JP2001144394A - 高周波回路 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電体基板上の高周波回路の電気特性の調整
を容易にする。 【解決手段】 誘電体基板１上の導体配線パターン１４
に接続され、誘電体基板１上に接するように実装された
導体ブロック１９により、分布定数線路の特性を変化さ
せて、高周波回路の電気特性の調整を行う。
を容易にする。 【解決手段】 誘電体基板１上の導体配線パターン１４
に接続され、誘電体基板１上に接するように実装された
導体ブロック１９により、分布定数線路の特性を変化さ
せて、高周波回路の電気特性の調整を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、衛星通信、地上
マイクロ波通信、移動体通信等に使用する高周波回路に
関するものである。
マイクロ波通信、移動体通信等に使用する高周波回路に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に高周波回路は、ＦＥＴ（Ｆｉｅｌ
ｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ），ＢＪＴ
（Ｂｉｐｏｌａｒ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｉｓ
ｔｏｒ），ＨＢＴ（Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｂ
ｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の半導体素子
によるアクティブ回路素子と、線路、スタブ等の分布定
数回路素子や、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏ
ｒ Ｍｅｔａｌ）キャパシタ、チップキャパシタ、チッ
プ抵抗、薄膜抵抗、チップインダクタ、スパイラルイン
ダクタといった集中回路素子によって構成されるパッシ
ブ回路素子とを、同一又は複数の誘電体基板上に構成し
実現されている。その際に小型化のために、各回路素子
の間隔を狭くし高密度の実装を行う必要がある。
ｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ），ＢＪＴ
（Ｂｉｐｏｌａｒ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｉｓ
ｔｏｒ），ＨＢＴ（Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｂ
ｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の半導体素子
によるアクティブ回路素子と、線路、スタブ等の分布定
数回路素子や、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏ
ｒ Ｍｅｔａｌ）キャパシタ、チップキャパシタ、チッ
プ抵抗、薄膜抵抗、チップインダクタ、スパイラルイン
ダクタといった集中回路素子によって構成されるパッシ
ブ回路素子とを、同一又は複数の誘電体基板上に構成し
実現されている。その際に小型化のために、各回路素子
の間隔を狭くし高密度の実装を行う必要がある。
【０００３】図９は、例えば、従来例として、ＩＥＥＥ
１９９６ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅａｎｄ Ｍｉｌｌｉｍ
ｅｔｅｒ−Ｗａｖｅ Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｃｉｒｃ
ｕｉｔｓ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ，ｐｐ．１３−１６に記
述されている誘電体基板上に構成された高周波回路を模
式的に示す図であり、誘電体基板（セラミック多層基
板）上に構成された２段増幅器モジュールの例である。
図９（ａ）は増幅器のレイアウトを模式的に示す図であ
り、図９（ｂ）は増幅器の等価回路を示す図であり、図
９（ｃ）は増幅器の入力整合回路のレイアウトの例を模
式的に示す図である。
１９９６ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅａｎｄ Ｍｉｌｌｉｍ
ｅｔｅｒ−Ｗａｖｅ Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｃｉｒｃ
ｕｉｔｓ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ，ｐｐ．１３−１６に記
述されている誘電体基板上に構成された高周波回路を模
式的に示す図であり、誘電体基板（セラミック多層基
板）上に構成された２段増幅器モジュールの例である。
図９（ａ）は増幅器のレイアウトを模式的に示す図であ
り、図９（ｂ）は増幅器の等価回路を示す図であり、図
９（ｃ）は増幅器の入力整合回路のレイアウトの例を模
式的に示す図である。
【０００４】図９において、１は誘電体基板、２は入力
端子、３は出力端子、４は半導体基板、５は前段トラン
ジスタ、６は後段トランジスタ、７は入力整合回路、８
は出力整合回路、９は前段トランジスタの出力回路、１
０は後段トランジスタの入力回路、１１は段間整合回
路、１２はバイアス回路、１３はバイアス端子、１４は
導体配線パターン、１５は導体グランドパターン、１６
はチップキャパシタ、１７はチップ抵抗、１８は前段ト
ランジスタへの出力端子である。
端子、３は出力端子、４は半導体基板、５は前段トラン
ジスタ、６は後段トランジスタ、７は入力整合回路、８
は出力整合回路、９は前段トランジスタの出力回路、１
０は後段トランジスタの入力回路、１１は段間整合回
路、１２はバイアス回路、１３はバイアス端子、１４は
導体配線パターン、１５は導体グランドパターン、１６
はチップキャパシタ、１７はチップ抵抗、１８は前段ト
ランジスタへの出力端子である。
【０００５】次に動作について説明する。信号は入力端
子２より入力され、入力整合回路７を介して前段トラン
ジスタ５に入力されて増幅される。増幅された信号は前
段トランジスタの出力回路９と後段トランジスタの入力
回路１０から構成される段間整合回路１１を介して、後
段トランジスタ６に入力されて増幅され、出力整合回路
８を介して出力端子３より出力される。前段トランジス
タ５，後段トランジスタ６へのバイアスは、バイアス端
子１３に印加されたバイアス電圧がバイアス回路１２を
介して供給される。
子２より入力され、入力整合回路７を介して前段トラン
ジスタ５に入力されて増幅される。増幅された信号は前
段トランジスタの出力回路９と後段トランジスタの入力
回路１０から構成される段間整合回路１１を介して、後
段トランジスタ６に入力されて増幅され、出力整合回路
８を介して出力端子３より出力される。前段トランジス
タ５，後段トランジスタ６へのバイアスは、バイアス端
子１３に印加されたバイアス電圧がバイアス回路１２を
介して供給される。
【０００６】図９（ｃ）の入力整合回路７において、入
力端子２から入力された信号は、導体配線パターン１
４，導体グランドパターン１５，チップキャパシタ１
６，チップ抵抗１７等によって整合がなされ、前段トラ
ンジスタ５への出力端子１８へと出力される。
力端子２から入力された信号は、導体配線パターン１
４，導体グランドパターン１５，チップキャパシタ１
６，チップ抵抗１７等によって整合がなされ、前段トラ
ンジスタ５への出力端子１８へと出力される。
【０００７】図９（ｃ）の入力整合回路７のように、導
体配線パターン１４を折り曲げたり、導体配線パターン
１４，導体グランドパターン１５，チップキャパシタ１
６やチップ抵抗１７等のチップ部品の間隔を狭く高密度
に実装することにより、小型な高周波回路（増幅器）を
実現している。
体配線パターン１４を折り曲げたり、導体配線パターン
１４，導体グランドパターン１５，チップキャパシタ１
６やチップ抵抗１７等のチップ部品の間隔を狭く高密度
に実装することにより、小型な高周波回路（増幅器）を
実現している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の高周波回路は、
図９（ｃ）に示すように、導体配線パターン１４を折り
