JPH09245519A - 透明導電膜および透明導電材料 - Google Patents
透明導電膜および透明導電材料Info
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- JPH09245519A JPH09245519A JP9163996A JP9163996A JPH09245519A JP H09245519 A JPH09245519 A JP H09245519A JP 9163996 A JP9163996 A JP 9163996A JP 9163996 A JP9163996 A JP 9163996A JP H09245519 A JPH09245519 A JP H09245519A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＴＯ膜の低抵抗化および低温成膜化を目
的とする。 【構成】 酸化インジウムと酸化スズを主成分とする透
明導電膜であって、該透明導電膜中に銀を含有し、スズ
がインジウムに対して１〜２０原子％、銀が全金属原子
に対して０．０５〜３原子％含有する透明導電膜。酸化
インジウムと酸化スズを主成分とする焼結体であって、
該焼結体中に銀を含有し、スズがインジウムに対して１
〜２０原子％、銀が全金属原子に対して０．０５〜３原
子％含有する透明導電材料。
的とする。 【構成】 酸化インジウムと酸化スズを主成分とする透
明導電膜であって、該透明導電膜中に銀を含有し、スズ
がインジウムに対して１〜２０原子％、銀が全金属原子
に対して０．０５〜３原子％含有する透明導電膜。酸化
インジウムと酸化スズを主成分とする焼結体であって、
該焼結体中に銀を含有し、スズがインジウムに対して１
〜２０原子％、銀が全金属原子に対して０．０５〜３原
子％含有する透明導電材料。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子、プラズ
マ発光素子等の透明電極や太陽電池用透明電極、あるい
は熱線反射膜、帯電防止膜、透明発熱体として有用な透
明導電膜および該透明導電膜を成膜するための透明導電
材料に関するものである。
マ発光素子等の透明電極や太陽電池用透明電極、あるい
は熱線反射膜、帯電防止膜、透明発熱体として有用な透
明導電膜および該透明導電膜を成膜するための透明導電
材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】透明導電膜としては、アンチモンやフッ
素を含有する酸化スズ膜、スズを含有する酸化インジウ
ム（ＩＴＯ）膜、アルミニウム等を含有する酸化亜鉛膜
が知られている。これらの内最高の導電性を有するＩＴ
Ｏ膜が主に透明電極として広く使用されている。
素を含有する酸化スズ膜、スズを含有する酸化インジウ
ム（ＩＴＯ）膜、アルミニウム等を含有する酸化亜鉛膜
が知られている。これらの内最高の導電性を有するＩＴ
Ｏ膜が主に透明電極として広く使用されている。
【０００３】最近、カラー液晶表示素子においては耐熱
温度が２００℃程度のカラーフィルター上への低抵抗膜
の成膜が要求されている。また表示素子の大面積化に伴
い加熱による基板の歪みも問題になり、低温でのＩＴＯ
膜の成膜が強く要望されている。
温度が２００℃程度のカラーフィルター上への低抵抗膜
の成膜が要求されている。また表示素子の大面積化に伴
い加熱による基板の歪みも問題になり、低温でのＩＴＯ
膜の成膜が強く要望されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＩＴＯ膜はｎ型半導体
であり、その導電率はキャリア電子の密度、キャリア電
子の移動度および電子の電荷の積で表わすことができ
る。従って、導電性を向上させるためにはキャリア電子
の密度および移動度を高める必要がある。
であり、その導電率はキャリア電子の密度、キャリア電
子の移動度および電子の電荷の積で表わすことができ
る。従って、導電性を向上させるためにはキャリア電子
の密度および移動度を高める必要がある。
【０００５】一般的に低温成膜されたＩＴＯ膜は結晶性
が低く、またアモルファスＩＴＯ膜の結晶化温度は約１
５０℃であることが知られている。従って、２００℃以
下の成膜温度で結晶性の良好な膜を成膜することは困難
となる。結晶性が低い場合、酸化インジウムの結晶格子
がランダムな状態にあり、酸化インジウム格子中のイン
ジウムと置換させる目的で添加したスズの固溶もマトリ
ッグス格子が不完全なためキャリア電子の生成に十分に
寄与しなくなる。
が低く、またアモルファスＩＴＯ膜の結晶化温度は約１
５０℃であることが知られている。従って、２００℃以
