JPH09231833A - ビス(フェニルスルホニル)イミド、それらの製造法およびそれらを含んでいるイオン伝導性材料 - Google Patents
ビス(フェニルスルホニル)イミド、それらの製造法およびそれらを含んでいるイオン伝導性材料Info
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 固体状または液体状のイオン伝導性材料の製
造に利用できる新しい化合物(I)、Iの合成法、およ
びこのイオン伝導性材料から少くとも一部が構成されて
いる電気化学的発電体の製造法を提供する。 【解決手段】 イオン伝導性材料は、次式(I): (式中、XおよびX' は同一であるかまたは異なり、そ
してオルト、メタおよび/またはパラ位にある少くとも
一つの親電子性の基であり、そしてMはアルカリ金属若
しくはアルカリ土金属である。)に対応する少くとも一
種の化合物を高分子材料または極性非プロトン溶媒中に
含んでいる材料である。親電子性基XおよびX' はニト
ロ、C1 〜C5 ペルフルオロアルキル、CN、ハロゲ
ン、ビニル、CO2RおよびSO2R基(RはC1 〜C5
の直鎖または分岐アルキル基)から選ばれ、金属MはL
i、Na、K、Cs、Mg、CaおよびBaから選ばれ
る。
造に利用できる新しい化合物(I)、Iの合成法、およ
びこのイオン伝導性材料から少くとも一部が構成されて
いる電気化学的発電体の製造法を提供する。 【解決手段】 イオン伝導性材料は、次式(I): (式中、XおよびX' は同一であるかまたは異なり、そ
してオルト、メタおよび/またはパラ位にある少くとも
一つの親電子性の基であり、そしてMはアルカリ金属若
しくはアルカリ土金属である。)に対応する少くとも一
種の化合物を高分子材料または極性非プロトン溶媒中に
含んでいる材料である。親電子性基XおよびX' はニト
ロ、C1 〜C5 ペルフルオロアルキル、CN、ハロゲ
ン、ビニル、CO2RおよびSO2R基(RはC1 〜C5
の直鎖または分岐アルキル基)から選ばれ、金属MはL
i、Na、K、Cs、Mg、CaおよびBaから選ばれ
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に電気化学的電
流発生体中の電解質として用いられるイオン伝導性材料
の分野に関する。更に詳しくは、本発明はそのような電
解質の製造に使用できるビス(フェニルスルホニル)イ
ミドと呼ばれる新しい塩に関する。
流発生体中の電解質として用いられるイオン伝導性材料
の分野に関する。更に詳しくは、本発明はそのような電
解質の製造に使用できるビス(フェニルスルホニル)イ
ミドと呼ばれる新しい塩に関する。
【0002】本発明は、また、これら塩の製造法にも関
する。さらに本発明はこれらの塩から得られるイオン伝
導性材料およびそれらを含む電気化学的発電体に関す
る。
する。さらに本発明はこれらの塩から得られるイオン伝
導性材料およびそれらを含む電気化学的発電体に関す
る。
【0003】
【従来の技術】電気化学的電流発生体の製造に使用でき
る固体溶液を形成することができるイオン性塩は知られ
ている。
る固体溶液を形成することができるイオン性塩は知られ
ている。
【0004】欧州特許EP‐A‐0,096,629号
明細書には、特にアルカリ金属ペルハロスルホニルイミ
ドが記載されており、そのペルハロアルキル鎖は1から
4個の炭素原子を含み、そのハロゲンは、好ましくはフ
ッ素であり、そしてアルカリ金属は、好ましくはリチウ
ム若しくはナトリウムである。
明細書には、特にアルカリ金属ペルハロスルホニルイミ
ドが記載されており、そのペルハロアルキル鎖は1から
4個の炭素原子を含み、そのハロゲンは、好ましくはフ
ッ素であり、そしてアルカリ金属は、好ましくはリチウ
ム若しくはナトリウムである。
【0005】この特許には、また、ポリ(プロピレンオ
キシド)およびポリ(エチレンオキシド)のような高分
子材料に溶解することによる、これらの塩からの固体電
解質の製造も説明されている。このようにして得られた
固体電解質は一次および二次の電気的発電体の両方の製
造に使用できる。
キシド)およびポリ(エチレンオキシド)のような高分
子材料に溶解することによる、これらの塩からの固体電
解質の製造も説明されている。このようにして得られた
固体電解質は一次および二次の電気的発電体の両方の製
造に使用できる。
【0006】そのような発電体を製造するための、液体
状態であるもう一つのクラスの電解質も知られている。
即ち、欧州特許EP‐A‐2,606,217号明細書
には、極性の非プロトン系液体溶媒の溶液中に、次式:
状態であるもう一つのクラスの電解質も知られている。
即ち、欧州特許EP‐A‐2,606,217号明細書
には、極性の非プロトン系液体溶媒の溶液中に、次式:
【化7】
【0007】(式中、Mはアルカリ金属若しくはアルカ
リ土金属、遷移金属若しくは希土類金属;RFおよび
R'Fは同一であるかまたは異なり、そしてそれぞれ1
から12個の炭素原子を含むペルハロ、好ましくはペル
フルオロ基であり;QFは2から6個の炭素原子を含む
二価のペルフルオロ基である。)の一つに対応する塩を
含むイオン伝導性材料が記載されている。
リ土金属、遷移金属若しくは希土類金属;RFおよび
R'Fは同一であるかまたは異なり、そしてそれぞれ1
から12個の炭素原子を含むペルハロ、好ましくはペル
フルオロ基であり;QFは2から6個の炭素原子を含む
二価のペルフルオロ基である。)の一つに対応する塩を
含むイオン伝導性材料が記載されている。
【0008】直鎖のエーテル、エステル、ニトリル、ニ
トロ誘導体、アミドおよびスルホン類が溶媒として使用
できる。
トロ誘導体、アミドおよびスルホン類が溶媒として使用
できる。
【0009】これら電解質は再充電できる発電体の製造
に利用できる。
に利用できる。
【0010】非水系電解質を含む電気化学的二次蓄電池
も、最近、欧州特許EP‐A‐0,482,287号明
細書に記載されており、その非水系電解質は環式エステ
ルおよび線状エステルを含む溶媒中に塩を溶解すること
により得られる。この塩は、好ましくはリチウム・テト
ラフルオロボレート、リチウム・ヘキサフルオロホスフ
ェート、リチウム・ヘキサフルオロアセテート、リチウ
ム・トリフルオロメタンスルホネートおよび過塩素酸リ
チウムである。
も、最近、欧州特許EP‐A‐0,482,287号明
細書に記載されており、その非水系電解質は環式エステ
ルおよび線状エステルを含む溶媒中に塩を溶解すること
により得られる。この塩は、好ましくはリチウム・テト
ラフルオロボレート、リチウム・ヘキサフルオロホスフ
ェート、リチウム・ヘキサフルオロアセテート、リチウ
ム・トリフルオロメタンスルホネートおよび過塩素酸リ
チウムである。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】本発明の一つの目的
は、特に、電気化学的電流発生体の製造を意図し、固体
状または液体状のイオン伝導性材料の製造に利用できる
新しい化合物を提供することである。
は、特に、電気化学的電流発生体の製造を意図し、固体
状または液体状のイオン伝導性材料の製造に利用できる
新しい化合物を提供することである。
【0012】本発明のもう一つの目的は、対称若しくは
非対称イミド類の新しい製造法を提供することである。
