JPH09292715A - リソグラフィー用下地材及びそれを用いたリソグラフィー用レジスト材料 - Google Patents
リソグラフィー用下地材及びそれを用いたリソグラフィー用レジスト材料Info
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- JPH09292715A JPH09292715A JP8105921A JP10592196A JPH09292715A JP H09292715 A JPH09292715 A JP H09292715A JP 8105921 A JP8105921 A JP 8105921A JP 10592196 A JP10592196 A JP 10592196A JP H09292715 A JPH09292715 A JP H09292715A
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Abstract
り、基板からの反射光を十分に抑制でき、インターミキ
シングやノッチングを生じることなく、マスクパターン
に対して忠実なレジストパターンを与え、しかも選択比
の大きなリソグラフィー用下地材及びそれを用いたリソ
グラフィー用レジスト材料を提供する。 【解決手段】 (A)少なくとも1個のアミノ基又はア
ルキル置換アミノ基をもつベンゾフェノン系及びアゾメ
チン系化合物の中から選ばれた紫外線吸収剤と、(B)
ヒドロキシアルキル基やアルコキシアルキル基で置換さ
れたアミノ基を少なくとも2個有する含窒素化合物の中
から選ばれた架橋剤を、重量比1:1ないし1:10の
割合で含有するリソグラフィー用下地材、及びこの下地
材の層を基板上に設け、その上に放射線感応性レジスト
層を設けて成るリソグラフィー用レジスト材料である。
Description
ィー用下地材及びそれを用いたリソグラフィー用レジス
ト材料に関するものである。さらに詳しくいえば、本発
明は、基板とレジスト層との間に設けることにより、基
板からの反射光を十分に抑制でき、インターミキシング
やノッチングを生じることなく、マスクパターンに対し
て忠実なレジストパターンを与え、しかも選択比の大き
なリソグラフィー用下地材、及びこの下地材の層を基板
とレジスト層との間に介在させて成るリソグラフィー用
レジスト材料に関するものである。
デバイスの集積度の向上に伴い、露光光の短波長化が進
み、i線(365nm)、遠紫外線、エキシマレーザー
を用いたリソグラフィー技術が中核となりつつある。こ
のような露光光の短波長化が進むと基板からの反射光が
大きくなるため、反射光によるレジストパターンの局所
的な歪み(ノッチング)や寸法精度の劣化などの不都合
が生じる。したがって、このような不都合を抑制するた
めに、基板とレジスト層との間に反射防止膜を介在させ
るARC(Anti−Reflective Coat
ing)法が注目されるようになり、これまで種々の反
射防止膜(下地材)が提案されている。
した反射防止膜を基板とレジスト層との間に設けたレジ
スト材料があるが(特開昭59−93448号公報)、
この反射防止膜は、樹脂成分としてポリアミン酸、ポリ
ブテンスルホン酸を用いているため、レジスト層や基板
との密着性を欠き、時間が経過すると剥離が生じたり、
あるいは現像時に残渣(スカム)を生じるなどの欠点が
あった。
者らは、先に、グリシジルメタクリレートとメチルメタ
クリレートとの共重合体に紫外線吸収剤を含有させたリ
ソグラフィー用下地材を提案した(特開平6−3520
1号公報)。しかしながら、この下地材においては、紫
外線吸収剤と樹脂成分との間の相容性が小さいため、配
合しうる紫外線吸収剤の量に制限があり、その量を超え
て配合した場合、その上に設けるレジスト層と下地材層
との間にインターミキシングを生じ、反射防止効果を十
分に発揮することができない上、半導体デバイスの微細
化に対応して、十分に満足しうるマスクパターンの寸法
精度が得られない。また、作業能率やマスクパターンに
対する忠実度を高めるには、レジスト層のエッチング速
度に対する下地材のエッチング速度の比、すなわち、選
択比を大きくすることが望ましいが、この下地材ではこ
の選択比を十分に大きくすることができない。
