JPH09241070A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH09241070A JPH09241070A JP8053103A JP5310396A JPH09241070A JP H09241070 A JPH09241070 A JP H09241070A JP 8053103 A JP8053103 A JP 8053103A JP 5310396 A JP5310396 A JP 5310396A JP H09241070 A JPH09241070 A JP H09241070A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- substrate
- firing
- grain growth
- porcelain composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 19
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 claims abstract description 5
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 abstract description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910018404 Al2 O3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910015133 B2 O3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten(VI) oxide Inorganic materials O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 101100513612 Microdochium nivale MnCO gene Proteins 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Z nO Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229940071182 stannate Drugs 0.000 description 1
- 125000005402 stannate group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
- 239000012856 weighed raw material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 焼成時の結晶粒成長による素地の変形や素地
同士の結着、絶縁破壊電圧の低下や静電容量のバラツキ
増大を防止する。 【解決手段】 主成分：（Ｂａ1-Q-X ＣａQ ＳｒX)A(Ｔ
ｉ1-Y-Z ＺｒY ＳｎZ)Ｏ(A+2) （０．０４≦Ｑ≦０．０
８，０≦Ｘ≦０．０２，０．０１５≦Ｙ≦０．０３，
０．０３５≦Ｚ≦０．０７，１＜Ａ≦１．０２）と、こ
の主成分に対して０．０５〜２重量％の副成分（ＳｉＯ
2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＷＯ3，カオリ
ン、ＭｎＯの１種又は２種以上）とからなる誘電体磁器
組成物。 【効果】 Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒからなる式中成分のモル比
Ａを１より若干大きく設定することにより、素地焼成時
の結晶成長が抑制され、しかも、焼成温度を変化させて
も結晶状態が変化しにくくなる。誘電特性に優れた円板
形磁器コンデンサを歩留り良く製造することが可能とな
る。
同士の結着、絶縁破壊電圧の低下や静電容量のバラツキ
増大を防止する。 【解決手段】 主成分：（Ｂａ1-Q-X ＣａQ ＳｒX)A(Ｔ
ｉ1-Y-Z ＺｒY ＳｎZ)Ｏ(A+2) （０．０４≦Ｑ≦０．０
８，０≦Ｘ≦０．０２，０．０１５≦Ｙ≦０．０３，
０．０３５≦Ｚ≦０．０７，１＜Ａ≦１．０２）と、こ
の主成分に対して０．０５〜２重量％の副成分（ＳｉＯ
2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＷＯ3，カオリ
ン、ＭｎＯの１種又は２種以上）とからなる誘電体磁器
組成物。 【効果】 Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒからなる式中成分のモル比
Ａを１より若干大きく設定することにより、素地焼成時
の結晶成長が抑制され、しかも、焼成温度を変化させて
も結晶状態が変化しにくくなる。誘電特性に優れた円板
形磁器コンデンサを歩留り良く製造することが可能とな
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チタン酸バリウム
