JPH09283441A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 絶縁性基板上に半導体層を形成して薄膜トラ
ンジスタを製造する方法において、基板上に形成された
非晶質半導体層にレーザーアニールを施して多結晶半導
体層を形成する時、結晶粒の均一性を高め、トランジス
タの特性のばらつきを無くす。 【解決手段】 基板上に形成されたａ−Ｓｉをパルスレ
ーザーアニールにより微結晶粒からなるｐ−Ｓｉ（１
２）にした後、このｐ−Ｓｉ（１２）にＣＷレーザーを
照射することにより、微結晶粒からの固相エピタキシャ
ル成長を促して、粒径を大きくするとともに、結晶粒径
を全域にわたって均一ににする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の製造
方法に関し、例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ：Liquid C
rystal Display）において、多結晶半導体膜を基板上に
形成することにより、多結晶半導体の薄膜トランジスタ
(ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を表示部のみなら
ず、周辺の駆動回路部にも形成した駆動回路一体型ＬＣ
Ｄにの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＣＤは小型、薄型、低消費電力などの
利点があり、ＯＡ機器、ＡＶ機器などの分野で実用化が
進んでいる。特に、スイッチング素子として、ＴＦＴを
用いたアクティブマトリクス型は、原理的にデューティ
比１００％のスタティック駆動をマルチプレクス的に行
うことができ、大画面、高精細な動画ディスプレイに使
用されている。

【０００３】アクティブマトリクスＬＣＤは、マトリク
ス状に配置された表示電極にＴＦＴを接続形成した基板
（ＴＦＦ基板）と共通電極を有する基板（対向基板）
が、液晶を挟んで貼り合わされて構成されている。表示
電極と共通電極の対向部分は液晶を誘電層とした画素容
量となっており、ＴＦＴにより順次に選択され、電圧が
印加される。画素容量に印加された電圧はＴＦＴのＯＦ
Ｆ抵抗により１フィールド期間保持させる。液晶は電気
光学的に異方性を有しており、画素容量により形成され
た電界の強度に対応して透過光量が微調整される。この
ように透過率が画素毎に制御された明暗の分布が所望の
表示画像として視認される。

【０００４】近年、ＴＦＴのチャンネル層として多結晶
（ポリ）シリコン（ｐ−Ｓｉ）を用いることによって、
マトリクス画素部と周辺駆動回路部を同一基板上に形成
した駆動回路一体型のＬＣＤが開発されている。一般
に、ｐ−Ｓｉは非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）に比べて移
動度が高い。このため、ＴＦＴが小型化され、高精細化
が実現される。また、ゲートセルフアライン構造による
微細化、寄生容量の縮小による高速化が達成されるた
め、ｎ−ｃｈＴＦＴとｐ−ｃｈＴＦＴの電気的相補結線
構造即ちＣＭＯＳを形成することにより、高速駆動回路
を構成することができる。このように、駆動回路部を同
一基板上にマトリクス画素部と一体形成することによ
り、製造コストの削減、ＬＣＤモジュールの小型化が実
現される。

【０００５】図１３にこのような駆動回路一体型ＬＣＤ
の構成を示す。中央部の点線で囲まれた部分はマトリス
ク画素部であり、ＴＦＴのＯＮ／ＯＦＦを制御するゲー
トライン（Ｇ1，Ｇ2，・・・，Ｇm）と画素信号用のド
レインライン（Ｄ１，Ｄ２・・・Ｄn）が交差して配置
されている。各交点にはＴＦＴとこれに接続する表示電
極（いずれも不図示）が形成されている。画素部の左ま
たは／および右にはゲ−トライン（Ｇ１，Ｇ２，・・
・，Ｇm）を走査選択するゲートドライバー（ＧＤ）が
配置され、画素部の上または／および下には、映像信号
をサンプリングして、ゲートドライバ（ＧＤ）の走査に
同期して各ドレインライン（Ｄ１，Ｄ２，・・・，Ｄ
n）に画素信号電圧を印加するドレインドライバ−（Ｄ
Ｄ）が配置されている。ドレインドライバー（ＤＤ）
は、主としてシフトレジスタ回路とサンプリング回路、
更に場合によってはホールド用キャパシターからなり、
ゲートドライバー（ＧＤ）は主にシフトレジスタからな
る。

