JPH09289159A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH09289159A JPH09289159A JP8124078A JP12407896A JPH09289159A JP H09289159 A JPH09289159 A JP H09289159A JP 8124078 A JP8124078 A JP 8124078A JP 12407896 A JP12407896 A JP 12407896A JP H09289159 A JPH09289159 A JP H09289159A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- pattern
- light source
- exposure apparatus
- along
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/7035—Proximity or contact printers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Abstract
上において所望の照度を得ることのできる露光装置。 【解決手段】 所定のパターンが形成されたマスクを照
明するための照明光学系を備え、マスクのパターン像を
感光性の基板上に形成する露光装置において、照明光学
系は、マスクのパターン面において互いに直交する2つ
に方向に沿って実質的に異なる照明開口数を有する。
Description
に半導体素子や液晶表示素子などの製造に用いられるプ
ロキシミティ方式の露光装置に関する。
源からの光束に基づいてフライアイインテグレータによ
り多数の光源像を形成する。多数の光源像からの光は、
たとえば円形の開口部を有する開口絞りおよびコンデン
サーレンズを介して、被投影原版であるマスクを重畳的
に均一照明する。すなわち、従来のプロキシミティ露光
装置では、マスクに対する照明の開口数が方向に依存す
ることなく一定である。
照度Eは、次の式(1)によって表される。 E=π・B・NA2 (1) ここで、 B :輝度 NA:照明の開口数
不変の法則により不変である。一方、開口数NAは、パ
ターンの所要解像力により決定される。すなわち、大き
な解像力が要求される場合には、開口数NAを小さく設
定する必要がある。その結果、従来のプロキシミティ露
光装置では、所要のパターン精度を確保したまま感光基
板上において所望の照度を得ることができなかった。
のであり、所要のパターン精度を確保したまま感光基板
上において所望の照度を得ることのできる露光装置を提
供することを目的とする。
に、本発明においては、所定のパターンが形成されたマ
スクを照明するための照明光学系を備え、前記マスクの
パターン像を感光性の基板上に形成する露光装置におい
て、前記照明光学系は、前記マスクのパターン面におい
て互いに直交する2つに方向に沿って実質的に異なる照
明開口数を有することを特徴とする露光装置を提供す
る。本発明の好ましい態様によれば、前記マスクのパタ
ーンの長手方向に沿った第1照明開口数は、前記マスク
のパターンの短手方向に沿った第2照明開口数よりも実
質的に大きい。
明光を供給するための光源と、複数のレンズエレメント
からなり、前記光源からの光束に基づいて複数の光源像
を形成するためのフライアイインテグレータと、前記複
数の光源像からの光束を制限するための開口絞りと、前
記開口絞りを介した前記複数の光源像からの光束を集光
して前記マスクを重畳的に照明するためのコンデンサー
レンズとを備え、前記開口絞りの開口部の前記マスクの
パターンの長手方向に対応する方向に沿った長さは、前
記マスクのパターンの短手方向に対応する方向に沿った
長さよりも実質的に大きい。
性を有する場合、感光基板上に形成されるパターンの短
手方向に沿ったエッジの断面形状が十分鋭く形成されれ
ば、パターンの長手方向に沿ったエッジの断面形状はそ
れほど鋭く形成される必要はない。換言すれば、所要の
パターン精度を確保するには、パターンの短手方向に沿
った照明開口数を十分小さくする必要があるが、パター
ンの長手方向に沿った照明開口数をある程度大きく設定
してもよいことになる。
は、照明光学系の照明開口数がマスクパターン面におい
て互いに直交する2つに方向に沿って実質的に異なるよ
うに構成している。すなわち、マスクパターンの長手方
向に沿った第1照明開口数NA1が、マスクパターンの
短手方向に沿った第2照明開口数NA2よりも実質的に
大きくなるように構成している。この場合、開口を楕円
形状とすると、マスク上の照度Eは、次の式(2)によ
って表される。 E=π・B・NA1・NA2 (2)
向に沿った第2照明開口数NA2は、所要のパターン精
度を確保するために十分小さく設定する必要がある。し
かしながら、マスクパターンの長手方向に沿った第1照
明開口数NA1を大きく設定しても、パターン精度を実
質的に損なうことがない。こうして、本発明では、第2
照明開口数NA2を十分小さく設定し且つ第1照明開口
数NA1を十分大きく設定することにより、所要のパタ
ーン精度を確保したまま感光基板上において所望の照度
を得ることが可能になる。
明する。図1は、本発明の実施例にかかる露光装置の構
成を概略的に示す図である。図示の露光装置は、たとえ
ば高圧水銀ランプからなる光源1を備えている。光源1
は、回転楕円面からなる反射面を有する楕円鏡2の第1
焦点位置に位置決めされている。したがって、光源1か
ら射出された照明光束は、楕円鏡2の第2焦点位置に光
