JPH09316319A

JPH09316319A - 芳香族ポリカーボネート樹脂組成物および成形品

Info

Publication number: JPH09316319A
Application number: JP8130182A
Authority: JP
Inventors: Takashi Oda; 隆司小田; Tomohiro Nakatsuchi; 智博中土
Original assignee: Teijin Chemicals Ltd
Current assignee: Teijin Ltd
Priority date: 1996-05-24
Filing date: 1996-05-24
Publication date: 1997-12-09
Anticipated expiration: 2016-05-24
Also published as: JP3257951B2

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、不用の基板が芳香族ポリカーボネ
ート樹脂である光学ディスク粉砕化物を、これに付着し
ている金属膜、インク、ＵＶコート等を取り除かずにそ
のまま用いた光沢度が高く、剛性、耐衝撃性、耐熱性の
良好な芳香族ポリカーボネート樹脂組成物およびそれか
らの成形品を提供する。【解決手段】（Ａ）（Ａ−１）基板が芳香族ポリカー
ボネート樹脂である光学ディスク粉砕化物１０〜１００
重量％（ａ−１成分）および（Ａ−２）芳香族ポリカー
ボネート樹脂９０〜０重量％（ａ−２成分）よりなる樹
脂混合物（ａ成分）および（Ｂ）無機充填剤（ｂ成分）
よりなり、ａ成分とｂ成分との割合が重量比で４０：６
０〜９０：５の範囲である芳香族ポリカーボネート樹脂
組成物およびそれからの成形品。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、不用の基板が芳香
族ポリカーボネート樹脂である光学ディスクを使用した
光沢度が高く且つ剛性、耐衝撃性、耐熱性の良好な芳香
族ポリカーボネート樹脂組成物およびそれからの成形品
に関するものである。光学ディスクは多くのユーザーに
使用されており、生産される量も年々増え続けている。
従って、使用されなくなった不用の光学ディスクや販売
店から返却されてくる光学ディスクあるいは生産時発生
する不良品等いわゆる再生すべき光学ディスクが増えて
おり、それらの再生方法について種々の検討が行われて
いる。本発明は、資源の有効利用ならびに環境保護の見
地から、これら不用の光学ディスクの再生利用を目的と
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、基板が芳香族ポリカーボネート樹
脂で成形された光学ディスクを再生利用する方法として
は、例えばコンパクトディスクにおいて、その表面に付
着しているアルミ膜、インク、ＵＶコート膜等を取り除
き基板の樹脂を再利用する方法が考えられている。しか
しながら、これらアルミ膜、インク、ＵＶコート膜等を
取り除く方法としてコンパクトディスクの表面を切削研
磨する方法、振動圧縮する方法等の物理的方法あるいは
酸、アルカリ等を用いた化学的方法等が考えられるが、
いずれも操作が煩雑でコストが高く一般的ではなかっ
た。一方光学ディスクに付着している金属膜、インク、
ＵＶコート膜等を取り除かずにそのまま粉砕し再溶融成
形すると、成形品の機械的特性が十分でなくその使用が
難しかった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、不用
の基板が芳香族ポリカーボネート樹脂である光学ディス
クをそのまま粉砕、使用する光沢度が高く且つ剛性、耐
衝撃性、耐熱性の良好な芳香族ポリカーボネート樹脂組
成物およびそれからの成形品を提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、（Ａ）
（Ａ−１）基板が芳香族ポリカーボネート樹脂である光
学ディスク粉砕化物１０〜１００重量％（ａ−１成分）
および（Ａ−２）芳香族ポリカーボネート樹脂９０〜０
重量％（ａ−２成分）よりなる樹脂混合物（ａ成分）お
よび（Ｂ）無機充填剤（ｂ成分）より実質的になり、ａ
成分とｂ成分との割合が重量比で４０：６０〜９５：５
の範囲である芳香族ポリカーボネート樹脂組成物および
それからの成形品が提供される。

【０００５】かかる芳香族ポリカーボネート樹脂組成物
において使用されるａ成分は、基板が芳香族ポリカーボ
ネート樹脂である光学ディスク粉砕化物（ａ−１成分）
および芳香族ポリカーボネート樹脂（ａ−２成分）より
なる樹脂混合物である。ａ−１成分の基板が芳香族ポリ
カーボネート樹脂である光学ディスク粉砕化物は、光学
ディスクの生産から販売後迄のあらゆる経路から発生す
るいわゆる不良品、返却品、回収品等の不用になった光
学ディスクを粉砕化したものである。

