JPH09268226A - 芳香族ポリカーボネート樹脂 - Google Patents
芳香族ポリカーボネート樹脂Info
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- JPH09268226A JPH09268226A JP35094296A JP35094296A JPH09268226A JP H09268226 A JPH09268226 A JP H09268226A JP 35094296 A JP35094296 A JP 35094296A JP 35094296 A JP35094296 A JP 35094296A JP H09268226 A JPH09268226 A JP H09268226A
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Abstract
る光導電性高分子材料を提供する。 【解決手段】 下記一般式(I)で示される繰り返し単
位からなる芳香族ポリカーボネート樹脂。 【化1】
Description
ート樹脂に関し、さらに詳しくは電子写真用感光体とし
て有用な新規な芳香族ポリカーボネート樹脂に関する。
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン(以
下ビスフェノールAと略称する)にホスゲンやジフェニ
ルカーボネートを反応させて得られるポリカーボネート
樹脂がその代表的なものとして知られている。かかるビ
スフェノールAからのポリカーボネート樹脂は、透明
性、耐熱性、寸法精度および機械的強度などの面で優れ
た性質を有していることから、多くの分野で用いられて
いる。そのひとつの例として、電子写真法において使用
される有機感光体用のバインダー樹脂として様々な検討
がなされている。有機感光体の代表的な構成例として、
導電性基板上に電荷発生層、電荷輸送層を順次積層した
積層型感光体が挙げられる。電荷輸送層は低分子電荷輸
送材料とバインダー樹脂より形成され、このバインダー
樹脂として芳香族ポリカーボネート樹脂が多数提案され
ている。しかしながら、低分子電荷輸送材料の含有によ
り、バインダー樹脂が本来有する機械的強度を低下さ
せ、このことが感光体の摩耗性劣化、傷、クラックなど
の原因となり、感光体の耐久性を損うものとなってい
る。
ルピレン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、トリフェニ
ルアミンを側鎖に有するアクリル系樹脂〔M.Stol
kaet al J.Polym.Sci.,21 9
69(1983)〕およびベンジジン構造を有する芳香
族ポリカーボネート樹脂(特開昭64−9964号公
報)などの光導電性高分子材料が検討されているが、実
用化には至っていない。
の実状に鑑みてなされたものであって、有機感光体用の
電荷輸送性高分子材料として特に有用な芳香族ポリカー
ボネート樹脂を提供することを、その目的とする。
た結果、下記一般式(I)で示される繰り返し単位から
なる新規芳香族ポリカーボネート樹脂及び下記一般式
(II)ならびに(III)で示される繰り返し単位からな
る新規芳香族ポリカーボネート樹脂により上記課題が解
決されることを見出し、本発明に到った。
る。 (1)下記一般式(I)で表わされる繰り返し単位から
なる芳香族ポリカーボネート樹脂。
す。Ar1,Ar2,Ar3及びAr4は同一又は異なる2
価の芳香族炭化水素基又は複素環基、Ar5は置換もし
くは無置換の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無
置換の複素環基を表わす。Xは脂肪族の2価基、環状脂
肪族の2価基、または、
もしくは無置換のアルキル基、置換または無置換の芳香
族炭化水素基またはハロゲン原子であり、l及びmは各
々独立して0〜4の整数であり、Yは単結合、炭素原子
数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン
基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、
を表わし、aは0〜20の整数、bは1〜2000の整
数、R3,R4は各々独立して置換又は無置換のアルキル
基ないしは置換又は無置換の芳香族炭化水素基を表わ
す。)を表わす。〕 (2)下記一般式(II)および(III)で表わされる繰
り返し単位からなり、繰り返し単位の組成比が0<k/
(k+j)≦1である芳香族ポリカーボネート樹脂。
00の整数を表わす。Ar1,Ar2,Ar3及びAr4は
同一又は異なる2価の芳香族炭化水素基又は複素環基、
Ar5は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、また
は置換もしくは無置換の複素環基を表わす。Xは脂肪族
の2価基、環状脂肪族の2価基または、
もしくは無置換のアルキル基、置換または無置換の芳香
族炭化水素基またはハロゲン原子であり、l及びmは各
々独立して0〜4の整数であり、Yは単結合、炭素原子
数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン
基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、
を表わし、aは0〜20の整数、bは1〜2000の整
数、R3,R4は各々独立して置換又は無置換のアルキル
基ないしは置換又は無置換の芳香族炭化水素基を表わ
す。)を表わす。〕 (3)下記一般式(IV)で表わされる繰り返し単位から
なる上記(1)記載の芳香族ポリカーボネート樹脂。
義〕 (4)下記一般式(V)および(III)で表わされる繰
り返し単位からなり、繰り返し単位の組成比が0<k/
