JPH09298327A

JPH09298327A - 圧電セラミックトランス

Info

Publication number: JPH09298327A
Application number: JP11269096A
Authority: JP
Inventors: Junichi Toyoda; 準一豊田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1996-05-07
Filing date: 1996-05-07
Publication date: 1997-11-18

Abstract

(57)【要約】【課題】より薄型化を図ることができる圧電セラミッ
クトランスを提供することを目的とする。【解決手段】本発明の圧電セラミックトランスは、長
方形板状の横効果圧電セラミック部と長方形板状の縦効
果圧電セラミック部とを有している。横効果圧電セラミ
ック部には入力側電極３ａ等を設け、縦効果圧電セラミ
ック部には出力側電極５を設けてある。さらに、圧電セ
ラミックトランスの入力側振動ノード部２ａおよび出力
側振動ノード部２ｂにはそれぞれ突起部１５ａ、１５ｂ
等を設けてある。このように、圧電セラミックトランス
の下側に突起部１５ａ、１５ｂ等を設けたので、この突
起部１５ａ、１５ｂ等を基板に直接ハンダ等で固定でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はジルコン酸チタン酸
鉛等の圧電セラミック素子を用いた圧電セラミックトラ
ンスに関し、特にそれぞれ長方形板状を有する縦効果圧
電セラミック部と横効果圧電セラミック部からなる圧電
セラミックトランスに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から圧電セラミックトランスは高圧
電源を得る方法として広く利用されている。圧電セラミ
ックトランスは非巻線型の変圧器であり、高電圧発生用
に適している。

【０００３】従来のローゼン型の圧電セラミックトラン
スの構造は図１０に示すとおりである。ここで、図１０
を参照してローゼン型の圧電セラミックトランスとその
特性について説明する。

【０００４】圧電セラミックトランスの全体を符号１で
示し、圧電セラミック素子を符号２で示す。この圧電セ
ラミック素子２の一方側の上下面にはＡｇ等の焼き付け
からなる入力側電極（図では一方のみを示してある）３
が形成され、両入力側電極３に端子リード４、４が接続
されている。一方、圧電セラミック素子２の他方側の端
面にはＡｇ等の焼き付けからなる出力側電極５が形成さ
れ、この出力側電極５に端子リード６が接続されてい
る。

【０００５】このように構成した圧電セラミックトラン
ス１は、端子リード４、４から交流電圧を印加すること
で、圧電セラミック素子２自体がその長さ方向へ伸縮に
よる振動が発生し、振動は出力側電極５の部分で最大と
なり、この振動を電気信号として端子リード６から出力
することができる特性を有する。

【０００６】ところで、圧電セラミックトランス１は圧
電セラミック素子２の寸法で決まる共振周波数近傍で動
作する。ここで、駆動周波数ｆは次式で決定される。

【０００７】ｆ＝Ｃ／２Ｌただし、Ｃはセラミックの音速Ｌは圧電セラミック素子の長さ方向の寸法

【０００８】上述した圧電セラミック素子２は、１／２
λ（λは波長）の整数倍の周波数で共振するが、通常良
好な特性の得られるλ共振を利用している。このλ共振
モードで使用した場合、圧電セラミック素子の振動は図
１０Ｂに示すようなサインカーブの長さ方向の変位特性
となる。つまり、圧電セラミック素子２には２つの変位
零の部分、すなわち入力側振動ノード部２ａおよび出力
側振動ノード部２ｂが両端からほぼ１／４の部分に生じ
る。

【０００９】ところで、上述したような圧電セラミック
トランスは、振動が最大となる出力側電極５から出力側
の端子リード６を取り出しているため、共振尖鋭度や出
力特性が低下するといった問題があった。特に、出力側
電極５の最大振動時には、出力側電極５と端子リード６
との接続部の破断や端子リード６自体が切断するといっ
た問題が生じ、リード線接続の信頼性が大きな問題とな
っていた。

【００１０】そこで、共振尖鋭度や出力特性を損なうこ
となく、出力側電極と端子リードとの接続部及び端子リ
ード自体の破断の信頼性を高めることのできる圧電セラ
ミックトランス及びその製造方法が提案された（特願平
７−２２０５６７）。