事情のもとで、基板とレジスト層との間に設けることに
より、基板からの反射光を十分に抑制でき、インターミ
キシングやノッチングを生じることなく、マスクパター
ンに対して忠実なレジストパターンを与え、しかも選択
比の大きなリソグラフィー用下地材、及びこのものを用
いたリソグラフィー用レジスト材料を提供することを目
的としてなされたものである。
フィー用下地材の組成について鋭意研究を重ねた結果、
ある種の紫外線吸収剤と架橋剤とを所定の割合で含有さ
せると、インターミキシングやノッチングを生じること
なく、基板からの反射光を十分に抑制しうることを見出
し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
とも1個のアミノ基又はアルキル置換アミノ基をもつベ
ンゾフェノン系化合物及び(b)少なくとも1個のアミ
ノ基又はアルキル置換アミノ基をもつアゾメチン系化合
物の中から選ばれた紫外線吸収剤と、(B)ヒドロキシ
アルキル基又はアルコキシアルキル基あるいはその両方
で置換されたアミノ基を少なくとも2個有する含窒素化
合物の中から選ばれた架橋剤を、重量比1:1ないし
1:10の割合で含有することを特徴とするリソグラフ
ィー用下地材、及びこの下地材を用いたリソグラフィー
用レジスト材料を提供するものである。
における、(A)成分の紫外線吸収剤は、(a)少なく
とも1個のアミノ基又はアルキル置換アミノ基をもつベ
ンゾフェノン系化合物及び(b)少なくとも1個のアミ
ノ基又はアルキル置換アミノ基をもつアゾメチン系化合
物の中から選ばれる。
は、紫外線に対する高い吸光度を有し、かつ(B)成分
の架橋剤に対し、架橋反応促進作用を有するアミノ基又
はアルキル置換アミノ基を少なくとも1個有するもので
あればよく、特に制限はないが、吸光度及び架橋反応促
進作用が優れているところから、一般式
アミノ基又は水酸基であって、その中の少なくとも1個
はアミノ基又はアルキル置換アミノ基であり、m及びn
は1又は2である)で表わされるベンゾフェノン系化合
物が好適である。
うちのアルキル置換アミノ基はモノアルキル置換アミノ
基及びジアルキル置換アミノ基のいずれであってもよ
く、例えばメチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、n‐プロピルアミノ基、
ジ‐n‐プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジ
イソプロピルアミノ基などのモノ又はジ低級アルキル置
換アミノ基が挙げられるが、これらの中でジ低級アルキ
ル置換アミノ基が好ましい。このR1及びR2はたがいに
同一であってもよいし、異なっていてもよい。また、m
が2の場合、2つのR1はたがいに同一であってもよい
し、異なっていてもよく、nが2の場合、2つのR2は
たがいに同一であってもよいし、異なっていてもよい。
ゾフェノン系化合物の例としては、2‐ヒドロキシ‐
4′‐ジメチルアミノベンゾフェノン[365nmにお
けるグラム吸光係数(以下εと略記)=78.9]、
2,4‐ジヒドロキシ‐4′‐ジメチルアミノベンゾフ
ェノン(ε=96.2)、2,4‐ジヒドロキシ‐4′
‐ジエチルアミノベンゾフェノン(ε=87.3)、
4,4′‐ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン(ε
=102.8)、4,4′‐ビス(ジメチルアミノ)ベ
ンゾフェノン(ε=95.0)などを挙げることができ
るが、これらの中で、グラム吸光係数εが大きい4,
4′‐ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンが反射防
止効果に優れ、好適である。
物は、紫外線に対する高い吸光度を有し、かつ(B)成
分の架橋剤に対し、架橋反応促進作用を有するアミノ基
又はアルキル置換アミノ基を少なくとも1個有するもの
であればよく、特に制限はないが、吸光度及び架橋反応
促進作用が優れているところから、一般式 Ar−CH=N−Ar′ (II) (式中のAr及びAr′は、それぞれアミノ基、アルキ
ル置換アミノ基、水酸基、ニトロ基、ハロゲン原子、ア
ルキル基及びアルコキシ基の中から選ばれた置換基を有
