JPH09239621A - 放電加工装置および放電加工方法 - Google Patents
放電加工装置および放電加工方法Info
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- JPH09239621A JPH09239621A JP8047402A JP4740296A JPH09239621A JP H09239621 A JPH09239621 A JP H09239621A JP 8047402 A JP8047402 A JP 8047402A JP 4740296 A JP4740296 A JP 4740296A JP H09239621 A JPH09239621 A JP H09239621A
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23H—WORKING OF METAL BY THE ACTION OF A HIGH CONCENTRATION OF ELECTRIC CURRENT ON A WORKPIECE USING AN ELECTRODE WHICH TAKES THE PLACE OF A TOOL; SUCH WORKING COMBINED WITH OTHER FORMS OF WORKING OF METAL
- B23H7/00—Processes or apparatus applicable to both electrical discharge machining and electrochemical machining
- B23H7/14—Electric circuits specially adapted therefor, e.g. power supply
- B23H7/18—Electric circuits specially adapted therefor, e.g. power supply for maintaining or controlling the desired spacing between electrode and workpiece
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- B23H1/00—Electrical discharge machining, i.e. removing metal with a series of rapidly recurring electrical discharges between an electrode and a workpiece in the presence of a fluid dielectric
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- B23H7/00—Processes or apparatus applicable to both electrical discharge machining and electrochemical machining
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- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 加工液中の粉末混入濃度が低下したことを自
動的に検出し、粉末混入濃度の低下が検出された時は、
粉末物質の供給、および加工条件を変更することで、粉
末混入濃度低下による加工面の鏡面性の悪化を防ぎ、所
望の鏡面を得る放電加工装置を提供すること。 【解決手段】 加工終了位置検出装置３１で検出される
第ｋ−１段目の加工終了位置と加工開始位置検出装置３
０で検出される第ｋ段目の加工開始位置を加工位置比較
装置３２で比較し、その差が所定数以下の場合、加工条
件変更装置３３と粉制御弁３５へ信号を送り、加工条件
を変更すると共に、加工液中に粉末物質を供給して行
う。
動的に検出し、粉末混入濃度の低下が検出された時は、
粉末物質の供給、および加工条件を変更することで、粉
末混入濃度低下による加工面の鏡面性の悪化を防ぎ、所
望の鏡面を得る放電加工装置を提供すること。 【解決手段】 加工終了位置検出装置３１で検出される
第ｋ−１段目の加工終了位置と加工開始位置検出装置３
０で検出される第ｋ段目の加工開始位置を加工位置比較
装置３２で比較し、その差が所定数以下の場合、加工条
件変更装置３３と粉制御弁３５へ信号を送り、加工条件
を変更すると共に、加工液中に粉末物質を供給して行
う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主に電極の位置情
報に基づいて加工の安定化、最適化を行うようにした放
電加工装置および放電加工方法に関するものである。
報に基づいて加工の安定化、最適化を行うようにした放
電加工装置および放電加工方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】形彫り放電加工において、図６に示すよ
うな荒加工から仕上加工までを多段階にピーク電流値や
パルス幅などの加工条件と電極位置を変えながら所望の
形状を得る多段階放電加工が一般的になっている。その
理由は、放電加工において所望の面あらさに仕上げる場
合、最初からその仕上加工条件で加工すると電気エネル
ギーが小さいため、非常に加工時間を要してしまう。そ
のため加工面あらさは大きいが、電気エネルギーが大き
いため加工速度が速い荒加工条件で加工する大部分を除
去し、その後、徐々に電気エネルギーが小さな加工条件
に切り換えながら少しずつ加工深さを深くして、所望の
面あらさを得る多段階放電加工は高い加工効率を得られ
る加工方法として一般的に行われている。また最近で
は、多段加工のある段階から通常の油加工液に金属や半
金属の粉末物質を混入した粉末混入加工液を電極と被加
工物で形成される加工間隙に供給して加工を行なう粉末
混入放電加工に切り換えて加工面を鏡面まで仕上げる加
工も一般的になっている。
うな荒加工から仕上加工までを多段階にピーク電流値や
パルス幅などの加工条件と電極位置を変えながら所望の
形状を得る多段階放電加工が一般的になっている。その
理由は、放電加工において所望の面あらさに仕上げる場
合、最初からその仕上加工条件で加工すると電気エネル
ギーが小さいため、非常に加工時間を要してしまう。そ
のため加工面あらさは大きいが、電気エネルギーが大き
いため加工速度が速い荒加工条件で加工する大部分を除
去し、その後、徐々に電気エネルギーが小さな加工条件
に切り換えながら少しずつ加工深さを深くして、所望の
面あらさを得る多段階放電加工は高い加工効率を得られ
る加工方法として一般的に行われている。また最近で
は、多段加工のある段階から通常の油加工液に金属や半
金属の粉末物質を混入した粉末混入加工液を電極と被加
工物で形成される加工間隙に供給して加工を行なう粉末
混入放電加工に切り換えて加工面を鏡面まで仕上げる加
工も一般的になっている。
【０００３】この粉末混入放電加工は、仕上加工におい
て、加工面積が５００（ｃｍ2 ）程度までなら面あらさ
１〜２（μｍＲｍａｘ）の鏡面まで仕上げられる他に、
加工速度が従来よりも数倍速くなるなどの非常に優れた
加工特性を持っているが、荒加工では通常の油加工液に
よる加工特性と変わらないことから、粉末の寿命や加工
液の濾過の点を考慮し、第１段目から加工面あらさが１
０〜２０（μｍＲｍａｘ）になるような加工段までは通
常の加工液で加工を行い、それ以降の加工段になって加
工液を粉末混入加工液に切り換えて加工を行なう方法が
採用されている。
て、加工面積が５００（ｃｍ2 ）程度までなら面あらさ
１〜２（μｍＲｍａｘ）の鏡面まで仕上げられる他に、
加工速度が従来よりも数倍速くなるなどの非常に優れた
加工特性を持っているが、荒加工では通常の油加工液に
よる加工特性と変わらないことから、粉末の寿命や加工
液の濾過の点を考慮し、第１段目から加工面あらさが１
０〜２０（μｍＲｍａｘ）になるような加工段までは通
常の加工液で加工を行い、それ以降の加工段になって加
工液を粉末混入加工液に切り換えて加工を行なう方法が
採用されている。
【０００４】次に図７を用いて従来の粉末混入放電加工
装置について説明する。図７において、１は電極、２は
被加工物、３は加工槽、４は制御装置、５は制御装置４
により指令を受け、電極１と被加工物２で形成される加
工間隙に放電パルスを供給する加工電源、６は加工間隙
に発生する放電電圧を平均化する平均化回路、７は平均
化回路６によって平均化された放電電圧に対する基準電
圧を設定する基準電圧設定装置、８は制御装置４によっ
てその駆動を制御されるサーボモータ、９は電極１を固
定し、サーボモータ８によりボールネジ１０を介してＺ
軸方向に駆動されるスライダー、１１は電極１の位置を
検出するリニアスケール、１２は通常の油加工液１４を
貯留する加工液タンク、１３は粉末物質１５が混入され
た粉末混入加工液１６を貯留する加工液タンク、１７，
１８は加工液タンク１２，１３に貯留された加工液を汲
み上げ加工槽３へ供給するポンプであり、これも制御装
置４によりその駆動を制御されている。そして、１９，
２０，２１，２２は制御装置４の指令によりその開閉を
行なう制御弁である。
装置について説明する。図７において、１は電極、２は
被加工物、３は加工槽、４は制御装置、５は制御装置４
により指令を受け、電極１と被加工物２で形成される加
工間隙に放電パルスを供給する加工電源、６は加工間隙
に発生する放電電圧を平均化する平均化回路、７は平均
化回路６によって平均化された放電電圧に対する基準電
