JPH09232745A - 半導体パッケージ装置の実装装置及び実装方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 リードと電極パッドとをはんだ付けする際
に、実装用基板に熱ダメージを与えず、かつ適切な温度
管理の下で均一なはんだ付けを行える半導体パッケージ
装置を提供することを目的とする。 【手段】 ＴＣＰ１（半導体パッケージ装置）を上記実
装用基板２に実装する装置であって、上記ＴＣＰ１の複
数のアウタリード３…をはんだ材を介して上記基板１の
電極パッド４に押さえ付けるリード押さえ６と、レーザ
光Ｌを発振するレーザ発振器９と、リード押さえ６にレ
ーザ光Ｌを導光すると共にこのレーザ押さえ６にレーザ
光Ｌを照射した状態でこのレーザ光Ｌを上記複数のアウ
タリード３を横切る方向に左右に走査することでこのリ
ード押さえ６を昇温させこのリード押さえ６を介して上
記アウタリード３を加熱しこのアウタリード３と上記電
極パッド４とのはんだ付けを行うガルバノスキャナミラ
ー機構１０とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体パッケー
ジ装置（例えばテープキャリアパッケージ）のアウタリ
ードを実装用基板に形成された電極パッドに接合するこ
とで、この半導体パッケージ装置を実装用基板上に実装
する半導体パッケージ装置の実装装置及び実装方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】複数のアウタリードを有する半導体パッ
ケージ装置として、例えばテープキャリアパッケージ装
置（以下「ＴＣＰ」という）がある。このＴＣＰを実装
用基板へ表面実装する場合には、このＴＣＰのアウタリ
ードを実装用基板に形成された電極パッドにはんだ付け
する必要がある。

【０００３】このはんだ付けには、通常、熱圧着方法が
採られる。この方法は、ヒータの内蔵された圧着用ツー
ル若しくは通電により抵抗発熱する圧着用ツールを用
い、上記アウタリードを予めはんだ材が供給されてなる
電極パッドに加熱しつつ押し付けるものである。

【０００４】これに対して、近年、レーザ光を用いて上
記はんだ付けを行ういわゆるレーザはんだ付け方法が考
案されている。このレーザはんだ付け方法は、レーザ光
を上記アウタリードに集光させることでこのアウタリー
ドを加熱し、前記はんだ付けを行うものである。

【０００５】このレーザはんだ付け方法では、前記レー
ザ光を上記複数のアウタリードを横切る方向に走査する
ことで、全てのアウタリードを加熱し、順にはんだ付け
を行っていく。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前述した従
来のレーザはんだ付け方法には、以下に説明する解決す
べき課題がある。すなわち、従来のレーザ光の照射方法
では、前述したように、レーザ光をアウタリードを横切
る方向に走査することで全てのアウタリードを加熱する
ようにしているため、隣り合うアウタリード間に位置す
る実装用基板の表面にもレーザ光が当たることとなる。
このため、実装用基板に熱ダメージによる破損が生じる
おそれがあった。

【０００７】また、上記レーザ光は、上記アウタリード
の一部に対して局部的に照射されることとなるため、ア
ウタリードに加熱むらが生じ、均一なはんだ付けが行え
ない可能性がある。さらに、このレーザはんだ付け方法
では、接合箇所（はんだ付け部分）の温度管理が基板材
質の種類、アウタリードのメッキ処理等に左右されてし
まうため、温度管理が困難であるということがある。従
って、接合不良が生じたり、はんだブリッジが生じるお
それがあった。

【０００８】この発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたもので、半導体パッケージ装置のリードと実装用基
板の電極とをはんだ付けする際に、実装用基板に熱ダメ
ージを与えず、かつ適切な温度管理が行え均一なはんだ
付けを行える半導体パッケージ装置の実装装置及びその
方法を提供することを目的とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この発明の第１の手段
は、基板に形成された電極パッドに半導体パッケージ装
置の複数のリードをはんだ付けにより接合することによ
り、この半導体パッケージを上記基板に実装する半導体
パッケージ装置の実装装置において、上記複数のリード
をはんだ材を介して上記電極パッドに押さえ付けるリー
ド押さえ部材と、このリード押さえ部材にレーザ光を照
射することでこのリード押さえ部材を昇温させ、このリ
ード押さえ部材を介して上記リードを加熱し、このリー
ドと上記電極パッドのはんだ付けを行うレーザ照射手段
とを有することを特徴とする半導体パッケージ装置の実
装装置である。

