JPH09252207A - 高周波トランジスタ整合回路 - Google Patents
高周波トランジスタ整合回路Info
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- JPH09252207A JPH09252207A JP8059401A JP5940196A JPH09252207A JP H09252207 A JPH09252207 A JP H09252207A JP 8059401 A JP8059401 A JP 8059401A JP 5940196 A JP5940196 A JP 5940196A JP H09252207 A JPH09252207 A JP H09252207A
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- microstrip line
- transistor
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Waveguides (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波トランジスタの入、出力インピーダン
ス整合を容易にしかも的確に実現する。 【構成】 マイクロストリップ基板２上にマイクロスト
リップライン４を形成し、その一端をトランジスタ３の
電極リード３ａ、３ｂに接続する。マイクロストリップ
ライン４上長手方向にレール状の溝５を形成し、この溝
５に球状導体６を移動自在に係合させる。この球状導体
６を移動操作することによってインピーダンスの調整を
行い、入、出力インピーダンスが整合された後に、その
位置で球状導体６を非導電性接着剤によって接着し、固
定する。
ス整合を容易にしかも的確に実現する。 【構成】 マイクロストリップ基板２上にマイクロスト
リップライン４を形成し、その一端をトランジスタ３の
電極リード３ａ、３ｂに接続する。マイクロストリップ
ライン４上長手方向にレール状の溝５を形成し、この溝
５に球状導体６を移動自在に係合させる。この球状導体
６を移動操作することによってインピーダンスの調整を
行い、入、出力インピーダンスが整合された後に、その
位置で球状導体６を非導電性接着剤によって接着し、固
定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波回路の整合回路
に関し、特に、その入出力整合を容易に実現するのに適
した高周波トランジスタ整合回路に関するものである。
に関し、特に、その入出力整合を容易に実現するのに適
した高周波トランジスタ整合回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、マイクロストリップ回路を用いた
入出力整合回路は、図５に示される如く、基板１１上に
インピーダンスを調整するパターン１４を設け、そのパ
ターン１４の形状をカットアンドトライによりインダク
タンス及びキャパシタンス成分として調整し、インピー
ダンスの整合をとっていた。
入出力整合回路は、図５に示される如く、基板１１上に
インピーダンスを調整するパターン１４を設け、そのパ
ターン１４の形状をカットアンドトライによりインダク
タンス及びキャパシタンス成分として調整し、インピー
ダンスの整合をとっていた。
【０００３】上記の如き技術の第１の従来例として挙げ
られる特開昭５８−１６６８１５号公報に開示された技
術は、マイクロストリップ線路を設けたマイクロストリ
ップ基板とＦＥＴ素子とを接地導体上に設けた高周波増
幅器において、これら基板とＦＥＴ素子との間に空間を
設けて前記線路とＦＥＴ素子との間を前記ＦＥＴ素子の
リード端子により結合しこのリード端子を入力整合回路
として用いたことを特徴とする高周波増幅器、である。
られる特開昭５８−１６６８１５号公報に開示された技
術は、マイクロストリップ線路を設けたマイクロストリ
ップ基板とＦＥＴ素子とを接地導体上に設けた高周波増
幅器において、これら基板とＦＥＴ素子との間に空間を
設けて前記線路とＦＥＴ素子との間を前記ＦＥＴ素子の
リード端子により結合しこのリード端子を入力整合回路
として用いたことを特徴とする高周波増幅器、である。
【０００４】第２の従来例として挙げられる特開平２−
１７０６０２号公報に開示された技術は、複数の回路素
子が一体化されたマイクロ波集積回路において、初段回
路の電界効果トランジスタのソースと接地との間に誘導
素子と可変容量素子との直列回路を介挿し、この可変容
量素子の容量値は外部端子からの入力信号により制御さ
れることを特徴とするマイクロ波集積回路であり、この
第２の従来技術によれば、初段回路の入力インピーダン
スは外部端子からの入力信号により適宜変化され、この
ために、システム仕様に合った雑音整合特性および利得
整合特性を有する入力整合特性にシステム設定すること