(k+j)≦1である上記(2)記載の芳香族ポリカー
ボネート樹脂。
と同義〕 本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は従来ポリカーボ
ネート樹脂の製造法として、公知のビスフェノールと炭
酸誘導体との重合と同様の方法で製造できる。すなわ
ち、下記一般式(VI)又は一般式(VII)で表わされる
第3級アミノ基を有するジオール化合物と、ビスアリー
ルカーボネートとのエステル交換法、ホスゲンとの溶液
または界面重合によるホスゲン法、あるいはジオールか
ら誘導されるビスクロロホーメートを用いるビスクロロ
ホーメート法等により製造される。この際、下記一般式
(VIII)で表わされるジオールを併用することによって
上記一般式(II)で表わされる第3級アミノ基を有する
繰り返し単位と上記一般式(III)で表わされる繰り返
し単位からなる芳香族ポリカーボネート樹脂あるいは上
記一般式(V)で表わされる第3級アミノ基を有する繰
り返し単位と上記一般式(III)で表わされる繰り返し
単位からなる芳香族ポリカーボネート樹脂を製造するこ
とができ、こうすることによって所望の特性を備えた芳
香族ポリカーボネート樹脂が得られる。上記一般式(I
I)で表わされる第3級アミノ基を有する繰り返し単位
と上記一般式(III)で表わされる繰り返し単位との割
合及び上記一般式(V)で表わされる第3級アミノ基を
有する繰り返し単位と上記一般式(III)で表わされる
繰り返し単位との割合は所望の特性により広い範囲から
選択することができる。
れる繰り返し単位からなる芳香族ポリカーボネート樹脂
は、一般式(VI)または(VII)で表わされるジオール
化合物と一般式(VIII)から誘導されるビスクロロホー
メートとの界面重合あるいは溶液重合によって得られ
る。又、一般式(VI)あるいは(VII)で表わされるジ
オール化合物から誘導されるビスクロロホーメートと一
般式(VIII)で表わされるジオールとの重合によっても
得られる。
前義と同じ〕 以下、上記製造法に関してさらに詳細に説明する。
価フェノールとビスアリールカーボネートを混合し、通
常減圧下120〜350℃で反応させる。減圧度は段階
的に変化させ、最終的には1mmHg以下にして生成す
るフェノール類を系外に留去させる。反応時間は通常1
〜4時間程度である。又、必要に応じて分子量調節剤や
酸化防止剤を加えてもよい。ビスアリールカーボネート
としてはジフェニルカーボネート、ジ−p−トリルカー
ボネート、フェニル−p−トリルカーボネート、ジ−p
−クロロフェニルカーボネート、ジナフチルカーボネー
トなどが挙げられる。
在下に反応を行う。脱酸剤としては水酸化ナトリウムや
水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物、ピリジン
などが用いられる。溶媒としては例えばジクロロメタ
ン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素が用いら
れる。又、反応促進のために例えば第3級アミン、第4
級アンモニウム塩などの触媒を用いることができ、分子
量調節剤として例えばフェノール、p−tert−ブチ
ルフェノールなどの末端停止剤を用いることが望まし
い。反応温度は通常0〜40℃、反応時間は数分〜5時
間であり、反応中のpHは通常10以上に保つことが好
ましい。
ール化合物を溶媒に溶解し、脱酸剤を添加し、これにビ
スクロロホーメートを添加することにより得られる。脱
酸剤としてはトリメチルアミン、トリエチルアミン、ト
リプロピルアミンのような第3級アミン及びピリジンが
使用される。反応に使用される溶媒としては、例えばジ
クロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テ
トラクロロエタン、トリクロロエチレン、クロロホルム
などのハロゲン化炭化水素及びテトラヒドロフラン、ジ
オキサンなどの環状エーテル系の溶媒が好ましい。又、
分子量調節剤として、例えばフェノール、p−tert
−ブチルフェノールなどの末端停止剤を用いることが望
ましい。反応温度は通常0〜40℃、反応時間は数分〜
5時間である。
カーボネート樹脂には、必要に応じて酸化防止剤、光安
定剤、熱安定剤、滑剤、可塑剤などの添加剤を加えるこ
とができる。以下、本発明の芳香族ポリカーボネート樹
脂について更に詳細に説明する。
前記一般式(II)又は(V)で表わされる繰り返し単位
からなる単独重合体、または前記一般式(I)、又は
(IV)で表わされる繰り返し単位からなる交互共重合
体、更にまた前記一般式(II)及び(III)、あるいは
前記一般式(V)及び(III)で表わされる繰り返し単
位を構成単位とするランダムまたはブロック共重合体の
いずれでもよい。又、本発明の芳香族ポリカーボネート
樹脂の分子量は、ポリスチレン換算数平均分子量で10
00〜1000000、好ましくは5000〜5000
00である。
る、前記一般式(I)〜(V)で表わされる繰り返し単
位を与える原料及び前記一般式(VI),(VII)で表わ
されるジオール化合物の具体例を以下に示す。Ar5の
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、
ビフェニル基、ターフェニル基、ピレニル基、フルオレ
ニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、アズ
レニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセ
ニル基、または
−SO2−,−CO−及び以下の2価基を表わす。
換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲ
ン原子、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、ニト
ロ基、シアノ基を表わし、R6は水素原子、置換もしく
は無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール
基を表わし、c,dは1〜12の整数を表わす。
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。
される2価の芳香族炭化水素基又は複素環基としては上
記示した芳香族炭化水素基又は複素環基の2価基が挙げ
られる。上述の芳香族炭化水素基又は複素環基及び2価
の芳香族炭化水素基又は複素環基に置換される基として
は以下に示す基が挙げられる。
基。 (2)アルキル基;好ましくはC1〜C12とりわけC1〜
C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖の
アルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素
原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フ
ェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基も
しくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル基
を含有してもよい。具体的にはメチル基、エチル基、n
−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、s−ブ
チル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフルオロメ
チル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエチル
基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル基、ベ
ンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベンジル
基、4−メトキシベンジル基等が挙げられる。
記(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的にはメ
トキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポ
キシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキ
シ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。 (4)アリールオキシ基;アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これはC1〜C4のアルコ
キシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子を置
換基として含有してもよい。具体的にはフェノキシ基、
1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メ
チルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−ク
ロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。
ルカプト基;具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、
フェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げら
れる。 (6)
義したアルキル基またはアリール基を表わし、アリール
基としては例えばフェニル基、ビフェニリル基またはナ
フチル基が挙げられ、これらはC1〜C4のアルコキシ
基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基
として含有してもよい。R8とR9は共同で環を形成して
もよい。またアリール基上の炭素原子と共同で環を形成
してもよい。具体的にはジエチルアミノ基、N−メチル
−N−フェニルアミノ基、N,N−ジフェニルアミノ
基、N,N−ジ(p−トリル)アミノ基、ジベンジルア
ミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等
が挙げられる。
ンジチオ基等のアルキレンジオキシ基またはアルキレン
ジチオ基等が挙げられる。 一般式R1〜R4におけるハロゲン原子および置換又は無
置換のアルキル基としては、上記(1),(2)で示し
た例が具体例として挙げられ、置換又は無置換の芳香族
炭化水素基としては、置換もしくは無置換のフェニル
基、ビフェニリル基が具体例として挙げられる。一般式
(VIII)で示されるジオール化合物の具体例を以下に示
す。
ンジオール、1,5−ペンタンジオール、1,6−ヘキ
サンジオール、1,8−オクタンジオール、1,10−
デカンジオール、2−メチル−1,3−プロパンジオー
ル、2,2−ジメチル−1,3−プロパンジオール、2
−エチル−1,3−プロパンジオール、ジエチレングリ
コール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコ
ール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等の脂肪
族ジオールや1,4−シクロヘキサンジオール、1,3