【００１０】第２の手段は、第１の手段の半導体パッケ
ージ装置の実装装置において、上記リード押さえ部材
は、複数のリードを押さえる押さえ部を有し、上記レー
ザ照射手段は、上記リード押さえ部材にレーザ光を照射
した状態で、このレーザ光を上記複数のリードを横切る
方向に走査する走査手段を有することを特徴とする半導
体パッケージ装置の実装装置である。

【００１１】第３の手段は、第１の手段の半導体パッケ
ージ装置の実装装置において、上記リード押さえ部材の
温度を検出する温度検出手段と、この温度検出手段の検
出に基づいて上記レーザ照射手段を制御し、上記リード
押さえ部材を所定の温度に制御する制御部とを有するこ
とを特徴とする半導体パッケージ装置の実装装置であ
る。

【００１２】第４の手段は、基板に形成された電極パッ
ドに半導体パッケージ装置のリードをはんだ付けにより
接合することにより、この半導体パッケージ装置を上記
基板に実装する半導体パッケージ装置の実装方法におい
て、このリード押さえ部材で、半導体パッケージ装置の
リードを上記電極パッドに押さえ付ける工程と、上記リ
ード押さえ部材にレーザ光を照射してこのリード押さえ
部材を昇温させ、このリード押さえ部材を加熱し、はん
だ付けを行う工程とを有することを特徴とする半導体パ
ッケージ装置の実装方法である。

【００１３】第５の手段は、第４の手段の半導体パッケ
ージ装置の実装方法において、上記リード押さえ部材で
上記半導体パッケージ装置のリードを上記電極パッドに
押さえ付ける前に、このリード押さえ部材にレーザ光を
照射して、このリード押さえ部材をはんだ溶融温度以下
の温度に予熱する工程を有することを特徴とする半導体
パッケージ装置の実装方法である。

【００１４】第６の手段は、第４の手段の半導体パッケ
ージ装置の実装方法において、上記はんだ付けを行う工
程は、上記リード押さえ部材の温度を検出し、この温度
を所定の温度に制御しながら上記はんだ付けを行う工程
を含むことを特徴とする半導体パッケージ装置の実装方
法である。

【００１５】第１の手段によれば、レーザはんだ付け方
法において、レーザ光を直接リードに照射するのではな
く、このレーザ光をリード押さえで遮ることでこのリー
ド押さえを昇温させ、このリード押さえの温度で上記リ
ードを加熱することができる。

【００１６】第２の手段によれば、上記リード押さえ部
材へのレーザ光の照射位置をリードを横切る方向に何度
も往復させることができ、このことによって上記リード
押さえ部材の温度を略均一化することができる。従っ
て、上記リードを均一に加熱することができると共に、
複数のリードを同時に加熱することができる。

【００１７】第３の手段によれば、はんだ接合部の温度
を監視することができ、これに基づいて上記温度を制御
することができる。第４の手段によれば、第１の手段の
場合と同様に、レーザ光を直接リードに照射するのでは
なく、このレーザ光をリード押さえで遮ることでこのリ
ード押さえを昇温させ、このリード押さえの温度で上記
リードを加熱することができる。

【００１８】第５の手段によれば、リード押さえ部材で
リードを押さえる前に、このリード押さえ部材を予熱し
ておくことができる。第６の手段によれば、はんだ接合
部の温度を監視しつつ、はんだ付けを行うことができ
る。

【００１９】

【実施の形態】以下、この発明の一実施形態を図面を参
照して説明する。図１（ａ）は、半導体パッケージ装置
の実装装置を示す概略構成図であり、この図は、半導体
パッケージ装置としてのＴＣＰ１が実装用基板２（例え
ばプリント配線基板）に対して位置決め保持されている
状態を示すものである。すなわち、このＴＣＰ１は、４
方向に延出されてなる多数のアウタリード３…を有し、
各アウタリード３…は、上記実装用基板２の表面に形成
された配線パターンの各電極パッド４…に対向位置決め
されている。

【００２０】この装置は、上記ＴＣＰ１を吸着保持する
ための吸着ノズル５と、上記ＴＣＰ１のアウタリード３
を押さえるためのアウタリード押さえ６と、アウタリー
ド押さえ６にレーザ光Ｌを照射し、上記アウタリード３
を上記電極パッド４にはんだ付けするレーザ光照射手段
７とを有する。

【００２１】このレーザ光照射手段７は、レーザ発振器
９と、発振されたレーザ光Ｌを前記アウタリード押さえ
６の上面に導光しかつ走査するためのガルバノスキャナ
ミラー機構１０とからなる。