が可能になる。
１７０６０２号公報に開示された技術は、複数の回路素
子が一体化されたマイクロ波集積回路において、初段回
路の電界効果トランジスタのソースと接地との間に誘導
素子と可変容量素子との直列回路を介挿し、この可変容
量素子の容量値は外部端子からの入力信号により制御さ
れることを特徴とするマイクロ波集積回路であり、この
第２の従来技術によれば、初段回路の入力インピーダン
スは外部端子からの入力信号により適宜変化され、この
ために、システム仕様に合った雑音整合特性および利得
整合特性を有する入力整合特性にシステム設定すること
が可能になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、叙上の
従来技術には下記のような欠点があった。
従来技術には下記のような欠点があった。
【０００６】第１の問題点は従来の技術においては、イ
ンピーダンス整合をとる為に調整がむずかしく、多大な
時間と技術を要することである。
ンピーダンス整合をとる為に調整がむずかしく、多大な
時間と技術を要することである。
【０００７】その理由は、インピーダンスが分布定数回
路で構成されるために、その調整はパターンの長さ、幅
の微調整に依存していた。
路で構成されるために、その調整はパターンの長さ、幅
の微調整に依存していた。
【０００８】本発明は従来の上記実情に鑑みてなされた
ものであり、従って本発明の目的は、従来の技術に内在
する上記課題を解決し、高周波回路のインピーダンス調
整を容易にすることを可能とした新規な高周波トランジ
スタ整合回路を提供することがある。
ものであり、従って本発明の目的は、従来の技術に内在
する上記課題を解決し、高周波回路のインピーダンス調
整を容易にすることを可能とした新規な高周波トランジ
スタ整合回路を提供することがある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る高周波トランジスタ整合回路は、入力
側、出力側の両方のマイクロストリップパターン上に、
あらかじめレール状の溝を設けておき、これらの溝部分
にトランジスタの電極リードを接続し、このレール状溝
の上を球状の導体が容易に移動できる構成としている。
に、本発明に係る高周波トランジスタ整合回路は、入力
側、出力側の両方のマイクロストリップパターン上に、
あらかじめレール状の溝を設けておき、これらの溝部分
にトランジスタの電極リードを接続し、このレール状溝
の上を球状の導体が容易に移動できる構成としている。
【００１０】上記溝は、トランジスタの電極リードに対
して平行に形成される（第１の溝）か、またはこの第１
の溝に対してほぼ直角に形成され、第１の溝と接続され
る第２の溝を含むものとするか、あるいはこの第２の溝
とは反対側に形成され前記第１の溝と接続される第３の
溝を形成し、前記第１、第２、第３の溝を含む構造とさ
れる。
して平行に形成される（第１の溝）か、またはこの第１
の溝に対してほぼ直角に形成され、第１の溝と接続され
る第２の溝を含むものとするか、あるいはこの第２の溝
とは反対側に形成され前記第１の溝と接続される第３の
溝を形成し、前記第１、第２、第３の溝を含む構造とさ
れる。
【００１１】本発明は、また、トランジスタの入出力側
に突出された電極リード自体にそれぞれ溝を形成し、こ
れらの溝に球状の導体を移動できる構造とすることがで
きる。
に突出された電極リード自体にそれぞれ溝を形成し、こ
れらの溝に球状の導体を移動できる構造とすることがで
きる。
【００１２】
【作用】レール状の溝の上を導体の球は容易に移動させ
ることができる。その導体の位置を変えることにより、
オープンスタブとしての効果を持たせ、最適なインピー
ダンスを容易に実現するものである。
ることができる。その導体の位置を変えることにより、
オープンスタブとしての効果を持たせ、最適なインピー
ダンスを容易に実現するものである。
【００１３】最適なインピーダンスになるように調整が
終了した後に上記導体球をその位置に非導伝性接着剤に
より固定する。
終了した後に上記導体球をその位置に非導伝性接着剤に
より固定する。
【００１４】
【実施例】次に、本発明をその好ましい各実施例につい
て図面を参照して具体的に説明する。
て図面を参照して具体的に説明する。
【００１５】図１は本発明による第１の実施例を示す斜
視図である。
視図である。
【００１６】図１に示された本発明による第１の実施例
は、トランジスタの入、出力電極リードにマイクロスト
リップラインが接続され、インピーダンス整合をとる回
路である。このストリップパターン上にレール状の溝が
彫られ、そのレール状溝に球状の導体が移動させられる
構成である。
は、トランジスタの入、出力電極リードにマイクロスト
リップラインが接続され、インピーダンス整合をとる回
路である。このストリップパターン上にレール状の溝が
彫られ、そのレール状溝に球状の導体が移動させられる
構成である。
