジフルオロ−４′−ジフルオロメトキシビフェニル ７．０％ ４−（トランス−４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）−３′， ４′−ジフルオロトラン ２０．０％ ４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）−３′， ４′−ジフルオロトラン ２０．０％ ４−（トランス−４−（トランス−４−ビニルシクロヘキシル）シクロヘキ シル）−１，２−ジフルオロベンゼン ７．５％ ４−（トランス−４−（トランス−４−（３−ｎ−ブテニル）シクロヘキシ ル）シクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ７．５％ 物性 ＴNI＝８３．４℃、Δｎ＝０．１６１、η＝２１．２ｃ
Ｐ、Δε＝６．８、ＶＨＲ＝９９．２％
【００７０】実施例１２ 混合物の組成 ４−ｎ−ブチル−４′−ｎ−プロピルトラン ３．５％ ４−ｎ−ペンチル−４′−エチルトラン ３．５％ ４−ｎ−ブチル−４′−エトキシトラン ７．０％ ４−（２−（トランス−４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）エチ ル）−３′，４′−ジフルオロトラン ２１．３％ ４−（２−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）エチ ル）−３′，４′−ジフルオロトラン ２１．３％ ４−（２−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）エチル）−２， ３′，４′−トリフルオロビフェニル ４．３％ ４−（２−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）エチル）−２， ３′，４′−トリフルオロビフェニル ４．３％ トランス−４−（トランス−４−（２−（３，４−ジフルオロフェニル）エ チル）シクロヘキシル）−１−ｎ−プロピルシクロヘキサン １１．６％ トランス−４−（トランス−４−（２−（３，４−ジフルオロフェニル）エ チル）シクロヘキシル）−１−ｎ−ブチルシクロヘキサン １１．６％ トランス−４−（トランス−４−（２−（３，４−ジフルオロフェニル）エ チル）シクロヘキシル）−１−ｎ−ペンチルシクロヘキサン １１．６％ 物性 ＴNI＝７０．３℃、Δｎ＝０．１４６、η＝２４．０ｃ
Ｐ、Δε＝６．３、ＶＨＲ＝９９．２％
【００７１】
【発明の効果】応答時間（Τ）∝η・ｄ2 （η：粘度、
ｄ：セルギャップ厚み）という関係から、遅延した応答
速度を改善するには、粘度（η）、厚み（ｄ）を小さく
すればよい。一方、表示特性上のＲ＝ｄ×Δｎの条件制
約からｄを減少させる際には、Δｎを増大させなければ
ならない。本発明は、Δｎが０．１３以上と大きく、粘
度が３０ｃＰと低く、かつ分子構造中に従来知られてい
なかったシラシクロヘキサン環を持つ化合物を含む液晶
組成物に関するもので、first minimum および second
minimum のＴＮモード並びにＳＴＮモードにも用いるこ
とができる。
【００７２】また、本液晶組成物は、低電圧駆動のため
の低閾値電圧特性と苛酷条件下での高電圧保持率を有す
ると共に、広温度範囲に亘るネマチック液晶相、液晶化
合物同士の良好な相互溶解性、並びに水分、空気、光、
熱、電界に対する安定性を有する。すなわち、シラシク
ロヘキサン環を持つ化合物を混合することにより、Δε
を過大にせずとも低電圧化が可能となり、同時に高電圧
保持率が達成される。
【００７３】Δｎが高く、かつ、低粘度を要求される用
途、例えばカーナビゲーター用低温ポリＴＦＴ液晶パネ
ル等に使用される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金子 達志 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の １ 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 高橋 俊明 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の １ 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 中島 睦雄 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の １ 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 金生 剛 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の １ 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 斎藤 隆一 茨城県鹿島郡神栖町大字東和田１番地 信 越化学工業株式会社塩ビ技術研究所内 (72)発明者 栗原 英志 東京都千代田区大手町二丁目６番１号 信 越化学工業株式会社コーポレートリサーチ センター内