曲げたり、導体配線パターン１４，導体グランドパター
ン１５，チップキャパシタ１６やチップ抵抗１７等のチ
ップ部品の間隔を狭く高密度に実装していることによ
り、回路調整を行う際に、線路の長さ、スタブの長さの
調整を行いにくく、また、チップキャパシタ、チップ抵
抗等のチップ部品を用いた高周波回路の場合に、配線パ
ターンは最小限となっているため、チップ部品の位置の
調整が困難であり、高周波回路のインピーダンス等の電
気特性の細かな調整を行いにくいという課題があった。
図９（ｃ）に示すように、導体配線パターン１４を折り
曲げたり、導体配線パターン１４，導体グランドパター
ン１５，チップキャパシタ１６やチップ抵抗１７等のチ
ップ部品の間隔を狭く高密度に実装していることによ
り、回路調整を行う際に、線路の長さ、スタブの長さの
調整を行いにくく、また、チップキャパシタ、チップ抵
抗等のチップ部品を用いた高周波回路の場合に、配線パ
ターンは最小限となっているため、チップ部品の位置の
調整が困難であり、高周波回路のインピーダンス等の電
気特性の細かな調整を行いにくいという課題があった。
【０００９】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、誘電体基板上に構成される高周波
回路において、高周波回路のインピーダンス等の電気特
性の細かな調整を行うことを目的とする。
めになされたもので、誘電体基板上に構成される高周波
回路において、高周波回路のインピーダンス等の電気特
性の細かな調整を行うことを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る高周波回
路は、誘電体基板上に構成された導体配線パターンと、
上記導体配線パターンに接続され、上記誘電体基板上に
接するように実装された導体ブロックとを備えたもので
ある。
路は、誘電体基板上に構成された導体配線パターンと、
上記導体配線パターンに接続され、上記誘電体基板上に
接するように実装された導体ブロックとを備えたもので
ある。
【００１１】この発明に係る高周波回路は、導体ブロッ
クの一端を導体配線パターンに接続し、導体ブロックの
他端を開放又は誘電体基板上に構成された他の導体配線
パターンに接続したものである。
クの一端を導体配線パターンに接続し、導体ブロックの
他端を開放又は誘電体基板上に構成された他の導体配線
パターンに接続したものである。
【００１２】この発明に係る高周波回路は、導体ブロッ
クの一端を導体配線パターンに接続し、導体ブロックの
他端を誘電体基板上に構成された導体グランドパターン
に接続したものである。
クの一端を導体配線パターンに接続し、導体ブロックの
他端を誘電体基板上に構成された導体グランドパターン
に接続したものである。
【００１３】この発明に係る高周波回路は、導体ブロッ
クの一端を導体配線パターンに接続し、導体ブロックの
他端を誘電体基板と垂直方向に開放して実装したもので
ある。
クの一端を導体配線パターンに接続し、導体ブロックの
他端を誘電体基板と垂直方向に開放して実装したもので
ある。
【００１４】この発明に係る高周波回路は、導体ブロッ
クの形状を、誘電体基板上に実装されるチップ部品と同
等の直方体とするものである。
クの形状を、誘電体基板上に実装されるチップ部品と同
等の直方体とするものである。
【００１５】この発明に係る高周波回路は、導体ブロッ
クが、直方体の誘電体ブロックの表面に導体メッキを施
したものである。
クが、直方体の誘電体ブロックの表面に導体メッキを施
したものである。
【００１６】この発明に係る高周波回路は、導体ブロッ
クの一端又は両端に半田メッキを施したものである。
クの一端又は両端に半田メッキを施したものである。
【００１７】この発明に係る高周波回路は、導体ブロッ
クの一端又は両端に、突起状電極である導体バンプ又は
球状の導体片である導体球を設けたものである。
クの一端又は両端に、突起状電極である導体バンプ又は
球状の導体片である導体球を設けたものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態１．図１は実施の形態１による高周波回路を
示す図である。図１において、１は誘電体基板、１４は
導体配線パターン、１９は、導体配線パターン１４間に
接続され、誘電体基板１に接するように実装された導体
ブロックである。
説明する。 実施の形態１．図１は実施の形態１による高周波回路を
示す図である。図１において、１は誘電体基板、１４は
導体配線パターン、１９は、導体配線パターン１４間に
接続され、誘電体基板１に接するように実装された導体
ブロックである。
【００１９】次に動作について説明する。図１（ａ），
（ｂ）において、２つの導体配線パターン１４の間を直
列に導体ブロック１９で接続している。導体ブロック１
９の形状は、図１（ａ）のような折れ曲がりのある形状
でも、図１（ｂ）のような直方体の形状でも良く任意で
ある。導体ブロック１９は、誘電体基板１に接するよう
に実装されているため、誘電体基板１上の導体配線パタ
ーン１４と電気的には同じ分布定数線路を実現してい
る。
（ｂ）において、２つの導体配線パターン１４の間を直
列に導体ブロック１９で接続している。導体ブロック１
９の形状は、図１（ａ）のような折れ曲がりのある形状
でも、図１（ｂ）のような直方体の形状でも良く任意で
ある。導体ブロック１９は、誘電体基板１に接するよう
に実装されているため、誘電体基板１上の導体配線パタ
ーン１４と電気的には同じ分布定数線路を実現してい
る。
【００２０】導体ブロック１９を用いる場合には、異な
る形状の導体ブロックを複数用意して、接続する導体ブ
ロック１９を必要に応じて変更することで、導体配線パ
ターン１４を全く変更することなく、等価的に分布定数
線路の特性を変化させることができる。例えば、導体ブ
ロック１９の幅や高さにより等価的に分布定数線路のイ
ンピーダンスを変化させたり、導体ブロック１９の長さ
により等価的に分布定数線路の電気長を変化させること
により、高周波回路の電気特性の調整を容易にしてい
る。
る形状の導体ブロックを複数用意して、接続する導体ブ
ロック１９を必要に応じて変更することで、導体配線パ
ターン１４を全く変更することなく、等価的に分布定数
線路の特性を変化させることができる。例えば、導体ブ
ロック１９の幅や高さにより等価的に分布定数線路のイ
ンピーダンスを変化させたり、導体ブロック１９の長さ
により等価的に分布定数線路の電気長を変化させること
により、高周波回路の電気特性の調整を容易にしてい
る。
【００２１】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、導体配線パターン１４間を、必要に応じ最適な形状
の導体ブロック１９で接続することにより、分布定数線
路の特性を変化させることができ、高周波回路の電気特
性の調整を容易にすることができるという効果が得られ
る。
ば、導体配線パターン１４間を、必要に応じ最適な形状
の導体ブロック１９で接続することにより、分布定数線
路の特性を変化させることができ、高周波回路の電気特
性の調整を容易にすることができるという効果が得られ
る。
【００２２】実施の形態２．図２は実施の形態２による
高周波回路を示す図である。図２において、１は誘電体
基板、１４は導体配線パターン、１９は、一端を導体配
線パターン１４に接続され、他端を開放又は他の導体配
線パターン１４に接続され、誘電体基板１に接するよう
に実装された導体ブロックである。
高周波回路を示す図である。図２において、１は誘電体
基板、１４は導体配線パターン、１９は、一端を導体配
線パターン１４に接続され、他端を開放又は他の導体配
線パターン１４に接続され、誘電体基板１に接するよう
に実装された導体ブロックである。
【００２３】次に動作について説明する。誘電体基板１
上に形成された導体配線パターン１４上に、等価的に並
列に導体ブロック１９が実装されている。導体ブロック
１９の形状は、図２（ａ），（ｂ）のような折れ曲がっ
た形状でも、図２（ｃ），（ｄ）のような直方体の形状
でも良い。また、導体ブロック１９が接続されている導
体配線パターン１４の数は、図２（ａ），（ｃ）のよう
に１つでも、図２（ｂ），（ｄ）のように複数でも良
い。図２の導体ブロック１９は、導体線路パターン１４
に対して、等価的に並列に接続されているため、電気的
には誘電体基板１上に並列に作製された導体配線パター