下の成膜温度で結晶性の良好な膜を成膜することは困難
となる。結晶性が低い場合、酸化インジウムの結晶格子
がランダムな状態にあり、酸化インジウム格子中のイン
ジウムと置換させる目的で添加したスズの固溶もマトリ
ッグス格子が不完全なためキャリア電子の生成に十分に
寄与しなくなる。
【０００６】このためキャリア電子の密度が低く、キャ
リア生成に寄与しないスズ酸化物が酸化インジウム格子
中や粒界に多く存在することになり、キャリア電子の散
乱要因となりキャリア移動度が低下して導電性の向上が
期待できない状態となる。
リア生成に寄与しないスズ酸化物が酸化インジウム格子
中や粒界に多く存在することになり、キャリア電子の散
乱要因となりキャリア移動度が低下して導電性の向上が
期待できない状態となる。
【０００７】従って、低温成膜時において高い結晶性を
有するＩＴＯ膜を作製する手段を見い出すことがＩＴＯ
膜の低抵抗化および低温成膜化における課題となり、こ
れらの課題を解消することが本発明の目的である。
有するＩＴＯ膜を作製する手段を見い出すことがＩＴＯ
膜の低抵抗化および低温成膜化における課題となり、こ
れらの課題を解消することが本発明の目的である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、ＩＴＯ膜
の低抵抗化および低温成膜化を可能にする添加剤の探求
を行った。その結果微量の銀を含有させることにより、
成膜温度に関わらずＩＴＯ膜より低抵抗膜が得られるこ
とを見い出した。また大気中の熱処理の結果、３００℃
程度までＩＴＯ膜より抵抗値の増加が少ないことも見い
出された。さらにＸ線回折分析の結果において、銀を含
有する膜は含有しない膜に対して均一歪が小さいことが
認められており、これ即ち高結晶性と判断し得る結果で
あった。
の低抵抗化および低温成膜化を可能にする添加剤の探求
を行った。その結果微量の銀を含有させることにより、
成膜温度に関わらずＩＴＯ膜より低抵抗膜が得られるこ
とを見い出した。また大気中の熱処理の結果、３００℃
程度までＩＴＯ膜より抵抗値の増加が少ないことも見い
出された。さらにＸ線回折分析の結果において、銀を含
有する膜は含有しない膜に対して均一歪が小さいことが
認められており、これ即ち高結晶性と判断し得る結果で
あった。
【０００９】本発明は、酸化インジウムと酸化スズを主
成分とする透明導電膜であって、該透明導電膜中に銀を
含有することを特徴とし、スズがインジウムに対して１
〜２０原子％、および銀が全金属原子に対して０．０５
〜３原子％含有することを特徴とする透明導電膜を提供
するものである。
成分とする透明導電膜であって、該透明導電膜中に銀を
含有することを特徴とし、スズがインジウムに対して１
〜２０原子％、および銀が全金属原子に対して０．０５
〜３原子％含有することを特徴とする透明導電膜を提供
するものである。
【００１０】また本発明は、前記透明導電膜を作製する
ための材料であり、酸化インジウムと酸化スズを主成分
とする焼結体であって、該焼結体中に銀を含有すること
を特徴とし、スズがインジウムに対して１〜２０原子
％、および銀が全金属原子に対して０．０５〜３原子％
含有することを特徴とする透明導電材料を提供するもの
である。
ための材料であり、酸化インジウムと酸化スズを主成分
とする焼結体であって、該焼結体中に銀を含有すること
を特徴とし、スズがインジウムに対して１〜２０原子
％、および銀が全金属原子に対して０．０５〜３原子％
含有することを特徴とする透明導電材料を提供するもの
である。
【００１１】本発明の透明導電膜の形成方法に関しては
特に限定しないが、比較的低基板温度で良好な導電特性
が得られるスパッタリング法、真空蒸着法等の物理蒸着
法が好ましく、特に低電圧スパッタや高密度プラズマ等
の手法を用いることでより良好な膜が得られる。
特に限定しないが、比較的低基板温度で良好な導電特性
が得られるスパッタリング法、真空蒸着法等の物理蒸着
法が好ましく、特に低電圧スパッタや高密度プラズマ等
の手法を用いることでより良好な膜が得られる。
【００１２】本発明の透明導電材料の製造方法に関し
て、出発原料に金属粉末、酸化物、塩化物等を用いるか
は特に限定しないが、スズがインジウムに対して１〜２
０原子％、および銀が全金属原子に対して０．０５〜３
原子％含有する組成の焼結体であれば良く、焼結体の形
状は、その成膜手法に適合するように粉末状、ペレット
状あるいは一体形状等に適宜成形すれば良い。尚、スズ
および銀に関しては十分に分散している方が好ましく、
特にスパッタリングターゲットにおいては、焼結体の密
度は高い方がより好ましい。相対密度７０％程度の焼結