【００２２】前記アウタリード押さえ６は、この図及び
図２に示すように、水平部６ａと垂直部６ｂとからなる
Ｌ字状の部品であり、図２に示すように、上記アウタリ
ード３が４方向に延出されている場合には、これに対応
して４つ備えられる。そして、このアウタリード押さえ
６は、図３に示すように、上記水平部６ａの下面で、同
方向に延出された全てのアウタリード３を前記実装用基
板２の電極パッド４に押さえつけるように構成されてい
る。

【００２３】また、この水平部６ａの上面は、この図に
示すように、レーザ光照射手段７からのレーザ光Ｌを受
ける受光面となっている。すなわち、前記レーザ発振器
９から発振されたレーザ光Ｌは、上記ガルバノスキャナ
ミラー機構１０のミラー１０ａに反射し、所定のスポッ
ト径に絞られた状態で上記水平部６ａの上面に照射され
る。そして、このガルバノスキャナミラー機構１０が上
記ミラー１０ａを揺動駆動することで、上記レーザ光Ｌ
は一定の周期で左右に振られ、図に点線で示すように同
方向に延出された複数のアウタリード３を横切る方向に
走査される。このことで上記アウタリード押さえ６は昇
温し、間接的に上記アウタリード３を加熱するようにな
っている。

【００２４】なお、上記アウタリード押さえ６の水平部
６ａの上面は、レーザ光Ｌのエネルギを有効に吸収でき
るように黒色に塗られているか、あるいは、レーザ光Ｌ
を効率良く吸収するコーティングが被膜されていること
が好ましい。

【００２５】次に、このアウタリード押さえ６の温度制
御手段について説明する。先ず、このアウタリード押さ
え６には、図２に示すように、上記垂直部６ｂの下端部
に第１〜第３の熱電対１２〜１４がほぼ等間隔で埋設さ
れ、この熱電対１２〜１４は、温度検出器１５に接続さ
れている。図４（ａ）は、このアウタリード押さえ６を
示す正面図である。この図において、第１の熱電対１２
と第３の熱電対１４の距離ｈは、押さえ付ける複数のア
ウタリード３…の延出幅よりも大きく設定されている。
すなわち、このアウタリード押さえ６は、上記水平部６
ａの、上記第１の熱電対１２と第３の熱電対１４の間に
位置する部位の下面で上記複数のアウタリード３を押さ
えるように構成されている。

【００２６】次に、上記熱電対１２〜１４の配設位置と
上記ガルバノスキャナミラー機構１０によるレーザ光Ｌ
の走査範囲（走査幅）との関係を、図４（ｂ）、（ｃ）
を用いて説明する。

【００２７】今、前記レーザ光Ｌを上記アウタリード押
さえ６の水平部６ａの上面にスポット的に照射すると、
照射された位置の温度分布は図４（ｂ）に実線で示すよ
うに照射された位置を頂点とする山形になり、上記走査
動作により上記レーザ光Ｌの照射位置を図に矢印で示す
ように移動させ、所定の周期で左右に振ると、上記アウ
タリード押さえ６の温度分布は図４（ｃ）に示すように
なる。このとき、上記レーザ光Ｌの照射位置は上記水平
部６ａの両端部で折り返すことになるため、この両端部
に対する照射時間が最も長くなり温度も高くなるが、こ
の間の部位では温度分布は略平均化する。

【００２８】上記第１〜第３の熱電対１２〜１４は、こ
の図に示すように、この温度分布が平均化する部分に設
けられている。従って、上記アウタリード３は、この温
度分布が平均化した部位で押さえられるようになってい
る。

【００２９】この第１〜第３の熱電対１２〜１４で検出
されたアウタリード押さえ６の温度は、上記温度検出器
１５で検出され、この検出結果は図１に１６で示す制御
部を介して上記レーザ発振器９の出力制御にフィードバ
ックされるようになっている。このような制御により、
上記アウタリード押さえ６の温度は所定のはんだ溶融温
度に制御されるようになっている。なお、この実施形態
では、同図に示すように約３３０℃（共晶はんだ：融点
１８３℃の場合）に制御されるようになっている。

【００３０】次に、図１を参照して、この装置による実
装方法を説明する。今、図１（ａ）において、上記ＴＣ
Ｐ１は、吸着ノズル５により一定の高さに保持されてい
る。この吸着ノズル５と上記アウタリード押さえ６は、
図に１７で示す吸着ノズル・アウタリード押さえ駆動機
構に保持されており、Ｚ方向に連動して駆動されるよう
になっている。