【００１１】図１１はその提案された圧電セラミックト
ランスの斜視図である。圧電セラミックトランスの全体
を符号１で示し、圧電セラミック素子を符号２で示す。
この圧電セラミック素子２の一方側の上下面にはＡｇ等
箔の焼き付けからなる入力側電極３、３が形成され、両
電極３、３に端子リード４、４が接続されている。一
方、圧電セラミック素子２の他方側の端面にはＡｇ等の
焼き付けからなる出力側電極５が形成されていることは
図１０Ａに示した圧電セラミックトランスの場合と同様
である。

【００１２】この圧電セラミックトランス１では、出力
側電極５に接続される端子リードを出力側電極５の部分
以外から取り出すようにしている。すなわち、圧電セラ
ミックトランス１の出力側電極５側における出力側振動
ノード部２ｂの両側面にはＡｇ等の焼き付けからなる出
力側リード電極７、７が形成されている。この出力側リ
ード電極７、７と出力側電極５とはセラミック素子の側
面部に同じくＡｇ等の焼き付けから形成した細幅状の導
電パターン８、８で各々接続している。そして、出力側
リード電極７、７に端子リード９、９が半田付け等によ
り接続されている。

【００１３】このように構成した圧電セラミックトラン
ス１は、変位零の位置である出力側振動ノード部２ｂの
位置に出力側リード電極７、７を設けたことにより、圧
電セラミックトランス１の最大振幅励振動時にあっても
出力側リード電極７、７の部分は振動することもない。
従って、出力側リード電極７、７に接続された端子リー
ド９はその接続部からの破断あるいは端子リード９自体
が切断するような危険を未然に回避することができる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の圧電セ
ラミックトランスでは、出力側リ−ド電極は振動ノ−ド
部にあり、上述の問題点は改善されている。しかし基板
等に実装する場合、保持用のケ−スが必要となり、薄型
化等の効果が損なわれている。

【００１５】すなわち、圧電トランスの保持は、振動ノ
−ド部２カ所を接着剤でケ−スに貼り付けて固定されて
おり、圧電トランス保持用のケ−スが必要となり、圧電
トランスの利点である薄型化の効果が損なわれるという
問題があった。

【００１６】本発明はこのような課題に鑑みてなされた
ものであり、より薄型化を図ることができる圧電セラミ
ックトランスを提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明の圧電セラミック
トランスは、長方形板状の横効果圧電セラミック部と長
方形板状の縦効果圧電セラミック部とを有し、横効果圧
電セラミック部に入力側電極を設け、縦効果圧電セラミ
ック部に出力側電極を設けた圧電セラミックトランスに
おいて、入力側振動ノード部および出力側振動ノード部
にそれぞれ突起部を設けたものである。

【００１８】また、本発明の圧電セラミックトランス
は、突起部に、入力側取り出し電極または出力側取り出
し電極を設けた上述構成の圧電セラミックトランスであ
る。

【００１９】本発明の圧電セラミックトランスによれ
ば、圧電セラミックトランスの下側に突起部を入力側振
動ノード部および出力側振動ノード部に設けたので、こ
の突起部を基板に直接ハンダ等で固定することができ
る。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明圧電セラミックトラ
ンスの一実施例について図１〜図６を参照しながら説明
する。

【００２１】図１および２は、本発明による圧電セラミ
ックトランスの構造図である。入力側電極は積層されて
いる。また、入力側電極を並列接続する入力側リード電
極１１、１１は入力側振動ノ−ド部２ａに位置してい
る。この入力側リード電極１１、１１と端子リード４、
４が接続している。

【００２２】一方、出力部は出力側リード電極７、７を
出力側振動ノ−ド部２ｂに形成し、この出力側リード電
極７、７と端子リード９、９が接続している。また、入
力側振動ノ−ド部２ａおよび出力側振動ノード部２ｂに
は突起部１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄが形成されて
いる。

