JPH0920871A - メトキシガリウムフタロシアニン結晶、その製造方法およびそれを用いた電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高感度でサイクル安定性、環境安定性に優れ
た電子写真特性を示し、結着樹脂中における分散性に優
れた新規なメトキシガリウムフタロシアニン結晶とその
製造方法、およびそれを用いた電子写真感光体を提供す
る。 【構成】 メトキシガリウムフタロシアニン結晶は、ブ
ラッグ角度（２θ±０．２°）の（１）７．９、１２．
２、１６．４、２４．４および２７．６°；（２）７．
１、８．０、１６．５、２４．５および２７．６°；
（３）６．２、８．５、１７．９、１８．９、２２．
５、２５．９および２６．７°；または（４）７．６、
１０．１、１２．６、１６．４、１８．５、２２．３、
２５．１および２８．３°に強い回折ピークを有する。
これ等はクロロガリウムフタロシアニンを金属メトキシ
ド化合物で処理してメトキシガリウムフタロシアニンを
得た後、有機溶剤と共に粉砕処理することにより得ら
れ、電荷発生材料として用いられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、新規なメトキシガリウ
ムフタロシアニン結晶、その製造方法およびそれを用い
た電子写真感光体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子写真感光体における光導電物
質としては、種々の無機系および有機系の光導電物質が
知られている。有機系の光導電物質は、それを電子写真
感光体に使用した場合、膜の透明性、良好な成膜性、可
撓性を有し、コストが比較的低い等の利点を有している
ため、従来から種々のものが提案されている。また、近
年、従来の有機光導電物質について、その感光波長領域
を近赤外線の半導体レーザーの波長領域にまで伸ばすこ
とにより、レーザープリンタ等のデジタル記録用の感光
体として使用する要求が高まっており、この様な観点か
ら、スクエアリリウム化合物（特開昭５８−２１４１６
号公報）、トリフェニルアミン系トリスアゾ化合物（特
開昭６１−１５１６５９号公報）、フタロシアニン化合
物（特開昭４８−３４１８９号公報および同５７−１４
８７４５号公報）等が半導体レーザー用の有機光導電物
質として提案されている。有機光導電物質は、半導体レ
ーザー用の感光材料として使用する場合には、まず、感
光波長領域が長波長まで伸びていること、次に、形成さ
れる感光体の感度および耐久性に優れていること等が要
求される。

【０００３】これ等の要求を満たすために、有機光導電
物質について、精力的に研究、開発が試みられており、
特にフタロシアニン化合物については、その結晶型と電
子写真特性について、多くの報告がなされている。一般
に、フタロシアニン化合物は、その製造方法または処理
方法の相違により、幾つかの結晶型に分かれること、お
よびその結晶型が異なるとフタロシアニン化合物の光電
変換特性に大きな影響を及ぼすことが知られている。フ
タロシアニン化合物の結晶型については、例えば、無金
属フタロシアニンについてみると、安定型のβ型以外
に、α、γおよびｘ等の結晶型が知られているが、光感
度の点で十分ではなかった。

【０００４】一方、ガリウムフタロシアニンに関して
も、その結晶型と電子写真特性について多くの報告がな
されており、特開平１−２２１４５９号、特公平３−３
０８５３号および特公平３−３０８５４号公報には、特
定のブラッグ角度に回折ピークを有するガリウムフタロ
シアニンおよびそれを用いた電子写真感光体について記
載されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ガリウムフタロシアニンは、サイクル安定性、環境安定
性が十分でないほか、結着樹脂中での分散性に劣るため
に、カブリや黒点等の画質欠陥を生じやすいという問題
があり、さらにその改善が望まれていた。本発明は、従
来の技術における上記のような問題点を解消するために
なされたものである。すなわち、本発明の目的は、高感
度でサイクル安定性、環境安定性に優れた電子写真特性
を示し、結着樹脂中における分散性に優れた新規なメト
キシガリウムフタロシアニン結晶とその製造方法を提供
することにある。また、本発明の他の目的は、感度特
性、サイクル安定性、環境安定性および画質特性に優れ
た電子写真感光体を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者は、光導電物質
として知られているガリウムフタロシアニン結晶等の電
子写真特性について鋭意研究を重ねた結果、特定の結晶
型を有するメトキシガリウムフタロシアニン結晶を電子
写真感光体の電荷発生材料として使用することにより、
本発明の上記目的を達成できることを見出し、本発明を
完成するに至った。