圧を設定する基準電圧設定装置、８は制御装置４によっ
てその駆動を制御されるサーボモータ、９は電極１を固
定し、サーボモータ８によりボールネジ１０を介してＺ
軸方向に駆動されるスライダー、１１は電極１の位置を
検出するリニアスケール、１２は通常の油加工液１４を
貯留する加工液タンク、１３は粉末物質１５が混入され
た粉末混入加工液１６を貯留する加工液タンク、１７，
１８は加工液タンク１２，１３に貯留された加工液を汲
み上げ加工槽３へ供給するポンプであり、これも制御装
置４によりその駆動を制御されている。そして、１９，
２０，２１，２２は制御装置４の指令によりその開閉を
行なう制御弁である。
【０００５】次に動作について以下に説明する。多段階
に加工条件と各加工条件における電極の位置を変えなが
ら所望の面あらさや形状になるまで加工を行う場合、ま
ず加工液タンク１２内の通常油加工液１４をポンプ１７
によって汲み上げ、制御弁２０を介して加工槽３内へ供
給する。そして、加工槽３内に通常油加工液１４が十分
供給された後、制御装置４は加工電源５に指令を送り、
加工電源５は第１段目の加工条件に切り換えて電極１と
被加工物２で形成される加工間隙に放電パルスを供給し
て放電加工を開始する。この時、制御装置４はサーボモ
ータ８に指令し、電極１を被加工物２に対してＺ方向に
送る。そして、電極１が第１段目の所定の加工深さＺ1
の位置に達したことをリニアスケール１１が検出する
と、制御装置４は加工電源５に指令して、第２段目の加
工条件に切り換えて、第２段目の所定の加工深さＺ2 ま
で加工を行う。そして、これら一連の動作を最終の第ｎ
段目まで繰り返す。
に加工条件と各加工条件における電極の位置を変えなが
ら所望の面あらさや形状になるまで加工を行う場合、ま
ず加工液タンク１２内の通常油加工液１４をポンプ１７
によって汲み上げ、制御弁２０を介して加工槽３内へ供
給する。そして、加工槽３内に通常油加工液１４が十分
供給された後、制御装置４は加工電源５に指令を送り、
加工電源５は第１段目の加工条件に切り換えて電極１と
被加工物２で形成される加工間隙に放電パルスを供給し
て放電加工を開始する。この時、制御装置４はサーボモ
ータ８に指令し、電極１を被加工物２に対してＺ方向に
送る。そして、電極１が第１段目の所定の加工深さＺ1
の位置に達したことをリニアスケール１１が検出する
と、制御装置４は加工電源５に指令して、第２段目の加
工条件に切り換えて、第２段目の所定の加工深さＺ2 ま
で加工を行う。そして、これら一連の動作を最終の第ｎ
段目まで繰り返す。
【０００６】ここで、電極１と被加工物２で形成される
加工間隙長の制御方法について説明する。加工電源５か
ら加工間隙にパルス状電圧を印加すると、図８（ａ）に
示すように、放電が発生するまでの遅延時間Ｔo の間だ
け開放電圧Ｖo が現れ、その後放電が発生してパルス幅
Ｔonの間、放電電圧Ｖg が現れる。そして、休止時間Ｔ
off 後に次のパルス状電圧が印加される。しかし、加工
間隙長が適正距離よりも短くなると、図８（ｂ）で示す
ように、直ちに放電が発生するため開放電圧Ｖo の時間
Ｔo が無いまま放電電圧Ｖg となり、このまま加工を持
続するとアーク状態に発展して電極やワークを損傷して
しまう。また、加工間隙長が適正距離より離れている
と、図８（ｃ）で示すように、放電が発生しにくくなる
ため開放電圧Ｖo の時間Ｔo が非常に長くなり、単位時
間当たりの放電回数が減少するため、加工効率が大幅に
減少する。よって、加工間隙長の変化が生じることを防
ぐため、平均化された放電電圧を測定し、これを基準電
圧と比較することで加工間隙長を制御する。つまり、加
工間隙に現れる放電電圧を平均化回路６で平均化した値
Ｖave は、図８（ａ）より、 Ｖave ＝（Ｖo ・Ｔo ＋Ｖg ・Ｔon）／（Ｔo ＋Ｔon＋Ｔoff ）…（１） と近似できる。そして加工間隙長が適正距離の時のＶav
e を基準電圧Ｖref として予め基準電圧設定装置７に設
定して起き、加工間隙長が適正距離より離れているとき
は、放電遅延時間Ｔo が大きくなることから、式（１）
よりＶave の値は基準電圧Ｖref より大きくなり、これ
を検出して制御装置４からサーボモータ８へ指令を出
し、電極１を被加工物２へ近づけるように制御する。逆
に、加工間隙長が適正距離より近づきすぎている場合
は、放電遅延時間Ｔo が小さくなることから、式（１）
よりＶave の値は基準電圧Ｖref より小さくなり、これ
を検出して制御装置４からサーボモータ８へ指令を出
し、電極１を被加工物２から引き離すように制御する。
放電加工中はこのような加工間隙長制御を数μｍから数
十μｍの範囲で常に行っている。
加工間隙長の制御方法について説明する。加工電源５か
ら加工間隙にパルス状電圧を印加すると、図８（ａ）に
示すように、放電が発生するまでの遅延時間Ｔo の間だ
け開放電圧Ｖo が現れ、その後放電が発生してパルス幅
Ｔonの間、放電電圧Ｖg が現れる。そして、休止時間Ｔ
off 後に次のパルス状電圧が印加される。しかし、加工
間隙長が適正距離よりも短くなると、図８（ｂ）で示す
ように、直ちに放電が発生するため開放電圧Ｖo の時間
Ｔo が無いまま放電電圧Ｖg となり、このまま加工を持
続するとアーク状態に発展して電極やワークを損傷して
しまう。また、加工間隙長が適正距離より離れている
と、図８（ｃ）で示すように、放電が発生しにくくなる
ため開放電圧Ｖo の時間Ｔo が非常に長くなり、単位時
間当たりの放電回数が減少するため、加工効率が大幅に
減少する。よって、加工間隙長の変化が生じることを防
ぐため、平均化された放電電圧を測定し、これを基準電
圧と比較することで加工間隙長を制御する。つまり、加
工間隙に現れる放電電圧を平均化回路６で平均化した値
Ｖave は、図８（ａ）より、 Ｖave ＝（Ｖo ・Ｔo ＋Ｖg ・Ｔon）／（Ｔo ＋Ｔon＋Ｔoff ）…（１） と近似できる。そして加工間隙長が適正距離の時のＶav
e を基準電圧Ｖref として予め基準電圧設定装置７に設
定して起き、加工間隙長が適正距離より離れているとき
は、放電遅延時間Ｔo が大きくなることから、式（１）
よりＶave の値は基準電圧Ｖref より大きくなり、これ
を検出して制御装置４からサーボモータ８へ指令を出
し、電極１を被加工物２へ近づけるように制御する。逆
に、加工間隙長が適正距離より近づきすぎている場合
は、放電遅延時間Ｔo が小さくなることから、式（１）
よりＶave の値は基準電圧Ｖref より小さくなり、これ
を検出して制御装置４からサーボモータ８へ指令を出
し、電極１を被加工物２から引き離すように制御する。
放電加工中はこのような加工間隙長制御を数μｍから数
十μｍの範囲で常に行っている。
【０００７】次に、第ｋ段目から粉末混入放電加工を行
う場合について説明する。第ｋ−１段目の加工が終了し
た時点で、いったん加工を中断して、加工槽３内の通常
加工液１４を制御弁１９を介して加工液タンク１２へ排
出し、排出が完了すると加工液タンク１３内の粉末混入
加工液１６をポンプ１８によって汲み上げ、制御弁２２
を介して加工槽３へ供給し、加工槽３内に粉末混入加工
液１０が十分供給されると、制御装置４は加工電源５に
指令を送り、第ｋ段目の加工条件に切り換えて放電加工
を開始すると共に、サーボモータ８に指令を送って電極
１を加工深さＺk まで送り、電極１が加工深さＺk に達
した時点で第ｋ段目の粉末混入放電加工を終了する。
う場合について説明する。第ｋ−１段目の加工が終了し
た時点で、いったん加工を中断して、加工槽３内の通常
加工液１４を制御弁１９を介して加工液タンク１２へ排
出し、排出が完了すると加工液タンク１３内の粉末混入
加工液１６をポンプ１８によって汲み上げ、制御弁２２
を介して加工槽３へ供給し、加工槽３内に粉末混入加工
液１０が十分供給されると、制御装置４は加工電源５に
指令を送り、第ｋ段目の加工条件に切り換えて放電加工
を開始すると共に、サーボモータ８に指令を送って電極
１を加工深さＺk まで送り、電極１が加工深さＺk に達
した時点で第ｋ段目の粉末混入放電加工を終了する。
【０００８】また、加工間隙間の加工状態に応じて加工
条件を制御する方法として、特開平４−６３６２３に開
示されているような方法がある。
条件を制御する方法として、特開平４−６３６２３に開
示されているような方法がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】我々の研究によれば、
粉末混入放電加工の大きな特徴である加工面の鏡面性は
加工液中の粉末混入濃度に大きく影響され、一般的な粉
末混入放電加工では粉末混入濃度を２０〜３０（ｇ／
ｌ）に設定して安定な鏡面加工を行っているが、粉末混
入濃度が１０（ｇ／ｌ）未満になると加工面あらさが大
きくなり、加工面は鏡面を得られないことが分かってい
る。
粉末混入放電加工の大きな特徴である加工面の鏡面性は
加工液中の粉末混入濃度に大きく影響され、一般的な粉
末混入放電加工では粉末混入濃度を２０〜３０（ｇ／
ｌ）に設定して安定な鏡面加工を行っているが、粉末混
入濃度が１０（ｇ／ｌ）未満になると加工面あらさが大
きくなり、加工面は鏡面を得られないことが分かってい
る。
【００１０】しかし粉末混入加工液を用いる場合、油加
工液に混入されている金属、あるいは半金属の粉末物質
の比重は油加工液よりも大きいため、加工液を攪拌して
も粉末物質は攪拌によって生じる加工液の流れが淀む部
分に沈澱してしまう。このため、粉末混入放電加工時間
が長くなるにつれ、粉末混入加工液１６中の粉末物質１
５の濃度は減少し、電極１と被加工物２で形成される加
工間隙の粉末混入濃度が小さくなり、粉末混入濃度が１