体は常圧焼結で容易に得られる。しかし、それ以上高密
度のものを得るには加圧焼結プロセスを適用する必要が
ある。
て、出発原料に金属粉末、酸化物、塩化物等を用いるか
は特に限定しないが、スズがインジウムに対して１〜２
０原子％、および銀が全金属原子に対して０．０５〜３
原子％含有する組成の焼結体であれば良く、焼結体の形
状は、その成膜手法に適合するように粉末状、ペレット
状あるいは一体形状等に適宜成形すれば良い。尚、スズ
および銀に関しては十分に分散している方が好ましく、
特にスパッタリングターゲットにおいては、焼結体の密
度は高い方がより好ましい。相対密度７０％程度の焼結
体は常圧焼結で容易に得られる。しかし、それ以上高密
度のものを得るには加圧焼結プロセスを適用する必要が
ある。
【００１３】その他本発明の透明導電膜の成膜方法とし
て、粉末原料を用いる成膜手法の場合は焼結体粉末を使
用せず、スズがインジウムに対して１〜２０原子％、お
よび銀が全金属原子に対して０．０５〜３原子％となる
ように、各々の原料を混合して原料としても良い。また
ターゲットを原料とする場合は、酸化インジウムあるい
はＩＴＯターゲット上に、前者で有ればスズおよび銀あ
るいはスズ−銀合金、後者で有れば銀のチップを用い
て、添加物が膜中に均一に分散するようにターゲット上
に配置して成膜することも可能である。
て、粉末原料を用いる成膜手法の場合は焼結体粉末を使
用せず、スズがインジウムに対して１〜２０原子％、お
よび銀が全金属原子に対して０．０５〜３原子％となる
ように、各々の原料を混合して原料としても良い。また
ターゲットを原料とする場合は、酸化インジウムあるい
はＩＴＯターゲット上に、前者で有ればスズおよび銀あ
るいはスズ−銀合金、後者で有れば銀のチップを用い
て、添加物が膜中に均一に分散するようにターゲット上
に配置して成膜することも可能である。
【００１４】
【実施例１〜３】金属原子比で９５：５からなる酸化イ
ンジウムと酸化スズの大気雰囲気中での固相反応焼結に
より作製した直径６インチ、厚さ５ｍｍの相対密度約７
０％のターゲット上に１ｍｍ×１ｍｍ×１４ｍｍの銀チ
ップを複数個配置し、ＲＦマグネトロンスパッタリング
法により投入電力２００Ｗで、２００℃に加熱したホウ
ケイ酸ガラス基板上に成膜した。堆積膜の膜厚は触針式
表面粗さ計により測定し、４探針法により抵抗率を求め
た。また空気をリファレンスとしガラス基板を含めた可
視光（３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）範囲の分光透過率を測
定し平均透過率を求めた。膜の組成はＩＣＰ発光分光分
析により確認した。表１に膜中のインジウムに対するス
ズおよび全金属原子に対する銀の濃度、膜厚、抵抗率お
よび可視光平均透過率を示す。実施例１、実施例２、実
施例３は各々銀濃度０．２７、０．９８、１．６７原子
％である。
ンジウムと酸化スズの大気雰囲気中での固相反応焼結に
より作製した直径６インチ、厚さ５ｍｍの相対密度約７
０％のターゲット上に１ｍｍ×１ｍｍ×１４ｍｍの銀チ
ップを複数個配置し、ＲＦマグネトロンスパッタリング
法により投入電力２００Ｗで、２００℃に加熱したホウ
ケイ酸ガラス基板上に成膜した。堆積膜の膜厚は触針式
表面粗さ計により測定し、４探針法により抵抗率を求め
た。また空気をリファレンスとしガラス基板を含めた可
視光（３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）範囲の分光透過率を測
定し平均透過率を求めた。膜の組成はＩＣＰ発光分光分
析により確認した。表１に膜中のインジウムに対するス
ズおよび全金属原子に対する銀の濃度、膜厚、抵抗率お
よび可視光平均透過率を示す。実施例１、実施例２、実
施例３は各々銀濃度０．２７、０．９８、１．６７原子
％である。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【実施例４〜６】金属原子比で９０：１０からなる酸化
インジウムと酸化スズの大気雰囲気中での固相反応焼結
により作製した直径６インチ、厚さ５ｍｍの相対密度約
７０％のターゲットを用いて、実施例１〜３と同様にタ
ーゲット上にＡｇチップを配置して成膜を行い評価し
た。その結果を表２に示す。実施例４、実施例５、実施
例６は各々銀濃度０．２７、０．４９、１．３８原子％
である。
インジウムと酸化スズの大気雰囲気中での固相反応焼結
により作製した直径６インチ、厚さ５ｍｍの相対密度約
７０％のターゲットを用いて、実施例１〜３と同様にタ
ーゲット上にＡｇチップを配置して成膜を行い評価し
た。その結果を表２に示す。実施例４、実施例５、実施
