JPH09260562A

JPH09260562A - リード成形方法、リード成形装置、リード成形装置の異物除去方法、リード切断装置、外部リードの取り付け方法、外部リード加工装置、及び外部リードの異物除去方法

Info

Publication number: JPH09260562A
Application number: JP8068179A
Authority: JP
Inventors: Kenta Matsunaga; 健太松永; Shoji Suwahara; 昭二諏訪原
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1996-03-25
Filing date: 1996-03-25
Publication date: 1997-10-03

Abstract

(57)【要約】【課題】ハンダメッキクズの外部リードへの再付着を
改善する。【解決手段】上型ダイセット１１はその上部から加圧
装置（図示せず）により加圧され、ポスト１１外周のバ
ネ１５ｂを圧縮させながら下降していく。上型ダイセッ
ト１１のダイホルダー５に固定されたカム８は回転ロー
ラー９を外側から内側へと移動させつつ下降する。成形
パンチ７はパンチホルダー１２に対して回転可能な固定
ピン１３により取り付けられているので、バネ１５ａを
圧縮させながら閉動作を行い、リード押え１４上に装着
されている半導体装置１の外部リード３の成形加工が行
われる。半導体装置１の外部リード３成形を上向きに実
施し、成形パンチ７及び成形ダイ４に付着・堆積し、脱
落するハンダメッキクズ２４を下方に落下させ、外部リ
ード３への再付着を回避する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、外装メッキが施
された外部リードを持つ半導体装置及び、この半導体装
置の製造方法、並びにこの半導体装置のリード成形金型
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造は、一般に半導体チッ
プをリードフレーム上にダイボンディングした後、ワイ
ヤーボンディング及び樹脂封止を行い、つづいてリード
フレームに外装メッキを施した後、このリードフレーム
から外部リードを切り出し、外部リードの曲げ加工によ
りリード成形をして完了する。完了した半導体装置は、
テスト用ソケット内に装着させて、種々の電気的特性試
験を受けた後、製品として出荷される。

【０００３】図３８及び図３９は、従来のリード成形方
法を実施するための外部リード成形装置２を示す断面図
である。図３８はリード成形前を、図３９はリード成形
後を、それぞれ示している。

【０００４】半導体装置１の外部リード３は成形ダイ４
及び成形パンチ７によって成形加工される。成形ダイ４
は、ダイホルダー５を介して下型ダイセット６に固定さ
れている。成形パンチ７は回転ローラー９を内蔵してい
る。ダイホルダー５にはカム８が固定され、回転ローラ
ー９がこれにガイドされて移動することにより成形パン
チ７が開閉動作する。

【０００５】ポスト１０は下型ダイセット６から直立
し、ポスト１０を介して上下動作可能に上型ダイセット
１１が設けられている。ポスト１０の外周には、バネ１
５ｂが設置されている。上型ダイセット１１にはパンチ
ホルダー１２が設けられており、これに対して回転可能
な固定ピン１３によって成形パンチ７が取り付けられて
いる。パンチホルダー１２にはリード押え１４が設けら
れており、これに対して成形パンチ７がバネ１５ａを介
して開閉可能に取付けられている。

【０００６】このように構成された外部リード成形装置
２は、上型ダイセット１１が上部から、加圧装置（図示
せず）により加圧され、ポスト１１外周のバネ１５ｂを
圧縮させながら、下降していく。成形パンチ７はパンチ
ホルダー１２に対して回転可能な固定ピン１３により取
り付けられているので、成形パンチ７に内蔵された回転
ローラー９は下降動作中、まず下型ダイセット６のダイ
ホルダー５に固定されたカム８に接触し、そのカム形状
にならって移動する。

【０００７】回転ローラー９は外側から内側へと移動す
るようにカム８によって導かれるので、バネ１５ａを圧
縮させながら成形パンチ７は閉動作を行い、成形ダイ４
上に装着されている半導体装置１の外部リード３の成形
加工が行われる。

【０００８】図４０乃至図４２は外部リード３の成形加
工の様子を詳細に示す断面図である。まず図４０におい
て成形パンチ７が下降しつつ外部リード３に近接する。
次に図４１において成形パンチ７が下降しつつ外部リー
ド３に接触し、外部リード３を屈曲させ始める。この
際、回転ローラー９がカム８に沿って移動し、しかも成
形パンチ７が固定ピン１３によりパンチホルダー１２に
回転可能に固定されているので、成形パンチ７は円弧を
描きつつ下降する。そして図４２において成形パンチ７
が外部リード３を成形加工する。

【０００９】前記加圧装置（図示せず）を減圧する事
で、ポスト外周のバネ１５ｂの復元力により上型ダイセ
ット１１は上昇していき、バネ１５ａの復元力により成
形パンチ７の開動作が行われる。以上のような動作が複
数の半導体装置１に対して施される。

【００１０】図４３はこのようにして外部リード３が加
工された半導体装置１の外部リード３近傍を示す斜視図
である。外部リード３は複数のものが一定間隔をおいて
配置されている。そして、この外部リード３は、樹脂封
止部１８から水平に突出する水平部１９と、下方への下
降部２０と、下降部２０の下端から水平に突出し、基板
と電気的に接続される先端部２１とから構成されてい
る。

【００１１】外部リード３は、例えばＦｅ−４２Ｎｉア
ロイ等を材料とする、リードフレーム素材１６の外表面
に外装メッキとしてハンダメッキ１７が施される。外部
リード３にハンダメッキ１７を施すのは、この半導体装
置１を基板に実装する際に、ハンダ付け性の向上を図る
ためと、外部リード３の耐食性の向上を図るためであ
る。たとえばハンダメッキ１７は５〜２０μm程度の厚
さで施される。

【００１２】外部リード３はリードフレームを構成する
において、隣接するもの同士が互いにダムバーで連結さ
れた態様を有している。水平部１９はこのダムバーを外
部リード３の両側から切り落とした、ダムバーカット部
２２を有している。また、先端部２１はリードフレーム
から切り落とされた先端カット部２３を有している。こ
のようなリードフレームからの外部リード３の切り出し
は、外装ハンダメッキ１７を施した後に行われる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】図４４は図４２に示さ
れた状態の後、成形パンチ７が上昇するところを示す断
面図である。また、図４５は成形パンチ７と成形ダイ４
との近傍を示す平面図である。成形パンチ７及び成形ダ
イ４の外部リード３に接触する部分にハンダメッキクズ
２４が付着・堆積している。ハンダメッキクズ２４は外
部リード表面に施されているハンダメッキ１７と、成形
パンチ７及び成形ダイ４との接触により、ハンダメッキ
１７の一部が削りとられて生じる。

【００１４】これでは外部リード３が所定の寸法・形状
に成形されなかったり、脱落し、成形ダイ４上に散乱し
たハンダメッキクズ２４が外部リード３に再付着し、接
触不良や外観不良を発生させるなどの問題があった。

【００１５】この発明は上記問題点を解決するためにな
されたもので、ハンダメッキクズを半導体装置の外部リ
ードから、ひいては外部リードを加工する装置から除去
する技術を提供することを目的としている。

【００１６】

【課題を解決するための手段】この発明のうち請求項１
にかかるものは、半導体装置の外部リードを成形するリ
ード成形装置であって、上型ダイセットに成形ダイを、
下型ダイセットに成形パンチを、それぞれ配置させ、前
記成形ダイ及び前記成形パンチを用いて前記外部リード
を上方向に成形することを特徴とする。