ンと同じオープンスタブを実現している。
上に形成された導体配線パターン１４上に、等価的に並
列に導体ブロック１９が実装されている。導体ブロック
１９の形状は、図２（ａ），（ｂ）のような折れ曲がっ
た形状でも、図２（ｃ），（ｄ）のような直方体の形状
でも良い。また、導体ブロック１９が接続されている導
体配線パターン１４の数は、図２（ａ），（ｃ）のよう
に１つでも、図２（ｂ），（ｄ）のように複数でも良
い。図２の導体ブロック１９は、導体線路パターン１４
に対して、等価的に並列に接続されているため、電気的
には誘電体基板１上に並列に作製された導体配線パター
ンと同じオープンスタブを実現している。
【００２４】導体ブロック１９を用いる場合には、異な
る形状の導体ブロック１９を複数用意し、接続する導体
ブロック１９を必要に応じて変更することで、導体配線
パターン１４を全く変更することなく、等価的にオープ
ンスタブの特性や分布定数線路の特性を変化させること
ができる。例えば、導体ブロック１９の幅により等価的
にオープンスタブのインピーダンスを変化させたり、導
体ブロック１９の長さにより等価的にオープンスタブの
電気長を変化させることにより、高周波回路の電気特性
の調整を容易にしている。また、導体ブロック１９の高
さにより、等価的に分布定数線路のインピーダンスを変
化させることにより、高周波回路の電気特性の調整を容
易にしている。
る形状の導体ブロック１９を複数用意し、接続する導体
ブロック１９を必要に応じて変更することで、導体配線
パターン１４を全く変更することなく、等価的にオープ
ンスタブの特性や分布定数線路の特性を変化させること
ができる。例えば、導体ブロック１９の幅により等価的
にオープンスタブのインピーダンスを変化させたり、導
体ブロック１９の長さにより等価的にオープンスタブの
電気長を変化させることにより、高周波回路の電気特性
の調整を容易にしている。また、導体ブロック１９の高
さにより、等価的に分布定数線路のインピーダンスを変
化させることにより、高周波回路の電気特性の調整を容
易にしている。
【００２５】以上のように、この実施の形態２によれ
ば、導体配線パターン１４と等価的に並列に、必要に応
じ最適な形状の導体ブロック１９で接続することによ
り、オープンスタブの特性や分布定数線路の特性を変化
させることができ、高周波回路の電気特性の調整を容易
にすることができるという効果が得られる。
ば、導体配線パターン１４と等価的に並列に、必要に応
じ最適な形状の導体ブロック１９で接続することによ
り、オープンスタブの特性や分布定数線路の特性を変化
させることができ、高周波回路の電気特性の調整を容易
にすることができるという効果が得られる。
【００２６】実施の形態３．図３は実施の形態３による
高周波回路を示す図である。図３において、１は誘電体
基板、１４は導体配線パターン、１５は導体グランドパ
ターン、１９は、導体配線パターン１４と導体グランド
パターン間に接続され、誘電体基板１に接するように実
装された導体ブロックである。
高周波回路を示す図である。図３において、１は誘電体
基板、１４は導体配線パターン、１５は導体グランドパ
ターン、１９は、導体配線パターン１４と導体グランド
パターン間に接続され、誘電体基板１に接するように実
装された導体ブロックである。
【００２７】次に動作について説明する。図３に示す高
周波回路は、実施の形態２の図２に示した高周波回路と
比較し、導体配線パターン１４に接続された導体ブロッ
ク１９の他端が、誘電体基板１上に作製された導体グラ
ンドパターン１５と接続され接地されている点のみが異
なる。このように、導体ブロック１９は、導体線路パタ
ーン１４に対して等価的に並列に接続され、他端が接地
されているため、電気的には誘電体基板１上に並列に作
製され、他端が接地された導体配線パターン１４と同じ
ショートスタブを実現している。
周波回路は、実施の形態２の図２に示した高周波回路と
比較し、導体配線パターン１４に接続された導体ブロッ
ク１９の他端が、誘電体基板１上に作製された導体グラ
ンドパターン１５と接続され接地されている点のみが異
なる。このように、導体ブロック１９は、導体線路パタ
ーン１４に対して等価的に並列に接続され、他端が接地
されているため、電気的には誘電体基板１上に並列に作
製され、他端が接地された導体配線パターン１４と同じ
ショートスタブを実現している。
【００２８】導体ブロック１９を用いる場合には、異な
る形状の導体ブロック１９を複数用意し、接続する導体
ブロック１９を必要に応じて変更することで、導体配線
パターン１４を全く変更することなく、等価的にショー
トスタブの特性や分布定数線路の特性を変化させること
ができる。例えば、導体ブロック１９の幅により等価的
にショートスタブのインピーダンスを変化させたり、導
体ブロック１９の長さにより等価的にショートスタブの
電気長を変化させることにより、高周波回路の電気特性
の調整を容易にしている。また、導体ブロック１９の高
さにより、等価的に分布定数線路のインピーダンスを変
化させることにより、高周波回路の電気特性の調整を容
易にしている。
る形状の導体ブロック１９を複数用意し、接続する導体
ブロック１９を必要に応じて変更することで、導体配線
パターン１４を全く変更することなく、等価的にショー
トスタブの特性や分布定数線路の特性を変化させること
ができる。例えば、導体ブロック１９の幅により等価的
にショートスタブのインピーダンスを変化させたり、導
体ブロック１９の長さにより等価的にショートスタブの
電気長を変化させることにより、高周波回路の電気特性
の調整を容易にしている。また、導体ブロック１９の高
さにより、等価的に分布定数線路のインピーダンスを変
化させることにより、高周波回路の電気特性の調整を容
易にしている。
【００２９】以上のように、この実施の形態３によれ
ば、導体配線パターン１４と導体グランドパターン１５
を、必要に応じ最適な形状の導体ブロック１９で接続す
ることにより、ショートスタブの特性や分布定数線路の
特性を変化させることができ、高周波回路の電気特性の
調整を容易にすることができるという効果が得られる。
ば、導体配線パターン１４と導体グランドパターン１５
を、必要に応じ最適な形状の導体ブロック１９で接続す
ることにより、ショートスタブの特性や分布定数線路の
特性を変化させることができ、高周波回路の電気特性の
調整を容易にすることができるという効果が得られる。
【００３０】実施の形態４．図４は実施の形態４による
高周波回路を示す図である。図４において、１は誘電体
基板、１４は導体配線パターン、１９は、一端を導体配
線パターン１４に接続され、他端を誘電体基板１と垂直
方向に開放して実装された導体ブロックである。
高周波回路を示す図である。図４において、１は誘電体
基板、１４は導体配線パターン、１９は、一端を導体配
線パターン１４に接続され、他端を誘電体基板１と垂直
方向に開放して実装された導体ブロックである。
【００３１】次に動作について説明する。導体ブロック
１９の一端が導体配線パターン１４に接続され、誘電体
基板１上に接するように導体ブロック１９が実装されて
いる。また、導体ブロック１９の長手方向が、誘電体基
板１に対して垂直方向になり、他端が開放になるよう実
装されている。このように実装された導体ブロック１９
により、電気的にはオープンスタブと同様な特性を実現
している。
１９の一端が導体配線パターン１４に接続され、誘電体
基板１上に接するように導体ブロック１９が実装されて
いる。また、導体ブロック１９の長手方向が、誘電体基
板１に対して垂直方向になり、他端が開放になるよう実
装されている。このように実装された導体ブロック１９
により、電気的にはオープンスタブと同様な特性を実現
している。
【００３２】導体ブロック１９を用いる場合には、異な
る形状の導体ブロック１９を複数用意し、接続する導体
ブロック１９を必要に応じて変更し、導体ブロック１９
の長手方向が、誘電体基板１に対して垂直方向になるよ
う実装することにより、導体配線パターン１４を全く変
更することなく、等価的にオープンスタブの特性や分布
定数線路の特性を変化させることができる。例えば、導
体ブロック１９の幅により等価的にオープンスタブのイ
ンピーダンスを変化させたり、導体ブロック１９の長さ
により等価的にオープンスタブの電気長を変化させるこ
とにより、高周波回路の電気特性の調整を容易にしてい