を主成分とする磁器組成物に係り、コンデンサ用途、と
りわけ円板形磁器コンデンサ用途に適した誘電体磁器組
成物に関する。
を主成分とする磁器組成物に係り、コンデンサ用途、と
りわけ円板形磁器コンデンサ用途に適した誘電体磁器組
成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ
3 ）を主成分とする誘電体磁器組成物には、様々な組成
系のものが提案されており、特にチタン酸塩、ジルコン
酸塩及びスズ酸塩をシフター材として用いる系が、特公
平４−６８２５８号公報、特公平４−６８２５９号公
報、特公平５−１９４０２７号公報などに示されてい
る。
3 ）を主成分とする誘電体磁器組成物には、様々な組成
系のものが提案されており、特にチタン酸塩、ジルコン
酸塩及びスズ酸塩をシフター材として用いる系が、特公
平４−６８２５８号公報、特公平４−６８２５９号公
報、特公平５−１９４０２７号公報などに示されてい
る。
【０００３】ところで、このような誘電体磁器組成物を
用いた磁器コンデンサのうち、円板形磁器コンデンサ
は、一般に、次のようにして製造されている。即ち、所
定の厚みで押し出し成形した帯状の原料グリーンシート
を、打ち抜き機で所定の直径の円板に打ち抜き、これら
を数十枚積み重ねてトンネル炉等で１２５０〜１４００
℃で焼成する。得られた焼成素地に電極を形成して円板
形磁器コンデンサが製造される。
用いた磁器コンデンサのうち、円板形磁器コンデンサ
は、一般に、次のようにして製造されている。即ち、所
定の厚みで押し出し成形した帯状の原料グリーンシート
を、打ち抜き機で所定の直径の円板に打ち抜き、これら
を数十枚積み重ねてトンネル炉等で１２５０〜１４００
℃で焼成する。得られた焼成素地に電極を形成して円板
形磁器コンデンサが製造される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＢａＴｉＯ3 を主成分
とする誘電体磁器組成物は、１３００〜１３５０℃とい
う高温で重ね焼きされると、焼成中に素地の内部又は表
面で結晶粒成長が発生し、素地が著しく変形したり、素
地同士が結着したりする。そして、これが下記の如く、
各工程における歩留り低下の原因となる。
とする誘電体磁器組成物は、１３００〜１３５０℃とい
う高温で重ね焼きされると、焼成中に素地の内部又は表
面で結晶粒成長が発生し、素地が著しく変形したり、素
地同士が結着したりする。そして、これが下記の如く、
各工程における歩留り低下の原因となる。
【０００５】 焼成工程における歩留り低下：焼成工
程で生じる不良品は、ロール選別機等で簡易的に一次選
別されて除去され歩留り低下となる。
程で生じる不良品は、ロール選別機等で簡易的に一次選
別されて除去され歩留り低下となる。
【０００６】 電極形成工程における歩留り低下：上
記選別はあくまでも簡易的に行われるため、不良品の発
生率が高くなると必然的に次工程の電極形成工程への不
良品混入率も上昇する。コンデンサの電極は、例えば印
刷法等によって形成されるため、変形した素地では表面
に印刷されない部分ができ、これが不良品として除去さ
れる。また、電極印刷は、数十枚の素地を１枚づつ同一
平面に並べて同時に行うので、その中に１個でも変形し
た素地が含まれていると、その周囲の正常な素地にまで
印刷不良が波及する上に、印刷時に素地の割れや欠けが
発生するなど、二次的な歩留り低下も引き起こされる。
記選別はあくまでも簡易的に行われるため、不良品の発
生率が高くなると必然的に次工程の電極形成工程への不
良品混入率も上昇する。コンデンサの電極は、例えば印
刷法等によって形成されるため、変形した素地では表面
に印刷されない部分ができ、これが不良品として除去さ
れる。また、電極印刷は、数十枚の素地を１枚づつ同一
平面に並べて同時に行うので、その中に１個でも変形し
た素地が含まれていると、その周囲の正常な素地にまで
印刷不良が波及する上に、印刷時に素地の割れや欠けが
発生するなど、二次的な歩留り低下も引き起こされる。
【０００７】また、焼成時に発生する粒成長は、得られ
るコンデンサの絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）の低下や、静電
容量のバラツキ（ＣＶ値）増加の原因にもなり、製品の
品質上問題となる。
るコンデンサの絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）の低下や、静電
容量のバラツキ（ＣＶ値）増加の原因にもなり、製品の
品質上問題となる。
【０００８】なお、結晶粒成長の抑制方法としては、Ｃ
ｅ，Ｓｍ等の希土類元素の酸化物などを添加する方法も
あるが、抑制効果が得られるような添加量で添加する
と、比誘電率（εｓ）が著しく低下して実用化が困難に
なる。
ｅ，Ｓｍ等の希土類元素の酸化物などを添加する方法も
あるが、抑制効果が得られるような添加量で添加する
と、比誘電率（εｓ）が著しく低下して実用化が困難に
なる。