【００３１】具体的な機構としては、通常考え得る種々
の機構を採用しうるが、この実施形態では、例えば、上
記吸着ノズル５とアウタリード押さえ６とをＺスライダ
で連結しておくと共に、上記アウタリード押さえ６をス
プリングを介して保持しておくことによって、上記吸着
ノズル５が停止した後でも、上記アウタリード押さえ６
が下降を続け上記アウタリード３を押さえるような構成
を採るものとする。

【００３２】先ず、上記吸着ノズル・アウタリード押さ
え駆動機構１７は、上記吸着ノズル５及びアウタリード
押さえ６をＸＹ方向（水平方向）に駆動し、この図に示
すように上記ＴＣＰ１のアウタリード３を上記実装用基
板２に設けられた電極パッド４に対向位置決めする。

【００３３】ついで、上記駆動機構１７が作動し、上記
吸着ノズル５と上記アウタリード押さえ６とを下降駆動
する。そして、図１（ｂ）に示すように上記アウタリー
ド３が上記電極パッド４に当接したならば、上記吸着ノ
ズル５の下降は停止する。一方、上記アウタリード押さ
え６は下降を続け、図１（ｃ）に示すように上記アウタ
リード３を上記電極パッド４に押さえつける。前記図３
は、この状態を示すものである。

【００３４】次に、上記レーザ発振器９及び上記ガルバ
ノスキャナミラー機構１０が作動し、上記レーザ光Ｌを
上記アウタリード押さえ６に照射すると共に、前述した
ように上記レーザ光Ｌを走査する。そして、このとき、
上記制御部１６は上記アウタリード押さえ６の温度を上
記第１〜第３の熱電対１２〜１４を用いて監視し、この
アウタリード押さえ６の水平部６ａの温度を約３３０℃
になるように上記レーザ発振器９の出力を制御する。

【００３５】このことで、上記アウタリード押さえ６を
介して上記アウタリード３が加熱され、上記実装用基板
２の電極パッド４にはんだ付けされる。なお、このはん
だ付けに用いるはんだ材は、実装用基板２の電極パッド
４にメッキあるいは塗布等によって供給しておいても良
いし、前記アウタリード３側にメッキすることによって
供給するようにしておいても良い。

【００３６】上記レーザ光Ｌの照射及び走査は、他の全
てのアウタリード押さえ６について行われ、４方向に延
出されたアウタリード３が全て電極パッド４にはんだ付
けされる。以上の動作によりはんだ付けは終了し、上記
ＴＣＰ１は実装用基板２に実装される。

【００３７】このような構成によれば、以下に説明する
効果を得ることができる。第１に、この発明によれば、
レーザはんだ付けにおいて、実装用基板２に熱ダメージ
を与えることなくアウタリード３と電極パッド４のはん
だ付けを行える効果がある。

【００３８】すなわち、従来のレーザはんだ付け方法に
おいては、レーザ光を直接アウタリードに照射し、この
レーザ光をアウタリードを横切る方向に走査することで
全てのアウタリードをはんだ付けしていた。このため、
隣り合うアウタリード間の実装用基板上にもレーザ光が
照射され、この部分に熱ダメージを与えるということが
あった。

【００３９】しかし、この発明によれば、レーザ光Ｌを
アウタリード３に直接照射するのではなく、複数のアウ
タリード３を電極パッド４に押さえ付けるアウタリード
押さえ６の表面に上記レーザ光Ｌを照射・走査し、前記
アウタリード３を間接的に加熱するようにした。

【００４０】従って、アウタリード３や実装用基板２の
表面にレーザ光Ｌが直接照射されることがないから、実
装用基板２に熱ダメージを与えることがない。従って、
高出力のレーザ光を用いてはんだ付けを行う場合であっ
ても、安全に行える効果がある。

【００４１】第２に、アウタリード押さえ６の温度を監
視することができ、これによりアウタリードの加熱温度
を制御することができるから、良好なはんだ付けを行え
る効果がある。

【００４２】すなわち、従来のレーザはんだ付け方法で
は、接合部（はんだ付け部）の温度を測定することが困
難である一方、接合部の温度は実装用基板の材質やアウ
タリードのメッキ処理等に大きく左右されるため、この
温度の管理や制御が困難であるという問題があった。