る。また、導体ブロック１９の高さにより、等価的に分
布定数線路のインピーダンスを変化させることにより、
高周波回路の電気特性の調整を容易にしている。
る形状の導体ブロック１９を複数用意し、接続する導体
ブロック１９を必要に応じて変更し、導体ブロック１９
の長手方向が、誘電体基板１に対して垂直方向になるよ
う実装することにより、導体配線パターン１４を全く変
更することなく、等価的にオープンスタブの特性や分布
定数線路の特性を変化させることができる。例えば、導
体ブロック１９の幅により等価的にオープンスタブのイ
ンピーダンスを変化させたり、導体ブロック１９の長さ
により等価的にオープンスタブの電気長を変化させるこ
とにより、高周波回路の電気特性の調整を容易にしてい
る。また、導体ブロック１９の高さにより、等価的に分
布定数線路のインピーダンスを変化させることにより、
高周波回路の電気特性の調整を容易にしている。
【００３３】以上のように、この実施の形態４によれ
ば、導体ブロック１９の一端を導体配線パターン１４と
接続し、他端を誘電体基板１と垂直方向に開放して実装
することにより、オープンスタブの特性や分布定数線路
の特性を変化させることができ、高周波回路の電気特性
の調整を容易にすることができるという効果が得られ
る。
ば、導体ブロック１９の一端を導体配線パターン１４と
接続し、他端を誘電体基板１と垂直方向に開放して実装
することにより、オープンスタブの特性や分布定数線路
の特性を変化させることができ、高周波回路の電気特性
の調整を容易にすることができるという効果が得られ
る。
【００３４】また、導体ブロック１９を誘電体基板１と
垂直方向に実装することにより、実施の形態２と比較し
て、さらに誘電体基板１を高密度に実装することができ
るという効果が得られる。
垂直方向に実装することにより、実施の形態２と比較し
て、さらに誘電体基板１を高密度に実装することができ
るという効果が得られる。
【００３５】実施の形態５．図５は実施の形態５による
高周波回路を示す図である。図５において、１は誘電体
基板、１４は導体配線パターン、２０は長さＬ，幅Ｗ，
高さＨのチップ部品と同等の形状の直方体の導体、２１
は、導体配線パターン１４間に接続され、誘電体基板１
に接するように実装された直方体の導体ブロックであ
る。ここでは、直方体の導体２０を、そのまま直方体の
導体ブロック２１として使用している。
高周波回路を示す図である。図５において、１は誘電体
基板、１４は導体配線パターン、２０は長さＬ，幅Ｗ，
高さＨのチップ部品と同等の形状の直方体の導体、２１
は、導体配線パターン１４間に接続され、誘電体基板１
に接するように実装された直方体の導体ブロックであ
る。ここでは、直方体の導体２０を、そのまま直方体の
導体ブロック２１として使用している。
【００３６】次に動作について説明する。図５に示す高
周波回路は、図１に示す実施の形態１による高周波回路
と比較して、導体ブロック２１として図５（ａ）に示す
直方体の導体２０を用いている点が異なる。この実施の
形態では、図１に示す高周波回路の導体ブロック１９の
代わりに、誘電体基板１上の複数の導体配線パターン１
４に接続した複数の直方体の導体ブロック２１を使用し
ている。導体ブロック２１は誘電体基板１に接するよう
に実装されているため、電気的には誘電体基板１上の導
体配線パターン１４と同じ分布定数線路を実現すること
ができる。
周波回路は、図１に示す実施の形態１による高周波回路
と比較して、導体ブロック２１として図５（ａ）に示す
直方体の導体２０を用いている点が異なる。この実施の
形態では、図１に示す高周波回路の導体ブロック１９の
代わりに、誘電体基板１上の複数の導体配線パターン１
４に接続した複数の直方体の導体ブロック２１を使用し
ている。導体ブロック２１は誘電体基板１に接するよう
に実装されているため、電気的には誘電体基板１上の導
体配線パターン１４と同じ分布定数線路を実現すること
ができる。
【００３７】直方体の導体ブロック２１を用いる場合に
は、複数の導体配線パターン１４を誘電体基板１上に作
製しておき、その導体配線パターン１４の接続の仕方を
導体ブロック２１を用いて必要に応じて変更（接続した
り接続しなかったり）することで、導体配線パターン１
４を全く変更することなく、等価的に分布定数線路の特
性を変化させることができる。また、導体ブロック２１
の幅Ｗや高さＨにより等価的に分布定数線路のインピー
ダンスを変化させたり、導体ブロック２１の長さＬによ
り等価的に分布定数線路の電気長を変化させることによ
り、高周波回路の電気特性の調整を容易にすることもで
きる。
は、複数の導体配線パターン１４を誘電体基板１上に作
製しておき、その導体配線パターン１４の接続の仕方を
導体ブロック２１を用いて必要に応じて変更（接続した
り接続しなかったり）することで、導体配線パターン１
４を全く変更することなく、等価的に分布定数線路の特
性を変化させることができる。また、導体ブロック２１
の幅Ｗや高さＨにより等価的に分布定数線路のインピー
ダンスを変化させたり、導体ブロック２１の長さＬによ
り等価的に分布定数線路の電気長を変化させることによ
り、高周波回路の電気特性の調整を容易にすることもで
きる。
【００３８】また、導体ブロック２１は直方体の形状
で、チップキャパシタ、チップインダクタ、チップ抵抗
等のチップ部品と同等の形状であるため、それらのチッ
プ部品の実装と同じ実装技術を用いることにより、導体
ブロック２１の誘電体基板１上への実装を容易にしてい
る。さらに、導体ブロック２１とチップ部品はともに直
方体という同等の形状であるため置き換えが可能であ
り、導体配線パターン１４の変更なしに回路構成の変更
も容易にしている。さらに、直方体の導体ブロック２１
は面取りされていても良く、この場合は、自動挿入機に
よるハンドリングを容易にすると共に、誘電体基板１に
半田付けした際に、半田の広がりを防いでいる。
で、チップキャパシタ、チップインダクタ、チップ抵抗
等のチップ部品と同等の形状であるため、それらのチッ
プ部品の実装と同じ実装技術を用いることにより、導体
ブロック２１の誘電体基板１上への実装を容易にしてい
る。さらに、導体ブロック２１とチップ部品はともに直
方体という同等の形状であるため置き換えが可能であ
り、導体配線パターン１４の変更なしに回路構成の変更
も容易にしている。さらに、直方体の導体ブロック２１
は面取りされていても良く、この場合は、自動挿入機に
よるハンドリングを容易にすると共に、誘電体基板１に
半田付けした際に、半田の広がりを防いでいる。
【００３９】なお、図５に示す高周波回路は、直方体の
導体ブロック２１を、図１に示す実施の形態１に適用し
た場合の高周波回路の例であるが、実施の形態２から実
施の形態４の高周波回路や、その他の高周波回路にも同
様に適用することができる。
導体ブロック２１を、図１に示す実施の形態１に適用し
た場合の高周波回路の例であるが、実施の形態２から実
施の形態４の高周波回路や、その他の高周波回路にも同
様に適用することができる。
【００４０】以上のように、この実施の形態５によれ
ば、複数の導体配線パターン１４を誘電体基板１上に作
製しておき、その導体配線パターン１４の接続の仕方を
導体ブロック２１を用いて必要に応じて変更することに
より、導体配線パターン１４を全く変更することなく、
等価的に分布定数線路の特性を変化させることができ、
高周波回路の電気特性の調整を容易にすることができる
という効果が得られる。
ば、複数の導体配線パターン１４を誘電体基板１上に作
製しておき、その導体配線パターン１４の接続の仕方を
導体ブロック２１を用いて必要に応じて変更することに
より、導体配線パターン１４を全く変更することなく、
等価的に分布定数線路の特性を変化させることができ、
高周波回路の電気特性の調整を容易にすることができる
という効果が得られる。
【００４１】また、導体ブロック２１はチップ部品と同
等の直方体の形状であるため、チップ部品の実装と同じ
実装技術を用いることにより、導体ブロック２１の誘電
体基板１上への実装を容易にすることができるという効
果が得られる。さらに、導体ブロック２１とチップ部品
はともに直方体という同等の形状であるため、置き換え
が可能であり、導体配線パターン１４の変更なしに回路
構成の変更も容易に行うことができるという効果が得ら
れる。
等の直方体の形状であるため、チップ部品の実装と同じ