【０００６】図１４は、このようなｐ−ＳｉＴＦＴの断
面構造図である。ここではｎ−ｃｈＴＦＴを挙げてい
る。ガラスなどの透明絶縁性基板（１００）上に、ガラ
スの不純物イオンの半導体素子への拡散を防止するため
のバッファ層（１０１）がＳｉＯ2あるいはＳｉ3Ｎ4な
どにより形成されている。この上には、ＴＦＴの島状に
パタ−ニングされたｐ−Ｓｉ（１０２）が形成され、ｐ
−Ｓｉ（１０２）上にはＳｉＯ2などのゲート絶縁膜
（１０３）を挟んでゲート電極（１０４，１０５）が対
向配置されている。ゲート電極は例えばド−プトｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ（１０４）とシリサイド（１０５）のポリサイ
ド層により形成されている。

【０００７】また、ｐ−Ｓｉ（１０２）は、ゲート電極
（１０４，１０５）の直下にノンド−プあるいはｐ型に
ドーピングされたチャンネル領域（ＣＨ）、チャンネル
領域（ＣＨ）の両側にはｎ型に低濃度にドーピングされ
たＬＤ領域（ＬＤ）、ＬＤ領域（ＬＤ）の更に外側には
ｎ型に高濃度にドーピングされたドレイン及びソース領
域（Ｄ，Ｓ）が、ゲ−ト電極（１０４，１０５）に対す
るセルフアライン関係をもって形成されている。

【０００８】ゲート電極（１０４，１０５）は画素部に
あっては、走査線であるゲートラインと一体で形成さ
れ、駆動回路部にあっては、ＣＭＯＳ構造の結線に接続
される。ゲート電極（１０４，１０５）上には工程中の
カウンタードープを防ぐための注入ストッパー（１０
６）、ゲート電極（１０４，１０５）と注入ストッパー
（１０６）の側壁にはセルフアライン形成における不純
物の横方向拡散に対するマージンを設けるためのサイド
ウォール（１０７）が形成されている。これらｐ−Ｓｉ
（１０２）及びゲート電極（１０４，１０５）とそのラ
インを覆う全面にはＳｉＯ2などの第１の層間絶縁膜
（１０８）が被覆され、第１の層間絶縁膜（１０８）上
には、Ｔｉ／ＡｌＳｉなどの高融点金属からなるドレイ
ン電極（１０９）及びソース電極（１１０）が設けら
れ、ゲート絶縁膜（１０３）及び第１の層間絶縁膜（１
０８）中に開口されたコンタクトホールを介して各々ド
レインおよびソース領域（Ｄ，Ｓ）に接続されている。
画素部にあっては、ドレイン電極（１０９）は、信号線
であるドレインラインと一体であり、駆動回路部にあっ
ては、ドレイン電極（１０９）及びソース電極（１１
０）はＣＭＯＳ構造の結線に延長されている。これらド
レイン電極（１０９）及びソ−ス電極（１１０）を覆う
全面には、ＳＯＧ（Spin On Glass）、ＢＰＳＧ（Boro-
Phospho Silicate Glass）、ＴＥＯＳ（Tetraethyl ort
hosilicate）、アクリル樹脂膜等、の平坦化作用のある
第２の層間絶縁膜（１１１）が形成されている。