【００４３】しかし、この発明では、レーザはんだ付け
方法でありながら、上記アウタリード押さえ６を介して
間接的にアウタリード３の加熱を行えるようにしたか
ら、このアウタリード押さえ６の温度を熱電対１２〜１
４を用いて検出することで接合部の温度を容易に監視す
ることができる。そして、検出された接合部の温度に基
づいて上記レーザ発振器９の出力をフィードバック制御
することで、接合部の温度を所定の温度に保つことがで
きる効果がある。

【００４４】第３に、この発明によれば、レーザはんだ
付けを行う場合において、アウタリード３を略均一に加
熱することができ、良好なはんだ付けを行える効果があ
る。

【００４５】すなわち、従来のレーザはんだ付け方法で
は、レーザ光がアウタリードに直接照射されるため、こ
のアウタリードは局部的に加熱されることになる。この
ため、アウタリードに加熱むらが生じて接合不良が発生
するおそれがあった。

【００４６】しかし、このはんだ付け装置では、上記ア
ウタリード押さえ６の水平部６ａにレーザ光Ｌを照射す
ると共に、ガルバノスキャナミラー機構１０を用いて照
射位置を左右に振ってこのアウタリード押さえ６の温度
を略均一化したので、上記アウタリードを略均一に加熱
することができる。

【００４７】このことで、接合むらのない良好なはんだ
接合を実現する事ができる効果がある。また、この発明
によれば、上記アウタリード押さえ６の、温度むらの生
じない部位（図４（ｃ）の３３０℃の部位）、すなわち
上記水平部６ａの両端部を除く部位で、上記アウタリー
ド３を押さえるようにしたので、より均一な加熱が行え
る効果がある。

【００４８】なお、この発明は、上記一実施形態に限定
されるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で種
々変形可能である。たとえば、上記一実施形態では、上
記アウタリード押さえ６の垂直部６ｂは、図５（ａ）に
示すように平板状であったが、これに限定されるもので
はない。例えば、図５（ｂ）に示すように上記水平部６
ａの両端部に接続された柱状の支持部材からなるものや
図５（ｃ）に示すように櫛状に形成されたものであって
も良い。

【００４９】このような構成によれば、このアウタリー
ド押さえ６の熱容量を小さくすることができるから、上
記レーザ光Ｌにより加熱された上記水平部６ａの熱が上
記垂直部６ｂ側へ放出されることを極力防止することが
できる。

【００５０】また、上記アウタリード押さえ６は、同図
（ｄ）に示すように、トの字形状のものであっても良
い。このアウタリード押さえ６は、図に６ｃで示す下端
部で上記アウタリード３を押さえるものであるが、上記
水平部６ａに照射されたレーザ光Ｌによる熱がこの水平
部６ａからこの下端部６ｃに伝導するから、上記アウタ
リードを加熱することができる。

【００５１】また、同図（ｅ）に示すように、上記垂直
部６ｂと水平部６ａ間の角度θが９０°以下であっても
良い。このような構成によれば、このコーナ部での多重
反射を期待することができ、レーザ光Ｌのエネルギを有
効に利用することができる。

【００５２】さらに、上記一実施形態では上記アウタリ
ード押さえ６でアウタリード３を押さえてから上記レー
ザ光Ｌを照射するようにしたが、これに限定されるもの
ではない。図１（ａ）に示す工程において、上記アウタ
リード押さえ６の水平部６ａの上面にレーザ光Ｌを照射
し、このアウタリード押さえ６を予熱するようにしても
良い。

【００５３】そして、上記予熱されたアウタリード押さ
え６で上記アウタリード３を電極パッド４に押し付けた
ならば、上記レーザ発振器９の出力を高めて上記アウタ
リード押さえ６を所定のはんだ付け温度（３３０℃）に
昇温させ、はんだ付けを行うようにする。このような構
成によれば、上記アウタリード押さえ６を、より迅速に
所定のはんだ付け温度に昇温させることができる効果が
ある。

【００５４】

【発明の効果】請求項１に記載された発明によれば、レ
ーザはんだ付け方法において、レーザ光を直接リードに
照射するのではなく、このレーザ光をリード押さえ部材
で遮ることでこのリード押さえ部材を昇温させ、このリ
ード押さえ部材の温度で上記リードを加熱することがで
きるから、レーザ光がリード間の実装用基板の表面に照
射されることを防止でき、この実装用基板に熱ダメージ
が生じることを有効に防止できる。