【０００９】本発明は上記従来の問題点を解決し、焼成
時の結晶粒成長による素地の変形や素地同士の結着、更
には、絶縁破壊電圧の低下や静電容量のバラツキ増大等
の問題のない誘電体磁器組成物を提供することを目的と
する。
時の結晶粒成長による素地の変形や素地同士の結着、更
には、絶縁破壊電圧の低下や静電容量のバラツキ増大等
の問題のない誘電体磁器組成物を提供することを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器組成
物は、下記組成の主成分と、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｚ
ｎＯ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＷＯ3 ，カオリン及びＭｎＯよりなる
群から選ばれる１種又は２種以上の副成分とからなり、
該副成分の割合が前記主成分に対して０．０５〜２重量
％であることを特徴とする。
物は、下記組成の主成分と、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｚ
ｎＯ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＷＯ3 ，カオリン及びＭｎＯよりなる
群から選ばれる１種又は２種以上の副成分とからなり、
該副成分の割合が前記主成分に対して０．０５〜２重量
％であることを特徴とする。
【００１１】（Ｂａ1-Q-X ＣａQ ＳｒX)A(Ｔｉ1-Y-Z Ｚ
ｒY ＳｎZ)Ｏ(A+2) ただし、Ｑ，Ｘ，Ｙ，Ｚ，Ａは次の通りである。
ｒY ＳｎZ)Ｏ(A+2) ただし、Ｑ，Ｘ，Ｙ，Ｚ，Ａは次の通りである。
【００１２】０．０４≦Ｑ≦０．０８ ０≦Ｘ≦０．０２ ０．０１５≦Ｙ≦０．０３ ０．０３５≦Ｚ≦０．０７ １＜Ａ≦１．０２ 本発明の組成範囲で原料調合し、Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒから
なる式中成分のモル比Ａを１より若干大きく設定するこ
とにより、素地焼成時の結晶粒成長が抑制され、しか
も、焼成温度を変化させても結晶状態が変化しにくくな
る。これにより、焼成時の結晶粒成長による素地の変形
や素地同士の結着、更には、絶縁破壊電圧の低下や静電
容量のバラツキ増大といった問題は解消される。
なる式中成分のモル比Ａを１より若干大きく設定するこ
とにより、素地焼成時の結晶粒成長が抑制され、しか
も、焼成温度を変化させても結晶状態が変化しにくくな
る。これにより、焼成時の結晶粒成長による素地の変形
や素地同士の結着、更には、絶縁破壊電圧の低下や静電
容量のバラツキ増大といった問題は解消される。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１４】まず、本発明の数値範囲の限定理由につい
て説明する。
て説明する。
【００１５】Ｑは、Ａサイトの（Ｂａ1-Q-X ＣａQ Ｓｒ
X ）のＢａに対するＣａの置換量を示し、Ｑが０．０４
より小さいと２０℃基準の容量変化率の温度特性カーブ
の平坦性が失われて、例えばＪＩＳ規格のＦ特性（−２
５℃〜＋８５℃の温度範囲で２０℃基準の容量変化率が
−８０％〜３０％以内）から外れてしまう。また、Ｑが
０．０８を超えるとεmax が低下する。従って、０．０
４≦Ｑ≦０．０８とする。
X ）のＢａに対するＣａの置換量を示し、Ｑが０．０４
より小さいと２０℃基準の容量変化率の温度特性カーブ
の平坦性が失われて、例えばＪＩＳ規格のＦ特性（−２
５℃〜＋８５℃の温度範囲で２０℃基準の容量変化率が
−８０％〜３０％以内）から外れてしまう。また、Ｑが
０．０８を超えるとεmax が低下する。従って、０．０
４≦Ｑ≦０．０８とする。
【００１６】Ｘは、ＡサイトのＢａに対するＳｒの置換
量を示し、Ｘが０．０２を超えると誘電率のピークであ
るキューリー点がマイナス側へシフトし過ぎて、常温付
近で高い誘電率が得られなくなる。従って、０≦Ｘ≦
０．０２とする。
量を示し、Ｘが０．０２を超えると誘電率のピークであ
るキューリー点がマイナス側へシフトし過ぎて、常温付
近で高い誘電率が得られなくなる。従って、０≦Ｘ≦
０．０２とする。
【００１７】Ｙは、Ｂサイト（Ｔｉ1-Y-Z ＺｒY Ｓｎ
Z ）のＴｉに対するＺｒの置換量を示し、Ｙが０．０１
５より小さいとキューリー点がプラス側へシフトし過ぎ
て、常温付近で高い誘電率が得られない。また、Ｙが
０．０３を超えるとキューリー点がマイナス側にシフト
し過ぎて、常温付近で高い誘電率が得られなくなる。従
って、０．０１５≦Ｙ≦０．０３とする。
Z ）のＴｉに対するＺｒの置換量を示し、Ｙが０．０１
５より小さいとキューリー点がプラス側へシフトし過ぎ
て、常温付近で高い誘電率が得られない。また、Ｙが
０．０３を超えるとキューリー点がマイナス側にシフト
し過ぎて、常温付近で高い誘電率が得られなくなる。従
って、０．０１５≦Ｙ≦０．０３とする。
【００１８】Ｚは、ＢサイトのＴｉに対するＳｎの置換
量を示し、Ｚが０．０３５より小さいとキューリー点が