【０００９】画素部では、第２の層間絶縁膜（１１１）
上にＩＴＯ（indium tin oxide）からなる表示電極が形
成され、ソース電極（１１０）上に開口されたコンタク
トホールを介してソース電極（１１０）に接続される。
ここに示したような、ドレイン領域（Ｄ）とチャンネル
領域（ＣＨ）の間、及び、ソース領域（Ｓ）とチャンネ
ル領域（ＣＨ）との間に低濃度のＬＤ領域（Ｌ）を介在
させた構造は、一般にＬＤＤ（lightly doped drain）
と呼ばれ、チャンネル領域（ＣＨ）端における強電界が
緩和されるので、キャリアの加速が抑えられ、耐圧が高
い。ＬＤ領域はまた抵抗として介在されるため、相互コ
ンダクタンスの低下をもたらすが、ＬＤＤ構造のＴＦＴ
を画素部に採用することでＯＦＦ電流を抑え、電圧保持
率を高めることができる。一方、ｐ−ＳｉＴＦＴでは元
来、十分に高いＯＮ電流値が得られるため、ＬＤＤ構造
とすることにより、結果的に、ＯＮ／ＯＦＦ比を向上す
ることができる。

【００１０】このような、駆動回路部一体型ＬＣＤにお
いて、近年、特に、製造の全工程の温度を６００℃以下
とすることによって、基板（１００）として耐熱性の低
い安価なソーダガラス基板を採用する、いわゆる低温プ
ロセスが開発され、低コスト、量産化が進められてい
る。低温プロセスにおいて特に重要な課題は、ｐ−Ｓｉ
膜のＳｉ結晶粒径を大きくして、十分な低抵抗化を図る
点にある。従来、エキシマレーザーアニールを用いるこ
とにより、ａ−Ｓｉ膜あるいは粒径の小さなｐ−Ｓｉ膜
を、６００℃以下の処理温度で溶融再結晶化し、十分に
大きな結晶粒からなる、十分に低抵抗のｐ−Ｓｉ膜を得
ていた。

【００１１】レーザーは、個体あるいは気体のレーザー
媒質において、ポンピングと呼ばれる、外部よりエネル
ギーを与えて原子を励起させることで、通常のエネルギ
ー分布とは異なり、より高いエネルギー準位の状態数が
より低いエネルギー準位の状態数よりも多くなった、い
わゆる反転分布を作り出しておき、ここに外部より光を
入射させることで、誘導放出を生じさせ、かつ、この誘
導放出光を、内側にレーザー媒質を有した反透過ミラー
等からなる共振器において、共振させ、コヒーレント光
からなる非常に強い光を発振させたものである。

【００１２】レーザーには、その励起方法により、単位
時間における励起状態への遷移数と誘導放出による遷移
数とを常に等しくした連続励起により、安定した発振を
行うＣＷ（constant wave）レーザーと、一定期間、共
振を行わずに、励起状態への遷移数を増大させ、大きな
反転状態を生成した後、共振機構を成立させることで誘
導放出を一気に行い、これらを繰り返すことで大きな出
力をパルス状に発振させる、パルス励起レーザーとがあ
る。

【００１３】パルスレーザーアニールでは、１回のレー
ザー照射の時間が短く、かつ極めて大きなエネルギーが
得られ、照射領域を瞬時に溶融させ、液相エピタキシャ
ル成長を促す再結晶化アニール法であるのに対し、パル
スレーザーアニールでは、比較的弱いエネルギーを連続
的に照射することにより固相エピタキシャル成長を促す
再結晶化アニール法である。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】従来の液晶表示装置の
製造における、ａ−Ｓｉからｐ−Ｓｉ膜への再結晶化に
は、そのスループットの高さから、パルスレーザーアニ
ールが用いられていた。このパルスレーザーアニール
は、レーザー光のスポット位置を順にパルス毎に順にず
らしていく走査法により、基板上に形成されたａ−Ｓｉ
を満遍なくアニールするものであるが、各パルスのスポ
ット周縁に沿って、結晶化の不十分な領域が生じてい
た。即ち、各レーザーパルスのスポットエッジに当たる
領域では、レーザー光強度が、その中央部に比べて低下
しており、このため、十分な強度でのアニールがなされ
ず、一度不十分なレーザーアニールにより粒径の小さな
微結晶が形成されると、オーバーラップにより、再び同
じ領域に十分な強度のレーザーアニールをおこなって
も、この微結晶粒からなる領域においては、再結晶化が
それ以上には進まずに、微結晶のまま残ってしまう。こ
れは、一度微結晶粒が生じた領域に、パルスレーザーを
照射しても、微結晶粒と非晶質層からなる混成領域にお
いては、非晶質層と同じようには、溶融再結晶化が十分
に行われないためであると推測される。