例６は各々銀濃度０．２７、０．４９、１．３８原子％
である。
【００１７】
【表２】
【００１８】
【実施例７】出発原料に酸化インジウム、酸化スズおよ
び金属銀の微粉末を用いて、金属原子比でスズがインジ
ウムに対して１０原子％、銀が全金属原子に対して１原
子％含有する焼結体を大気雰囲気中での固相反応焼結に
より作製しターゲットとした。ターゲットの相対密度は
約７０％であった。実施例１〜３と同様の方法で成膜し
膜の評価を行った。表３にその結果を示す。尚、堆積膜
中のインジウムに対するスズおよび全金属原子に対する
銀含有量はそれぞれ８．５および０．９６原子％であっ
た。
び金属銀の微粉末を用いて、金属原子比でスズがインジ
ウムに対して１０原子％、銀が全金属原子に対して１原
子％含有する焼結体を大気雰囲気中での固相反応焼結に
より作製しターゲットとした。ターゲットの相対密度は
約７０％であった。実施例１〜３と同様の方法で成膜し
膜の評価を行った。表３にその結果を示す。尚、堆積膜
中のインジウムに対するスズおよび全金属原子に対する
銀含有量はそれぞれ８．５および０．９６原子％であっ
た。
【００１９】
【表３】
【００２０】
【実施例８】出発原料に酸化インジウム、酸化スズおよ
び金属銀の微粉末を用いて、金属原子比でスズがインジ
ウムに対して１０原子％、銀が全金属原子に対して１原
子％含有する焼結体をホットプレス法により作製しター
ゲットとした。ターゲットの相対密度は約８０％であっ
た。実施例１〜６と同様の方法で成膜し膜の評価を行っ
た。結果を表３に示す。尚、堆積膜中のインジウムに対
するスズおよび全金属原子に対する銀含有量はそれぞれ
８．５および０．９５原子％であった。
び金属銀の微粉末を用いて、金属原子比でスズがインジ
ウムに対して１０原子％、銀が全金属原子に対して１原
子％含有する焼結体をホットプレス法により作製しター
ゲットとした。ターゲットの相対密度は約８０％であっ
た。実施例１〜６と同様の方法で成膜し膜の評価を行っ
た。結果を表３に示す。尚、堆積膜中のインジウムに対
するスズおよび全金属原子に対する銀含有量はそれぞれ
８．５および０．９５原子％であった。
【００２１】
【実施例９および１０】実施例１〜３と同様にして成膜
されたスズがインジウムに対して４．３原子％含有し、
銀が全原子に対して０．４４原子％（実施例９）、０．
６６原子％（実施例１０）含有する堆積膜を大気中１０
０〜５００℃で各１時間熱処理し、シート抵抗の変化率
を調べた。表４にその結果を示す。
されたスズがインジウムに対して４．３原子％含有し、
銀が全原子に対して０．４４原子％（実施例９）、０．
６６原子％（実施例１０）含有する堆積膜を大気中１０
０〜５００℃で各１時間熱処理し、シート抵抗の変化率
を調べた。表４にその結果を示す。
【００２２】
【表４】
【００２３】
【実施例１１および１２】実施例１〜３と同様にして成
膜されたスズがインジウムに対して８．５原子％含有
し、銀が全原子に対して０．４９原子％（実施例１
１）、１．３８原子％（実施例１２）含有する堆積膜を
実施例９および１０と同様にして評価した。表５にその
結果を示す。
膜されたスズがインジウムに対して８．５原子％含有
し、銀が全原子に対して０．４９原子％（実施例１
１）、１．３８原子％（実施例１２）含有する堆積膜を
実施例９および１０と同様にして評価した。表５にその
結果を示す。
【００２４】
【表５】
【００２５】
【比較例１】金属原子比で９５：５からなる酸化インジ
ウムと酸化スズの大気雰囲気中での固相反応焼結により
作製した相対密度約７０％のターゲットを用いて、実施
例１〜６と同様の方法で成膜し評価した。結果を表１に
示す。
ウムと酸化スズの大気雰囲気中での固相反応焼結により
作製した相対密度約７０％のターゲットを用いて、実施
例１〜６と同様の方法で成膜し評価した。結果を表１に
示す。
【００２６】
【比較例２】金属原子比で９０：１０からなる酸化イン
ジウムと酸化スズの大気雰囲気中での固相反応焼結によ
り作製した相対密度約７０％のターゲットを用いて、実
施例１〜６と同様の方法で成膜し評価した。結果を表２
に示す。
ジウムと酸化スズの大気雰囲気中での固相反応焼結によ
り作製した相対密度約７０％のターゲットを用いて、実
施例１〜６と同様の方法で成膜し評価した。結果を表２
に示す。
【００２７】
【比較例３および４】比較例１および２と同様に成膜さ
れた堆積膜を実施例９および１０と同様に大気中で熱処
理しシート抵抗の変化率を調べた。その結果を表４およ
び５に示す。尚、比較例３および４におけるインジウム
に対するスズは、それぞれ４．３および８．５原子％で
あった。
れた堆積膜を実施例９および１０と同様に大気中で熱処