−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−1,4−
ジメタノール等の環状脂肪族ジオールが挙げられる。
4,4’−ジヒドロキシジフェニル、ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)エタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)−1−フェニルエタン、2,2−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−メチル
−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロペンタン、2,
2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)プ
ロパン、2,2−ビス(3−イソプロピル−4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)ブタン、2,2−ビス(3,5−ジメチル
−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス
(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,
4’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、4,4’
−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、3,3’−ジメ
チル−4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、
4,4’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、2,2−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレ
ン、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)キサンテ
ン、エチレングリコール−ビス(4−ヒドロキシベンゾ
エート)、ジエチレングリコール−ビス(4−ヒドロキ
シベンゾエート)、トリエチレングリコール−ビス(4
−ヒドロキシベンゾエート)−1,3−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)−テトラメチルジシロキサン、フェノ
ール変性シリコーンオイル等が挙げられる。
る本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、上記一般式
(VI)又は(VII)で示される第3級アミノ基を有する
ジオール化合物と、上記一般式(VIII)で示されるジオ
ールから誘導されるビスクロロホーメートとを、溶媒、
脱酸剤の存在下で反応させることにより製造できる。
する。なお、下記実施例において部はすべて重量部であ
る。 実施例1 ジオール化合物として下記構造の
リル)フェニル〕−N−(4−メチルフェニル)アミン
4.96部を脱水処理したテトラヒドロフラン(TH
F)40部に溶解させ、窒素ガス気流下で撹拌しながら
トリエチルアミンを3.04部加えた後にジエチレング
リコールビスクロロホーメート2.31部をTHF8部
に溶解させた液を水浴で20℃に冷却しながら30分か
けて滴下した。その後、室温で更に2時間撹拌反応さ
せ、4重量%のフェノールのTHF溶液を1部加え反応
を終了させた。その後、析出した塩を濾過によって除
き、得られた反応液をメタノール中へ滴下して粗生成物
を濾取した。この物を再びTHFに溶解させてメタノー
ル中へ滴下する再沈殿操作を2回繰り返して下記構造式
のポリカーボネート樹脂(No.1)を得た。
ョンクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリス
チレン換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 32300 重量平均分子量 112000 又、この物の赤外吸収スペクトル(フィルム)を図1に
示したが、1760cm-1にカーボネートのC=O伸縮
振動に基づく吸収が認められた。また、元素分析結果を
表1に示す。
ル〕−N−(4−メチルフェニル)アミン4.96部を
脱水処理したテトラヒドロフラン(THF)40部に溶
解させ、窒素ガス気流下で撹拌しながらトリエチルアミ
ンを3.04部加えた後にポリテトラメチレンエーテル
グリコールビスクロロホーメート(平均分子量250の
ポリテトラメチレンエーテルグリコールより調整)3.
66部をTHF8部に溶解させた液を水浴で20℃に冷
却しながら20分かけて滴下した。その後、室温で更に
2時間撹拌反応させ、4重量%のフェノールのTHF溶
液を1部加え反応を終了させた。その後、析出した塩を
濾過によって除き、得られた反応液をメタノール中へ滴
下して粗生成物を濾取した。この物を再びTHFに溶解
させてメタノール中へ滴下する再沈殿操作を2回繰り返
して下記構造式のポリカーボネート樹脂(No.2)を得
た。
ョンクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリス
チレン換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 27500 重量平均分子量 66200 又、この物の赤外吸収スペクトル(フィルム)を図2に
示したが、1760cm-1にカーボネートのC=O伸縮
振動に基づく吸収が認められた。また、元素分析結果を
表2に示す。
ーボネート樹脂を得た。これらの実施例3〜4の化合物