【０００７】すなわち本発明のメトキシガリウムフタロ
シアニン結晶は、下記一般式（II）で示される化学構造
式で示され、

【化１】 ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２θ±０．２
°）の少なくとも（１）７．９°、１２．２°、１６．
４°、２４．４°および２７．６°；（２）７．１°、
８．０°、１６．５°、２４．５°および２７．６°；
（３）６．２°、８．５°、１７．９°、１８．９°、
２２．５°、２５．９°および２６．７°；または
（４）７．６°、１０．１°、１２．６°、１６．４
°、１８．５°、２２．３°、２５．１°および２８．
３°に強い回折ピークを有することを特徴とする。

【０００８】本発明のメトキシガリウムフタロシアニン
結晶の第１の製造方法は、上記（１）および（２）の結
晶型のメトキシガリウムフタロシアニン結晶の製造方法
に係るものであって、クロロガリウムフタロシアニンを
下記式（Ｉ） ＣＨ₃ ＯＭ （Ｉ） （式中、Ｍはリチウム、ナトリウムまたはカリウムを表
す。）で示される金属メトキシド化合物の溶液で処理し
てメトキシガリウムフタロシアニンを合成した後、有機
溶剤と共に粉砕処理することを特徴とする。また、第２
の製造方法は、上記（３）および（４）の結晶型のメト
キシガリウムフタロシアニン結晶の製造方法に係るもの
であって、クロロガリウムフタロシアニンを上記式
（Ｉ）で示される金属メトキシド化合物の溶液で処理し
てメトキシガリウムフタロシアニンを合成した後、乾式
粉砕処理し、次いで有機溶剤と共に粉砕処理することを
特徴とする。

【０００９】さらに本発明の電子写真感光体は、導電性
基体上に感光層を設けたものであって、該感光層が光導
電性物質として、上記（１）、（２）、（３）または
（４）の結晶型を有するメトキシガリウムフタロシアニ
ン結晶を含有することを特徴とする。

【００１０】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明の上記（１）、（２）、（３）または（４）の結晶
型を有するメトキシガリウムフタロシアニン結晶は、新
規な結晶であって、クロロガリウムフタロシアニン等の
ハロゲノガリウムフタロシアニンを金属メトキシドの溶
液で処理してメトキシガリウムフタロシアニンを合成
し、次いでそのまま、または一旦乾式粉砕した後、有機
溶剤を用いて粉砕処理することによって製造することが
できる。この場合、原料のハロゲノガリウムフタロシア
ニンとしては、クロロガリウムフタロシアニンを用いる
のが好ましいが、ブロモガリウムフタロシアニンまたは
ヨードガリウムフタロシアニンを用いることもできる。
なお、クロロガリウムフタロシアニンは、フタロニトリ
ルまたはジイミノイソインドリンと三塩化ガリウムとを
加熱融解または有機溶媒の存在下で加熱するフタロニト
リル法等の公知の方法によって合成することができる。

【００１１】上記のようにして合成されたハロゲノガリ
ウムフタロシアニンを、上記一般式（Ｉ）で示される金
属メトキシドの溶液中に添加し、０〜１５０℃で処理す
ることにより、メトキシガリウムフタロシアニンが合成
される。この処理は、メカニカルスターラーやマグネチ
ックスターラー等による撹拌処理、超音波分散器、ボー
ルミル、アトライター、振動ミル、サンドミル等による
分散処理、ミキサー、シェイカー、振とう器等による振
とう処理によって行うことができるが、合成を効率よく
行うためには分散処理が好ましい。

