JPH04351673A - オキシチタニウムフタロシアニンとヒドロキシメタルフタロシアニンとの混合結晶、その製造方法および電子写真感光体 - Google Patents
オキシチタニウムフタロシアニンとヒドロキシメタルフタロシアニンとの混合結晶、その製造方法および電子写真感光体Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の技術分野】オキシチタニウムフタロシアニン
とヒドロキシメタルフタロシアニンとの混合結晶および
それを含有する電子写真感光体に関する。
とヒドロキシメタルフタロシアニンとの混合結晶および
それを含有する電子写真感光体に関する。
【0002】
【従来の技術】オキシチタニウムフタロシアニンは高感
度を示し、近年特に注目されており、そして、種々の結
晶系のものが電子写真感光体の電荷発生材として有効な
ものとして提案されている。たとえば、特開昭61−2
17050号公報にはα型のものが、特開昭59−49
544号公報にはβ型のものが、特開昭62−2568
65号公報にはC型のものが、特開昭62−67094
号公報にはD型のものが、特開昭64−17066号公
報にはY型のものが、特開平1−299874にはγ型
のものが、特開平2−99969号公報にはω型のもの
が、開示されている。また、X線回折スペクトルにおい
て、2θ±0.2°=27.2°付近にピークを有する
ものとして、上記D型のものが知られている。一方、特
開平1−142659号、同2−70763号、同2−
170166号、同2−272067号および同特開平
2−280169号公報には、オキシチタニウムフタロ
シアニンと他のフタロシアニンとの混晶、あるいは、単
純混合したものを電子写真感光体の電荷発生材として用
いることが開示されている。しかし、オキシチタニウム
フタロシアニンとヒドロキシメタルフタロシアニンとの
混合結晶については何ら報告されていない。
度を示し、近年特に注目されており、そして、種々の結
晶系のものが電子写真感光体の電荷発生材として有効な
ものとして提案されている。たとえば、特開昭61−2
17050号公報にはα型のものが、特開昭59−49
544号公報にはβ型のものが、特開昭62−2568
65号公報にはC型のものが、特開昭62−67094
号公報にはD型のものが、特開昭64−17066号公
報にはY型のものが、特開平1−299874にはγ型
のものが、特開平2−99969号公報にはω型のもの
が、開示されている。また、X線回折スペクトルにおい
て、2θ±0.2°=27.2°付近にピークを有する
ものとして、上記D型のものが知られている。一方、特
開平1−142659号、同2−70763号、同2−
170166号、同2−272067号および同特開平
2−280169号公報には、オキシチタニウムフタロ
シアニンと他のフタロシアニンとの混晶、あるいは、単
純混合したものを電子写真感光体の電荷発生材として用
いることが開示されている。しかし、オキシチタニウム
フタロシアニンとヒドロキシメタルフタロシアニンとの
混合結晶については何ら報告されていない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記種々のオキシチタ
ニウムフタロシアニンおよび混合結晶は、電荷発生材と
して有用なものであるが、未だ十分なものではない。た
とえば、特開昭62−67094号公報に記載の、ブラ
ッグ角(2θ±0.2°)=27.3°に最も強い回折
ピークを有するオキシチタニウムフタロシアニンは、非
常に高感度ではあるが、繰り返し安定性、特に低湿下で
の環境安定性に問題があった。したがって、本発明の目
的は、繰り返し安定性、環境安定性に優れた高感度の電
子写真感光体を作製するのに適したオキシチタニウムフ
タロシアニンを含む混合結晶およびその製造方法を提供
することにある。本発明の他の目的は、繰り返し安定性
、環境安定性に優れた高感度の電子写真感光体を提供す
ることにある。
ニウムフタロシアニンおよび混合結晶は、電荷発生材と
して有用なものであるが、未だ十分なものではない。た
とえば、特開昭62−67094号公報に記載の、ブラ
ッグ角(2θ±0.2°)=27.3°に最も強い回折
ピークを有するオキシチタニウムフタロシアニンは、非
常に高感度ではあるが、繰り返し安定性、特に低湿下で
の環境安定性に問題があった。したがって、本発明の目
的は、繰り返し安定性、環境安定性に優れた高感度の電
子写真感光体を作製するのに適したオキシチタニウムフ
タロシアニンを含む混合結晶およびその製造方法を提供
することにある。本発明の他の目的は、繰り返し安定性