非対称イミド類の新しい製造法を提供することである。
【0013】本発明のさらなる目的は、電気化学的発電
体中の電解質として特に有用な新しいイオン伝導性材料
を提供することである。
体中の電解質として特に有用な新しいイオン伝導性材料
を提供することである。
【0014】
【課題を解決するための手段】この目的のための本発明
の主題は、次式(I):
の主題は、次式(I):
【化8】 (I)
【0015】(式中、XおよびX' は同一であるかまた
は異なり、そしてオルト、メタおよび/またはパラ位に
ある少くとも一つの親電子性の基であり、そしてMはア
ルカリ金属若しくはアルカリ土金属である。)に対応す
る化合物の、イオン伝導性材料の製造における使用であ
る。
は異なり、そしてオルト、メタおよび/またはパラ位に
ある少くとも一つの親電子性の基であり、そしてMはア
ルカリ金属若しくはアルカリ土金属である。)に対応す
る化合物の、イオン伝導性材料の製造における使用であ
る。
【0016】本発明のもう一つの主題は、a)次式(I
II):
II):
【化9】 (III)
【0017】(式中、XおよびX' はオルト、メタおよ
び/またはパラ位にある少くとも一つの親電子性の基で
ある。)のスルホンアミドを、対応する次式(II):
び/またはパラ位にある少くとも一つの親電子性の基で
ある。)のスルホンアミドを、対応する次式(II):
【化10】 (II、II’)
【0018】(式中、XおよびX' は上記で定義したの
と同じである。)のスルホニルクロリドからアンモニア
水の存在下で合成し; b)次式(IV):
と同じである。)のスルホニルクロリドからアンモニア
水の存在下で合成し; b)次式(IV):
【化11】 (IV)
【0019】(式中、XおよびX' は上記と同じであ
る。)のアルカリ金属若しくはアルカリ土金属アミドを
スルホンアミド(III)から水系媒体中で塩基の助け
をかりて合成し; c)式(IV)のアミドを式(II、II’)のスルホ
ニルクロリドと水系媒体中で反応させて目的のイミド
(I)を製造する;各工程から成る段階を含んでいるこ
とを特徴とする、上記式(I)の化合物を製造する方法
を提供することである。
る。)のアルカリ金属若しくはアルカリ土金属アミドを
スルホンアミド(III)から水系媒体中で塩基の助け
をかりて合成し; c)式(IV)のアミドを式(II、II’)のスルホ
ニルクロリドと水系媒体中で反応させて目的のイミド
(I)を製造する;各工程から成る段階を含んでいるこ
とを特徴とする、上記式(I)の化合物を製造する方法
を提供することである。
【0020】本発明の更なる主題は、固体または液体溶
媒溶液中に少くとも一種の式(I)の化合物を含んでい
るイオン伝導性材料である。
媒溶液中に少くとも一種の式(I)の化合物を含んでい
るイオン伝導性材料である。
【0021】最後に、本発明の一つの主題は少くとも一
部は上述のイオン伝導性材料から構成されている電解質
を含んでいることを特徴とする電気化学的発電体であ
る。
部は上述のイオン伝導性材料から構成されている電解質
を含んでいることを特徴とする電気化学的発電体であ
る。
【0022】本発明により用いられる化合物は上に示し
た式(I)に対応する。
た式(I)に対応する。
【0023】本発明では、“フェニル”という用語は親
電子性の基X若しくはX' で少くとも一つの位置が置換
されているフェニル基を意味する。
電子性の基X若しくはX' で少くとも一つの位置が置換
されているフェニル基を意味する。
【0024】これらの親電子性基はニトロ、C1 〜C5
ペルフルオロアルキル、CN、ハロゲン(好ましくはF
若しくはBr)、ビニル、CO2RおよびSO2R基であ
り、ここで、RはC1 〜C5 の直鎖または分岐アルキル
基を意味する。ニトロ基とトリフルオロメチル基が好ま
しい。親電子性基(一つまたは複数)X若しくはX'は
オルト、メタおよび/またはパラ位に所在する。
ペルフルオロアルキル、CN、ハロゲン(好ましくはF
若しくはBr)、ビニル、CO2RおよびSO2R基であ
り、ここで、RはC1 〜C5 の直鎖または分岐アルキル
基を意味する。ニトロ基とトリフルオロメチル基が好ま
しい。親電子性基(一つまたは複数)X若しくはX'は
オルト、メタおよび/またはパラ位に所在する。
【0025】このフェニル基はオルト、メタまたはパラ
位に一置換されているが、パラ位が好ましい。
位に一置換されているが、パラ位が好ましい。
【0026】本発明では、Mは、特にLi、Na、K、
Cs、Mg、CaおよびBaを含む群から選ばれ、リチ
ウム若しくはナトリウムが好ましく、リチウムが最も好
ましい金属である。
Cs、Mg、CaおよびBaを含む群から選ばれ、リチ
ウム若しくはナトリウムが好ましく、リチウムが最も好
ましい金属である。
【0027】対称性イミドの合成に関しては、文献[ジ
ー.ダウフィンおよびエー.カーゴマー(G.Daup
hin and A.Kergomard)、Bul
l.Soc.Chim.Fr.,3,486(196
1);米国特許A‐2,348,226号明細書]に、
二当量の対応するスルホニルクロリドを、水系媒体中、
NH4OHの存在下で、pHを10〜11に維持しなが
ら、NaOHを加えることにより直接カップリングする
ことにより合成する例が示されている。
ー.ダウフィンおよびエー.カーゴマー(G.Daup
hin and A.Kergomard)、Bul
l.Soc.Chim.Fr.,3,486(196
1);米国特許A‐2,348,226号明細書]に、
二当量の対応するスルホニルクロリドを、水系媒体中、
NH4OHの存在下で、pHを10〜11に維持しなが
ら、NaOHを加えることにより直接カップリングする
ことにより合成する例が示されている。
【0028】しかし、水酸化ナトリウムを水酸化リチウ
ムで置き換えることにより、ナトリウム・イミドではな
くリチウム・イミドを合成することが望まれる場合に
は、この方法では混合物が生成するので満足な方法でな
い。
ムで置き換えることにより、ナトリウム・イミドではな
くリチウム・イミドを合成することが望まれる場合に
は、この方法では混合物が生成するので満足な方法でな
い。
【0029】本発明者達は、希望する生成物を好収率で
得ることができるイミド類の新しい製造法を見いだし
た。
得ることができるイミド類の新しい製造法を見いだし
た。
【0030】本発明者達は、対称性イミドの場合には、
スルホニルクロリド(II)から合成された対応のアミ
ド(IV)を出発スルホニルクロリド(II)とカップ
リングすることにより、また非対称性イミド(X' と異
なるX)の場合には、もう一つの適切に置換されたスル
ホニルクロリド(II')とカップリングすることによ
り希望のイミドを合成できることを示した。
スルホニルクロリド(II)から合成された対応のアミ
ド(IV)を出発スルホニルクロリド(II)とカップ
リングすることにより、また非対称性イミド(X' と異
なるX)の場合には、もう一つの適切に置換されたスル
ホニルクロリド(II')とカップリングすることによ
り希望のイミドを合成できることを示した。
【0031】より明確に言えば、使用した出発原料は次
式(II):
式(II):
【化12】 (IIII’)
【0032】のスルホニルクロリドであり、これは少く
とも一つの親電子性基(X、X' )で適切に置換された