プラス側へシフトし過ぎて、常温付近で高い誘電率が得
られない。また、Ｚが０．０７を超えるとキューリー点
がマイナス側にシフトし過ぎて、常温付近で高い誘電率
が得られなくなる。従って、０．０３５≦Ｚ≦０．０７
とする。
量を示し、Ｚが０．０３５より小さいとキューリー点が
プラス側へシフトし過ぎて、常温付近で高い誘電率が得
られない。また、Ｚが０．０７を超えるとキューリー点
がマイナス側にシフトし過ぎて、常温付近で高い誘電率
が得られなくなる。従って、０．０３５≦Ｚ≦０．０７
とする。
【００１９】Ａは、（Ｂａ1-Q-X ＣａQ ＳｒX ）のモル
比を示すが、Ａが１．０２を超えると結晶が極めて小さ
く且つ均一になる反面、εmax の低下が著しく実用困難
となる。Ａが１未満では焼結性が向上する反面、結着不
良や反り不良が発生し易くなり、歩留まりが低下する。
従って、１＜Ａ≦１．０２とする。
比を示すが、Ａが１．０２を超えると結晶が極めて小さ
く且つ均一になる反面、εmax の低下が著しく実用困難
となる。Ａが１未満では焼結性が向上する反面、結着不
良や反り不良が発生し易くなり、歩留まりが低下する。
従って、１＜Ａ≦１．０２とする。
【００２０】本発明において、主成分：（Ｂａ1-Q-X Ｃ
ａQ ＳｒX)A(Ｔｉ1-Y-Z ＺｒY ＳｎZ)Ｏ(A+2) に対する
副成分：ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ｗ
Ｏ3，カオリン及びＭｎＯよりなる群から選ばれる１種
又は２種以上の添加割合が、０．０５重量％より小さい
と誘電体が焼結しにくくなり、２重量％より大きいとε
max が低下する上、異常な結晶成長に伴う素地の著しい
変形が見られる場合がある。従って、主成分に対する副
成分の割合は０．０５〜２重量％とする。
ａQ ＳｒX)A(Ｔｉ1-Y-Z ＺｒY ＳｎZ)Ｏ(A+2) に対する
副成分：ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ｗ
Ｏ3，カオリン及びＭｎＯよりなる群から選ばれる１種
又は２種以上の添加割合が、０．０５重量％より小さい
と誘電体が焼結しにくくなり、２重量％より大きいとε
max が低下する上、異常な結晶成長に伴う素地の著しい
変形が見られる場合がある。従って、主成分に対する副
成分の割合は０．０５〜２重量％とする。
【００２１】このような本発明の誘電体磁器組成物より
なる磁器素体は、後述の実施例に示されるように、各構
成元素の酸化物又は炭酸塩等を原料として、これらが所
定の組成となるように十分に混合して成形原料を得、こ
の成形原料を常法に従って成形し、１２５０〜１４００
℃で焼成することにより容易に製造することができる。
なる磁器素体は、後述の実施例に示されるように、各構
成元素の酸化物又は炭酸塩等を原料として、これらが所
定の組成となるように十分に混合して成形原料を得、こ
の成形原料を常法に従って成形し、１２５０〜１４００
℃で焼成することにより容易に製造することができる。
【００２２】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより詳細に説
明する。
明する。
【００２３】実施例１ 主成分の原料としてそれぞれ純度９９．９％以上のＢａ
ＣＯ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＳｒＣＯ3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ
2 ，ＳｎＯ2 を用意し、表１に示した割合となるように
秤量し、さらにこの主成分組成の合計に対し、副成分と
してＭｎＣＯ3 及びカオリンを表１に示した割合となる
ように秤量した。次に秤量した各原料に純水を加えて湿
式ボールミルで粉砕混合した後、混合物を十分乾燥し
た。同乾燥原料１００重量部に対して、有機バインダー
（ポリビニールブチラール）４．８重量部及び純水１７
重量部を添加混合し、三本ロールで混練りした後、押し
出し成形機を用いて厚み０．２１５ｍｍの押し出しシー
トを得た。同シートを直径１４．１ｍｍφに打ち抜いて
得られた円板状の素体２０，０００個を５０枚づつ積み
重ねて、試験炉にて６００℃で１時間脱バインダーした
後、１，３２５℃で２時間焼結した。焼結後の試料素地
の表面を実体顕微鏡で観察し、結晶の平均粒径を測定し
た。
ＣＯ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＳｒＣＯ3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ
2 ，ＳｎＯ2 を用意し、表１に示した割合となるように
秤量し、さらにこの主成分組成の合計に対し、副成分と
してＭｎＣＯ3 及びカオリンを表１に示した割合となる
ように秤量した。次に秤量した各原料に純水を加えて湿
式ボールミルで粉砕混合した後、混合物を十分乾燥し
た。同乾燥原料１００重量部に対して、有機バインダー
（ポリビニールブチラール）４．８重量部及び純水１７