０（ｇ／ｌ）以下になると、目的の鏡面が得られない。
工液に混入されている金属、あるいは半金属の粉末物質
の比重は油加工液よりも大きいため、加工液を攪拌して
も粉末物質は攪拌によって生じる加工液の流れが淀む部
分に沈澱してしまう。このため、粉末混入放電加工時間
が長くなるにつれ、粉末混入加工液１６中の粉末物質１
５の濃度は減少し、電極１と被加工物２で形成される加
工間隙の粉末混入濃度が小さくなり、粉末混入濃度が１
０（ｇ／ｌ）以下になると、目的の鏡面が得られない。
【００１１】また、粉末混入放電加工中に沈澱した粉末
物質１５は、次の油加工の際、加工槽３には通常の油加
工液１４が供給されるため、粉末物質１５と油加工液１
４が混じり合い、加工液タンク１２へ持ち運ばれてしま
う。このため、粉末混入加工液タンク１３内の粉末混入
濃度は減少していき、粉末混入濃度が１０（ｇ／ｌ）以
下になると、目的の鏡面が得られない。
物質１５は、次の油加工の際、加工槽３には通常の油加
工液１４が供給されるため、粉末物質１５と油加工液１
４が混じり合い、加工液タンク１２へ持ち運ばれてしま
う。このため、粉末混入加工液タンク１３内の粉末混入
濃度は減少していき、粉末混入濃度が１０（ｇ／ｌ）以
下になると、目的の鏡面が得られない。
【００１２】また、電極１の形状が複雑であったり、加
工深さが深い場合、粉末物質１５が電極１と被加工物２
で形成される加工間隙に十分供給されず、加工間隙の粉
末混入濃度が１０（ｇ／ｌ）以下になって目的の鏡面が
得られない。
工深さが深い場合、粉末物質１５が電極１と被加工物２
で形成される加工間隙に十分供給されず、加工間隙の粉
末混入濃度が１０（ｇ／ｌ）以下になって目的の鏡面が
得られない。
【００１３】特開平４−６３６２３に開示されている方
法は、加工液が油加工液の際に加工状態を安定に制御す
る方法であって、粉末混入濃度の低下に起因する加工状
態の判定はできない。
法は、加工液が油加工液の際に加工状態を安定に制御す
る方法であって、粉末混入濃度の低下に起因する加工状
態の判定はできない。
【００１４】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたもので、加工間隙の粉末混入濃度が減少す
ることに起因する加工面の鏡面性の悪化を防ぎ、所望の
鏡面（面あらさ）を得ることを目的とするものである。
めになされたもので、加工間隙の粉末混入濃度が減少す
ることに起因する加工面の鏡面性の悪化を防ぎ、所望の
鏡面（面あらさ）を得ることを目的とするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明に係る放電加工
装置は、電極と被加工物とで形成される加工間隙に粉末
物質を混入した加工液を満たして、パルス電圧を印加し
て加工を行なう放電加工装置において、多段階加工を行
なう際に、各段階の加工開始位置を検出する加工開始位
置検出手段と、各段階の加工終了位置を検出する加工終
了位置検出手段と、この加工終了位置検出手段により検
出された前段階の加工終了位置と前記加工開始位置検出
手段によって検出された次段階の加工開始位置とを比較
する加工位置比較手段と、この加工位置比較手段によっ
て得られる比較結果に応じて加工条件を変更する加工条
件変更手段とを備えたものである。
装置は、電極と被加工物とで形成される加工間隙に粉末
物質を混入した加工液を満たして、パルス電圧を印加し
て加工を行なう放電加工装置において、多段階加工を行
なう際に、各段階の加工開始位置を検出する加工開始位
置検出手段と、各段階の加工終了位置を検出する加工終
了位置検出手段と、この加工終了位置検出手段により検
出された前段階の加工終了位置と前記加工開始位置検出
手段によって検出された次段階の加工開始位置とを比較
する加工位置比較手段と、この加工位置比較手段によっ
て得られる比較結果に応じて加工条件を変更する加工条
件変更手段とを備えたものである。
【００１６】また、前記加工位置比較手段は、前記加工
開始位置検出手段により検出された次段階の加工開始位
置と前記加工終了位置検出手段により検出された前段階
の加工終了位置との差が所定数以下のとき、前記粉末物
質の加工液中の濃度が小さいと判断するものである。
開始位置検出手段により検出された次段階の加工開始位
置と前記加工終了位置検出手段により検出された前段階
の加工終了位置との差が所定数以下のとき、前記粉末物
質の加工液中の濃度が小さいと判断するものである。
【００１７】また、前記加工位置比較手段により前記粉
末物質の加工液中の濃度が小さいと判断されたときに前
記加工液中に前記粉末物質を供給する粉末供給手段を備
えたものである。
末物質の加工液中の濃度が小さいと判断されたときに前
記加工液中に前記粉末物質を供給する粉末供給手段を備
えたものである。
【００１８】また、この発明に係る放電加工装置は、電
極と被加工物とで形成される加工間隙に粉末物質を混入
した加工液を満たして、パルス電圧を印加して加工を行
なう放電加工装置において、所定時間毎に加工に寄与す
る有効放電パルス数を検出する有効放電パルス数検出手
段と、各放電加工条件における放電パルス１発当たりの
加工量を設定する加工量設定手段と、各放電加工条件に
おける加工面積を設定する面積設定手段と、前記有効放
電パルス数検出手段により検出された有効放電パルス数
と前記加工量設定手段により設定された放電パルス１発
当たりの加工量と前記面積設定手段により設定された加
工面積とから所定時間での前記電極の予定進行量を演算
する電極進行量演算手段と、所定時間毎に前記電極が加
工中に実際に進行した量を検出する電極進行量検出手段
と、前記電極進行量演算手段により求められる予定進行
量と前記電極進行量検出手段により検出された実際の電
極進行量とを比較する電極進行量比較手段と、この電極
進行量比較手段によって得られる比較結果に応じて加工
条件を変更する加工条件変更手段とを備えたものであ
る。
極と被加工物とで形成される加工間隙に粉末物質を混入
した加工液を満たして、パルス電圧を印加して加工を行
なう放電加工装置において、所定時間毎に加工に寄与す
る有効放電パルス数を検出する有効放電パルス数検出手
段と、各放電加工条件における放電パルス１発当たりの
加工量を設定する加工量設定手段と、各放電加工条件に
おける加工面積を設定する面積設定手段と、前記有効放
電パルス数検出手段により検出された有効放電パルス数
と前記加工量設定手段により設定された放電パルス１発
当たりの加工量と前記面積設定手段により設定された加
工面積とから所定時間での前記電極の予定進行量を演算
する電極進行量演算手段と、所定時間毎に前記電極が加
工中に実際に進行した量を検出する電極進行量検出手段
と、前記電極進行量演算手段により求められる予定進行
量と前記電極進行量検出手段により検出された実際の電
極進行量とを比較する電極進行量比較手段と、この電極
進行量比較手段によって得られる比較結果に応じて加工
条件を変更する加工条件変更手段とを備えたものであ
る。
【００１９】また、前記電極進行量比較手段は、前記電
極進行量検出手段により検出された電極進行量と前記電
極進行量演算手段により求められた予定進行量との差が
所定値以上のとき、前記粉末物質の加工液中の濃度が小
さいと判断するものである。
極進行量検出手段により検出された電極進行量と前記電
極進行量演算手段により求められた予定進行量との差が
所定値以上のとき、前記粉末物質の加工液中の濃度が小
さいと判断するものである。
【００２０】また、前記電極進行量比較手段により前記
粉末物質の加工液中の濃度が小さいと判断されたときに
前記加工液中に粉末物質を供給する粉末供給手段を備え
たものである。
粉末物質の加工液中の濃度が小さいと判断されたときに
前記加工液中に粉末物質を供給する粉末供給手段を備え
たものである。
【００２１】さらに、前記加工条件変更手段は、前記加
工間隙に発生する放電電圧に対する基準電圧を変更する
ようにしたものである。
工間隙に発生する放電電圧に対する基準電圧を変更する
ようにしたものである。
【００２２】また、前記加工条件変更手段は、放電休止
時間を変更するようにしたものである。
時間を変更するようにしたものである。
【００２３】また、前記加工条件変更手段は、電極定時
引き上げ量を変更するようにしたものである。
引き上げ量を変更するようにしたものである。
【００２４】また、この発明に係る放電加工方法は、電
極と被加工物とで形成される加工間隙に粉末物質を混入
した加工液を満たして、パルス電圧を印加して加工を行
なう放電加工方法において、多段階加工を行なう際に、
各段階の加工開始位置を検出する加工開始位置検出ステ
ップと、各段階の加工終了位置を検出する加工終了位置
検出ステップと、この検出された前段階の加工終了位置
と次段階の加工開始位置とを比較する加工位置比較ステ
ップと、この加工位置比較ステップで得られる比較結果
に応じて加工条件を変更する加工条件変更ステップとを
含むものである。
極と被加工物とで形成される加工間隙に粉末物質を混入
した加工液を満たして、パルス電圧を印加して加工を行
なう放電加工方法において、多段階加工を行なう際に、
各段階の加工開始位置を検出する加工開始位置検出ステ
ップと、各段階の加工終了位置を検出する加工終了位置
検出ステップと、この検出された前段階の加工終了位置
と次段階の加工開始位置とを比較する加工位置比較ステ
ップと、この加工位置比較ステップで得られる比較結果
に応じて加工条件を変更する加工条件変更ステップとを
含むものである。
【００２５】また、前記加工位置比較ステップは、前記
加工開始位置検出ステップにより検出された次段階の加