、環境安定性に優れた高感度の電子写真感光体を提供す
ることにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、オキシチ
タニウムフタロシアニンについて、その繰り返し安定性
および低湿下での環境安定性が劣ることの原因を究明し
た結果、それがオキシチタニウムフタロシアニンに取り
込まれた結晶水の脱離にあることをつきとめ、本発明を
完成するに至った。すなわち、ある種のヒドロキシメタ
ルフタロシアニンが、たとえば、Phthalocya
nin Compounds(F.H.Moser,
A.L.Thomas Reinhold Pub
lishingCo.1963)に記載されているよう
に、水和物を形成することから、ヒドロキシメタルフタ
ロシアニンに結晶水担持の機能を担わせ、繰り返し安定
性、環境安定性の改善をはかるべく、オキシチタニウム
フタロシアニンと種々のヒドロキシメタルフタロシアニ
ンとで混合結晶を形成させることを検討した。その結果
、オキシチタニウムフタロシアニンとジヒドロキシゲル
マニウムフタロシアニン、あるいはオキシチタニウムフ
タロシアニンとジハロゲン化ゲルマニウムフタロシアニ
ンを濃硫酸に溶解、あるいは、スラリー化したのち、水
と少なくとも1種以上の有機溶剤の混合液中で再析出さ
せ、得られたオキシチタニウムフタロシアニンとジヒド
ロキシゲルマニウムフタロシアニンの混合結晶をさらに
有機溶剤で処理すると、従来知られていなかった新規の
混合結晶が形成できることを見出だした。そしてこの混
合結晶においては、従来のアシッドペースティングなど
水のみで再析出させることにより得られたものに比べ、
水に不溶であった不純物が取り除かれる結果、この混合
結晶を電荷発生材として用いると、繰り返し安定性、環
境安定性、感度の優れた電子写真感光体が得られること
を見いだした。更にまた、その他の種々のヒドロキシメ
タルフタロシアニンについても、得られる混合結晶を用
いて形成される電子写真感光体は、繰り返し安定性、環
境安定性、感度が優れていることを見出し、本発明を完
成するに至った。
タニウムフタロシアニンについて、その繰り返し安定性
および低湿下での環境安定性が劣ることの原因を究明し
た結果、それがオキシチタニウムフタロシアニンに取り
込まれた結晶水の脱離にあることをつきとめ、本発明を
完成するに至った。すなわち、ある種のヒドロキシメタ
ルフタロシアニンが、たとえば、Phthalocya
nin Compounds(F.H.Moser,
A.L.Thomas Reinhold Pub
lishingCo.1963)に記載されているよう
に、水和物を形成することから、ヒドロキシメタルフタ
ロシアニンに結晶水担持の機能を担わせ、繰り返し安定
性、環境安定性の改善をはかるべく、オキシチタニウム
フタロシアニンと種々のヒドロキシメタルフタロシアニ
ンとで混合結晶を形成させることを検討した。その結果
、オキシチタニウムフタロシアニンとジヒドロキシゲル
マニウムフタロシアニン、あるいはオキシチタニウムフ
タロシアニンとジハロゲン化ゲルマニウムフタロシアニ
ンを濃硫酸に溶解、あるいは、スラリー化したのち、水
と少なくとも1種以上の有機溶剤の混合液中で再析出さ
せ、得られたオキシチタニウムフタロシアニンとジヒド
ロキシゲルマニウムフタロシアニンの混合結晶をさらに
有機溶剤で処理すると、従来知られていなかった新規の
混合結晶が形成できることを見出だした。そしてこの混
合結晶においては、従来のアシッドペースティングなど
水のみで再析出させることにより得られたものに比べ、
水に不溶であった不純物が取り除かれる結果、この混合
結晶を電荷発生材として用いると、繰り返し安定性、環
境安定性、感度の優れた電子写真感光体が得られること
を見いだした。更にまた、その他の種々のヒドロキシメ
タルフタロシアニンについても、得られる混合結晶を用
いて形成される電子写真感光体は、繰り返し安定性、環
境安定性、感度が優れていることを見出し、本発明を完
成するに至った。
【0005】本発明のフタロシアニン混合結晶は、オキ
シチタニウムフタロシアニンと少なくとも1種のヒドロ
キシメタルフタロシアニンとからなることを特徴とする
。
シチタニウムフタロシアニンと少なくとも1種のヒドロ
キシメタルフタロシアニンとからなることを特徴とする
。
【0006】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明のフタロシアニン混合結晶の好ましいものとして、
X線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角(2θ±0.