【００１５】このため、基板（１００）上に形成された
ｐ−Ｓｉ膜（１０２）には、パルスレーザーの各スポッ
トエッジを表す如き形状の、微結晶粒からなる線状ある
いは方形状の領域が形成される。このような、微結晶粒
からなる円状領域は、十分に低抵抗化がなされていない
領域である。従来例においては、スポットは、０．１〜
１×１００〜３６０ｍｍ程度あり、ＴＦＴの形成後にこ
の線状あるいは方形状領域がチャンネル領域（ＣＨ）に
含まれると、抵抗が増大し、ＴＦＴのＯＮ電流が低下し
てしまう。このような、ＯＮ電流の低下は、画素部にあ
っては、電荷の供給量を減少させ、階調の上または下の
レベルを飽和させてコントラスト比の低下を招くととも
に、駆動回路部にあっては、動作速度が低下し、論理演
算の誤動作の原因にもなっていた。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明はこの課題を解決
するために成され、絶縁基板上に半導体層及び電極層を
形成する半導体素子の製造方法において、前記半導体層
は、前記絶縁基板上に形成された非晶質半導体膜にパル
ス励起レーザー照射を行うことにより、前記非晶質半導
体膜を比較的粒径の小さな結晶粒からなる多結晶半導体
膜にした後、連続励起レーザー照射を行うことにより前
記結晶粒の粒径を大きくするとともに、結晶粒径の分布
を均一にする構成である。

【００１７】これにより、初めのパルスレーザーアニー
ルにより、液相エピタキシャル成長を促して非晶質層中
に結晶粒を生成させた後、続くＣＷレーザーアニールに
より、パルスレーザーアニールで生成された微結晶粒か
らの固相エピタキシャル成長が促され、多結晶半導体膜
の質を高めることができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】続いて、本発明の実施形態を、絶
縁基板に多結晶シリコン膜を形成することにより、薄膜
トランジスタを作成した液晶表示装置について説明す
る。図１から図１２に液晶表示装置の製造方法を示す工
程断面図を示す。まず図１において、ソーダガラス等の
基板（１０）上に、基板表面のイオンが半導体素子中に
拡散して素子の動作特性を悪化させることを防ぐ目的
で、ＳｉＯ2あるいはＳｉ3Ｎ4等をＣＶＤ、あるいはス
パッタリングなどにより３０００〜５０００Åの厚さに
積層し、バッファ層（１１）を形成している。続いて、
モノシランＳｉＨ4、あるいは、ジシランＳｉ2Ｈ4を材
料ガスとした、４５０℃の減圧ＣＶＤ、あるいはプラズ
マＣＶＤにより、前記材料を分解して堆積することでア
モルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）（１２ａ）を３００〜
１０００Å、例えば、５００〜６００Åの厚さに積層す
る。

【００１９】続いて図２で、パルスレーザーアニールと
して、エキシマレーザーアニール（ＥＬＡ）を用いて、
ａ−Ｓｉの１回目の再結晶化を行って結晶粒を生成し、
比較的粒径の小さいグレインからなるｐ−Ｓｉ膜（１
２）を形成する。各種条件は、各パルスの出力強度が１
００〜４００ｍＪ／ｃｍ↑2、パルス周波数が３００Ｈ
ｚ、スポットが０．１〜１×１００〜３６０ｍｍ、各パ
ルスの走査の送り幅が１０〜１００μｍ、例えば、２０
μｍで、各パルスのスポットのオーバーラップ量を５０
〜９０％としている。この時、形成されるグレインの大
きさは、１００ｎｍ以下となっている。