工開始位置と前記加工終了位置検出ステップにより検出
された前段階の加工終了位置との差が所定数以下のと
き、前記粉末物質の加工液中の濃度が小さいと判断する
ものである。
加工開始位置検出ステップにより検出された次段階の加
工開始位置と前記加工終了位置検出ステップにより検出
された前段階の加工終了位置との差が所定数以下のと
き、前記粉末物質の加工液中の濃度が小さいと判断する
ものである。
【００２６】また、前記加工位置比較ステップにより前
記粉末物質の加工液中の濃度が小さいと判断されたとき
に前記加工液中に前記粉末物質を供給する粉末供給ステ
ップを含むものである。
記粉末物質の加工液中の濃度が小さいと判断されたとき
に前記加工液中に前記粉末物質を供給する粉末供給ステ
ップを含むものである。
【００２７】また、この発明に係る放電加工方法は、電
極と被加工物とで形成される加工間隙に粉末物質を混入
した加工液を満たして、パルス電圧を印加して加工を行
なう放電加工方法において、所定時間毎に加工に寄与す
る有効放電パルス数を検出する有効放電パルス数検出ス
テップと、各放電加工条件における放電パルス１発当た
りの加工量を設定する加工量設定ステップと、各放電加
工条件における加工面積を設定する面積設定ステップ
と、前記有効放電パルス数検出ステップにて検出された
有効放電パルス数と前記加工量設定ステップにて設定さ
れた放電パルス１発当たりの加工量と前記面積設定ステ
ップにて設定された加工面積とから所定時間での前記電
極の予定進行量を演算する電極進行量演算ステップと、
所定時間毎に前記電極が加工中に実際に進行した量を検
出する電極進行量検出ステップと、前記電極進行量演算
ステップにて求められる予定進行量と前記電極進行量検
出ステップにて検出された実際の電極進行量とを比較す
る電極進行量比較ステップと、この電極進行量比較ステ
ップにて得られる比較結果に応じて加工条件を変更する
加工条件変更ステップとを含むものである。
極と被加工物とで形成される加工間隙に粉末物質を混入
した加工液を満たして、パルス電圧を印加して加工を行
なう放電加工方法において、所定時間毎に加工に寄与す
る有効放電パルス数を検出する有効放電パルス数検出ス
テップと、各放電加工条件における放電パルス１発当た
りの加工量を設定する加工量設定ステップと、各放電加
工条件における加工面積を設定する面積設定ステップ
と、前記有効放電パルス数検出ステップにて検出された
有効放電パルス数と前記加工量設定ステップにて設定さ
れた放電パルス１発当たりの加工量と前記面積設定ステ
ップにて設定された加工面積とから所定時間での前記電
極の予定進行量を演算する電極進行量演算ステップと、
所定時間毎に前記電極が加工中に実際に進行した量を検
出する電極進行量検出ステップと、前記電極進行量演算
ステップにて求められる予定進行量と前記電極進行量検
出ステップにて検出された実際の電極進行量とを比較す
る電極進行量比較ステップと、この電極進行量比較ステ
ップにて得られる比較結果に応じて加工条件を変更する
加工条件変更ステップとを含むものである。
【００２８】また、前記電極進行量比較ステップは、前
記電極進行量検出ステップにより検出された電極進行量
と前記電極進行量演算ステップにより求められた予定進
行量との差が所定値以上のとき、前記粉末物質の加工液
中の濃度が小さいと判断するものである。
記電極進行量検出ステップにより検出された電極進行量
と前記電極進行量演算ステップにより求められた予定進
行量との差が所定値以上のとき、前記粉末物質の加工液
中の濃度が小さいと判断するものである。
【００２９】さらに、前記電極進行量比較ステップによ
り前記粉末物質の加工液中の濃度が小さいと判断された
ときに前記加工液中に粉末物質を供給する粉末供給ステ
ップを含むものである。
り前記粉末物質の加工液中の濃度が小さいと判断された
ときに前記加工液中に粉末物質を供給する粉末供給ステ
ップを含むものである。
【００３０】
実施の形態１．図１乃至図３に基づいて、本願発明の第
１の実施の形態を説明する。図において、従来例と同一
符号は、同一または相当部分を示し、その説明を省略す
る。
１の実施の形態を説明する。図において、従来例と同一
符号は、同一または相当部分を示し、その説明を省略す
る。
【００３１】図１は、本発明の第１の実施の形態を示す
構成図である。図１において、３０は各段における加工
開始位置を検出する加工開始位置検出装置、３１は各段
における加工終了位置を検出する加工終了位置検出装
置、３２は加工終了位置検出装置３１により検出された
ある段の加工終了位置と加工開始位置検出装置３０によ
って検出された次段の加工開始位置とを比較する加工位
置比較装置、３３は加工位置比較装置３０の比較結果に
応じて加工条件の変更を制御する加工条件変更装置、３
４は粉末物質を貯蔵し制御バルブ３５の開閉によって粉
末混入加工液タンク１３に粉末物質１５を供給する粉末
供給装置である。
構成図である。図１において、３０は各段における加工
開始位置を検出する加工開始位置検出装置、３１は各段
における加工終了位置を検出する加工終了位置検出装
置、３２は加工終了位置検出装置３１により検出された
ある段の加工終了位置と加工開始位置検出装置３０によ
って検出された次段の加工開始位置とを比較する加工位
置比較装置、３３は加工位置比較装置３０の比較結果に
応じて加工条件の変更を制御する加工条件変更装置、３
４は粉末物質を貯蔵し制御バルブ３５の開閉によって粉
末混入加工液タンク１３に粉末物質１５を供給する粉末
供給装置である。
【００３２】次に動作について説明する。先に説明した
ように、加工槽３内に沈澱した粉末物質１５が通常の油
加工液１４と混じって加工液タンク１２へ持ち去られた
り、電極１の形状が複雑であったり、加工深さが深い場
合、電極１と電極２で形成される加工間隙の粉末混入濃
度が１０（ｇ／ｌ）以下になると鏡面が得られないが、
粉末混入濃度と加工間隙長には図２に示すような関係が
あり、粉末混入濃度が小さくなると同一加工条件におい
ても加工間隙長が小さくなる。そこで、粉末混入濃度低
下による加工間隙長減少を検出し、それに応じて粉末混
入濃度を増加させるような動作をしてやれば加工面の鏡
面性の悪化を防ぐことができる。
ように、加工槽３内に沈澱した粉末物質１５が通常の油
加工液１４と混じって加工液タンク１２へ持ち去られた
り、電極１の形状が複雑であったり、加工深さが深い場
合、電極１と電極２で形成される加工間隙の粉末混入濃
度が１０（ｇ／ｌ）以下になると鏡面が得られないが、
粉末混入濃度と加工間隙長には図２に示すような関係が
あり、粉末混入濃度が小さくなると同一加工条件におい
ても加工間隙長が小さくなる。そこで、粉末混入濃度低
下による加工間隙長減少を検出し、それに応じて粉末混
入濃度を増加させるような動作をしてやれば加工面の鏡
面性の悪化を防ぐことができる。
【００３３】図３は、多段加工した場合の粉末混入放電
加工における電極１の位置と加工間隙長の関係を表した
ものである。図２から、粉末混入濃度が２０〜３０（ｇ
／ｌ）の時の加工間隙長は、粉末混入濃度が１０（ｇ／
ｌ）以下の時に比べて大きい。このため、粉末混入濃度
１０（ｇ／ｌ）以下の時の第ｋ段目の粉末混入放電加工
開始位置は、粉末混入濃度２０〜３０（ｇ／ｌ）未満の
時の粉末混入放電加工開始位置と比べ、加工進行方向に
対して、各々の加工間隙長の差の分だけ前方になる。つ
まり、第ｋ−１段目の電極加工終了位置をＺk-1 、粉末
混入濃度１０（ｇ／ｌ）の時の第ｋ段目の粉末混入放電
加工開始位置をＺa 、その時の加工間隙長をＧa 、粉末
混入濃度２０〜３０（ｇ／ｌ）の時の第ｋ段目の粉末混
入放電加工開始位置をＺb 、その時の加工間隙長をＧb
とすると、 Ｚb −Ｚa ＝（Ｚb −Ｚk-1 ）−（Ｚa −Ｚk-1 ）＝Ｇb −Ｇa …（２） となり、さらに式（２）は、 Ｚa −Ｚk-1 ＝（Ｚb −Ｚk-1 ）−（Ｇb −Ｇa ） …（３） とすることができる。よって、Ｇb −Ｇa の値は図２か
ら明らかであり、Ｚb −Ｚk-1 の値は加工形状や加工深
さによらず一定であることからこの値を予め求めておけ
ば、第ｋ−１段目の加工終了位置Ｚk-1 と第ｋ段目の粉
末混入放電開始位置Ｚを検出して、その差が、 Ｚ−Ｚk-1 ≦（Ｚb −Ｚk-1 ）−（Ｇb −Ｇa ）＝α（αは定数）…（４） 式（４）で示される関係になったら、粉末混入濃度が１
０（ｇ／ｌ）以下になっていると判断し、粉末混入濃度
を増加させるような動作をすれば加工面の鏡面性の悪化
を防ぐことができる。
加工における電極１の位置と加工間隙長の関係を表した
ものである。図２から、粉末混入濃度が２０〜３０（ｇ
／ｌ）の時の加工間隙長は、粉末混入濃度が１０（ｇ／
ｌ）以下の時に比べて大きい。このため、粉末混入濃度
１０（ｇ／ｌ）以下の時の第ｋ段目の粉末混入放電加工
開始位置は、粉末混入濃度２０〜３０（ｇ／ｌ）未満の
時の粉末混入放電加工開始位置と比べ、加工進行方向に
対して、各々の加工間隙長の差の分だけ前方になる。つ
まり、第ｋ−１段目の電極加工終了位置をＺk-1 、粉末
混入濃度１０（ｇ／ｌ）の時の第ｋ段目の粉末混入放電
加工開始位置をＺa 、その時の加工間隙長をＧa 、粉末
混入濃度２０〜３０（ｇ／ｌ）の時の第ｋ段目の粉末混
入放電加工開始位置をＺb 、その時の加工間隙長をＧb
とすると、 Ｚb −Ｚa ＝（Ｚb −Ｚk-1 ）−（Ｚa −Ｚk-1 ）＝Ｇb −Ｇa …（２） となり、さらに式（２）は、 Ｚa −Ｚk-1 ＝（Ｚb −Ｚk-1 ）−（Ｇb −Ｇa ） …（３） とすることができる。よって、Ｇb −Ｇa の値は図２か
ら明らかであり、Ｚb −Ｚk-1 の値は加工形状や加工深
