KR920009670B1 - 스트립선로 회로 - Google Patents

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아끼라 사또오
시노부 쓰루마루
겐이찌로오 구마모도
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쏘니 가부시기가이샤
오오가 노리오
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Abstract

내용 없음.

Description

스트립선로 회로
제1도는 스트립선호회로의 일례로서의 고주파 증폭회로의 일례의 패터언도.
제2도는 그 FET의 입출력 임피이던스를 위한 스미드 차아트.
제3도는 종래의 회로 임피이던스 조정방법을 설명하기 위한 도면.
제4도는 본원 발명의 요부의 일례로 나타낸 도면.
제5도는 그 A-A 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : FET 6,7 : 신호전송선로
10,11 : 스터브 21,22 : 도전성 선재
본원 발명은 마이크로파신호를 취급하는, 예를 들어 마이크로파 증폭기등의 스트립선로에 관한 것이다.
위성 방송의 실현에 수반하여, 마이크로파신호를 취급하는 스트립선로회로의 양산성 및 원가적감이 문제로 되어 있다.
그런데, 마이크로파를 취급하는 예를들어 고주파 증폭회로 등에서는 사용하는 반도체의 임피던스 파라미터에 맞추어서, 그 입출력측의 회로 임피던스를 설정하여, 임피던스 매칭을 취하는 동시에(잡음지수)등의 특성을 양호한 것으로 하도록 하고 있다. 이 회로 임피이던스의 설정은 마이크로 스트립선로회로의 경우, 신호선로 패터언의 적당한 위치에 선단 개방 또는 선단회로의 적당한 길이의 스터브(Stub)를 설치하여 분포정수적으로 행한다.
제1도은 이와같은 회로 임피이던스의 설정을 한 스트립선로회로의 일례이며, 이것은 소오스접지형 FET로 구성된 마이크로파 증폭회로이며, SHF-UHF 콘버어터의 고주파 증폭회로로서 사용되는 것이다.
도면에 표시되는 패터언은 뒷면측에 이어드도체가 균일하게, 또는 소정의 패터언 형상으로 입혀 붙여진 유전체 기판의 표면측에 설치되어 있는 것이다.
제1도에서, (1)은 FET이며, 그 소오스리이드 (2),(3)은 각기 뒷면측 이어드도체에 접속되어 접지된다. FET (1)의 게이트리이드 (4)는 스트립회로(6)에 접속되며, 드레인리이드(5)는 스트립회로(7)에 접속된다. 그리고, 스트립회로(6)에는 마이너스의 바이어스전압을 FET (1)의 게이트에 부여하도록 하기 위한 직류귀로초오크 패터언(8)이 접속되며, 스트립회로 (7)에는 플러스의 바이어스전압을 FET (1)의 드레인측에 공급하기 위하 직류귀로초오크 패터언(9)이 접속되어 있다.
이들 직류귀로초오크 패터언(8) 및 신호주파수로 λ/4(λ는 신호의 파장)의 길이를 갖는 가느다란 도체로 구성되는 고 임피던스선로(8A) 및 (9A)와, 똑같은 길이이며 폭이 넓은 도체로 구성되는 저 임피던스선로(8B) 및 (9B)가 교대로 접속되어 구성되고, 스트립회로(6) 및 (7)에서 바이어스공급 회로측을 보았을 때, 신호주파수로 ∞의 임피던스(오우픈)로 보이도록 하여 직류귀로초오크 패터언이 신호에 영향을 주는 것을 피하고 있다.
그리고, 스트립회로 (6)측에서 FET (1)의 게이트에 공급된 입력신호는 증가되어 드레인측의 스트립회로 (7)에서 꺼내진다.
(10) 및 (11)은 신호전송선로(6)에 대해 병렬로 접속된 FET (1)의 게이트에서 본 회로임피던스 설정용의 선단개방 스터브이다. 이 스터브(10) 및 (11) 의 길디 d1,d2및 선로(6)에 대한 설치위치, 즉 스터브(10) 및 (11)간의 거리 l2및 선로(6)의 FET (1)의 게이트측의 단부와 스터브(10)와의 사이의 거리 l1는 FET(1)의 임피이던스 파라미터에 맞추어서 정해진 치수로 되어 있다. 즉, 파라미터에 맞추어서 패터언수가 결정되며, 에치으로 제조되어 있다. 예를들어 제2도에 나타낸 스미드 차아트상의
Figure kpo00001
표에 나타낸 임피이던스 점에, FET (1)의 입력측을 본 임피이던스를 설정할 경우에, 상기 각 치수 l1,l2,d1,d2를 이 스미드차아트 상에 나타낸 관계로 설정함으로서, 요망되는 임피던스를 얻을수 있다.
신호전송선로(7)에 대해 병렬도 접속되는 선단 개방스터브(12)도 마찬가지로, 그 길이 및 설치위치가 정헤져서, FET(1)의 출력측의 임피이던스가 설정되도록 되어 있다.
