JPH09281181A - 半導体装置の検査装置 - Google Patents
半導体装置の検査装置Info
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- JPH09281181A JPH09281181A JP8095232A JP9523296A JPH09281181A JP H09281181 A JPH09281181 A JP H09281181A JP 8095232 A JP8095232 A JP 8095232A JP 9523296 A JP9523296 A JP 9523296A JP H09281181 A JPH09281181 A JP H09281181A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ハンドラーで半導体装置を検査する際に、コ
ンタクト押えの不均一な加圧力により半導体装置が破壊
してしまう。 【解決手段】 コンタクト押え部２２は、第１の突出部
２０と第２の突出部２１とを有しており、各々バネ部材
等の弾性材により押圧できるようになっている。そして
第１の突出部２０は半導体装置１１の両端部すなわち半
導体キャリア４上面を押圧し、第２の突出部２１は半導
体装置１１の半導体素子３の裏面部を押圧できるように
構成されている。そのためこのコンタクト押え部２２の
構成により、半導体装置１１に対して加圧した場合、偏
った加圧力が半導体装置１１に印加されることはないの
で、半導体キャリア４の割れを防止することができるも
のである。
ンタクト押えの不均一な加圧力により半導体装置が破壊
してしまう。 【解決手段】 コンタクト押え部２２は、第１の突出部
２０と第２の突出部２１とを有しており、各々バネ部材
等の弾性材により押圧できるようになっている。そして
第１の突出部２０は半導体装置１１の両端部すなわち半
導体キャリア４上面を押圧し、第２の突出部２１は半導
体装置１１の半導体素子３の裏面部を押圧できるように
構成されている。そのためこのコンタクト押え部２２の
構成により、半導体装置１１に対して加圧した場合、偏
った加圧力が半導体装置１１に印加されることはないの
で、半導体キャリア４の割れを防止することができるも
のである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は回路形成されたキャ
リア上に半導体素子が接合され、半導体素子の周囲が樹
脂モールドされたタイプの半導体装置の電気的特性を検
査するハンドラーと呼ばれる半導体装置の検査装置に関
するものであり、特に被検査体である半導体装置が破壊
されることなく検査できる半導体装置の検査装置に関す
るものである。
リア上に半導体素子が接合され、半導体素子の周囲が樹
脂モールドされたタイプの半導体装置の電気的特性を検
査するハンドラーと呼ばれる半導体装置の検査装置に関
するものであり、特に被検査体である半導体装置が破壊
されることなく検査できる半導体装置の検査装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子を回路基板に実装する
方法として、フリップチップ実装工法を用いたパッケ−
ジの検討がなされている。
方法として、フリップチップ実装工法を用いたパッケ−
ジの検討がなされている。
【０００３】図３はチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）
と呼ばれる半導体装置の平面図、図４はその底面図、図
５は図３のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
と呼ばれる半導体装置の平面図、図４はその底面図、図
５は図３のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
【０００４】図３、図４および図５において、チップサ
イズパッケージ（ＣＳＰ）と呼ばれる半導体装置の構成
について説明する。
イズパッケージ（ＣＳＰ）と呼ばれる半導体装置の構成
について説明する。
【０００５】図示するように、表面の電極パッド１にＡ
ｕバンプ２の形成された半導体素子３が、フェースダウ
ン方式、すなわち表面側を下にしてセラミックなどの材
料で構成された多層回路基板である半導体キャリア４に
接合されている。半導体キャリア４の上面には半導体素
子３との導通のための複数の電極５が形成されており、
電極５と半導体素子３上に形成された二段形状のＡｕバ
ンプ２とが導電性接着剤６で接合されている。そして接
合された半導体素子３と半導体キャリア４との間の隙間
と、半導体素子３の端部はエポキシ系封止樹脂７によっ
て充填被覆されている。
ｕバンプ２の形成された半導体素子３が、フェースダウ
ン方式、すなわち表面側を下にしてセラミックなどの材
料で構成された多層回路基板である半導体キャリア４に
接合されている。半導体キャリア４の上面には半導体素
子３との導通のための複数の電極５が形成されており、
電極５と半導体素子３上に形成された二段形状のＡｕバ