するアリール基であって、Ar及びAr′の置換基のう
ち、少なくとも1個はアミノ基又はアルキル置換アミノ
基である)で表わされるアゾメチン系化合物、あるいは
一般式
換アミノ基、水酸基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルキ
ル基及びアルコキシ基の中から選ばれた置換基である
が、その少なくとも一方はアミノ基又はアルキル置換ア
ミノ基であり、Xは−CH=N−又は−N=CH−で示
される結合である)で表わされるアゾメチン系化合物が
好適である。
て、Ar及びAr′の置換基及びR 3及びR4のうちのア
ルキル置換アミノ基はモノアルキル置換アミノ基及びジ
アルキル置換アミノ基のいずれであってもよく、例えば
メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、
ジエチルアミノ基、n‐プロピルアミノ基、ジ‐n‐プ
ロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピ
ルアミノ基などのモノ又はジ低級アルキル置換アミノ基
が挙げられるが、これらの中でジ低級アルキル置換アミ
ノ基が好ましい。また、ハロゲン原子としては、F、C
l、Br、Iが、アルキル基としては、例えばメチル
基、エチル基、n‐プロピル基、イソプロピル基などの
低級アルキル基が、アルコキシ基としては、例えばメト
キシ基、エトキシ基、n‐プロポキシ基、イソプロポキ
シ基などの低級アルコキシ基が挙げられる。さらに、A
r及びAr′のアリール基としては、フェニル基及びナ
フチル基が好ましく挙げられる。上記Ar及びAr′は
たがいに同一であってもよいし、異なっていてもよく、
また、R3及びR4はたがいに同一であってもよいし、異
なっていてもよい。
ン系化合物の例としては、3‐ヒドロキシ‐N‐(4‐
ジエチルアミノベンジリデン)アニリン、2‐ヒドロキ
シ‐N‐(4‐ジエチルアミノベンジリデン)アニリ
ン、4‐ヒドロキシ‐N‐(4‐ジエチルアミノベンジ
リデン)アニリン、4‐ヒドロキシ‐N‐(4‐ジエチ
ルアミノベンジリデン)‐1‐ナフチルアミン、2‐ヒ
ドロキシ‐5‐クロロ‐N‐(4‐ジエチルアミノベン
ジリデン)アニリン、2,4‐ジヒドロキシ‐N‐(4
‐ジエチルアミノベンジリデン)アニリン、3‐ニトロ
‐4‐ヒドロキシ‐N‐(4‐ジエチルアミノベンジリ
デン)アニリン(ε=115.2)、2‐メチル‐4‐
ヒドロキシ‐N‐(4‐ジエチルアミノベンジリデン)
アニリン、3‐ヒドロキシ‐4‐メトキシ‐N‐(4‐
ジエチルアミノベンジリデン)アニリン(ε=102.
0)、4‐ジエチルアミノ‐N‐(3‐ヒドロキシ‐4
‐メトキシベンジリデン)アニリンなどが挙げられる
が、これらの中で、グラム吸光係数εが大きい3‐ニト
ロ‐4‐ヒドロキシ‐N‐(4‐ジエチルアミノベンジ
リデン)アニリンが反射防止効果に優れ、好適である。
アゾメチン系化合物の例としては、
ル化合物やフタル酸ジエステル化合物などが挙げられ
る。この一般式(III)で表わされるアゾメチン系化
合物は、前記一般式(II)で表わされるアゾメチン系
化合物に比べて、下地材層を形成するための加熱の際に
昇華しにくいので有利である。特に、フタル酸ジエステ
ル化合物が溶剤に対する溶解性がよいため好ましい。本
発明においては、この(A)成分の紫外線吸収剤は単独
で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよ
い。
て、ヒドロキシアルキル基又はアルコキシアルキル基あ
るいはその両方で置換されたアミノ基を少なくとも2個
有する含窒素化合物の中から選ばれた架橋剤が用いられ
る。
アミノ基の水素原子がメチロール基又はアルコキシメチ
ル基あるいはその両方で置換されたメラミン、尿素、グ
アナミン、グリコールウリル、スクシニルアミド、エチ
レン尿素などを挙げることができる。これらの含窒素化
合物は、例えばメラミン、尿素、グアナミン、グリコー
ルウリル、スクシニルアミド、エチレン尿素などを、沸
騰水中においてホルマリンと反応させてメチロール化す
ることにより、あるいはこれにさらに低級アルコール、
具体的にはメタノール、エタノール、n‐プロパノー