重量部を添加混合し、三本ロールで混練りした後、押し
出し成形機を用いて厚み０．２１５ｍｍの押し出しシー
トを得た。同シートを直径１４．１ｍｍφに打ち抜いて
得られた円板状の素体２０，０００個を５０枚づつ積み
重ねて、試験炉にて６００℃で１時間脱バインダーした
後、１，３２５℃で２時間焼結した。焼結後の試料素地
の表面を実体顕微鏡で観察し、結晶の平均粒径を測定し
た。
【００２４】次に、重ね焼きにより付着した素地を水槽
に投入して１５分間の超音波処理を実施した後、ロール
間隔を０．３ｍｍに設定したロール選別機で選別した。
ロール間を通過しなかった不良品のうち、素地同士が剥
離しなかったものを「結着不良」、素地が変形したもの
を「反り不良」とし、それぞれ投入量２０，０００個に
対する割合（％）を求めた。
に投入して１５分間の超音波処理を実施した後、ロール
間隔を０．３ｍｍに設定したロール選別機で選別した。
ロール間を通過しなかった不良品のうち、素地同士が剥
離しなかったものを「結着不良」、素地が変形したもの
を「反り不良」とし、それぞれ投入量２０，０００個に
対する割合（％）を求めた。
【００２５】以上により得られた直径約１１．５ｍｍ
φ、厚み約０．２ｍｍの円板状磁器素体についてスクリ
ーン印刷により両円板面に銀ペーストを印刷し、８００
℃で焼き付け処理をしてコンデンサの電極を形成した。
次に、銀電極焼き付け面にリード線をはんだ付けし、各
種特性評価用の試料とした。
φ、厚み約０．２ｍｍの円板状磁器素体についてスクリ
ーン印刷により両円板面に銀ペーストを印刷し、８００
℃で焼き付け処理をしてコンデンサの電極を形成した。
次に、銀電極焼き付け面にリード線をはんだ付けし、各
種特性評価用の試料とした。
【００２６】得られた試料について、誘電率（εｓ）、
誘電体損失（ｔａｎδ（％））、絶縁抵抗（ＩＲ（Ｇ
Ω））、誘電容量変化率の温度特性（−２５℃及び＋８
５℃における変化率（％））、及びキューリー点（℃）
を測定した。
誘電体損失（ｔａｎδ（％））、絶縁抵抗（ＩＲ（Ｇ
Ω））、誘電容量変化率の温度特性（−２５℃及び＋８
５℃における変化率（％））、及びキューリー点（℃）
を測定した。
【００２７】なお、誘電率（εｓ）及び誘電体損失（ｔ
ａｎδ（％））は、ＬＣＲメーター（ヒューレット・パ
ッカード社製「４２７４Ａ」）を用いて１ＫＨｚ，１
Ｖ，２５℃の条件下で、絶縁抵抗（ＩＲ）は、ＩＲメー
ター（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製「Ｒ８３４０Ａ」）を用
いて直流５００Ｖ，６０秒間印加，２５℃の条件下でそ
れぞれ測定した。また、静電容量変化率の温度特性は、
ＪＩＳ規格に従い、２０℃における静電容量を基準とし
て、−２５℃〜＋８５℃の温度範囲における変化率を調
べた。
ａｎδ（％））は、ＬＣＲメーター（ヒューレット・パ
ッカード社製「４２７４Ａ」）を用いて１ＫＨｚ，１
Ｖ，２５℃の条件下で、絶縁抵抗（ＩＲ）は、ＩＲメー
ター（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製「Ｒ８３４０Ａ」）を用
いて直流５００Ｖ，６０秒間印加，２５℃の条件下でそ
れぞれ測定した。また、静電容量変化率の温度特性は、
ＪＩＳ規格に従い、２０℃における静電容量を基準とし
て、−２５℃〜＋８５℃の温度範囲における変化率を調
べた。
【００２８】結果を表２に示す。なお、表中、試料Ｎ
ｏ．の欄に＊印を付したものは、本発明の範囲外の試
料、即ち比較例である。
ｏ．の欄に＊印を付したものは、本発明の範囲外の試
料、即ち比較例である。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【表２】
【００３１】実施例２ 実施例１（試料Ｎｏ．１）において、副成分として表３
に示すものを、主成分に対する割合が表３に示す量とな
るように用いたこと以外は同様にして素体及び試料を製
造し、同様に評価を行って結果を表３に示した。
に示すものを、主成分に対する割合が表３に示す量とな
るように用いたこと以外は同様にして素体及び試料を製
造し、同様に評価を行って結果を表３に示した。
【００３２】
【表３】
【００３３】実施例３ 実施例１（試料Ｎｏ．５）において、副成分として表４
に示すものを主成分に対する割合が表４に示す量となる
ように用いたこと以外は同様にして素体及び試料を製造
し、同様に評価を行って結果を表４に示した。
に示すものを主成分に対する割合が表４に示す量となる
ように用いたこと以外は同様にして素体及び試料を製造
し、同様に評価を行って結果を表４に示した。
【００３４】
【表４】
【００３５】表１，２の本発明品に係る試料Ｎｏ．１，
２，５，１１，１２，１３及び表３〜４に示されるよう
に、本発明によれば結晶粒径を５〜２０μｍに制御する
ことができ、これにより、反り不良及び結着不良の発生
率が低くかつεｓの高い誘電体磁器組成物を得ることが
できる。
２，５，１１，１２，１３及び表３〜４に示されるよう
に、本発明によれば結晶粒径を５〜２０μｍに制御する
