JPH09251983A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH09251983A JPH09251983A JP8059696A JP5969696A JPH09251983A JP H09251983 A JPH09251983 A JP H09251983A JP 8059696 A JP8059696 A JP 8059696A JP 5969696 A JP5969696 A JP 5969696A JP H09251983 A JPH09251983 A JP H09251983A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 デポを発生させることなく、ＰＺＴ、Ｉｒ系
等の膜をエッチングし得るドライエッチング方法を提供
する。 【解決手段】 ＰＺＴ膜２をレジスト３をマスクとして
平行平板型ＲＩＥ装置を用いてエッチングする。エッチ
ングガスとしてＢＣｌ3 とＣｌ2 の混合ガスを用いる
と、揮発性の高い反応生成物が得られることによって、
デポの発生がなく、エッチングを行うことができる。
等の膜をエッチングし得るドライエッチング方法を提供
する。 【解決手段】 ＰＺＴ膜２をレジスト３をマスクとして
平行平板型ＲＩＥ装置を用いてエッチングする。エッチ
ングガスとしてＢＣｌ3 とＣｌ2 の混合ガスを用いる
と、揮発性の高い反応生成物が得られることによって、
デポの発生がなく、エッチングを行うことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体メモリ、例
えば浮遊ゲートを用いた強誘電ＲＡＭ等に用いられる、
強誘電材料膜のチタン酸ジルコン酸鉛系膜、ストロンチ
ウム系膜、ビスマス系膜、電極材料膜のイリジウム系
膜、白金／チタン系膜、の各単層膜、もしくはこれらの
膜の組合せからなる積層膜、のドライエッチング方法に
関するものである。
えば浮遊ゲートを用いた強誘電ＲＡＭ等に用いられる、
強誘電材料膜のチタン酸ジルコン酸鉛系膜、ストロンチ
ウム系膜、ビスマス系膜、電極材料膜のイリジウム系
膜、白金／チタン系膜、の各単層膜、もしくはこれらの
膜の組合せからなる積層膜、のドライエッチング方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、不揮発性メモリの一種である強誘
電ＲＡＭの研究開発が盛んに行なわれている。強誘電Ｒ
ＡＭは記憶素子として強誘電体を使用することで不揮発
性を実現しており、同様に不揮発性を有するフラッシュ
メモリがＲＯＭであるのに対して、強誘電ＲＡＭはＲＡ
Ｍ、すなわちビット毎のアクセスが自由であり、スピー
ドが速い、といった利点を有している。
電ＲＡＭの研究開発が盛んに行なわれている。強誘電Ｒ
ＡＭは記憶素子として強誘電体を使用することで不揮発
性を実現しており、同様に不揮発性を有するフラッシュ
メモリがＲＯＭであるのに対して、強誘電ＲＡＭはＲＡ
Ｍ、すなわちビット毎のアクセスが自由であり、スピー
ドが速い、といった利点を有している。
【０００３】特に、浮遊ゲートを用いた強誘電ＲＡＭ
は、１トランジスタのメモリセル構造として強誘電体で
あるチタン酸ジルコン酸鉛（Pb(Zrx・Ti1-x)O3、以下、
ＰＺＴと記す）を電極材料であるイリジウム／二酸化イ
リジウム膜（以下、Ｉｒ／ＩｒＯ2 と記す）で挟み、Ｐ
ＺＴ中の鉛の拡散、反応を防いだことにより強誘電性の
劣化が防止され、書換え回数が飛躍的に向上する、とい
う優れた特性を得ることができた。
は、１トランジスタのメモリセル構造として強誘電体で
あるチタン酸ジルコン酸鉛（Pb(Zrx・Ti1-x)O3、以下、
ＰＺＴと記す）を電極材料であるイリジウム／二酸化イ
リジウム膜（以下、Ｉｒ／ＩｒＯ2 と記す）で挟み、Ｐ
ＺＴ中の鉛の拡散、反応を防いだことにより強誘電性の
劣化が防止され、書換え回数が飛躍的に向上する、とい
う優れた特性を得ることができた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、浮遊ゲート
を用いた強誘電ＲＡＭを製造するにあたって、従来、レ
ジストをマスクとしてＩｒ／ＩｒＯ2 ／ＰＺＴ／Ｉｒ／
ＩｒＯ2 という積層膜に対して連続ドライエッチングを
行なった実績がなかった。
を用いた強誘電ＲＡＭを製造するにあたって、従来、レ
ジストをマスクとしてＩｒ／ＩｒＯ2 ／ＰＺＴ／Ｉｒ／
ＩｒＯ2 という積層膜に対して連続ドライエッチングを
行なった実績がなかった。
【０００５】例えば、強誘電性を利用した種々のデバイ
スに用いられるＰＺＴの単層膜であれば、特開平７−９
４４７１号公報に示されるように、ＳＦ6 とＣＨＦ3 の
混合ガスでドライエッチングを行なうという方法が既に
提案されている。ところが、この方法の場合、（１）エ
ッチングレートが５０nm/min 以下しか得られず、量産