実装技術を用いることにより、導体ブロック２１の誘電
体基板１上への実装を容易にすることができるという効
果が得られる。さらに、導体ブロック２１とチップ部品
はともに直方体という同等の形状であるため、置き換え
が可能であり、導体配線パターン１４の変更なしに回路
構成の変更も容易に行うことができるという効果が得ら
れる。
【００４２】実施の形態６．図６は実施の形態６による
高周波回路を示す図である。図６において、１は誘電体
基板、１４は導体配線パターン、２２は導体膜、２３は
直方体の誘電体、２４は直方体の誘電体２３の表面に導
体膜２２を設けた、長さＬ，幅Ｗ，高さＨのチップ部品
と同等の形状の直方体の導体ブロックであり、この直方
体の導体ブロック２４は、導体配線パターン１４と接続
され、誘電体基板１に接するように実装される。
高周波回路を示す図である。図６において、１は誘電体
基板、１４は導体配線パターン、２２は導体膜、２３は
直方体の誘電体、２４は直方体の誘電体２３の表面に導
体膜２２を設けた、長さＬ，幅Ｗ，高さＨのチップ部品
と同等の形状の直方体の導体ブロックであり、この直方
体の導体ブロック２４は、導体配線パターン１４と接続
され、誘電体基板１に接するように実装される。
【００４３】次に動作について説明する。図６に示す高
周波回路は、実施の形態１の図１に示す高周波回路と比
較して、導体ブロックとして、図６（ａ），（ｂ）に示
すように、直方体の誘電体２３の表面に導体膜２２を設
けた導体ブロック２４を用いている点が異なる。直方体
の誘電体２３の表面に導体膜２２を設けた導体ブロック
２４は、誘電体基板１と接するように実装されているた
め、電気的には誘電体基板１上の導体配線パターン１４
と同じ分布定数線路を実現することができる。
周波回路は、実施の形態１の図１に示す高周波回路と比
較して、導体ブロックとして、図６（ａ），（ｂ）に示
すように、直方体の誘電体２３の表面に導体膜２２を設
けた導体ブロック２４を用いている点が異なる。直方体
の誘電体２３の表面に導体膜２２を設けた導体ブロック
２４は、誘電体基板１と接するように実装されているた
め、電気的には誘電体基板１上の導体配線パターン１４
と同じ分布定数線路を実現することができる。
【００４４】直方体の導体ブロック２４を用いる場合に
は、複数の導体配線パターン１４を誘電体基板１上に作
製しておき、その導体配線パターン１４の接続の仕方を
導体ブロック２４を用いて必要に応じて変更（接続した
り接続しなかったり）することで、導体配線パターン１
４を全く変更することなく、等価的に分布定数線路の特
性を変化させることができる。また、導体ブロック２４
の幅Ｗや高さＨにより等価的に分布定数線路のインピー
ダンスを変化させたり、導体ブロック２４の長さＬによ
り分布定数線路の電気長を変化させることにより、高周
波回路の電気特性の調整を容易にすることもできる。
は、複数の導体配線パターン１４を誘電体基板１上に作
製しておき、その導体配線パターン１４の接続の仕方を
導体ブロック２４を用いて必要に応じて変更（接続した
り接続しなかったり）することで、導体配線パターン１
４を全く変更することなく、等価的に分布定数線路の特
性を変化させることができる。また、導体ブロック２４
の幅Ｗや高さＨにより等価的に分布定数線路のインピー
ダンスを変化させたり、導体ブロック２４の長さＬによ
り分布定数線路の電気長を変化させることにより、高周
波回路の電気特性の調整を容易にすることもできる。
【００４５】また、導体ブロック２４は直方体の形状で
あるため、チップキャパシタ、チップインダクタ、チッ
プ抵抗等のチップ部品と同等の形状で、それらのチップ
部品の実装と同じ実装技術を用いることにより、導体ブ
ロック２４の誘電体基板１上への実装を容易にしてい
る。さらに、導体ブロック２４は、主に誘電体２３で構
成されているため軽量化を可能にしている。さらに、導
体ブロック２４とチップ部品はともに直方体という同一
の形状であるため置き換えが可能であり、導体配線パタ
ーン１４の変更なしに回路構成の変更も容易にしてい
る。さらに、直方体の導体ブロック２４は面取りされて
いても良い。
あるため、チップキャパシタ、チップインダクタ、チッ
プ抵抗等のチップ部品と同等の形状で、それらのチップ
部品の実装と同じ実装技術を用いることにより、導体ブ
ロック２４の誘電体基板１上への実装を容易にしてい
る。さらに、導体ブロック２４は、主に誘電体２３で構
成されているため軽量化を可能にしている。さらに、導
体ブロック２４とチップ部品はともに直方体という同一
の形状であるため置き換えが可能であり、導体配線パタ
ーン１４の変更なしに回路構成の変更も容易にしてい
る。さらに、直方体の導体ブロック２４は面取りされて
いても良い。
【００４６】なお、図６に示す高周波回路は、直方体の
導体ブロック２４を、図１に示す実施の形態１に適用し
た場合の高周波回路の例であるが、実施の形態２から実
施の形態４の高周波回路や、その他の高周波回路にも同
様に適用することができる。
導体ブロック２４を、図１に示す実施の形態１に適用し
た場合の高周波回路の例であるが、実施の形態２から実
施の形態４の高周波回路や、その他の高周波回路にも同
様に適用することができる。
【００４７】以上のように、この実施の形態６によれ
ば、複数の導体配線パターン１４を誘電体基板１上に作
製しておき、その導体配線パターン１４の接続の仕方を
導体ブロック２４を用いて必要に応じて変更することに
より、導体配線パターン１４を全く変更することなく、
等価的に分布定数線路の特性を変化させることができ、
高周波回路の電気特性の調整を容易にすることができる
という効果が得られる。
ば、複数の導体配線パターン１４を誘電体基板１上に作
製しておき、その導体配線パターン１４の接続の仕方を
導体ブロック２４を用いて必要に応じて変更することに
より、導体配線パターン１４を全く変更することなく、
等価的に分布定数線路の特性を変化させることができ、
高周波回路の電気特性の調整を容易にすることができる
という効果が得られる。
【００４８】また、導体ブロック２４はチップ部品と同
等の直方体の形状であるため、チップ部品の実装と同じ
実装技術を用いることにより、導体ブロック２４の誘電
体基板１上への実装を容易にすることができるという効
果が得られる。さらに、導体ブロック２４は主に誘電体
２３で構成されているため軽量化が可能であるという効
果が得られる。さらに、導体ブロック２４とチップ部品
はともに直方体という同等の形状であるため置き換えが
可能であり、導体配線パターン１４の変更なしに回路構
成の変更も容易に行うことができるという効果が得られ
る。
等の直方体の形状であるため、チップ部品の実装と同じ
実装技術を用いることにより、導体ブロック２４の誘電
体基板１上への実装を容易にすることができるという効
果が得られる。さらに、導体ブロック２４は主に誘電体
２３で構成されているため軽量化が可能であるという効
果が得られる。さらに、導体ブロック２４とチップ部品
はともに直方体という同等の形状であるため置き換えが
可能であり、導体配線パターン１４の変更なしに回路構
成の変更も容易に行うことができるという効果が得られ
る。
【００４９】実施の形態７．図７は実施の形態７による
高周波回路を示す図である。図７において、１は誘電体
基板、１４は導体配線パターン、２０は直方体の導体、
２５は半田メッキ、２６は、直方体の導体２０の一端又
は両端に半田メッキ２５を施した、長さＬ，幅Ｗ，高さ
Ｈのチップ部品と同等の形状の直方体の導体ブロックで
あり、この直方体の導体ブロック２６は、導体配線パタ
ーン１４と接続され、誘電体基板１に接するように実装
される。
高周波回路を示す図である。図７において、１は誘電体
基板、１４は導体配線パターン、２０は直方体の導体、
２５は半田メッキ、２６は、直方体の導体２０の一端又
は両端に半田メッキ２５を施した、長さＬ，幅Ｗ，高さ
Ｈのチップ部品と同等の形状の直方体の導体ブロックで
あり、この直方体の導体ブロック２６は、導体配線パタ
ーン１４と接続され、誘電体基板１に接するように実装
される。
【００５０】次に動作について説明する。図７に示す高
周波回路は、実施の形態７の図５に示す高周波回路と比
較して、導体ブロックとして、図７（ａ）に示すよう
に、直方体の導体２０の一端又は両端に半田メッキ２５
を施した直方体の導体ブロック２６を用いている点が異