源像を形成する。
ズ3によりほぼ平行な光束に変換された後、入射光束か
ら露光波長の光を選択するフィルター(不図示)に入射
する。フィルターを介して選択された露光波長の光は、
フライアイインテグレータ4に入射する。フライアイイ
ンテグレータ4に入射した光束は、フライアイインテグ
レータ4を構成する複数のレンズエレメントにより波面
分割され、フライアイインテグレータ4の後側焦点位置
(すなわち射出面近傍)に複数の光源像からなる二次光
源を形成する。
制限された後、コンデンサーレンズ6に入射する。コン
デンサーレンズ6を介した光束は、方向性を有する所定
のパターンが形成された被投影原版であるマスク7を重
畳的に照明する。マスク7を透過した光束は、レジスト
が塗布されたプレート8に達する。こうして、感光性基
板であるプレート8上には、マスク7のパターンが転写
される。
くするには、マスク7に対する照明開口数NAを大きく
しなければならない。しかしながら、図2に示すよう
に、マスク7とプレート8とがある程度間隔を隔ててい
るので、開口数NAを大きくするとプレート8上に形成
されるパターン像のぼけが大きくなり、プレート8上に
形成されるパターンエッジの断面形状を十分鋭く形成す
ることができなくなってしまう。
レート8上に形成されるパターンの短手方向に沿ったエ
ッジの断面形状が十分鋭く形成されれば、パターンの長
手方向に沿ったエッジの断面形状はそれほど鋭く形成さ
れる必要はない。そこで、第1実施例では、図3に示す
ように、開口絞り5の開口部5aを楕円形状に形成して
いる。ここで、マスクパターンの長手方向に対応する方
向(図中水平方向)に沿った開口部5aの長さは、マス
クパターンの短手方向に対応する方向(図中鉛直方向)
に沿った開口部5aの長さよりもはるかに大きい。こう
して、マスクパターンの長手方向に沿った第1照明開口
数NA1がマスクパターンの短手方向に沿った第2照明
開口数NA2よりもはるかに大きくなるように構成して
いる。なお、フライアイインテグレータ4の全体形状
は、開口絞り5の楕円形状の開口部5aがほぼ外接する
矩形状に形成されている。また、開口絞り5を矩形状と
してもよい。
上の照度Eは、E=π・B・NA1・NA2で表され
る。上述したように、マスクパターンの短手方向に沿っ
た第2照明開口数NA2は、所要のパターン精度を確保
するために十分小さく設定する必要がある。しかしなが
ら、マスクパターンの長手方向に沿った第1照明開口数
NA1を大きく設定しても、パターン精度を実質的に損
なうことがない。こうして、第1実施例では、第2照明
開口数NA2を十分小さく設定し且つ第1照明開口数N
A1を十分大きく設定することにより、所要のパターン
精度を確保したままプレート8上において所望の照度を
得ることができる。
おいて、光学系の透過率やフライアイインテグレータ4
の射出面での光源像の充填率などを考慮すると、厳密な
照度を得ることが可能である。また、第1実施例では、
開口絞り5の開口部5aが楕円状に形成されているが、
フライアイインテグレータ4の全体形状とほぼ一致する
矩形状に構成することもできる。
装置の構成を概略的に示す図である。第2実施例は第1
実施例の構成と類似の構成を有するが、第2実施例では
コリメートレンズ3とフライアイインテグレータ4との
間にビーム整形光学系30が付設されている点だけが第
1実施例と相違する。したがって、図4において、第1
実施例の構成要素と同じ機能を有する要素には図1と同
じ参照符号を付している。以下、第1実施例との相違点
に着目して、第2実施例を説明する。
ンズ3とフライアイインテグレータ4との間にビーム整
形光学系30が設けられている。ビーム整形光学系30
は、一対のシリンドリカルレンズ32および33から構
成されている。シリンドリカルレンズ32は、図4の紙
面内において負の屈折力を有し、光軸AXを含んで紙面
に垂直な面内において屈折力は零である。また、シリン
ドリカルレンズ33は、紙面内において正の屈折力を有
し、光軸AXを含んで紙面に垂直な面内において屈折力
は零である。こうして、ビーム整形光学系30を介した
光束の断面は、図4の紙面鉛直方向に所定の倍率で拡大
されて楕円形状となり、開口絞り5の開口部5aの楕円
形状とほぼ一致する。こうして、第2実施例では、フラ
イアイインテグレータ4の射出面における光量損失を低
減することができる。
より、フライアイインテグレータ4の各レンズエレメン
トの射出面に形成される光源像は、光束の拡大方向に沿
ってすなわち図4の紙面鉛直方向に沿って小さくなる。
したがって、図3に示すようにほぼ正方形断面を有する
レンズエレメントからなるフライアイインテグレータで
は、フライアイインテグレータの射出面における光源像
の充填率が低下する。その結果、第1照明開口数NA1
を大きく設定しても、プレート8上において所望の照度
を確保することができなくなってしまう。
に、フライアイインテグレータ4の射出面に形成される
各光源像の形状に応じて、フライアイインテグレータ4
の各レンズエレメントの断面を矩形状に形成している。
すなわち、各レンズエレメントの矩形断面は、マスクパ
ターンの長手方向に対応する方向(すなわち図中水平方
向)に沿って短辺を有し、マスクパターンの短手方向に
対応する方向(すなわち図中鉛直方向)に沿って長辺を
有する。このように、第2実施例では、ビーム整形光学
系30の作用によりフライアイインテグレータ4の射出
面における光量損失を低減するとともに、光源像の充填
率を低下させることなくプレート8上において所望の照
度を確保することができる。
アイインテグレータの変形例を示す図である。図5のフ