【００１２】使用する金属メトキシドの溶液としては、
リチウムメトキシド、ナトリウムメトキシド、カリウム
メトキシドの内のいずれかを、メタノール、テトラヒド
ロフラン、ｎ−ヘキサン、ジエチルエーテル、トルエ
ン、キシレン等の有機溶剤で希釈したものが使用され
る。金属メトキシドの溶液中における濃度は、金属メト
キシドの溶解度を考慮して適宜選択できるが、０．５〜
５０重量％、好ましくは１〜３０重量％の範囲に設定さ
れる。なお、金属メトキシドの製造方法としては、下記
のいずれかの反応による方法を用いることができる。 （ａ）ＣＨ₃ ＯＨ＋ＭＮＨ₂ →ＣＨ₃ ＯＭ＋ＮＨ₃ （ｂ）ＣＨ₃ ＯＨ＋ＭＨ→ＣＨ₃ ＯＭ＋Ｈ₂ （ｃ）ＣＨ₃ ＯＨ＋ＭＯＨ→ＣＨ₃ ＯＭ＋Ｈ₂ Ｏ （ｄ）ＣＨ₃ ＯＨ＋Ｍ→ＣＨ₃ ＯＭ＋１／２Ｈ₂ （式中、Ｍはリチウム、ナトリウム、カリウムのいずれ
かを表す。）

【００１３】本発明のメトキシガリウムフタロシアニン
結晶は、上記合成されたメトキシガリウムフタロシアニ
ンを、有機溶剤と共に粉砕処理することによって得るこ
とができる。その際使用できる粉砕装置としては、振動
ミル、自動乳鉢、サンドミル、スエコミル、アトライタ
ー、ニーダー、ボールミル等があげられる。

【００１４】本発明において、上記合成されたメトキシ
ガリウムフタロシアニンを有機溶剤と共に粉砕処理する
ことにより結晶型が変化して、新規な結晶型のメトキシ
ガリウムフタロシアニン結晶が得られるが、その際の処
理工程の相違、および粉砕処理に用いる有機溶剤の種類
により、上記（１）ないし（４）の結晶型のものとな
る。上記合成されたメトキシガリウムフタロシアニン
を、反応溶液から分離した後、そのまま有機溶剤に添加
し、粉砕処理する場合には、上記（１）または（２）の
結晶型のものが得られるが、その際使用する有機溶剤の
種類によって、結晶型が異なるものとなる。すなわち、 （１）ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２θ±
０．２°）の少なくとも７．９°、１２．２°、１６．
４°、２４．４°および２７．６°に強い回折ピークを
有するものを得る場合には、有機溶剤として、メタノー
ル、エタノール等のアルコール類、アセトン、シクロヘ
キサノン、メチルエチルケトン等のケトン類、酢酸エチ
ル、酢酸ｎ−ブチル等のエステル類、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メ
チルピロリドン等のアミド類等が使用される。 （２）ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２θ±
０．２°）の少なくとも７．１°、８．０°、１６．５
°、２４．５°および２７．６°に強い回折ピークを有
するものを得る場合には、有機溶剤として、ベンジルア
ルコール、フェネチルアルコール、α−フェニルエチル
アルコール、ｍ−トリルカルビノール等の芳香脂肪族ア
ルコール類、トルエン、キシレン、モノクロルベンゼン
等の芳香族類等が使用される。

【００１５】また、上記合成されたメトキシガリウムフ
タロシアニンを、反応溶液から分離した後、粉砕装置に
より乾式粉砕し、その後粉砕装置中に有機溶剤を添加し
て湿式粉砕する場合には、上記（３）または（４）の結
晶型のものが得られるが、その際使用する有機溶剤の種
類によって、結晶型が異なるものとなる。すなわち、 （３）ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２θ±
０．２°）の少なくとも６．２°、８．５°、１７．９
°、１８．９°、２２．５°、２５．９°および２６．
７°に強い回折ピークを有するものを得る場合には、有
機溶剤として、ベンジルアルコール、フェネチルアルコ
ール、α−フェニルエチルアルコール、ｍ−トリルカル
ビノール等の芳香脂肪族アルコール類、トルエン、キシ
レン、モノクロルベンゼン等の芳香族類等が使用され
る。 （４）ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２θ±
０．２°）の少なくとも７．６°、１０．１°、１２．
６°、１６．４°、１８．５°、２２．３°、２５．１
°および２８．３°に強い回折ピークを有するものを得
る場合には、有機溶剤として、塩化メチレン、クロロホ
ルム、トリクロロエタン、トリクロロエチレン等のハロ
ゲン化炭化水素類が使用される。