그러나, 이처럼 입력측 또는 출력측의 임피이던스를 반도체의 임피이던스 파라미터에 맞추어서, 패터언치수를 결정하고, 스터브의 길이등을 설정해도, 반도체의 특성의 불균일성이나 반도체를 실장(室長)했을 때의 불균일성 등으로 최적 포인트에 맞추지 못하기도 한다. 그래서, 어떠한 임피이던스의 조정수단이 필요해진다.
종래, 이 임피이던스의 조정법으로서는 제3도에 나타낸 것처럼 조정이 필요한 장소, 예를 들어 스터브(10), (11)의 주변에 조정용 패터언(13) 및 (14)를 설치해 두고, 필요에 따라 납땜등에 의해 필요한 만큼의 미소편 패터언을 잇고, 스터브(10, (11)의 길이 d1,d2및 거리 l2등의 조정을 하는 방법이 일반적으로 채용되고 있다.
그러나, 이 조정법은 매우 번거로운 작업을 필요로 하여 양산에는 적합하지 않다.
본원 발명은 상술한 점을 감안하여 스트립선로 회로의 회로 임피이던스의 조정을 매우 간단히 할수 있으며, 양산에 적합하도록 하고자 하는 것이다.
본원 발명은 신호정송선로 근방에, 또는 이 선로에 병렬로 선로(스터브) 근방에, 일단을 어어드한 도전성 선재을 설치하고, 이 도전성 선재의 선로 또는 스터브에 대한 공간적인 위치를 바꿈으로써 신호전송선로의 실효적인 임피이던스를 바꾸어, 임피이던스 조정을 하는 것이다.
제4도는 본원 발명을 상술한 소오스접지 FET 앰프에 적용했을 경우의 일례를 나타낸 도면이며, 제5도는 그 A-A′ 단면도 이다.
이 예는 FET (1)의 입력측의 회로 임피이던스를 조정할 경우이며, 신호전송선로(6) 근방 및 스터브(11)근방에 조정용의 도전성 선재(21) 및 (22)는 같은 것으로서, 제5도에 나타낸 것처럼 도선(23)이 테플론 등의 구주파손실이 적은 절연피복(24)으로 덮힌 피복도선이 사용되며, 도선(23)의 일단은 유전체기판(15)의 뒷면쪽의 어어드도체(16)에 대해 납땜됨으로써 어어드되어 고정되어 있다.
이 선재(21) 및 (22)는 납땜된 일단측을 지점으로 하여 공간적으로 자유롭게 작용한다. 그리고, 이 선재(21) 및 (22)의 선로(6) 및 (11)에 대한 거리를 제5도에서 화살표 A로 나타낸 것처럼 하여 근접시키거나 멀게 하거나 또는 제4도의 화살표 B 및 C에 나타낸 것처럼 선로(6) 및 스터브(11)를 가로지르는 위치를 바꾸도록 하는 것에 의해 회로 임피이던스는 조정된다. 즉, 이 선재(21) 및 (22)를 근접시킴으로써 선로(6) 및 (11)에는 병렬 용량이 부가된 것으로 되며, 등가적으로 각선로 길이를 바꿀수 있으므로, 임피이던스 조정되는 것이다.
이 경우, 선재(21) 및 (22)에는 절연피복(24)이 되어 있으므로, 선로 패터언과 선재(21),(22)의 도선이 쇼오트하거나 할 염려는 없다.
그리고, 이상은 고주파증폭기의 경우를 예로들어 설명했지만, 본원 발명은 이것에 한정되지 않으며, 다른 마이크로파 스트립선로회로, 예를들어 SHF-UHF 콘버어터의 믹서회로, 국부발전회로의 출력측의 임피이던서조정, 서어클 레이터의 임피이던스 매칭 조정의 경우에도 적용할수 있다.
그리고, 조정용 선재는 신호전송선로, 스터브의 모두에 대해 설치할 필요는 없으며, 조정이 필요해지는 선로에 대해 설치되어 있으면 된다. 본원 발명은 신호전송선로 또는 스터브의 근방에 일단이 어어드도체에 접속되어서 고정된 조전성 선재에 의해, 임피이던스 조정을 하는 것이며, 단지 이 선재의 신호전송선로 또는 스터브와의 공간적인 위치를 바꾸는 것만으로 되므로, 종래처럼 조정용 패터언을 납땜하는 등의 손질이 불필요하며, 조정작업이 매우 용이하다. 따라서 양산에 매우 적합하다. 즉, 고주파 스트립선로 증폭기 등의 입출력 VSWR의 조정은 종래는 매우 번잡해서 양산하는데 지장이 있었지만, 본원 발명에 의하면 약간의 시간으로 간단히 조정할수 있으므로, 이와같은 지장은 제거되어 양산이 가능하게 된다.

Claims (1)

  1. 회로소자에 한쪽 끝부분이 접속된 신호전송선로 근방에, 또는 이 신호전송선로에 병렬의 선로 근방에, 한족 끝부분이 어어드되어서, 이 한쪽 부분을 지점으로 하여 상기 선로상의 공간을 자유롭게 움직일수 있도록 된 도전성 선재가 설치되며, 이 도전성 선재의 상기 선로에 대한 공간적인 위치가 변화하여 상기 회로소자에 대한 상기 신호 전송선로의 실효적인 임피이던스가 변화하도록 된 것을 특징으로 하는 스트립선로 회로.
KR1019850000867A 1984-02-27 1985-02-13 스트립선로 회로 KR920009670B1 (ko)

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