2°)にオキシチタニウムフタロシアニンに由来する次
の強い回折ピークを有するものをあげることができる。 (a)ブラッグ角(2θ±0.2°)=9.2°、13
.1°、20.7°、26.2°、27.1°に強い回
折ピークを有するもの(例えば、図24)(b)ブラッ
グ角(2θ±0.2°)=7.6°、12.6°、17
.2°、22.5°、25.3°、28.6°に強い回
折ピークを有するもの(例えば図26) (c)ブラッグ角(2θ±0.2°)=9.5°、11
.7°、15.0°、23.5°、24.1°、27.
3°に強い回折ピークを有するもの(例えば図16) (d)ブラッグ角(2θ±0.2°)=7.4°、11
.1°、17.9°、20.1°、26.6°、29.
2°に強い回折ピークを有するもの(例えば、図25)
発明のフタロシアニン混合結晶の好ましいものとして、
X線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角(2θ±0.
2°)にオキシチタニウムフタロシアニンに由来する次
の強い回折ピークを有するものをあげることができる。 (a)ブラッグ角(2θ±0.2°)=9.2°、13
.1°、20.7°、26.2°、27.1°に強い回
折ピークを有するもの(例えば、図24)(b)ブラッ
グ角(2θ±0.2°)=7.6°、12.6°、17
.2°、22.5°、25.3°、28.6°に強い回
折ピークを有するもの(例えば図26) (c)ブラッグ角(2θ±0.2°)=9.5°、11
.7°、15.0°、23.5°、24.1°、27.
3°に強い回折ピークを有するもの(例えば図16) (d)ブラッグ角(2θ±0.2°)=7.4°、11
.1°、17.9°、20.1°、26.6°、29.
2°に強い回折ピークを有するもの(例えば、図25)
【0007】本発明のフタロシアニン混合結晶の好まし
い具体例としては、次のものが例示できる。 (1)ブラッグ角(2θ±0.2°)=6.8°、15
.5°、23.8°に強い回折ピークを有するオキシチ
タニウムフタロシアニンとヒドロキシアルミニウムフタ
ロシアニンとの混合結晶(図17) (2)ブラッグ角(2θ±0.2°)=8.3°、12
.3°、16.6°、26.5°に強い回折ピークを有
するオキシチタニウムフタロシアニンとヒドロキシガリ
ウムフタロシアニンとの混合結晶。(図19)(3)ブ
ラッグ角(2θ±0.2°)=7.5°、16.3°、
25.3°、26.3°、28.6°に強い回折ピーク
を有するオキシチタニウムフタロシアニンとヒドロキシ
ガリウムフタロシアニンとの混合結晶(図31) (4)ブラッグ角(2θ±0.2°)=6.9°、15
.5°、23.5°、26.3°°に強い回折ピークを
有するオキシチタニウムフタロシアニンとヒドロキシガ
リウムフタロシアニンとの混合結晶(図33)(5)ブ
ラッグ角(2θ±0.2°)=7.0°、9.6°、1
6.9°、27.3°に強い回折ピークを有するオキシ
チタニウムフタロシアニンとジヒドロキシシリコンフタ
ロシアニンとの混合結晶(図20)(6)ブラッグ角(
2θ±0.2°)=7.0°、12.8°、16.9°
、26.7°に強い回折ピークを有するオキシチタニウ
ムフタロシアニンとジヒドロキシゲルマニウムフタロシ
アニンとの混合結晶(図22)
い具体例としては、次のものが例示できる。 (1)ブラッグ角(2θ±0.2°)=6.8°、15
.5°、23.8°に強い回折ピークを有するオキシチ
タニウムフタロシアニンとヒドロキシアルミニウムフタ
ロシアニンとの混合結晶(図17) (2)ブラッグ角(2θ±0.2°)=8.3°、12
.3°、16.6°、26.5°に強い回折ピークを有
するオキシチタニウムフタロシアニンとヒドロキシガリ
ウムフタロシアニンとの混合結晶。(図19)(3)ブ
ラッグ角(2θ±0.2°)=7.5°、16.3°、
25.3°、26.3°、28.6°に強い回折ピーク
を有するオキシチタニウムフタロシアニンとヒドロキシ
ガリウムフタロシアニンとの混合結晶(図31) (4)ブラッグ角(2θ±0.2°)=6.9°、15
.5°、23.5°、26.3°°に強い回折ピークを
有するオキシチタニウムフタロシアニンとヒドロキシガ
リウムフタロシアニンとの混合結晶(図33)(5)ブ
ラッグ角(2θ±0.2°)=7.0°、9.6°、1
6.9°、27.3°に強い回折ピークを有するオキシ
チタニウムフタロシアニンとジヒドロキシシリコンフタ
ロシアニンとの混合結晶(図20)(6)ブラッグ角(
2θ±0.2°)=7.0°、12.8°、16.9°
、26.7°に強い回折ピークを有するオキシチタニウ
ムフタロシアニンとジヒドロキシゲルマニウムフタロシ
アニンとの混合結晶(図22)
【0008】また、本発
明のフタロシアニンとの混合結晶が、オキシチタニウム
フタロシアニンとジヒドロキシゲルマニウムフタロシア
ニンとよりなる場合には、X線回折スペクトルにおいて
、ブラッグ角(2θ±0.2°)=27.2°に最も強
い回折ピークを有するものを好ましいものとしてあげる
ことができる。それらの具体例としては、X線回折スペ
クトルにおいて、ブラッグ角(2θ±0.2°)=7.