ンプ２とが導電性接着剤６で接合されている。そして接
合された半導体素子３と半導体キャリア４との間の隙間
と、半導体素子３の端部はエポキシ系封止樹脂７によっ
て充填被覆されている。
【０００６】また電極５は、配線パターン８により半導
体キャリア４表面で引き回され、ビア９により半導体キ
ャリア４の裏面の外部電極端子１０に導通されている。
なお、半導体キャリア４表面の配線パターン８は、前記
ビア９により積層基板である半導体キャリア４の内部で
引き回されて、図４に示すように、半導体キャリア４の
裏面で外部電極端子１０の配列を構成する。
体キャリア４表面で引き回され、ビア９により半導体キ
ャリア４の裏面の外部電極端子１０に導通されている。
なお、半導体キャリア４表面の配線パターン８は、前記
ビア９により積層基板である半導体キャリア４の内部で
引き回されて、図４に示すように、半導体キャリア４の
裏面で外部電極端子１０の配列を構成する。
【０００７】以上のように構成されたチップサイズパッ
ケージ（ＣＳＰ）と呼ばれる半導体装置は、ハンドラー
と呼ばれる検査装置によって電気的特性を測定し、検査
される。以下、その検査装置と検査方法について図面を
参照しながら説明する。
ケージ（ＣＳＰ）と呼ばれる半導体装置は、ハンドラー
と呼ばれる検査装置によって電気的特性を測定し、検査
される。以下、その検査装置と検査方法について図面を
参照しながら説明する。
【０００８】図６は従来の半導体装置の検査装置の要部
を示す断面図である。まず図６に示すように、検査装置
は、検査装置本体に被検査物である半導体装置１１を収
納して載置するための凹部１２が設けられたテストヘッ
ド部１３と、その被検査物に対して、上方から加熱加圧
を行なうための突出部１４を有したコンタクト押え部１
５と、凹部１２にはボード１６上に配列されたコンタク
トピン１７が設けられているものである。コンタクトピ
ン１７は、半導体装置１１の裏面の外部電極端子１０に
接触して電気的特性を測定するためのものである。また
コンタクト押え部１５は被検査物を加熱するためのヒー
ターを内蔵し、エアー加圧によって被検査物を加圧する
ものである。
を示す断面図である。まず図６に示すように、検査装置
は、検査装置本体に被検査物である半導体装置１１を収
納して載置するための凹部１２が設けられたテストヘッ
ド部１３と、その被検査物に対して、上方から加熱加圧
を行なうための突出部１４を有したコンタクト押え部１
５と、凹部１２にはボード１６上に配列されたコンタク
トピン１７が設けられているものである。コンタクトピ
ン１７は、半導体装置１１の裏面の外部電極端子１０に
接触して電気的特性を測定するためのものである。また
コンタクト押え部１５は被検査物を加熱するためのヒー
ターを内蔵し、エアー加圧によって被検査物を加圧する
ものである。
【０００９】次に検査方法について説明する。まず被検
査物である半導体装置１１を検査装置本体内の凹部１２
のボード１６上のコンタクトピン１７上に載置し、コン
タクトピン１７を半導体装置１１の対応する外部電極端
子１０に接触させる。次にコンタクト押え部１５により
半導体装置１１を加熱加圧する。この加熱加圧状態に
て、導通を行ない、半導体装置１１の電気的特性を測定
する。
査物である半導体装置１１を検査装置本体内の凹部１２
のボード１６上のコンタクトピン１７上に載置し、コン
タクトピン１７を半導体装置１１の対応する外部電極端
子１０に接触させる。次にコンタクト押え部１５により
半導体装置１１を加熱加圧する。この加熱加圧状態に
て、導通を行ない、半導体装置１１の電気的特性を測定
する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の半
導体装置の検査装置の構成は、被検査物である半導体装
置をコンタクト押え部の突出部により加熱加圧して検査
するものであるが、加熱加圧するためのコンタクト押え
部は、ヒーターを内蔵して加熱するための機構を有して
いるものであり、非常に硬い金属等により構成されてい
た。そして被検査物である半導体装置の特に半導体キャ
リア部は、セラミックなどの絶縁性の積層基板よりなる
もので、その厚みが５００μｍ程度ときわめて薄いもの
であった。したがって、コンタクト押え部により凹部の
コンタクトピン上に載置した半導体装置を上方から加熱
加圧すると、加圧不均一による加圧力のバラツキと、コ
ンタクト押え部の押え時の衝撃との相乗作用により、半
導体装置の半導体キャリア部が破壊されてしまうという
おそれがあった。また半導体装置が正しく凹部内のコン
タクトピン上に載置されていない状態でコンタクト押え
部で加圧すると、より一層、不均一な加圧力が半導体キ
ャリアに印加され、検査前に半導体装置が破壊してしま
うおそれもあった。
導体装置の検査装置の構成は、被検査物である半導体装
置をコンタクト押え部の突出部により加熱加圧して検査
するものであるが、加熱加圧するためのコンタクト押え
部は、ヒーターを内蔵して加熱するための機構を有して
いるものであり、非常に硬い金属等により構成されてい
た。そして被検査物である半導体装置の特に半導体キャ