【００１６】上記の湿式粉砕処理条件としては、メトキ
シガリウムフタロシアニン１部に対する有機溶剤の使用
量は１〜２００重量部、好ましくは１０〜１００重量部
の範囲であり、処理温度は０〜１５０℃、好ましくは室
温ないし１００℃の範囲である。

【００１７】本発明においては、ガリウムフタロシアニ
ン結晶のガリウム配位子をメトキシ基としたことによ
り、空気中の水分に対して比較的安定な特性を付与する
ことができ、配位子が塩素であるクロロガリウムフタロ
シアニンよりも湿度の影響を受けにくいため、環境安定
性が改善される。また、メトキシガリウムフタロシアニ
ン結晶の極性が弱いため、結着樹脂や溶媒との静電気的
な調和をはかることができ、凝集が起こり難くなって、
分散性が改善されるほか、感光層内部の電荷トラップが
少なくなるため、帯電・露光の繰り返しに対しても安定
で、サイクル安定性が改善される。さらに電荷発生材料
の凝集が原因となって生じる黒点等の画質欠陥を防ぐこ
とができる。

【００１８】次に、本発明の上記メトキシガリウムフタ
ロシアニン結晶を光導電材料として使用した電子写真感
光体について説明する。本発明において、導電性基体と
しては、従来から使用されているものであれば、何如な
るものを用いてもよい。また、導電性基体の表面は、必
要に応じて、画質に影響のない範囲で各種の処理を施す
ことができる。例えば、表面の陽極酸化処理、液体ホー
ニング等による粗面化処理、薬品処理、着色処理等を施
すことができる。

【００１９】導電性基体の上には感光層が設けられる
が、感光層は単層構造であっても、また電荷発生層と電
荷輸送層とに機能分離された積層構造であってもよい。
本発明の上記メトキシガリウムフタロシアニン結晶は、
単層構造、或いは電荷発生層と電荷輸送層とに機能分離
された積層構造のいずれの感光層に含有させてもよい。
積層型感光体の場合には、導電性基体の上に少なくとも
電荷発生層と電荷輸送層とが積層された感光層が形成さ
れるが、その積層の順序は、いずれが基体側にあっても
よい。

【００２０】電荷発生層は、本発明の上記メトキシガリ
ウムフタロシアニン結晶と適当な結着樹脂より構成され
るが、電荷発生材料として、メトキシガリウムフタロシ
アニン結晶の他に、公知の電荷発生材料を併用してもよ
い。また、結着樹脂としては公知のものを適宜選択して
使用することができる。電荷発生材料と結着樹脂の配合
比（重量）は、４０：１〜１：４、好ましくは、２０：
１〜１：２の範囲に設定される。電荷発生材料の比率が
高すぎる場合には塗布液の安定性が低下し、低すぎる場
合には感度が低下するので、上記の範囲が好ましい。電
荷発生材料の分散に使用される溶剤としては、結着樹脂
を溶解するものを適宜選択して使用することができる。
また、分散手段としては、サンドミル、コロイドミル、
アトライター、ボールミル、ダイノミル、コボールミ
ル、ロールミル等を用いる方法が利用できる。塗布方法
としては、ブレードコーティング法、ワイヤーバーコー
ティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティン
グ法、ビードコーティング法、カーテンコーティング法
などの方法を用いることができる。電荷発生層の膜厚
は、０．０１〜５μｍの範囲、好ましくは０．０３〜２
μｍの範囲に設定される。