なる。導体ブロック２６は誘電体基板１と接するように
実装されているため、電気的には誘電体基板１上の導体
配線パターン１４と同じ分布定数線路を実現することが
できる。
周波回路は、実施の形態７の図５に示す高周波回路と比
較して、導体ブロックとして、図７（ａ）に示すよう
に、直方体の導体２０の一端又は両端に半田メッキ２５
を施した直方体の導体ブロック２６を用いている点が異
なる。導体ブロック２６は誘電体基板１と接するように
実装されているため、電気的には誘電体基板１上の導体
配線パターン１４と同じ分布定数線路を実現することが
できる。
【００５１】直方体の導体ブロック２６を用いる場合に
は、複数の導体配線パターン１４を誘電体基板１上に作
製しておき、その導体配線パターン１４の接続の仕方を
導体ブロック２６を用いて必要に応じて変更（接続した
り接続しなかったり）することで、導体配線パターン１
４を全く変更することなく、等価的に分布定数線路の特
性を変化させることができる。また、導体ブロック２６
の幅Ｗや高さＨにより等価的に分布定数線路のインピー
ダンスを変化させたり、導体ブロック２６の長さＬによ
り分布定数線路の電気長を変化させることにより、高周
波回路の電気特性の調整を容易にすることもできる。
は、複数の導体配線パターン１４を誘電体基板１上に作
製しておき、その導体配線パターン１４の接続の仕方を
導体ブロック２６を用いて必要に応じて変更（接続した
り接続しなかったり）することで、導体配線パターン１
４を全く変更することなく、等価的に分布定数線路の特
性を変化させることができる。また、導体ブロック２６
の幅Ｗや高さＨにより等価的に分布定数線路のインピー
ダンスを変化させたり、導体ブロック２６の長さＬによ
り分布定数線路の電気長を変化させることにより、高周
波回路の電気特性の調整を容易にすることもできる。
【００５２】また、導体ブロック２６は直方体の形状で
あるため、チップキャパシタ、チップインダクタ、チッ
プ抵抗等のチップ部品と同等の形状で、それらのチップ
部品の実装と同じ実装技術を用いることにより、導体ブ
ロック２６の誘電体基板１上への実装を容易にしてい
る。さらに、直方体の導体２０の一端又は両端に半田メ
ッキ２５を施しているため、誘電体基板１上への半田付
けを容易にしている。さらに、導体ブロック２６とチッ
プ部品はともに直方体という同等の形状であるため置き
換えが可能であり、導体配線パターン１４の変更なしに
回路構成の変更も容易にしている。
あるため、チップキャパシタ、チップインダクタ、チッ
プ抵抗等のチップ部品と同等の形状で、それらのチップ
部品の実装と同じ実装技術を用いることにより、導体ブ
ロック２６の誘電体基板１上への実装を容易にしてい
る。さらに、直方体の導体２０の一端又は両端に半田メ
ッキ２５を施しているため、誘電体基板１上への半田付
けを容易にしている。さらに、導体ブロック２６とチッ
プ部品はともに直方体という同等の形状であるため置き
換えが可能であり、導体配線パターン１４の変更なしに
回路構成の変更も容易にしている。
【００５３】なお、導体ブロック２６として、直方体の
誘電体の表面に導体膜を設けた導体ブロックの一端又は
両端に半田メッキを施した導体ブロックを用いても良
く、その場合には、さらに軽量にすることができる。な
お、直方体のブロック２６は面取りされていても良い。
誘電体の表面に導体膜を設けた導体ブロックの一端又は
両端に半田メッキを施した導体ブロックを用いても良
く、その場合には、さらに軽量にすることができる。な
お、直方体のブロック２６は面取りされていても良い。
【００５４】以上のように、この実施の形態７によれ
ば、複数の導体配線パターン１４を誘電体基板１上に作
製しておき、その導体配線パターン１４の接続の仕方を
導体ブロック２６を用いて必要に応じて変更することに
より、導体配線パターン１４を全く変更することなく、
等価的に分布定数線路の特性を変化させることができ、
高周波回路の電気特性の調整を容易にすることができる
という効果が得られる。
ば、複数の導体配線パターン１４を誘電体基板１上に作
製しておき、その導体配線パターン１４の接続の仕方を
導体ブロック２６を用いて必要に応じて変更することに
より、導体配線パターン１４を全く変更することなく、
等価的に分布定数線路の特性を変化させることができ、
高周波回路の電気特性の調整を容易にすることができる
という効果が得られる。
【００５５】また、導体ブロック２６はチップ部品と同
等の直方体の形状であるため、チップ部品の実装と同じ
実装技術を用いることにより、導体ブロック２６の誘電
体基板１上への実装を容易にすることができるという効
果が得られる。さらに、導体ブロック２６とチップ部品
はともに直方体という同等の形状であるため置き換えが
可能であり、導体配線パターン１４の変更なしに回路構
成の変更も容易に行うことができるという効果が得られ
る。さらに、直方体の導体２０の一端又は両端に半田メ
ッキ２５を施しているため、誘電体基板１上への半田付
けを容易にすることができるという効果が得られる。
等の直方体の形状であるため、チップ部品の実装と同じ
実装技術を用いることにより、導体ブロック２６の誘電
体基板１上への実装を容易にすることができるという効
果が得られる。さらに、導体ブロック２６とチップ部品
はともに直方体という同等の形状であるため置き換えが
可能であり、導体配線パターン１４の変更なしに回路構
成の変更も容易に行うことができるという効果が得られ
る。さらに、直方体の導体２０の一端又は両端に半田メ
ッキ２５を施しているため、誘電体基板１上への半田付
けを容易にすることができるという効果が得られる。
【００５６】実施の形態８．図８は実施の形態８による
高周波回路を示す図である。図８において、１は誘電体
基板、１４は導体配線パターン、２０は直方体の導体、
２７は、直方体の導体２０よりも十分小さな突起状電極
である導体バンプ、又は導体２０よりも十分小さな球状
の導体片である導体球で、２８は、直方体の導体２０の
一端又は両端に、導体バンプ又は導体球２７を設けた導
体ブロックであり、この直方体の導体ブロック２８は、
導体配線パターン１４と接続され、誘電体基板１に接す
るように実装される。
高周波回路を示す図である。図８において、１は誘電体
基板、１４は導体配線パターン、２０は直方体の導体、
２７は、直方体の導体２０よりも十分小さな突起状電極
である導体バンプ、又は導体２０よりも十分小さな球状
の導体片である導体球で、２８は、直方体の導体２０の
一端又は両端に、導体バンプ又は導体球２７を設けた導
体ブロックであり、この直方体の導体ブロック２８は、
導体配線パターン１４と接続され、誘電体基板１に接す
るように実装される。
【００５７】次に動作について説明する。図８に示す高
周波回路は、実施の形態５の図５に示す高周波回路と比
較して、導体ブロックとして、図８（ａ）に示すよう
に、直方体の導体２０の一端又は両端に導体バンプ又は
導体球２７を設けた直方体の導体ブロック２８を用いて
いる点が異なる。導体ブロック２８は誘電体基板１に接
するように実装されているため、電気的には誘電体基板
１上の導体配線パターン１４と同じ分布定数線路を実現
することができる。
周波回路は、実施の形態５の図５に示す高周波回路と比
較して、導体ブロックとして、図８（ａ）に示すよう
に、直方体の導体２０の一端又は両端に導体バンプ又は
導体球２７を設けた直方体の導体ブロック２８を用いて
いる点が異なる。導体ブロック２８は誘電体基板１に接
するように実装されているため、電気的には誘電体基板
１上の導体配線パターン１４と同じ分布定数線路を実現
することができる。
【００５８】直方体の導体ブロック２８を用いる場合に
は、複数の導体配線パターン１４を誘電体基板１上に作
製しておき、その導体配線パターン１４の接続の仕方を
導体ブロック２８を用いて必要に応じて変更（接続した
り接続しなかったり）することで、導体配線パターン１
４を全く変更することなく、等価的に分布定数線路の特
性を変化させることができる。また、導体ブロック２８
の幅Ｗや高さＨにより等価的に分布定数線路のインピー
ダンスを変化させたり、導体ブロック２８の長さＬによ
り分布定数線路の電気長を変化させることにより、高周
波回路の電気特性の調整を容易にすることもできる。
は、複数の導体配線パターン１４を誘電体基板１上に作
製しておき、その導体配線パターン１４の接続の仕方を