フェニル基(換言すると、希望の最終生成物の置換フェ
ニル基に対応するフェニル基)を有し、過剰のアンモニ
ア水で処理すると、次式(III):
とも一つの親電子性基(X、X' )で適切に置換された
フェニル基(換言すると、希望の最終生成物の置換フェ
ニル基に対応するフェニル基)を有し、過剰のアンモニ
ア水で処理すると、次式(III):
【化13】 (III)
【0033】の対応スルホンアミドを生成する。このス
ルホンアミド(III)はその混合物を酸性にして沈殿
させた後、濾別して単離される。
ルホンアミド(III)はその混合物を酸性にして沈殿
させた後、濾別して単離される。
【0034】このスルホンアミド(III)は、次い
で、例えばリチウムアミドまたはナトリウムアミドのど
ちらを希望するかによって、LiOHまたはNaOHの
水溶液で処理することにより対応する次式(IV):
で、例えばリチウムアミドまたはナトリウムアミドのど
ちらを希望するかによって、LiOHまたはNaOHの
水溶液で処理することにより対応する次式(IV):
【化14】 (IV)
【0035】のアミドに変えられる。希望のイミド
(I)は、最終的に、予め得られたアミド(IV)を出
発材料としても使用されるスルホニルクロリド(II)
と水系媒体中でカップリングすることにより得られる。
かくして得られたイミドは対称の(XとX' が同一の)
イミドである。
(I)は、最終的に、予め得られたアミド(IV)を出
発材料としても使用されるスルホニルクロリド(II)
と水系媒体中でカップリングすることにより得られる。
かくして得られたイミドは対称の(XとX' が同一の)
イミドである。
【0036】本発明の方法では、前もって合成した二当
量のスルホンアミド(IV)を用いるのが便利であり、
それが一当量のスルホニルクロリド(II)と水中で直
接反応される。
量のスルホンアミド(IV)を用いるのが便利であり、
それが一当量のスルホニルクロリド(II)と水中で直
接反応される。
【0037】本発明達は塩基としての水酸化リチウムま
たは水酸化ナトリウムを用いるよりも、むしろ親核性試
薬および塩基の両方として作用するアミド(IV)を使
用する方がより効率的であることを見いだした。
たは水酸化ナトリウムを用いるよりも、むしろ親核性試
薬および塩基の両方として作用するアミド(IV)を使
用する方がより効率的であることを見いだした。
【0038】加えて、そのイミド(I)と一緒にスルホ
ンアミド(III)も捕集されるので、これは対応する
アミド(IV)を得るために再利用できる。
ンアミド(III)も捕集されるので、これは対応する
アミド(IV)を得るために再利用できる。
【0039】本発明の方法により、非対称イミド類、換
言すれば式(I)のXとX' が異なる化合物を合成する
ことも可能である。
言すれば式(I)のXとX' が異なる化合物を合成する
ことも可能である。
【0040】この場合、希望の置換基(一つまたは複
数)Xを持つアミド(IV)と、希望の置換基(一つま
たは複数)X' を持つスルホニルクロリド(II')と
の、若しくはその逆の組合せのカップリング反応が行わ
れる。
数)Xを持つアミド(IV)と、希望の置換基(一つま
たは複数)X' を持つスルホニルクロリド(II')と
の、若しくはその逆の組合せのカップリング反応が行わ
れる。
【0041】本発明の化合物(I)は、特にイオン伝導
性材料の製造に適している。事実、本発明の方法によれ
ば、このような材料は固体または液体溶媒に少くとも一
つの化合物(I)を溶解することにより得られる。
性材料の製造に適している。事実、本発明の方法によれ
ば、このような材料は固体または液体溶媒に少くとも一
つの化合物(I)を溶解することにより得られる。
【0042】この固体溶媒は、単量体単位が少くとも一
つのヘテロ原子、特に式(I)の化合物(一つまたは複
数)とドナ‐アクセプタ・タイプの結合を形成できる酸
素または窒素を含む重合体から、少くとも部分的に構成
されている高分子材料から成る。
つのヘテロ原子、特に式(I)の化合物(一つまたは複
数)とドナ‐アクセプタ・タイプの結合を形成できる酸
素または窒素を含む重合体から、少くとも部分的に構成
されている高分子材料から成る。
【0043】この重合体の単量体単位に由来するヘテロ
原子の数とアルカリ金属原子の数との比は4乃至10
0、好ましくは8乃至30であるのが好ましい。
原子の数とアルカリ金属原子の数との比は4乃至10
0、好ましくは8乃至30であるのが好ましい。
【0044】本発明の方法で用いられる高分子材料は単
独重合体若しくは共重合体から成る。これらは、好まし
くはポリ(エチレンオキシド)またはポリ(プロピレン
オキシド)である。
独重合体若しくは共重合体から成る。これらは、好まし
くはポリ(エチレンオキシド)またはポリ(プロピレン
オキシド)である。
【0045】化合物(一つまたは複数)(I)の割合
は、勿論、その選ばれた高分子材料中での、この(これ
らの)化合物(一つまたは複数)の溶解度域値より小さ
くなるように選ばれる。
は、勿論、その選ばれた高分子材料中での、この(これ
らの)化合物(一つまたは複数)の溶解度域値より小さ
くなるように選ばれる。
【0046】イオン伝導性材料の製造は任意の既知の方
法で行われる。かくして、その高分子と化合物(一つま
たは複数)(I)の両方の溶媒、例えばアセトニトリル
またはメタノールの中に溶解し、次いでこの溶媒を除去
することにより行われる。溶媒を何も用いないで、融解
状態のその高分子の中に化合物(一つまたは複数)
(I)を溶解することによっても行うことができる。
法で行われる。かくして、その高分子と化合物(一つま
たは複数)(I)の両方の溶媒、例えばアセトニトリル
またはメタノールの中に溶解し、次いでこの溶媒を除去
することにより行われる。溶媒を何も用いないで、融解
状態のその高分子の中に化合物(一つまたは複数)
(I)を溶解することによっても行うことができる。
【0047】本発明の方法により、液体溶媒中に少くと
も一種の化合物(I)を溶解することによりイオン伝導
性材料を製造することも可能である。
も一種の化合物(I)を溶解することによりイオン伝導
性材料を製造することも可能である。
【0048】この溶媒は、次の: ‐ジエチルエーテル若しくはジメトキシエタンのような
直鎖のエーテル、またはテトラヒドロフラン、ジオキサ
ン若しくはジメチルテトラヒドロフランのような環状エ
ーテル類、 ‐ギ酸メチル若しくはエチル、プロピレン若しくはエチ
レンカーボナートまたはブチロラクトンのようなエステ
ル類、 ‐アセトニトリルおよびベンゾニトリルのようなニトリ
ル類、 ‐ニトロメタンまたはニトロベンゼンのようなニトロ誘
導体、 ‐ジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミドおよび
N‐メチルピロリドンのようなアミド類、および ‐ジメチルスルホン、テトラメチルスルホンのようなス
ルホン類、ラクトン類、およびα‐バレロラクトン類お
よびスルホランを含む群から選ばれる極性非プロトン溶
媒である。これら溶媒の混合物も用いられる。
直鎖のエーテル、またはテトラヒドロフラン、ジオキサ
ン若しくはジメチルテトラヒドロフランのような環状エ
ーテル類、 ‐ギ酸メチル若しくはエチル、プロピレン若しくはエチ