【０００６】光学ディスクとしては、具体的には、例え
ば再生専用方式のものではコンパクトディスク、ミニデ
ィスク、レーザーディスク等のＲＯＭディスクがあり、
記録および再生方式のものではＣＤ−Ｒ、ライトワンス
ディスク等のＤＲＡＭディスクがあり、書き換え可能方
式のものでは光磁気ディスク、相変化光ディスク等のＥ
−ＤＲＡＷの光ディスクが挙げられる。これらの光学デ
ィスクには、片面記憶型および最近開発されているＤＶ
Ｄ用の２枚貼り合せ型がある。また、かかる光学ディス
クの中で、コンパクトディスクが好ましく使用され、光
学ディスク（１００重量％）中の芳香族ポリカーボネー
トの量は９０重量％以上が好ましく、９５重量％以上が
より好ましく、９９重量％以上がさらに好ましい。

【０００７】光学ディスクの基板に使用されている芳香
族ポリカーボネート樹脂は、通常二価フェノールとカー
ボネート前駆体とを溶液法または溶融法で反応させて得
られるものである。ここで使用する二価フェノールとし
ては、例えばハイドロキノン、レゾルシノール、４,４'
−ビフェノール、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタ
ン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、
２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以
下ビスフェノールＡという）、２,２−ビス（３−メチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２,２−ビス
（３,５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニ
ルエタン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シ
クロヘキサン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサン、２,２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、４,４’−
（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール、
４,４’−（ｐ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフ
ェノール、９,９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フ
ルオレン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
４−イソプロピルシクロヘキサン、ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）エーテル、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）サルファイドおよびビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）スルホン等が挙げられる。好ましい二価フェノール
は、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）アルカン
系であり、ビスフェノールＡが特に好ましい。

【０００８】カーボネート前駆体としてはカルボニルハ
ライド、カーボネートエステルまたはハロホルメート等
が使用され、具体的にはホスゲン、ジフェニルカーボネ
ート、二価フェノールのジハロホルメート等が挙げられ
る。

【０００９】芳香族ポリカーボネート樹脂を製造するに
当り、前記二価フェノールは単独または２種以上を使用
することができ、必要に応じて分子量調節剤、酸化防止
剤、触媒等を使用してもよい。またこの芳香族ポリカー
ボネート樹脂は三官能以上の多官能性芳香族化合物を共
重合した分岐ポリカーボネート樹脂であっても、２種以
上の芳香族ポリカーボネート樹脂の混合物であってもよ
い。かかる光学ディスクの基板に使用される芳香族ポリ
カーボネート樹脂は、粘度平均分子量（Ｍ）で１４,０
００〜１６,０００のものが好ましく使用される。ここ
でいう粘度平均分子量とは、塩化メチレン１００ｍｌに
芳香族ポリカーボネート樹脂０.７ｇを２０℃で溶解し
た溶液から求めた比粘度［η_sp］を次式に挿入して求め
る。 η_sp／ｃ＝［η］＋０.４５×［η］²ｃ（但し［η］は
極限粘度）［η］＝１.２３×１０^-4Ｍ^0.83 ｃ＝０.７

【００１０】一方、ａ−２成分の芳香族ポリカーボネー
ト樹脂は、前記ａ−１成分で説明した基板に使用されて
いる芳香族ポリカーボネート樹脂と同様のものが用いら
れる。その粘度平均分子量は、１０,０００〜６０,００
０のものが好ましく、１３,０００〜５０,０００のもの
がより好ましく用いられる。

【００１１】ａ成分において、ａ−１成分とａ−２成分
の混合割合は、ａ−１成分１０〜１００重量％に対して
ａ−２成分９０〜０重量％であり、ａ−１成分３０〜１
００重量％に対してａ−２成分７０〜０重量％が好まし
い。ａ−１成分が１０重量％より少なくなると（ａ−２
成分が９０重量％より多くなると）多量の不用な光学デ
ィスクを再生利用するという目的に適さなくなり、また
流動性が低下し、満足な光沢度が得られないため好まし
くない。