【００５５】請求項２に記載された発明によれば、上記
リード押さえ部材へのレーザ光の照射位置をリードを横
切る方向に何度も往復させることができ、このことによ
って上記リード押さえ部材の温度を略均一化することが
できる。従って、上記リードを均一に加熱することがで
きると共に、複数のリードを同時に加熱することができ
る。従って、良好なはんだ付けを行える効果がある。

【００５６】請求項３に記載の発明によれば、はんだ接
合部の温度を監視することができ、これに基づいて上記
温度を制御することができる。このことにより、従来の
レーザはんだ付け方法で困難だった接合部の温度の管理
及び制御が容易に行える効果がある。

【００５７】請求項４に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明と同様の効果を得ることができる。請求項
５に記載の発明によれば、リード押さえ部材でリードを
押さえる前に、このリード押さえ部材を予熱しておくこ
とができ、はんだ付けをより迅速に行うことができる効
果がある。

【００５８】請求項６に記載の発明によれば、はんだ接
合部の温度を監視しつつ、はんだ付けを行うことができ
るから、従来困難だった接合部の温度管理及び温度制御
が容易に行える効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態を示す概略構成図及び工
程図。

【図２】同じく、斜視図。

【図３】同じく、斜視図。

【図４】同じく、アウタリード押さえの温度分布を示す
概略図

【図５】同じく、アウタリード押さえの他の実施形態を
示す斜視図。

【符号の説明】

１…テープキャリアパッケージ（半導体パッケージ装
置）、２…実装用基板（基板）、３…アウタリード（リ
ード）、４…電極パッド、６…アウタリード押さえ（リ
ード押さえ部材）、７…レーザ照射手段、９…レーザ発
振器、１０…ガルバノスキャナミラー機構（走査手
段）、１６…制御部、Ｌ…レーザ光。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に形成された電極パッドに半導体パ
   ッケージ装置の複数のリードをはんだ付けにより接合す
   ることにより、この半導体パッケージ装置を上記基板に
   実装する半導体パッケージ装置の実装装置において、 上記複数のリードをはんだ材を介して上記電極パッドに
   押さえ付けるリード押さえ部材と、 このリード押さえ部材にレーザ光を照射することでこの
   リード押さえ部材を昇温させ、このリード押さえ部材を
   介して上記リードを加熱し、このリードと上記電極パッ
   ドのはんだ付けを行うレーザ照射手段とを有することを
   特徴とする半導体パッケージ装置の実装装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体パッケージ装置の
   実装装置において、 上記リード押さえ部材は、 複数のリードを押さえる押さえ部を有し、 上記レーザ照射手段は、 上記リード押さえ部材にレーザ光を照射した状態で、こ
   のレーザ光を上記複数のリードを横切る方向に走査する
   走査手段を有することを特徴とする半導体パッケージ装
   置の実装装置。
3. 【請求項３】 請求項１記載の半導体パッケージ装置の
   実装装置において、 上記リード押さえ部材の温度を検出する温度検出手段
   と、 この温度検出手段の検出に基づいて上記レーザ照射手段
   を制御し、上記リード押さえ部材を所定の温度に制御す
   る制御部とを有することを特徴とする半導体パッケージ
   装置の実装装置。
4. 【請求項４】 基板に形成された電極パッドに半導体パ
   ッケージ装置のリードをはんだ付けにより接合すること
   により、この半導体パッケージ装置を上記基板に実装す
   る半導体パッケージ装置の実装方法において、 このリード押さえ部材で、半導体パッケージ装置のリー
   ドを上記電極パッドに押さえ付ける工程と、 上記リード押さえ部材にレーザ光を照射してこのリード
   押さえ部材を昇温させ、このリード押さえ部材を加熱
   し、はんだ付けを行う工程とを有することを特徴とする
   半導体パッケージ装置の実装方法。
5. 【請求項５】 請求項４記載の半導体パッケージ装置の
   実装方法において、 上記リード押さえ部材で上記半導体パッケージ装置のリ
   ードを上記電極パッドに押さえ付ける前に、このリード
   押さえ部材にレーザ光を照射して、このリード押さえ部
   材をはんだ溶融温度以下の温度に予熱する工程を有する
   ことを特徴とする半導体パッケージ装置の実装方法。
6. 【請求項６】 請求項４記載の半導体パッケージ装置の
   実装方法において、 上記はんだ付けを行う工程は、 上記リード押さえ部材の温度を検出し、この温度を所定
   の温度に制御しながら上記はんだ付けを行う工程を含む
   ことを特徴とする半導体パッケージ装置の実装方法。