性に欠ける、（２）エッチング面にＳＦ6 中のＳ成分に
起因するデポが生じる、（３）対レジスト選択比が小さ
く、異方性形状が得られない、という問題があった。し
かしながら、このガス系以外のエッチングガスは検討さ
れたことがなかった。
スに用いられるＰＺＴの単層膜であれば、特開平７−９
４４７１号公報に示されるように、ＳＦ6 とＣＨＦ3 の
混合ガスでドライエッチングを行なうという方法が既に
提案されている。ところが、この方法の場合、（１）エ
ッチングレートが５０nm/min 以下しか得られず、量産
性に欠ける、（２）エッチング面にＳＦ6 中のＳ成分に
起因するデポが生じる、（３）対レジスト選択比が小さ
く、異方性形状が得られない、という問題があった。し
かしながら、このガス系以外のエッチングガスは検討さ
れたことがなかった。
【０００６】一方、ＰＺＴ膜を含まないＩｒ／ＩｒＯ2
膜のドライエッチング方法も並行して検討されている
が、満足するものは未だ得られていない。その他、この
種のデバイスには、強誘電材料としてＳｒＴｉＯ3 等の
ストロンチウム（以下、Ｓｒと記す）系膜、Ｙ１（Ｓ
ｒ，Ｂｉ，Ｔａの酸化物）等のビスマス（以下、Ｂｉと
記す）系膜、電極材料膜として白金／チタン（以下、Ｐ
ｔ／Ｔｉと記す）系膜、等が用いられるが、これらの膜
は従来の半導体製造分野の中ではエッチングの実績があ
まりなく、適切なエッチング方法が未だ見い出されてい
ないのが現状であった。
膜のドライエッチング方法も並行して検討されている
が、満足するものは未だ得られていない。その他、この
種のデバイスには、強誘電材料としてＳｒＴｉＯ3 等の
ストロンチウム（以下、Ｓｒと記す）系膜、Ｙ１（Ｓ
ｒ，Ｂｉ，Ｔａの酸化物）等のビスマス（以下、Ｂｉと
記す）系膜、電極材料膜として白金／チタン（以下、Ｐ
ｔ／Ｔｉと記す）系膜、等が用いられるが、これらの膜
は従来の半導体製造分野の中ではエッチングの実績があ
まりなく、適切なエッチング方法が未だ見い出されてい
ないのが現状であった。
【０００７】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたものであって、強誘電材料膜のＰＺＴ系膜、Ｓ
ｒ系膜、Ｂｉ系膜、電極材料膜のＩｒ系膜、Ｐｔ／Ｔｉ
系膜、の各単層膜、またはこれらの膜の組合せからなる
積層膜に対して好適なドライエッチング方法を提供する
ことを目的とする。
なされたものであって、強誘電材料膜のＰＺＴ系膜、Ｓ
ｒ系膜、Ｂｉ系膜、電極材料膜のＩｒ系膜、Ｐｔ／Ｔｉ
系膜、の各単層膜、またはこれらの膜の組合せからなる
積層膜に対して好適なドライエッチング方法を提供する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のドライエッチング方法は、エッチングガ
スとして塩素系ガス、またはＣＦ4、Ｃ2Ｆ6 等のガス、
または塩素系ガスとフッ素系ガスの混合ガス、もしくは
臭素系ガスを用いることを特徴とするものである。
めに、本発明のドライエッチング方法は、エッチングガ
スとして塩素系ガス、またはＣＦ4、Ｃ2Ｆ6 等のガス、
または塩素系ガスとフッ素系ガスの混合ガス、もしくは
臭素系ガスを用いることを特徴とするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
を図１を参照して説明する。第１の実施の形態は、ＰＺ
Ｔ単層膜のドライエッチング方法であって、ＰＺＴ膜を
レジストをマスクとして平行平板型反応性イオンエッチ
ング（以下、ＲＩＥと記す）装置を用いてエッチングす
る例である。
を図１を参照して説明する。第１の実施の形態は、ＰＺ
Ｔ単層膜のドライエッチング方法であって、ＰＺＴ膜を
レジストをマスクとして平行平板型反応性イオンエッチ
ング（以下、ＲＩＥと記す）装置を用いてエッチングす
る例である。
【００１０】エッチングガスとしてＢＣｌ3 とＣｌ2 の
混合ガス（塩素系ガス）を用いることとし、ＲＩＥ装置
によるエッチング条件としては、例えばＲＦ周波数１
３．５６MHz 、ＲＦパワー８００W、圧力１０〜３０mTo
rr、ステージ温度１０℃、電極間ギャップ３０〜８０m
m、ガス流量ＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ＝３０sccm／３０sccm、
とする。
混合ガス（塩素系ガス）を用いることとし、ＲＩＥ装置
によるエッチング条件としては、例えばＲＦ周波数１
３．５６MHz 、ＲＦパワー８００W、圧力１０〜３０mTo
rr、ステージ温度１０℃、電極間ギャップ３０〜８０m
m、ガス流量ＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ＝３０sccm／３０sccm、
とする。
【００１１】上記の方法によりエッチングを行うと、次
