JPH09213887A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH09213887A JPH09213887A JP1382496A JP1382496A JPH09213887A JP H09213887 A JPH09213887 A JP H09213887A JP 1382496 A JP1382496 A JP 1382496A JP 1382496 A JP1382496 A JP 1382496A JP H09213887 A JPH09213887 A JP H09213887A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- clock
- wiring
- semiconductor device
- layer
- hard macro
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置において、各回路の再配置のたび
にクロック分配の再設計をなくし、事前の性能予測を容
易にする。 【解決手段】 スタンダードセルの半導体装置1上で、
回路を構成およびクロック電源を供給するために複数の
配線を使用する場合に、規則的なパターンの固定クロッ
ク配線2によりハードマクロ3、ハードマクロ4、F/
F5,6からのクロック接続配線を接続することでクロ
ックを分配する。固定クロック配線2と接続ブロックで
あるハードマクロ3,4、F/F5,6のクロック入力
端子はスルーホール9で接続されている。ハードマクロ
3,4、F/F5,6は、第1層の信号配線7と、第2
層の信号配線8により回路構成のために接続されてい
る。
にクロック分配の再設計をなくし、事前の性能予測を容
易にする。 【解決手段】 スタンダードセルの半導体装置1上で、
回路を構成およびクロック電源を供給するために複数の
配線を使用する場合に、規則的なパターンの固定クロッ
ク配線2によりハードマクロ3、ハードマクロ4、F/
F5,6からのクロック接続配線を接続することでクロ
ックを分配する。固定クロック配線2と接続ブロックで
あるハードマクロ3,4、F/F5,6のクロック入力
端子はスルーホール9で接続されている。ハードマクロ
3,4、F/F5,6は、第1層の信号配線7と、第2
層の信号配線8により回路構成のために接続されてい
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は複数層の配線を有す
る半導体装置に関する。
る半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のゲートアレー半導体装置では、図
3に示すように、ゲートアレー半導体装置15上に、ゲ
ートアレー領域18、ハードマクロ領域19上に構成さ
れたF/F20、ハードマクロ21があり、信号配線用
の1層、2層配線22、23により接続されたF/F2
0、ハードマクロ21へクロック供給するための信号配
線と同一層の1層、2層配線16、17でクロックが供
給されていた。
3に示すように、ゲートアレー半導体装置15上に、ゲ
ートアレー領域18、ハードマクロ領域19上に構成さ
れたF/F20、ハードマクロ21があり、信号配線用
の1層、2層配線22、23により接続されたF/F2
0、ハードマクロ21へクロック供給するための信号配
線と同一層の1層、2層配線16、17でクロックが供
給されていた。
【0003】また、従来のスタンダードセル,フルカス
タム半導体装置では、図4に示すように、スタンダード
セル半導体装置24上にF/F27、ハードマクロ28
が配置され、信号配線用の1層、2層配線29、30に
よりF/F27、ハードマクロ28が接続されており、
クロックドライバ31信号配線と同一層の1層、2層ク
ロック配線25、26によりクロックが供給されてい
た。
タム半導体装置では、図4に示すように、スタンダード
セル半導体装置24上にF/F27、ハードマクロ28
が配置され、信号配線用の1層、2層配線29、30に
よりF/F27、ハードマクロ28が接続されており、
クロックドライバ31信号配線と同一層の1層、2層ク
ロック配線25、26によりクロックが供給されてい
た。
【0004】特開平2−125663では、複数個のセ
ルの周辺に特定配線が自動的におかれ、必要に応じてセ
ルと接続する配線を自動的に配置していた。
ルの周辺に特定配線が自動的におかれ、必要に応じてセ
ルと接続する配線を自動的に配置していた。
【0005】特開昭63−304641では、固定され
たフリップフロップ列とクロックディストリビュータセ
ルが固定配置され、フリップフロップ側面にあらかじめ
準備された配線領域によりフリップフロップとクロック
ディストリビュータを接続していた。
たフリップフロップ列とクロックディストリビュータセ
ルが固定配置され、フリップフロップ側面にあらかじめ
準備された配線領域によりフリップフロップとクロック
ディストリビュータを接続していた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来のゲートアレー半
導体装置では、配線層を増やすと製造が難しくなるこ
と、または各LSIごとに最適設計をするために同一配
線層を信号配線とクロック分配のための配線に使用して
いるので、クロック配線により信号配線領域が減少し、
配線領域確保のために、半導体装置の集積度が低下して
いた。また、スタンダードセル,フルカスタムの半導体
装置は、半導体装置上の回路の再配置を行うたびにクロ
ック分配の再設計を行わなければならず、また、クロッ
ク分配配線が回路の再配置を行うたびに異なるため、配
置前に性能予測するのが困難であった。
導体装置では、配線層を増やすと製造が難しくなるこ
と、または各LSIごとに最適設計をするために同一配
線層を信号配線とクロック分配のための配線に使用して
いるので、クロック配線により信号配線領域が減少し、
配線領域確保のために、半導体装置の集積度が低下して
いた。また、スタンダードセル,フルカスタムの半導体
装置は、半導体装置上の回路の再配置を行うたびにクロ
ック分配の再設計を行わなければならず、また、クロッ
ク分配配線が回路の再配置を行うたびに異なるため、配
置前に性能予測するのが困難であった。
【0007】本発明の目的は、各回路の再配置のたびに
クロック分配の再設計を行なう必要がなく、事前に性能
予測が容易な半導体装置を提供することにある。
クロック分配の再設計を行なう必要がなく、事前に性能
予測が容易な半導体装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
クロック信号分配用のクロック配線が専用の配線層に規
則的なパターンで形成され、前記クロック信号により機
能する回路と前記クロック配線を接続する接続ブロック
を有することを特徴とする。
クロック信号分配用のクロック配線が専用の配線層に規
則的なパターンで形成され、前記クロック信号により機
能する回路と前記クロック配線を接続する接続ブロック
を有することを特徴とする。