【００２３】図１および２に示した圧電セラミックトラ
ンス１は、入力側が薄層の圧電セラッミク素子１０ａ、
１０ｂ、１０ｃ、１０ｄを積層した構造となっている。
これは、セラミックグリ−ンシ−トを焼成する方法によ
り、圧電セラミック素子と入力側電極との一体焼成によ
り作製されている。

【００２４】このような構造の圧電セラミックトランス
１の製造方法を図３〜図５、および工程図（図６）を用
いて説明する。

【００２５】まず、図６の「原料の混合」工程２５で
は、セラミック原料としてＰｂＯ（酸化鉛）、ＺｒＯ₂
（二酸化ジルコニウム）、ＴｉＯ₂（二酸化チタン）、
ＮｉＯ（酸化ニッケル）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、Ｎｂ₂
Ｏ₅（五酸化二ニオブ）、Ｂｉ ₂Ｏ₃（三酸化二ビスマ
ス）、ＭｎＯ₂（二酸化マンガン）を所定の割合に混合
し、ボールミルにて１５時間混合することで、例えばＰ
ｂＴｉＯ₃−ＰｂＺｒＯ ₃−Ｐｂ（Ｎｉ_1/3Ｎｂ_2/3）
Ｏ₃−Ｐｂ（Ｚｎ_1/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃−Ｂｉ_2/3ＴｉＯ
₃−ＭｎＯ₂を得るように調合する。

【００２６】次にこのようにして得た粉体をプレス成形
し、９００℃で２時間仮焼する。このように、仮焼して
得た仮焼粉１００重量部に対し、ポリビニルブチラール
からなる有機結剤５重量部、エチルアルコールからなる
有機溶剤１０重量部、ジブチルフタレート（ＤＢＰ）か
らなる可塑剤１重量部を調合してボールミルにて１５時
間混合してテープ成形用スラリーを得る。

【００２７】次に、図６の「セラミックグリーンシート
成形」工程２６では、テープキャステング法として知ら
れているドクターブレード法によってテープ成形用スラ
リーをベルト上に設けたホッパに流し込む。

【００２８】ベルトは駆動プーリ、及び被駆動プーリに
囲繞され、両プーリ間のベルトはエンドレスに移動して
いる。

【００２９】ポッパ内に流し込まれたスラリーはドクタ
ープレードによって所定厚みのシートとなされ、ベルト
上を移動させる途中に配設した赤外線等の乾燥炉で溶剤
を蒸発させて、厚さ３１０μｍのセラミックグリーンシ
ートを得る。なお、このセラミックグリーンシートはロ
ーラでベルトから剥離されて、テープ状の連続したセラ
ミックグリーンシートが得られる。

【００３０】次に、図６の「シートの打ち抜き」工程２
７では、テープ状のセラミックグリーンシートを打抜い
て、図３に示すように長さ３７．５ｍｍ、幅７．５ｍ
ｍ、厚さ３１０μｍの長方形板状のセラミックグリーン
シート１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄを４枚得る。

【００３１】次に、図６の「内部電極の印刷」工程２８
では、図３に示すように、所定形状に形成したセラミッ
クグリーンシート１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄのう
ちセラミックグリーンシート１４ｂ、１４ｃ、１４ｄの
上側の平面部に入力側電極３ｂ、３ｃ、３ｄを所定の形
状に印刷する。この入力側電極３ｂ、３ｃ、３ｄとして
はＡｇ−Ｐｄペースト等が用いられる。

【００３２】本実施例ではセラミックグリーンシート１
４ｂ、１４ｃ、１４ｄの長手方向の長さのほぼ半分ま
で、上側の平面部に入力側電極３ｂ、３ｃ、３ｄが形成
される。この入力側電極３ｂ、３ｃ、３ｄのパターンは
入力側電極３ｂ、３ｃ、３ｄの側辺の一方の中央部にＡ
ｇ−Ｐｄペーストが付着されていないの非導通部１２
ｂ、１２ｃ、１２ｄが形成されている。すなわち、各入
力側電極３ｂ、３ｃ、３ｄには入力側振動ノード部２ａ
に対応する部分に電極の形成されない部分１２ｂ、１２
ｃ、１２ｄが左右交互に設けられている。