リア部は、セラミックなどの絶縁性の積層基板よりなる
もので、その厚みが５００μｍ程度ときわめて薄いもの
であった。したがって、コンタクト押え部により凹部の
コンタクトピン上に載置した半導体装置を上方から加熱
加圧すると、加圧不均一による加圧力のバラツキと、コ
ンタクト押え部の押え時の衝撃との相乗作用により、半
導体装置の半導体キャリア部が破壊されてしまうという
おそれがあった。また半導体装置が正しく凹部内のコン
タクトピン上に載置されていない状態でコンタクト押え
部で加圧すると、より一層、不均一な加圧力が半導体キ
ャリアに印加され、検査前に半導体装置が破壊してしま
うおそれもあった。
【００１１】本発明は、このような従来の不都合を解決
するものであり、セラミック等の割れ易い材料により構
成された半導体キャリア上に半導体素子が接合され、半
導体素子の周囲が樹脂モールドされたタイプの半導体装
置をコンタクト押えにより加熱加圧して特性検査する半
導体装置の検査装置において、加圧するためのコンタク
ト押え部によって半導体キャリアが破壊するという課題
に着目し、半導体キャリアが検査時に破壊することを防
止した構造の半導体装置の検査装置を提供することを課
題とする。
するものであり、セラミック等の割れ易い材料により構
成された半導体キャリア上に半導体素子が接合され、半
導体素子の周囲が樹脂モールドされたタイプの半導体装
置をコンタクト押えにより加熱加圧して特性検査する半
導体装置の検査装置において、加圧するためのコンタク
ト押え部によって半導体キャリアが破壊するという課題
に着目し、半導体キャリアが検査時に破壊することを防
止した構造の半導体装置の検査装置を提供することを課
題とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
め本発明における半導体装置の検査装置は、被検査物を
収納して載置するための凹部を有し、コンタクトピンホ
ールを有したテストヘッド部と、そのテストヘッド部の
下方に設けられ、テストヘッド部に設けられたコンタク
トピンホールを通して被検査物と導通して電気的特性を
検査するためのコンタクトピンと、テストヘッド部に嵌
合され、テストヘッド部の凹部内に載置した被検査物に
対して上方から加圧を行なうためのコンタクト押え部と
よりなり、被検査物の上面形状に対応してコンタクト押
え部に設けた第１の突出部と第２の突出部とを押圧させ
るとともにテストヘッド部を下降させて被検査物とコン
タクトピンを導通させる機構を有したものである。また
高温高圧ガスの供給により、被検査物の押圧と、テスト
ヘッド部を下降させ、被検査物とコンタクトピンを導通
させる機構を有したものである。
め本発明における半導体装置の検査装置は、被検査物を
収納して載置するための凹部を有し、コンタクトピンホ
ールを有したテストヘッド部と、そのテストヘッド部の
下方に設けられ、テストヘッド部に設けられたコンタク
トピンホールを通して被検査物と導通して電気的特性を
検査するためのコンタクトピンと、テストヘッド部に嵌
合され、テストヘッド部の凹部内に載置した被検査物に
対して上方から加圧を行なうためのコンタクト押え部と
よりなり、被検査物の上面形状に対応してコンタクト押
え部に設けた第１の突出部と第２の突出部とを押圧させ
るとともにテストヘッド部を下降させて被検査物とコン
タクトピンを導通させる機構を有したものである。また
高温高圧ガスの供給により、被検査物の押圧と、テスト
ヘッド部を下降させ、被検査物とコンタクトピンを導通
させる機構を有したものである。
【００１３】また本発明の半導体装置の検査装置は、被
検査物として特に、外力により割れ易いセラミックなど
の絶縁性材料の回路基板からなる半導体キャリアと、そ
の半導体キャリア上に接合された半導体素子とよりなる
半導体装置を対象としたものである。
検査物として特に、外力により割れ易いセラミックなど
の絶縁性材料の回路基板からなる半導体キャリアと、そ
の半導体キャリア上に接合された半導体素子とよりなる
半導体装置を対象としたものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】前記構成の通り、被検査物の上面
形状に対応してコンタクト押え部に設けた第１の突出部
と第２の突出部とを押圧させるとともにテストヘッド部
を下降させて被検査物とコンタクトピンを導通させる機
構を有しているので、均一な加圧力を被検査物に印加す
ることができ、一部分にのみ荷重がかかることを防止
し、被検査物の破壊を防止して検査することができ、被
検査物が半導体装置の場合、半導体キャリアの破壊を防
止して検査できるものである。
形状に対応してコンタクト押え部に設けた第１の突出部
と第２の突出部とを押圧させるとともにテストヘッド部
を下降させて被検査物とコンタクトピンを導通させる機
構を有しているので、均一な加圧力を被検査物に印加す
ることができ、一部分にのみ荷重がかかることを防止
し、被検査物の破壊を防止して検査することができ、被
検査物が半導体装置の場合、半導体キャリアの破壊を防
止して検査できるものである。