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一般式（I) 【化１】 〔上式中、Ｒは、炭素数１〜７を有するアルキル基、炭
    素数２〜７のアルコキシアルキル基、炭素数２〜７のモ
    ノまたはジフルオロアルキル基、炭素数２〜７のアルケ
    ニル基を表す。ａおよびｂは、０または１を表す。 【化２】 は、トランス−１−シラ−１，４−シクロヘキシレン
    基、トランス−４−シラ−１，４−シクロヘキシレン
    基、またはトランス−１，４−シクロヘキシレン基のい
    ずれかを表す。Ｘは、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＯＣＨＦ2 、ＯＣ
    Ｆ3 、ＣＦ3 、（Ｏ）s Ｃp Ｈq Ｆr（ｓは、０または
    １、ｐは、２、３、または４、ｑ＋ｒ＝２ｐ＋１を表
    す。）、（Ｏ）s ＣＹ＝ＣＸ1 Ｘ2 （Ｘ1 およびＹは、
    Ｈ、Ｆ、またはＣｌを表し、Ｘ2は、ＦまたはＣｌを表
    す。）、炭素数５以下のアルキル基、または炭素数５以
    下のアルコキシ基を表す。Ｙ1 およびＹ2 は、Ｈまたは
    Ｆを表し、Ｌ1 は、Ｆであり、ｎは、０、１、または２
    である。〕で表される化合物の一種または二種以上を含
    有する液晶組成物であって、かつ該液晶組成物のうち少
    なくとも一種の化合物は、トランス−１−シラ−１，４
    −シクロヘキシレン基またはトランス−４−シラ−１，
    ４−シクロヘキシレン基を有する化合物である液晶組成
    物。
  2. 【請求項２】 上記一般式（I)で表される化合物の一種
    または二種以上と、シラシクロヘキサン環を有する化合
    物の一種または二種以上とを含有する液晶組成物。
  3. 【請求項３】 下記一般式（Ia）、（Id）、または（I
    g）で表される化合物の一種または二種以上と、下記一
    般式（Ib）、（Ic）、（Ie）、または（If）で表される
    化合物の一種または二種以上とを含有する液晶組成物。 【化３】 （上式中、Ｒ、Ｘ、Ｙ1 、Ｙ2 、Ｌ1 、ｎの定義は、一
    般式（I)と同様である。）
  4. 【請求項４】 上記一般式（I)で表される化合物の一種
    または二種以上と、下記一般式（II） 【化４】 〔上式中、Ｒは、炭素数１〜７を有するアルキル基、炭
    素数２〜７のアルコキシアルキル基、炭素数２〜７のモ
    ノまたはジフルオロアルキル基、炭素数２〜７のアルケ
    ニル基を表す。ｂは、０または１を表す。 【化５】 は、トランス−１−シラ−１，４−シクロヘキシレン
    基、トランス−４−シラ−１，４−シクロヘキシレン
    基、またはトランス−１，４−シクロヘキシレン基のい
    ずれかを表す。Ｘは、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＯＣＨＦ2 、ＯＣ
    Ｆ3 、ＣＦ3 、（Ｏ）s Ｃp Ｈq Ｆr（ｓは、０または
    １、ｐは、２、３、または４、ｑ＋ｒ＝２ｐ＋１を表
    す。）、（Ｏ）s ＣＹ＝ＣＸ1 Ｘ2 （Ｘ1 およびＹは、
    Ｈ、Ｆ、またはＣｌを表し、Ｘ2は、ＦまたはＣｌを表
    す。）、炭素数５以下のアルキル基、または炭素数５以
    下のアルコキシ基を表す。Ｙ1 およびＹ2 は、Ｈまたは
    Ｆを表し、Ｌ1 は、Ｆであり、ｎは、０、１、または２
    である。〕で表される化合物の一種または二種以上とを
    含有する液晶組成物であって、該液晶組成物のうち少な
    くとも一種の化合物は、トランス−１−シラ−１，４−
    シクロヘキシレン基またはトランス−４−シラ−１，４
    −シクロヘキシレン基を有する化合物である液晶組成
    物。
  5. 【請求項５】 上記一般式（I)で表される化合物の一種
    または二種以上と、下記一般式（III)、（IV）、または
    （V) 【化６】 〔上式中、Ｒは、炭素数１〜７を有するアルキル基、炭
    素数２〜７のアルコキシアルキル基、炭素数２〜７のモ
    ノまたはジフルオロアルキル基、炭素数２〜７のアルケ
    ニル基を表す。ａは、０または１を表す。 【化７】 は、トランス−１−シラ−１，４−シクロヘキシレン
    基、トランス−４−シラ−１，４−シクロヘキシレン