導体ブロック２８を用いて必要に応じて変更（接続した
り接続しなかったり）することで、導体配線パターン１
４を全く変更することなく、等価的に分布定数線路の特
性を変化させることができる。また、導体ブロック２８
の幅Ｗや高さＨにより等価的に分布定数線路のインピー
ダンスを変化させたり、導体ブロック２８の長さＬによ
り分布定数線路の電気長を変化させることにより、高周
波回路の電気特性の調整を容易にすることもできる。
【００５９】また、導体ブロック２８は直方体の形状で
あるため、チップキャパシタ、チップインダクタ、チッ
プ抵抗等のチップ部品と同等の形状で、それらのチップ
部品の実装と同じ実装技術を用いることにより、導体ブ
ロック２８の誘電体基板１上への実装を容易にしてい
る。さらに、導体ブロック２８とチップ部品はともに直
方体という同等の形状であるため置き換えが可能であ
り、導体配線パターン１４の変更なしに回路構成の変更
も容易にしている。さらに、直方体の導体２０の一端又
は両端に導体バンプ又は導体球２７を設けているため、
誘電体基板１上への実装の位置精度を高めている。
あるため、チップキャパシタ、チップインダクタ、チッ
プ抵抗等のチップ部品と同等の形状で、それらのチップ
部品の実装と同じ実装技術を用いることにより、導体ブ
ロック２８の誘電体基板１上への実装を容易にしてい
る。さらに、導体ブロック２８とチップ部品はともに直
方体という同等の形状であるため置き換えが可能であ
り、導体配線パターン１４の変更なしに回路構成の変更
も容易にしている。さらに、直方体の導体２０の一端又
は両端に導体バンプ又は導体球２７を設けているため、
誘電体基板１上への実装の位置精度を高めている。
【００６０】なお、導体ブロック２８として、直方体の
誘電体の表面に導体膜を設けた導体ブロックの両端に導
体バンプ又は導体球２７を設けた導体ブロックを用いて
も良く、その場合には、さらに軽量にすることができ
る。なお、直方体の導体ブロック２８は面取りされてい
ても良い。
誘電体の表面に導体膜を設けた導体ブロックの両端に導
体バンプ又は導体球２７を設けた導体ブロックを用いて
も良く、その場合には、さらに軽量にすることができ
る。なお、直方体の導体ブロック２８は面取りされてい
ても良い。
【００６１】以上のように、この実施の形態８によれ
ば、複数の導体配線パターン１４を誘電体基板１上に作
製しておき、その導体配線パターン１４の接続の仕方を
導体ブロック２８を用いて必要に応じて変更することに
より、導体配線パターン１４を全く変更することなく、
等価的に分布定数線路の特性を変化させることができ、
高周波回路の電気特性の調整を容易にすることができる
という効果が得られる。
ば、複数の導体配線パターン１４を誘電体基板１上に作
製しておき、その導体配線パターン１４の接続の仕方を
導体ブロック２８を用いて必要に応じて変更することに
より、導体配線パターン１４を全く変更することなく、
等価的に分布定数線路の特性を変化させることができ、
高周波回路の電気特性の調整を容易にすることができる
という効果が得られる。
【００６２】また、導体ブロック２８はチップ部品と同
等の直方体の形状であるため、チップ部品の実装と同じ
実装技術を用いることにより、導体ブロック２８の誘電
体基板１上への実装を容易にすることができるという効
果が得られる。さらに、導体ブロック２８とチップ部品
はともに直方体という同等の形状であるため置き換えが
可能であり、導体配線パターン１４の変更なしに回路構
成の変更も容易に行うことができるという効果が得られ
る。さらに、直方体の導体２０の一端又は両端に導体バ
ンプ又は導体球２７を設けているため、誘電体基板１上
への実装の位置精度を高めることができるという効果が
得られる。
等の直方体の形状であるため、チップ部品の実装と同じ
実装技術を用いることにより、導体ブロック２８の誘電
体基板１上への実装を容易にすることができるという効
果が得られる。さらに、導体ブロック２８とチップ部品
はともに直方体という同等の形状であるため置き換えが
可能であり、導体配線パターン１４の変更なしに回路構
成の変更も容易に行うことができるという効果が得られ
る。さらに、直方体の導体２０の一端又は両端に導体バ
ンプ又は導体球２７を設けているため、誘電体基板１上
への実装の位置精度を高めることができるという効果が
得られる。
【００６３】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、誘電
体基板上に構成された導体配線パターンと、導体配線パ
ターンに接続され、誘電体基板上に接するように実装さ
れた導体ブロックとを備えたことにより、分布定数線
路、オープンスタブ又はショートスタブの特性を変化さ
せることができ、高周波回路の電気特性の調整を容易に
することができるという効果がある。
体基板上に構成された導体配線パターンと、導体配線パ
ターンに接続され、誘電体基板上に接するように実装さ
れた導体ブロックとを備えたことにより、分布定数線
路、オープンスタブ又はショートスタブの特性を変化さ
せることができ、高周波回路の電気特性の調整を容易に
することができるという効果がある。
【００６４】この発明によれば、導体ブロックの一端を
導体配線パターンに接続し、導体ブロックの他端を開放
又は誘電体基板上に構成された他の導体配線パターンに
接続したことにより、分布定数線路の特性又はオープン
スタブの特性を変化させることができ、高周波回路の電
気特性の調整を容易にすることができるという効果があ
る。
導体配線パターンに接続し、導体ブロックの他端を開放
又は誘電体基板上に構成された他の導体配線パターンに
接続したことにより、分布定数線路の特性又はオープン
スタブの特性を変化させることができ、高周波回路の電
気特性の調整を容易にすることができるという効果があ
る。
【００６５】この発明によれば、導体ブロックの一端を
導体配線パターンに接続し、導体ブロックの他端を誘電
体基板上に構成された導体グランドパターンに接続した
ことにより、分布定数線路の特性又はショートスタブの
特性を変化させることができ、高周波回路の電気特性の
調整を容易にすることができるという効果がある。
導体配線パターンに接続し、導体ブロックの他端を誘電
体基板上に構成された導体グランドパターンに接続した
ことにより、分布定数線路の特性又はショートスタブの
特性を変化させることができ、高周波回路の電気特性の
調整を容易にすることができるという効果がある。
【００６６】この発明によれば、導体ブロックの一端を
導体配線パターンに接続し、導体ブロックの他端を誘電
体基板と垂直方向に開放して実装したことにより、分布
定数線路の特性又はオープンスタブの特性を変化させる
ことができ、高周波回路の電気特性の調整を容易にする
ことができるという効果がある。
導体配線パターンに接続し、導体ブロックの他端を誘電
体基板と垂直方向に開放して実装したことにより、分布
定数線路の特性又はオープンスタブの特性を変化させる
ことができ、高周波回路の電気特性の調整を容易にする
ことができるという効果がある。
【００６７】この発明によれば、導体ブロックの形状
を、誘電体基板上に実装されるチップ部品と同等の直方
体とすることにより、チップ部品の実装と同じ実装技術
を用いることができ、導体ブロックの誘電体基板上への
実装を容易にすることができるという効果がある。ま
た、チップ部品と導体ブロックを置き換えることによ
り、導体配線パターンの変更なしに回路構成の変更を容
易にすることができるという効果がある。
を、誘電体基板上に実装されるチップ部品と同等の直方
体とすることにより、チップ部品の実装と同じ実装技術
を用いることができ、導体ブロックの誘電体基板上への
実装を容易にすることができるという効果がある。ま
た、チップ部品と導体ブロックを置き換えることによ
り、導体配線パターンの変更なしに回路構成の変更を容
易にすることができるという効果がある。
【００６８】この発明によれば、導体ブロックが、直方
体の誘電体ブロックの表面に導体メッキを施したもので
あることにより、軽量化が可能であるという効果があ
る。
体の誘電体ブロックの表面に導体メッキを施したもので
あることにより、軽量化が可能であるという効果があ
る。
【００６９】この発明によれば、導体ブロックの一端又
は両端に半田メッキを施したことにより、誘電体基板上
への半田付けを容易にすることができるという効果があ