【００１２】本発明において、ｂ成分として使用される
無機充填剤は、例えばガラス繊維、炭素繊維、ワラスト
ナイト、金属繊維、チタン酸カリウムウィスカー、ホウ
酸アルミニウムウィスカー等の繊維状無機充填剤、ガラ
スフレーク、マイカ、タルク等の板状無機充填剤、炭酸
カルシウム、アルミナ、ガラスビース等を挙げることが
でき、これらは単独であるいは２種以上を併用して用い
ることができる。また、これらの無機充填剤はシランカ
ップリング剤等の表面処理剤で表面処理されているもの
が好ましい。

【００１３】かかる無機充填剤は、その少なくとも３０
重量％が繊維状無機充填剤であることが好ましく、より
好ましくは少なくとも５０重量％が繊維状無機充填剤で
あり、無機充填剤が実質的に繊維状無機充填剤であるこ
とがさらに好ましい。繊維状無機充填剤は、通常平均繊
維径が０.１〜５０μｍで且つ平均繊維長が１０μｍ〜
１０ｍｍで、好ましくはアスペクト比（平均繊維長／平
均繊維径）が３〜１,０００のものであり、かかる繊維
状無機充填剤の中で、ガラス繊維が好ましく使用され
る。また、繊維状無機充填剤以外の無機充填剤として
は、ガラスフレーク、タルク、マイカ等の板状無機充填
剤が好ましく用いられる。

【００１４】該芳香族ポリカーボネート樹脂組成物にお
いて使用されるａ成分とｂ成分の配合割合は、ａ成分４
０〜９５重量％に対してｂ成分６０〜５重量％であり、
好ましくはａ成分５０〜９２重量％に対してｂ成分５０
〜８重量％である。ａ成分が４０重量％未満すなわちｂ
成分が６０重量％を越えると、成形、加工が困難とな
り、ａ成分が９５重量％を越えてｂ成分が５重量％未満
になると、剛性、耐衝撃性が十分でなく好ましくない。

【００１５】本発明において、該芳香族ポリカーボネー
ト樹脂組成物１００重量部に対して、（Ｃ）カーボンブ
ラック（ｃ成分）を０.０５〜５重量部、好ましくは０.
１〜３重量部配合することが好ましい。カーボンブラッ
クは、光学ディスクに付着している金属膜、例えばＡ
ｌ、Ｔｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｇｄ、ＺｎＳ、ＧｅＳｂＴｅ、
ＺｎＳ−ＳｉＯ₂およびＡｌ合金等の輝きを隠蔽する作
用があり、カーボンブラックを使用することにより金属
膜の輝きの消えた外観の良い成形品を得ることができ
る。

【００１６】かかるカーボンブラックは炭化水素や天然
ガス等の不完全燃焼または熱分解によって得られる黒色
微粉末であり、通常１〜１,０００ｍμの平均粒子径を
有する。具体的にはファーネスブラック、アセチレンブ
ラック、サーマルブラック、ランプブラック、チャンネ
ルブラック、ローラーブラック、ディスクブラック等が
挙げられ、これらは単独でまたは２種以上併用して使用
することができる。カーボンブラックの量が０.０５重
量部未満では、成形品の外観を改良する効果が小さく、
５重量部を越えると流動性が低下するため好ましくはな
い。

【００１７】本発明において、該芳香族ポリカーボネー
ト樹脂組成物１００重量部に対して、（Ｄ）ハロゲン系
難燃剤またはリン系難燃剤（ｄ成分）を１〜３０重量部
配合することが好ましい。

【００１８】かかるハロゲン系難燃剤としては、テトラ
ブロモビスフェノールＡ［２,２−ビス（３,５−ジブロ
モ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン］、テトラブロ
モビスフェノールＡ−ビス（２−ヒドロキシエチルエー
テル）、テトラブロモビスフェノールＡ−ビス（２,３
−ジブロモプロピルエーテル）、テトラブロモジフェニ
ルエーテル、ヘキサブロモジフェニルエーテル、オクタ
ブロモジフェニルエーテル、デカブロモジフェニルエー
テル、ビス（トリブロモフェノキシ）エタン、ヘキサブ
ロモシクロドデカン、エチレンビステトラブロモフタル
イミド、トリス（ペンタブロモベンジル）イソシアヌレ
ート、テトラブロモビスフェノールＡのポリカーボネー
トオリゴマー、テトラブロモビスフェノールＡとビスフ
ェノールＡとのコポリカーボネートオリゴマー、テトラ
ブロモビスフェノールＡ−エポキシ樹脂、テトラブロモ
ビスフェノールＳ［ビス（３,５−ジブロモ−４−ヒド
ロキシフェニル）スルホン］のポリカーボネートオリゴ
マー、テトラブロモビスフェノールＳとビスフェノール
Ｓとのポリカーボネートオリゴマー等が挙げられる。特
にテトラブロモビスフェノールＡからのポリカーボネー
トオリゴマーおよびテトラブロモビスフェノールＡとビ
スフェノールＡとのコポリカーボネートオリゴマー等の
テトラブロモビスフェノールＡ系のポリカーボネート型
難燃剤がポリカーボネート樹脂との相溶性が優れている
点から好ましく、なかでもテトラブロモビスフェノール
Ａからのポリカーボネートオリゴマーでその繰返し単位
が２〜２０のものが好ましい。