ライアイインテグレータ4では、図中鉛直方向のレンズ
エレメントの数が図中水平方向のレンズエレメントの数
よりもはるかに少ない。このため、マスク7およびプレ
ート8上において、図中鉛直方向に対応する方向に沿っ
て照度むらが発生し易い。そこで、図6のフライアイイ
ンテグレータ4では、マスク7およびプレート8上にお
ける照度むらを抑えるために、図中水平方向に沿って隣
接する各レンズエレメントを図中鉛直方向にずらしてい
る。このように、図6の変形例では、全体として市松模
様状に各レンズエレメントを配置することにより、マス
ク7およびプレート8上における照度むらの低減を図る
ことができる。
装置の構成を概略的に示す図である。第3実施例は第1
実施例の構成と類似の構成を有するが、第3実施例では
光源1としてハロゲンランプを用いるとともに楕円鏡2
に代えて球面鏡22を配置している点だけが第1実施例
と相違する。したがって、図7において、第1実施例の
構成要素と同じ機能を有する要素には図1と同じ参照符
号を付している。以下、第1実施例との相違点に着目し
て、第3実施例を説明する。
源として高圧水銀ランプを用いる場合には楕円鏡によっ
て光源からの光を集光することが効果的である。しかし
ながら、ハロゲンランプのような光源を用いる場合に
は、光源からの光を直接コリメートレンズに入射させる
ことが適当である。図7の露光装置では、光軸AX上に
ある球面鏡22の中心から図中上方に所定距離だけずれ
た位置に光源1を配置している。
れた光は、コリメートレンズ3に直接入射する。また、
光源1から図中左側に射出された光は、球面鏡22で反
射された後、球面鏡22の中心から図中下方に所定距離
だけずれた位置に光源像12を形成する。こうして、光
源像12は、光学系の光軸AXに関して光源1と対称な
位置に形成される。その結果、球面鏡22の中心位置に
は光源1と光源像12とにより1つの等価光源が形成さ
れ、光軸AX上の等価光源からの光をコリメートレンズ
3に入射させることができる。
装置の構成を概略的に示す図である。第4実施例は第2
実施例の構成と類似の構成を有するが、第4実施例では
マスク7とプレート8との間の光路中に結像レンズ9が
付設されている点だけが第2実施例と相違する。したが
って、図8において、第2実施例の構成要素と同じ機能
を有する要素には図4と同じ参照符号を付している。以
下、第2実施例との相違点に着目して、第4実施例を説
明する。
とプレート8とが互いに近接して配置され、いわゆるプ
ロキシミティ方式の露光が行われるように構成されてい
る。一方、第4実施例ではマスク7とプレート8との間
の光路中に結像レンズ9を設け、この結像レンズ9によ
りマスク7のパターン面とプレート8の露光面とを光学
的に共役にしている。このように、第4実施例では、プ
レート8のワーキングディスタンスを確保することがで
きるので、プレート8の設定作業が容易になるという利
点がある。
ば、マスクパターンの長手方向に沿った第1照明開口数
NA1がマスクパターンの短手方向に沿った第2照明開
口数NA2よりも実質的に大きくなるように構成してい
るので、所要のパターン精度を確保したまま感光基板上
において所望の照度を得ることが可能になる。
的に示す図である。
ト8上に形成されるパターン像がぼける様子を示す図で
ある。
形状およびフライアイインテグレータ4の全体形状を示
す図である。
概略的に示す図である。
4の構成を示す図である。
レータの変形例を示す図である。
概略的に示す図である。
概略的に示す図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 所定のパターンが形成されたマスクを照
明するための照明光学系を備え、前記マスクのパターン
像を感光性の基板上に形成する露光装置において、 前記照明光学系は、前記マスクのパターン面において互
いに直交する2つに方向に沿って実質的に異なる照明開
口数を有することを特徴とする露光装置。 - 【請求項2】 前記マスクのパターンの長手方向に沿っ
た第1照明開口数は、前記マスクのパターンの短手方向
に沿った第2照明開口数よりも実質的に大きいことを特
徴とする請求項1に記載の露光装置。 - 【請求項3】 前記照明光学系は、 照明光を供給するための光源と、 複数のレンズエレメントからなり、前記光源からの光束
に基づいて複数の光源像を形成するためのフライアイイ
ンテグレータと、 前記複数の光源像からの光束を制限するための開口絞り
と、 前記開口絞りを介した前記複数の光源像からの光束を集
光して前記マスクを重畳的に照明するためのコンデンサ
ーレンズとを備え、 前記開口絞りの開口部の前記マスクのパターンの長手方
向に対応する方向に沿った長さは、前記マスクのパター
ンの短手方向に対応する方向に沿った長さよりも実質的
に大きいことを特徴とする請求項2に記載の露光装置。 - 【請求項4】 前記フライアイインテグレータの全体形
状は矩形であり、前記マスクのパターンの長手方向に対
応する方向に沿って長辺を有し、前記マスクのパターン
の短手方向に対応する方向に沿って短辺を有することを
特徴とする請求項3に記載の露光装置。 - 【請求項5】 前記開口絞りの開口部の形状に応じて前
記光源からの光束を整形するためのビーム整形光学系を
備え、 前記複数のレンズエレメントの各々の断面形状は矩形で
あり、前記マスクのパターンの長手方向に対応する方向
に沿って短辺を有し、前記マスクのパターンの短手方向
に対応する方向に沿って長辺を有することを特徴とする
請求項3または4に記載の露光装置。 - 【請求項6】 前記マスクと前記感光性の基板とは、互