さによらず一定であることからこの値を予め求めておけ
ば、第ｋ−１段目の加工終了位置Ｚk-1 と第ｋ段目の粉
末混入放電開始位置Ｚを検出して、その差が、 Ｚ−Ｚk-1 ≦（Ｚb −Ｚk-1 ）−（Ｇb −Ｇa ）＝α（αは定数）…（４） 式（４）で示される関係になったら、粉末混入濃度が１
０（ｇ／ｌ）以下になっていると判断し、粉末混入濃度
を増加させるような動作をすれば加工面の鏡面性の悪化
を防ぐことができる。
【００３４】そこで、加工終了位置検出装置３１は、制
御装置４から第ｋ−１段の加工終了信号とリニアスケー
ル１１からその時の電極位置信号を受け取り、第ｋ−１
段目の加工終了時点の電極位置Ｚk-1 を検出し、その値
を加工位置比較装置３２へ出力する。加工開始位置検出
３０は制御装置４から粉末混入放電加工を行う第ｋ段目
の加工開始信号とリニアスケール１１からその時の電極
位置信号を受け取り、第ｋ段目の加工開始位置Ｚを検出
し、その値を加工位置比較装置３２へ出力する。加工位
置比較装置３２は、Ｚk-1 とＺの値が入力されると、Ｚ
とＺk-1 差を計算し、その差が所定数α以下になった場
合、つまり式（４）に示された関係になった時、加工位
置比較装置３２は加工間隙の粉末混入濃度が低下したと
判断して制御バルブ３５と加工条件変更装置３３に信号
を送る。信号を受け取った制御バルブ３５は所定の時間
だけ開いて、粉末供給装置３４に貯蔵された粉末物質１
５を加工液タンク１３に供給し、粉末混入加工液１６の
粉末濃度を増大させる。
御装置４から第ｋ−１段の加工終了信号とリニアスケー
ル１１からその時の電極位置信号を受け取り、第ｋ−１
段目の加工終了時点の電極位置Ｚk-1 を検出し、その値
を加工位置比較装置３２へ出力する。加工開始位置検出
３０は制御装置４から粉末混入放電加工を行う第ｋ段目
の加工開始信号とリニアスケール１１からその時の電極
位置信号を受け取り、第ｋ段目の加工開始位置Ｚを検出
し、その値を加工位置比較装置３２へ出力する。加工位
置比較装置３２は、Ｚk-1 とＺの値が入力されると、Ｚ
とＺk-1 差を計算し、その差が所定数α以下になった場
合、つまり式（４）に示された関係になった時、加工位
置比較装置３２は加工間隙の粉末混入濃度が低下したと
判断して制御バルブ３５と加工条件変更装置３３に信号
を送る。信号を受け取った制御バルブ３５は所定の時間
だけ開いて、粉末供給装置３４に貯蔵された粉末物質１
５を加工液タンク１３に供給し、粉末混入加工液１６の
粉末濃度を増大させる。
【００３５】加工条件変更装置３３は加工位置比較装置
３２からの信号を受け取ると、基準電圧設定装置７に設
定されている基準電圧Ｖref の値を大きくするように制
御装置４へ信号を出力し、制御装置４はその信号を受け
て基準電圧設定装置７へ信号を出し、基準電圧Ｖref の
値が大きくなるように設定される。例えば、基準電圧が
４０（Ｖ）に設定していた場合、１０（Ｖ）程度を基準
電圧を大きくなるようにする。基準電圧Ｖref の値が大
きくなると、式（１）で表されるＶave の値が大きくな
るように加工間隙長が制御される。Ｖave の値を大きく
するには、放電遅延時間Ｔo を長くすれば良いわけであ
るから、加工間隙長を大きくして放電の発生を遅らせる
ように制御される。この結果、加工間隙長は拡がり、加
工間隙に粉末物質１５が入りやすくなるため、加工間隙
の粉末混入濃度が増加する。
３２からの信号を受け取ると、基準電圧設定装置７に設
定されている基準電圧Ｖref の値を大きくするように制
御装置４へ信号を出力し、制御装置４はその信号を受け
て基準電圧設定装置７へ信号を出し、基準電圧Ｖref の
値が大きくなるように設定される。例えば、基準電圧が
４０（Ｖ）に設定していた場合、１０（Ｖ）程度を基準
電圧を大きくなるようにする。基準電圧Ｖref の値が大
きくなると、式（１）で表されるＶave の値が大きくな
るように加工間隙長が制御される。Ｖave の値を大きく
するには、放電遅延時間Ｔo を長くすれば良いわけであ
るから、加工間隙長を大きくして放電の発生を遅らせる
ように制御される。この結果、加工間隙長は拡がり、加
工間隙に粉末物質１５が入りやすくなるため、加工間隙
の粉末混入濃度が増加する。
【００３６】また、加工条件変更装置３３は加工位置比
較装置３２からの信号を受け取ると、その時の加工条件
で設定されている休止時間Ｔoff を長くするように制御
装置４へ信号を出力し、制御装置４はその信号を受けて
加工電源５へ信号を出し、加工電源５は休止時間Ｔoff
を長くなるように設定して、加工間隙に放電パルスを印
加する。例えば、休止時間が４（μｓ）だったとする
と、その２倍の８（μｓ）程度まで休止時間を長くす
る。休止時間Ｔoff が長くなると、式（１）で示される
Ｖave の値は小さくなるから、加工間隙長はＶave の値
が一定に保たれるように制御される。Ｖave の値を一定
に保つには、放電遅延時間Ｔo を長くすれば良いわけで
あるから、加工間隙長を大きくして放電の発生を遅らせ
るように制御される。この結果、加工間隙長は拡がり、
加工間隙に粉末物質１５が入りやすくなるため、加工間
隙の粉末混入濃度が増加する。
較装置３２からの信号を受け取ると、その時の加工条件
で設定されている休止時間Ｔoff を長くするように制御
装置４へ信号を出力し、制御装置４はその信号を受けて
加工電源５へ信号を出し、加工電源５は休止時間Ｔoff
を長くなるように設定して、加工間隙に放電パルスを印
加する。例えば、休止時間が４（μｓ）だったとする
と、その２倍の８（μｓ）程度まで休止時間を長くす
る。休止時間Ｔoff が長くなると、式（１）で示される
Ｖave の値は小さくなるから、加工間隙長はＶave の値
が一定に保たれるように制御される。Ｖave の値を一定
に保つには、放電遅延時間Ｔo を長くすれば良いわけで
あるから、加工間隙長を大きくして放電の発生を遅らせ
るように制御される。この結果、加工間隙長は拡がり、
加工間隙に粉末物質１５が入りやすくなるため、加工間
隙の粉末混入濃度が増加する。
【００３７】また、加工条件変更装置３３は加工位置比
較装置３２からの信号を受け取ると、その時の電極定時
引き上げ量を大きくするように制御装置４へ信号を出力
し、制御装置４はその信号を受けてサーボモータ８は信
号を出し、サーボモータ８は電極定時引き上げ量を大き
くなるように駆動する。例えば、電極定時引き上げ量が
０．５（ｍｍ）だったとすると、その２倍の１（ｍｍ）
程度まで電極定時引き上げ量を大きくする。この結果、
加工間隙長は拡がり、加工間隙に粉末物質１５が入りや
すくなるため、加工間隙の粉末混入濃度が増加する。
較装置３２からの信号を受け取ると、その時の電極定時
引き上げ量を大きくするように制御装置４へ信号を出力
し、制御装置４はその信号を受けてサーボモータ８は信
号を出し、サーボモータ８は電極定時引き上げ量を大き
くなるように駆動する。例えば、電極定時引き上げ量が
０．５（ｍｍ）だったとすると、その２倍の１（ｍｍ）
程度まで電極定時引き上げ量を大きくする。この結果、
加工間隙長は拡がり、加工間隙に粉末物質１５が入りや
すくなるため、加工間隙の粉末混入濃度が増加する。
【００３８】このように、加工開始位置比較装置３２か
らの信号を受けて、加工液中に粉末物質を供給する、あ
るいは基準電圧Ｖref 、休止時間Ｔoff 、電極定時引き
上げ量を大きくして加工間隙長を拡げてやり、加工間隙
に粉末物質１５が入りやすいようにしてやることで、加
工間隙の粉末混入濃度を増大させ、所望の鏡面を確実に
得ることができる。
らの信号を受けて、加工液中に粉末物質を供給する、あ
るいは基準電圧Ｖref 、休止時間Ｔoff 、電極定時引き
上げ量を大きくして加工間隙長を拡げてやり、加工間隙
に粉末物質１５が入りやすいようにしてやることで、加
工間隙の粉末混入濃度を増大させ、所望の鏡面を確実に
得ることができる。
【００３９】実施の形態２．図４は、本発明の第２の実
施の形態を示す構成図であり、図４において、３６は所
定時間毎に加工に寄与する有効放電パルス数を検出する
有効放電パルス数検出装置、３７は加工条件毎の放電パ
ルス１発当たりの加工量を設定する加工量設定装置、３
８は加工面積を設定する面積設定装置、３９は有効放電
パルス数検出装置３６によって検出された単位時間毎の
有効放電パルス数と加工量設定装置３７に設定されてい
る放電１発当たりの加工量と面積設定装置３８に設定さ
れている加工面積とから所定時間当たりの電極１の進行
量（予定進行量）を演算する電極進行量演算装置、４０
はリニアスケール１１からの信号を受け所定時間当たり
に電極１が実際に進行した量を検出する電極進行量検出
装置、４１は電極進行量演算装置３９によって求められ
た計算上の所定時間当たりの電極進行量と電極進行量検
出装置４０によって検出された所定時間当たりの実際の
電極進行量とを比較する電極進行量比較装置である。
施の形態を示す構成図であり、図４において、３６は所
定時間毎に加工に寄与する有効放電パルス数を検出する
有効放電パルス数検出装置、３７は加工条件毎の放電パ
ルス１発当たりの加工量を設定する加工量設定装置、３
８は加工面積を設定する面積設定装置、３９は有効放電
パルス数検出装置３６によって検出された単位時間毎の
有効放電パルス数と加工量設定装置３７に設定されてい
る放電１発当たりの加工量と面積設定装置３８に設定さ
れている加工面積とから所定時間当たりの電極１の進行
量（予定進行量）を演算する電極進行量演算装置、４０
はリニアスケール１１からの信号を受け所定時間当たり
に電極１が実際に進行した量を検出する電極進行量検出
装置、４１は電極進行量演算装置３９によって求められ