【００１７】この発明のうち請求項２にかかるものは、
請求項１記載のリード成形装置であって、前記下型ダイ
セットは集塵穴を有する。

【００１８】この発明のうち請求項３にかかるものは、
成形ダイ及び成形パンチとを備え、前記成形ダイ及び成
形パンチによって半導体装置の外部リードを成形するリ
ード成形装置であって、前記成形ダイ及び前記成形パン
チの少なくとも一方がエアブローを供給する穴を内蔵す
ることを特徴とする。

【００１９】この発明のうち請求項４にかかるものは、
成形ダイ及び成形パンチとを備え、前記成形ダイ及び前
記成形パンチによって半導体装置の外部リードを成形す
るリード成形装置であって、前記成形パンチ及び前記成
形ダイの少なくとも一方が、前記外部リードと接する部
分に隣接して溝が施されていることを特徴とする。

【００２０】この発明のうち請求項５にかかるものは、
成形ダイ及び成形パンチによって半導体装置の外部リー
ドを成形するリード成形方法であって、前記成形ダイ及
び前記成形パンチは、少なくともその前記外部リードと
接触する部分が接触抵抗を軽減させる液体に浸されつ
つ、前記外部リードを成形する。

【００２１】この発明のうち請求項６にかかるものは、
半導体装置の外部リードを成形パンチによって成形する
リード成形方法であって、（ａ）前記成形パンチが貫通
して上下する上型と、前記外部リード及び前記成形パン
チが進入することを許す凹部を有する下型とが相俟って
形成する、樹脂によって封止するための空間に前記半導
体素子を配置する工程と、（ｂ）前記上型と前記下型と
の間に前記外部リードを挟む工程と、（ｃ）前記成形パ
ンチが上型内を下降して前記凹部と相まって前記外部リ
ードを成形する工程と、（ｄ）前記工程（ｃ）の後に前
記外部リードに外装メッキを施す工程とを備える。

【００２２】この発明のうち請求項７にかかるものは、
半導体素子を樹脂によって封止するための空間を両者相
俟って形成する上型及び下型との間に、前記半導体素子
に接続されたインナーリードと、外部リードとを重ね合
わせて挟み、前記樹脂によって前記半導体素子を封止す
ることによって、前記インナーリードに前記外部リード
を取り付けることを特徴とする外部リードの取り付け方
法である。

【００２３】この発明のうち請求項８にかかるものは請
求項７記載の外部リードの取り付け方法であって、前記
インナーリードは接合部を、前記外部リードは前記接合
部に係合するガイドを、それぞれ有し、前記接合部及び
前記ガイドを係合させて前記インナーリードと前記外部
リードとを位置合わせした後に、前記樹脂によって前記
半導体素子を封止する。

【００２４】この発明のうち請求項９にかかるものは請
求項８記載の外部リードの取り付け方法であって、前記
インナーリードに銅系の材料を、前記外部リードに鉄系
の材料を使用する事を特徴とする。

【００２５】この発明のうち請求項１０にかかるもの
は、前記上型及び前記下型との間に前記インナーリード
と、前記外部リードとを重ね合わせて挟んだまま、前記
インナーリードのダムバーと、前記外部リードのダムバ
ーを樹脂封止前に切断する、請求項７記載の外部リード
の取り付け方法である。

【００２６】この発明のうち請求項１１にかかるもの
は、半導体装置の外部リードを成形するリード成形装置
に対し、外装メッキ処理を施されていない外部リードを
有するダミー半導体装置を、通常の半導体装置と同様に
前記リード成形装置へと定期的に挿入することにより、
前記リード成形装置に付着した屑を研削除去する、リー
ド成形装置の異物除去方法である。

【００２７】この発明のうち請求項１２にかかるもの
は、請求項１１記載のリード成形装置の異物除去方法で
あって、前記ダミー半導体装置の有する前記外部リード
の表面には凹凸加工が施されている。

【００２８】この発明のうち請求項１３にかかるもの
は、半導体装置の外部リードをその両側から挟み、前記
外部リードの表面に凹凸加工を施す成形パンチ及び成形
ダイを備えた外部リード加工装置である。

【００２９】この発明のうち請求項１４にかかるもの
は、半導体装置の外部リードを成形するリード成形装置
に対し、シート状の研削体を通常の半導体装置と同様に
前記リード成形装置へと定期的に挿入することにより、
前記リード成形装置に付着した異物を研削除去する、リ
ード成形装置の異物除去方法である。

【００３０】この発明のうち請求項１５にかかるもの
は、半導体装置の外部リード間に、前記外部リード間に
対応した間隔の異物除去体を挿入することにより、前記
外部リード間に存在した異物を除去する外部リードの異
物除去方法である。

【００３１】この発明のうち請求項１６にかかるもの
は、半導体装置を、その有する外部リードを露出させつ
つパックで覆い、超音波が伝達する液体中に浸す、外部
リードの異物除去方法である。

【００３２】この発明のうち請求項１７にかかるもの
は、（ａ）半導体装置の外部リードの成形工程であっ
て、前記外部リードに付着する異物の位置を前記外部リ
ードの最終的な製品の形状以外の不要リード部に設定す
る工程と、（ｂ）前記不要リード部を除去する工程とを
備える外部リードの異物除去方法である。

【００３３】この発明のうち請求項１８にかかるもの
は、外部リードを有する半導体装置を載置する成形ダイ
と、前記成形ダイと相まって前記外部リードを成形する
成形パンチとを備え、前記成形ダイは、前記成形パンチ
と相対する領域のうち、前記半導体装置の近い側で選択
的に設けられた凹部を有し、前記成形ダイと前記成形パ
ンチとは、前記外部リードの先端近傍である不要リード
部を加圧して挟みこんで前記外部リードの成形を行う、
リード成形装置である。

【００３４】この発明のうち請求項１９にかかるもの
は、成形された外部リードを有する半導体装置を載置す
る受けと、前記受けと相まって、前記外部リードの先端
近傍である不要リードよりも根元側を挟む外部リード押
さえと、前記外部リードに対して相対的に移動し、前記
不要リード部を切断するリードカットダイとを備えるリ
ード切断装置である。

【００３５】この発明のうち請求項２０にかかるもの
は、請求項１９記載のリード切断装置であって、前記リ
ード切断装置は、前記不要リードを下方へと落とす不要
リード落とし穴を更に備える。

【００３６】

【発明の実施の形態】

実施の形態１．図１は、実施の形態１による外部リード
成形装置を示す断面図である。同図（ａ）はリード成形
前を、同図（ｂ）はリード成形後を、それぞれ示してい
る。

【００３７】半導体装置１の外部リード３は、成形ダイ
４及び成形パンチ７を備えるリード成形装置によって成
形加工される。成形ダイ４は、ダイホルダー５を介して
上型ダイセット１１に固定されている。成形パンチ７は
回転ローラー９を内蔵している。ダイホルダー５にはカ
ム８が固定され、回転ローラー９がこれにガイドされて
移動することにより成形パンチ７が開閉動作する。この
外部リード成形装置によって加工される外部リード３と
しては、ガルウイングタイプ、Ｊリードタイプのものが
好適である。

【００３８】ポスト１０は下型ダイセット６から直立
し、ポスト１０を介して上下動作可能に上型ダイセット
１１が設けられている。ポスト１０の外周には、バネ１
５ｂが設置されている。下型ダイセット６にはパンチホ
ルダー１２が設けられており、これに対して回転可能な
固定ピン１３によって成形パンチ７が取り付けられてい
る。パンチホルダー１２にはリード押え１４が設けられ
ており、これに対して成形パンチ７がバネ１５ａを介し
て開閉可能に取付けられている。