【００１７】図１を参照するに、参照符号１は接地導体
を示し、この接地導体１上には２個のマイクロストリッ
プ基板２、２が載置、固定されている。これら２個のマ
イクロストリップ基板２、２の間にトランジスタ３が配
設され、その３個の電極端子リードのうちの１個のリー
ドは接地導体１に接続されて接地されている。接地され
る電極リードはバイポーラトランジスタの場合には例え
ばエミッタ、ベーズでありＦＥＴの場合にはゲート、ソ
ーズである。
を示し、この接地導体１上には２個のマイクロストリッ
プ基板２、２が載置、固定されている。これら２個のマ
イクロストリップ基板２、２の間にトランジスタ３が配
設され、その３個の電極端子リードのうちの１個のリー
ドは接地導体１に接続されて接地されている。接地され
る電極リードはバイポーラトランジスタの場合には例え
ばエミッタ、ベーズでありＦＥＴの場合にはゲート、ソ
ーズである。
【００１８】マイクロストリップ基板２上にはマイクロ
ストリップライン４が例えば金を蒸着することによって
形成されている。金の代わりに銀を使用することもでき
るし、また銅も使用可能である。銅の場合には蒸着では
なく、銅板をマイクロストリップ基板２上に接着するこ
になる。
ストリップライン４が例えば金を蒸着することによって
形成されている。金の代わりに銀を使用することもでき
るし、また銅も使用可能である。銅の場合には蒸着では
なく、銅板をマイクロストリップ基板２上に接着するこ
になる。
【００１９】マイクロストリップライン４上にはライン
の長手方向にレール状の溝５が形成されており、溝５に
は球状の導体（球状導体または導体球）６が溝５に沿っ
て移動自在に係合されている。溝５を含むマイクロスト
リップライン４の端面にはトランジスタ３の電球リード
３ａ、３ｂが接合されている。
の長手方向にレール状の溝５が形成されており、溝５に
は球状の導体（球状導体または導体球）６が溝５に沿っ
て移動自在に係合されている。溝５を含むマイクロスト
リップライン４の端面にはトランジスタ３の電球リード
３ａ、３ｂが接合されている。
【００２０】図２は本発明による第２の実施例を示す斜
視図である。
視図である。
【００２１】図２を参照するに、第２の実施例において
は、前記第１の実施例の構成に加えて、マイクロストリ
ップ基板２上に、マイクロストリップライン４とほぼ直
角方向にマイクロストリップライン７が形成され、その
長手方向にレール状の溝５ａが彫設されている。溝５ａ
には同様に球状導体６が移動自在に係合されている。マ
イクロストリップライン４、７は図示の如くＴ字状に接
続されている。
は、前記第１の実施例の構成に加えて、マイクロストリ
ップ基板２上に、マイクロストリップライン４とほぼ直
角方向にマイクロストリップライン７が形成され、その
長手方向にレール状の溝５ａが彫設されている。溝５ａ
には同様に球状導体６が移動自在に係合されている。マ
イクロストリップライン４、７は図示の如くＴ字状に接
続されている。
【００２２】図２に示された第２の実施例においては、
Ｔ字状のマイクロストリップラインは左側（入力側）の
マイクロストリップ基板２上にのみ形成されているが、
右側（出力側）のマイクロストリップライン２上にも同
様に形成し得ることは勿論である。
Ｔ字状のマイクロストリップラインは左側（入力側）の
マイクロストリップ基板２上にのみ形成されているが、
右側（出力側）のマイクロストリップライン２上にも同
様に形成し得ることは勿論である。
【００２３】図３は本発明による第３の実施例を示す斜
視図である。
視図である。
【００２４】図３を参照するに、この第３の実施例にお
いては、前記第２の実施例に示された構成に加えて、マ
イクロストリップライン７の反対側のマイクロストリッ
プ基板２上にマイクロストリップライン７と同様のマイ
クロストリップライン８が形成され、このマイクロスト
リップライン８上にレール状溝５ｂが彫設されている。
溝５ｂには同様に球状導体６が移動自在に係合されてい
る。マイクロストリップライン４、７、８は図示の如く
＋字状に接続、形成されている。
いては、前記第２の実施例に示された構成に加えて、マ
イクロストリップライン７の反対側のマイクロストリッ
プ基板２上にマイクロストリップライン７と同様のマイ
クロストリップライン８が形成され、このマイクロスト
リップライン８上にレール状溝５ｂが彫設されている。
溝５ｂには同様に球状導体６が移動自在に係合されてい
る。マイクロストリップライン４、７、８は図示の如く
＋字状に接続、形成されている。
【００２５】図４は本発明による第４の実施例を示す斜
視図である。
視図である。
【００２６】図４を参照するに、本第４の実施例におい
ては、トランジスタ３の電極リード３１に直接長手方向
にレール状溝３１ａがそれぞれ彫設されており、これら
の溝３１ａにはそれぞれ球状導体６が移動自在に係合さ
れている。
ては、トランジスタ３の電極リード３１に直接長手方向