【００１５】また高温高圧ガスの供給により、被検査物
の押圧と、テストヘッド部を下降させ、被検査物とコン
タクトピンを導通させる機構、さらにはこれら２つの機
構の組み合せによっても、より一層、被検査物の上面全
体に均一な加圧力を印加することができ、被検査物の破
壊を防止して検査することができ、被検査物が半導体装
置の場合、半導体キャリアの破壊を防止して検査できる
ものである。
の押圧と、テストヘッド部を下降させ、被検査物とコン
タクトピンを導通させる機構、さらにはこれら２つの機
構の組み合せによっても、より一層、被検査物の上面全
体に均一な加圧力を印加することができ、被検査物の破
壊を防止して検査することができ、被検査物が半導体装
置の場合、半導体キャリアの破壊を防止して検査できる
ものである。
【００１６】以下、本発明の一実施形態について、図面
を参照しながら説明する。図１は本実施形態における半
導体装置の検査装置の要部断面図である。まず本実施形
態にかかる半導体装置の検査装置の構成について説明す
る。
を参照しながら説明する。図１は本実施形態における半
導体装置の検査装置の要部断面図である。まず本実施形
態にかかる半導体装置の検査装置の構成について説明す
る。
【００１７】図１に示すように、本実施形態では、検査
装置本体に被検査物である半導体装置１１を収納して載
置するための凹部１８が設けられたテストヘッド部１９
と、その被検査物に対して、上方から加熱加圧を行なう
ための第１の突出部２０と第２の突出部２１とを有した
コンタクト押え部２２と、凹部１８には下方のコンタク
トピン２３のためのコンタクトピンホール２４が設けら
れているものである。そしてコンタクト押え部２２はテ
ストヘッド部１９にＯリング等により嵌合されており、
半導体装置１１が凹部１８に載置された際には、気密性
が保持された状態を形成するものである。またコンタク
トピン２３は、半導体装置１１の裏面の外部電極端子１
０に接触して電気的特性を測定するためのものである。
またコンタクト押え部２２は被検査物を加熱するための
ヒーターを内蔵し、エアー加圧によって被検査物を加圧
するものである。そしてコンタクト押え部２２には、半
導体装置１１を移送する際に吸着したり、検査時に半導
体装置１１に対して高温高圧ガスブローを供給するため
にガス路２５が設けられているものである。
装置本体に被検査物である半導体装置１１を収納して載
置するための凹部１８が設けられたテストヘッド部１９
と、その被検査物に対して、上方から加熱加圧を行なう
ための第１の突出部２０と第２の突出部２１とを有した
コンタクト押え部２２と、凹部１８には下方のコンタク
トピン２３のためのコンタクトピンホール２４が設けら
れているものである。そしてコンタクト押え部２２はテ
ストヘッド部１９にＯリング等により嵌合されており、
半導体装置１１が凹部１８に載置された際には、気密性
が保持された状態を形成するものである。またコンタク
トピン２３は、半導体装置１１の裏面の外部電極端子１
０に接触して電気的特性を測定するためのものである。
またコンタクト押え部２２は被検査物を加熱するための
ヒーターを内蔵し、エアー加圧によって被検査物を加圧
するものである。そしてコンタクト押え部２２には、半
導体装置１１を移送する際に吸着したり、検査時に半導
体装置１１に対して高温高圧ガスブローを供給するため
にガス路２５が設けられているものである。
【００１８】ここで本実施形態にかかる半導体装置の検
査装置は、コンタクト押え部２２の先端部に設けた突出
部は、第１の突出部２０と第２の突出部２１とにより構
成されており、被検査物である半導体装置１１に対して
均一な圧力で接触できる構造を有している。図２には本
実施形態の半導体装置の検査装置におけるコンタクト押
え部２２の拡大概要図を示している。図２に示すよう
に、コンタクト押え部２２は、第１の突出部２０と第２
の突出部２１とを有しており、各々バネ部材等の弾性材
により押圧できるようになっている。そして図において
は、第１の突出部２０は内蔵したバネ部材等の弾性材に
より、第２の突出部２１よりも内部に入り込んだ状態と
なっている。したがって、第１の突出部２０と第２の突
出部２１との段差は、被検査物の上面の凹凸状態に応じ
て、調整するものである。そして第１の突出部２０は半
導体装置１１の両端部、すなわち半導体キャリア４上面
を押圧し、第２の突出部２１は半導体装置１１の半導体
素子３の裏面部を押圧できるように構成されている。本
実施形態のコンタクト押え部２２の構成により、半導体
装置１１に対して加圧した場合、偏った加圧力が半導体
装置１１に印加されることはないので、半導体キャリア
４の割れを防止することができるものである。
査装置は、コンタクト押え部２２の先端部に設けた突出
部は、第１の突出部２０と第２の突出部２１とにより構
成されており、被検査物である半導体装置１１に対して
均一な圧力で接触できる構造を有している。図２には本
実施形態の半導体装置の検査装置におけるコンタクト押
え部２２の拡大概要図を示している。図２に示すよう
に、コンタクト押え部２２は、第１の突出部２０と第２