【００３９】上型ダイセット１１はその上部から加圧装
置（図示せず）により加圧され、ポスト１１外周のバネ
１５ｂを圧縮させながら下降していく。上型ダイセット
１１のダイホルダー５に固定されたカム８は回転ローラ
ー９を外側から内側へと移動させつつ下降する。成形パ
ンチ７はパンチホルダー１２に対して回転可能な固定ピ
ン１３により取り付けられているので、バネ１５ａを圧
縮させながら閉動作を行い、リード押え１４上に装着さ
れている半導体装置１の外部リード３の成形加工が行わ
れる。

【００４０】このように、半導体装置１の外部リード３
成形を上向きに実施し、成形パンチ７及び成形ダイ４に
付着・堆積し、脱落するハンダメッキクズ２４を下方に
落下させることができるので、外部リード３への再付着
を改善する事ができる。

【００４１】尚、実施の形態１は、本発明の技術的思想
により更に変形可能であり、外部リードの成形を上向き
に実施する事ができれば、どの様な成形形状・成形方法
のものであっても良い。

【００４２】実施の形態２．図２はこの発明の実施の形
態２を示す断面図である。パンチホルダー１２及び下型
ダイセット６に集塵穴２５を設け、下型ダイセット６下
方（図示せず）より集塵する事により、ハンダメッキク
ズ２４の再付着及び成形パンチ７の安定稼働化を図るこ
とができる。つまり、外部リード３の成形を上向きに実
施し、成形パンチ７及び成形ダイ４に付着・堆積し、脱
落するハンダメッキクズ２４を、下方に落下させること
により、ハンダメッキクズ２４の外部リード３への再付
着を防止できる。

【００４３】例えば、同図（ａ）に示されるように外部
リード３の成形前においては集塵穴２５を成形パンチ７
が塞ぐことによって、半導体装置１の装着を容易にし、
同図（ｂ）に示されるように外部リード３の成形後にお
いては集塵穴２５による集塵を成形パンチ７が妨げない
ようにすることもできる。

【００４４】実施の形態３．図３はこの発明の実施の形
態３を示す断面図である。成形パンチ７内部に、エアー
ブロー導入口７ａを設け、これを介してハンダメッキク
ズ２４付着部分にエアーブロー２６ａを外部から与える
ことができる。これによってハンダメッキクズ２４の外
部リード３への再付着を防止することができる。またエ
アーブロー２６ａを与えるのは、実線で示されるような
外部リード３が成形された後でも、破線で示されるよう
な外部リード３が成形される前でもよい。

【００４５】実施の形態４．図４はこの発明の実施の形
態４を示す断面図である。成形ダイ４内部に、エアーブ
ロー導入口４ａを設け、これを介してハンダメッキクズ
２４付着部分にエアーブロー２６ｂを外部から与えるこ
とができる。これによってハンダメッキクズ２４の外部
リード３への再付着を防止することができる。またエア
ーブロー２６ｂを与えるのは、実線で示されるような外
部リード３が成形された後でも、破線で示されるような
外部リード３が成形される前でもよい。

【００４６】尚、実施の形態３及び実施の形態４では、
本発明の技術的思想により更に変形可能であり、エアー
ブローの位置・圧力・形状等適宜であってよい。

【００４７】実施の形態５．図５はこの発明の実施の形
態５を示す平面図である。成形パンチ７に、外部リード
３と接する部分に隣接して溝２７ａを施し、付着・堆積
したハンダメッキクズ２４を溝２７ａ内に逃がすことに
より、ハンダメッキクズ２４の外部リード３への再付着
を防止することができる。

【００４８】実施の形態６．図６はこの発明の実施の形
態６を示す平面図である。成形ダイ７に、外部リード３
と接する部分に隣接して溝２７ｂを施し、付着・堆積し
たハンダメッキクズ２４を溝２７ｂ内に逃がすことによ
り、ハンダメッキクズ２４の外部リード３への再付着を
防止することができる。

【００４９】勿論、実施の形態５と実施の形態６とを組
み合わせることもできる。即ち図７に示されるように、
成形パンチ７に溝２７ａを、成形ダイ７に溝２７ｂをそ
れぞれ施して、ハンダメッキクズ２４の外部リード３へ
の再付着を防止する効果を一層高めることができる。

【００５０】これに加えて、更に、実施の形態１乃至実
施の形態４の技術を組み合わせることもできる。即ち、
図８が示すように、実施の形態１と同様にして成形ダイ
４はダイホルダー５を介して上型ダイセット１１に固定
されている。下型ダイセット６にはパンチホルダー１２
を介して成形パンチ７が回転自在に設けられている。実
施の形態２と同様に集塵穴２５が下型ダイセット６及び
パンチホルダー１２に設けられている。実施の形態３と
同様にしてエアーブロー導入口７ａが、実施の形態４と
同様にしてエアーブロー導入口４ａが、それぞれ成形パ
ンチ７及び成形ダイ４に設けられている。

【００５１】このようにして、ハンダメッキクズ２４の
外部リード３への再付着を防止する効果を更に一層高め
ることができる。

【００５２】実施の形態７．図９は、この発明の実施の
形態７による外部リード成形装置を示す断面図であり、
従来の技術で示された外部リード成形装置２の少なくと
も外部リード３を成形加工する領域を潤滑剤２９で浸し
たものである。

【００５３】例えば外部リード成形装置２の外周部を囲
む箱２８内には、潤滑剤２９が満たされており、外部リ
ード３と、成形パンチ７及び成形ダイ４との外部リード
成形時の接触抵抗を軽減させることができる。従ってハ
ンダメッキ１７の一部が削りとられてハンダメッキクズ
２４が生成されることが抑制される。つまり成形パンチ
７及び成形ダイ４へのハンダメッキクズ２４の付着・堆
積が軽減でき、外部リード３の加工の品質を高めること
ができるとともに、外部リード成形装置２の寿命も延ば
す事ができる。

【００５４】潤滑剤の代りに水や揮発性のアルコール系
液体やフロン系液体を用いることができる。揮発性の液
体を用いることは、乾燥処理が簡易となる点で望まし
い。

【００５５】実施の形態８．図１０は、この発明の実施
の形態８による外部リード成形装置３４ａを示す断面図
であり、半導体樹脂封止を行うこともできる。半導体チ
ップ３０がリードフレーム３１にダイボンディングさ
れ、またワイヤボンディングがなされた後、下型３２及
び上型３３が作る樹脂封止のための空間３００に半導体
チップ３０が収められ、リードフレーム３１が下型３２
及び上型３３に挟まれる。下型３２及び上型３３はジャ
ッキ３１０によって半導体チップ３０を加圧密閉し、空
間３００の内部に熱硬化性樹脂を注入して半導体チップ
３０及びリードフレーム３１の樹脂封止がなされる。

【００５６】上型３３にはその内部に、成形パンチ７が
上下に移動することができる空洞３３ａが設けられてい
る。成形パンチ７は別途に駆動される、例えば油圧シリ
ンダー７１によって上下に移動させることができる。

【００５７】一方、下型３２にはその内部にリードフレ
ーム３１及び成形パンチ７の進入を許す凹部３２ａが設
けられる。そして熱硬化性樹脂の注入が完了した直後に
成形パンチ７を下降させることにより、リードフレーム
３１の有する外部リードに対して成形加工を行うことが
できる。

【００５８】このようにして外部リードの成型加工を行
うことができるので、成形ダイ、並びに上型ダイセット
及び下型ダイセット等が不要になる。しかも従来は別々
の工程として行われていた樹脂封止の工程と、外部リー
ドの成形加工の工程とを同一の装置３４ａによってほぼ
同時に行うことができるので、半導体製造プロセスの簡
略化ができ、より早く半導体製品を提供する事ができ
る。

【００５９】ダムバーの切断及び外装メッキは、本実施
の形態で示された樹脂封止及び外部リードの成形の後に
行えばよく、従って、本実施の形態で示された外部リー
ドの成形においてハンダメッキクズが生じることを回避
することができる。