【００２１】電荷輸送層は、電荷輸送材料と成膜性樹脂
より構成されるものであって、電荷輸送材料は公知のも
のが適宜使用できる。成膜性樹脂に用いるものとして
は、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスチレ
ン、ポリエステル、スチレン−アクリロニトリル共重合
体、ポリスルホン、ポリメタクリル酸エステル、スチレ
ン−メタクリル酸エステル共重合体、ポリオレフィン等
があげられる。電荷輸送材料と成膜性樹脂の配合比（重
量）は、５：１〜１：５、好ましくは、３：１〜１：３
の範囲に設定される。電荷輸送材料の比率が高すぎる場
合には、電荷輸送層の機械的強度が低下し、低すぎる場
合には、感度が低下するので、上記の範囲が好ましい。
また、電荷輸送材料が成膜性を有する場合には、上記成
膜性樹脂を省くこともできる。電荷輸送層は、上記電荷
輸送材料と成膜性樹脂とを適当な溶剤に溶解し、塗布す
ることによって形成されるが、これらの塗布方法として
は、電荷発生層について述べたものと同様の方法を用い
ることができる。電荷輸送層の膜厚は、５〜５０μｍの
範囲、好ましくは１０〜４０μｍの範囲に設定される。

【００２２】本発明の電子写真感光体において、感光層
が単層構造である場合には、感光層は上記メトキシガリ
ウムフタロシアニン結晶および電荷輸送材料が成膜性樹
脂に分散された光導電層より形成される。この場合、電
荷輸送材料としては、公知のものであれば何如なるもの
でも使用することができ、また、成膜性樹脂としては、
上記のものと同様なものを使用することができる。ま
た、塗布方法も上記したものと同様な方法が適用でき
る。その際、電荷輸送材料と成膜性樹脂との配合比（重
量）は１：２０〜５：１の範囲に設定するのが好まし
く、また、メトキシガリウムフタロシアニン結晶と電荷
輸送材料との配合比（重量）は１：１０〜１０：１の範
囲に設定するのが好ましい。

【００２３】また、本発明の電子写真感光体は、必要に
応じて、感光層と導電性基体の間に下引き層を設けても
よい。下引き層は、導電性基体からの不必要な電荷の注
入を阻止するために有効なものであり、感光体の帯電性
を向上させる作用を有している。さらに感光層と導電性
基体との接着性を向上させる作用も有している。さらに
本発明の電子写真感光体は、耐刷性を向上させるため
に、感光層の上に保護層を設けてもよい。

【００２４】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。なお、「部」は、「重量部」を意味する。 合成例１（クロロガリウムフタロシアニンの合成） １，３−ジイミノイソインドリン３０部、三塩化ガリウ
ム９．１部をキノリン２３０部中に入れ、２００℃にお
いて４時間反応させた後、生成物を濾別し、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミドおよびメタノールで洗浄し、次いで
湿ケーキを乾燥した後、クロロガリウムフタロシアニン
結晶２８部を得た。得られたクロロガリウムフタロシア
ニン結晶の粉末Ｘ線回折図を図１に示す。

【００２５】合成例２（メトキシガリウムフタロシアニ
ンの合成） 水酸化ナトリウム５部をメタノール２００部に溶解し、
ナトリウムメトキシド溶液を作製し、合成例１のクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶１０部を、上記ナトリウム
メトキシド溶液に加え、ボールミルで室温において４８
時間湿式粉砕処理した。さらにこれをメタノールで洗浄
し、イオン交換水で洗浄した後、濾別、乾燥してメトキ
シガリウムフタロシアニンの結晶４．５部を得た。この
結晶の赤外線（ＩＲ）スペクトルを図２に、また、粉末
Ｘ線回折図を図３に示す。

【００２６】作製例１ 合成例２で得られたメトキシガリウムフタロシアニンの
結晶２部をメチルエチルケトン４０部と共に、ボールミ
ルで２４時間湿式粉砕処理を行った後、メタノールで洗
浄し、濾別、乾燥してメトキシガリウムフタロシアニン
結晶１．８部を得た。この結晶の分子量をＭａｓｓスペ
クトルにより確認したところ、６１２であることが分か
った。また、この結晶の元素分析値は表１に示す通りで
あった。また、ＩＲスペクトルを図４に、粉末Ｘ線回折
図を図５に示す。