にレール状溝３１ａがそれぞれ彫設されており、これら
の溝３１ａにはそれぞれ球状導体６が移動自在に係合さ
れている。
【００２７】以上説明した第１〜第４の実施例共に、溝
に沿って球状導体６を移動させることによって、インピ
ーダンスを変化させ、それによって入出力インピーダン
スのマッチングをとることができる。その際、トランジ
スタ３の電極リード３ａ、３ｂ、３１方向に設けられた
溝５、３１ａに沿った球状導体６の移動操作による変位
によって主としてインダクタンス（Ｌ）の調整が行わ
れ、溝５ａ、５ｂに沿った球状導体６の移動操作による
変位によって主としてキャパシタンス（Ｃ）の調整が行
われる。
に沿って球状導体６を移動させることによって、インピ
ーダンスを変化させ、それによって入出力インピーダン
スのマッチングをとることができる。その際、トランジ
スタ３の電極リード３ａ、３ｂ、３１方向に設けられた
溝５、３１ａに沿った球状導体６の移動操作による変位
によって主としてインダクタンス（Ｌ）の調整が行わ
れ、溝５ａ、５ｂに沿った球状導体６の移動操作による
変位によって主としてキャパシタンス（Ｃ）の調整が行
われる。
【００２８】このように、このマイクロストリップライ
ン４、７、８または電極リード３１上に設けられた溝
５、５ａ、５ｂ、３１ａ内を導体球６が移動することに
より、または球状導体（導体球）６の数を変えることに
より、トランジスタの入出力インピーダンス整合をとる
ことが可能となる。
ン４、７、８または電極リード３１上に設けられた溝
５、５ａ、５ｂ、３１ａ内を導体球６が移動することに
より、または球状導体（導体球）６の数を変えることに
より、トランジスタの入出力インピーダンス整合をとる
ことが可能となる。
【００２９】球状導体６の操作によりインピーダンス整
合調整を終了した後に、非導電性接着剤によって球状導
体６をその静止位置に固定ずる。
合調整を終了した後に、非導電性接着剤によって球状導
体６をその静止位置に固定ずる。
【００３０】
【発明の効果】第１の効果は、マイクロストリップ回路
で構成するトランジスタ回路の入出力インピーダンスの
整合が容易に実現できることである。
で構成するトランジスタ回路の入出力インピーダンスの
整合が容易に実現できることである。
【００３１】その理由は、パターン上に設けたレール状
溝と導体球の構成により、自由度の高い任位のインピー
ダンス変化ができるからである。
溝と導体球の構成により、自由度の高い任位のインピー
ダンス変化ができるからである。
【００３２】第２の効果は、本発明による入出力インピ
ーダンス整合調整は短時間で的確に実現され、その調整
に対する時間を大幅に削減することが可能である。
ーダンス整合調整は短時間で的確に実現され、その調整
に対する時間を大幅に削減することが可能である。
【００３３】その理由は、溝に沿って球状導体を単に移
動するだけだからである。
動するだけだからである。
【図１】本発明による第１の実施例を示す斜視図であ
る。
る。
【図２】本発明による第２の実施例を示す斜視図であ
る。
る。
【図３】本発明による第３の実施例を示す斜視図であ
る。
る。
【図４】本発明による第４の実施例を示す斜視図であ
る。
る。
【図５】従来のトランジスタ整合回路を示す斜視図であ
る。
る。
１、１１…接地導体 ２、１２…マイクロストリップ基板 ３、１３…トランジスタ ３ａ、１５、３１…トランジスタリード端子 ４、７、８、１４…マイクロストリップライン ５、５ａ、５ｂ、３１ａ…溝 ６…球状導体（導体球）
Claims (6)
- 【請求項１】 マイクロストリップ基板上にトランジス
タの電極リード端子の突出方向に形成された第１のマイ
クロストリップラインと、該第１のマイクロストリップ
ライン上に長手方向に形成された第１の溝と、該第１の
溝に移動自在に係合された第１の球状導体とを有し、前
記第１のマイクロストリップラインの前記第１の溝の部
分にトランジスタのリード端子を接続し、前記球状導体
を任意に移動させることにより前記トランジスタの入出
力インピーダンスを整合させることを特徴とする高周波
トランジスタ整合回路。 - 【請求項２】 前記第１のマイクロストリップラインと
ほぼ直角方向に前記マイクロストリップ基板上に第２の
マイクロストリップラインを前記第１のマイクロストリ
ップラインに一端を接続して形成し、該第２のマイクロ
ストリップライン上にその長手方向に第２の溝を形成
し、該第２の溝に第２の球状導体を移動自在に係合した
ことを更に特徴とする請求項１に記載の高周波トランジ
スタ整合回路。 - 【請求項３】 前記マイクロストリップ基板上の前記第
２のマイクロストリップラインが形成されている領域と
は反対の領域に前記第１のマイクロストリップラインと
直角方向に第３のマイクロストリップラインを形成し、
該第３のマイクロストリップライン上に長手方向に第３
の溝を彫設し、該第３の溝に第３の球状導体を係合させ