【００６０】尚、実施の形態８は、本発明の技術的思想
により更に変形可能であり、熱硬化性樹脂注入前にリー
ド成形を行うこともできる。又、油圧シリンダー７１の
代りにエアーシリンダーを使っても、その他の方法を使
ってもよく、半導体樹脂封止装置にて外部リード成形を
行えれば、どの様なものであっても良い。

【００６１】実施の形態９．図１１は、この発明の実施
の形態９による外部リード取り付け方法を説明する断面
図である。半導体チップ３０が接続されたインナーリー
ド３５と、外装ハンダメッキを施されて成形加工の完了
した外部リード３とは、互いに重なり合って上型３３と
下型３２との間に挟まれる。そして空間３００内に熱硬
化性樹脂を注入して半導体チップ３０を樹脂封止するこ
とによって、インナーリード３５及び外部リード３とを
接続する。

【００６２】外部リード３を取り付ける前に、予め外部
リード３に付着したハンダメッキクズ等を容易に除去し
ておくことができるので、上記の工程で得られた構造に
おいてハンダメッキクズが排除されているようにするこ
とが容易となる効果がある。

【００６３】樹脂部よりも外に外部リード取り付け部を
有し、この部分に任意の外部リードを取り付けることに
よってパッケージ構成を行う技術は既に開示されている
が（例えば特開平３−６４０５４号公報参照）、本発明
ではインナーリード３５と外部リード３とが、上型３３
と下型３２との間に挟まれるので、別途に取付け方法を
必要とせずに任意の形状の外部リード３を取り付けるこ
とができる。特に、熱硬化性樹脂が冷却するよりも早く
外部リード３の取付を行うことができるので、樹脂の冷
却に起因するパッケージの反り以上の歪を生ずることが
回避される。又、外部リード３の取付け部が樹脂内部に
ある為、より高信頼性で良好な半導体装置を得る事がで
きる。

【００６４】実施の形態１０．図１２は、この発明の実
施の形態１０による外部リード取り付け方法を説明する
断面図である。実施の形態９における外部リード３とイ
ンナーリード３５とが接続される際の位置決めは、外部
リード３のダムバー３６ｂと、インナーリード３５のダ
ムバー３６ａとが重ね合わせられることで実現される。

【００６５】図１３は外部リード３及びインナーリード
３５の構成を示す斜視図である。インナーリード３５に
は凹型の接合部３７とダムバー３６ａとが設けられる。
接合部３７はエッチング加工によって形成することがで
きる。また外部リード３には接合部３７と係合するガイ
ド３８と、ダムバー３６ｂとが設けられている。外部リ
ード３はリード先端部３ａ及びダムバー３６ｂによって
連結されている。

【００６６】インナーリード３５に対し、外装メッキを
施された外部リード３が上方より重ね合わされて接合部
３７とガイド３８が位置決めされ、インナーリード３５
のダムバー３６ａと外部リード３のダムバー３６ｂの位
置が一致する。

【００６７】この状態において実施の形態９に示された
ような樹脂封止を行ない、ダムバーカット及びリード先
端部３ａをカットすることにより、半導体装置が完成す
る。このような構成のインナーリード３５と外部リード
３とを用いることにより、前者に対する後者の取り付け
を高い位置決め精度で行うことができ、より信頼性が高
く良好な半導体装置を提供する事ができる。

【００６８】図１４は、成形前の外部リード３の構成を
示す斜視図である。連結部３９によって外部リード３は
連結されている。図１５は図１４に示された外部リード
３を図１３に示された構成に成形する様子を示す断面図
である。連結部３９に対し、図１５（ａ）に示されるよ
うにパンチ４０及びダイ４１によって切曲げ加工を行っ
て同図（ｂ）に示されるようにガイド３８が形成され
る。

【００６９】あるいは図１６に示すとおり、エッチング
加工によりガイド３８を形成する事もできる。

【００７０】尚、この実施の形態は本発明の技術的思想
により更に変形可能であり、インナーリード３５の接合
部３７の形状及び、外部リード３のガイド３８の形状等
種々変更しても良く、適宜であってよい。

【００７１】また、特にインナーリード３５にＣｕ
（銅）系の材料、外部リード３にＦｅ（鉄）系の材料を
使用する事ができる。これによってインナーリード３５
によって放熱性の改善を行うとともに、外部リード３の
曲げ強度を確保することができるので、より信頼性が高
い半導体装置を得る事ができる。

【００７２】実施の形態１１．図１７はこの発明の実施
の形態１１にかかる外部リード成形装置３４ｂを示す断
面図である。まず同図（ａ）に示すとおり、互いに重ね
合わされたインナーリード３５及び外部リード３を上型
３３及び下型３２にて挟みつつ、半導体チップ３０を空
間３００において加圧密閉する。図１８は図１７（ａ）
のインナーリード３５のダムバー３６ａと、外部リード
３のダムバー３６ｂの近傍を示す断面図である。

【００７３】その後、別駆動の例えば油圧シリンダー７
１によりダムバーカットパンチ４２を下降させ、ダムバ
ーカットダイ４３と相まってインナーリード３５のダム
バー３６ａと、外部リード３のダムバー３６ｂとを切断
加工する（図１７（ｂ））。

【００７４】その後、インナーリード３５及び外部リー
ド３を上型３３及び下型３２で挟んだまま、空間３００
に熱硬化性樹脂を注入して樹脂封止を行う。ダムバーカ
ットパンチ４２がインナーリード３５及び外部リード３
に噛み合うので、ダムバー３６ａ，３６ｂが切断されて
もダムバーカットパンチ４２がこれらの役目を代替して
果たし、熱硬化性樹脂が空間３００から漏れ出すことを
防ぐことができる。

【００７５】以上のようにして樹脂封止とダムバーの切
断とを同一の装置３４ｂによってほぼ同時に行うことが
できるので、半導体製造プロセスの簡略化ができ、より
早く半導体製品を提供する事ができる。外装メッキ及び
外部リードの成形は、本実施の形態で示された樹脂封止
及びダムバーの切断の後に行えばよい。

【００７６】尚、実施の形態１１は本発明の技術的思想
により更に変形可能である。外部リード成形装置３４ｂ
や、ダムバーカットパンチ４２及びダムバーカットダイ
４３の形状等は種々変更しても良く、適宜であってよ
い。

【００７７】実施の形態１２．図１９はこの発明の実施
の形態１２にかかる外部リード３ｄを備えたダミー半導
体装置１ｄを示す斜視図である。ダミー半導体装置１ｄ
は通常の半導体装置１とほぼ同形を有しており、量産工
程中の半導体装置１に混じって成形工程を受ける。外部
リード３ｄはリードフレーム素材１６で構成されてお
り、その表面に外装メッキ（ハンダメッキ）は施されて
いない。

【００７８】このダミー半導体装置１ｄの外部リード３
ｄの成形加工を、通常の半導体装置１のそれと混在して
行う。外部リード３ｄ（即ちリードフレーム素材１６）
の表面の摩擦強度と、外部リード成形装置に付着したハ
ンダメッキクズ等の異物表面の摩擦強度との差を利用し
て、外部リード成形装置に付着したハンダメッキクズ等
の異物を成形装置から研削除去することができる。

【００７９】なお、通常の半導体装置の外部リードに施
された外装メッキ材とは異なるメッキ材を用いてメッキ
が施された外部リードを備えたダミー半導体装置を、量
産工程中の通常の半導体装置の間に混入させて成形工程
を受けさせる技術がある（例えば特開平２−４５９６６
号公報参照）。これはダミー半導体装置の外部リードの
成形加工を行い、メッキ材の異なりによる付着力の差異
を利用して、外部リード成形装置に付着したハンダメッ
キクズ等の異物を加工装置より引き剥がし、量産工程中
の半導体装置の外部リードへの異物付着を防止するもの
である。