た計算上の所定時間当たりの電極進行量と電極進行量検
出装置４０によって検出された所定時間当たりの実際の
電極進行量とを比較する電極進行量比較装置である。
【００４０】次に動作について説明する。加工開始時の
粉末混入濃度が２０〜３０（ｇ／ｌ）あったとしても、
先に説明したように加工液の流れが淀む部分に粉末が沈
澱するため、加工時間がが長くなると粉末物質１５の沈
澱が進行し、加工途中で粉末混入濃度が１０（ｇ／ｌ）
以下になって鏡面が得られない。図５は粉末混入放電加
工における加工時間と加工進行量の関係を示したもので
ある。粉末混入濃度が２０〜３０（ｇ／ｌ）で一定の場
合、加工時間と加工進行量の関係は、その時の加工条件
で定まる加工速度を比例定数とした比例関係になるが、
加工中に粉末混入濃度が減少すると図２より同一加工条
件においても加工間隙長が減少することから、図５に示
すように加工進行量は加工間隙長の減少分だけ増大す
る。
粉末混入濃度が２０〜３０（ｇ／ｌ）あったとしても、
先に説明したように加工液の流れが淀む部分に粉末が沈
澱するため、加工時間がが長くなると粉末物質１５の沈
澱が進行し、加工途中で粉末混入濃度が１０（ｇ／ｌ）
以下になって鏡面が得られない。図５は粉末混入放電加
工における加工時間と加工進行量の関係を示したもので
ある。粉末混入濃度が２０〜３０（ｇ／ｌ）で一定の場
合、加工時間と加工進行量の関係は、その時の加工条件
で定まる加工速度を比例定数とした比例関係になるが、
加工中に粉末混入濃度が減少すると図２より同一加工条
件においても加工間隙長が減少することから、図５に示
すように加工進行量は加工間隙長の減少分だけ増大す
る。
【００４１】よって、加工中の粉末混入濃度低下による
加工進行量の増大分を検出し、それに応じて粉末混入濃
度を増加させるような動作をしてやれば加工面の鏡面性
の悪化を防ぐことができる。
加工進行量の増大分を検出し、それに応じて粉末混入濃
度を増加させるような動作をしてやれば加工面の鏡面性
の悪化を防ぐことができる。
【００４２】放電加工中は、被加工物２の加工面に対し
てその時の加工条件によって定まる加工間隙長だけ距離
を置いた位置に電極が存在する。そして、加工間隙長は
先述したように適正な距離になるよう常に制御されてい
る。よって、第ｋ段目の粉末混入放電加工が開始される
と、粉末混入濃度２０〜３０（ｇ／ｌ）の時の加工間隙
長Ｇb で加工が開始され、粉末混入濃度の低下がなけれ
ば第ｋ段目の加工が終了するまで加工間隙長Ｇb を維持
した状態で加工は進行される。そして、その時の所定時
間当たりの電極進行量Ｌb は、その時の加工条件におけ
る放電１発当たりの加工量をＶ、加工面積をＳ、所定時
間当たりの有効放電パルス数をｍ、被加工物の比重をρ
とすれば、 Ｌb ＝ｍ・Ｖ／ρ・Ｓ …（８） と近似できる。しかし、所定時間の間に加工間隙の粉末
混入濃度が１０（ｇ／ｌ）になり、その時の加工間隙長
がＧa になったとすると、加工間隙長の減少分ΔＧは、 ΔＧ＝Ｇb −Ｇa …（９） と表される。また、その時の電極進行量Ｌa は、加工に
よって進行する量Ｌb と加工間隙長の減少分ΔＧの和と
なる。つまりＬa は、 Ｌa ＝Ｌb ＋ΔＧ …（１０） よって、粉末混入濃度低下による加工間隙長の減少分Δ
Ｇは、式（１０）より、 ΔＧ＝Ｌa −Ｌb …（１１） となる。式（１１）におけるΔＧは図２、および図５よ
り明らかであるから、所定時間における実際の電極進行
量Ｌと、計算で求められる粉末混入濃度が低下しないと
きの電極進行量Ｌ′を検出し、その差が、 Ｌ−Ｌ′≧Ｌa −Ｌb ＝β（βは定数） …（１２） 式（１２）で示される関係になったら、粉末混入濃度が
１０（ｇ／ｌ）以下になっていると判断し、粉末混入濃
度を増加させるような動作すれば加工面の鏡面性の悪化
を防ぐことができる。
てその時の加工条件によって定まる加工間隙長だけ距離
を置いた位置に電極が存在する。そして、加工間隙長は
先述したように適正な距離になるよう常に制御されてい
る。よって、第ｋ段目の粉末混入放電加工が開始される
と、粉末混入濃度２０〜３０（ｇ／ｌ）の時の加工間隙
長Ｇb で加工が開始され、粉末混入濃度の低下がなけれ
ば第ｋ段目の加工が終了するまで加工間隙長Ｇb を維持
した状態で加工は進行される。そして、その時の所定時
間当たりの電極進行量Ｌb は、その時の加工条件におけ
る放電１発当たりの加工量をＶ、加工面積をＳ、所定時
間当たりの有効放電パルス数をｍ、被加工物の比重をρ
とすれば、 Ｌb ＝ｍ・Ｖ／ρ・Ｓ …（８） と近似できる。しかし、所定時間の間に加工間隙の粉末
混入濃度が１０（ｇ／ｌ）になり、その時の加工間隙長
がＧa になったとすると、加工間隙長の減少分ΔＧは、 ΔＧ＝Ｇb −Ｇa …（９） と表される。また、その時の電極進行量Ｌa は、加工に
よって進行する量Ｌb と加工間隙長の減少分ΔＧの和と
なる。つまりＬa は、 Ｌa ＝Ｌb ＋ΔＧ …（１０） よって、粉末混入濃度低下による加工間隙長の減少分Δ
Ｇは、式（１０）より、 ΔＧ＝Ｌa −Ｌb …（１１） となる。式（１１）におけるΔＧは図２、および図５よ
り明らかであるから、所定時間における実際の電極進行
量Ｌと、計算で求められる粉末混入濃度が低下しないと
きの電極進行量Ｌ′を検出し、その差が、 Ｌ−Ｌ′≧Ｌa −Ｌb ＝β（βは定数） …（１２） 式（１２）で示される関係になったら、粉末混入濃度が
１０（ｇ／ｌ）以下になっていると判断し、粉末混入濃
度を増加させるような動作すれば加工面の鏡面性の悪化
を防ぐことができる。
【００４３】そこで、有効放電パルス数検出装置３６に
より検出された所定時間毎に加工に寄与する有効放電パ
ルス数と、加工量設定装置３７に設定された各加工条件
毎の放電パルス１発当たりの加工量と、面積設定装置３
８に設定された各加工条件毎の加工面積とから電極進行
量演算装置３９は式（８）に基づいて粉末混入濃度が低
下しないときの所定時間における電極進行量Ｌ′を求
め、電極進行量比較装置４１へその値を出力する。ここ
で、有効放電パルス数検出装置３６は、特開平０５−２
９３７１４に開示されているような方式に基づき、放電
電圧の高周波成分を検出してこれを積分し、積分値が基
準値以上であれば有効放電パルスと判断してこれを所定
時間毎にカウントするような装置である。電極進行量検
出装置４０はリニアスケール１１からの信号を受けて所
定時間当たりに電極１が実際に進行した量Ｌを検出し、
電極進行量比較装置４１にその値を出力する。電極進行
量比較装置４１は、ＬとＬ′の値が入力されると、Ｌと
Ｌ´の差を計算し、その差が所定数β以上になった場
合、つまり式（１２）で示される関係になった時、電極
進行量比較装置３５は加工間隙の粉末混入濃度が１０
（ｇ／ｌ）以下になったと判断して制御バルブ３５と加
工条件変更装置３３に信号を出力する。信号を受け取っ
た制御バルブ３５は所定の時間だけ開いて、粉末供給装
置３４に貯蔵された粉末物質１５を加工液タンク１３に
供給し、粉末混入加工液１６の粉末混入濃度を増大させ
る。
より検出された所定時間毎に加工に寄与する有効放電パ
ルス数と、加工量設定装置３７に設定された各加工条件
毎の放電パルス１発当たりの加工量と、面積設定装置３
８に設定された各加工条件毎の加工面積とから電極進行
量演算装置３９は式（８）に基づいて粉末混入濃度が低
下しないときの所定時間における電極進行量Ｌ′を求
め、電極進行量比較装置４１へその値を出力する。ここ
で、有効放電パルス数検出装置３６は、特開平０５−２
９３７１４に開示されているような方式に基づき、放電
電圧の高周波成分を検出してこれを積分し、積分値が基
準値以上であれば有効放電パルスと判断してこれを所定
時間毎にカウントするような装置である。電極進行量検
出装置４０はリニアスケール１１からの信号を受けて所
定時間当たりに電極１が実際に進行した量Ｌを検出し、
電極進行量比較装置４１にその値を出力する。電極進行
量比較装置４１は、ＬとＬ′の値が入力されると、Ｌと
Ｌ´の差を計算し、その差が所定数β以上になった場
合、つまり式（１２）で示される関係になった時、電極
進行量比較装置３５は加工間隙の粉末混入濃度が１０
（ｇ／ｌ）以下になったと判断して制御バルブ３５と加
工条件変更装置３３に信号を出力する。信号を受け取っ
た制御バルブ３５は所定の時間だけ開いて、粉末供給装
置３４に貯蔵された粉末物質１５を加工液タンク１３に
供給し、粉末混入加工液１６の粉末混入濃度を増大させ
る。
【００４４】加工条件変更装置３３は電極進行量比較装
置４１からの信号を受け取ると、基準電圧設定装置７に
設定されている基準電圧Ｖref の値を大きくするように
制御装置４へ信号を出力し、制御装置４はその信号を受
けて基準電圧設定装置７へ信号を出し、基準電圧Ｖref
の値が大きくなるよう設定される。例えば、基準電圧が
４０（Ｖ）に設定していた場合、１０（Ｖ）程度を基準
電圧を大きくなるようにする。基準電圧Ｖref の値が大
きくなると、式（１）で表されるＶave の値が大きくな
るように加工間隙長が制御される。Ｖave の値を大きく
するには、放電遅延時間Ｔo を長くすれば良いわけであ
るから、加工間隙長を大きくして放電の発生を遅らせる
ように制御される。この結果、加工間隙長は拡がり、加
工間隙に粉末物質１５が入りやすくなるため、加工間隙
の粉末混入濃度が増加する。
置４１からの信号を受け取ると、基準電圧設定装置７に
設定されている基準電圧Ｖref の値を大きくするように
制御装置４へ信号を出力し、制御装置４はその信号を受
けて基準電圧設定装置７へ信号を出し、基準電圧Ｖref
の値が大きくなるよう設定される。例えば、基準電圧が