【表１】

【００２７】作製例２ 合成例２で得られたメトキシガリウムフタロシアニンの
結晶２部をベンジルアルコール４０部と共に、ボールミ
ルで２４時間湿式粉砕処理を行った後、メタノールで洗
浄し、濾別、乾燥してメトキシガリウムフタロシアニン
結晶１．８部を得た。この結晶のＩＲスペクトルを図６
に、粉末Ｘ線回折図を図７に示す。 作製例３ 合成例２で得られたメトキシガリウムフタロシアニンの
結晶２部をボールミルで４８時間乾式粉砕した後、ベン
ジルアルコール４０部を加え、さらにボールミルで２４
時間湿式粉砕処理を行った後、メタノールで洗浄し、濾
別、乾燥してメトキシガリウムフタロシアニン結晶１．
８部を得た。この結晶のＩＲスペクトルを図８に、粉末
Ｘ線回折図を図９に示す。 作製例４ 合成例２で得られたメトキシガリウムフタロシアニンの
結晶２部をボールミルで４８時間乾式粉砕した後、塩化
メチレン４０部を加え、さらにボールミルで２４時間湿
式粉砕処理を行った後、メタノールで洗浄し、濾別、乾
燥してメトキシガリウムフタロシアニン結晶１．８部を
得た。この結晶のＩＲスペクトルを図１０に、粉末Ｘ線
回折図を図１１に示す。

【００２８】実施例１ まず、ポリビニルブチラール（エスレックＢＭ−１、積
水化学工業社製）８部をｎ−ブチルアルコール１５２部
に加え、撹拌して溶解し、５重量％のポリビニルブチラ
ール溶液を作製した。次に、トリブトキシジルコニウム
・アセチルアセトネートの５０％トルエン溶液（ＺＣ５
４０、松本交商社製）１００部、γ−アミノプロピルト
リエトキシシラン（Ａ１１００、日本ユニカー社製）１
０部およびｎ−ブチルアルコール１３０部を混合した溶
液を、上記のポリビニルブチラール溶液中に加え、スタ
ーラーで撹拌し、下引き層形成用の塗布液を作製した。
この塗布液を４０ｍｍφ×３１９ｍｍのアルミニウムパ
イプ上に浸漬塗布し、１５０℃において１０分間加熱乾
燥して膜厚１．０μｍの下引き層を形成した。一方、ポ
リビニルブチラール（エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学工
業社製）３部を予めｎ−ブチルアルコール１００部に溶
解した溶液に、作製例１で得たメトキシガリウムフタロ
シアニン結晶１部を加え、５時間サンドミルで分散処理
し、ｎ−ブチルアルコールで希釈して、固形分濃度３．
０重量％の電荷発生層形成用塗布液を調製した。得られ
た塗布液を、上記した下引き層の上に、リング塗布機に
よって塗布し、１００℃において１０分間加熱乾燥し
て、膜厚０．２０μｍの電荷発生層を形成した。また、
分散後の前記メトキシガリウムフタロシアニン結晶の結
晶型をＸ線回折によって調べたところ、分散前の結晶型
と同一であり、全く変化していないことが確認された。
次に、得られた電荷発生層の上に、電荷輸送層を形成さ
せた。すなわち、Ｎ，Ｎ′−ビス−（ｐ−トリル）−
Ｎ，Ｎ′−ビス−（ｐ−エチルフェニル）−３，３′−
ジメチルベンジジン４部を電荷輸送材料とし、ポリカー
ボネートＺ樹脂６部と共にモノクロロベンゼン４０部に
溶解させ、得られた溶液を浸漬塗布装置によって、上記
電荷発生層上に塗布し、１１５℃で６０分間加熱乾燥し
て、膜厚１８μｍの電荷輸送層を形成させ、電子写真感
光体を作製した。