理しシート抵抗の変化率を調べた。その結果を表４およ
び５に示す。尚、比較例３および４におけるインジウム
に対するスズは、それぞれ４．３および８．５原子％で
あった。
【００２８】表１および２から、堆積膜中のスズ含有量
が異なっても、銀を含有する膜は含有しない膜に対して
低抵抗であることが明かとなった。Ｘ線回折分析により
銀を含有する膜は含有しない膜に対して結晶性が高いこ
とが認められており、このことから銀は堆積時の物質移
動を促進し結晶化の助剤として寄与していると推測され
る。また表３から焼結体ターゲットの密度が高いほど堆
積膜が低抵抗となることが認められた。
が異なっても、銀を含有する膜は含有しない膜に対して
低抵抗であることが明かとなった。Ｘ線回折分析により
銀を含有する膜は含有しない膜に対して結晶性が高いこ
とが認められており、このことから銀は堆積時の物質移
動を促進し結晶化の助剤として寄与していると推測され
る。また表３から焼結体ターゲットの密度が高いほど堆
積膜が低抵抗となることが認められた。
【００２９】表４および５から、銀を含有する膜は含有
しない膜に対して、３００℃程度までの抵抗上昇は少な
く耐熱性に優れていることが明かとなった。４００℃以
上で急激に抵抗が上昇した要因は酸化によると考えられ
る。
しない膜に対して、３００℃程度までの抵抗上昇は少な
く耐熱性に優れていることが明かとなった。４００℃以
上で急激に抵抗が上昇した要因は酸化によると考えられ
る。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、酸化インジウムを主成
分としスズおよび銀を含有する低抵抗の透明導電膜およ
びその透明導電材料を提供できる。本発明の透明導電膜
は従来のＩＴＯ膜に比べて同一のスズ含有量および成膜
温度において低抵抗となり、ＩＴＯ膜と同等の抵抗値な
らば成膜温度を低温化できる効果がある。
分としスズおよび銀を含有する低抵抗の透明導電膜およ
びその透明導電材料を提供できる。本発明の透明導電膜
は従来のＩＴＯ膜に比べて同一のスズ含有量および成膜
温度において低抵抗となり、ＩＴＯ膜と同等の抵抗値な
らば成膜温度を低温化できる効果がある。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年５月１０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、ＩＴＯ膜
の低抵抗化および低温成膜化を可能にする添加剤の探求
を行った。その結果微量の銀を含有させることにより、
成膜温度に関わらずＩＴＯ膜より低抵抗膜が得られるこ
とを見い出した。また大気中の熱処理の結果、３００℃
程度までＩＴＯ膜より抵抗値の増加が少ないことも見い
出された。さらにＸ線回折分析の結果において、銀を含
有する膜は含有しない膜に対して回折強度が強く、格子
定数の低下が認められており、これ即ち高結晶性と判断
し得る結果であった。
の低抵抗化および低温成膜化を可能にする添加剤の探求
を行った。その結果微量の銀を含有させることにより、
成膜温度に関わらずＩＴＯ膜より低抵抗膜が得られるこ
とを見い出した。また大気中の熱処理の結果、３００℃
程度までＩＴＯ膜より抵抗値の増加が少ないことも見い
出された。さらにＸ線回折分析の結果において、銀を含
有する膜は含有しない膜に対して回折強度が強く、格子
定数の低下が認められており、これ即ち高結晶性と判断
し得る結果であった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】その他本発明の透明導電膜の成膜方法とし
て、粉末原料を用いる成膜手法の場合は焼結体粉末を使
用せず、スズがインジウムに対して１〜２０原子％、お
よび銀が全金属原子に対して０．０５〜３原子％となる
ように、各々の金属を混合して原料としても良い。また
ターゲットを用いる場合は、酸化インジウムあるいはＩ
ＴＯターゲット上に、前者で有ればスズおよび銀あるい
はスズ−銀合金、後者で有れば銀のチップを用いて、添
加物が膜中に均一に分散するようにターゲット上に配置
して成膜することも可能である。
て、粉末原料を用いる成膜手法の場合は焼結体粉末を使
用せず、スズがインジウムに対して１〜２０原子％、お
よび銀が全金属原子に対して０．０５〜３原子％となる
ように、各々の金属を混合して原料としても良い。また
ターゲットを用いる場合は、酸化インジウムあるいはＩ
ＴＯターゲット上に、前者で有ればスズおよび銀あるい
はスズ−銀合金、後者で有れば銀のチップを用いて、添
加物が膜中に均一に分散するようにターゲット上に配置