式のような反応が起こる。 BCl3 + Cl2 + PZT(Pb(Zr,Ti)O3) + CxHyOz → PbCl4 + ZrCl4 + TiCl4 + CO + H2O + BClx + … （１）
式のような反応が起こる。 BCl3 + Cl2 + PZT(Pb(Zr,Ti)O3) + CxHyOz → PbCl4 + ZrCl4 + TiCl4 + CO + H2O + BClx + … （１）
【００１２】図１は本方法と従来の方法を用いてエッチ
ングを行った際のエッチング形状を比較した図であっ
て、図中符号１は下地膜、２はＰＺＴ膜、３はレジスト
である。ＳＦ6 とＣＨＦ3 の混合ガスを用いた従来のエ
ッチング方法では、ＰＺＴ膜２上に図１（ｂ）に示すよ
うなＳ成分に起因するデポ４が発生していた。それに対
して、本方法では、上記反応式（１）に示すPbCl4 、Zr
Cl4 、TiCl4 等は比較的蒸気圧が高い反応生成物のた
め、図１（ａ）に示すように、エッチング面に余分なデ
ポ等が発生することなく、異方性のエッチングを行うこ
とができた。
ングを行った際のエッチング形状を比較した図であっ
て、図中符号１は下地膜、２はＰＺＴ膜、３はレジスト
である。ＳＦ6 とＣＨＦ3 の混合ガスを用いた従来のエ
ッチング方法では、ＰＺＴ膜２上に図１（ｂ）に示すよ
うなＳ成分に起因するデポ４が発生していた。それに対
して、本方法では、上記反応式（１）に示すPbCl4 、Zr
Cl4 、TiCl4 等は比較的蒸気圧が高い反応生成物のた
め、図１（ａ）に示すように、エッチング面に余分なデ
ポ等が発生することなく、異方性のエッチングを行うこ
とができた。
【００１３】なお、エッチングガスとしてはＢＣｌ3 と
Ｃｌ2 の混合ガス以外にも、例えばＳｉＣｌ4 等の塩素
系ガス、Ｃ2Ｆ6等のフッ素系ガス、ＨＢｒ等の臭素系ガ
スを用いることもできる。例えばＨＢｒを用いた場合に
は、本実施の形態と同様、反応により生成されるPbBr4
が揮発性を有するからである。
Ｃｌ2 の混合ガス以外にも、例えばＳｉＣｌ4 等の塩素
系ガス、Ｃ2Ｆ6等のフッ素系ガス、ＨＢｒ等の臭素系ガ
スを用いることもできる。例えばＨＢｒを用いた場合に
は、本実施の形態と同様、反応により生成されるPbBr4
が揮発性を有するからである。
【００１４】次に、本発明の第２の実施の形態を図２を
参照して説明する。第２の実施の形態は、Ｉｒ／ＩｒＯ
2 ／ＰＺＴ／Ｉｒ／ＩｒＯ2 の積層膜のドライエッチン
グ方法である。
参照して説明する。第２の実施の形態は、Ｉｒ／ＩｒＯ
2 ／ＰＺＴ／Ｉｒ／ＩｒＯ2 の積層膜のドライエッチン
グ方法である。
【００１５】図２はこの積層膜の構造例を示す図であっ
て、Ｓｉ基板６上にゲート酸化膜としてのＳｉＯ2 膜
７、フローティングゲートとしてのポリシリコン膜８が
順次積層されており、その上方にＩｒＯ2 膜９／Ｉｒ膜
１０（電極）／ＰＺＴ膜１１（強誘電体）／ＩｒＯ2 膜
９／Ｉｒ膜１０（コントロールゲート）が順次積層され
ている。
て、Ｓｉ基板６上にゲート酸化膜としてのＳｉＯ2 膜
７、フローティングゲートとしてのポリシリコン膜８が
順次積層されており、その上方にＩｒＯ2 膜９／Ｉｒ膜
１０（電極）／ＰＺＴ膜１１（強誘電体）／ＩｒＯ2 膜
９／Ｉｒ膜１０（コントロールゲート）が順次積層され
ている。
【００１６】そして、レジスト１２をマスクとして、Ｉ
ｒ／ＩｒＯ2 ／ＰＺＴ／Ｉｒ／ＩｒＯ2 の連続エッチン
グを行なう際には、平行平板型ＲＩＥ装置でエッチング
ガスとしてＢＣｌ3 とＣｌ2 の混合ガスを用いてエッチ
ングを行なった。エッチングの具体的な条件は第１の実
施の形態と同様である。
ｒ／ＩｒＯ2 ／ＰＺＴ／Ｉｒ／ＩｒＯ2 の連続エッチン
グを行なう際には、平行平板型ＲＩＥ装置でエッチング
ガスとしてＢＣｌ3 とＣｌ2 の混合ガスを用いてエッチ
ングを行なった。エッチングの具体的な条件は第１の実
施の形態と同様である。
【００１７】本実施の形態のエッチング方法において
も、エッチングガスとしてＢＣｌ3 とＣｌ2 の混合ガス
を用いたことにより揮発性の高い反応生成物が得られる
ため、エッチング面にデポが発生することなく、異方性
のエッチングを行うことができる。
も、エッチングガスとしてＢＣｌ3 とＣｌ2 の混合ガス
を用いたことにより揮発性の高い反応生成物が得られる
ため、エッチング面にデポが発生することなく、異方性
のエッチングを行うことができる。
【００１８】次に、本発明の第３の実施の形態について
説明する。第３の実施の形態は、Ｉｒ／ＩｒＯ2 膜のド
ライエッチング方法である。
説明する。第３の実施の形態は、Ｉｒ／ＩｒＯ2 膜のド
ライエッチング方法である。
【００１９】レジストをマスクとしてＩｒ／ＩｒＯ2 膜
のエッチングを行なう際に、平行平板型エッチング装置
でエッチングガスとして、Ｃｌ2 とＢＣｌ3 の混合ガ
ス、Ｃｌ2 とＢＣｌ3 にＳＦ6 を適量添加した混合ガ
ス、を用いてエッチングを行なった。エッチングの具体
的な条件は第１の実施の形態と同様である。