４０（Ｖ）に設定していた場合、１０（Ｖ）程度を基準
電圧を大きくなるようにする。基準電圧Ｖref の値が大
きくなると、式（１）で表されるＶave の値が大きくな
るように加工間隙長が制御される。Ｖave の値を大きく
するには、放電遅延時間Ｔo を長くすれば良いわけであ
るから、加工間隙長を大きくして放電の発生を遅らせる
ように制御される。この結果、加工間隙長は拡がり、加
工間隙に粉末物質１５が入りやすくなるため、加工間隙
の粉末混入濃度が増加する。
【００４５】また、加工条件変更装置３３は電極進行量
比較装置４１からの信号を受け取ると、その時の加工条
件で設定されている休止時間Ｔoff を長くするように制
御装置４へ信号を出力し、制御装置４はその信号を受け
て加工電源５へ信号を出し、加工電源５は休止時間Ｔof
f を長くなるように設定して、加工間隙に放電パルスを
印加する。例えば、休止時間が４（μｓ）だったとする
と、その２倍の８（μｓ）程度まで休止時間を長くす
る。休止時間Ｔoff が長くなると、式（１）で示される
Ｖave の値は小さくなるから、加工間隙長はＶave の値
が一定に保たれるように制御される。Ｖave の値を一定
に保つには、放電遅延時間Ｔo を長くすれば良いわけで
あるから、加工間隙長を大きくして放電の発生を遅らせ
るように制御される。この結果、加工間隙長は拡がり、
加工間隙に粉末物質１５が入りやすくなるため、加工間
隙の粉末混入濃度が増加する。
比較装置４１からの信号を受け取ると、その時の加工条
件で設定されている休止時間Ｔoff を長くするように制
御装置４へ信号を出力し、制御装置４はその信号を受け
て加工電源５へ信号を出し、加工電源５は休止時間Ｔof
f を長くなるように設定して、加工間隙に放電パルスを
印加する。例えば、休止時間が４（μｓ）だったとする
と、その２倍の８（μｓ）程度まで休止時間を長くす
る。休止時間Ｔoff が長くなると、式（１）で示される
Ｖave の値は小さくなるから、加工間隙長はＶave の値
が一定に保たれるように制御される。Ｖave の値を一定
に保つには、放電遅延時間Ｔo を長くすれば良いわけで
あるから、加工間隙長を大きくして放電の発生を遅らせ
るように制御される。この結果、加工間隙長は拡がり、
加工間隙に粉末物質１５が入りやすくなるため、加工間
隙の粉末混入濃度が増加する。
【００４６】また、加工条件変更装置３３は電極進行量
比較装置４１からの信号を受け取ると、その時の電極定
時引き上げ量を大きくするように制御装置４へ信号を出
力し、制御装置４はその信号を受けてサーボモータ８へ
信号を出し、サーボモータ８は電極定時引き上げ量を大
きくなるように駆動する。例えば、電極定時引き上げ量
が０．５（ｍｍ）だったとすると、その２倍の１（ｍ
ｍ）程度まで電極定時引き上げ量を大きくする。この結
果、加工間隙長は拡がり、加工間隙に粉末物質１５が入
りやすくなるため、加工間隙の粉末混入濃度が増加す
る。
比較装置４１からの信号を受け取ると、その時の電極定
時引き上げ量を大きくするように制御装置４へ信号を出
力し、制御装置４はその信号を受けてサーボモータ８へ
信号を出し、サーボモータ８は電極定時引き上げ量を大
きくなるように駆動する。例えば、電極定時引き上げ量
が０．５（ｍｍ）だったとすると、その２倍の１（ｍ
ｍ）程度まで電極定時引き上げ量を大きくする。この結
果、加工間隙長は拡がり、加工間隙に粉末物質１５が入
りやすくなるため、加工間隙の粉末混入濃度が増加す
る。
【００４７】さらに、第ｋ＋１段目の粉末混入放電加工
についても同様なことは、明らかである。
についても同様なことは、明らかである。
【００４８】このように、電極進行量比較装置４１から
の信号を受けて、加工液中に粉末物質を供給する、ある
いは基準電圧Ｖref 、休止時間Ｔoff 、電極定時引き上
げ量を大きくして加工間隙長を拡げてやり、加工間隙に
粉末物質１５が入りやすいようにしてやることで、加工
間隙の粉末混入濃度を増大させ、所望の鏡面を確実に得
ることができる。
の信号を受けて、加工液中に粉末物質を供給する、ある
いは基準電圧Ｖref 、休止時間Ｔoff 、電極定時引き上
げ量を大きくして加工間隙長を拡げてやり、加工間隙に
粉末物質１５が入りやすいようにしてやることで、加工
間隙の粉末混入濃度を増大させ、所望の鏡面を確実に得
ることができる。
【００４９】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００５０】多段階加工を行う際、ある段の加工終了位
置と次段の加工開始位置とを比較することで、加工液中
の粉末混入濃度の大小を判定し、粉末混入濃度が小さい
と判断された場合には、加工液中に粉末物質を供給する
ので粉末混入濃度が増大し、粉末混入濃度が減少したこ
とに起因する加工面の鏡面性の悪化を防ぎ、所望の鏡面
を得ることができる。
置と次段の加工開始位置とを比較することで、加工液中
の粉末混入濃度の大小を判定し、粉末混入濃度が小さい
と判断された場合には、加工液中に粉末物質を供給する
ので粉末混入濃度が増大し、粉末混入濃度が減少したこ
とに起因する加工面の鏡面性の悪化を防ぎ、所望の鏡面
を得ることができる。
【００５１】また、多段階加工を行う際、ある段の加工
終了位置と次段の加工開始位置とを比較することで、加
工液中の粉末混入濃度の大小を判定し、粉末混入濃度が
小さいと判断された場合には、加工間隙長を拡げるよう
に加工条件を変更するので加工間隙に粉末物質が入りや
すくなって粉末混入濃度が増大し、粉末混入濃度が減少
したことに起因する加工面の鏡面性の悪化を防ぎ、所望
の鏡面を得ることができる。
終了位置と次段の加工開始位置とを比較することで、加
工液中の粉末混入濃度の大小を判定し、粉末混入濃度が
小さいと判断された場合には、加工間隙長を拡げるよう
に加工条件を変更するので加工間隙に粉末物質が入りや
すくなって粉末混入濃度が増大し、粉末混入濃度が減少
したことに起因する加工面の鏡面性の悪化を防ぎ、所望
の鏡面を得ることができる。
【００５２】また、所定時間毎に加工に寄与する有効放
電パルス数と、各放電加工条件における放電パルス１発
当たりの加工量と、各加工条件における加工面積とから
所定時間における電極の進行量を演算し、所定時間毎に
電極が加工中に実際に進行した量と比較することで、加
工液中の粉末混入濃度の大小を判定し、粉末混入濃度が
小さいと判断された場合には、加工液中に粉末物質を供
給するので粉末混入濃度が増大し、粉末混入濃度が減少
したことに起因する加工面の鏡面性の悪化を防ぎ、所望
の鏡面を得ることができる。
電パルス数と、各放電加工条件における放電パルス１発
当たりの加工量と、各加工条件における加工面積とから
所定時間における電極の進行量を演算し、所定時間毎に
電極が加工中に実際に進行した量と比較することで、加
工液中の粉末混入濃度の大小を判定し、粉末混入濃度が
小さいと判断された場合には、加工液中に粉末物質を供
給するので粉末混入濃度が増大し、粉末混入濃度が減少
したことに起因する加工面の鏡面性の悪化を防ぎ、所望
の鏡面を得ることができる。
【００５３】また、所定時間毎に加工に寄与する有効放
電パルス数と、各放電加工条件における放電パルス１発
当たりの加工量と、各加工条件における加工面積とから
所定時間における電極の進行量を演算し、所定時間毎に
電極が加工中に実際に進行した量と比較することで、加
工液中の粉末混入濃度の大小を判定し、粉末物質混入濃
度が小さいと判断された場合には、加工間隙長を拡げる
ように加工条件を変更するので加工間隙に粉末物質が入
りやすくなって粉末混入濃度が増大し、粉末混入濃度が
減少したことに起因する加工面の鏡面性の悪化を防ぎ、
所望の鏡面を得ることができる。
電パルス数と、各放電加工条件における放電パルス１発
当たりの加工量と、各加工条件における加工面積とから
所定時間における電極の進行量を演算し、所定時間毎に
電極が加工中に実際に進行した量と比較することで、加
工液中の粉末混入濃度の大小を判定し、粉末物質混入濃
度が小さいと判断された場合には、加工間隙長を拡げる
ように加工条件を変更するので加工間隙に粉末物質が入
りやすくなって粉末混入濃度が増大し、粉末混入濃度が
減少したことに起因する加工面の鏡面性の悪化を防ぎ、
所望の鏡面を得ることができる。
【図１】 本発明における第１の実施の形態を示す構成
図である。
図である。
【図２】 粉末混入濃度と加工間隙長の関係を示した図
である。
である。
【図３】 多段加工した場合の電極位置と加工間隙長の
関係を示した図である。
関係を示した図である。
【図４】 本発明における第２の実施の形態を示す構成
図である。
図である。
【図５】 粉末濃度の違いによる加工時間と電極進行量
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図６】 多段階放電加工方法の概略を示す図である。
【図７】 従来の放電加工装置を示す構成図である。
【図８】 加工間隙長と放電電圧の関係を示した図であ
る。
る。
１ 電極、２ 被加工物、３ 加工槽、４ 制御装置、
５ 加工電源、６ 平均化回路、７ 基準電圧設定装
置、８ サーボモータ、９ スライダー、１０ボールネ
ジ、１１ リニアスケール、１２，１３ 加工液タン
ク、１４ 油加工液、１５ 粉末物質、１６ 粉末混入
加工液、１７，１８ ポンプ、１９，２０，２１，２２
制御弁、３０ 加工開始位置検出装置、３１ 加工終
了位置検出装置、３２ 加工位置比較装置、３３ 加工
条件変更装置、３４ 粉末供給装置、３５ 制御弁、３
６ 有効放電パルス数検出装置、３７ 加工量設定装
置、３８ 面積設定装置、３９ 電極進行量演算装置、