【００８０】しかし本実施の形態では、樹脂封止後、外
装メッキ処理を施される前のリードフレーム素材１６の
ままのダミー半導体装置１ｄを用いるので、外装メッキ
処理工程を省略することができるという利点がある。従
って、量産工程中の通常の半導体装置１の外部リード３
への異物付着を防止することが、より早く安価に可能と
なる。

【００８１】実施の形態１３．実施の形態１３は実施の
形態１２で紹介された、リードフレーム素材１６で構成
された外部リード３ｄの表面に凹凸加工を行う技術を紹
介する。

【００８２】図２０は実施の形態１３にかかる外部リー
ド３ｄを示す斜視図である。外部リード３ｄの表面に、
スリット加工４４を施す事により、研削除去効果を向上
させる事ができる。

【００８３】図２１はこのようなスリット加工４４を行
う工程を示す断面図である。成形パンチ４５ａ及び成形
ダイ４６ａの表面には微細な突起が設けられている。両
者で外部リード３ｄを挟んで加圧することにより、短時
間で確実にスリット加工４４を施すことができる。

【００８４】図２２は本実施の形態の変形を示す斜視図
である。外部リード３ｄの表面に、ステップ加工４７を
施す事により、研削除去効果を向上させる事ができる。

【００８５】図２３はこのようなステップ加工４７を行
う工程を示す断面図である。成形パンチ４５ｂ及び成形
ダイ４６ｂの表面には互いに噛み合うようにステップ状
の凹凸が設けられている。両者で外部リード３ｄを挟ん
で加圧することにより、短時間で確実に凹凸加工４７を
施すことができる。

【００８６】図２４は本実施の形態の更に他の変形を示
す斜視図である。外部リード３ｄの表面に、穴加工４８
を施す事により、研削除去効果を向上させる事ができ
る。

【００８７】図２５はこのような穴加工４８を行う工程
を示す断面図である。成形パンチ４５ｃ及び成形ダイ４
６ｃのいずれにも、複数のピン４９が内蔵されている。
押さえプレート５０を用いて、成形パンチ４５ｃ及び成
形ダイ４６ｃで外部リード３ｄを挟んで加圧することに
より、短時間で確実に穴加工４８を施すことができる。

【００８８】尚、実施の形態１３は、本発明の技術的思
想により更に変形可能であり、スリット加工４４、ステ
ップ加工４７、及び穴加工４８の場所、大きさ、深さ、
形状等種々変更しても良く、その加工方法も適宜であっ
てよい。例えば穴加工４８はエッチング加工を用いて施
されてもよい。

【００８９】実施の形態１４．実施の形態１２で紹介さ
れたダミー半導体装置１ｄを用いる替わりに、研磨材を
塗布、又は、染み込ませた布を外部リード成形装置に挿
入してもよい。或いは和紙やゴム板を挿入してもよい。

【００９０】このようなシート状の研削体の表面の摩擦
強度と、外部リード成形装置に付着したハンダメッキク
ズ等の異物表面の摩擦強度との差を利用して、外部リー
ド成形装置に付着したハンダメッキクズ等の異物を成形
装置から研削除去することができる。

【００９１】実施の形態１４は、本発明の技術的思想に
より更に変形可能であり、研磨剤や布、紙の種類、形
状、硬さ、厚さ等種々変更しても良く、適宜であってよ
い。但し、厚さは、リードフレームの厚さよりも５０〜
１００μm程度厚いものが望ましい。

【００９２】実施の形態１５．図２６はこの発明の実施
の形態１５にかかるハンダ屑取り装置を示す斜視図及び
断面図である。同図（ａ）は外部リード成形装置によっ
て外部リード３が成形加工された半導体装置１を示して
いる。

【００９３】外部リード３には成形パンチや成形ダイか
ら脱落したハンダメッキクズ２４が付着している。これ
はリード間ショート不良を発生させることになる。かか
る半導体装置１に対し、その外部リード３に対応した間
隔の櫛刃状のパンチ５１を、異物除去体として外部リー
ド３の間に挿入する。これによって、外部リード３から
はみ出しているハンダメッキクズ２４等の異物を短時間
で確実に除去する事ができ、信頼性が高い半導体装置を
提供する事ができる。

【００９４】このような櫛刃状のパンチ５１は、例えば
同図（ｂ）に示されるように、従来の技術で示された外
部リード成形装置２において、成形パンチ７の代わりに
取付けることができる。外部リード成形装置２のパンチ
ホルダー１２の上下動作に合わせて櫛刃状のパンチ５１
が上下する。同図（ｂ）ではパンチホルダー１２が上方
に移動している状態を示している。

【００９５】図２７はハンダ屑取り装置の部分断面図で
あり、同図（ａ）は櫛刃状のパンチ５１が上方に移動し
ている状態を、同図（ｂ）は櫛刃状のパンチ５１が下方
に移動している状態を、それぞれ示している。外部リー
ド３の表面に再付着したハンダメッキクズ２４等の異物
は櫛刃状のパンチ５１により切断・除去され、短時間で
確実に除去する事ができる。従って信頼性が高い半導体
装置を提供する事ができる。

【００９６】勿論、異物除去体としてはパンチでなく、
ダイを採用することもできる。図２８はハンダ屑取り装
置の断面図であり、同図（ａ）は櫛刃状のダイ５３に対
して外部リード３がはまっていない状態を、同図（ｂ）
は櫛刃状のダイ５３に対して外部リード３がはまってい
る状態を、それぞれ示している。図２９は、上記ハンダ
屑取り装置の部分的断面図であり、同図（ａ），（ｂ）
はそれぞれ図２８（ａ），（ｂ）に対応している。

【００９７】受け５４はバネ５５によって支えられてお
り、受け５４には半導体装置１が載置されている。半導
体装置１はピン５２によって下方へ押しつけられ、バネ
５５を圧縮させながら、上方へと向けられて固定された
櫛刃状のダイ５３の刃と刃の間を外部リード３が下方へ
と通過する。その後、ピン５２による半導体装置１の押
しつけを解除すると、バネ５５の復原力によって、櫛刃
状のダイ５３の刃と刃の間を上方へと外部リード３が通
過する。

【００９８】この動作によって、外部リード３は固定さ
れた櫛刃状ダイ５３の間を通過することになり、外部リ
ード３の表面に付着したハンダメッキクズ２４等の異物
が櫛刃状ダイ５３により切断されて除去され、短時間で
確実に除去する事ができる。

【００９９】ピン５２は例えば従来の技術で示された外
部リード成形装置２において、リード押え１４に設ける
ことができる。また櫛刃状のダイ５３、受け５４、バネ
５５を成形ダイ４と置換することができる。

【０１００】尚、実施の形態１５は、本発明の技術的思
想により更に変形可能であり、ハンダ屑取り装置の形状
や櫛刃状パンチ５１、櫛刃状ダイ５３の形状・材質の変
更・コーティング材の有無等、種々変更しても良く、適
宜であって良い。

【０１０１】実施の形態１６．実施の形態１５において
は異物除去体として固体たるパンチやダイを採用した
が、異物除去体としては気体などの流体であってもよ
い。

【０１０２】図３０及び図３１は、それぞれ実施の形態
１６にかかる高圧エアー吹き付け装置５６を示す斜視図
及び断面図である。エアー配管５９にはエアーノズル６
０が取り付けられ、エアーノズル６０には吹き出し口５
８ａが設けられている。エアー配管５９から供給された
高圧エアー６１はエアーノズル６０を介して吹き出し口
５８ａに達する。吹き出し口５８ａは外部リード３の間
に高圧エアー６１を吹き付けるように配置されている。