【００１９】かかるリン系難燃剤としては、トリフェニ
ルホスフェート、トリフェニルチオホスフェート、トリ
クレジルホスフェート、トリクレジルチオホスフェー
ト、トリキシレニルホスフェート、トリキシレニルチオ
ホスフェート、クレジルフェニルホスフェート、オクチ
ルジフェニルホスフェート、ハイドロキノンビス（ジフ
ェニルホスフェート）等のリン酸エステル、赤リン、ホ
スファゼン系化合物、ポリリン酸アンモニウム等が挙げ
られ、そのなかでもリン酸エステルが好ましく、特にト
リフェニルホスフェートが好ましい。

【００２０】上記ハロゲン系難燃剤またはリン系難燃剤
はそれぞれ単独で用いても、併用して用いてもよく、そ
の配合量は該芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部
に対して、１〜３０重量部が好ましく、２〜２０重量部
がより好ましく、３〜１５重量部がさらに好ましい。１
重量部未満では難燃性の改良が不十分であり、３０重量
部を越えると耐衝撃性や熱安定性が低下するため好まし
くない。

【００２１】本発明において、該芳香族ポリカーボネー
ト樹脂組成物に難燃性能をさらに向上させるためにフィ
ブリル形成能を有するポリテトラフルオロエチレンを配
合することができる。フィブリル形成能を有するポリテ
トラフルオロエチレンはＡＳＴＭ規格においてタイプII
Iに分類されているものである。フィブリル形成能を有
するポリテトラフルオロエチレンは、ＵＬ規格の垂直燃
焼テストにおいて試験片の燃焼テスト時に溶融滴下防止
性能を有しているため、これらのフィブリル形成能を有
するポリテトラフルオロエチレンは、一層の難燃効果を
与えるものである。かかるポリテトラフルオロエチレン
は、平均粒子径５０〜１,０００μｍ、密度１００〜１,
０００ｇ／リットル、融点２５０〜３５０℃、比重１.
８〜２.５を有するものが好ましい。

【００２２】フィブリル形成能を有するポリテトラフル
オロエチレンの配合量は、前記芳香族ポリカーボネート
樹脂組成物１００重量部に対し、０.０５〜１重量部が
好ましく、０.０８〜０.８重量部がより好ましい。０.
０５重量部未満では、溶融滴下防止性能が十分でなく、
また１重量部を越えると成形品の表面状態が悪くなり、
耐衝撃性が低下するため好ましくない。

【００２３】また、本発明において、該芳香族ポリカー
ボネート樹脂組成物に、亜リン酸エステルまたはリン酸
エステルを配合することが好ましい。これらを配合する
ことにより該芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の熱安
定性がさらに向上し、粘度平均分子量の低下が抑制され
る。

【００２４】かかる亜リン酸エステルは、例えばトリフ
ェニルホスファイト、ジステアリルペンタエリスリトー
ルジホスファイト、トリスノニルフェニルホスファイ
ト、トリス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）
ホスファイト、トリデシルホスファイト、トリオクチル
ホスファイト、トリオクタデシルホスファイト、ジデシ
ル−モノフェニルホスファイト、ジオクチル−モノフェ
ニルホスファイト、ジイソプロピル−モノフェニルホス
ファイト、モノブチル−ジフェニルホスファイト、モノ
デシル−ジフェニルホスファイト、モノオクチル−ジフ
ェニルホスファイト、ビス（２,６−ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホ
スファイト、２,２−メチレンビス（４,６−ジ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、ビス（ノ
ニルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイトお
よびビス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−
４,４−ジフェニレンホスホナイト等の亜リン酸のトリ
エステルまたはエステル部をアルキル基、フェニル基、
アルキルアリール基等で置換したジエステル、モノエス
テルであり、これらは単独で使用してもまた２種以上併
用してもよい。なかでもトリスノニルフェニルホスファ
イト、ジステアリルペンタエリスリトリールジホスファ
イトが好ましい。