４０ 電極進行量検出装置、４１ 電極進行量比較装
置。
５ 加工電源、６ 平均化回路、７ 基準電圧設定装
置、８ サーボモータ、９ スライダー、１０ボールネ
ジ、１１ リニアスケール、１２，１３ 加工液タン
ク、１４ 油加工液、１５ 粉末物質、１６ 粉末混入
加工液、１７，１８ ポンプ、１９，２０，２１，２２
制御弁、３０ 加工開始位置検出装置、３１ 加工終
了位置検出装置、３２ 加工位置比較装置、３３ 加工
条件変更装置、３４ 粉末供給装置、３５ 制御弁、３
６ 有効放電パルス数検出装置、３７ 加工量設定装
置、３８ 面積設定装置、３９ 電極進行量演算装置、
４０ 電極進行量検出装置、４１ 電極進行量比較装
置。
Claims (15)
- 【請求項１】 電極と被加工物とで形成される加工間隙
に粉末物質を混入した加工液を満たして、パルス電圧を
印加して加工を行なう放電加工装置において、多段階加
工を行なう際に、各段階の加工開始位置を検出する加工
開始位置検出手段と、各段階の加工終了位置を検出する
加工終了位置検出手段と、この加工終了位置検出手段に
より検出された前段階の加工終了位置と前記加工開始位
置検出手段によって検出された次段階の加工開始位置と
を比較する加工位置比較手段と、この加工位置比較手段
によって得られる比較結果に応じて加工条件を変更する
加工条件変更手段とを備えたことを特徴とする放電加工
装置。 - 【請求項２】 前記加工位置比較手段は、前記加工開始
位置検出手段により検出された次段階の加工開始位置と
前記加工終了位置検出手段により検出された前段階の加
工終了位置との差が所定数以下のとき、前記粉末物質の
加工液中の濃度が小さいと判断することを特徴とする請
求項１に記載の放電加工装置。 - 【請求項３】 前記加工位置比較手段により前記粉末物
質の加工液中の濃度が小さいと判断されたときに前記加
工液中に前記粉末物質を供給する粉末供給手段を備えた
ことを特徴とする請求項２に記載の放電加工装置。 - 【請求項４】 電極と被加工物とで形成される加工間隙
に粉末物質を混入した加工液を満たして、パルス電圧を
印加して加工を行なう放電加工装置において、所定時間
毎に加工に寄与する有効放電パルス数を検出する有効放
電パルス数検出手段と、各放電加工条件における放電パ
ルス１発当たりの加工量を設定する加工量設定手段と、
各放電加工条件における加工面積を設定する面積設定手
段と、前記有効放電パルス数検出手段により検出された
有効放電パルス数と前記加工量設定手段により設定され
た放電パルス１発当たりの加工量と前記面積設定手段に
より設定された加工面積とから所定時間での前記電極の
予定進行量を演算する電極進行量演算手段と、所定時間
毎に前記電極が加工中に実際に進行した量を検出する電
極進行量検出手段と、前記電極進行量演算手段により求
められる予定進行量と前記電極進行量検出手段により検
出された実際の電極進行量とを比較する電極進行量比較
手段と、この電極進行量比較手段によって得られる比較
結果に応じて加工条件を変更する加工条件変更手段とを
備えたことを特徴とする放電加工装置。 - 【請求項５】 前記電極進行量比較手段は、前記電極進
行量検出手段により検出された電極進行量と前記電極進
行量演算手段により求められた予定進行量との差が所定
値以上のとき、前記粉末物質の加工液中の濃度が小さい
と判断することを特徴とする請求項４に記載の放電加工
装置。 - 【請求項６】 前記電極進行量比較手段により前記粉末
物質の加工液中の濃度が小さいと判断されたときに前記
加工液中に粉末物質を供給する粉末供給手段を備えたこ
とを特徴とする請求項５に記載の放電加工装置。 - 【請求項７】 前記加工条件変更手段は、前記加工間隙
に発生する放電電圧に対する基準電圧を変更することを
特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の放電
加工装置。 - 【請求項８】 前記加工条件変更手段は、放電休止時間
を変更することを特徴とする請求項１〜請求項７のいず
れかに記載の放電加工装置。 - 【請求項９】 前記加工条件変更手段は、電極定時引き
上げ量を変更することを特徴とする請求項１〜請求項８
のいずれかに記載の放電加工装置。 - 【請求項１０】 電極と被加工物とで形成される加工間
隙に粉末物質を混入した加工液を満たして、パルス電圧
を印加して加工を行なう放電加工方法において、多段階
加工を行なう際に、各段階の加工開始位置を検出する加
工開始位置検出ステップと、各段階の加工終了位置を検
出する加工終了位置検出ステップと、この検出された前
段階の加工終了位置と次段階の加工開始位置とを比較す
る加工位置比較ステップと、この加工位置比較ステップ
で得られる比較結果に応じて加工条件を変更する加工条
件変更ステップとを含むことを特徴とする放電加工方
法。 - 【請求項１１】 前記加工位置比較ステップは、前記加
工開始位置検出ステップにより検出された次段階の加工
開始位置と前記加工終了位置検出ステップにより検出さ
れた前段階の加工終了位置との差が所定数以下のとき、
前記粉末物質の加工液中の濃度が小さいと判断すること
を特徴とする請求項１０に記載の放電加工方法。 - 【請求項１２】 前記加工位置比較ステップにより前記
粉末物質の加工液中の濃度が小さいと判断されたときに
前記加工液中に前記粉末物質を供給する粉末供給ステッ
プを含むことを特徴とする請求項１１に記載の放電加工
方法。 - 【請求項１３】 電極と被加工物とで形成される加工間
隙に粉末物質を混入した加工液を満たして、パルス電圧
を印加して加工を行なう放電加工方法において、所定時
間毎に加工に寄与する有効放電パルス数を検出する有効
放電パルス数検出ステップと、各放電加工条件における
放電パルス１発当たりの加工量を設定する加工量設定ス
テップと、各放電加工条件における加工面積を設定する
面積設定ステップと、前記有効放電パルス数検出ステッ
プにて検出された有効放電パルス数と前記加工量設定ス
テップにて設定された放電パルス１発当たりの加工量と
前記面積設定ステップにて設定された加工面積とから所
定時間での前記電極の予定進行量を演算する電極進行量
演算ステップと、所定時間毎に前記電極が加工中に実際
に進行した量を検出する電極進行量検出ステップと、前
記電極進行量演算ステップにて求められる予定進行量と
前記電極進行量検出ステップにて検出された実際の電極
進行量とを比較する電極進行量比較ステップと、この電
極進行量比較ステップにて得られる比較結果に応じて加
工条件を変更する加工条件変更ステップとを含むことを
特徴とする放電加工方法。 - 【請求項１４】 前記電極進行量比較ステップは、前記
電極進行量検出ステップにより検出された電極進行量と
前記電極進行量演算ステップにより求められた予定進行
量との差が所定値以上のとき、前記粉末物質の加工液中
の濃度が小さいと判断することを特徴とする請求項１３
に記載の放電加工方法。 - 【請求項１５】 前記電極進行量比較ステップにより前
記粉末物質の加工液中の濃度が小さいと判断されたとき
に前記加工液中に粉末物質を供給する粉末供給ステップ
を含むことを特徴とする請求項１４に記載の放電加工方
法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04740296A JP3528400B2 (ja) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | 放電加工装置および放電加工方法 |
| TW085109924A TW316244B (ja) | 1996-03-05 | 1996-08-15 | |
| US08/738,070 US5841093A (en) | 1996-03-05 | 1996-10-25 | Electrical discharge apparatus and electrical discharge machining method |
| DE19644467A DE19644467C2 (de) | 1996-03-05 | 1996-10-25 | Vorrichtung und Verfahren zur funkenerosiven Bearbeitung eines Werkstücks |
| SG1996010954A SG54380A1 (en) | 1996-03-05 | 1996-10-25 | Electrical discharge apparatus and electrical discharge machining method |
| CN97102615A CN1170648A (zh) | 1996-03-05 | 1997-01-30 | 放电加工装置和放电加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04740296A JP3528400B2 (ja) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | 放電加工装置および放電加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09239621A true JPH09239621A (ja) | 1997-09-16 |
| JP3528400B2 JP3528400B2 (ja) | 2004-05-17 |
Family
ID=12774129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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