の突出部２１とを有しており、各々バネ部材等の弾性材
により押圧できるようになっている。そして図において
は、第１の突出部２０は内蔵したバネ部材等の弾性材に
より、第２の突出部２１よりも内部に入り込んだ状態と
なっている。したがって、第１の突出部２０と第２の突
出部２１との段差は、被検査物の上面の凹凸状態に応じ
て、調整するものである。そして第１の突出部２０は半
導体装置１１の両端部、すなわち半導体キャリア４上面
を押圧し、第２の突出部２１は半導体装置１１の半導体
素子３の裏面部を押圧できるように構成されている。本
実施形態のコンタクト押え部２２の構成により、半導体
装置１１に対して加圧した場合、偏った加圧力が半導体
装置１１に印加されることはないので、半導体キャリア
４の割れを防止することができるものである。
【００１９】次に検査方法について図１を参照しながら
説明する。ここで、検査方法で示す被検査物である半導
体装置１１は、図３，図４，図５に示したタイプの半導
体装置であり、セラミック等の割れ易い材料により構成
された半導体キャリア４上に半導体素子３が接合された
タイプの半導体装置である。
説明する。ここで、検査方法で示す被検査物である半導
体装置１１は、図３，図４，図５に示したタイプの半導
体装置であり、セラミック等の割れ易い材料により構成
された半導体キャリア４上に半導体素子３が接合された
タイプの半導体装置である。
【００２０】まず被検査物である半導体装置１１を検査
装置本体内のテストヘッド部１９の凹部１８にコンタク
ト押え部２２の吸着機構により移送されて、載置され
る。次にコンタクト押え部２２から高温高圧ブローをテ
ストヘッド部１９に供給することで、テストヘッド部１
９自体を下降させ、コンタクトピンホール２４にコンタ
クトピン２３を挿入させる。これは高圧ガスにより、テ
ストヘッド部１９自体がシリンダー動作するものであ
り、テストヘッド部１９内は高圧となっている。そのた
め半導体装置１１は圧力差によりテストヘッド部１９の
凹部１８底部に密着する。そしてコンタクト押え部２２
の第１の突出部２０は半導体装置１１の両端部すなわち
半導体キャリア４上面を押圧し、第２の突出部２１は半
導体装置１１の半導体素子３の裏面部を押圧するととも
に、半導体装置１１の外部電極端子１０にコンタクトピ
ン２３を接触させ、半導体装置１１の電気的特性を測定
するものである。
装置本体内のテストヘッド部１９の凹部１８にコンタク
ト押え部２２の吸着機構により移送されて、載置され
る。次にコンタクト押え部２２から高温高圧ブローをテ
ストヘッド部１９に供給することで、テストヘッド部１
９自体を下降させ、コンタクトピンホール２４にコンタ
クトピン２３を挿入させる。これは高圧ガスにより、テ
ストヘッド部１９自体がシリンダー動作するものであ
り、テストヘッド部１９内は高圧となっている。そのた
め半導体装置１１は圧力差によりテストヘッド部１９の
凹部１８底部に密着する。そしてコンタクト押え部２２
の第１の突出部２０は半導体装置１１の両端部すなわち
半導体キャリア４上面を押圧し、第２の突出部２１は半
導体装置１１の半導体素子３の裏面部を押圧するととも
に、半導体装置１１の外部電極端子１０にコンタクトピ
ン２３を接触させ、半導体装置１１の電気的特性を測定
するものである。
【００２１】なお、本実施形態では、コンタクト押え部
２２から高温高圧ブローをテストヘッド部１９に供給
し、テストヘッド部１９を下降させてコンタクトピン２
３と半導体装置１１の外部電極端子１０に接触させると
ともに、コンタクト押え部２２の第１の突出部２０と第
２の突出部２１とにより押圧して検査しているが、コン
タクト押え部２２から高温高圧ブローの供給のみで、テ
ストヘッド部１９の下降およびコンタクトピン２３と半
導体装置１１の外部電極端子１０との接触を行なうこと
で検査してもよい。この場合、コンタクト押え部２２の
第１の突出部２０と第２の突出部２１とは、半導体装置
が位置ずれしないように半導体装置の上面を押圧する程
度でよい。ここで用いる高温高圧ブローのガスとして
は、被検査物の酸化が影響ない場合であれば、高温高圧
空気でもよく、また酸化の影響を考慮するのであれば、
窒素ガスなどの不活性ガスを用いるものである。
２２から高温高圧ブローをテストヘッド部１９に供給
し、テストヘッド部１９を下降させてコンタクトピン２
３と半導体装置１１の外部電極端子１０に接触させると
ともに、コンタクト押え部２２の第１の突出部２０と第
２の突出部２１とにより押圧して検査しているが、コン
タクト押え部２２から高温高圧ブローの供給のみで、テ
ストヘッド部１９の下降およびコンタクトピン２３と半
導体装置１１の外部電極端子１０との接触を行なうこと
で検査してもよい。この場合、コンタクト押え部２２の
第１の突出部２０と第２の突出部２１とは、半導体装置
が位置ずれしないように半導体装置の上面を押圧する程
度でよい。ここで用いる高温高圧ブローのガスとして
は、被検査物の酸化が影響ない場合であれば、高温高圧
空気でもよく、また酸化の影響を考慮するのであれば、