して成膜することも可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、酸化インジウムと酸化
スズを主成分とし銀を含有する低抵抗の透明導電膜およ
びその透明導電材料を提供できる。本発明の透明導電膜
は従来のＩＴＯ膜に比べて同一のスズ含有量および成膜
温度において低抵抗となり、ＩＴＯ膜と同等の抵抗値な
らば成膜温度を低温化できる効果がある。
スズを主成分とし銀を含有する低抵抗の透明導電膜およ
びその透明導電材料を提供できる。本発明の透明導電膜
は従来のＩＴＯ膜に比べて同一のスズ含有量および成膜
温度において低抵抗となり、ＩＴＯ膜と同等の抵抗値な
らば成膜温度を低温化できる効果がある。
Claims (4)
- 【請求項１】 酸化インジウムと酸化スズを主成分とす
る透明導電膜であって、該透明導電膜中に銀を含有する
ことを特徴とする透明導電膜。 - 【請求項２】 スズがインジウムに対して１〜２０原子
％、および銀が全金属原子に対して０．０５〜３原子％
含有することを特徴とする請求項１の透明導電膜。 - 【請求項３】 酸化インジウムと酸化スズを主成分とす
る焼結体であって、該焼結体中に銀を含有することを特
徴とする透明導電材料。 - 【請求項４】 スズがインジウムに対して１〜２０原子
％、および銀が全金属原子に対して０．０５〜３原子％
含有することを特徴とする請求項３の透明導電材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9163996A JPH09245519A (ja) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | 透明導電膜および透明導電材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9163996A JPH09245519A (ja) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | 透明導電膜および透明導電材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09245519A true JPH09245519A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=14032108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9163996A Pending JPH09245519A (ja) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | 透明導電膜および透明導電材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09245519A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006129461A1 (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-07 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 薄膜形成方法及び透明導電膜 |
| JP2012059470A (ja) * | 2010-09-07 | 2012-03-22 | Kobe Steel Ltd | 有機ｅｌディスプレイ用の反射アノード電極 |
-
1996
- 1996-03-08 JP JP9163996A patent/JPH09245519A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006129461A1 (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-07 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 薄膜形成方法及び透明導電膜 |
| JPWO2006129461A1 (ja) * | 2005-06-01 | 2008-12-25 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 薄膜形成方法及び透明導電膜 |
| JP2012059470A (ja) * | 2010-09-07 | 2012-03-22 | Kobe Steel Ltd | 有機ｅｌディスプレイ用の反射アノード電極 |
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