【００２０】図３で、可視光レーザー、例えばＡｒレー
ザー等によるＣＷレーザーアニール（ＣＷＡ）を用いて
２回目の再結晶化を行い、図２において形成されたｐ−
Ｓｉ（１２）のグレインを更に大きくするとともに、全
域にわたってグレイン径を均一化する。各種条件は、レ
ーザーパワーが数Ｗ〜２０Ｗ、スポットが２０〜１００
μｍ、走査速度が数ｃｍ／ｓｅｃ〜１００ｃｍ／ｓｅｃ
で行うことで、グレインは、その粒径を１０００ｎｍ程
度にまで大きく、かつ、全域にわたって粒径の大きさが
均一になっている。

【００２１】ここで、図２及び図３における工程で、パ
ルスレーザーアニール及びＣＷレーザーアニールの走査
速度は、パルスレーザーアニールのみを用いた再結晶化
の場合よりも大きく、スループットの低下は僅かで済
む。図４で、反応性イオンエッチング即ちＲＩＥ（reac
tive ion etching）により、ｐ−Ｓｉ（１２）をＴＦＴ
に必要な島状にパターニングした後、４００℃の減圧Ｃ
ＶＤによりゲート絶縁膜（１３）となるＬＴＯ（low te
mperature oxide）膜を１０００Åの厚さに形成し、引
き続き、ゲート電極となるポリサイドを積層する。即
ち、ドープトａ−Ｓｉ（１４ａ）を４５０℃の減圧ＣＶ
Ｄ等により２０００Åの厚さに積層し、続いて、タング
ステンシリサイドＷＳｉxを（１５）をスパッタリング
により１０００Åの厚さに積層する。ここで、ａ−Ｓｉ
（１４ａ）は後に結晶化アニールが施されれて、ドープ
トｐ−Ｓｉ（１４）となり、ＷＳｉ（１５）との積層体
により、ゲート電極及びその配線となるポリサイドを形
成するものであり、ｎ型不純物が、成膜時、あるいは、
成膜後にドーピングされる。

【００２２】ＷＳｉx（１５）上には、更に、注入スト
ッパー（１６）となるＳｉＯ2を４３０℃のＣＶＤによ
り形成している。図５で、注入ストッパー（１６）、Ｗ
Ｓｉx（１５）及びａ−Ｓｉ（１４）を、ＲＩＥにより
同一形状にパターニングすることで、ゲート電極とその
配線、及び、この上に注入ストッパー（１６）を形成す
る。

【００２３】図６で、ＳｉＯ2を４３０℃のＣＶＤによ
り成膜した後、ＲＩＥ等の異方性エッチングにより、全
面エッチバックすることで、ゲート電極（１４，１５）
及び注入ストッパー（１６）の側壁にサイドウォール
（１７）を被着形成する。図７で、ゲート電極（１４，
１５）及びサイドウォール（１７）をマスクに、ｐ−Ｓ
ｉ（１２）へ、ｎ型不純物である燐のイオン注入を、低
ドーズ量、１×１０↑12〜５×１０↑13／ｃｍ↑2、例
えば、３×１０↑13／ｃｍ↑2で行うことにより、ゲー
ト電極（１４，１５）直下領域の両側に低濃度にドーピ
ングされたＬＤ領域（ＬＤ）を形成する。サイドウォー
ル（１７）は、後の活性化アニールにおいて燐イオンが
横方向に拡散するため、ゲート電極（１４，１５）に対
するセルフアライン関係を維持するためのものである。
また、ゲート電極（１４，１５）直下領域はノンドープ
のチャンネル領域（ＣＨ）となる。

【００２４】図８で、ゲート電極（１４，１５）及びサ
イドウォール（１６）を覆うレジスト（Ｒ）を形成し、
このレジスト（Ｒ）をマスクに、ｐ−Ｓｉ（１２）への
燐のイオンドーピングを、高ドーズ量、３×１０↑14〜
５×１０↑15／ｃｍ↑2、例えば、１×１０↑15／ｃｍ
↑2で行い、高濃度にドーピングされたドレイン及びソ
ース領域（Ｄ，Ｓ）を形成する。この時、レジスト
（Ｒ）の直下領域は、低濃度のＬＤ領域（ＬＤ）が残
り、ここに、チャンネル領域（ＣＨ）の両側に低濃度の
ＬＤ領域（ＬＤ）、更にその外側に高濃度のドレイン及
びソース領域（Ｄ，Ｓ）が形成され、ＬＤＤ構造が完成
される。