ル、イソプロパノールなどを反応させてアルコキシル化
することにより、容易に得られる。
ロール基又はアルコキシメチル基であるが、その少なく
とも2個はメチロール基又はアルコキシメチル基であ
る)で表わされるメラミン誘導体が架橋反応性がよく好
ましい。このメラミン誘導体は二量体又は三量体として
存在していてもよく、またメラミン環1個当り、メチロ
ール基又はアルコキシメチル基を平均3以上6未満有す
るものが好ましい。
品のメラミン環1個当りメトキシメチル基が平均3.7
個置換されているMx−750、メラミン環1個当りメ
トキシメチル基が平均5.8個置換されているMw−3
0(いずれも三和ケミカル社製)などを用いることがで
きる。
の架橋剤は1種用いてもよいし、2種以上を組み合わせ
て用いてもよい。また、前記(A)成分の紫外線吸収剤
と(B)成分の架橋剤との含有割合は、重量比1:1な
いし1:10の範囲で選ぶことが必要である。(A)成
分の含有量が前記範囲より少ないと基板からの反射光を
十分に抑制することができないし、また前記範囲より多
いと下地材としての他の性能がそこなわれる。基板から
の反射光の抑制効果及び下地材としての他の性能のバラ
ンスの面などから、(A)成分と(B)成分の好ましい
含有割合は、重量比1:1.2ないし1:3.5の範囲
である。
要に応じて、相容性のある添加剤、例えば(A)成分と
(B)成分との架橋反応の促進剤として有効な2,
2′,4,4′‐テトラヒドロキシベンゾフェノン、あ
るいは酢酸、シュウ酸、マレイン酸,o‐ヒドロキシ安
息香酸、3,5‐ジニトロ安息香酸、2,6‐ジヒドロ
キシ安息香酸,o‐ヒドロキシ安息香酸とp‐キシリレ
ンとの共重合体として市販されているSAX(三井東圧
化学社製)などの有機酸を、下地材の固形分に対して、
80重量%未満の範囲で添加することができる。特に、
2,2′,4,4′‐テトラヒドロキシベンゾフェノン
の併用は、これが紫外線吸収剤としても作用し、反射防
止効果が向上するので有利である。
ラフィー用下地材の膜厚によっては、所望の選択比が異
なるので、目的の選択比とするために、必要に応じ、ア
クリル系樹脂を添加することができる。
タ)アクリレート、メチル(メタ)アクリレート、エチ
ル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレー
トなどのアルキル(メタ)アクリレートなどを原料モノ
マーとして得られる重合体が好ましく、このような重合
体としては、例えば重量平均分子量が1万〜20万、好
ましくは2万〜10万の範囲にあるポリグリシジル(メ
タ)アクリレート、ポリメチル(メタ)アクリレート、
ポリエチル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)
アクリレートとメチルアクリレートとの共重合体などが
挙げられる。なお、ここで(メタ)アクリレートは、ア
クリレートとメタクリレートの両方を指す。これらの中
で、グリシジルアクリレートとメチルメタクリレートと
の重量比2:8ないし8:2、好ましくは3:7ないし
7:3の共重合体がインターミキシング層が発生しにく
く、高選択比のリソグラフィー用下地材が得られるの
で、特に好ましい。このようなアクリル系樹脂は、下地
材の固形分に対して、40重量%未満の範囲で添加する
のが有利である。
防止のための界面活性剤を添加することができる。この
ような界面活性剤としては、サーフロンSC−103、
SR−100(旭硝子社製)、EF−351(東北肥料
社製)、フロラードFc−431、フロラードFc−1
35、フロラードFc−98、フロラードFc−43
0、フロラードFc−176(住友3M社製)などのフ
ッ素系界面活性剤が挙げられ、その添加量は、下地材の
固形分に対して、2000ppm未満の範囲で選ぶのが
よい。
の(A)成分、(B)成分及び必要に応じて用いられる
各種添加成分を適当な溶剤に溶解して溶液の形で用いる
のが好ましい。
ン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘ
キサノン、メチルイソアミルケトン、2‐ヘプタノン、
1,1,1‐トリメチルアセトンなどのケトン類や、エ
チレングリコール、エチレングリコールモノアセテー
ト、ジエチレングリコール又はジエチレングリコールモ
ノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリ
コールモノアセテート、あるいはこれらのモノメチルエ
ーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、
モノブチルエーテル又はモノフェニルエーテルなどの多
価アルコール類及びその誘導体や、ジオキサンのような
環状エーテル類や、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチ
ル、3‐メトキシプロピオン酸メチル、3‐エトキシプ
ロピオン酸エチルなどのエステル類などを挙げることが
できる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上を混
合して用いてもよい。
は、前記下地材の層をリソグラフィー用基板上に設け、
その上に放射線感応性レジスト層を設けてなるものであ
る。この放射線感応性レジスト層の形成に用いられるレ
ジストとしては、放射線感応性であって、アルカリ溶液
を用いて現像しうるものであればよく、特に制限され
ず、ネガ型、ポジ型のいずれも用いることができる。こ
のような放射線感応性レジストとしては、例えば、ナフ
トキノンジアジド化合物とノボラック樹脂を含有するポ
ジ型レジスト、露光により酸を発生する化合物、酸によ
り分解しアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する化合
物及びアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型レジスト、
露光により酸を発生する化合物、酸により分解しアルカ
リ水溶液に対する溶解性が増大する基を有するアルカリ
可溶性樹脂を含有するポジ型レジスト、露光により酸を
発生する化合物、架橋剤、アルカリ可溶性樹脂を含有す
るネガ型レジストなどが挙げられるが、これらに限定さ
れるものではない。
製造するには、例えば、まず、リソグラフィー用基板上
に、本発明の下地材を上記した有機溶剤に溶解して調製
した下地材溶液をスピンナーなどにより回転塗布したの
ち、100〜300℃の温度でベークし、0.05〜
0.3μm程度の膜厚の下地材層を形成する。この温度
で本発明の下地材は架橋反応を生じ、アルカリ溶液に対
して不溶となり、上記レジスト層とのインターミキシン
グ層を形成しにくくなる。このようにして下地材層を形
成したのち、この上に放射線感応性レジストをスピンナ
ーなどにより回転塗布し、乾燥して、厚さ0.5〜5μ
m程度の放射線感応性レジスト層を形成させればよい。
ソグラフィー用レジスト材料の好適な使用方法の1例に
ついて説明すると、まず、このリソグラフィー用レジス
ト材料の放射線感応性レジスト層に、g線、i線、De
ep UV、エキシマレーザー、エックス線などをマス
クを介して選択的に照射するか、あるいは電子線を走査
しながら照射したのち、加熱処理を施す。次いで、例え
ば2〜10重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シドやコリンなどの有機アルカリ水溶液を用いて現像処
理することにより、ポジ型であれば放射線の照射部分
が、ネガ型であれば非照射部分が選択的に溶解除去され
て、マスクパターンに忠実なレジストパターンが形成さ
れる。
クとして、塩素ガスなどを用いたドライエッチング法に
よりパターン化する。なお、選択比を高くするために上
層レジスト層をシリル化することは既に公知の方法であ
るが、このシリル化処理を組み合わせて行ってもよい。
このようなシリル化処理の1例としては、上層レジスト
をパターンニングしたのち、ヘキサメチルジシラザン、
ヘキサメチルシクロトリシラザン、他の多官能性シラザ
ン類などのシリル化剤の蒸気に、30〜100℃の範囲
の温度で1〜60分間該パターンニングしたレジスト層
をさらすことによって行うことができるが、これらに限
定されるものではない。
れを基板とレジスト層との間に設けることにより、基板
からの反射光を十分に抑制でき、インターミキシングや