の基本構造は下記一般式で表わされる。
ェニル〕−N−〔4−(3−ヒドロキシスチリル)フェ
ニル〕−N−(4−メチルフェニル)アミン4.00部
を脱水処理したテトラヒドロフラン(THF)35部に
溶解させ、窒素ガス気流下で撹拌しながらトリエチルア
ミンを2.45部加えた後にジエチレングリコールビス
クロロホーメート1.86部をTHF8部に溶解させた
液を水浴で20℃に冷却しながら30分かけて滴下し
た。その後、室温で更に2時間撹拌反応させ、4重量%
のフェノールのTHF溶液を1部加え反応を終了させ
た。その後、析出した塩を濾過によって除き、得られた
反応液をメタノール中へ滴下して粗生成物を濾取した。
この物を再びTHFに溶解させてメタノール中へ滴下す
る再沈殿操作を2回繰り返して下記構造式のポリカーボ
ネート樹脂(No.5)を得た。元素分析結果を表3に示
す。
ョンクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリス
チレン換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 15400 重量平均分子量 34400 又、この物の赤外吸収スペクトル(フィルム)を図5に
示したが、1760cm-1にカーボネートのC=O伸縮
振動に基づく吸収が認められた。また、元素分析結果を
表4に示す。
N−〔4−(4−ヒドロキシスチリル)フェニル〕−N
−〔4−(3−ヒドロキシスチリル)フェニル〕−N−
(4−メチルフェニル)アミン4.86部を脱水処理し
たテトラヒドロフラン(THF)40部に溶解させ、窒
素ガス気流下で撹拌しながらトリエチルアミンを2.9
4部加えた後にポリテトラメチレンエーテルグリコール
ビスクロロホーメート(平均分子量250のポリテトラ
メチレンエーテルグリコールより調整)3.54部をT
HF8部に溶解させた液を水槽で20℃に冷却しながら
20分かけて滴下した。その後、室温で更に2時間撹拌
反応させ、4重量%のフェノールのTHF溶液を1部加
え反応を終了させた。その後、析出した塩を濾過によっ
て除き、得られた反応液をメタノール中へ滴下して粗生
成物を濾取した。この物を再びTHFに溶解させてメタ
ノール中へ滴下する再沈殿操作を2回繰り返して下記構
造式のポリカーボネート樹脂(No.6)を得た。
ョンクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリス
チレン換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 17500 重量平均分子量 34600 又、この物の赤外吸収スペクトル(フィルム)を図6に
示したが、1760cm-1にカーボネートのC=O伸縮
振動に基づく吸収が認められた。また、元素分析結果を
表5に示す。
−〔4−(3−ヒドロキシスチリル)フェニル〕−N−
(4−メチルフェニル)アミン4.00部を脱水処理し
たテトラヒドロフラン(THF)35部に溶解させ、窒
素ガス気流下で撹拌しながらトリエチルアミンを2.4
5部加えた後にヘキサメチレングリコールビスクロロホ
ーメート1.96部をTHF8部に溶解させた液を水浴
で20℃に冷却しながら20分かけて滴下した。その
後、室温で更に2時間撹拌反応させ、4重量%のフェノ
ールのTHF溶液を1部加え反応を終了させた。その
後、析出した塩を濾過によって除き、得られた反応液を
メタノール中へ滴下して粗生成物を濾取した。この物を
再びTHFに溶解させてメタノール中へ滴下する再沈殿
操作を2回繰り返して下記構造式のポリカーボネート樹
脂(No.7)を得た。
ョンクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリス
チレン換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 15400 重量平均分子量 33500 又、この物の赤外吸収スペクトル(フィルム)を図7に
示したが、1760cm-1にカーボネートのC=O伸縮
振動に基づく吸収が認められた。また、元素分析結果を
表6に示す。
リル)フェニル〕−N−(4−メチルフェニル)アミン
4.00部を脱水処理したテトラヒドロフラン(TH
F)30部に溶解させ、窒素ガス気流下で撹拌しながら
トリエチルアミンを2.45部加えた後にジエチレング
リコールビスクロロホーメート1.87部をTHF8部
に溶解させた液を水浴で20℃に冷却しながら30分か
けて滴下した。その後、室温で更に2時間撹拌反応さ
せ、4重量%のフェノールのTHF溶液を1部加え反応
を終了させた。その後、析出した塩を濾過によって除
き、得られた反応液をメタノール中へ滴下して粗生成物
を濾取した。この物を再びTHFに溶解させてメタノー
ル中へ滴下する再沈殿操作を2回繰り返して下記構造式
のポリカーボネート樹脂(No.8)を得た。
ョンクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリス
チレン換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 Mn=14000 重量平均分子量 Mw=30000 又、この物の赤外吸収スペクトル(フィルム)を図8に
示したが、1760cm-1にカーボネートのC=O伸縮
振動に基づく吸収が認められた。また、元素分析結果を
表7に示す。
ル〕−N−(4−メチルフェニル)アミン4.00部を
脱水処理したテトラヒドロフラン(THF)35部に溶
解させ、窒素ガス気流下で撹拌しながらトリエチルアミ
ンを2.45部加えた後にポリテトラメチレンエーテル
グリコールビスクロロホーメート(平均分子量250の
ポリテトラメチレンエーテルグリコールより調整)2.