【０１０３】図３１に示されるように、リード３を有す
る半導体装置１は位置決めダイ５７上に載置される。例
えば半導体装置１は吸着搬送によってダイ５７上に搬送
される。また、外部リード３から離れた待機位置Ａと、
外部リード３の間の根元近傍で高圧エアー６１を吹き付
ける位置Ｂとの間で、エアーノズル６０は回転しつつ、
外部リード３と平行に移動することができる。

【０１０４】従って、高圧エアー６１は外部リード３の
形状を損なうことなく、外部リード３からはみ出してい
るハンダメッキクズ２４等の異物を短時間で確実に除去
することができる。

【０１０５】なお、実施の形態１６は本発明の技術的思
想により更に変形可能であり、エアーノズル６０の形状
や動作、エアー圧力や噴射速度などを種々変更しても良
く、付着異物に合わせて適宜であってよい。例えば高圧
エアー６１の圧力は４〜６kg/cm²に設定することができ
る。

【０１０６】実施の形態１７．実施の形態１５において
は異物除去体として固体たるパンチやダイを採用した
が、異物除去体としては液体などの流体であってもよ
い。

【０１０７】図３２及び図３３は、それぞれ実施の形態
１７にかかる高圧水吹き付け装置６２を示す斜視図及び
断面図である。配水管６３には水圧ノズル６４が取り付
けられ、水圧ノズル６４には吹き出し口５８ｂが設けら
れている。配水管６３から供給された高圧水６５は水圧
ノズル６４を介して吹き出し口５８ｂに達する。吹き出
し口５８ｂは外部リード３の間に高圧水６５を吹き付け
るように配置されている。

【０１０８】図３３に示されるように、実施の形態１６
と同様、リード３を有する半導体装置１は位置決めダイ
５７上に載置される。また実施の形態１６と同様に待機
位置Ａと、位置Ｂとの間で、水圧ノズル６４は回転しつ
つ、外部リード３と平行に移動することができる。

【０１０９】従って、高圧水６５は外部リード３の形状
を損なうことなく、外部リード３からはみ出しているハ
ンダメッキクズ２４等の異物を短時間で確実に除去する
ことができる。

【０１１０】なお、実施の形態１７は本発明の技術的思
想により更に変形可能であり、水圧ノズル６４の形状や
動作、水圧や噴射速度などを種々変更しても良く、付着
異物に合わせて適宜であってよい。例えば高圧水６５の
圧力は１０〜２０kg/cm²に設定することができる。

【０１１１】実施の形態１８．図３４はこの実施の形態
１８にかかる超音波手直し機６６を示す概念図である。
半導体装置（図示されない）は、その有する外部リード
３を露出しつつ、専用パック６７ａにて覆われる。専用
パック６７ａは複数個が専用トレー６７ｂに載置でき、
スタンド７０によって立てられつつ、超音波発振機６９
に入れられた液体６８中に浸される。

【０１１２】このようにして外部リード３のみに液体６
８を触れさせ、液体６８を介して超音波振動が与えられ
るので、半導体装置に液体６８が浸入することなく、外
部リード３に付着したハンダメッキクズ等の異物を短時
間で確実に除去する事ができ、信頼性の高い半導体装置
を提供する事ができる。

【０１１３】尚、実施の形態１８は本発明の技術的思想
により更に変形可能であり、超音波発振機や専用トレー
の形状、使用する液体の種類、超音波の出力や周波数、
発振時間等も種々変更しても良く、付着異物に合わせて
適宜であって良い。例えば上述の超音波の設定は、出力
が１５０Ｗ程度、周波数３６ＫＨｚが最良である。ま
た、超音波の発振時間は３分〜５分に設定することがで
きる。

【０１１４】実施の形態１９．図３５は本実施の形態１
９にかかる半導体装置の部分的斜視図である。外部リー
ド３はその先端近傍に不要リード部７１を備えている。

【０１１５】従来の技術において問題点として指摘され
たように、外部リード３を成形する成形パンチや成形ダ
イからハンダメッキクズ２４が脱落し、外部リード３表
面に再付着する。本実施の形態ではハンダメッキクズ２
４等の異物を、半導体装置１の最終的な製品形状には無
関係な不要リード部７１に付着させ、その不要リード部
７１を外部リード３の成形が完了した後に、例えば切断
線ＸＸに沿って切断して除去する。

【０１１６】これによって、短時間で確実にハンダメッ
キクズ２４等の異物を除去する事ができ、信頼性が高い
半導体装置を提供する事ができる。

【０１１７】まず不要リード部７１に異物を付着させる
技術について説明する。図３６はかかる技術を説明する
断面図である。凹部である逃がし加工７２が施された成
形ダイ４に半導体装置１が載置されている。成形ダイ４
は、半導体装置１近傍において外部リード３の根元を支
持する突起４ｂを有している。かかる成形ダイ４は、従
来の技術で示された外部リード成形装置２において設け
ることができる。

【０１１８】成形ダイ４と成形パンチ７とは不要リード
部７１で外部リード３を加圧して挟み込む一方、突起４
ｂが外部リード３の根元を支持しているため、外部リー
ド３は図で示されるように屈曲する。

【０１１９】外部リード３のうち、成形パンチ７と接触
する部分であって、かつ最終的な製品形状となる部分の
下方に、逃がし加工７２が設けられる。具体的には逃が
し加工７２は、不要リード部７１が外部リード３の先端
近傍に設定されるので、成形ダイ４が成形パンチ７と相
対する領域のうち、半導体装置１の近い側に選択的に設
けられる。

【０１２０】逃がし加工７２の上方に位置する外部リー
ド３は成形ダイ４と接触せず、加圧成形時の成形パンチ
７が外部リード３のこの部分に対する加圧力を軽減する
ことができる。加圧は主として不要リード部７１に対し
てなされる。

【０１２１】従って、まず成形パンチ７へのハンダメッ
キクズ等の異物の付着・堆積を改善することができる。
更に異物の再付着は、この不要リード部７１のみでしか
発生しないことになる。つまり、外部リード３のうち最
終的な製品形状となる部分への異物の付着は回避され
る。

【０１２２】次に異物を付着させた不要リード部７１を
除去する技術について説明する。図３７はリード切断装
置の構成の一部を示す断面図である。実施の形態１５で
示されたのと同様にして、受け５４はバネ５５によって
支えられており、受け５４には例えば吸着搬送により搬
送された半導体装置１が載置される。バネ５５は例えば
外部リード成形装置２の下型ダイセット６上に設けるこ
とができる。

【０１２３】この後、外部リード押え７３が下降し、外
部リード３に接触した後は外部リード３と受け５４とを
介してバネ５５を圧縮させながら外部リード３を固定し
つつ下降動作を行う。外部リード押え７３は例えば外部
リード成形装置２の上型ダイセット１１に設けることが
できる。

【０１２４】外部リード押え７３と受け５４とに挟まれ
て固定された外部リード３は、更に下降することによ
り、下型ダイセット６に固定されたリードカットダイ７
４によって不要リード部７１が切断される。不要リード
落し穴７５が設けられているので、切断された不要リー
ド部７１は、不要リード落し穴７５からリード切断装置
の外部へと容易に排除される。

【０１２５】以上のようにして外部リード３の不要リー
ド部７１の表面に再付着したハンダメッキクズ２４等の
異物を、不要リード部７１毎に短時間で確実に除去する
事ができるので、信頼性の高い半導体装置を提供する事
が出来る。