2°,11.8°,17.4°,27.2°および28
.8°に強い回折ピークを有するもの(図42)、ブラ
ッグ角(2θ±0.2°)=7.4°,12.6°,2
7.2°および28.5°に強い回折ピークを有するも
の(図43)、および、ブラッグ角(2θ±0.2°)
=12.0°,12.8°,16.0°,18.6°,
27.2°および30.1°に強い回折ピークを有する
もの(図44)をあげることができる。
明のフタロシアニンとの混合結晶が、オキシチタニウム
フタロシアニンとジヒドロキシゲルマニウムフタロシア
ニンとよりなる場合には、X線回折スペクトルにおいて
、ブラッグ角(2θ±0.2°)=27.2°に最も強
い回折ピークを有するものを好ましいものとしてあげる
ことができる。それらの具体例としては、X線回折スペ
クトルにおいて、ブラッグ角(2θ±0.2°)=7.
2°,11.8°,17.4°,27.2°および28
.8°に強い回折ピークを有するもの(図42)、ブラ
ッグ角(2θ±0.2°)=7.4°,12.6°,2
7.2°および28.5°に強い回折ピークを有するも
の(図43)、および、ブラッグ角(2θ±0.2°)
=12.0°,12.8°,16.0°,18.6°,
27.2°および30.1°に強い回折ピークを有する
もの(図44)をあげることができる。
【0009】本発明の上記フタロシアニン混合結晶は、
オキシチタニウムフタロシアニンとヒドロキシメタルフ
タロシアニンとを用いて作製される。オキシチタニウム
フタロシアニンは、フタロニトリルと四塩化チタンとを
適当な有機溶媒中で反応させたのち加水分解する方法、
ジイミノイソインドリンとチタニウムテトラアルコキサ
イドとを適当な有機溶媒中で反応させる方法など公知の
方法で合成することができる。また、ヒドロキシメタル
フタロシアニンは、ハロゲン化メタルとフタロニトリル
あるいはジイミノイソインドリンとを適当な有機溶媒中
で反応させたのちアルカリ加水分解あるいは酸加水分解
など公知の方法で合成することができる。
オキシチタニウムフタロシアニンとヒドロキシメタルフ
タロシアニンとを用いて作製される。オキシチタニウム
フタロシアニンは、フタロニトリルと四塩化チタンとを
適当な有機溶媒中で反応させたのち加水分解する方法、
ジイミノイソインドリンとチタニウムテトラアルコキサ
イドとを適当な有機溶媒中で反応させる方法など公知の
方法で合成することができる。また、ヒドロキシメタル
フタロシアニンは、ハロゲン化メタルとフタロニトリル
あるいはジイミノイソインドリンとを適当な有機溶媒中
で反応させたのちアルカリ加水分解あるいは酸加水分解
など公知の方法で合成することができる。
【0010】本発明のフタロシアニン混合結晶は、オキ
シチタニウムフタロシアニンとヒドロキシメタルフタロ
シアニンとを、乳鉢、ボールミル、サンドミル、アトラ
イター等を用いて、乾式粉砕するか、乾式粉砕したのち
適当な溶剤を用いて溶剤処理するか、適当な溶剤を用い
て湿式粉砕することにより得ることができる。また、オ
キシチタニウムフタロシアニンとハロゲン化メタルフタ
ロシアニン、または、オキシチタニウムフタロシアニン
とヒドロキシメタルフタロシアニンとを、無機酸もしく
は無機酸と有機溶剤との混合溶液、または、有機酸もし
くは有機酸と有機溶剤との混合溶液に溶解またはスラリ
ー化した後、有機溶剤、水、または水と有機溶剤との混
合溶剤中に滴下して、再析出し、十分に酸を水または水
と有機溶剤との混合溶剤、または有機溶剤で洗浄除去し
たのち、適当な有機溶剤中で攪拌またはボールミル等で
ミリングして得ることもできる。
シチタニウムフタロシアニンとヒドロキシメタルフタロ
シアニンとを、乳鉢、ボールミル、サンドミル、アトラ
イター等を用いて、乾式粉砕するか、乾式粉砕したのち