【0009】信号配線とは別の配線層を使用して、規則
的な固定配線によりハードマクロ、F/Fへクロックを
分配することにより、スタンダードセル半導体装置では
各回路の再配置のたびにクロック供給の配線を設計する
必要がなく、ゲートアレー半導体装置では必要に応じて
クロックを自由に供給することができ、クロック配線が
信号層と異なるため、各回路をクロック配線に影響され
ず、自由に信号配線を引くことができ、クロック分配が
規則的な固定配線で構成されている半導体装置の性能予
測が容易である。
的な固定配線によりハードマクロ、F/Fへクロックを
分配することにより、スタンダードセル半導体装置では
各回路の再配置のたびにクロック供給の配線を設計する
必要がなく、ゲートアレー半導体装置では必要に応じて
クロックを自由に供給することができ、クロック配線が
信号層と異なるため、各回路をクロック配線に影響され
ず、自由に信号配線を引くことができ、クロック分配が
規則的な固定配線で構成されている半導体装置の性能予
測が容易である。
【0010】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【0011】図1は本発明の第1の実施形態の半導体装
置、特にスタンダードセル構造の半導体装置の平面図で
ある。
置、特にスタンダードセル構造の半導体装置の平面図で
ある。
【0012】スタンダードセルの半導体装置1上で、回
路を構成およびクロック電源を供給するために複数の配
線を使用する場合に、規則的なパターンの固定クロック
配線2によりハードマクロ3、ハードマクロ4、F/F
5,6からのクロック接続配線を接続することでクロッ
クを分配する。固定クロック配線2と接続ブロックであ
るハードマクロ3,4、F/F5,6のクロック入力端
子はスルーホール9で接続されている。ハードマクロ
3,4、F/F5,6は、第1層の信号配線7と、第2
層の信号配線8により回路構成のために接続されてい
る。
路を構成およびクロック電源を供給するために複数の配
線を使用する場合に、規則的なパターンの固定クロック
配線2によりハードマクロ3、ハードマクロ4、F/F
5,6からのクロック接続配線を接続することでクロッ
クを分配する。固定クロック配線2と接続ブロックであ
るハードマクロ3,4、F/F5,6のクロック入力端
子はスルーホール9で接続されている。ハードマクロ
3,4、F/F5,6は、第1層の信号配線7と、第2
層の信号配線8により回路構成のために接続されてい
る。
【0013】図2は本発明の第2の実施形態の半導体装
置、特にゲートアレー半導体装置の平面図である。
置、特にゲートアレー半導体装置の平面図である。
【0014】ゲートアレー半導体装置10上で、回路を
構成およびクロック電源供給に複数の配線を使用する場
合に、固定クロック配線2が配置され、第1層配線下に
はゲート列11、F/F列12が作りこまれており、ゲ
ート列11、F/F列12で使用するF/F13へクロ
ックを、第3層の固定クロック配線2を用いてF/F1
3のクロック入力端子へスルーホール9で接続され、F
/F13間、およびゲート14間は、信号専用の第1層
配線7と、信号専用の第2層配線8により回路構成のた
めに接続されている。
構成およびクロック電源供給に複数の配線を使用する場
合に、固定クロック配線2が配置され、第1層配線下に
はゲート列11、F/F列12が作りこまれており、ゲ
ート列11、F/F列12で使用するF/F13へクロ
ックを、第3層の固定クロック配線2を用いてF/F1
3のクロック入力端子へスルーホール9で接続され、F
/F13間、およびゲート14間は、信号専用の第1層
配線7と、信号専用の第2層配線8により回路構成のた
めに接続されている。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、信号配線
とは別の配線層を使用して、規則的な固定配線によりハ
ードマクロ、F/Fへクロックを分配することにより、
スタンダードセル半導体装置では各回路の再配置のたび
にクロック供給の配線を設計する必要がなく、ゲートア
レーでは必要に応じてクロックを自由に供給することが
でき、クロック配線が信号層と異なるため、各回路をク
ロック配線に影響されず、自由に信号配線を引くことが
でき、クロック分配が規則的な固定配線で構成されてい
るため半導体装置の性能予測が容易で、ゲートアレー半
導体装置、スタンダードセル半導体装置、フルカスタム
装置のいずれにおいても性能を想定することが容易にで
きるという結果を有する。
とは別の配線層を使用して、規則的な固定配線によりハ
ードマクロ、F/Fへクロックを分配することにより、
スタンダードセル半導体装置では各回路の再配置のたび
にクロック供給の配線を設計する必要がなく、ゲートア
レーでは必要に応じてクロックを自由に供給することが
でき、クロック配線が信号層と異なるため、各回路をク
ロック配線に影響されず、自由に信号配線を引くことが
でき、クロック分配が規則的な固定配線で構成されてい
るため半導体装置の性能予測が容易で、ゲートアレー半
導体装置、スタンダードセル半導体装置、フルカスタム
装置のいずれにおいても性能を想定することが容易にで
きるという結果を有する。
【図1】本発明のスタンダードセル半導体装置の平面図
である。
である。
【図2】本発明のゲートアレー半導体装置の平面図であ
る。
る。
【図3】従来のゲートアレー形半導体装置の平面図であ
る。
る。
【図4】従来のスタンダードセル,フルカスタム半導体
装置の平面図である。
装置の平面図である。
1 スタンダードセル半導体装置 2 第3層の固定クロック配線 3,4 ハードマクロ 5,6,13 F/F 7 第1層の信号専用配線 8 第2層の信号専用配線 9 第3層の固定クロック配線とハードマクロ、F/
Fのクロック入力端子接続用スルーホール 10 ゲートアレー半導体装置 11 ゲート配置列 12 F/F配置列 14 ゲート
Fのクロック入力端子接続用スルーホール 10 ゲートアレー半導体装置 11 ゲート配置列 12 F/F配置列 14 ゲート
Claims (2)
- 【請求項1】 複数層の配線を有するゲートアレー構造
の半導体装置において、 クロック信号分配用のクロック配線が専用の配線層に規
則的なパターンで形成され、前記クロック信号により機
能する回路と前記クロック配線を接続する接続ブロック
を有することを特徴とするゲートアレー構造の半導体装
置。 - 【請求項2】 複数層の配線を有するスタンダードセ
ル,フルカスタム構造の半導体装置において、 クロック信号分配用のクロック配線が専用の配線層に規
則的なパターンで形成され、前記クロック信号により機
能する回路と前記クロック配線を接続する接続ブロック
を有することを特徴とするスタンダードセル,フルカス