のエッチングを行なう際に、平行平板型エッチング装置
でエッチングガスとして、Ｃｌ2 とＢＣｌ3 の混合ガ
ス、Ｃｌ2 とＢＣｌ3 にＳＦ6 を適量添加した混合ガ
ス、を用いてエッチングを行なった。エッチングの具体
的な条件は第１の実施の形態と同様である。
【００２０】従来、Ｉｒ／ＩｒＯ2 のドライエッチング
の報告例はなかったが、の混合ガスを用いるとエッチ
ングが可能であることがわかった。ただしその場合、エ
ッチング後のレジスト剥離工程でレジストの側壁にＩｒ
の再付着（ラビットイヤー）が発生し、それを酸素プラ
ズマで除去できない、という問題が残った。ところが、
のガスを用いた場合、の混合ガスにさらにＳＦ6 を
添加したことにより反応時にＩｒＦ6 が生成され、揮発
性の高いＩｒＦ6 はレジストに付着しないため、ラビッ
トイヤーの形成を防止しつつエッチングを行うことがで
きた。なお、フッ素系ガスの添加量が少な過ぎるとラビ
ットイヤーが残り、多過ぎるとフッ素系ガスはレジスト
のエッチング速度が速いため、レジストが後退すること
により低テーパ形状となる。
の報告例はなかったが、の混合ガスを用いるとエッチ
ングが可能であることがわかった。ただしその場合、エ
ッチング後のレジスト剥離工程でレジストの側壁にＩｒ
の再付着（ラビットイヤー）が発生し、それを酸素プラ
ズマで除去できない、という問題が残った。ところが、
のガスを用いた場合、の混合ガスにさらにＳＦ6 を
添加したことにより反応時にＩｒＦ6 が生成され、揮発
性の高いＩｒＦ6 はレジストに付着しないため、ラビッ
トイヤーの形成を防止しつつエッチングを行うことがで
きた。なお、フッ素系ガスの添加量が少な過ぎるとラビ
ットイヤーが残り、多過ぎるとフッ素系ガスはレジスト
のエッチング速度が速いため、レジストが後退すること
により低テーパ形状となる。
【００２１】なお、第３の実施の形態においては、添加
するフッ素系ガスとしてＳＦ6 を用いたが、Ｃ2Ｆ6 等
を用いても同様の効果を得ることができる。
するフッ素系ガスとしてＳＦ6 を用いたが、Ｃ2Ｆ6 等
を用いても同様の効果を得ることができる。
【００２２】また、上記実施の形態の膜以外にも、強誘
電材料膜であるＰＺＴ系膜としてＰＺＴのドーパント
品、例えばＰＬＺＴ（(Pb,La)(Zr,Ti)O3）、ＰＴＯ（Pb
TiO3）、ＳｒＴｉＯ3 等のＳｒ系膜、Ｂｉ系膜、電極材
料膜であるＰｔ／Ｔｉ系膜、等の単層膜、またはこれら
の膜の組合せからなる積層膜に本発明を適用することが
できる。例えば、主な被エッチング膜とエッチングガス
の組み合わせを示すと、以下の表１のようになる。
電材料膜であるＰＺＴ系膜としてＰＺＴのドーパント
品、例えばＰＬＺＴ（(Pb,La)(Zr,Ti)O3）、ＰＴＯ（Pb
TiO3）、ＳｒＴｉＯ3 等のＳｒ系膜、Ｂｉ系膜、電極材
料膜であるＰｔ／Ｔｉ系膜、等の単層膜、またはこれら
の膜の組合せからなる積層膜に本発明を適用することが
できる。例えば、主な被エッチング膜とエッチングガス
の組み合わせを示すと、以下の表１のようになる。
【表１】
【００２３】表１において、エッチング可能な被エッチ
ング膜とエッチングガスの組み合わせを「○」、エッチ
ングは可能であるが実用上若干の問題がある（例えばエ
ッチングレートが低い、デポが発生する、等）組み合わ
せを「△」、エッチング不可能な組み合わせを「×」で
示した。本発明によれば、この表に示すような被エッチ
ング膜とエッチングガスの組み合わせでエッチングが可
能であることが確認できた。
ング膜とエッチングガスの組み合わせを「○」、エッチ
ングは可能であるが実用上若干の問題がある（例えばエ
ッチングレートが低い、デポが発生する、等）組み合わ
せを「△」、エッチング不可能な組み合わせを「×」で
示した。本発明によれば、この表に示すような被エッチ
ング膜とエッチングガスの組み合わせでエッチングが可
能であることが確認できた。
【００２４】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
ドライエッチング方法によれば、塩素系ガス、フッ素系
ガス等の適切なエッチングガスを用いることにより、エ
ッチング面にデポを発生させることなく、強誘電材料膜
のＰＺＴ系膜、Ｓｒ系膜、Ｂｉ系膜、電極材料膜のＩｒ
系膜、Ｐｔ／Ｔｉ系膜、の各単層膜、またはこれらの膜
の組合せからなる積層膜のエッチングを行なうことが可
能となる。また特に、Ｉｒ／ＩｒＯ2 膜をドライエッチ
ングする際に、エッチングガスにフッ素系ガスを添加す
るとラビットイヤーを発生させることなく、エッチング
を行なうことが可能となる。
ドライエッチング方法によれば、塩素系ガス、フッ素系
ガス等の適切なエッチングガスを用いることにより、エ
ッチング面にデポを発生させることなく、強誘電材料膜
のＰＺＴ系膜、Ｓｒ系膜、Ｂｉ系膜、電極材料膜のＩｒ
系膜、Ｐｔ／Ｔｉ系膜、の各単層膜、またはこれらの膜
の組合せからなる積層膜のエッチングを行なうことが可
能となる。また特に、Ｉｒ／ＩｒＯ2 膜をドライエッチ
ングする際に、エッチングガスにフッ素系ガスを添加す
るとラビットイヤーを発生させることなく、エッチング
を行なうことが可能となる。
【図１】本発明の第１の実施の形態のドライエッチング
方法によりエッチングを行った際のＰＺＴ膜の断面図で
ある。
方法によりエッチングを行った際のＰＺＴ膜の断面図で
ある。
【図２】本発明の第２の実施の形態のドライエッチング
方法によりエッチングを行った際の積層膜の断面図であ
る。
方法によりエッチングを行った際の積層膜の断面図であ
る。
１ 下地膜 ２，１１ ＰＺＴ膜 ３，１２ レジスト ４ デポ ６ Ｓｉ基板 ７ ＳｉＯ2 膜 ８ ポリシリコン膜 ９ Ｉｒ膜 １０ ＩｒＯ2 膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/8242 Ｈ０１Ｌ 29/78 ３７１ N15,F2 21/8247 29/788 29/792 (72)発明者 金田 賢二 東京都国立市谷保992 株式会社プラズマ システム内
Claims (4)
- 【請求項１】 強誘電材料膜であるチタン酸ジルコン酸
鉛系膜、ストロンチウム系膜、ビスマス系膜、電極材料
膜であるイリジウム系膜、白金／チタン系膜、の各単層
膜、またはこれらの膜の組合せからなる積層膜のドライ
エッチング方法であって、 エッチングガスとして塩素系ガスを用いることを特徴と
するドライエッチング方法。 - 【請求項２】 強誘電材料膜であるチタン酸ジルコン酸
鉛系膜、ストロンチウム系膜、ビスマス系膜、電極材料
膜であるイリジウム系膜、の各単層膜、またはこれらの
膜の組合せからなる積層膜のドライエッチング方法であ
って、 エッチングガスとしてＣＦ4、Ｃ2Ｆ6 のいずれかを用い
ることを特徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項３】 強誘電材料膜であるチタン酸ジルコン酸
鉛系膜、ストロンチウム系膜、ビスマス系膜、電極材料
膜であるイリジウム系膜、白金／チタン系膜、の各単層
膜、またはこれらの膜の組合せからなる積層膜のドライ
エッチング方法であって、 エッチングガスとして塩素系ガスとフッ素系ガスの混合
ガスを用いることを特徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項４】 強誘電材料膜であるチタン酸ジルコン酸
鉛系膜、ストロンチウム系膜、ビスマス系膜、電極材料
膜であるイリジウム系膜、白金／チタン系膜、の各単層
膜、またはこれらの膜の組合せからなる積層膜のドライ
エッチング方法であって、 エッチングガスとして臭素系ガスを用いることを特徴と
するドライエッチング方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8059696A JPH09251983A (ja) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | ドライエッチング方法 |
| CA002199878A CA2199878A1 (en) | 1996-03-15 | 1997-03-13 | Dry etching method |
| EP97400562A EP0795896A3 (en) | 1996-03-15 | 1997-03-13 | Dry etching method |
| KR1019970008770A KR970067689A (ko) | 1996-03-15 | 1997-03-14 | 드라이 에칭 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8059696A JPH09251983A (ja) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09251983A true JPH09251983A (ja) | 1997-09-22 |
Family
ID=13120640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8059696A Pending JPH09251983A (ja) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | ドライエッチング方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0795896A3 (ja) |
| JP (1) | JPH09251983A (ja) |
| KR (1) | KR970067689A (ja) |
| CA (1) | CA2199878A1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100321703B1 (ko) * | 1998-12-24 | 2002-03-08 | 박종섭 | 반도체 소자의 강유전체 캐패시터 제조방법 |
| KR100321695B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2002-06-27 | 박종섭 | 반도체 소자의 강유전체 캐패시터 제조방법 |
| KR100495913B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2005-06-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자 제조 방법 |
| US7371588B2 (en) | 2004-09-13 | 2008-05-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2009212289A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Fujifilm Corp | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
| US7928479B2 (en) | 2005-06-17 | 2011-04-19 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0865079A3 (en) * | 1997-03-13 | 1999-10-20 | Applied Materials, Inc. | A method for removing redeposited veils from etched platinum surfaces |
| US6265318B1 (en) | 1998-01-13 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Iridium etchant methods for anisotropic profile |
| US6323132B1 (en) | 1998-01-13 | 2001-11-27 | Applied Materials, Inc. | Etching methods for anisotropic platinum profile |
| US6919168B2 (en) | 1998-01-13 | 2005-07-19 | Applied Materials, Inc. | Masking methods and etching sequences for patterning electrodes of high density RAM capacitors |
| EP1048064A1 (en) | 1998-01-13 | 2000-11-02 | Applied Materials, Inc. | Etching methods for anisotropic platinum profile |
| TW383427B (en) * | 1998-04-03 | 2000-03-01 | United Microelectronics Corp | Method for etching tantalum oxide |
| GB2337361B (en) * | 1998-05-06 | 2000-03-29 | United Microelectronics Corp | Method of etching tantalum oxide layer |
| US6485988B2 (en) * | 1999-12-22 | 2002-11-26 | Texas Instruments Incorporated | Hydrogen-free contact etch for ferroelectric capacitor formation |
| US6436838B1 (en) * | 2000-04-21 | 2002-08-20 | Applied Materials, Inc. | Method of patterning lead zirconium titanate and barium strontium titanate |
| US6642567B1 (en) | 2000-08-31 | 2003-11-04 | Micron Technology, Inc. | Devices containing zirconium-platinum-containing materials and methods for preparing such materials and devices |