【００２５】かかるリン酸エステルは、例えばトリブチ
ルホスフェート、トリメチルホスフェート、トリクレジ
ルホスフェート、トリフェニルホスフェート、トリクロ
ルフェニルホスフェート、トリエチルホスフェート、ジ
フェニルクレジルホスフェート、ジフェニルモノオルソ
キセニルホスフェート、トリブトキシエチルホスフェー
ト、ジブチルホスフェート、ジオクチルホスフェートお
よびジイソプロピルホスフェート等が挙げられ、これら
は単独で使用してもまた２種以上併用してもよい。なか
でもトリメチルホスフェートが好ましい。また、上記亜
リン酸エステルとリン酸エステルを併用して使用しても
よい。

【００２６】上記亜リン酸エステルまたはリン酸エステ
ルの配合量は、該芳香族ポリカーボネート樹脂組成物１
００重量部に対して、０.００５〜２.０重量部が好まし
く、０.００８〜１.８重量部がより好ましく、０.０１
〜１.５重量部がさらに好ましい。

【００２７】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物には目的および効果を損なわない範囲で有効発現量の
添加剤を配合しても良く、例えば他の安定剤や衝撃改質
剤、離型剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、可塑剤および
滑剤等を配合しても良い。

【００２８】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物を製造するには、任意の方法が採用される。例えば使
用する全ての成分を溶融混練する方法が好ましく採用さ
れ、単軸押出機、２軸押出機、加圧ニーダー等一般に使
用されているものが使用できる。特に好ましくは、ベン
ト付きの２軸押出機であり、ベントから真空排気ができ
るものが好ましい。この場合、ａ−１成分の光学ディス
クは粉砕機等で粉砕化されており、特に粒径３０ｍｍ以
下に粉砕されていることが好ましい。粉砕されていない
と他成分と均一に混合することが困難であり、また溶融
混練する時に使用する押出機等への供給が難しくなり、
満足な成形品が得られない。但し、ここでいう粒径と
は、粉砕されたものの長径をいう。使用する原料は、タ
ンブラー、ブレンダー、ナウターミキサー、バンバリー
ミキサー、混練ロール等であらかじめ混合していても計
量機を用いて独立に供給されても良い。

【００２９】本発明は、資源の有効利用ならびに環境保
護の見地から、不用の光学ディスクの再生利用を目的と
するものであり、本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂
組成物は、不用の光学ディスクに付着している金属膜、
インク、ＵＶコート膜等を取り除かずにそのまま粉砕
し、再溶融成形して得られる光沢度の高い、剛性、耐熱
性、耐衝撃性の良好な芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物である。本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物
は、例えばＯＡ機器、家庭電化製品、オーディオおよび
雑貨等の部品に有用である。

【００３０】実施例１〜１４および比較例１〜４以下に実施例を挙げて本発明をさらに説明する。表１記
載の各成分を表１記載の割合でタンブラーで混合後、径
３０ｍｍφのベント付き２軸押出機［池貝鉄工（株）製
ＰＣＭ３０型］でベントから真空排気させながらシリン
ダー温度２５０℃で溶融混練し押し出しペレット化し
た。このペレットを１１０℃で５時間乾燥後、射出成形
機［住友重機械工業（株）製Ｓ４８０／１５０］でシリ
ンダー温度２５０℃、金型温度７０℃で作成した試験片
を下記（１）〜（６）の方法で評価を行った。評価結果
は表２に記載した。

【００３１】（１）剛性：ＡＳＴＭＤ−７９０に従っ
て曲げ弾性率を測定した。（×１,０００ｋｇｆ／ｃ
ｍ²）（２）アイゾットノッチ付き衝撃強さ：測定試験片厚さ
３.２ｍｍとしＡＳＴＭＤ−２５６に従って測定し
た。（３）荷重たわみ温度：荷重１８.５ｋｇｆ／ｃｍ²の条
件下でＪＩＳＫ−７２０７に従って測定した。（４）光沢度：ＪＩＳＫ７１０５に従い、６０°鏡面
光沢度を測定した。（５）難燃性：測定試験片厚さ１.６ｍｍおよび３.２ｍ
ｍとしＵＬ９４に従って測定した。（６）外観：目視によってメタリック調の有無を判定し
た。