    基、またはトランス−１，４−シクロヘキシレン基のい
    ずれかを表す。Ｘは、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＯＣＨＦ2 、ＯＣ
    Ｆ3 、ＣＦ3 、（Ｏ）s Ｃp Ｈq Ｆr（ｓは、０または
    １、ｐは、２、３、または４、ｑ＋ｒ＝２ｐ＋１を表
    す。）、（Ｏ）s ＣＹ＝ＣＸ1 Ｘ2 （Ｘ1 およびＹは、
    Ｈ、Ｆ、またはＣｌを表し、Ｘ2は、ＦまたはＣｌを表
    す。）、炭素数５以下のアルキル基、または炭素数５以
    下のアルコキシ基を表す。Ｙ1 およびＹ2 は、Ｈまたは
    Ｆを表す。〕で表される化合物の一種または二種以上と
    を含有する液晶組成物であって、該液晶組成物の少なく
    とも一種の化合物は、トランス−１−シラ−１，４−シ
    クロヘキシレン基またはトランス−４−シラ−１，４−
    シクロヘキシレン基を有する化合物である液晶組成物。
  6. 【請求項６】 上記一般式（I)で表される化合物の一種
    または二種以上と、上記一般式（II）で表される化合物
    の一種または二種以上と、上記一般式（III)、（IV）、
    または（V)で表される化合物の一種または二種以上とを
    含有する液晶組成物であって、該液晶組成物の少なくと
    も一種の化合物は、トランス−１−シラ−１，４−シク
    ロヘキシレン基またはトランス−４−シラ−１，４−シ
    クロヘキシレン基を有する化合物である液晶組成物。
  7. 【請求項７】 上記一般式（I)で表される化合物の一種
    または二種以上と、下記一般式（VI）、（VII)、または
    （VIII） 【化８】 〔上式中、ＲおよびＲ′は、炭素数１〜７を有するアル
    キル基、炭素数２〜７のアルコキシアルキル基、炭素数
    ２〜７のモノまたはジフルオロアルキル基、炭素数２〜
    ７のアルケニル基を表す。ｂは、０または１を表す。 【化９】 は、トランス−１−シラ−１，４−シクロヘキシレン
    基、トランス−４−シラ−１，４−シクロヘキシレン
    基、またはトランス−１，４−シクロヘキシレン基のい
    ずれかを表す。Ｘは、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＯＣＨＦ2 、ＯＣ
    Ｆ3 、ＣＦ3 、（Ｏ）s Ｃp Ｈq Ｆr（ｓは、０または
    １、ｐは、２、３、または４、ｑ＋ｒ＝２ｐ＋１を表
    す。）、（Ｏ）s ＣＹ＝ＣＸ1 Ｘ2 （Ｘ1 およびＹは、
    Ｈ、Ｆ、またはＣｌを表し、Ｘ2は、ＦまたはＣｌを表
    す。）、炭素数５以下のアルキル、または炭素数５以下
    のアルコキシ基を表す。Ｙ1 およびＹ2 は、ＨまたはＦ
    を表し、Ｌ1 およびＬ2 は、Ｆであり、ｍおよびｎは、
    ０、１、または２である。〕で表される化合物の一種ま
    たは二種以上とを含有する液晶組成物であって、該液晶
    組成物の少なくとも一種の化合物は、トランス−１−シ
    ラ−１，４−シクロヘキシレン基またはトランス−４−
    シラ−１，４−シクロヘキシレン基を有する化合物であ
    る液晶組成物。
  8. 【請求項８】 上記一般式（I)で表される化合物の一種
    または二種以上と、上記一般式（II）で表される化合物
    の一種または二種以上と、上記一般式（VI）、（VII)、
    または（VIII）で表される化合物の一種または二種以上
    とを含有する液晶組成物であって、該液晶組成物の少な
    くとも一種の化合物は、トランス−１−シラ−１，４−
    シクロヘキシレン基またはトランス−４−シラ−１，４
    −シクロヘキシレン基を有する化合物である液晶組成
    物。
  9. 【請求項９】 上記一般式（I)で表される化合物の一種
    または二種以上と、上記一般式（II）で表される化合物
    の一種または二種以上と、上記一般式（III)、（IV）、
    または（V)で表される化合物の一種または二種以上と、
    上記一般式（VI）、（VII)、または（VIII）で表される
    化合物の一種または二種以上を含有する液晶組成物であ
    って、該液晶組成物の少なくとも一種の化合物は、トラ
    ンス−１−シラ−１，４−シクロヘキシレン基またはト
    ランス−４−シラ−１，４−シクロヘキシレン基を有す
    る化合物である液晶組成物。
  10. 【請求項１０】 請求項１〜９のいずれかに記載の液晶
    組成物を含有する液晶表示素子。
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