タム構造の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1382496A JPH09213887A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1382496A JPH09213887A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09213887A true JPH09213887A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=11844030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1382496A Pending JPH09213887A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09213887A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010050244A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-03-04 | Nec Electronics Corp | 自動配置配線方法 |
US8030797B2 (en) | 2007-09-07 | 2011-10-04 | Nec Corporation | Apparatus, circuit and method of wiring for supplying power |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01184937A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-24 | Toshiba Corp | クロック配線方法 |
JPH0435065A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-05 | Fujitsu Ltd | マスタスライス半導体集積回路装置 |
JPH04255246A (ja) * | 1991-02-07 | 1992-09-10 | Toshiba Corp | 半導体集積回路及びその設計方法 |
JPH05218201A (ja) * | 1992-01-30 | 1993-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
-
1996
- 1996-01-30 JP JP1382496A patent/JPH09213887A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01184937A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-24 | Toshiba Corp | クロック配線方法 |
JPH0435065A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-05 | Fujitsu Ltd | マスタスライス半導体集積回路装置 |
JPH04255246A (ja) * | 1991-02-07 | 1992-09-10 | Toshiba Corp | 半導体集積回路及びその設計方法 |
JPH05218201A (ja) * | 1992-01-30 | 1993-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8030797B2 (en) | 2007-09-07 | 2011-10-04 | Nec Corporation | Apparatus, circuit and method of wiring for supplying power |
JP2010050244A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-03-04 | Nec Electronics Corp | 自動配置配線方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7523436B2 (en) | Semi-custom-made semiconductor integrated circuit device, method for customization and method for redesign | |
US6054872A (en) | Semiconductor integrated circuit with mixed gate array and standard cell | |
JP3154411B2 (ja) | Cadによってレイアウトされた2金属層集積回路ゲート・アレイ | |
JP2668981B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
EP0133958A2 (en) | A masterslice semiconductor device | |
JPH073840B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
JPH04116951A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPH09213887A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6329826B2 (ja) | ||
JP3186715B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH023279A (ja) | 相補型misマスタスライスlsiの基本セル | |
JP2901313B2 (ja) | 大規模集積回路装置 | |
JP2551499B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2652948B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
JP3132604B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP3484914B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPS5824950B2 (ja) | 半導体論理回路装置 | |
JP2702155B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
JPH0475665B2 (ja) | ||
JPH0237749A (ja) | マスタースライス型半導体装置 | |
JPS61228654A (ja) | マスタ−スライス型半導体集積回路 | |
JPH0729978A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPS6248042A (ja) | マスタ−スライス方式半導体集積回路 | |
JPH0927603A (ja) | マスタスライス型ゲートアレイ | |
JPH03255665A (ja) | 半導体集積回路装置 |