ことができ、これにより、反り不良及び結着不良の発生
率が低くかつεｓの高い誘電体磁器組成物を得ることが
できる。
【００３６】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の誘電体磁器
組成物によれば、焼成時の結晶粒成長が抑制され、焼成
時の素地の変形や素地同士の結着が防止されると共に、
絶縁破壊電圧の低下や静電容量のバラツキの増大も防止
される。このため、本発明の誘電体磁器組成物によれ
ば、誘電特性に優れた円板形磁器コンデンサを歩留り良
く製造することが可能となる。
組成物によれば、焼成時の結晶粒成長が抑制され、焼成
時の素地の変形や素地同士の結着が防止されると共に、
絶縁破壊電圧の低下や静電容量のバラツキの増大も防止
される。このため、本発明の誘電体磁器組成物によれ
ば、誘電特性に優れた円板形磁器コンデンサを歩留り良
く製造することが可能となる。
Claims (1)
- 【請求項１】 下記組成の主成分と、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2
Ｏ3 ，ＺｎＯ，Ｂ2Ｏ3 ，ＷＯ3 ，カオリン及びＭｎＯ
よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の副成分とか
らなり、該副成分の割合が前記主成分に対して０．０５
〜２重量％であることを特徴とする誘電体磁器組成物。 （Ｂａ1-Q-X ＣａQ ＳｒX)A(Ｔｉ1-Y-Z ＺｒY ＳｎZ)Ｏ
(A+2) ただし、Ｑ，Ｘ，Ｙ，Ｚ，Ａは次の通りである。 ０．０４≦Ｑ≦０．０８ ０≦Ｘ≦０．０２ ０．０１５≦Ｙ≦０．０３ ０．０３５≦Ｚ≦０．０７ １＜Ａ≦１．０２
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8053103A JPH09241070A (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8053103A JPH09241070A (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09241070A true JPH09241070A (ja) | 1997-09-16 |
Family
ID=12933464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8053103A Withdrawn JPH09241070A (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09241070A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0986076A2 (en) * | 1998-09-11 | 2000-03-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic parts |
| KR100917645B1 (ko) * | 2007-04-24 | 2009-09-17 | 삼화콘덴서공업주식회사 | Ｓｍｄ형 세라믹 디스크 커패시터 |
| JP2012140258A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
| JP2013063909A (ja) * | 2006-11-30 | 2013-04-11 | Korea Inst Of Ceramic Engineering & Technology | 非ガラス系マイクロ波誘電体 |
| JP2013245150A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
| JP2014112665A (ja) * | 2012-11-02 | 2014-06-19 | Canon Inc | 圧電材料、圧電素子、および電子機器 |
| CN106977178A (zh) * | 2017-03-05 | 2017-07-25 | 临沂金成电子有限公司 | 一种微波陶瓷介质材料及制备方法 |
-
1996
- 1996-03-11 JP JP8053103A patent/JPH09241070A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0986076A2 (en) * | 1998-09-11 | 2000-03-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic parts |
| EP0986076A3 (en) * | 1998-09-11 | 2006-05-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic parts |
| JP2013063909A (ja) * | 2006-11-30 | 2013-04-11 | Korea Inst Of Ceramic Engineering & Technology | 非ガラス系マイクロ波誘電体 |