いに近接して位置決めされていることを特徴とする請求
項1乃至5のいずれか1項に記載の露光装置。 - 【請求項7】 前記マスクと前記感光性の基板との間の
光路中には、前記マスクのパターン面と前記感光性の基
板の露光面とを共役にするための結像光学系が設けられ
ていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項
に記載の露光装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12407896A JP3879142B2 (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 露光装置 |
US08/842,897 US5891806A (en) | 1996-04-22 | 1997-04-17 | Proximity-type microlithography apparatus and method |
DE19716794A DE19716794A1 (de) | 1996-04-22 | 1997-04-22 | Verfahren und Vorrichtung zur Nah-Typ-Mikrolithographie |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12407896A JP3879142B2 (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09289159A true JPH09289159A (ja) | 1997-11-04 |
JP3879142B2 JP3879142B2 (ja) | 2007-02-07 |
Family
ID=14876389
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12407896A Expired - Fee Related JP3879142B2 (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3879142B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100343140B1 (ko) * | 1999-12-06 | 2002-07-05 | 윤종용 | 종방향 및 횡방향 패턴간의 선폭 차이에 대한 보정이가능한 노광장치 및 이에 사용되는 어퍼쳐 |
JP2004246144A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光方法、露光装置及び照明装置 |
JP2012123049A (ja) * | 2010-12-06 | 2012-06-28 | Toppan Printing Co Ltd | 露光装置 |
KR20190013511A (ko) * | 2017-07-28 | 2019-02-11 | 캐논 가부시끼가이샤 | 조명 광학계, 노광 장치, 및 물품 제조 방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58160914A (ja) * | 1982-03-18 | 1983-09-24 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | ミラ−集光型照明光学系 |
JPH05217841A (ja) * | 1992-02-07 | 1993-08-27 | Sony Corp | 投影露光装置 |
JPH0794398A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-07 | Mitsubishi Electric Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JPH07106231A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-04-21 | Nikon Corp | プロキシミティ露光装置 |
JPH07263312A (ja) * | 1994-03-23 | 1995-10-13 | Nikon Corp | 照明光学装置 |
JPH08330212A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Nikon Corp | 露光装置 |
-
1996
- 1996-04-22 JP JP12407896A patent/JP3879142B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58160914A (ja) * | 1982-03-18 | 1983-09-24 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | ミラ−集光型照明光学系 |
JPH05217841A (ja) * | 1992-02-07 | 1993-08-27 | Sony Corp | 投影露光装置 |
JPH0794398A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-07 | Mitsubishi Electric Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JPH07106231A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-04-21 | Nikon Corp | プロキシミティ露光装置 |