【００３３】次に、図６の「積層」工程２９では、図３
に示すようにセラミックグリーンシート１４ａと、入力
側電極３ｂ、３ｃ、３ｄの形成されたセラミックグリー
ンシート１４ｂ、１４ｃ、１４ｄとを積層する。

【００３４】次に、積層されたセラミックグリーンシー
ト１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄを金型を用いて熱圧
着して一体化する。

【００３５】金型には、その底部に面積が０．６ｍｍ×
０．６ｍｍで深さが０．１３ｍｍの凹部を設けておく。
この凹部はグリーンシートの長手方向の側辺部で入力側
振動ノード部２ａおよび出力側振動ノード部２ｂの合計
４カ所に設ける。

【００３６】なお、上述のように金型に凹部を設けるだ
けでなく、この凹部に対応する穴を持ったスペーサを、
凹部を設けていない金型の底に設置しても良い。

【００３７】次に、図６の「焼成」工程３０では、この
一体化したものを１２００℃で３時間焼結することで図
４Ａに示すような圧電セラミック焼成体を得る。この
「焼成」工程３０では、グリーンシート１４ａ、１４
ｂ、１４ｃ、１４ｄは焼成により収縮するので、圧電セ
ラミック焼成体は、長さ３０ｍｍ、幅６ｍｍ、厚さ１ｍ
ｍ（厚さについては圧電セラミック素子１０ａ、１０
ｂ、１０ｃ、１０ｄの各厚さの合計値であり、圧電セラ
ミック素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄは一枚当た
り２５０μｍの厚さになる。）の長方形板状になってい
る。なお、図４Ａにおいては圧電セラミック素子１０
ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄに連続する圧電セラミック
焼成体の長手方向の半分より手前側は１枚からなるよう
に表現されているが、実際は４枚のセラミックグリーン
シート１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄを焼成したもの
である。

【００３８】また、圧電セラミック素子体の下には、そ
の入力側振動ノード部２ａおよび出力側振動ノード部２
ｂに、突起部１５ａ、１５ｃおよび突起部１５ｂ、１５
ｄがそれぞれ２個ずつ形成されている。これらの突起部
１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄは、その厚さが０．
ｍｍであり、その平面方向の面積が０．５ｍｍ×０．５
ｍｍである。

【００３９】次に、図６の「外部電極の形成」工程３１
では、図４Ｂに示すように圧電セラミック素子１０ａの
上側の平面部および圧電セラミック素子１０ｄの下側の
平面部にＡｇ等で入力側電極３ａ、３ｅを焼き付ける。

【００４０】また、圧電セラミック素子１０ａ、１０
ｂ、１０ｃ、１０ｄの長手方向に平行な側面の両方にＡ
ｇ等で入力側リード電極１１、１１を焼き付ける。入力
側電極１１、１１は図面の手前側と奥側で入力側振動ノ
ード部２ａの上に形成する。これにより、図面の手前側
の入力側リード電極１１と入力側電極３ｂ、３ｄとが電
気的に接続される。また、図面の奥側の入力側リード電
極１１と入力側電極３ａ、３ｃ、３ｅとが電気的に接続
される。

【００４１】また、圧電セラミック素子１０ａ、１０
ｂ、１０ｃ、１０ｄの長手方向に平行な側面の両方にＡ
ｇ等で出力側リード電極７、７および導電パターン８、
８を焼き付ける。出力側リード電極７、７および導電パ
ターン８、８は、図面の手前側および奥側に形成する。
また出力側リード電極７、７は出力側振動ノード部２ｂ
の上に形成する。

【００４２】さらに、圧電セラミック素子体の長手方向
に直角な側面のうち手前側の側面にＡｇ等で出力側電極
５を焼き付ける。これにより、図面の手前側の出力側リ
ード電極７と出力側電極５とが導電パターン８を介して
電気的に接続される。また、同様に図面の奥側の出力側
リード電極７も出力側電極５と導電パターン８を介して
電気的に接続される。