95部をTHF8部に溶解させた液を水浴で20℃に冷
却しながら40分かけて滴下した。その後、室温で更に
2時間撹拌反応させ、4重量%のフェノールのTHF溶
液を1部加え反応を終了させた。その後、析出した塩を
濾過によって除き、得られた反応液をメタノール中へ滴
下して粗生成物を濾取した。この物を再びTHFに溶解
させてメタノール中へ滴下する再沈殿操作を2回繰り返
して下記構造式のポリカーボネート樹脂(No.9)を得
た。
ョンクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリス
チレン換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 14400 重量平均分子量 29000 又、この物の赤外吸収スペクトル(フィルム)を図9に
示したが、1760cm-1にカーボネートのC=O伸縮
振動に基づく吸収が認められた。また、元素分析結果を
表8に示す。
ーボネート樹脂を得た。これらの実施例10〜11の化
合物の基本構造は下記一般式で表わされる。又、これら
の分析結果を表9に示す。
ル〕−N−(4−メチルフェニル)アミン1.98g
(4.0mmol)と1,1−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)シクロヘキサン1.48g(5.5mmol)
と4−tert−ブチルフェノール0.029gを反応
容器に入れ、アルゴンガス気流下で水酸化ナトリウム
1.52gとナトリウムハイドロサルファイト0.07
gを水50mlに溶解させた液を加え撹拌した。氷冷
下、トリホスゲン1.69gをジクロロメタン35ml
に溶解させた液を強く撹拌しながら4分かけて滴下しエ
マルジョンを形成させながら反応させた。そして、室温
で水酸化ナトリウム0.23gを加えた。その後、トリ
エチルアミンを2滴加え、30℃で120分間反応させ
た。反応終了後ジクロロメタンを加え有機層を抽出し
た。この有機層を3%水酸化ナトリウム水溶液、2%塩
酸水溶液、イオン交換水の順に洗浄した後メタノール中
に再沈させ、下記構造式のポリカーボネート樹脂(No.
12)3.64g(収率98.1%)を得た。
クロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレ
ン換算の分子量は数平均分子量で66200、重量平均
分子量で161200であった。又、ガラス転移温度は
209.5℃であった。又、この物の赤外吸収スペクト
ルを図12に示したが、1770cm-1にカーボネート
のC=O伸縮振動に基づく吸収が認められた。また、元
素分析結果を表10に示す。
リカーボネート樹脂を得た。またこれらの分析結果を表
11に示す。
ル〕−N−(4−メチルフェニル)アミン2.97g
(6.0mmol)と4−tert−ブチルフェノール
0.018gを反応容器に入れ、アルゴンガス気流下で
水酸化ナトリウム0.96gとナトリウムハイドロサル
ファイト0.07gを水50mlに溶解させた液を加え
撹拌した。氷冷下、トリホスゲン1.07gをジクロロ
メタン35mlに溶解させた液を強く撹拌しながら4分
かけて滴下しエマルジョンを形成させながら反応させ
た。そして、室温で水酸化ナトリウム0.14gを加え
た。その後、トリエチルアミンを2滴加え、30℃で1
20分間反応させた。反応終了後ジクロロメタンを加え
有機層を抽出した。この有機層を3%水酸化ナトリウム
水溶液、2%塩酸水溶液、イオン交換水の順に洗浄した
後メタノール中に再沈させ、下記構造式のポリカーボネ
ート樹脂(No.15)2.80g(収率89.2%)を
得た。
クロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレ
ン換算の分子量は数平均分子量で33700、重量平均
分子量で78100であった。又、ガラス転移温度は2
52.5℃であった。又、この物の赤外吸収スペクトル
を図15に示したが、1770cm-1にカーボネートの
C=O伸縮振動に基づく吸収が認められた。また、元素
分析結果を表12に示す。
合溶媒に溶解したポリアミド樹脂(CM−8000:東
レ社製)溶液をドクターブレードで塗布し、自然乾燥し
て0.3μmの中間層を設けた。この上に電荷発生物質
として下記式で表わされるビスアゾ化合物をシクロヘキ
サノンで粉砕分散した分散液をドクターブレードで塗布
し、自然乾燥して約1μmの電荷発生層を形成した。
たポリカーボネート樹脂No.1 1部をメチレンジクロ
ライド9部を混合溶解し、この溶液を前記電荷発生層上
にドクターブレードで塗布し、120℃で20分間乾燥
して厚さ約20μmの電荷輸送層を形成して感光体を作
製した。
静電複写紙試験装置〔(株)川口電機製作所製SP42
8型〕を用いて暗所で−6kVのコロナ放電を20秒間
行って帯電せしめた後、感光体の表面電位Vm(V)を
測定し、更に20秒間暗所に放置した後、表面電位V0
(v)を測定した。次いでタングステンランプ光を感光
体表面での照度が4.5luxになるように照射して、
V0が1/2になるまでの時間(秒)を求め、露光量E
1/2(lux・sec)を算出した。その結果、Vm=−
1136V、Vo=−769(ボルト)、E1/2=0.6
4(lux・sec)であった。
は、前記したように光導電性素材として有効に機能し、
染料やルイス酸などの増感剤によって光学的あるいは化
学的に増感される。電子写真感光体の感光層の電荷輸送
物質等として好適に使用され、特に電荷発生層と電荷輸
送層を2層に区分した、いわゆる機能分離型感光層にお
ける電荷輸送物質として有用なものである。
ル図、
ル図、
ル図、
ル図、
ル図、
ル図、
ル図、
ル図、
ル図、
クトル図、
クトル図、
クトル図、
クトル図、
クトル図、
クトル図。
Claims (4)
- 【請求項1】 下記一般式(I)で表わされる繰り返し
単位からなる芳香族ポリカーボネート樹脂。 【化1】 〔式中、nは5〜5000の整数を表わす。Ar1,A
r2,Ar3及びAr4は同一又は異なる2価の芳香族炭
化水素基又は複素環基、Ar5は置換もしくは無置換の
芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の複素環
基を表わす。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪族の2価
基、または、 【化2】 (ここで、R1及びR2は各々独立して置換もしくは無置
換のアルキル基、置換または無置換の芳香族炭化水素基
またはハロゲン原子であり、l及びmは各々独立して0
〜4の整数であり、Yは単結合、炭素原子数1〜12の
直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−O−、