窒素ガスなどの不活性ガスを用いるものである。
【００２２】本実施形態のように半導体装置１１に対し
て、コンタクト押え部２２の第１の突出部２０、第２の
突出部２１による押圧手段、高温高圧ブローによる押圧
手段、またはそれらの組み合せ手段のいずれの場合にお
いても、均一な加圧力を半導体装置１１全体に印加する
ことができ、半導体キャリア４を破壊することなく検査
することができる。
て、コンタクト押え部２２の第１の突出部２０、第２の
突出部２１による押圧手段、高温高圧ブローによる押圧
手段、またはそれらの組み合せ手段のいずれの場合にお
いても、均一な加圧力を半導体装置１１全体に印加する
ことができ、半導体キャリア４を破壊することなく検査
することができる。
【００２３】なお、本実施の形態は、半導体装置を構成
している半導体キャリア４がセラミックなどの割れ易い
絶縁性材料からなる積層回路基板である場合に特に有効
であるが、参考として、その半導体キャリア４の作製の
一例を以下に記す。
している半導体キャリア４がセラミックなどの割れ易い
絶縁性材料からなる積層回路基板である場合に特に有効
であるが、参考として、その半導体キャリア４の作製の
一例を以下に記す。
【００２４】まずセラミック粉末をガラス粉末と溶剤と
共に混合ミルに投入し、回転混合粉砕を行なう。さらに
有機バインダーを添加しさらに混合する。このセラミッ
ク粉末は通常アルミナを主体とするが、特に熱伝導性を
向上させるために窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化珪
素（ＳｉＣ）等の粉末も添加する。十分混合を行なった
後、得られる泥しょう、いわゆるスラリーはグリーンシ
ート成型のために搬送シート上に任意の厚みで塗布され
る。厚みの調整はドクターブレード法等を用いる。搬送
シート上のスラリーは赤外線および熱風を用いて溶剤を
乾燥することにより、弾力性に富み、導電ペースト印刷
時のペースト溶剤の浸透性にすぐれたグリーンシートと
なる。このグリーンシートに対して位置合わせ手法とし
て配線ルール２００μｍ以上の場合には、グリーンシー
トに直接ガイド穴を設け、２００μｍ未満の場合には、
ガイド穴を有した保持枠に張り付ける。次にグリーンシ
ートの表裏の電気的導通が必要な部分に機械的加工法に
て穴を設ける。この穴に印刷法にてＣｕ粉末を主成分と
した導電性ペーストを充填する。次にグリーンシート表
面に必要な回路を印刷した後乾燥を行い適当な荷重にて
印刷された回路をグリーンシート中に埋没させる。この
目的は回路が印刷されたグリーンシート表面を平坦にす
ることにより、次の工程である積層工程における積層不
良、いわゆるデラミネーションを防止するためである。
積層工程においては、グリーンシートに設けられたガイ
ド穴もしくは保持枠のガイド穴により精度よく積層され
たグリーンシートを加圧することにより強固に接着す
る。
共に混合ミルに投入し、回転混合粉砕を行なう。さらに
有機バインダーを添加しさらに混合する。このセラミッ
ク粉末は通常アルミナを主体とするが、特に熱伝導性を
向上させるために窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化珪
素（ＳｉＣ）等の粉末も添加する。十分混合を行なった
後、得られる泥しょう、いわゆるスラリーはグリーンシ
ート成型のために搬送シート上に任意の厚みで塗布され
る。厚みの調整はドクターブレード法等を用いる。搬送
シート上のスラリーは赤外線および熱風を用いて溶剤を
乾燥することにより、弾力性に富み、導電ペースト印刷
時のペースト溶剤の浸透性にすぐれたグリーンシートと
なる。このグリーンシートに対して位置合わせ手法とし
て配線ルール２００μｍ以上の場合には、グリーンシー
トに直接ガイド穴を設け、２００μｍ未満の場合には、
ガイド穴を有した保持枠に張り付ける。次にグリーンシ
ートの表裏の電気的導通が必要な部分に機械的加工法に
て穴を設ける。この穴に印刷法にてＣｕ粉末を主成分と
した導電性ペーストを充填する。次にグリーンシート表
面に必要な回路を印刷した後乾燥を行い適当な荷重にて
印刷された回路をグリーンシート中に埋没させる。この
目的は回路が印刷されたグリーンシート表面を平坦にす
ることにより、次の工程である積層工程における積層不
良、いわゆるデラミネーションを防止するためである。
積層工程においては、グリーンシートに設けられたガイ
ド穴もしくは保持枠のガイド穴により精度よく積層され
たグリーンシートを加圧することにより強固に接着す
る。
【００２５】こうして完成したセラミックキャリアの背
面に形成された格子状電極にＳｎ−Ｐｂの共晶はんだク
リームを塗布する。そして整列治具を用いて高融点はん
だボールを塗布されたはんだクリームに供給した後、リ
フロー炉等を用いて加熱溶融することによりはんだ突起
バンプである外部電極端子を形成し、半導体キャリア４
を形成するものである。
面に形成された格子状電極にＳｎ−Ｐｂの共晶はんだク
リームを塗布する。そして整列治具を用いて高融点はん
だボールを塗布されたはんだクリームに供給した後、リ