【００２９】実施例２ 電荷発生材料として、実施例１において使用する作製例
１で得たメトキシガリウムフタロシアニン結晶に代え
て、作製例２で得たメトキシガリウムフタロシアニン結
晶を使用した以外は、実施例１と全く同様にして電子写
真感光体を作製した。 実施例３ 電荷発生材料として、実施例１において使用する作製例
１で得たメトキシガリウムフタロシアニン結晶に代え
て、作製例３で得たメトキシガリウムフタロシアニン結
晶を使用した以外は、実施例１と全く同様にして電子写
真感光体を作製した。 実施例４ 電荷発生材料として、実施例１において使用する作製例
１で得たメトキシガリウムフタロシアニン結晶に代え
て、作製例４で得たメトキシガリウムフタロシアニン結
晶を使用した以外は、実施例１と全く同様にして電子写
真感光体を作製した。

【００３０】比較例１ 電荷発生材料として、実施例１において使用する作製例
１で得たメトキシガリウムフタロシアニン結晶に代え
て、合成例１で作製したクロロガリウムフタロシアニン
結晶を使用した以外は、実施例１と全く同様にして電子
写真感光体を作製した。 比較例２ 電荷発生材料として、実施例１において使用する作製例
１で得たメトキシガリウムフタロシアニン結晶に代え
て、合成例２で作製したメトキシガリウムフタロシアニ
ン結晶を使用した以外は、実施例１と全く同様にして電
子写真感光体を作製した。 比較例３ 電荷発生材料として、実施例１において使用する作製例
１で得たメトキシガリウムフタロシアニン結晶に代え
て、ｘ型無金属フタロシアニンを使用した以外は、実施
例１と全く同様にして電子写真感光体を作製した。

【００３１】上記各実施例および比較例で得られた電子
写真感光体を評価するために、レーザープリンタ（ＸＰ
−１１、富士ゼロックス社製）を用いて、以下の測定を
行った。この操作は、２０℃、５０％ＲＨの環境下で、
グリッド印加電圧−６００Ｖのスコロトロン帯電器で帯
電し（Ａ）、７８０ｎｍの半導体レーザーを用いて、１
秒後に７．０ｍＪ／ｍ² の光を照射して放電を行い
（Ｂ）、さらに３秒後に５０ｍＪ／ｍ² の赤色ＬＥＤ光
を照射して除電を行う（Ｃ）というプロセスによって、
各部の電位を測定した。この場合、（Ａ）の電位ＶH は
高い程、電子写真感光体の受容電位が高いために、コン
トラストを高くすることが可能であり、（Ｂ）の電位Ｖ
L が低いほど高感度であり、（Ｃ）ＶRPの電位は低いほ
ど残留電位が少なく、画像メモリーやカブリが少ない電
子写真感光体であると評価することができる。また、上
記の測定を１０℃、１５％ＲＨおよび３０℃、８５％Ｒ
Ｈの環境下で行い、それぞれの環境における各電位の変
動を調べ、環境安定性を測定した。また、１０，０００
回の繰り返し帯電・露光後の各部の電位の測定も行っ
た。さらに、これ等の電子写真感光体については、レー
ザープリンタ（ＦＸ４１０８、富士ゼロックス社製）を
用いて、３０℃、８５％ＲＨの環境下で複写することに
より、画質の評価を行った。これ等の結果を表２に示
す。

【００３２】

【表２】

【００３３】表２に示したように、本発明のメトキシガ
リウムフタロシアニン結晶を感光層に含有させた電子写
真感光体は、クロロガリウムフタロシアニン、ｘ型無金
属フタロシアニン、および有機溶剤との粉砕処理を経て
いないメトキシガリウムフタロシアニンを用いた電子写
真感光体よりも良好な帯電性、高い光感度、および低い
残留電位を示し、サイクル安定性、環境安定性に優れて
いる。また、分散性に優れ、黒点の発生のない良好な画
質を示している。