ノッチングを生じることなく、マスクパターンに対して
忠実なレジストパターンを与え、しかも選択比を大きく
することができるという利点がある。
明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定さ
れるものではない。なお、各実施例及び比較例における
各特性は以下の方法により評価した。
ング条件で乾燥後の上層レジストのエッチングレートを
Xとし、乾燥後の下地材層のエッチングレートをYとし
た場合、Y/Xを選択比とした。
走査型電子顕微鏡で観察し、上層レジスト層と下地材層
との境界にインターミキシング層が形成されていない場
合を○、インターミキシング層が形成されている場合を
×とした。
ターンを介し、実施例1に記載した条件で露光、露光後
の加熱処理、現像、ドライエッチングの一連の処理を施
し、試料の平面上に平行に形成させた数本の直線状レジ
ストパターンを観察し、変形が認められないものを○、
各直線状にゆがみを生じた場合を×とした。
パターンを介し、実施例1に記載した条件で露光、露光
後の加熱処理、現像、ドライエッチングの一連の処理を
施した際のレジストの膜厚の変化に対するレジストのパ
ターン寸法変化量を求めた。なお、この寸法変化量が小
さいほど、露光光の反射防止効果が大きいことを示す。
換されているMx−750(三和ケミカル社製)5g、
4,4′‐ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン3
g、2,2′,4,4′‐テトラヒドロキシベンゾフェ
ノン5gをプロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート150gに溶解し、さらにフッ素系界面活性剤
Fc−430(住友3M社製)1000ppmを溶解
し、孔径が0.2μmのメンブランフィルターを用いて
ろ過することによって、下地材溶液を調製した。
製 シリコンウエーハ上に上記(1)で得られた下地材溶液
をスピンナー塗布して、90℃で90秒間乾燥処理を行
い、次いで180℃で5分間加熱し、厚さ約0.10μ
mの下地材層を形成した。次にナフトキノンジアジド化
合物とノボラック樹脂からなるポジ型ホトレジストであ
るTSMR−iP3300[東京応化工業(株)製]を
下地材層上にスピンナー塗布して、90℃にて、90秒
間乾燥し、膜厚1.00μmのレジスト層を形成し、リ
ソグラフィー用レジスト材料を作製した。
−2005i10D(ニコン社製)を用いてマスクパタ
ーンを介して露光し、次いで露光後加熱処理(PEB)
を110℃で90秒間行ったのち、2.38重量%テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて現像し、
レジストパターンを形成した。次にプラズマエッチング
装置TUE−1102[東京応化工業(株)製]を用い
て、塩素ガスをエッチング剤として、30mTorr、
出力150W、温度20℃にて、ドライエッチングを行
った。このようにして特性を評価した結果を表1に示
す。
0のグリシジルメタクリレートとメチルメタクリレート
(重量比1:1)の共重合体1.3gをさらに加え、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを1
90gにした以外は、実施例1(1)と同様にして下地
材溶液を調製した。
製及び評価 実施例1(2)において、下地材溶液として上記(1)
で得られたものを用いた以外は、実施例1(2)と同様
にしてリソグラフィー用レジスト材料を作製したのち、
実施例1(3)と同様にして評価を行った。結果を表1
に示す。
換されているMx−750(三和ケミカル社製)5g、
3‐ニトロ‐4‐ヒドロキシ‐N‐(4‐ジエチルアミ
ノベンジリデン)アニリン3g、2,2′,4,4′‐
テトラヒドロキシベンゾフェノン5g、重量平均分子量
が60,000のグリシジルメタクリレートとメチルメ
タクリレート(重量比1:1)の共重合体1.3gをプ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート19
0gに溶解し、さらにフッ素系界面活性剤Fc−430
(住友3M社製)1000ppmを溶解し、孔径が0.