| JP2013091599A (ja) * | 2006-11-30 | 2013-05-16 | Korea Inst Of Ceramic Engineering & Technology | 誘電体セラミックス組成物 |
| KR100917645B1 (ko) * | 2007-04-24 | 2009-09-17 | 삼화콘덴서공업주식회사 | Ｓｍｄ형 세라믹 디스크 커패시터 |
| JP2012140258A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
| JP2013245150A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
| JP2014112665A (ja) * | 2012-11-02 | 2014-06-19 | Canon Inc | 圧電材料、圧電素子、および電子機器 |
| CN106977178A (zh) * | 2017-03-05 | 2017-07-25 | 临沂金成电子有限公司 | 一种微波陶瓷介质材料及制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100414331B1 (ko) | 비환원성 유전체 세라믹 및 이것을 사용한 모놀리식 세라믹 커패시터 | |
| JP4446324B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びそれを用いたコンデンサ | |
| JPH05152158A (ja) | セラミツクコンデンサ | |
| JPH08337471A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH09241070A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| US4809130A (en) | Low temperature sintered ceramic capacitor having a high resistivity and bending strength, and method of manufacture | |
| JP3250923B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2919360B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2004196650A (ja) | 誘電体磁器組成物、及びセラミック電子部品 | |
| JP2003104774A (ja) | 誘電体磁器組成物及びそれを用いたコンデンサ | |
| JP2915217B2 (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| JP3250917B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2902925B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3228649B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH09255424A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2779740B2 (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| JP3250927B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2872513B2 (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| JP3600701B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3389947B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた厚膜コンデンサ | |
| JP3401145B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH054354B2 (ja) | ||
| JPH027166B2 (ja) | ||
| JPH04368709A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2508373B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および誘電体磁器の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030603 |