る。
は両端に半田メッキを施したことにより、誘電体基板上
への半田付けを容易にすることができるという効果があ
る。
【００７０】この発明によれば、導体ブロックの一端又
は両端に、突起状電極である導体バンプ又は球状の導体
片である導体球を設けたことにより、誘電体基板上への
実装の位置精度を高めることができるという効果があ
る。
は両端に、突起状電極である導体バンプ又は球状の導体
片である導体球を設けたことにより、誘電体基板上への
実装の位置精度を高めることができるという効果があ
る。
【図１】 この発明の実施の形態１による高周波回路を
示す図である。
示す図である。
【図２】 この発明の実施の形態２による高周波回路を
示す図である。
示す図である。
【図３】 この発明の実施の形態３による高周波回路を
示す図である。
示す図である。
【図４】 この発明の実施の形態４による高周波回路を
示す図である。
示す図である。
【図５】 この発明の実施の形態５による高周波回路を
示す図である。
示す図である。
【図６】 この発明の実施の形態６による高周波回路を
示す図である。
示す図である。
【図７】 この発明の実施の形態７による高周波回路を
示す図である。
示す図である。
【図８】 この発明の実施の形態８による高周波回路を
示す図である。
示す図である。
【図９】 従来の高周波回路を示す図である。
【符号の説明】 １ 誘電体基板、１４ 導体配線パターン、１５ 導体
グランドパターン、１９ 導体ブロック、２０ 導体、
２１ 導体ブロック、２２ 導体膜、２３ 誘電体、２
４ 導体ブロック、２５ 半田メッキ、２６ 導体ブロ
ック、２７ 導体バンプ又は導体球、２８ 導体ブロッ
ク。
グランドパターン、１９ 導体ブロック、２０ 導体、
２１ 導体ブロック、２２ 導体膜、２３ 誘電体、２
４ 導体ブロック、２５ 半田メッキ、２６ 導体ブロ
ック、２７ 導体バンプ又は導体球、２８ 導体ブロッ
ク。
フロントページの続き (72)発明者 池田 幸夫 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5E317 AA11 BB01 CC01 CC15 CD34 GG11 GG17 5E336 AA04 AA11 BB01 BB02 BB03 CC31 CC51 DD01 EE01 GG19
Claims (8)
- 【請求項１】 誘電体基板上に構成された導体配線パタ
ーンと、 上記導体配線パターンに接続され、上記誘電体基板上に
接するように実装された導体ブロックとを備えたことを
特徴とする高周波回路。 - 【請求項２】 導体ブロックの一端を導体配線パターン
に接続し、導体ブロックの他端を開放又は誘電体基板上
に構成された他の導体配線パターンに接続したことを特
徴とする請求項１記載の高周波回路。 - 【請求項３】 導体ブロックの一端を導体配線パターン
に接続し、導体ブロックの他端を誘電体基板上に構成さ
れた導体グランドパターンに接続したことを特徴とする
請求項１記載の高周波回路。 - 【請求項４】 導体ブロックの一端を導体配線パターン
に接続し、導体ブロックの他端を誘電体基板と垂直方向
に開放して実装したことを特徴とする請求項１記載の高
周波回路。 - 【請求項５】 導体ブロックの形状を、誘電体基板上に
実装されるチップ部品と同等の直方体とすることを特徴
とする請求項１記載の高周波回路。 - 【請求項６】 導体ブロックが、直方体の誘電体ブロッ
クの表面に導体メッキを施したものであることを特徴と
する請求項５記載の高周波回路。 - 【請求項７】 導体ブロックの一端又は両端に半田メッ
キを施したことを特徴とする請求項５又は請求項６記載
の高周波回路。 - 【請求項８】 導体ブロックの一端又は両端に、突起状
電極である導体バンプ又は球状の導体片である導体球を
設けたことを特徴とする請求項５又は請求項６記載の高
周波回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32721099A JP2001144394A (ja) | 1999-11-17 | 1999-11-17 | 高周波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32721099A JP2001144394A (ja) | 1999-11-17 | 1999-11-17 | 高周波回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001144394A true JP2001144394A (ja) | 2001-05-25 |
Family
ID=18196557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32721099A Abandoned JP2001144394A (ja) | 1999-11-17 | 1999-11-17 | 高周波回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001144394A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013110375A (ja) * | 2011-11-17 | 2013-06-06 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 半導体パッケージ及びこれを含む半導体パッケージモジュール |
| JP2019134361A (ja) * | 2018-02-01 | 2019-08-08 | 富士通株式会社 | 増幅装置及び電磁波照射装置 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5436566A (en) * | 1977-08-25 | 1979-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of making tipptype conductive element |
| JPS5894201A (ja) * | 1981-11-28 | 1983-06-04 | Mitsubishi Electric Corp | ストリツプ線路における調整装置 |
| JPS6190203U (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-12 | ||
| JPS6312119A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-19 | アルプス電気株式会社 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
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| JPH05218710A (ja) * | 1992-02-07 | 1993-08-27 | Nec Kansai Ltd | スタブ用金属板の取付構造および取付方法 |
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| JPH06252613A (ja) * | 1993-02-25 | 1994-09-09 | Mitsubishi Electric Corp | 分布定数整合回路及びその製造方法 |
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| JPH10224107A (ja) * | 1997-02-07 | 1998-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波集積回路 |
-
1999
- 1999-11-17 JP JP32721099A patent/JP2001144394A/ja not_active Abandoned
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060306 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060328 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20060421 |