【００３２】なお表１記載の各成分を示す記号は下記の
とおりである。ａ−１成分コンパクトディスク粉砕化物［製品］基板が粘度平均分子量１５,０００のビスフェノールＡ
より得られた芳香族ポリカーボネート樹脂であり、その
量がコンパクトディスク中９９.６重量％であるアルミ
膜付着の直径１２０ｍｍのコンパクトディスクを粉砕機
で粉砕し、平均粒径６ｍｍにしたコンパクトディスク粉
砕化物。

【００３３】ａ−２成分ビスフェノールＡより得られた芳香族ポリカーボネート
樹脂ペレット（粘度平均分子量：２８,５００）ビスフェノールＡより得られた芳香族ポリカーボネート
樹脂ペレット（粘度平均分子量：２５,０００）ビスフェノールＡより得られた芳香族ポリカーボネート
樹脂ペレット（粘度平均分子量：１５,０００）ｂ成分ガラス繊維［日本電気硝子（株）製ＥＣＳＴ−５１
１、平均繊維径１３μｍ、平均繊維長６ｍｍ］ｃ成分カーボンブラック［三菱化成（株）製ＭＡ−１００］ｄ成分難燃剤：テトラブロモビスフェノールＡからのポリカー
ボネートオリゴマー［帝人化成（株）製ファイヤガード
ＦＧ−７０００］ｅ成分ポリテトラフルオロエチレン［ダイキン工業（株）製ポ
リフロンＴＦＥＦ−２０１Ｌ］ｆ成分リン酸エステル：トリメチルホスフェート

【００３４】

【表１】

【００３５】

【表２】

【００３６】

【発明の効果】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組
成物およびそれからの成形品は、基板が芳香族ポリカー
ボネート樹脂である不用な光学ディスクを、これに付着
している金属膜、インク、ＵＶコート膜等を取り除かず
にそのまま粉砕し、再溶融成形して得られる光沢度の高
い、剛性、耐衝撃性、耐熱性の良好なものであり、また
資源の有効利用ならびに環境保護の見地から、不用な光
学ディスクの再生利用に優れており、本発明の奏する工
業的効果は格別なものである。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（Ａ）（Ａ−１）基板が芳香族ポリカー
ボネート樹脂である光学ディスク粉砕化物１０〜１００
重量％（ａ−１成分）および（Ａ−２）芳香族ポリカー
ボネート樹脂９０〜０重量％（ａ−２成分）よりなる樹
脂混合物（ａ成分）および（Ｂ）無機充填剤（ｂ成分）
より実質的になり、ａ成分とｂ成分との割合が重量比で
４０：６０〜９５：５の範囲である芳香族ポリカーボネ
ート樹脂組成物。
【請求項２】該樹脂混合物（ａ成分）は、基板が芳香
族ポリカーボネート樹脂である光学ディスク粉砕化物３
０〜１００重量％（ａ−１成分）および芳香族ポリカー
ボネート樹脂７０〜０重量％（ａ−２成分）よりなる樹
脂混合物である請求項１記載の芳香族ポリカーボネート
樹脂組成物。
【請求項３】該樹脂混合物（ａ成分）と該無機充填剤
（ｂ成分）との割合が重量比で５０：５０〜９２：８で
ある請求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物。
【請求項４】該無機充填剤は、その少なくとも３０重
量％が繊維状無機充填剤である請求項１記載の芳香族ポ
リカーボネート樹脂組成物。
【請求項５】該芳香族ポリカーボネート樹脂組成物１
００重量部に対して、（ｃ）カーボンブラック（ｃ成
分）を０.０５〜５重量部さらに含有した請求項１記載
の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項６】該芳香族ポリカーボネート樹脂組成物１
００重量部に対して、（ｄ）ハロゲン系難燃剤またはリ
ン系難燃剤を１〜３０重量部（ｄ成分）さらに含有した
請求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項７】請求項１記載の芳香族ポリカーボネート
樹脂組成物より形成された成形品。