| US7015049B2 (en) * | 2003-09-03 | 2006-03-21 | Infineon Technologies Ag | Fence-free etching of iridium barrier having a steep taper angle |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6292323A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-27 | Nec Corp | ドライエツチング方法 |
| US5254217A (en) * | 1992-07-27 | 1993-10-19 | Motorola, Inc. | Method for fabricating a semiconductor device having a conductive metal oxide |
| US5368687A (en) * | 1993-03-15 | 1994-11-29 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing method of etching insulating inorganic metal oxide materials and method of cleaning metals from the surface of semiconductor wafers |
| US5443688A (en) * | 1993-12-02 | 1995-08-22 | Raytheon Company | Method of manufacturing a ferroelectric device using a plasma etching process |
| JP2953974B2 (ja) * | 1995-02-03 | 1999-09-27 | 松下電子工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-03-15 JP JP8059696A patent/JPH09251983A/ja active Pending
-
1997
- 1997-03-13 EP EP97400562A patent/EP0795896A3/en not_active Withdrawn
- 1997-03-13 CA CA002199878A patent/CA2199878A1/en not_active Abandoned
- 1997-03-14 KR KR1019970008770A patent/KR970067689A/ko not_active Application Discontinuation
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|---|---|---|---|---|
| KR100321703B1 (ko) * | 1998-12-24 | 2002-03-08 | 박종섭 | 반도체 소자의 강유전체 캐패시터 제조방법 |
| KR100321695B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2002-06-27 | 박종섭 | 반도체 소자의 강유전체 캐패시터 제조방법 |
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| US7371588B2 (en) | 2004-09-13 | 2008-05-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US7928479B2 (en) | 2005-06-17 | 2011-04-19 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US8614104B2 (en) | 2005-06-17 | 2013-12-24 | Fujitsu Semiconductor Limited | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2009212289A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Fujifilm Corp | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0795896A3 (en) | 1999-06-02 |
| KR970067689A (ko) | 1997-10-13 |
| EP0795896A2 (en) | 1997-09-17 |
| CA2199878A1 (en) | 1997-09-15 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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