【００３４】

【発明の効果】本発明のメトキシガリウムフタロシアニ
ン結晶は、それを光導電材料として感光層に含有させた
場合、結着樹脂中における分散性に優れており、そして
得られた本発明の電子写真感光体は、良好な帯電性、高
い光感度、および低い残留電位を示し、また、優れたサ
イクル安定性および環境安定性を有し、したがって黒点
やカブリの発生のない良好な画質の画像を形成すること
ができる。また、本発明のメトキシガリウムフタロシア
ニン結晶の製造方法は、アシッドペースティングのよう
な処理を必要としないため、工程が簡単であって、複雑
な設備を用いずにメトキシガリウムフタロシアニン結晶
を安定して製造することができ、したがってまた経済性
の点でも優れている。

【図面の簡単な説明】

【図１】 合成例１で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。

【図２】 合成例２で得られたメトキシガリウムフタロ
シアニン結晶のＩＲスペクトル図である。

【図３】 合成例２で得られたメトキシガリウムフタロ
シアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。

【図４】 作製例１で得られたメトキシガリウムフタロ
シアニン結晶のＩＲスペクトル図である。

【図５】 作製例１で得られたメトキシガリウムフタロ
シアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。

【図６】 作製例２で得られたメトキシガリウムフタロ
シアニン結晶のＩＲスペクトル図である。

【図７】 作製例２で得られたメトキシガリウムフタロ
シアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。

【図８】 作製例３で得られたメトキシガリウムフタロ
シアニン結晶のＩＲスペクトル図である。

【図９】 作製例３で得られたメトキシガリウムフタロ
シアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。

【図１０】 作製例４で得られたメトキシガリウムフタ
ロシアニン結晶のＩＲスペクトル図である。

【図１１】 作製例４で得られたメトキシガリウムフタ
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角度
   （２θ±０．２°）の少なくとも７．９°、１２．２
   °、１６．４°、２４．４°および２７．６°に強い回
   折ピークを有するメトキシガリウムフタロシアニン結
   晶。
2. 【請求項２】 ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角度
   （２θ±０．２°）の少なくとも７．１°、８．０°、
   １６．５°、２４．５°および２７．６°に強い回折ピ
   ークを有するメトキシガリウムフタロシアニン結晶。
3. 【請求項３】 ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角度
   （２θ±０．２°）の少なくとも６．２°、８．５°、
   １７．９°、１８．９°、２２．５°、２５．９°およ
   び２６．７°に強い回折ピークを有するメトキシガリウ
   ムフタロシアニン結晶。
4. 【請求項４】 ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角度
   （２θ±０．２°）の少なくとも７．６°、１０．１
   °、１２．６°、１６．４°、１８．５°、２２．３
   °、２５．１°および２８．３°に強い回折ピークを有
   するメトキシガリウムフタロシアニン結晶。
5. 【請求項５】 クロロガリウムフタロシアニンを下記式
   （Ｉ） ＣＨ₃ ＯＭ （Ｉ） （式中、Ｍはリチウム、ナトリウムまたはカリウムを表
   す。）で示される金属メトキシド化合物の溶液で処理し
   てメトキシガリウムフタロシアニンを合成した後、有機
   溶剤と共に粉砕処理することを特徴とする請求項１また
   は請求項２に記載のメトキシガリウムフタロシアニン結
   晶の製造方法。
6. 【請求項６】 クロロガリウムフタロシアニンを下記式
   （Ｉ） ＣＨ₃ ＯＭ （Ｉ） （式中、Ｍはリチウム、ナトリウムまたはカリウムを表
   す。）で示される金属メトキシド化合物の溶液で処理し
   てメトキシガリウムフタロシアニンを合成した後、乾式
   粉砕処理し、次いで有機溶剤と共に粉砕処理することを
   特徴とする請求項３または請求項４に記載のメトキシガ
   リウムフタロシアニン結晶の製造方法。
7. 【請求項７】 導電性基体上に感光層を設けた電子写真
   感光体において、該感光層が請求項１、２、３または４
   に記載のメトキシガリウムフタロシアニン結晶を含有す
   ることを特徴とする電子写真感光体。