フロー炉等を用いて加熱溶融することによりはんだ突起
バンプである外部電極端子を形成し、半導体キャリア４
を形成するものである。
【００２６】
【発明の効果】本発明にかかる半導体装置の検査装置
は、検査装置を構成しているコンタクト押え部に第１の
突出部、第２の突出部を設け、被検査物に対して加圧し
た場合、均一な加圧力を被検査物に印加することがで
き、半導体装置の半導体キャリアの破壊を防止して検査
できるものである。またさらに高圧ガスブローによる押
圧により、半導体装置の上面全体に均一な加圧力を印加
することができ、半導体装置の半導体キャリアの破壊を
防止して検査できるものである。
は、検査装置を構成しているコンタクト押え部に第１の
突出部、第２の突出部を設け、被検査物に対して加圧し
た場合、均一な加圧力を被検査物に印加することがで
き、半導体装置の半導体キャリアの破壊を防止して検査
できるものである。またさらに高圧ガスブローによる押
圧により、半導体装置の上面全体に均一な加圧力を印加
することができ、半導体装置の半導体キャリアの破壊を
防止して検査できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態における半導体装置の検査装
置の断面図
置の断面図
【図２】本発明の実施形態におけるコンタクト押え部の
拡大概要図
拡大概要図
【図３】検査装置において検査される半導体装置の平面
図
図
【図４】検査装置において検査される半導体装置の底面
図
図
【図５】検査装置において検査される半導体装置の断面
図
図
【図６】従来の半導体装置の検査装置の断面図
１ 電極パッド ２ Ａｕバンプ ３ 半導体素子 ４ 半導体キャリア ５ 電極 ６ 導電性接着剤 ７ 封止樹脂 ８ 配線パターン ９ ビア １０ 外部電極端子 １１ 半導体装置 １２，１８ 凹部 １３，１９ テストヘッド部 １４ 突出部 １５，２２ コンタクト押え部 １６ ボード １７，２３ コンタクトピン ２０ 第１の突出部 ２１ 第２の突出部 ２４ コンタクトピンホール ２５ ガス路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田村 佳和 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 被検査物を収納して載置するための凹部
を有し、コンタクトピンホールを有したテストヘッド部
と、前記テストヘッド部の下方に設けられ、前記テスト
ヘッド部に設けられたコンタクトピンホールを通して前
記被検査物と導通して電気的特性を検査するためのコン
タクトピンと、前記テストヘッド部に嵌合され、前記凹
部内に載置した被検査物に対して上方から加圧を行なう
ためのコンタクト押え部とよりなり、前記コンタクト押
え部は先端部に第１の突出部と第２の突出部とを有し、
前記被検査物の上面形状に対応して前記第１の突出部と
前記第２の突出部とを押圧させるとともに前記テストヘ
ッド部を下降させて前記被検査物と前記コンタクトピン
を導通させる機構を有したことを特徴とする半導体装置
の検査装置。 - 【請求項２】 被検査物を収納して載置するための凹部
を有し、コンタクトピンホールを有したテストヘッド部
と、前記テストヘッド部の下方に設けられ、前記テスト
ヘッド部に設けられたコンタクトピンホールを通して前
記被検査物と導通して電気的特性を検査するためのコン
タクトピンと、前記テストヘッド部に嵌合され、前記凹
部内に載置した被検査物に対して上方から高圧ガスブロ
ーを供給するコンタクト押え部とよりなり、前記コンタ
クト押え部は先端部に第１の突出部と第２の突出部とを
有し、前記被検査物の上面形状に対応して前記第１の突
出部と前記第２の突出部とを押圧させ、また高圧ブロー
により前記被検査物を押圧するとともに前記テストヘッ
ド部を下降させて前記被検査物と前記コンタクトピンを
導通させる機構を有したことを特徴とする半導体装置の
検査装置。 - 【請求項３】 被検査物として、その上面形状が上方に
凸の形状を有した半導体装置であって、セラミック材か
らなる半導体キャリアと、前記半導体キャリア上に接合
された半導体素子とよりなる半導体装置を対象にした半
導体装置の検査装置であって、コンタクト押え部の第１
の突出部は前記半導体装置の半導体キャリアを押圧し、
第２の突出部は前記半導体装置の半導体素子裏面を押圧
することを特徴とする請求項１または請求項２記載の半
導体装置の検査装置。 - 【請求項４】 被検査物を収納して載置するための凹部
を有し、コンタクトピンホールを有したテストヘッド部
と、前記テストヘッド部の下方に設けられ、前記テスト
ヘッド部に設けられたコンタクトピンホールを通して前
記被検査物と導通して電気的特性を検査するためのコン
タクトピンと、前記テストヘッド部に嵌合され、前記凹
部内に載置した被検査物に対して上方から高圧ガスブロ
ーを供給するコンタクト押え部とよりなり、前記コンタ
クト押え部の高圧ブローにより前記被検査物をテストヘ
ッド部の凹部に押圧するとともに、前記テストヘッド部
を下降させて前記被検査物と前記コンタクトピンを導通