−S−、−SO−、−SO2−、 【化3】 から選ばれ、Zは脂肪族炭化水素の2価基を表わし、a
は0〜20の整数、bは1〜2000の整数、R3,R4
は各々独立して置換又は無置換のアルキル基ないしは置
換又は無置換の芳香族炭化水素基を表わす。)を表わ
す。〕 - 【請求項2】 下記一般式(II)および(III)で表わ
される繰り返し単位からなり、繰り返し単位の組成比が
0<k/(k+j)≦1である芳香族ポリカーボネート
樹脂。 【化4】 〔式中、kは5〜5000、jは0〜5000の整数を
表わす。Ar1,Ar2,Ar3及びAr4は同一又は異な
る2価の芳香族炭化水素基又は複素環基、Ar5は置換
もしくは無置換の芳香族炭化水素基、または置換もしく
は無置換の複素環基を表わす。Xは脂肪族の2価基、環
状脂肪族の2価基または、 【化5】 (ここで、R1及びR2は各々独立して置換もしくは無置
換のアルキル基、置換または無置換の芳香族炭化水素基
またはハロゲン原子であり、l及びmは各々独立して0
〜4の整数であり、Yは単結合、炭素原子数1〜12の
直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−O−、
−S−、−SO−、−SO2−、 【化6】 から選ばれ、Zは脂肪族炭化水素の2価基を表わし、a
は0〜20の整数、bは1〜2000の整数、R3,R4
は各々独立して置換又は無置換のアルキル基ないしは置
換又は無置換の芳香族炭化水素基を表わす。)を表わ
す。〕 - 【請求項3】 下記一般式(IV)で表わされる繰り返し
単位からなる請求項1記載の芳香族ポリカーボネート樹
脂。 【化7】 〔式中、n,Ar5、Xは請求項1と同義〕 - 【請求項4】 下記一般式(V)および(III)で表わ
される繰り返し単位からなり、繰り返し単位の組成比が
0<k/(k+j)≦1である請求項2記載の芳香族ポ
リカーボネート樹脂。 【化8】 〔式中、k,j,Ar5、Xは請求項2と同義〕
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35094296A JP3379880B2 (ja) | 1996-01-29 | 1996-12-27 | 芳香族ポリカーボネート樹脂 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8-12931 | 1996-01-29 | ||
JP1293196 | 1996-01-29 | ||
JP35094296A JP3379880B2 (ja) | 1996-01-29 | 1996-12-27 | 芳香族ポリカーボネート樹脂 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002303972A Division JP3621697B2 (ja) | 1996-01-29 | 2002-10-18 | 芳香族ポリカーボネート樹脂 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09268226A true JPH09268226A (ja) | 1997-10-14 |
JP3379880B2 JP3379880B2 (ja) | 2003-02-24 |
Family
ID=26348627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35094296A Expired - Fee Related JP3379880B2 (ja) | 1996-01-29 | 1996-12-27 | 芳香族ポリカーボネート樹脂 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3379880B2 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1205808A1 (en) | 2000-11-08 | 2002-05-15 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and image forming method and apparatus using the photoreceptor |
JP2003195540A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-09 | Canon Inc | 電子写真感光体の製造方法、電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
EP1600822A2 (en) | 2004-05-25 | 2005-11-30 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and image forming method, apparatus and process cartridge therefor using the photoreceptor |
US7416823B2 (en) | 2004-01-15 | 2008-08-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, and image formation method, image formation apparatus, and process cartridge for image formation apparatus using the same |
EP2017676A1 (en) | 2006-04-17 | 2009-01-21 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus, image forming method, and process cartridge |
EP2078988A2 (en) | 2008-01-10 | 2009-07-15 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and image forming method |
WO2010150885A1 (ja) * | 2009-06-26 | 2010-12-29 | 出光興産株式会社 | ポリカーボネート共重合体、それを用いた塗工液、及び電子写真感光体 |
US7865114B2 (en) | 2006-11-21 | 2011-01-04 | Ricoh Company Limited | Image forming apparatus, image forming method and process cartridge |
JP2011026577A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-02-10 | Idemitsu Kosan Co Ltd | ポリカーボネート共重合体、それを用いた塗工液、及び電子写真感光体 |
JP2011026576A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-02-10 | Idemitsu Kosan Co Ltd | ポリカーボネート共重合体、それを用いた塗工液、及び電子写真感光体 |
US8043773B2 (en) | 2006-11-16 | 2011-10-25 | Ricoh Company, Limited | Image bearing member, image forming apparatus and process cartridge |
WO2012099182A1 (en) | 2011-01-21 | 2012-07-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, and image forming method, image forming apparatus, and process cartridge using the electrophotographic photoconductor |
JP5349709B1 (ja) * | 2009-06-26 | 2013-11-20 | 出光興産株式会社 | ポリカーボネート共重合体、それを用いた塗工液、及び電子写真感光体 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4579151B2 (ja) | 2005-12-27 | 2010-11-10 | 株式会社リコー | 感光体及びその製造方法 |
-
1996
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP1205808A1 (en) | 2000-11-08 | 2002-05-15 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and image forming method and apparatus using the photoreceptor |
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US7416823B2 (en) | 2004-01-15 | 2008-08-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, and image formation method, image formation apparatus, and process cartridge for image formation apparatus using the same |
EP1600822A2 (en) | 2004-05-25 | 2005-11-30 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and image forming method, apparatus and process cartridge therefor using the photoreceptor |
EP2017676A1 (en) | 2006-04-17 | 2009-01-21 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus, image forming method, and process cartridge |
US8043773B2 (en) | 2006-11-16 | 2011-10-25 | Ricoh Company, Limited | Image bearing member, image forming apparatus and process cartridge |
US7865114B2 (en) | 2006-11-21 | 2011-01-04 | Ricoh Company Limited | Image forming apparatus, image forming method and process cartridge |
EP2078988A2 (en) | 2008-01-10 | 2009-07-15 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and image forming method |
WO2010150885A1 (ja) * | 2009-06-26 | 2010-12-29 | 出光興産株式会社 | ポリカーボネート共重合体、それを用いた塗工液、及び電子写真感光体 |
JP2011026576A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-02-10 | Idemitsu Kosan Co Ltd | ポリカーボネート共重合体、それを用いた塗工液、及び電子写真感光体 |
JP2011026577A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-02-10 | Idemitsu Kosan Co Ltd | ポリカーボネート共重合体、それを用いた塗工液、及び電子写真感光体 |
US8519082B2 (en) | 2009-06-26 | 2013-08-27 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Polycarbonate copolymer, coating liquid using same, and electrophotographic photosensitive body |
JP5349709B1 (ja) * | 2009-06-26 | 2013-11-20 | 出光興産株式会社 | ポリカーボネート共重合体、それを用いた塗工液、及び電子写真感光体 |
WO2012099182A1 (en) | 2011-01-21 | 2012-07-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, and image forming method, image forming apparatus, and process cartridge using the electrophotographic photoconductor |
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---|---|
JP3379880B2 (ja) | 2003-02-24 |
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