【０１２６】尚、実施の形態１９は本発明の技術的思想
により更に変形可能であり、不要リード部７１の切断方
法や部品の形状、不要リード落し穴７５の集塵機構の追
加等を種々変更してもよく、適宜であって良い。

【０１２７】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、リー
ド成形装置の形状を変更したり、付着異物の除去を装置
化したことにより、外部リードへのハンダメッキクズ等
の異物の再付着を防止、又は、短時間で確実に除去する
事ができる。従って、より高信頼性で良好な半導体装置
を、早く安価に提供する事ができる効果がある。

【０１２８】この発明のうち請求項１にかかるリード成
形装置によれば、外部リード成形時に生じるクズが成形
パンチ及び成形ダイに付着、堆積、脱落する。これを下
方に落下させることができるので、外部リードへの再付
着を防止する事ができる。

【０１２９】この発明のうち請求項２にかかるリード成
形装置によれば、外部リード成形時に生じるクズが集塵
穴を介して容易に排出される。

【０１３０】この発明のうち請求項３にかかるリード成
形装置によれば、外部リード成形時に生じるクズが付着
する部分にエアーブローを与えることができ、クズの外
部リードへの再付着を防止することができる。

【０１３１】この発明のうち請求項４にかかるリード成
形装置によれば、外部リードの成形によって生じるクズ
を溝に逃がすことにより、クズの外部リードへの再付着
を防止することができる。

【０１３２】この発明のうち請求項５にかかるリード成
形方法によれば、成形ダイ及び成形パンチの、前記外部
リードに対する接触抵抗が軽減されることによって、外
部リード成形時のクズの生成が抑制される。

【０１３３】この発明のうち請求項６にかかるリード成
形方法によれば、下型の凹部に成形パンチが進入するこ
とによって外部リードの成形が行われる一方、上型と下
型によって形成される空間において樹脂封止を行うこと
ができるので、同一の装置において樹脂封止及び外部リ
ードの成形を行うことができる。従って半導体装置の製
造工程を減少させることができると共に、外装メッキに
先んじて外部リードの成形を行うので、ハンダメッキク
ズの生成を回避することができる。

【０１３４】この発明のうち請求項７にかかる外部リー
ドの取り付け方法によれば、別途に取付け方法を必要と
せずに任意の形状の、また異物を予め除いた外部リード
を取り付けることができる。又、取付け部が樹脂内部に
ある為、より高信頼性で良好な半導体装置を得る事がで
きる。

【０１３５】この発明のうち請求項８にかかる外部リー
ドの取り付け方法によれば、インナーリードに対する外
部リードの取り付けを、精度よく位置を合わせて行うこ
とができる。

【０１３６】この発明のうち請求項９にかかる外部リー
ドの取り付け方法によれば、インナーリードによって放
熱性の改善を行うとともに、外部リードの曲げ強度を確
保することができる。

【０１３７】この発明のうち請求項１０にかかる外部リ
ードの取り付け方法によれば、樹脂封止とダムバーの切
断とを同一の装置によってほぼ同時に行うことができ
る。従って半導体装置の製造工程を減少させることがで
きる。

【０１３８】この発明のうち請求項１１にかかるリード
成形装置の異物除去方法によれば、外装メッキ処理を施
されていない外部リードの表面の摩擦強度と、リード成
形装置に付着したハンダメッキクズ等の異物表面の摩擦
強度との差を利用して、リード成形装置に付着したハン
ダメッキクズ等の異物をリード成形装置から研削除去す
ることができる。

【０１３９】この発明のうち請求項１２にかかるリード
成形装置の異物除去方法によれば、ダミー半導体装置の
外部リード表面の凹凸により、一層効果的に異物を除去
することができる。

【０１４０】この発明のうち請求項１３にかかる外部リ
ード加工装置によれば、請求項１２に記載のリード成形
装置の異物除去方法に用いる外部リードを形成すること
ができる。

【０１４１】この発明のうち請求項１４にかかるリード
成形装置の異物除去方法によれば、研削体の表面の摩擦
強度と、外部リード成形装置に付着したハンダメッキク
ズ等の異物表面の摩擦強度との差を利用して、外部リー
ド成形装置に付着したハンダメッキクズ等の異物を外部
リード成形装置から研削除去することができる。

【０１４２】この発明のうち請求項１５にかかる外部リ
ードの異物除去方法によれば、外部リードからはみ出し
ているハンダメッキクズ等の異物を、外部リードを変形
させることなく短時間で確実に除去する事ができる。

【０１４３】この発明のうち請求項１６にかかる外部リ
ードの異物除去方法によれば、半導体装置の外部リード
のみに液体が浸されるので、半導体装置の本体には液体
が浸入することなく、外部リードに超音波を印加して、
外部リードの間に付着したハンダメッキクズ等の異物を
除去する事ができる。

【０１４４】この発明のうち請求項１７にかかる外部リ
ードの異物除去方法によれば、外部リードの最終的な製
品の形状に異物が付着していないようにすることができ
る。

【０１４５】この発明のうち請求項１８にかかるリード
成形装置によれば、請求項１７記載の外部リードの異物
除去方法の工程（ａ）を実現することができる。

【０１４６】この発明のうち請求項１９にかかるリード
切断装置によれば、請求項１７記載の外部リードの異物
除去方法の工程（ｂ）を実現することができる。

【０１４７】この発明のうち請求項２０にかかるリード
切断装置によれば、不要リード部を不要リード落し穴か
らリード切断装置の外部へと容易に排除することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態１を示す断面図であ
る。