【００２５】そして、レジスト（Ｒ）の剥離後、全面
に、発熱源である線状ランプを近接し高速走査するＲＴ
Ａ（rapid thermal annealing）法、あるいは、ＥＬＡ
法により、不純物の活性化アニールを行う。同時に、ゲ
ート電極の下層であるａ−Ｓｉ（１４ａ）が多結晶化さ
れ、ｐ−Ｓｉ（１４）となって低抵抗化され、ＷＳｉ
（１５）との積層構造によりポリサイドゲートが形成さ
れる。また、この時、ｐ−Ｓｉ（１２）にドーピングさ
れた燐イオンの横方向拡散が生じるが、前述の如く、サ
イドウォール（１７）により、あらかじめ、ＬＤ領域
（ＬＤ）端がゲート電極（１４，１５）から離されて形
成されており、この横方向拡散により、ＬＤ領域（Ｌ
Ｄ）端がゲート電極（１４，１５）エッジ部にまで広げ
られるようにされている。

【００２６】図９で、全面に、４３０℃の常圧ＣＶＤに
よりＳｉＯ2を積層し、６００℃のアニールの後、４０
０℃のプラズマＣＶＤによりＳｉＯ2を積層すること
で、第１の層間絶縁膜（１８）を形成している。そし
て、４５０℃の水素アニールにより、ｐ−Ｓｉ（１２）
中のダングリングボンドのターミネートを行った後、Ｒ
ＩＥにより、ドレイン及びソース領域（Ｄ，Ｓ）上の第
１の層間絶縁膜（１８）及びゲート絶縁膜（１３）にコ
ンタクトホール（ＣＴ）を形成する。

【００２７】図１０で、Ｔｉ／ＡｌＳｉをスパッタリン
グにより、７０００Åの厚さに積層し、これをＲＩＥに
よりパターニングすることにより、コンタクトホール
（ＣＴ）を介して各々ドレイン領域（Ｄ）及びソース領
域（Ｓ）に接続するドレイン電極（１９）及びソース電
極（２０）を形成する。ここで、画素部においては、ド
レイン電極（１９）は信号線であるドレインラインと一
体に形成されるとともに、駆動回路部においては、ドレ
イン電極（１９）とソース電極（２０）は、ＣＭＯＳの
結線と一体に形成される。

【００２８】図１１で、再び、ｐ−Ｓｉ中のダングリン
グボンドのターミネートのために、水素プラズマ処理を
３００℃で行った後、全面に、４１０℃のＣＶＤによ
り、ＳｉＯ2を２０００Åの厚さに、ＳＯＧ膜、即ち、
スピン塗布及び３５０℃の焼成により平坦化作用のある
ＳｉＯ2膜を１００００Åの厚さに形成し、更に、４１
０℃のＣＶＤにより、ＳｉＯ2を１０００Åの厚さに積
層することにより平坦化された第２の層間絶縁膜（２
１）を形成する。そして、ＲＩＥにより画素部のソース
電極（２０）上の第２の層間絶縁膜（２１）中にコンタ
クトホール（ＣＴ）を形成する。

【００２９】図１２で、画素部において、スパッタリン
グによりＩＴＯを１４００Åの厚さに成膜し、これをＲ
ＩＥによりパターニングして表示電極（２２）を形成
し、コンタクトホール（ＣＴ）を介してソース電極（２
１）に接続することで、ＴＦＴのアレイ基板が完成され
る。このようにして、形成されたＴＦＴ基板は、別の基
板上にＩＴＯの共通電極が一面に形成されてなる対向基
板と、細隙をもって貼り合わせられ、この細隙に液晶が
密封されて液晶表示装置が完成される。