【００４３】次に、図６の「分極」工程３２に移る。す
なわち、出力側を分極するために図５Ａに示すように、
入力側電極３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅと出力側電極
５の間に２５ＫＶ／ｃｍの直流電圧を１００℃で１時間
印加する。これにより、圧電セラミック素子の長手方向
にＰ3 のように分極される。すなわち、長方形板状の縦
効果圧電セラミック素子が得られる。

【００４４】さらに、入力側を分極するため図５Ｂに示
すように、入力側電極３ａ、３ｃ、３ｅと入力側電極３
ｂ、３ｄの間に２５ＫＶ／ｃｍの直流電圧を１００℃で
１時間の条件下で印加する。これにより、圧電セラミッ
ク素子１０ａ、１０ｃはＰ1の方向に分極され、圧電セ
ラミック素子１０ｂ、１０ｄはＰ2 の方向に分極され
る。すなわち、積層された長方形板状の横効果圧電セラ
ミック素子が得られる。以上により、図１、２に示すよ
うな積層型の圧電セラミックトランス１が得られる。

【００４５】図１に示すように、本発明の圧電セラミッ
クトランス１の大きさは長さ３０ｍｍ、幅６ｍｍ、厚さ
１ｍｍであり、図面の左側半分は積層した横効果圧電セ
ラミック部１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄよりなり、
右側半分は縦効果圧電セラミック部よりなっている。ま
た、突起部１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄを形成して
もその厚みは薄く圧電セラミックトランスの振動に悪影
響は少なく、入出力特性は突起部を有しない圧電セラミ
ックトランスとほぼ同等であった。

【００４６】なお、本実施例では、突起部１５ａ、１５
ｂ、１５ｃ、１５ｄの厚さを０．１ｍｍとしたが、この
厚さに限るものではなく０．１〜１ｍｍの範囲で変化さ
せることができる。ここで、厚さが０．１ｍｍより小さ
くなると圧電セラミックトランス１の基板への実装が困
難となり、他方、厚さが１ｍｍより大きくなると目的と
するもの以外の振動（スプリアスな振動）が生じ好まし
くない。

【００４７】また、本実施例では突起部１５ａ、１５
ｂ、１５ｃ、１５ｄの平面方向の大きさは、１ｍｍ×１
ｍｍとしたが、この範囲に限るものではなく、一辺の長
さを０．１〜２ｍｍの範囲で変化させることができる。
ここで、一辺の長さが０．１ｍｍより小さくなると突起
部の機械的強度が小さくなり、圧電セラミックトランス
を基板に設置したとき保持力が十分でない。また、一辺
の長さが２ｍｍよりも大きくなると上述したようなスプ
リアスな振動が生じ好ましくない。

【００４８】なお、圧電セラミック素子の材料として
は、ジルコン酸チタン酸鉛系セラミックを用いたが、他
の圧電セラミック素子の材料を用いても効果は同様であ
る。また、圧電セラミック素子の貼り合わせ方法は、グ
リーンシートを焼成する方法に限らず、圧電セラミック
素子を接着剤により張り合わせる方法等その他の方法を
採用することができる。

【００４９】以上のことから、本例によれば、圧電セラ
ミックトランスの下側に突起部を入力側振動ノード部お
よび出力側振動ノード部に設けたので、この突起部を基
板に直接接着剤、ハンダ等で固定することができる。す
なわち、基板に表面実装可能な圧電セラミックトランス
を実現することができる。

【００５０】従って、保持用のケ−スを用いることなく
基板に直接固定できるため、圧電セラミックトランスの
より薄型化を図ることができる。

【００５１】また、突起部を振動ノード部に形成したの
で、圧電セラミックトランスの突起部を基板に直接固定
しても、圧電セラミックトランスの特性への影響を小さ
くすることができる。

【００５２】次に、本発明圧電セラミックトランスの他
の実施例について図６〜図９を参照しながら説明する。

【００５３】図７および８は、本発明による圧電セラミ
ックトランスの構造図である。入力側振動ノ−ド部２ａ
および出力側振動ノード部２ｂには突起部１５ａ、１５
ｂ、１５ｃ、１５ｄが形成されている。入力側電極は積
層されている。また、入力側電極を並列接続する入力側
リード電極１１、１１は入力側振動ノ−ド部２ａに位置
している。この入力側リード電極１１、１１と入力側取
り出し電極１６ａ、１６ｃが接続している。

【００５４】一方、出力部は出力側リード電極７、７を
出力側振動ノ−ド部２ｂに形成している。この出力側リ
ード電極７、７と出力側取り出し電極１６ｂ、１６ｄが
接続している。

【００５５】図７および８に示した圧電セラミックトラ
ンス１は、入力側が薄層の圧電セラッミク素子１０ａ、
１０ｂ、１０ｃ、１０ｄを積層した構造となっている。
これは、セラミックグリ−ンシ−トを焼成する方法によ
り、圧電セラミック素子と入力側電極との一体焼成によ
り作製されている。

【００５６】このような構造の圧電セラミックトランス
１の製造方法を図９および工程図（図６）を用いて説明
する。

【００５７】ここで、本実施例の圧電セラミックトラン
ス１の製造方法（図６参照）は、上述した実施例と比較
すると、「外部電極の形成」工程３１を異にしている。
また、上述実施例のように端子リードを設ける工程が不
要である。

【００５８】そこで、図６における「外部電極の形成」
工程３１について説明する。「外部電極の形成」工程３
１では、図９Ｂに示すように圧電セラミック素子１０ａ
（図９Ａ参照）の上側の平面部および圧電セラミック素
子１０ｄの下側の平面部にＡｇ等で入力側電極３ａ、３
ｅを焼き付ける。

【００５９】また、圧電セラミック素子１０ａ、１０
ｂ、１０ｃ、１０ｄの長手方向に平行な側面の両方にＡ
ｇ等で入力側リード電極１１、１１を焼き付ける。入力
側電極１１、１１は図面の手前側と奥側で入力側振動ノ
ード部２ａの上に形成する。これにより、図面の手前側
の入力側リード電極１１と入力側電極３ｂ、３ｄとが電
気的に接続される。また、図面の奥側の入力側リード電
極１１と入力側電極３ａ、３ｃ、３ｅとが電気的に接続
される。

【００６０】また、入力側取り出し電極１６ａ、１６ｃ
をそれぞれ突起部１５ａ、１５ｃの側面部及び底面部に
Ａｇ等で焼き付ける。これにより、入力側リード電極１
１、１１はそれぞれ入力側取り出し電極１６ａ、１６ｃ
と電気的に接続される。

【００６１】また、圧電セラミック素子１０ａ、１０
ｂ、１０ｃ、１０ｄの長手方向に平行な側面の両方にＡ
ｇ等で出力側リード電極７、７および導電パターン８、
８を焼き付ける。出力側リード電極７、７および導電パ
ターン８、８は、図面の手前側および奥側に形成する。
また出力側リード電極７、７は出力側振動ノード部２ｂ
の上に形成する。

【００６２】また、入力側取り出し電極１６ｂ、１６ｄ
をそれぞれ突起部１５ｂ、１５ｄの側面部及び底面部に
Ａｇ等で焼き付ける。これにより、出力側リード電極
７、７はそれぞれ出力側取り出し電極１６ｂ、１６ｄと
電気的に接続される。

【００６３】さらに、圧電セラミック素子体の長手方向
に直角な側面のうち手前側の側面にＡｇ等で出力側電極
５を焼き付ける。これにより、図面の手前側の出力側リ
ード電極７と出力側電極５とが導電パターン８を介して
電気的に接続される。また、同様に図面の奥側の出力側
リード電極７も出力側電極５と導電パターン８を介して
電気的に接続される。以上により、図７、８に示すよう
な積層型の圧電セラミックトランス１が得られる。

【００６４】図７に示すように、本発明の圧電セラミッ
クトランス１の大きさは長さ３０ｍｍ、幅６ｍｍ、厚さ
１ｍｍであり、図面の左側半分は積層した横効果圧電セ
ラミック部１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄからなり、
右側半分は縦効果圧電セラミック部からなっている。ま
た、突起部１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄを形成して
もその厚みは薄く圧電トランスの振動に悪影響は少な
く、入出力特性は従来の圧電セラミックトランスとほぼ
同等であった。

【００６５】以上のことから、本例によれば、圧電セラ
ミックトランスの下側に突起部を入力側振動ノード部お
よび出力側振動ノード部に設けたので、この突起部を基
板に直接ハンダ等で固定することができる。すなわち、
基板に表面実装可能な圧電セラミックトランスを実現す
ることができる。

【００６６】また、取り出し電極を突起部の側面部及び
底面部に設けたので、端子リードを必要とせずそれだけ
圧電セラミックトランスの小型化を図ることができる。

【００６７】また、保持用のケ−スを用いることなく基
板に直接固定できるため、圧電セラミックトランスのよ
り薄型化を図ることができる。

【００６８】また、突起部を振動ノード部に形成したの
で、圧電セラミックトランスの突起部を基板に直接ハン
ダ付けしても、圧電セラミックトランスの特性への影響
を小さくすることができる。

【００６９】なお、本発明は上述の実施例に限らず本発
明の要旨を逸脱することなくその他種々の構成を採り得
ることはもちろんである。

【００７０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
圧電セラミックトランスの下側に突起部を入力側振動ノ
ード部および出力側振動ノード部に設けたので、この突
起部を基板に直接ハンダ等で固定することができる。す
なわち、基板に表面実装可能な圧電セラミックトランス
を実現することができる。

【００７１】また、保持用のケ−スを用いることなく基
板に直接固定できるため、圧電セラミックトランスのよ
り薄型化を図ることができる。

【００７２】また、突起部を振動ノード部に形成したの
で、圧電セラミックトランスの突起部を基板に直接ハン
ダ付けしても、圧電セラミックトランスの特性への影響
を小さくすることができる。

【００７３】また、本発明によれば、取り出し電極を突
起部の側面部及び底面部に設けたので、端子リードを必
要とせずそれだけ圧電セラミックトランスの小型化を図
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明圧電セラミックトランスの一実施例を示
す斜視図である。

【図２】本発明圧電セラミックトランスの一実施例を示
す平面図、側面図、および裏面図である。

【図３】本発明圧電セラミックトランスの製造工程を示
す斜視図である。

【図４】本発明圧電セラミックトランスの製造工程を示
す斜視図である。

【図５】本発明圧電セラミックトランスの分極の工程を
示す側面図である。

【図６】本発明圧電セラミックトランスの製造工程を示
すフロー図である。

【図７】本発明圧電セラミックトランスの他の実施例を
示す斜視図である。

【図８】本発明圧電セラミックトランスの他の一実施例
を示す平面図、側面図、および裏面図である。

【図９】本発明圧電セラミックトランスの製造工程をを
示す斜視図である。

【図１０】従来の圧電セラミックトランスの例を示す斜
視図である。

【図１１】従来の圧電セラミックトランスの例を示す斜
視図である。

【符号の説明】

１圧電セラミックトランス、２圧電セラミック素
子、２ａ入力側振動ノード部、２ｂ出力側振動ノー
ド部、３，３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ入力側電
極、４端子リード、５出力側電極、６端子リー
ド、７出力側リード電極、８導電パターン、９端
子リード、１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ圧電セラ
ミック素子、１１入力側リード電極、１４ａ，１４
ｂ，１４ｃ，１４ｄセラミックグリーンシート、１５
ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ突起部、１６ａ，１６ｃ
入力側取り出し電極、１６ｂ，１６ｄ出力側取り出
し電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】長方形板状の横効果圧電セラミック部と
長方形板状の縦効果圧電セラミック部とを有し、上記横効果圧電セラミック部に入力側電極を設け、上記
縦効果圧電セラミック部に出力側電極を設けた圧電セラ
ミックトランスにおいて、入力側振動ノード部および出力側振動ノード部にそれぞ
れ突起部を設けたことを特徴とする圧電セラミックトラ
ンス。
【請求項２】突起部に、入力側取り出し電極または出
力側取り出し電極を設けたことを特徴とする請求項１記
載の圧電セラミックトランス。