JP2842068B2 - 高周波増幅回路 - Google Patents
高周波増幅回路Info
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- JP2842068B2 JP2842068B2 JP4211905A JP21190592A JP2842068B2 JP 2842068 B2 JP2842068 B2 JP 2842068B2 JP 4211905 A JP4211905 A JP 4211905A JP 21190592 A JP21190592 A JP 21190592A JP 2842068 B2 JP2842068 B2 JP 2842068B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波増幅回路に関し、
特に高周波混成集積回路の構成要素である高周波増幅回
路に関する。
特に高周波混成集積回路の構成要素である高周波増幅回
路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の高周波増幅回路は、図４
に示すように、接地導体７上に半田接着された薄膜回路
の基板６上に搭載された高周波増幅用のＦＥＴＱ１の出
力リード１が基板６上のマイクロストリップライン回路
の整合素子ＴＬ１の一端に半田接続され、整合素子ＴＬ
１の他端に同様の整合素子ＴＬ２の一端と他端が接地用
スルーホールＧ１に接続された整合用のコンデンサＣ１
の一端とが接続され、整合素子ＴＬ２の他端は結合用の
コンデンサＣ２を介して出力端子ＴＯに接続されている
リード２に接続され、出力端子ＴＯと接地用スルーホー
ルＧ２との間にマイクロストリップライン回路のショー
トスタブＴＳ１が接続されているというものであった。
に示すように、接地導体７上に半田接着された薄膜回路
の基板６上に搭載された高周波増幅用のＦＥＴＱ１の出
力リード１が基板６上のマイクロストリップライン回路
の整合素子ＴＬ１の一端に半田接続され、整合素子ＴＬ
１の他端に同様の整合素子ＴＬ２の一端と他端が接地用
スルーホールＧ１に接続された整合用のコンデンサＣ１
の一端とが接続され、整合素子ＴＬ２の他端は結合用の
コンデンサＣ２を介して出力端子ＴＯに接続されている
リード２に接続され、出力端子ＴＯと接地用スルーホー
ルＧ２との間にマイクロストリップライン回路のショー
トスタブＴＳ１が接続されているというものであった。
【０００３】次に、従来の高周波増幅回路の動作につい
て説明する。
て説明する。
【０００４】図５は図４に示す従来の高周波増幅回路の
等価回路を示す回路図である。
等価回路を示す回路図である。
【０００５】ショートスタブＴＳ１は、外部から印加さ
れる恐れのある数ＫＶの静電気によるＦＥＴＱ１の破壊
を防止するための静電気バイパス回路を構成するための
ものである。ショートスタブＴＳ１は、高周波的にはハ
イインピーダンスとなるように、一般に等価電気長が信
号波長の１／４すなわちλｇ／４のものを使用する。こ
の等価電気長λｇ／４は、例えば、信号周波数を９００
ＭＨｚとし基板６としてアルミナを用いた場合、約３．
２ｃｍとなる。したがって、基板６の所要面積が非常に
大きくなるというものであった。
れる恐れのある数ＫＶの静電気によるＦＥＴＱ１の破壊
を防止するための静電気バイパス回路を構成するための
ものである。ショートスタブＴＳ１は、高周波的にはハ
イインピーダンスとなるように、一般に等価電気長が信
号波長の１／４すなわちλｇ／４のものを使用する。こ
の等価電気長λｇ／４は、例えば、信号周波数を９００
ＭＨｚとし基板６としてアルミナを用いた場合、約３．
２ｃｍとなる。したがって、基板６の所要面積が非常に
大きくなるというものであった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の高周波
増幅回路は、出力端子側に静電気によるＦＥＴの破壊を
防止するための静電気バイパス用に等価電気長が信号波
長の１／４のショートスタブを必要とするので、集積回
路基板の所要面積が非常に大きくなるという欠点があっ
た。
増幅回路は、出力端子側に静電気によるＦＥＴの破壊を
防止するための静電気バイパス用に等価電気長が信号波
長の１／４のショートスタブを必要とするので、集積回
路基板の所要面積が非常に大きくなるという欠点があっ
た。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波増幅回路
は、出力端子と接地との間に接続し前記出力端子と接地
間の浮遊容量と組合せ予め定めた周波数で高インピーダ
ンスとなる集中常数共振回路を形成する金属導体を備え
て構成されている。
は、出力端子と接地との間に接続し前記出力端子と接地
間の浮遊容量と組合せ予め定めた周波数で高インピーダ
ンスとなる集中常数共振回路を形成する金属導体を備え
て構成されている。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００９】図１は本発明の高周波増幅回路の第一の実
施例を示す平面図である。
施例を示す平面図である。
【００１０】本実施例の高周波増幅回路は、図１に示す
ように、従来例と同様の接地導体７と、薄膜回路の基板
６上に搭載されたＦＥＴＱ１の出力リード１と、整合素
子ＴＬ１，ＴＬ２と、コンデンサＣ１Ｃ２と、リード２
とに加えて、出力端子ＴＯと接地用スルーホールＧ２と
の間に設けた２個の中継導体パターン４を介して接続さ
れた金属細線３を備えて構成されている。
ように、従来例と同様の接地導体７と、薄膜回路の基板
６上に搭載されたＦＥＴＱ１の出力リード１と、整合素
子ＴＬ１，ＴＬ２と、コンデンサＣ１Ｃ２と、リード２
とに加えて、出力端子ＴＯと接地用スルーホールＧ２と
の間に設けた２個の中継導体パターン４を介して接続さ
れた金属細線３を備えて構成されている。
【００１１】次に、本実施例の動作について説明する。
【００１２】図２は、図１に示す本実施例の高周波増幅
回路の等価回路を示す回路図である。
回路の等価回路を示す回路図である。
【００１３】金属細線３のインダクタンスＬと中継導体
パターン４および出力端子ＴＯ等の浮遊容量ＣＳとで形
成される集中常数型の共振回路の共振周波数が、ほぼ信
号周波数となるように金属細線３の長さや中継導体パタ
ーン４の面積および個数を設定することにより従来例に
おけるショートスタブＴＳ１と同等の効果が得られる。
パターン４および出力端子ＴＯ等の浮遊容量ＣＳとで形
成される集中常数型の共振回路の共振周波数が、ほぼ信
号周波数となるように金属細線３の長さや中継導体パタ
ーン４の面積および個数を設定することにより従来例に
おけるショートスタブＴＳ１と同等の効果が得られる。
【００１４】次に、本発明の第二の実施例について説明
する。
する。
【００１５】図３は、本発明の高周波増幅回路の第二の
実施例を示す平面図である。
実施例を示す平面図である。
【００１６】本実施例の前述の第一の実施例に対する相
違点は、金属細線３と中継導体パターン４の代りに、表
面に導体パターンをメタライズ等により形成した誘電体
角棒５を用いたことである。
違点は、金属細線３と中継導体パターン４の代りに、表
面に導体パターンをメタライズ等により形成した誘電体
角棒５を用いたことである。
【００１７】誘電体の材料（誘電率）や寸法を適当に調
整することにより所望の周波数の共振回路を得ることが
できる。
整することにより所望の周波数の共振回路を得ることが
できる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の高周波増
幅回路は、浮遊容量と組合せて高インピーダンスとなる
集中常数共振回路を形成する金属導体を備えることによ
り、ショートスタブを用いるよりも小面積で静電気バイ
パス回路を構成できるので、集積回路基板の所要面積を
低減できるという効果がある。
幅回路は、浮遊容量と組合せて高インピーダンスとなる
集中常数共振回路を形成する金属導体を備えることによ
り、ショートスタブを用いるよりも小面積で静電気バイ
パス回路を構成できるので、集積回路基板の所要面積を
低減できるという効果がある。
【図１】本発明の高周波増幅回路の第一の実施例を示す
平面図である。
平面図である。
【図２】本実施例の高周波増幅回路の等価回路を示す回
路図である。
路図である。
【図３】本発明の高周波増幅回路の第二の実施例を示す
平面図である。
平面図である。
【図４】従来の高周波増幅回路の一例を示す平面図であ
る。
る。
【図５】従来の高周波増幅回路の等価回路を示す回路図
である。
である。
１ 出力リード ２ リード ３ 金属細線 ４ 中継導体パターン ５ 誘電体角棒 ６ 基板 ７ 接地導体 Ｃ１，Ｃ２ コンデンサ Ｇ１，Ｇ２ 接地端子 Ｑ１ ＦＥＴ ＴＬ１，ＴＬ２ 整合素子 ＴＳ１ ショートスタブ
Claims (3)
- 【請求項１】 出力端子と接地との間に接続し前記出力
端子と接地間の浮遊容量と組合せ予め定めた周波数で高
インピーダンスとなる集中常数共振回路を形成する金属
導体を備えることを特徴とする高周波増幅回路。 - 【請求項２】 前記出力端子と接地との間に予め定めた
数の中継導体パターンを有し前記金属導体はこの中継導
体パターンを介して直列に接続された金属細線であるこ
とを特徴とする請求項１記載の高周波増幅回路。 - 【請求項３】 前記金属導体は予め定めた幅と高さの角
棒状の誘電体棒の外側に形成した導体パターンであるこ
とを特徴とする請求項１記載の高周波増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4211905A JP2842068B2 (ja) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | 高周波増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4211905A JP2842068B2 (ja) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | 高周波増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661758A JPH0661758A (ja) | 1994-03-04 |
| JP2842068B2 true JP2842068B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=16613597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4211905A Expired - Fee Related JP2842068B2 (ja) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | 高周波増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2842068B2 (ja) |
-
1992
- 1992-08-10 JP JP4211905A patent/JP2842068B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0661758A (ja) | 1994-03-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980922 |
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