【００３０】本発明では、図２及び図３に示すように、
基板上（１０）に形成されたａ−Ｓｉ（１４ａ）の再結
晶化アニールにおいて、まずパルスレーザーアニールに
より、微結晶粒を生成しておき、次いで、ＣＷアニール
を行って、微結晶からの固相エピタキシャル成長を促す
ことで、結晶粒を大きくするとともに、この結晶粒の大
きさを全域にわたって均一にしている。このため、ＴＦ
Ｔ基板に形成されたＴＦＴの全てが同等の特性を示し、
画素部において、ＯＮ電流が低下してコントラスト比が
低下する、あるいは、駆動回路部において、動作速度が
低下して論理演算の誤動作を招くといった問題が防がれ
る。

【００３１】

【発明の効果】以上の説明から明らかな如く、本発明に
より、絶縁性基板上に半導体層を形成して半導体素子を
製造する方法において、基板上に低温で成膜された非晶
質半導体層をレーザーアニールにより再結晶化する際、
まず、パルスレーザーアニールにより、微結晶粒を生成
し、続いて、ＣＷレーザーアニールを行って、この微結
晶粒よりエピタキシャル成長を促すことにより、大き
く、かつ、均一な粒径を有した結晶粒からなる多結晶半
導体層を形成することができた。これにより、基板上に
形成された全ての半導体素子の動作特性が総じて良好に
なる。同一基板上に画素部のスイッチング素子と、周辺
駆動回路部において論理演算を行う論理ゲートのいずれ
も良好な特性が得られ、表示品位が向上し、誤動作によ
る表示不良が防止される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態にかかるＴＦＴの製造方法を
示す工程断面図である。

【図２】本発明の実施形態にかかるＴＦＴの製造方法を
示す工程断面図である。

【図３】本発明の実施形態にかかるＴＦＴの製造方法を
示す工程断面図である。

【図４】本発明の実施形態にかかるＴＦＴの製造方法を
示す工程断面図である。

【図５】本発明の実施形態にかかるＴＦＴの製造方法を
示す工程断面図である。

【図６】本発明の実施形態にかかるＴＦＴの製造方法を
示す工程断面図である。

【図７】本発明の実施形態にかかるＴＦＴの製造方法を
示す工程断面図である。

【図８】本発明の実施形態にかかるＴＦＴの製造方法を
示す工程断面図である。

【図９】本発明の実施形態にかかるＴＦＴの製造方法を
示す工程断面図である。

【図１０】本発明の実施形態にかかるＴＦＴの製造方法
を示す工程断面図である。

【図１１】本発明の実施形態にかかるＴＦＴの製造方法
を示す工程断面図である。

【図１２】本発明の実施形態にかかるＴＦＴの製造方法
を示す工程断面図である。

【図１３】液晶表示装置の構成図である。

【図１４】ＴＦＴの断面構造図である。

【符号の説明】

１０ 基板 １１ バッファ層 １２ ｐ−Ｓｉ膜 １３ ゲート絶縁膜 １４ ドープトｐｏｌｙ−Ｓｉ １５ ＷＳｉ １６ 注入ストッパー １７ サイドウォール １８ 第１の層間絶縁膜 １９ ドレイン電極 ２０ ソース電極 ２１ 第２の層間絶縁膜 ２２ 表示電極 ＣＨ チャンネル領域 ＬＤ 低濃度領域 Ｄ ドレイン領域 Ｓ ソース領域 ＣＴ コンタクトホール Ｒ レジスト

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性基板上に半導体層及び電極層を形
   成する半導体素子の製造方法において、 前記半導体層は、前記絶縁性基板上に形成された非晶質
   半導体膜に、パルス励起レーザー照射を行うことによ
   り、前記非晶質半導体膜を比較的粒径の小さな結晶粒か
   らなる多結晶半導体膜にした後、連続励起レーザー照射
   を行うことにより前記結晶粒の粒径を大きくするととも
   に、結晶粒径の分布を均一にすることを特徴とする半導
   体素子の製造方法。