JPH07263312A (ja) * | 1994-03-23 | 1995-10-13 | Nikon Corp | 照明光学装置 |
JPH08330212A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Nikon Corp | 露光装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100343140B1 (ko) * | 1999-12-06 | 2002-07-05 | 윤종용 | 종방향 및 횡방향 패턴간의 선폭 차이에 대한 보정이가능한 노광장치 및 이에 사용되는 어퍼쳐 |
JP2004246144A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光方法、露光装置及び照明装置 |
JP2012123049A (ja) * | 2010-12-06 | 2012-06-28 | Toppan Printing Co Ltd | 露光装置 |
KR20190013511A (ko) * | 2017-07-28 | 2019-02-11 | 캐논 가부시끼가이샤 | 조명 광학계, 노광 장치, 및 물품 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3879142B2 (ja) | 2007-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5675401A (en) | Illuminating arrangement including a zoom objective incorporating two axicons | |
US5357312A (en) | Illuminating system in exposure apparatus for photolithography | |
JPH0378607B2 (ja) | ||
JPH04225214A (ja) | 照明光学装置および投影露光装置並びに露光方法および素子製造方法 | |
KR950024024A (ko) | 투영노광장치 및 이를 이용한 디바이스 제조방법 | |
JP2997351B2 (ja) | 照明光学装置 | |
KR980003683A (ko) | 투사형 액정 표시 장치 | |
JPH0721583B2 (ja) | 露光装置 | |
JPS5964830A (ja) | 照明装置 | |
EP1542459A2 (en) | Illumination optical system and image projector including the same | |
JP3879142B2 (ja) | 露光装置 | |
JPH0684759A (ja) | 照明装置 | |
US7177078B2 (en) | Projection type display apparatus | |
KR100352974B1 (ko) | 칼라드럼을 이용한 화상투사 장치 | |
JPS6380243A (ja) | 露光装置用照明光学装置 | |
KR20190046920A (ko) | 조명 장치, 노광 장치 및 물품의 제조 방법 | |
KR0147602B1 (ko) | 콘트라스트 증대를 위한 조명 장치 | |
JPH11317344A (ja) | 露光装置 | |
JP3130747B2 (ja) | 照明装置 | |
JPH04256944A (ja) | 照明装置及び投影露光装置 | |
KR0180856B1 (ko) | 비 구면 집광 렌즈를 사용한 조명계 | |
JPS61251858A (ja) | 照明光学系 | |
JP2000098488A (ja) | 照明光学装置 | |
JPH09105899A (ja) | 投射型表示装置 | |
JP2000232056A (ja) | 露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20031211 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040206 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061017 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061030 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121117 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121117 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151117 Year of fee payment: 9 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151117 Year of fee payment: 9 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151117 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |