JPH09246304A - 半導体装置のモールド成型用金型およびモールド型半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置のモールド成型用金型およびモールド型半導体装置の製造方法Info
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- JPH09246304A JPH09246304A JP5522296A JP5522296A JPH09246304A JP H09246304 A JPH09246304 A JP H09246304A JP 5522296 A JP5522296 A JP 5522296A JP 5522296 A JP5522296 A JP 5522296A JP H09246304 A JPH09246304 A JP H09246304A
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- semiconductor device
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 上下金型の位置ズレなど容易に回避でき、か
つ煩雑な操作を要せずに、信頼性の高い封止型半導体装
置の製造に適するモールド成型用金型および封止型半導
体装置の製造方法の提供。 【解決手段】 ガイドブロック1aを有する第1のチェイ
ス金型1と、この第1のチェイス金型1面を露出させて
嵌合装着する第1のダイセット2と、前記第1のチェイ
ス金型1に対応するガイドブロック3aを有する第2のチ
ェイス金型3と、この第2のチェイス金型3面を露出さ
せて嵌合装着する第2のダイセット4と、前記両チェイ
ス金型1,3を対応するする両ダイセット2,4からの
離脱をそれぞれ防ぐ抑え具8aもしくは8bとを備えた半導
体装置のモールド成型用金型であって、前記ダイセット
2,4に対するチェイス金型1,3の嵌合装着は、前記
チェイス金型1,3の可動を許容するクリアランス7a,
7bを持って成されていることを特徴とする半導体装置の
モールド成型用金型である。
つ煩雑な操作を要せずに、信頼性の高い封止型半導体装
置の製造に適するモールド成型用金型および封止型半導
体装置の製造方法の提供。 【解決手段】 ガイドブロック1aを有する第1のチェイ
ス金型1と、この第1のチェイス金型1面を露出させて
嵌合装着する第1のダイセット2と、前記第1のチェイ
ス金型1に対応するガイドブロック3aを有する第2のチ
ェイス金型3と、この第2のチェイス金型3面を露出さ
せて嵌合装着する第2のダイセット4と、前記両チェイ
ス金型1,3を対応するする両ダイセット2,4からの
離脱をそれぞれ防ぐ抑え具8aもしくは8bとを備えた半導
体装置のモールド成型用金型であって、前記ダイセット
2,4に対するチェイス金型1,3の嵌合装着は、前記
チェイス金型1,3の可動を許容するクリアランス7a,
7bを持って成されていることを特徴とする半導体装置の
モールド成型用金型である。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置のモール
ド成型用金型と、この金型を使用するモールド型半導体
装置の製造方法に関する。
ド成型用金型と、この金型を使用するモールド型半導体
装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】たとえばIC素子,IC素子を搭載した
薄い基板などの半導体装置は、外界(環境)に対する保
護や安定した機能を確保するため、樹脂類を封止材とし
た樹脂モールド封止が一般的に行われている。すなわ
ち、図3に展開して斜視的に示す構成部材から成るモー
ルド成型用金型を使用し、トランスファモールド法でモ
ールド型半導体装置を製造している。
薄い基板などの半導体装置は、外界(環境)に対する保
護や安定した機能を確保するため、樹脂類を封止材とし
た樹脂モールド封止が一般的に行われている。すなわ
ち、図3に展開して斜視的に示す構成部材から成るモー
ルド成型用金型を使用し、トランスファモールド法でモ
ールド型半導体装置を製造している。
【0003】図3において、1は第1のチェイス金型、
2は前記第1のチェイス金型1面を露出させて嵌合装着
する第1のダイセット(熱板)、3は前記第1のチェイ
ス金型1に対応,組み合わせられる第2のチェイス金
型、4は前記第2のチェイス金型3面を露出させて嵌合
装着する第2のダイセット(熱板)である。ここで、第
1のチェイス金型1および第2のチェイス金型3は、図
4に拡大して斜視的に示すごとく、相互の金型面を対接
させたとき対向面間に、被封止半導体装置本体を装着配
置する型およびモールド樹脂流路などが設けられてお
り、相互はガイドブロック1a,3aの係合によって、モー
ルド成型用金型本体を位置決めし、組み立てる構成と成
っている。また、5は前記両チェイス金型1,3が、対
応する両ダイセット2,4から離脱するのをそれぞれ防
ぐ抑え具(スクリューボルト)6を挿着する挿着孔であ
る。そして、最終的に、これらは図5に断面的に示すよ
うに組み立てられ、モールド成型用金型として機能する
構成と成っている。なお、通常、トランスファモールド
成型法では、前記構成のモールド成型用金型を複数個組
み込み一体化した形態で使用されている。
2は前記第1のチェイス金型1面を露出させて嵌合装着
する第1のダイセット(熱板)、3は前記第1のチェイ
ス金型1に対応,組み合わせられる第2のチェイス金
型、4は前記第2のチェイス金型3面を露出させて嵌合
装着する第2のダイセット(熱板)である。ここで、第
1のチェイス金型1および第2のチェイス金型3は、図
4に拡大して斜視的に示すごとく、相互の金型面を対接
させたとき対向面間に、被封止半導体装置本体を装着配
置する型およびモールド樹脂流路などが設けられてお
り、相互はガイドブロック1a,3aの係合によって、モー
ルド成型用金型本体を位置決めし、組み立てる構成と成
っている。また、5は前記両チェイス金型1,3が、対
応する両ダイセット2,4から離脱するのをそれぞれ防
ぐ抑え具(スクリューボルト)6を挿着する挿着孔であ
る。そして、最終的に、これらは図5に断面的に示すよ
うに組み立てられ、モールド成型用金型として機能する
構成と成っている。なお、通常、トランスファモールド
成型法では、前記構成のモールド成型用金型を複数個組
み込み一体化した形態で使用されている。
【0004】そして、上記モールド成型用金型によるモ
ールドは、次の手順で行われる。
ールドは、次の手順で行われる。
【0005】第1のチェイス金型1,第2のチェイス
金型3を、対応する第1のダイセット2,第2のダイセ
ット4にそれぞれ嵌合装着する。
金型3を、対応する第1のダイセット2,第2のダイセ
ット4にそれぞれ嵌合装着する。
【0006】各チェイス金型1,3を対応するダイセ
ット2,4に、固定に至らない状態で型締めし、前記チ
ェイス金型1,3に付設されているガイドブロック1a,
3aによってそれぞれ位置合わせする。
ット2,4に、固定に至らない状態で型締めし、前記チ
ェイス金型1,3に付設されているガイドブロック1a,
3aによってそれぞれ位置合わせする。
【0007】スクリューボルト6締めにより、各チェ
イス金型1,3を対応するダイセット2,4に仮止めす
る。
イス金型1,3を対応するダイセット2,4に仮止めす
る。
【0008】型締めを行い、チェイス金型1,3の位
置合わせを再度行う。
置合わせを再度行う。
【0009】スクリューボルト6を少し締め込む。
【0010】前記,の操作を 2〜 3回繰り返す。
【0011】スクリューボルト6を強く締め込み、チ
ェイス金型1,3を対応するダイセット2,4にそれぞ
れ固定する。
ェイス金型1,3を対応するダイセット2,4にそれぞ
れ固定する。
【0012】半導体装置本体を配置し、モールド成型
用金型を組み立て、トランスファモールド装置にセット
してトランスファモールドする。
用金型を組み立て、トランスファモールド装置にセット
してトランスファモールドする。
【0013】モールド成型用金型を取り外し、モール
ド成型用金型内からモールド型半導体装置を取り出す。
ド成型用金型内からモールド型半導体装置を取り出す。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】従来のトランスファモ
ールド成型法のモールド成型用金型は、スクリューボル
ト6を締め込み、チェイス金型1,3をダイセット2,
4にそれぞれ固定する構成を採っているため、この固定
に先立っての位置決めが重要視される。したがって、上
記したように、その位置合わせに煩雑な作業手順が必然
的に採られることになる。この作業手順の煩雑さは、結
果的に、トランスファモールド成型に長時間を要するこ
とになって生産性が損なわれ、また、歩留まりにも影響
する。
ールド成型法のモールド成型用金型は、スクリューボル
ト6を締め込み、チェイス金型1,3をダイセット2,
4にそれぞれ固定する構成を採っているため、この固定
に先立っての位置決めが重要視される。したがって、上
記したように、その位置合わせに煩雑な作業手順が必然
的に採られることになる。この作業手順の煩雑さは、結
果的に、トランスファモールド成型に長時間を要するこ
とになって生産性が損なわれ、また、歩留まりにも影響
する。
【0015】たとえば、位置合わせ(およびの操
作)の回数を少なくすると、位置合わせが不十分のまま
スクリューボルトの強い締め込みによって、チェイス金
型1,3が対応するダイセット2,4にそれぞれ固定さ
れることになる。つまり、チェイス金型1,3が位置ズ
レまま固定されていると、ダイセット2,4の位置精度
に依存して、前記位置ズレの状態でチェイス金型1,3
は対向することになるため、上下の位置ズレしたモール
ド製品が形成されることになる。
作)の回数を少なくすると、位置合わせが不十分のまま
スクリューボルトの強い締め込みによって、チェイス金
型1,3が対応するダイセット2,4にそれぞれ固定さ
れることになる。つまり、チェイス金型1,3が位置ズ
レまま固定されていると、ダイセット2,4の位置精度
に依存して、前記位置ズレの状態でチェイス金型1,3
は対向することになるため、上下の位置ズレしたモール
ド製品が形成されることになる。
【0016】なお、このスクリュボルト6による固定方
式では、チェイス金型1,3の一ズレ量が平均32μm ,
最大60μm であり、規格の最大30μm を超えている。そ
して、この上下の位置ズレしたモールド封止型半導体装
置の場合は、後工程におけるアウターリードの切断,リ
ード曲げ整形などにおいて、次のような問題を発生す
る。すなわち、アウターリードの切断工程では、切断ポ
ンチとモールド封止された半導体装置との干渉によるポ
ンチ・ダイ・ストリッパの破損および半導体製品の破損
などが発生する。一方、リード曲げ整形工程では、モー
ルド封止された半導体装置を基準として位置決めを行う
ため、曲げ形状のバラツキなどを発生する不都合があ
る。
式では、チェイス金型1,3の一ズレ量が平均32μm ,
最大60μm であり、規格の最大30μm を超えている。そ
して、この上下の位置ズレしたモールド封止型半導体装
置の場合は、後工程におけるアウターリードの切断,リ
ード曲げ整形などにおいて、次のような問題を発生す
る。すなわち、アウターリードの切断工程では、切断ポ
ンチとモールド封止された半導体装置との干渉によるポ
ンチ・ダイ・ストリッパの破損および半導体製品の破損
などが発生する。一方、リード曲げ整形工程では、モー
ルド封止された半導体装置を基準として位置決めを行う
ため、曲げ形状のバラツキなどを発生する不都合があ
る。
【0017】また、前記チェイス金型1,3の位置合わ
せが不十分場合は、チェイス金型1,3のガイドブロッ
ク1a,3aの摩耗・損傷などを招来し、ダイセット2,4
に嵌合装着する際の位置決め機能が低減・消失する恐れ
がある。この対策としては、前記ガイドブロック1a,3a
をタングステンカーバイドなどの硬質材料で形成するこ
ともできるが、材料コストおよび加工コスト、さらに
は、チェイス金型1,3との熱膨張差などの点で実用的
といえない。
せが不十分場合は、チェイス金型1,3のガイドブロッ
ク1a,3aの摩耗・損傷などを招来し、ダイセット2,4
に嵌合装着する際の位置決め機能が低減・消失する恐れ
がある。この対策としては、前記ガイドブロック1a,3a
をタングステンカーバイドなどの硬質材料で形成するこ
ともできるが、材料コストおよび加工コスト、さらに
は、チェイス金型1,3との熱膨張差などの点で実用的
といえない。
【0018】本発明は、上記事情に対処してなされたも
ので、上下金型の位置ズレなど容易に回避でき、かつ煩
雑な操作を要せずに、信頼性の高い封止型半導体装置の
製造に適するモールド成型用金型および封止型半導体装
置の製造方法の提供を目的とする。
ので、上下金型の位置ズレなど容易に回避でき、かつ煩
雑な操作を要せずに、信頼性の高い封止型半導体装置の
製造に適するモールド成型用金型および封止型半導体装
置の製造方法の提供を目的とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、ガイ
ドブロックを有する第1のチェイス金型と、この第1の
チェイス金型面を露出させて嵌合装着する第1のダイセ
ットと、前記第1のチェイス金型に対応するガイドブロ
ックを有する第2のチェイス金型と、この第2のチェイ
ス金型面を露出させて嵌合装着する第2のダイセットと
を備え、前記両ダイセットに対応する両チェイス金型の
嵌合装着は、前記チェイス金型の可動を許容するクリア
ランスを持って成されていることを特徴とする半導体装
置のモールド成型用金型である。
ドブロックを有する第1のチェイス金型と、この第1の
チェイス金型面を露出させて嵌合装着する第1のダイセ
ットと、前記第1のチェイス金型に対応するガイドブロ
ックを有する第2のチェイス金型と、この第2のチェイ
ス金型面を露出させて嵌合装着する第2のダイセットと
を備え、前記両ダイセットに対応する両チェイス金型の
嵌合装着は、前記チェイス金型の可動を許容するクリア
ランスを持って成されていることを特徴とする半導体装
置のモールド成型用金型である。
【0020】請求項2の発明は、ガイドブロックを有す
る第1のチェイス金型と、この第1のチェイス金型面を
露出させて嵌合装着する第1のダイセットと、前記第1
のチェイス金型に対応するガイドブロックを有する第2
のチェイス金型と、この第2のチェイス金型面を露出さ
せて嵌合装着する第2のダイセットと、前記両チェイス
金型を対応するする両ダイセットからの離脱をそれぞれ
防ぐ抑え具とを備えた半導体装置のモールド成型用金型
であって、前記ダイセットに対するチェイス金型の嵌合
装着は、前記チェイス金型の可動を許容するクリアラン
スを持って成されていることを特徴とする半導体装置の
モールド成型用金型である。
る第1のチェイス金型と、この第1のチェイス金型面を
露出させて嵌合装着する第1のダイセットと、前記第1
のチェイス金型に対応するガイドブロックを有する第2
のチェイス金型と、この第2のチェイス金型面を露出さ
せて嵌合装着する第2のダイセットと、前記両チェイス
金型を対応するする両ダイセットからの離脱をそれぞれ
防ぐ抑え具とを備えた半導体装置のモールド成型用金型
であって、前記ダイセットに対するチェイス金型の嵌合
装着は、前記チェイス金型の可動を許容するクリアラン
スを持って成されていることを特徴とする半導体装置の
モールド成型用金型である。
【0021】請求項3の発明は、請求項2記載の半導体
装置のモールド成型用金型において、離脱を防ぐ抑え具
は、座付きボルトであることを特徴とする。
装置のモールド成型用金型において、離脱を防ぐ抑え具
は、座付きボルトであることを特徴とする。
【0022】請求項4の発明は、請求項2記載の半導体
装置のモールド成型用金型において、離脱を防ぐ抑え具
は、鉤型のブロックであることを特徴とする。
装置のモールド成型用金型において、離脱を防ぐ抑え具
は、鉤型のブロックであることを特徴とする。
【0023】請求項5の発明は、請求項1ないし請求項
4のいずれか一記載の半導体装置のモールド成型用金型
において、チェイス金型の可動を許容するクリアランス
は、ダイセット内底面およびダイセット側壁内面との間
をそれぞれ 0.1mm以下離隔して形成していることを特徴
とする。
4のいずれか一記載の半導体装置のモールド成型用金型
において、チェイス金型の可動を許容するクリアランス
は、ダイセット内底面およびダイセット側壁内面との間
をそれぞれ 0.1mm以下離隔して形成していることを特徴
とする。
【0024】請求項6の発明は、ダイセットに可動を許
容するクリアランスを持たせてそれぞれ嵌合装着された
対応するガイドブロックを有する一対のチェイス金型を
可動して位置決めする工程と、前記位置決めしたチェイ
ス金型間に半導体装置本体を配置してモールド成型用金
型を組み立てる工程と、前記組み立てたモールド成型用
金型内にモールド用樹脂を注入,硬化させて半導体装置
本体をモールド封止する工程とを有するモールド型半導
体装置の製造方法である。
容するクリアランスを持たせてそれぞれ嵌合装着された
対応するガイドブロックを有する一対のチェイス金型を
可動して位置決めする工程と、前記位置決めしたチェイ
ス金型間に半導体装置本体を配置してモールド成型用金
型を組み立てる工程と、前記組み立てたモールド成型用
金型内にモールド用樹脂を注入,硬化させて半導体装置
本体をモールド封止する工程とを有するモールド型半導
体装置の製造方法である。
【0025】請求項7の発明は、ダイセットに可動を許
容するクリアランスを持たせてそれぞれ嵌合装着され,
かつダイセットからの離脱を防ぐ抑え具を備えた対応す
るガイドブロックを有する一対のチェイス金型を可動し
て位置決めする工程と、前記位置決めしたチェイス金型
間に半導体装置本体を配置してモールド成型用金型を組
み立てる工程と、前記組み立てたモールド成型用金型内
にモールド用樹脂を注入,硬化させて半導体装置本体を
モールド封止する工程とを有するモールド型半導体装置
の製造方法である。
容するクリアランスを持たせてそれぞれ嵌合装着され,
かつダイセットからの離脱を防ぐ抑え具を備えた対応す
るガイドブロックを有する一対のチェイス金型を可動し
て位置決めする工程と、前記位置決めしたチェイス金型
間に半導体装置本体を配置してモールド成型用金型を組
み立てる工程と、前記組み立てたモールド成型用金型内
にモールド用樹脂を注入,硬化させて半導体装置本体を
モールド封止する工程とを有するモールド型半導体装置
の製造方法である。
【0026】請求項8の発明は、請求項7記載のモール
ド型半導体装置の製造方法において、離脱を防ぐ抑え具
は、座付きボルトであることを特徴とする。
ド型半導体装置の製造方法において、離脱を防ぐ抑え具
は、座付きボルトであることを特徴とする。
【0027】請求項9の発明は、請求項7記載のモール
ド型半導体装置の製造方法において、離脱を防ぐ抑え具
は、鉤型のブロックであることを特徴とする。
ド型半導体装置の製造方法において、離脱を防ぐ抑え具
は、鉤型のブロックであることを特徴とする。
【0028】請求項10の発明は、請求項6ないし請求項
9のいずれか一記載のモールド型半導体装置の製造方法
において、チェイス金型の可動を許容するクリアランス
は、ダイセット内底面およびダイセット側壁内面との間
をそれぞれ 0.1mm以下離隔して形成していることを特徴
とする。
9のいずれか一記載のモールド型半導体装置の製造方法
において、チェイス金型の可動を許容するクリアランス
は、ダイセット内底面およびダイセット側壁内面との間
をそれぞれ 0.1mm以下離隔して形成していることを特徴
とする。
【0029】上記各発明は、トランスファモールド成型
用金型において、上下のチェイス金型を対応する上下の
ダイセットに、僅かなクリアランスを形成する状態に嵌
合装着し、上下チェイス金型の僅かながらの可動性によ
って、ダイセットの位置精度だけに依存しないで、対応
する上下チェイス金型の自動的な位置合わせが行われる
ようにしたことを骨子とするものである。すなわち、基
本的な構成もしくは構造を維持しながら、各ダイセット
に対するチェイス金型の嵌合装着状態および嵌合装着後
の離脱防止構造などの一部を変更し、前記嵌合装着の状
態にあっても、チェイス金型がダイセット内を僅かなが
ら自由に動くことができるようにしてある。そして、こ
の可動性およびガイドブロックの相互作用によって自動
的な位置修正,位置決めおよび成型用金型化が行われる
(フローティング固定方式)。
用金型において、上下のチェイス金型を対応する上下の
ダイセットに、僅かなクリアランスを形成する状態に嵌
合装着し、上下チェイス金型の僅かながらの可動性によ
って、ダイセットの位置精度だけに依存しないで、対応
する上下チェイス金型の自動的な位置合わせが行われる
ようにしたことを骨子とするものである。すなわち、基
本的な構成もしくは構造を維持しながら、各ダイセット
に対するチェイス金型の嵌合装着状態および嵌合装着後
の離脱防止構造などの一部を変更し、前記嵌合装着の状
態にあっても、チェイス金型がダイセット内を僅かなが
ら自由に動くことができるようにしてある。そして、こ
の可動性およびガイドブロックの相互作用によって自動
的な位置修正,位置決めおよび成型用金型化が行われる
(フローティング固定方式)。
【0030】本発明において、ダイセットにチェイス金
型を嵌合装着したときのクリアランスは、上記したよう
に、ダイセットにおいて、一次的に位置合わせした対応
(対向)する一対のチェイス金型が、上下方向および側
面方向に動いて、所要の位置合わせができる程度であ
る。一般的には、上下方向(ダイセットの底面もしくは
上面側)に 0.1mm以下、好ましくは0.01〜0.07mm程度、
また、側面方向(ダイセットの側壁面側)に 0.1mm以
下、好ましくは0.05〜0.08mm程度の隙間もしくは間隔を
設定すればよい。
型を嵌合装着したときのクリアランスは、上記したよう
に、ダイセットにおいて、一次的に位置合わせした対応
(対向)する一対のチェイス金型が、上下方向および側
面方向に動いて、所要の位置合わせができる程度であ
る。一般的には、上下方向(ダイセットの底面もしくは
上面側)に 0.1mm以下、好ましくは0.01〜0.07mm程度、
また、側面方向(ダイセットの側壁面側)に 0.1mm以
下、好ましくは0.05〜0.08mm程度の隙間もしくは間隔を
設定すればよい。
【0031】本発明において、チェイス金型がダイセッ
トに嵌合装着状態においても、ダイセット内を僅かなが
ら自由に動ける形態を採り得る抑え具としては、ネジ込
み進入が制約される座付ボルト,鉤型ネジなどが挙げら
れる。そして、これらの抑え具の設置箇所数は、チェイ
ス金型ごとに、少なくとも数箇所程度であり、座付ボル
トの場合は 6箇所以上,鉤型ネジ場合は 4箇所以上が望
ましい。なお、鉤型ネジ場合、テコの原理で抑え具とし
て機能することもあるので、各鉤型ネジごとに少なくと
も 2本のネジで固定しておく必要がある。
トに嵌合装着状態においても、ダイセット内を僅かなが
ら自由に動ける形態を採り得る抑え具としては、ネジ込
み進入が制約される座付ボルト,鉤型ネジなどが挙げら
れる。そして、これらの抑え具の設置箇所数は、チェイ
ス金型ごとに、少なくとも数箇所程度であり、座付ボル
トの場合は 6箇所以上,鉤型ネジ場合は 4箇所以上が望
ましい。なお、鉤型ネジ場合、テコの原理で抑え具とし
て機能することもあるので、各鉤型ネジごとに少なくと
も 2本のネジで固定しておく必要がある。
【0032】
【発明の実施の形態】以下図1〜図2を参照して実施例
を説明する。
を説明する。
【0033】上記したように、本発明に係るトランスフ
ァーモールド成型用金型は、基本的な構造において従来
の場合と同様である。すなわち、前記図3に斜視的に示
したごとく、ガイドブロック1aを有する第1のチェイス
金型1と、前記第1のチェイス金型1面を露出させて嵌
合装着する第1のダイセット(熱板)2と、前記第1の
チェイス金型1のガイドブロック1aに対応,組み合わせ
られるガイドブロック3aを有する第2のチェイス金型3
と、前記第2のチェイス金型3面を露出させて嵌合装着
する第2のダイセット(熱板)4を基本的な構成部材と
している。ここで、第1のチェイス金型1および第2の
チェイス金型3は、前記図4に斜視的に示したごとく、
相互の金型面を対接させたとき対向面間に、被封止半導
体装置本体を装着配置する型およびモールド樹脂流路な
どが設けられており、相互のガイドブロック1a,3aの係
合によって、モールド成型用金型本体を位置決めし、組
み立てる構成と成っている。
ァーモールド成型用金型は、基本的な構造において従来
の場合と同様である。すなわち、前記図3に斜視的に示
したごとく、ガイドブロック1aを有する第1のチェイス
金型1と、前記第1のチェイス金型1面を露出させて嵌
合装着する第1のダイセット(熱板)2と、前記第1の
チェイス金型1のガイドブロック1aに対応,組み合わせ
られるガイドブロック3aを有する第2のチェイス金型3
と、前記第2のチェイス金型3面を露出させて嵌合装着
する第2のダイセット(熱板)4を基本的な構成部材と
している。ここで、第1のチェイス金型1および第2の
チェイス金型3は、前記図4に斜視的に示したごとく、
相互の金型面を対接させたとき対向面間に、被封止半導
体装置本体を装着配置する型およびモールド樹脂流路な
どが設けられており、相互のガイドブロック1a,3aの係
合によって、モールド成型用金型本体を位置決めし、組
み立てる構成と成っている。
【0034】このような基本構成において、この実施例
のトランスファーモールド成型用金型は、前記ダイセッ
ト2,4に対応するチェイス金型1,3を嵌合装着した
状態で、チェイス金型1とダイセット2,チェイス金型
3とダイセット4との間に、それぞれ 0.1mm以下の隙間
であるクリアランス7a,7bを持っている。たとえば、上
下方向(ダイセットの底面もしくは上面側)に 0.1mm以
下、好ましくは0.01〜0.07mm程度、また、側面方向(ダ
イセットの側壁面側)に 0.1mm以下、好ましくは0.05〜
0.08mm程度の隙間もしくは間隔が形成・残存した状態を
採っている。つまり、ダイセット2,4に嵌合装着され
状態において、チェイス金型1,3は縦方向や横方向に
若干ながら動くことができるクリアランスを持ってい
る。
のトランスファーモールド成型用金型は、前記ダイセッ
ト2,4に対応するチェイス金型1,3を嵌合装着した
状態で、チェイス金型1とダイセット2,チェイス金型
3とダイセット4との間に、それぞれ 0.1mm以下の隙間
であるクリアランス7a,7bを持っている。たとえば、上
下方向(ダイセットの底面もしくは上面側)に 0.1mm以
下、好ましくは0.01〜0.07mm程度、また、側面方向(ダ
イセットの側壁面側)に 0.1mm以下、好ましくは0.05〜
0.08mm程度の隙間もしくは間隔が形成・残存した状態を
採っている。つまり、ダイセット2,4に嵌合装着され
状態において、チェイス金型1,3は縦方向や横方向に
若干ながら動くことができるクリアランスを持ってい
る。
【0035】さらに、加えて、この実施例のトランスフ
ァーモールド成型用金型では、ダイセット2,4に対応
するチェイス金型1,3を嵌合装着した状態を保持(離
脱防止)するための抑え具として、スクリューボルト6
の締め付けによる固定化作用の代りに、座付きボルト8a
を使用する。すなわち、締め付けが制約される座付ボル
ト8aを抑え具とすることによって、ダイセットの底面も
しくは上面側出のクリアランスを形成し易いようにして
いる。
ァーモールド成型用金型では、ダイセット2,4に対応
するチェイス金型1,3を嵌合装着した状態を保持(離
脱防止)するための抑え具として、スクリューボルト6
の締め付けによる固定化作用の代りに、座付きボルト8a
を使用する。すなわち、締め付けが制約される座付ボル
ト8aを抑え具とすることによって、ダイセットの底面も
しくは上面側出のクリアランスを形成し易いようにして
いる。
【0036】この点さらに言及すると、スクリューボル
ト6の締め付けでは、スクリューボルト6が無制限的に
進入するが、座付きボルト8aの締め付けでは、前記座に
よって進入が制約されるので、所要のクリアランスを確
保し易いことになる。
ト6の締め付けでは、スクリューボルト6が無制限的に
進入するが、座付きボルト8aの締め付けでは、前記座に
よって進入が制約されるので、所要のクリアランスを確
保し易いことになる。
【0037】そして、最終的には、図1に断面的に示す
ように組み立てられ、モールド成型用金型として機能す
る構成と成っている。ここでは、要部を図示したもの
で、通常、トランスファモールド成型法では、前記構成
のモールド成型用金型を複数個組み込み一体化した形態
で使用されている。
ように組み立てられ、モールド成型用金型として機能す
る構成と成っている。ここでは、要部を図示したもの
で、通常、トランスファモールド成型法では、前記構成
のモールド成型用金型を複数個組み込み一体化した形態
で使用されている。
【0038】次に、上記構成のモールド成型用金型によ
る半導体装置の製造例を説明する。先ず、第1のチェイ
ス金型1,第2のチェイス金型3を、対応する第1のダ
イセット2,第2のダイセット4にそれぞれ嵌合装着す
る一方、それぞれ座付きボルト7を挿着して、各チェイ
ス金型1,3を対応するダイセット2,4の上下方向
(ダイセットの底面もしくは上面側)および横方向(ダ
イセットの側面側)に、それぞれ 0.1mm以下のクリアラ
ンス7a,7bを持たせ、若干の動きができる状態にセッテ
ィングする。
る半導体装置の製造例を説明する。先ず、第1のチェイ
ス金型1,第2のチェイス金型3を、対応する第1のダ
イセット2,第2のダイセット4にそれぞれ嵌合装着す
る一方、それぞれ座付きボルト7を挿着して、各チェイ
ス金型1,3を対応するダイセット2,4の上下方向
(ダイセットの底面もしくは上面側)および横方向(ダ
イセットの側面側)に、それぞれ 0.1mm以下のクリアラ
ンス7a,7bを持たせ、若干の動きができる状態にセッテ
ィングする。
【0039】次いで、前記ダイセット2,4にそれぞれ
クリアランス7a,7bを持たせてセッティングしたチェイ
ス金型1,3面に、所要の半導体装置本体(たとえばリ
ードフレームにボンディングしたIC素子)を配置・装
着して、モールド成型用金型を組み立てる。この工程に
おいて、チェイス金型1,3はクリアランス7a,7bを持
たせ、かつ可動的にダイセット2,4へそれぞれセッテ
ィングされているため、いわゆるフローティングによっ
て、チェイス金型1,3の対応するガイドブロック同士
の係合・位置決めもスムースに進行する。
クリアランス7a,7bを持たせてセッティングしたチェイ
ス金型1,3面に、所要の半導体装置本体(たとえばリ
ードフレームにボンディングしたIC素子)を配置・装
着して、モールド成型用金型を組み立てる。この工程に
おいて、チェイス金型1,3はクリアランス7a,7bを持
たせ、かつ可動的にダイセット2,4へそれぞれセッテ
ィングされているため、いわゆるフローティングによっ
て、チェイス金型1,3の対応するガイドブロック同士
の係合・位置決めもスムースに進行する。
【0040】その後、前記組立てたモールド成型用金型
をトランスファモールド装置にセットし、モールド用樹
脂(たとえば溶融させたエポキシ系樹脂し)をモールド
成型用金型に注入して、トランスファモールドする。こ
のトランスファモールド終了後、トランスファモールド
装置からモールド成型用金型を取り外し、さらに、モー
ルド成型用金型内からモールド型半導体装置を取り出す
という手順で行う。
をトランスファモールド装置にセットし、モールド用樹
脂(たとえば溶融させたエポキシ系樹脂し)をモールド
成型用金型に注入して、トランスファモールドする。こ
のトランスファモールド終了後、トランスファモールド
装置からモールド成型用金型を取り外し、さらに、モー
ルド成型用金型内からモールド型半導体装置を取り出す
という手順で行う。
【0041】上記手順によるモールド型半導体装置の製
造においては、チェイス金型1,3の一ズレ量が平均 6
μm ,最大15μm であり、規格の最大30μm を十分にク
リアーすることが確認された。ここで、モールド封止型
半導体装置の位置ズレが大幅に低減・解消することは、
後工程であるアウターリードの切断におけるポンチ・ダ
イ・ストリッパの破損および半導体製品の破損などが回
避される一方、リード曲げ整形での曲げ形状のバラツキ
解消などに寄与することになる。
造においては、チェイス金型1,3の一ズレ量が平均 6
μm ,最大15μm であり、規格の最大30μm を十分にク
リアーすることが確認された。ここで、モールド封止型
半導体装置の位置ズレが大幅に低減・解消することは、
後工程であるアウターリードの切断におけるポンチ・ダ
イ・ストリッパの破損および半導体製品の破損などが回
避される一方、リード曲げ整形での曲げ形状のバラツキ
解消などに寄与することになる。
【0042】図2は、他の実施例のトランスファーモー
ルド成型用金型の要部構成を断面的に示したものであ
る。このモールド成型用金型の場合は、上記実施例の場
合と基本的に同様の構成を採っている。すなわち、この
トランスファーモールド成型用金型では、ダイセット
2,4に対応するチェイス金型1,3を嵌合装着した状
態を保持(離脱防止)するための抑え具に、座付きボル
ト8aを用いる代りに、鉤型のブロック(リテーナー)8b
を使用する。すなわち、締め付けが制約される鉤型のブ
ロック(リテーナー)8bを抑え具とすることによって、
ダイセットの底面もしくは上面側および側面側でのクリ
アランス7a,7bを形成し易いようにしている。なお、こ
こでは、要部を図示したもので、通常、トランスファモ
ールド成型法では、前記構成のモールド成型用金型を複
数個組み込み一体化した形態で使用されている。
ルド成型用金型の要部構成を断面的に示したものであ
る。このモールド成型用金型の場合は、上記実施例の場
合と基本的に同様の構成を採っている。すなわち、この
トランスファーモールド成型用金型では、ダイセット
2,4に対応するチェイス金型1,3を嵌合装着した状
態を保持(離脱防止)するための抑え具に、座付きボル
ト8aを用いる代りに、鉤型のブロック(リテーナー)8b
を使用する。すなわち、締め付けが制約される鉤型のブ
ロック(リテーナー)8bを抑え具とすることによって、
ダイセットの底面もしくは上面側および側面側でのクリ
アランス7a,7bを形成し易いようにしている。なお、こ
こでは、要部を図示したもので、通常、トランスファモ
ールド成型法では、前記構成のモールド成型用金型を複
数個組み込み一体化した形態で使用されている。
【0043】次に、上記構成のモールド成型用金型によ
る半導体装置の製造例を説明する。先ず、第1のチェイ
ス金型1,第2のチェイス金型3を、対応する第1のダ
イセット2,第2のダイセット4にそれぞれ嵌合装着す
る一方、それぞれ鉤型ボルト8bを挿着して、各チェイス
金型1,3を対応するダイセット2,4の上下方向(ダ
イセットの底面もしくは上面側)および横方向(ダイセ
ットの側面側)に、それぞれ 0.1mm以下のクリアランス
7a,7bを持たせ、若干の動きができる状態にセッティン
グする。
る半導体装置の製造例を説明する。先ず、第1のチェイ
ス金型1,第2のチェイス金型3を、対応する第1のダ
イセット2,第2のダイセット4にそれぞれ嵌合装着す
る一方、それぞれ鉤型ボルト8bを挿着して、各チェイス
金型1,3を対応するダイセット2,4の上下方向(ダ
イセットの底面もしくは上面側)および横方向(ダイセ
ットの側面側)に、それぞれ 0.1mm以下のクリアランス
7a,7bを持たせ、若干の動きができる状態にセッティン
グする。
【0044】次いで、前記ダイセット2,4にそれぞれ
クリアランス7a,7bを持たせてセッティングしたチェイ
ス金型1,3面に、所要の半導体装置本体(たとえばリ
ードフレームにボンディングしたIC素子)を配置・装
着して、モールド成型用金型を組み立てる。この工程に
おいて、チェイス金型1,3はクリアランス7a,7bを持
たせ、かつ可動的にダイセット2,4へそれぞれセッテ
ィングされているため、いわゆるフローティングによっ
て、チェイス金型1,3の対応するガイドブロック同士
の係合・位置決めもスムースに進行する。
クリアランス7a,7bを持たせてセッティングしたチェイ
ス金型1,3面に、所要の半導体装置本体(たとえばリ
ードフレームにボンディングしたIC素子)を配置・装
着して、モールド成型用金型を組み立てる。この工程に
おいて、チェイス金型1,3はクリアランス7a,7bを持
たせ、かつ可動的にダイセット2,4へそれぞれセッテ
ィングされているため、いわゆるフローティングによっ
て、チェイス金型1,3の対応するガイドブロック同士
の係合・位置決めもスムースに進行する。
【0045】その後、前記組立てたモールド成型用金型
をトランスファモールド装置にセットし、モールド用樹
脂(たとえば溶融させたエポキシ系樹脂し)をモールド
成型用金型に注入して、トランスファモールドする。こ
のトランスファモールド終了後、トランスファモールド
装置からモールド成型用金型を取り外し、さらに、モー
ルド成型用金型内からモールド型半導体装置を取り出す
という手順で行う。
をトランスファモールド装置にセットし、モールド用樹
脂(たとえば溶融させたエポキシ系樹脂し)をモールド
成型用金型に注入して、トランスファモールドする。こ
のトランスファモールド終了後、トランスファモールド
装置からモールド成型用金型を取り外し、さらに、モー
ルド成型用金型内からモールド型半導体装置を取り出す
という手順で行う。
【0046】上記手順によるモールド型半導体装置の製
造においては、規格の最大30μm を十分にクリアーする
ことが確認された。ここで、モールド封止型半導体装置
の位置ズレが大幅に低減・解消することは、後工程であ
るアウターリードの切断におけるポンチ・ダイ・ストリ
ッパの破損および半導体製品の破損などが回避される一
方、リード曲げ整形での曲げ形状のバラツキ解消などに
寄与することになる。なお、本発明は、上記実施例に限
定されるものでなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲でい
ろいろの変形を採ることができる。たとえば、製造方法
において、モールド用樹脂はエポキシ系樹脂の他、通
常、半導体封止用に使用されている樹脂であってもよ
い。
造においては、規格の最大30μm を十分にクリアーする
ことが確認された。ここで、モールド封止型半導体装置
の位置ズレが大幅に低減・解消することは、後工程であ
るアウターリードの切断におけるポンチ・ダイ・ストリ
ッパの破損および半導体製品の破損などが回避される一
方、リード曲げ整形での曲げ形状のバラツキ解消などに
寄与することになる。なお、本発明は、上記実施例に限
定されるものでなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲でい
ろいろの変形を採ることができる。たとえば、製造方法
において、モールド用樹脂はエポキシ系樹脂の他、通
常、半導体封止用に使用されている樹脂であってもよ
い。
【0047】
【発明の効果】請求項1〜5の発明によれば、対を成す
チェイス金型が対応するダイセットに、僅かなクリアラ
ンスを形成する状態に嵌合装着する構成を採っており、
各チェイス金型の僅かの可動性によって、ダイセットの
位置精度だけに依存しないで、フローティンク性によっ
て自動的な位置合わせが行われる。すなわち、ダイセッ
トにチェイス金型を嵌合装着するときの、煩雑な位置合
わせ操作やそのための時間も省略できるため、トランス
ファーモールド成型の作業性および成型品の歩留まりな
どの向上を容易に図ることができ、コストアップの抑制
と相俟って、信頼性の高い封止型半導体装置の提供に大
きく寄与するといえる。
チェイス金型が対応するダイセットに、僅かなクリアラ
ンスを形成する状態に嵌合装着する構成を採っており、
各チェイス金型の僅かの可動性によって、ダイセットの
位置精度だけに依存しないで、フローティンク性によっ
て自動的な位置合わせが行われる。すなわち、ダイセッ
トにチェイス金型を嵌合装着するときの、煩雑な位置合
わせ操作やそのための時間も省略できるため、トランス
ファーモールド成型の作業性および成型品の歩留まりな
どの向上を容易に図ることができ、コストアップの抑制
と相俟って、信頼性の高い封止型半導体装置の提供に大
きく寄与するといえる。
【0048】請求項6〜10の発明によれば、上記作用・
効果を呈するモールド成型用金型を使用することによ
り、低コストで、かつ良好な生産性によって信頼性の高
い封止型半導体装置を歩留まりよく提供できる。
効果を呈するモールド成型用金型を使用することによ
り、低コストで、かつ良好な生産性によって信頼性の高
い封止型半導体装置を歩留まりよく提供できる。
【図1】半導体装置のモールド成型用金型の第1実施例
の要部構成を示す断面図。
の要部構成を示す断面図。
【図2】半導体装置のモールド成型用金型の第2実施例
の要部構成を示す断面図。
の要部構成を示す断面図。
【図3】半導体装置のモールド成型用金型の要部構成を
展開して示す斜視図。
展開して示す斜視図。
【図4】図3に図示したモールド成型用金型のチェイス
金型の構成示す斜視図。
金型の構成示す斜視図。
【図5】従来の半導体装置のモールド成型用金型の要部
構成を示す断面図。
構成を示す断面図。
1,3……チェイス金型 1a,3a……ガイドブロック 2,4……ダイセット 5……抑え具挿入孔 6……スクリューボルト(固定型抑え具) 7a,7b……クリアランス 8a……座付きボルト(抑え具) 8b……鉤ボルト(抑え具)
Claims (10)
- 【請求項1】 ガイドブロックを有する第1のチェイス
金型と、この第1のチェイス金型面を露出させて嵌合装
着する第1のダイセットと、前記第1のチェイス金型に
対応したガイドブロックを有する第2のチェイス金型
と、この第2のチェイス金型面を露出させて嵌合装着す
る第2のダイセットとを備え、 前記両ダイセットに対応する両チェイス金型の嵌合装着
は、前記チェイス金型の可動を許容するクリアランスを
持って成されていることを特徴とする半導体装置のモー
ルド成型用金型。 - 【請求項2】 ガイドブロックを有する第1のチェイス
金型と、この第1のチェイス金型面を露出させて嵌合装
着する第1のダイセットと、前記第1のチェイス金型に
対応するガイドブロックを有する第2のチェイス金型
と、この第2のチェイス金型面を露出させて嵌合装着す
る第2のダイセットと、前記両チェイス金型を対応する
する両ダイセットからの離脱をそれぞれ防ぐ抑え具とを
備えた半導体装置のモールド成型用金型であって、 前記ダイセットに対するチェイス金型の嵌合装着は、前
記チェイス金型の可動を許容するクリアランスを持って
成されていることを特徴とする半導体装置のモールド成
型用金型。 - 【請求項3】 離脱を防ぐ抑え具は、座付きボルトであ
ることを特徴とする請求項2記載の半導体装置のモール
ド成型用金型。 - 【請求項4】 離脱を防ぐ抑え具は、鉤型のブロックで
あることを特徴とする請求項2記載の半導体装置のモー
ルド成型用金型。 - 【請求項5】 チェイス金型の可動を許容するクリアラ
ンスは、ダイセット内底面およびダイセット側壁内面と
の間をそれぞれ 0.1mm以下離隔して形成していることを
特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一記載の
半導体装置のモールド成型用金型。 - 【請求項6】 ダイセットに可動を許容するクリアラン
スを持たせてそれぞれ嵌合装着された対応するガイドブ
ロックを有する一対のチェイス金型を可動して位置決め
する工程と、 前記位置決めしたチェイス金型間に半導体装置本体を配
置してモールド成型用金型を組み立てる工程と、 前記組み立てたモールド成型用金型内にモールド用樹脂
を注入,硬化させて半導体装置本体をモールド封止する
工程とを有するモールド型半導体装置の製造方法。 - 【請求項7】 ダイセットに可動を許容するクリアラン
スを持たせてそれぞれ嵌合装着され,かつダイセットか
らの離脱を防ぐ抑え具を備えた対応するガイドブロック
を有する一対のチェイス金型を可動して位置決めする工
程と、 前記位置決めしたチェイス金型間に半導体装置本体を配
置してモールド成型用金型を組み立てる工程と、 前記組み立てたモールド成型用金型内にモールド用樹脂
を注入,硬化させて半導体装置本体をモールド封止する
工程とを有するモールド型半導体装置の製造方法。 - 【請求項8】 離脱を防ぐ抑え具は、座付きボルトであ
ることを特徴とする請求項7記載のモールド型半導体装
置の製造方法。 - 【請求項9】 離脱を防ぐ抑え具は、鉤型のブロックで
あることを特徴とする請求項7記載のモールド型半導体
装置の製造方法。 - 【請求項10】 チェイス金型の可動を許容するクリア
ランスは、ダイセット内底面およびダイセット側壁内面
との間をそれぞれ 0.1mm以下離隔して形成していること
を特徴とする請求項6ないし請求項9のいずれか一記載
のモールド型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5522296A JPH09246304A (ja) | 1996-03-12 | 1996-03-12 | 半導体装置のモールド成型用金型およびモールド型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5522296A JPH09246304A (ja) | 1996-03-12 | 1996-03-12 | 半導体装置のモールド成型用金型およびモールド型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09246304A true JPH09246304A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=12992592
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5522296A Withdrawn JPH09246304A (ja) | 1996-03-12 | 1996-03-12 | 半導体装置のモールド成型用金型およびモールド型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09246304A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011011384A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Konica Minolta Opto Inc | 成形装置 |
JP2019030979A (ja) * | 2017-08-04 | 2019-02-28 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置用の成形金型 |
-
1996
- 1996-03-12 JP JP5522296A patent/JPH09246304A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011011384A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Konica Minolta Opto Inc | 成形装置 |
JP2019030979A (ja) * | 2017-08-04 | 2019-02-28 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置用の成形金型 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030603 |