【図２】この発明の実施の形態２を示す断面図であ
る。

【図３】この発明の実施の形態３を示す断面図であ
る。

【図４】この発明の実施の形態４を示す断面図であ
る。

【図５】この発明の実施の形態５を示す平面図であ
る。

【図６】この発明の実施の形態６を示す平面図であ
る。

【図７】この発明の実施の形態６を示す平面図であ
る。

【図８】この発明の実施の形態６を示す断面図であ
る。

【図９】この発明の実施の形態７を示す断面図であ
る。

【図１０】この発明の実施の形態８を示す断面図であ
る。

【図１１】この発明の実施の形態９を説明する断面図
である。

【図１２】この発明の実施の形態１０を説明する断面
図である。

【図１３】この発明の実施の形態１０を説明する斜視
図である。

【図１４】この発明の実施の形態１０を説明する斜視
図である。

【図１５】この発明の実施の形態１０を説明する断面
図である。

【図１６】この発明の実施の形態１０を説明する斜視
図である。

【図１７】この発明の実施の形態１１を示す断面図で
ある。

【図１８】この発明の実施の形態１１を示す断面図で
ある。

【図１９】この発明の実施の形態１２を示す斜視図で
ある。

【図２０】この発明の実施の形態１３を示す斜視図で
ある。

【図２１】この発明の実施の形態１３を示す断面図で
ある。

【図２２】この発明の実施の形態１３の変形を示す斜
視図である。

【図２３】この発明の実施の形態１３の変形を示す断
面図である。

【図２４】この発明の実施の形態１３の他の変形を示
す斜視図である。

【図２５】この発明の実施の形態１３の他の変形を示
す断面図である。

【図２６】この発明の実施の形態１５を示す斜視図及
び断面図である。

【図２７】この発明の実施の形態１５を示す断面図で
ある。

【図２８】この発明の実施の形態１５を示す断面図で
ある。

【図２９】この発明の実施の形態１５を示す断面図で
ある。

【図３０】この発明の実施の形態１６を示す斜視図で
ある。

【図３１】この発明の実施の形態１６を示す断面図で
ある。

【図３２】この発明の実施の形態１７を示す斜視図で
ある。

【図３３】この発明の実施の形態１７を示す断面図で
ある。

【図３４】この発明の実施の形態１８を示す概念図で
ある。

【図３５】この発明の実施の形態１９を示す斜視図で
ある。

【図３６】この発明の実施の形態１９を示す断面図で
ある。

【図３７】この発明の実施の形態１９を示す断面図で
ある。

【図３８】従来の技術を示す断面図である。

【図３９】従来の技術を示す断面図である。

【図４０】従来の技術を示す断面図である。

【図４１】従来の技術を示す断面図である。

【図４２】従来の技術を示す断面図である。

【図４３】従来の技術を示す斜視図である。

【図４４】従来の技術を示す断面図である。

【図４５】従来の技術を示す平面図である。

【符号の説明】

１半導体装置、３外部リード、４，４６ａ，４６
ｂ，４６ｃ成形ダイ、７，４５ａ，４５ｂ，４５ｃ
成形パンチ、４ａ，７ａエアーブロー導入口、２５
集塵穴、２６ａ，２６ｂエアーブロー、２７ａ，２７
ｂ溝、２９潤滑剤、３０半導体チップ、３１リ
ードフレーム、３２下型、３３上型、３２ａ凹
部、３３ａ空洞、３５インナーリード、３６ａ，３
６ｂダムバー、３７接合部、３８ガイド、４０
パンチ、４１ダイ、４２ダムバーカットパンチ、４
３ダムバーカットダイ、４４スリット加工、４７
ステップ加工、４８穴加工、５１櫛刃状のパンチ、
５３櫛刃状のダイ、５４受け、５６高圧エアー吹
き付け装置、６２高圧水吹き付け装置、６６超音波
手直し機、６７ａ専用パック、６７ｂ専用トレー、
６８液体、７１不要リード部、７２逃がし加工、
７３外部リード押え、７４リードカットダイ、７５
不要リード落とし穴。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体装置の外部リードを成形するリー
ド成形装置であって、上型ダイセットに成形ダイを、下型ダイセットに成形パ
ンチを、それぞれ配置させ、前記成形ダイ及び前記成形
パンチを用いて前記外部リードを上方向に成形すること
を特徴とするリード成形装置。
【請求項２】前記下型ダイセットは集塵穴を有する、
請求項１記載のリード成形装置。
【請求項３】成形ダイ及び成形パンチとを備え、前記
成形ダイ及び成形パンチによって半導体装置の外部リー
ドを成形するリード成形装置であって、前記成形ダイ及び前記成形パンチの少なくとも一方がエ
アブローを供給する穴を内蔵することを特徴とするリー
ド成形装置。
【請求項４】成形ダイ及び成形パンチとを備え、前記
成形ダイ及び前記成形パンチによって半導体装置の外部
リードを成形するリード成形装置であって、前記成形パンチ及び前記成形ダイの少なくとも一方が、
前記外部リードと接する部分に隣接して溝が施されてい
ることを特徴とするリード成形装置。
【請求項５】成形ダイ及び成形パンチによって半導体
装置の外部リードを成形するリード成形方法であって、前記成形ダイ及び前記成形パンチは、少なくともその前
記外部リードと接触する部分が接触抵抗を軽減させる液
体に浸されつつ、前記外部リードを成形するリード成形
方法。
【請求項６】半導体装置の外部リードを成形パンチに
よって成形するリード成形方法であって、（ａ）前記成形パンチが貫通して上下する上型と、前記
外部リード及び前記成形パンチが進入することを許す凹
部を有する下型とが相俟って形成する、樹脂によって封
止するための空間に前記半導体素子を配置する工程と、（ｂ）前記上型と前記下型との間に前記外部リードを挟
む工程と、（ｃ）前記成形パンチが上型内を下降して前記凹部と相
まって前記外部リードを成形する工程と、（ｄ）前記工程（ｃ）の後に前記外部リードに外装メッ
キを施す工程とを備えるリード成形方法。
【請求項７】半導体素子を樹脂によって封止するため
の空間を両者相俟って形成する上型及び下型との間に、
前記半導体素子に接続されたインナーリードと、外部リ
ードとを重ね合わせて挟み、前記樹脂によって前記半導
体素子を封止することによって、前記インナーリードに
前記外部リードを取り付けることを特徴とする外部リー
ドの取り付け方法。
【請求項８】前記インナーリードは接合部を、前記外
部リードは前記接合部に係合するガイドを、それぞれ有
し、前記接合部及び前記ガイドを係合させて前記インナーリ
ードと前記外部リードとを位置合わせした後に、前記樹
脂によって前記半導体素子を封止する請求項７記載の外
部リードの取り付け方法。
【請求項９】前記インナーリードに銅系の材料を、前
記外部リードに鉄系の材料を使用する事を特徴とする請
求項８記載の外部リードの取り付け方法。
【請求項１０】前記上型及び前記下型との間に前記イ
ンナーリードと、前記外部リードとを重ね合わせて挟ん
だまま、前記インナーリードのダムバーと、前記外部リ
ードのダムバーを樹脂封止前に切断する、請求項７記載
の外部リードの取り付け方法。
【請求項１１】半導体装置の外部リードを成形するリ
ード成形装置に対し、外装メッキ処理を施されていない
外部リードを有するダミー半導体装置を、通常の半導体
装置と同様に前記リード成形装置へと定期的に挿入する
ことにより、前記リード成形装置に付着した屑を研削除
去する、リード成形装置の異物除去方法。
【請求項１２】前記ダミー半導体装置の有する前記外
部リードの表面には凹凸加工が施されている、請求項１
１記載のリード成形装置の異物除去方法。
【請求項１３】半導体装置の外部リードをその両側か
ら挟み、前記外部リードの表面に凹凸加工を施す成形パ
ンチ及び成形ダイを備えた外部リード加工装置。
【請求項１４】半導体装置の外部リードを成形するリ
ード成形装置に対し、シート状の研削体を通常の半導体
装置と同様に前記リード成形装置へと定期的に挿入する
ことにより、前記リード成形装置に付着した異物を研削
除去する、リード成形装置の異物除去方法。
【請求項１５】半導体装置の外部リード間に、前記外
部リード間に対応した間隔の異物除去体を挿入すること
により、前記外部リード間に存在した異物を除去する外
部リードの異物除去方法。
【請求項１６】半導体装置を、その有する外部リード
を露出させつつパックで覆い、超音波が伝達する液体中
に浸す、外部リードの異物除去方法。
【請求項１７】（ａ）半導体装置の外部リードの成形
工程であって、前記外部リードに付着する異物の位置を
前記外部リードの最終的な製品の形状以外の不要リード
部に設定する工程と、（ｂ）前記不要リード部を除去する工程とを備える外部
リードの異物除去方法。
【請求項１８】外部リードを有する半導体装置を載置
する成形ダイと、前記成形ダイと相まって前記外部リードを成形する成形
パンチとを備え、前記成形ダイは、前記成形パンチと相対する領域のう
ち、前記半導体装置の近い側で選択的に設けられた凹部
を有し、前記成形ダイと前記成形パンチとは、前記外部リードの
先端近傍である不要リード部を加圧して挟みこんで前記
外部リードの成形を行う、リード成形装置。
【請求項１９】成形された外部リードを有する半導体
装置を載置する受けと、前記受けと相まって、前記外部リードの先端近傍である
不要リードよりも根元側を挟む外部リード押さえと、前記外部リードに対して相対的に移動し、前記不要リー
ド部を切断するリードカットダイとを備えるリード切断
装置。
【請求項２０】前記リード切断装置は、前記不要リー
ドを下方へと落とす不要リード落とし穴を更に備える、
請求項１９記載のリード切断装置。