レンカーボナートまたはブチロラクトンのようなエステ
ル類、 ‐アセトニトリルおよびベンゾニトリルのようなニトリ
ル類、 ‐ニトロメタンまたはニトロベンゼンのようなニトロ誘
導体、 ‐ジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミドおよび
N‐メチルピロリドンのようなアミド類、および ‐ジメチルスルホン、テトラメチルスルホンのようなス
ルホン類、ラクトン類、およびα‐バレロラクトン類お
よびスルホランを含む群から選ばれる極性非プロトン溶
媒である。これら溶媒の混合物も用いられる。
【0049】固体材料の場合のように、化合物(一つま
たは複数)(I)の割合は使用される溶媒若しくは溶媒
混合物中でのこの(これらの)化合物(一つまたは複
数)の溶解度域値より小さくなければならない。
たは複数)(I)の割合は使用される溶媒若しくは溶媒
混合物中でのこの(これらの)化合物(一つまたは複
数)の溶解度域値より小さくなければならない。
【0050】かくして得られたイオン伝導性材料は、特
に電気化学的電流発生体用の電解質として使用できる伝
導率を有している。
に電気化学的電流発生体用の電解質として使用できる伝
導率を有している。
【0051】かくして、本発明の方法により、再充電も
できるタイプの一次または二次電気化学的発電体用の固
体若しくは液体の電解質が製造される。
できるタイプの一次または二次電気化学的発電体用の固
体若しくは液体の電解質が製造される。
【0052】電気化学的発電体を製造するために、少く
とも部分的に、上で説明したイオン伝導性材料から構成
される電解質を、選ばれた化合物(一つまたは複数)
(I)のアルカリ金属に対応するアルカリ金属イオンを
供給できる材料から作られた陰極、およびこの金属を取
り入れることのできる材料から作られた陽極と組み合せ
て用いられる。
とも部分的に、上で説明したイオン伝導性材料から構成
される電解質を、選ばれた化合物(一つまたは複数)
(I)のアルカリ金属に対応するアルカリ金属イオンを
供給できる材料から作られた陰極、およびこの金属を取
り入れることのできる材料から作られた陽極と組み合せ
て用いられる。
【0053】例えば、合金、金属間化合物、若しくはこ
の金属を基体とする挿入化合物から作られる陰極を使用
することが可能である。
の金属を基体とする挿入化合物から作られる陰極を使用
することが可能である。
【0054】陽極は、その部分がアルカリ金属の挿入を
可能にする結晶構造を有する任意の材料から作られる。
可能にする結晶構造を有する任意の材料から作られる。
【0055】発電体用および、特に再充電可能な蓄電池
用電解質中に本発明による化合物(I)が存在すると、
その蓄電池の充電中に樹枝状の突起物の出現を遅延させ
ることができる利点があり、かくしてその蓄電池の繰り
返し使用性を向上させる効果がある。
用電解質中に本発明による化合物(I)が存在すると、
その蓄電池の充電中に樹枝状の突起物の出現を遅延させ
ることができる利点があり、かくしてその蓄電池の繰り
返し使用性を向上させる効果がある。
【0056】化合物(一つまたは複数)(I)の濃度
は、共に満足なイオン伝導性と樹枝状物生成抑制の両効
果を同時に得られるように調整するのが望ましい。
は、共に満足なイオン伝導性と樹枝状物生成抑制の両効
果を同時に得られるように調整するのが望ましい。
【0057】本発明の方法により、アルカリ金属若しく
はアルカリ・土類金属ビス(ペルフルオロアルキルスル
ホニル)イミド、特にリチウム・ビス(トリフルオロメ
チルスルホニル)イミドのような電導性を示す他の塩と
の組み合せで、少くとも一種の化合物(I)を含む電解
質を考えることも可能である。
はアルカリ・土類金属ビス(ペルフルオロアルキルスル
ホニル)イミド、特にリチウム・ビス(トリフルオロメ
チルスルホニル)イミドのような電導性を示す他の塩と
の組み合せで、少くとも一種の化合物(I)を含む電解
質を考えることも可能である。
【0058】例えば、少くとも一種の化合物(I)と上
述のタイプの電導性を示す他の塩を含むポリ(エチレン
オキシド)PEOを基体とする電解質の場合、PEO中
に存在するその塩(イミド類)の総濃度に対する化合物
(一つまたは複数)(I)の濃度は、好ましくは1乃至
70モル%、さらに好ましくは1乃至30モル%であ
る。
述のタイプの電導性を示す他の塩を含むポリ(エチレン
オキシド)PEOを基体とする電解質の場合、PEO中
に存在するその塩(イミド類)の総濃度に対する化合物
(一つまたは複数)(I)の濃度は、好ましくは1乃至
70モル%、さらに好ましくは1乃至30モル%であ
る。
【0059】本発明の他の特徴および利点は、例示の方
法で何等の限定も意図しない下記に示される実施例およ
び添付される図面から明らかになるであろう。図面中、
図1および2は、不活性雰囲気および酸化性雰囲気中、
35℃から789℃の範囲での熱重量分析曲線を示し、
本発明の方法による式(I)のイミドの場合、X=X'
であって、パラ位にあるニトロ基であり、Mはリチウム
である。
法で何等の限定も意図しない下記に示される実施例およ
び添付される図面から明らかになるであろう。図面中、
図1および2は、不活性雰囲気および酸化性雰囲気中、
35℃から789℃の範囲での熱重量分析曲線を示し、
本発明の方法による式(I)のイミドの場合、X=X'
であって、パラ位にあるニトロ基であり、Mはリチウム
である。
【0060】図3は、本発明の方法による、各種塩濃度
でポリ(エチレンオキシド)に溶解した式(I)のイミ
ドを含むイオン伝導性材料の、温度の関数としての電気
伝導率の曲線であり、式(I)中、X=X' で、パラ位
にあるニトロ基であり、Mはリチウムである。
でポリ(エチレンオキシド)に溶解した式(I)のイミ
ドを含むイオン伝導性材料の、温度の関数としての電気
伝導率の曲線であり、式(I)中、X=X' で、パラ位
にあるニトロ基であり、Mはリチウムである。
【0061】図4は、本発明による化合物(I)を含
む、重合体電解質を用いた再充電できる蓄電池の場合
に、短絡が起きるまでの期間を示す曲線である。
む、重合体電解質を用いた再充電できる蓄電池の場合
に、短絡が起きるまでの期間を示す曲線である。
【0062】図5は、既存の重合体電解質を用いた再充
電できる蓄電池の場合に、短絡が起きるまでの期間を示
す曲線である。
電できる蓄電池の場合に、短絡が起きるまでの期間を示
す曲線である。
【0063】
【実施例】以下の実施例の全てで、記号“X‐Ph”或
いは“X'-Ph”は少くとも一つの親電子性置換基X或
いはX' を有するフェニル基を意味し、“p”はパラ位
を意味する。
いは“X'-Ph”は少くとも一つの親電子性置換基X或
いはX' を有するフェニル基を意味し、“p”はパラ位
を意味する。
【0064】NMRスペクトル中の化学シフトはppm
で表され、そして多重度(s=一重線、d=二重線)、
水素の数および帰属(ArH=芳香族水素)は括弧内に
示される。
で表され、そして多重度(s=一重線、d=二重線)、
水素の数および帰属(ArH=芳香族水素)は括弧内に
示される。
【0065】実施例1 リチウム・ビス(パラ‐ニトロ
フェニルスルホニル)アミドの合成工程a:パラ‐ニト
ロフェニルスルホン)アミド(X=p‐NO2 を有する
III)の合成 そのフェニル基がニトロ基でパラ置換されているスルホ
ンアミド(III)(p‐NO2 ‐Ph‐SO2 NH
2 )を、文献(G.Dauphin and A.Ke
rgomard)、Bull.Soc.Chim.F
r.,3,486(1961)に記載されている方法に
従って、対応するスルホニルクロリド(II)(p‐N
O2 ‐Ph‐SO2 Cl)を過剰のアンモニア水溶液で
処理して合成した。
フェニルスルホニル)アミドの合成工程a:パラ‐ニト
ロフェニルスルホン)アミド(X=p‐NO2 を有する
III)の合成 そのフェニル基がニトロ基でパラ置換されているスルホ
ンアミド(III)(p‐NO2 ‐Ph‐SO2 NH
2 )を、文献(G.Dauphin and A.Ke
rgomard)、Bull.Soc.Chim.F
r.,3,486(1961)に記載されている方法に
従って、対応するスルホニルクロリド(II)(p‐N
O2 ‐Ph‐SO2 Cl)を過剰のアンモニア水溶液で
処理して合成した。
【0066】反応後、この混合物を塩酸で酸性にし、濾
過して、沈殿したスルホンアミド:p‐NO2 ‐Ph‐
SO2 NH2 を回収した。
過して、沈殿したスルホンアミド:p‐NO2 ‐Ph‐
SO2 NH2 を回収した。
【0067】得られた生成物を水とジクロロメタンで洗
浄して精製した。
浄して精製した。
【0068】
【化15】 (II)
【0069】・p‐ニトロフェニルスルホニルクロリド
(II):1 H‐NMR(DMSO‐d6):8.21、8.17
(d、2H、ArH5およびH3);7.84、7.8
1(d、2H、ArH6およびH2)。
(II):1 H‐NMR(DMSO‐d6):8.21、8.17
(d、2H、ArH5およびH3);7.84、7.8
1(d、2H、ArH6およびH2)。
【0070】・p‐ニトロフェニルスルホンアミド(I
II):1 H‐NMR(DMSO‐d6):8.43、8.38
(d、2H、ArH5およびH3);8.08、8.0
3(d、2H、ArH6およびH2);7.72(s、
2H、NH2 )。
II):1 H‐NMR(DMSO‐d6):8.43、8.38
(d、2H、ArH5およびH3);8.08、8.0
3(d、2H、ArH6およびH2);7.72(s、
2H、NH2 )。
【0071】工程b:リチウム・パラ‐ニトロフェニル
スルホンアミド(X=p‐NO2 とM=Liを有するI
V)の合成 このスルホンアミド(III)を一当量の水酸化リチウ
ムを含む水溶液で処理する。反応後、溶媒を蒸発させ
て、生成物を単離する。
スルホンアミド(X=p‐NO2 とM=Liを有するI
V)の合成 このスルホンアミド(III)を一当量の水酸化リチウ
ムを含む水溶液で処理する。反応後、溶媒を蒸発させ
て、生成物を単離する。
【0072】1H‐NMR(DMSO‐d6):8.1
7、8.14(d、2H、ArH5およびH3);7.
88、7.84(d、2H、ArH6およびH2);
3.3(幅広いピーク、1H、‐NH‐)。
7、8.14(d、2H、ArH5およびH3);7.
88、7.84(d、2H、ArH6およびH2);
3.3(幅広いピーク、1H、‐NH‐)。
【0073】工程c:リチウム・ビス(パラ‐ニトロフ
ェニルスルホニル)イミド(X=NO2 とM=Liを有
するI)の合成 工程bで予め得られた二当量のスルホンアミド(IV)
を水の存在下で一当量の出発スルホニルクロリド(I
I)と反応させる。
ェニルスルホニル)イミド(X=NO2 とM=Liを有
するI)の合成 工程bで予め得られた二当量のスルホンアミド(IV)
を水の存在下で一当量の出発スルホニルクロリド(I
I)と反応させる。
【0074】求めるイミド(I)の生成と平行して、パ
ラ‐ニトロスルホンアミド(III)も生成し、水溶液
から沈殿し、次に再利用できる。このイミド(I)を溶
媒を蒸発させて単離し、次いで熱水に再溶解した後再結
晶する。
ラ‐ニトロスルホンアミド(III)も生成し、水溶液
から沈殿し、次に再利用できる。このイミド(I)を溶
媒を蒸発させて単離し、次いで熱水に再溶解した後再結
晶する。
【0075】水溶液を濃縮し、加熱して再溶解して得ら
れたイミド(I)を再結晶後80℃で24時間減圧乾燥
して88%の収率で純粋な生成物を得た。
れたイミド(I)を再結晶後80℃で24時間減圧乾燥
して88%の収率で純粋な生成物を得た。
【0076】このようにして単離した生成物を元素分析
し、他の生成物を何も含まないことを確かめた。
し、他の生成物を何も含まないことを確かめた。
【0077】1H‐NMR(DMSO‐d6、D2O):
8.24、8.21(d、4H、ArH3,H5、H
3'、H5');7.91、7.87(d、4H、ArH
2、H6、H2'、H6' )。
8.24、8.21(d、4H、ArH3,H5、H
3'、H5');7.91、7.87(d、4H、ArH
2、H6、H2'、H6' )。
【0078】
【化16】
【0079】13C‐NMR(DMSO‐d6、D2O):
151.6(C4およびC4');145.4(Clお
よびCl');126.4(C2およびC2'、C6およ
びC6');123.9(C3およびC3'、C5および
C5')。
151.6(C4およびC4');145.4(Clお
よびCl');126.4(C2およびC2'、C6およ
びC6');123.9(C3およびC3'、C5および
C5')。
【0080】各種ラインの帰属はリチウム・アリールス
ルホンアミドのスペクトルを援用し、イミド中の炭素の
シフトを予測するためのCHEMWINDソフトウエア
を用いて行った。
ルホンアミドのスペクトルを援用し、イミド中の炭素の
シフトを予測するためのCHEMWINDソフトウエア
を用いて行った。
【0081】熱重量分析:この分析は、不活性および酸
化性雰囲気中、10℃/分の昇温速度で35℃と798
℃の間で行った。得られた曲線を図1(N2 中)および
2(空気中)に示した。これらの曲線は150℃で脱離
する水の存在を示す。この高い値は水による塩の溶媒和
のエネルギーが大きいことを示す。
化性雰囲気中、10℃/分の昇温速度で35℃と798
℃の間で行った。得られた曲線を図1(N2 中)および
2(空気中)に示した。これらの曲線は150℃で脱離
する水の存在を示す。この高い値は水による塩の溶媒和
のエネルギーが大きいことを示す。
【0082】これら曲線は、塩(I)が不活性および酸
化性(周囲の空気)媒体中で370℃まで安定なことを
示す。
化性(周囲の空気)媒体中で370℃まで安定なことを
示す。
【0083】実施例2:リチウム・4-ニトロ‐4'‐ビ
ニルビフェニルスルホニルイミドの合成 パラ‐スチレンスルホニルクロリド(X' =p‐ビニ
ル、を有するII')からリチウム・パラ‐スチレンス
ルホンアミド(X' =p‐ビニルおよびM=Liを有す
るIV)を合成する方法は実施例1と同様である。
ニルビフェニルスルホニルイミドの合成 パラ‐スチレンスルホニルクロリド(X' =p‐ビニ
ル、を有するII')からリチウム・パラ‐スチレンス
ルホンアミド(X' =p‐ビニルおよびM=Liを有す
るIV)を合成する方法は実施例1と同様である。
【0084】・パラ‐スチレンスルホニルクロリド:1 H‐NMR(DMSO‐d6):7.58、7.54
(d、2H、ArH2'およびH6');7.43、7.
39(d、2H、ArH3'およびH5');6.79、
6.73、6.70、6.65(dd、1H、=CH
‐);5.87、5.78(d、1H、H2C=);
5.29、5.24(d、1H、H2C=)。
(d、2H、ArH2'およびH6');7.43、7.
39(d、2H、ArH3'およびH5');6.79、
6.73、6.70、6.65(dd、1H、=CH
‐);5.87、5.78(d、1H、H2C=);
5.29、5.24(d、1H、H2C=)。
【0085】・パラ‐スチレンスルホンアミド:1 H‐NMR(DMSO‐d6):7.58、7.54
(d、2H、ArH2'およびH6');7.43、7.
39(d、2H、ArH3'およびH5');6.79、
6.74、6.70、6.65(dd、1H、=CH
‐);5.87、5.78(d、1H、H2C=);
5.29、5.23(d、1H、H2C=)。
(d、2H、ArH2'およびH6');7.43、7.
39(d、2H、ArH3'およびH5');6.79、
6.74、6.70、6.65(dd、1H、=CH
‐);5.87、5.78(d、1H、H2C=);
5.29、5.23(d、1H、H2C=)。
【0086】このようにして合成されたパラ‐スチレン
スルホンアミド(IV)とパラ‐ニトロフェニルスルホ
ニルクロリド(II)とのカップリングは、次いで実施
例1の工程c)で説明した条件で行われる。かくして、
希望の非対称性イミド:リチウム・4-ニトロ‐4'‐ビニ
ルビフェニルスルホニルイミドが得られる。
スルホンアミド(IV)とパラ‐ニトロフェニルスルホ
ニルクロリド(II)とのカップリングは、次いで実施
例1の工程c)で説明した条件で行われる。かくして、
希望の非対称性イミド:リチウム・4-ニトロ‐4'‐ビニ
ルビフェニルスルホニルイミドが得られる。
【0087】1H‐NMR(DMSO‐d6):8.2
1、8.17(d、2H、ArH5およびH3);7.
87、7.83(d、2H、ArH6およびH2);
7.60、7.56(d、2H、ArH2'およびH
6');7.46、7.42、(d、2H、ArH3'お
よびH5');6.81、6.75、6.72、6.6
6(dd、1H、=CH‐);5.92、5.83
(d、1H、H2C=);5.36、5.30(d、1
H、H2C=)。
1、8.17(d、2H、ArH5およびH3);7.
87、7.83(d、2H、ArH6およびH2);
7.60、7.56(d、2H、ArH2'およびH
6');7.46、7.42、(d、2H、ArH3'お
よびH5');6.81、6.75、6.72、6.6
6(dd、1H、=CH‐);5.92、5.83
(d、1H、H2C=);5.36、5.30(d、1
H、H2C=)。
【0088】13C‐NMR:151.6(C4);14
5.4(Cl);140.6(C4');138.5
(Cl');135.8(ビニルCH);126.5
(C3'およびC5');126.4(C2およびC
6);125.4(C2' およびC6');123.9
(C3およびC5);112.3(ビニルCH2)。
5.4(Cl);140.6(C4');138.5
(Cl');135.8(ビニルCH);126.5
(C3'およびC5');126.4(C2およびC
6);125.4(C2' およびC6');123.9
(C3およびC5);112.3(ビニルCH2)。
【0089】各種ラインの帰属はリチウム・アリールス
ルホンアミドのスペクトルを援用し、イミド中の炭素の
シフトを予測するためのCHEMWINDソフトウエア
を用いて行った。
ルホンアミドのスペクトルを援用し、イミド中の炭素の
シフトを予測するためのCHEMWINDソフトウエア
を用いて行った。
【0090】・元素分析: ・80℃で真空‐蒸発後 C=43.61%;H=3.11%;N=7.34%; Li=1.770%;H2 O=2.934%。 ・アセトニトリルで処理し、50℃で真空‐蒸発後 C=43.99%;H=3.62%;N=6.58%; Li=1.545%;H2 O=2.658%。
【0091】伝導性の調査 上に示した、実施例1で得た塩について高分子電解質系
中でのその伝導性を調べた。
中でのその伝導性を調べた。
【0092】異なる塩濃度でビス(パラ‐ニトロフェニ
ルスルホニル)イミド(NO2 PhSILi)を含む数
種のポリ(エチレンオキシド)PEO:900×1
03、試料をO/Li比で代表して示した。
ルスルホニル)イミド(NO2 PhSILi)を含む数
種のポリ(エチレンオキシド)PEO:900×1
03、試料をO/Li比で代表して示した。
【0093】図3に、1/Tの関数として得られた伝導
率曲線を示した。測定は温度を上げながら行った。O/
Li比=30で最良の結果が得られた。
率曲線を示した。測定は温度を上げながら行った。O/
Li比=30で最良の結果が得られた。
【0094】PEOの結晶性により、この伝導率は室温
では小さく(10-8S/cm)、その後急速に増加し
て、O/Li比=30の場合、60℃で10-4S/cm
のオーダーに達する。
では小さく(10-8S/cm)、その後急速に増加し
て、O/Li比=30の場合、60℃で10-4S/cm
のオーダーに達する。
【0095】実施例3:再充電できる蓄電池の製造 ポリ(エチレンオキシド)PEOを基体とする高分子電
解質で隔てられた二つのリチウム電極から成り、リチウ
ム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド(L
iTFSI)とリチウム・ビス(パラ‐ニトロフェニル
スルホニル)イミド(LiNPSI)の混合物を含み、
(存在する両リチウム塩を考慮した)全O/Li比が3
0になるように、LiTFSI/LiNPSIのモル比
が0.5である7cm2 の電気化学電池を作った。
解質で隔てられた二つのリチウム電極から成り、リチウ
ム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド(L
iTFSI)とリチウム・ビス(パラ‐ニトロフェニル
スルホニル)イミド(LiNPSI)の混合物を含み、
(存在する両リチウム塩を考慮した)全O/Li比が3
0になるように、LiTFSI/LiNPSIのモル比
が0.5である7cm2 の電気化学電池を作った。
【0096】抗デンドライト効果の研究 先ず、実施例3の方法による電気化学電池で、0.1m
A/cm2 の定電流が流れる場合について、樹枝状突起
(デンドライト)成長の影響でその電池が短絡するまで
の時間を測定した。得られたア結果を図4に示す。
A/cm2 の定電流が流れる場合について、樹枝状突起
(デンドライト)成長の影響でその電池が短絡するまで
の時間を測定した。得られたア結果を図4に示す。
【0097】比較のために、リチウム・ビス(トリフル
オロメチルスルホニル)イミド(LiTFSI)だけ
を、O/Li比=30で含んだPEO系電解質を用いた
ことを除いて、実施例3と同じタイプの電気化学電池を
造った。この比較例で得られた結果を図5に示した。
オロメチルスルホニル)イミド(LiTFSI)だけ
を、O/Li比=30で含んだPEO系電解質を用いた
ことを除いて、実施例3と同じタイプの電気化学電池を
造った。この比較例で得られた結果を図5に示した。
【0098】本発明の方法による化合物(LiNPS
I)が存在する場合、短絡は約60時間後にやっと起き
るが、既知の電解質の場合には僅か約15時間で短絡が
起きることが分かる。
I)が存在する場合、短絡は約60時間後にやっと起き
るが、既知の電解質の場合には僅か約15時間で短絡が
起きることが分かる。
【0099】これは、本発明の方法による化合物が存在
すると、それが無い場合に比べて、より均一なリチウム
の析出が可能になることを示す。
すると、それが無い場合に比べて、より均一なリチウム
の析出が可能になることを示す。
【図1】図1は化合物(I)の不活性雰囲気中、35℃
から789℃の範囲での熱重量分析曲線を示す。
から789℃の範囲での熱重量分析曲線を示す。
【図2】図2は化合物(I)の酸化性雰囲気中、35℃
から789℃の範囲での熱重量分析曲線を示す。
から789℃の範囲での熱重量分析曲線を示す。
【図3】図3は本発明の方法による各種塩濃度でポリ
(エチレンオキシド)に溶解した式(I)のイミドを含
むイオン伝導性材料の、温度の関数としての電気伝導率
の曲線である。
(エチレンオキシド)に溶解した式(I)のイミドを含
むイオン伝導性材料の、温度の関数としての電気伝導率
の曲線である。
【図4】図4は本発明の方法による化合物(I)を含む
重合体電解質を用いた再充電できる蓄電池の場合に、短
絡が起きるまでの期間を示す曲線である。
重合体電解質を用いた再充電できる蓄電池の場合に、短
絡が起きるまでの期間を示す曲線である。
【図5】図5は既存の重合体電解質を用いた再充電でき
る蓄電池の場合に、短絡が起きるまでの期間を示す曲線
である。
る蓄電池の場合に、短絡が起きるまでの期間を示す曲線
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 レオナール・エイベ フランス共和国67800 オエンエイム,リ ュー・マレシャル・ジョフル 17 (72)発明者 サミ・バイヨー フランス共和国67000 ストラスブール, アンパッス・デ・ラ・ビエール 2
Claims (32)
- 【請求項1】 少くとも一種の次式(I): 【化1】 (I) (式中、基XおよびX' は同一であるかまたは異なり、
そしてオルト、メタおよび/またはパラ位にある少くと
も一つの親電子性の基であり、そしてMはアルカリ若し
くはアルカリ土類金属である。)の化合物を、高分子材
料を含む溶媒若しくは極性非プロトン溶媒または溶媒混
合物中に溶解して含んでいることを特徴とするイオン伝
導性材料。 - 【請求項2】 親電子性基X、X'がニトロ、C1 〜C5
ペルフルオロアルキル、CN、ハロゲン、ビニル、CO
2RおよびSO2R基(ここで、RはC1 〜C5の直鎖ま
たは分岐アルキル基を意味する)から選ばれることを特
徴とする、請求項1に記載のイオン伝導性材料。 - 【請求項3】 親電子性基がニトロ基およびトリフルオ
ロメチル基から選ばれることを特徴とする、請求項1お
よび2のいずれか1項に記載のイオン伝導性材料。 - 【請求項4】 金属Mがリチウム、ナトリウム、カリウ
ム、セシウム、マグネシウム、カルシウムおよびバリウ
ムを含む群から選ばれることを特徴とする、請求項1か
ら3の任意の1項に記載のイオン伝導性材料。 - 【請求項5】 金属Mがリチウム若しくはナトリウムか
ら選ばれるアルカリ金属であることを特徴とする、請求
項1から4の任意の1項に記載のイオン伝導性材料。 - 【請求項6】 フェニル基がパラ位に一置換されている
ことを特徴とする、請求項1から5の任意の1項に記載
のイオン伝導性材料。 - 【請求項7】 リチウム・ビス(パラ‐ニトロフェニル
スルホニル)イミドおよびリチウム・(4-ニトロ-4'-
ビニルジフェニルスルホニル)イミドから選ばれる少く
とも一種の化合物を含んでいることを特徴とする、請求
項1から6の任意の1項に記載のイオン伝導性材料。 - 【請求項8】 溶媒が、単量体単位が少くとも一つのヘ
テロ原子、特に化合物(I)とドナ‐アクセプタ・タイ
プの結合を形成することができる酸素または窒素を含ん
でいる重合体から少くとも一部構成されている高分子材
料から成る固体溶媒であることを特徴とする、請求項1
から7の任意の1項に記載のイオン伝導性材料。 - 【請求項9】 高分子材料の単量体単位に由来するヘテ
ロ原子の数と、化合物(I)のアルカリ金属原子の数と
の比が4乃至100、好ましくは8乃至30であること
を特徴とする、請求項8に記載のイオン伝導性材料。 - 【請求項10】 高分子材料がポリ(エチレンオキシ
ド)およびポリ(プロピレンオキシド)から選ばれる重
合体を含むことを特徴とする、請求項1から9の任意の
1項に記載のイオン伝導性材料。 - 【請求項11】 溶媒が、次の: ‐ジエチルエーテル若しくはジメトキシエタンのような
直鎖のエーテル類若しくはテトラヒドロフラン、ジオキ
サンまたはジメチルテトラヒドロフランのような環状エ
ーテル類、 ‐ギ酸メチル若しくはエチル、プロピレン若しくはエチ
レンカーボネートおよびブチロラクトン類のようなエス
テル類、 ‐アセトニトリルおよびベンゾニトリルのようなニトリ
ル類、 ‐ニトロメタンまたはニトロベンゼンのようなニトロ誘
導体、 ‐ジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミドおよび
N‐メチルピロリドンのようなアミド類、および ‐ジメチルスルホン、テトラメチルスルホンのようなス
ルホン類、ラクトン類、α‐バレロラクトン類およびス
ルホランを含む群から選ばれる極性非プロトン溶媒若し
くは溶媒混合物から構成される液体溶媒であることを特
徴とする、請求項1から7の任意の1項に記載のイオン
伝導性材料。 - 【請求項12】 アルカリ金属若しくはアルカリ土類金
属・ビス(ペルハロアルキルスルホニル)イミド、特に
リチウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミ
ドのような、伝導性を示す少くとも一種の他の塩を更に
含んでいることを特徴とする、請求項1〜11の任意の
1項に記載のイオン伝導性材料。 - 【請求項13】 化合物(一種または複数)(I)の濃
度が伝導性塩の総濃度に対して1乃至70モル%、好ま
しくは1乃至30モル%であることを特徴とする、請求
項12に記載のイオン伝導性材料。 - 【請求項14】 次式(I): 【化2】 (式中、基XおよびX' は同一であるかまたは異なり、
そしてオルト、メタおよび/またはパラ位にある少くと
も一つの親電子性の基であり、そしてMはアルカリ金属
若しくはアルカリ土類金属である。)の化合物の、イオ
ン伝導性材料の合成のための使用。 - 【請求項15】 親電子性基X、X' がニトロ、C1 〜
C5ペルフルオロアルキル、CN、ハロゲン、ビニル、
CO2RおよびSO2R基(ここで、RはC1〜C5 の直
鎖または分岐アルキル基を意味する)から選ばれること
を特徴とする、請求項14に記載の使用。 - 【請求項16】 親電子性基がニトロ基およびトリフル
オロメチル基から選ばれることを特徴とする請求項14
および15のいずれか1項に記載の使用。 - 【請求項17】 金属Mがリチウム、ナトリウム、カリ
ウム、セシウム、マグネシウム、カルシウムおよびバリ
ウムを含む群から選ばれることを特徴とする、請求項1
4から16の任意の1項に記載の使用。 - 【請求項18】 金属Mがリチウムおよびナトリウムか
ら選ばれるアルカリ金属であることを特徴とする請求項
14から17の任意の1項に記載の使用。 - 【請求項19】 フェニル基がパラ位に一置換されてい
ることを特徴とする、請求項14から18の任意の1項
に記載の使用。 - 【請求項20】 式(I)の化合物がリチウム・ビス
(パラ‐ニトロフェニルスルホニル)イミドおよびリチ
ウム・(4-ニトロ-4'-ビニルジフェニルスルホニル)
イミドから選ばれることを特徴とする、請求項14から
19の任意の1項に記載の使用。 - 【請求項21】 樹枝状突起の生成を遅延させるため
の、請求項14から20の任意の1項に記載の使用。 - 【請求項22】 イオン伝導性材料がアルカリ金属若し
くはアルカリ土類金属・ビス(ペルハロアルキルスルホ
ニル)イミド、特にリチウム・ビス(トリフルオロメチ
ルスルホニル)イミドのような、伝導性を示す少くとも
一種の他の塩を更に含んでいることを特徴とする、請求
項14から21の任意の1項に記載の使用。 - 【請求項23】 化合物(一種または複数)(I)の濃
度が伝導性塩の総濃度に対して1乃至70モル%、好ま
しくは1乃至30モル%であることを特徴とする、請求
項22に記載の使用。 - 【請求項24】 請求項1から13の任意の1項に記載
のイオン伝導性材料から少くとも一部構成されている電
解質、該イオン伝導性材料中に存在する式(I)の化合
物の金属Mに対応するアルカリ金属若しくはアルカリ土
金属Mのイオンを供給できる材料から作られている陰
極、および該Mイオンを取り入れることのできる材料か
ら作られている陽極を含んでいることを特徴とする、電
気化学的発電体。 - 【請求項25】 再充電できる蓄電池から成ること、お
よび樹枝状突起の生成を遅延させるのに有効な量のイオ
ン伝導性材料を含んでいることを特徴とする、請求項2
4に記載の電気化学的発電体。 - 【請求項26】 請求項1から13の任意の1項に記載
のイオン伝導性材料、該イオン伝導性材料中に存在する
式(I)の化合物の金属Mに対応するアルカリ金属若し
くはアルカリ土金属Mのイオンを供給できる材料から作
られている陰極、および該Mイオンを取り入れることの
できる材料から作られている陽極を使用することを特徴
とする電流発生法。 - 【請求項27】 再充電できる蓄電池で使用することを
特徴とする、請求項26に記載の電流発生法。 - 【請求項28】 a)次式(III): 【化3】 (III) (式中、基XおよびX' はオルト、メタおよび/または
パラ位にある少くとも一つの親電子性の基である。)の
スルホンアミドを、対応する次式(II、II’): 【化4】 (II、II') (式中、基XおよびX' は上記で定義したのと同じであ
る。)のスルホニルクロリドからアンモニア水の存在下
で合成し;b)次式(IV): 【化5】 (IV) (式中、基XおよびX’並びにMは上記と同じ意味を有
する。)のアルカリ金属若しくはアルカリ土金属アミド
をスルホンアミド(III) から水系媒体中で塩基の
助けをかりて合成し;c)式(IV)のアミドを式
(II、II’)のスルホニルクロリドと水系媒体中で
反応させて目的のイミド(I)を製造する;各工程から
成る段階を含んでいることを特徴とする、次式(I): 【化6】 (I) (式中、基XおよびX' は同一であるかまたは異なり、
そしてオルト、メタおよび/またはパラ位にある少くと
も一つの親電子性の基であり、そしてMはアルカリ金属
若しくはアルカリ土金属である。)の化合物の製造方
法。 - 【請求項29】 工程c)において、2当量のアミド
(IV)を1当量のスルホニルクロリド(II、I
I’)と反応させることを特徴とする、請求項28に記
載の方法。 - 【請求項30】 親電子性基X、X' がニトロ、C1 〜
C5 ペルフルオロアルキル、CN、ハロゲン、ビニル、
CO2RおよびSO2R基(ここで、RはC1〜C5 の直
鎖または分岐アルキル基である)から選ばれることを特
徴とする、請求項28および29のいずれか1項に記載
の方法。 - 【請求項31】 金属Mがリチウム、ナトリウム、カリ
ウム、セシウム、マグネシウム、カルシウムおよびバリ
ウムを含む群から選ばれることを特徴とする、請求項2
8から30の任意の1項に記載の方法。 - 【請求項32】 基XおよびX' の一方がパラ‐位にあ
るニトロ基であり、基XおよびX' の他方がパラ‐位に
あるニトロ基またはビニル基であり、そしてMがリチウ
ムであることを特徴とする、請求項28から31の任意
の1項に記載の方法。
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