たことを更に特徴とする請求項２に記載の高周波トラン
ジスタ整合回路。 - 【請求項４】 前記球状導体を変位させてインピーダン
スの調整後に、前記球状導体を非導電性接着剤により前
記溝のその位置に固定することを更に特徴とする請求項
１、２または３のいずれか一項に記載の高周波トランジ
スタ整合回路。 - 【請求項５】 トランジスタの入出力電極リード端子の
表面長手方向にレール状溝を形成し、該溝に球状導体を
移動自在に係合させ、前記球状導体を変位調整すること
により前記トランジスタの入出力インピーダンスを整合
させることを特徴とする高周波トランジスタ整合回路。 - 【請求項６】 前記球状導体を変位させてインピーダン
スの調整後に、前記球状導体を非導電性接着剤により前
記溝のその位置に固定することを更に特徴とする請求項
５に記載の高周波トランジスタ整合回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8059401A JP2812291B2 (ja) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | 高周波トランジスタ整合回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8059401A JP2812291B2 (ja) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | 高周波トランジスタ整合回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09252207A true JPH09252207A (ja) | 1997-09-22 |
| JP2812291B2 JP2812291B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=13112230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8059401A Expired - Lifetime JP2812291B2 (ja) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | 高周波トランジスタ整合回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2812291B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1708302A1 (en) | 2005-03-31 | 2006-10-04 | TDK Corporation | Distributed constant circuit and impedance adjustment method |
| US10637410B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-28 | Fujitsu Limited | Amplification device and electromagnetic wave irradiating device |
| CN113109692A (zh) * | 2021-03-31 | 2021-07-13 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 微带电路调试方法及调节模块 |
-
1996
- 1996-03-15 JP JP8059401A patent/JP2812291B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1708302A1 (en) | 2005-03-31 | 2006-10-04 | TDK Corporation | Distributed constant circuit and impedance adjustment method |
| US10637410B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-28 | Fujitsu Limited | Amplification device and electromagnetic wave irradiating device |
| CN113109692A (zh) * | 2021-03-31 | 2021-07-13 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 微带电路调试方法及调节模块 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2812291B2 (ja) | 1998-10-22 |
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