させる機構を有したことを特徴とする半導体装置の検査
装置。 - 【請求項５】 被検査物として、その上面形状が上方に
凸の形状を有した半導体装置であって、セラミック材か
らなる半導体キャリアと、前記半導体キャリア上に接合
された半導体素子とよりなる半導体装置を対象にしたこ
とを特徴とする請求項１または請求項２または請求項４
のいずれかに記載の半導体装置の検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09523296A JP3271516B2 (ja) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | 半導体装置の検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09523296A JP3271516B2 (ja) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | 半導体装置の検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09281181A true JPH09281181A (ja) | 1997-10-31 |
| JP3271516B2 JP3271516B2 (ja) | 2002-04-02 |
Family
ID=14132022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09523296A Expired - Fee Related JP3271516B2 (ja) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | 半導体装置の検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3271516B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102021084B1 (ko) * | 2019-03-13 | 2019-09-16 | 주식회사 에이티이솔루션 | 피검사체의 단자부 테스트 장치 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02309579A (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-25 | Enplas Corp | 検査用ｉｃソケット |
| JPH075228A (ja) * | 1993-06-18 | 1995-01-10 | Tokyo Electron Ltd | バーンインテスト用接触装置 |
| JPH07239362A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Ando Electric Co Ltd | 浮動機構つき吸着ハンドおよび搬送接触機構 |
| JPH085666A (ja) * | 1994-04-21 | 1996-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体ウェハ収納器、接続方法、接続装置及び半導体集積回路の検査方法 |
-
1996
- 1996-04-17 JP JP09523296A patent/JP3271516B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02309579A (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-25 | Enplas Corp | 検査用ｉｃソケット |
| JPH075228A (ja) * | 1993-06-18 | 1995-01-10 | Tokyo Electron Ltd | バーンインテスト用接触装置 |
| JPH07239362A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Ando Electric Co Ltd | 浮動機構つき吸着ハンドおよび搬送接触機構 |
| JPH085666A (ja) * | 1994-04-21 | 1996-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体ウェハ収納器、接続方法、接続装置及び半導体集積回路の検査方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102021084B1 (ko) * | 2019-03-13 | 2019-09-16 | 주식회사 에이티이솔루션 | 피검사체의 단자부 테스트 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3271516B2 (ja) | 2002-04-02 |
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