2μmのメンブランフィルターを用いてろ過することに
よって、下地材溶液を調製した。
製及び評価 実施例1(2)において、下地材溶液として上記(1)
で得られたものを用いた以外は、実施例1(2)と同様
にしてリソグラフィー用レジスト材料を作製したのち、
実施例1(3)と同様にして評価を行った。結果を表1
に示す。
換されているMx−750(三和ケミカル社製)5g、
式
ヒドロキシベンゾフェノン4gをプロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート127gに溶解し、さら
にフッ素系界面活性剤Fc−430(住友3M社製)1
000ppmを溶解し、孔径が0.2μmのメンブラン
フィルターを用いてろ過することによって、下地材溶液
を調製した。
製及び評価 実施例1(2)において、下地材溶液として上記(1)
で得られたものを用いた以外は、実施例1(2)と同様
にしてリソグラフィー用レジスト材料を作製したのち、
実施例1(3)と同様にして評価を行った。結果を表1
に示す。
ートとメチルメタクリレート(重量比1:1)の共重合
体9gと2,2′,4,4′‐テトラヒドロキシベンゾ
フェノン5g及びフッ素系界面活性剤であるFc−43
0(住友3M社製)1000ppmをプロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート200gに溶解し、
孔径が0.2μmのメンブランフィルターを用いてろ過
することによって、下地材溶液を調製した。
製及び評価 実施例1(2)において、下地材溶液として上記(1)
で得られたものを用いた以外は、実施例1(2)と同様
にしてリソグラフィー用レジスト材料を作製したのち、
実施例1(3)と同様にして評価を行った。結果を表1
に示す。
Claims (6)
- 【請求項1】 (A)(a)少なくとも1個のアミノ基
又はアルキル置換アミノ基をもつベンゾフェノン系化合
物及び(b)少なくとも1個のアミノ基又はアルキル置
換アミノ基をもつアゾメチン系化合物の中から選ばれた
紫外線吸収剤と、(B)ヒドロキシアルキル基又はアル
コキシアルキル基あるいはその両方で置換されたアミノ
基を少なくとも2個有する含窒素化合物の中から選ばれ
た架橋剤を、重量比1:1ないし1:10の割合で含有
することを特徴とするリソグラフィー用下地材。 - 【請求項2】 (A)成分が、一般式 【化1】 (式中のR1とR2は、それぞれアミノ基、アルキル置換
アミノ基又は水酸基であって、その中の少なくとも1個
はアミノ基又はアルキル置換アミノ基であり、m及びn
は1又は2である)で表わされるベンゾフェノン系化合
物である請求項1記載のリソグラフィー用下地材。 - 【請求項3】 (A)成分が、一般式 Ar−CH=N−Ar′ (式中のAr及びAr′は、それぞれアミノ基、アルキ
ル置換アミノ基、水酸基、ニトロ基、ハロゲン原子、ア
ルキル基及びアルコキシ基の中から選ばれた置換基を有
するアリール基であって、Ar及びAr′の置換基のう
ち、少なくとも1個はアミノ基又はアルキル置換アミノ
基である)で表わされるアゾメチン系化合物である請求
項1記載のリソグラフィー用下地材。 - 【請求項4】 (A)成分が、一般式 【化2】 (式中のR3及びR4は、それぞれアミノ基、アルキル置
換アミノ基、水酸基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルキ
ル基及びアルコキシ基の中から選ばれた置換基である
が、その少なくとも一方はアミノ基又はアルキル置換ア
ミノ基であり、Xは−CH=N−又は−N=CH−で示
される結合である)で表わされるアゾメチン系化合物で
ある請求項1記載のリソグラフィー用下地材。 - 【請求項5】 (B)成分が、そのアミノ基の水素原子
がメチロール基又はアルコキシメチル基あるいはその両
方で置換されたメラミン誘導体である請求項1記載のリ
ソグラフィー用下地材。 - 【請求項6】 請求項1ないし5のいずれかに記載の下
地材の層をリソグラフィー用基板上に設け、その上に放
射線感応性レジスト層を設けて成るリソグラフィー用レ
ジスト材料。
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