適当な溶剤を用いて溶剤処理するか、適当な溶剤を用い
て湿式粉砕することにより得ることができる。また、オ
キシチタニウムフタロシアニンとハロゲン化メタルフタ
ロシアニン、または、オキシチタニウムフタロシアニン
とヒドロキシメタルフタロシアニンとを、無機酸もしく
は無機酸と有機溶剤との混合溶液、または、有機酸もし
くは有機酸と有機溶剤との混合溶液に溶解またはスラリ
ー化した後、有機溶剤、水、または水と有機溶剤との混
合溶剤中に滴下して、再析出し、十分に酸を水または水
と有機溶剤との混合溶剤、または有機溶剤で洗浄除去し
たのち、適当な有機溶剤中で攪拌またはボールミル等で
ミリングして得ることもできる。
【0011】無機酸としては、硫酸、リン酸等が使用で
きるが、硫酸が好ましい。有機酸としては、クロル酢酸
、トリフルオロ酢酸等のハロゲン化酢酸類、スルホン酸
類が使用できる。また、有機溶剤としては、塩化メチレ
ン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類、トルエン
、ベンゼン、クロルベンゼン等の芳香族炭化水素類、メ
タノール、エタノール等のアルコール類、アセトン、メ
チルエチルケトン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル等の酢酸エステル類、ヘキサン、オクタン等の脂肪族
炭化水素類、エーテル、ジオキサン、THF等のエーテ
ル類等が用いられる。
きるが、硫酸が好ましい。有機酸としては、クロル酢酸
、トリフルオロ酢酸等のハロゲン化酢酸類、スルホン酸
類が使用できる。また、有機溶剤としては、塩化メチレ
ン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類、トルエン
、ベンゼン、クロルベンゼン等の芳香族炭化水素類、メ
タノール、エタノール等のアルコール類、アセトン、メ
チルエチルケトン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル等の酢酸エステル類、ヘキサン、オクタン等の脂肪族
炭化水素類、エーテル、ジオキサン、THF等のエーテ
ル類等が用いられる。
【0012】オキシチタニウムフタロシアニンとハロゲ
ン化メタルフタロシアニン、または、オキシチタニウム
フタロシアニンとヒドロキシメタルフタロシアニンとを
濃硫酸に溶解またはスラリー化する場合、その比率は、
99/1〜30/70、好ましくは、97/3〜40/
60の範囲で用いられる。また、濃硫酸の濃度は、70
〜100%、好ましくは90〜99%のものが使用され
る。濃硫酸の量は、硫酸塩を形成できる量であれば如何
なる量でもかまわないが、処理操作の容易性、廃液処理
の問題から、オキシチタニウムフタロシアニンとハロゲ
ン化メタルフタロシアニン、または、オキシチタニウム
フタロシアニンとヒドロキシメタルフタロシアニンを合
わせた重量に対して、3〜60倍が好ましい。
ン化メタルフタロシアニン、または、オキシチタニウム
フタロシアニンとヒドロキシメタルフタロシアニンとを
濃硫酸に溶解またはスラリー化する場合、その比率は、
99/1〜30/70、好ましくは、97/3〜40/
60の範囲で用いられる。また、濃硫酸の濃度は、70
〜100%、好ましくは90〜99%のものが使用され
る。濃硫酸の量は、硫酸塩を形成できる量であれば如何
なる量でもかまわないが、処理操作の容易性、廃液処理
の問題から、オキシチタニウムフタロシアニンとハロゲ
ン化メタルフタロシアニン、または、オキシチタニウム
フタロシアニンとヒドロキシメタルフタロシアニンを合
わせた重量に対して、3〜60倍が好ましい。
【0013】溶解あるいはスラリー化の温度としては、
−10℃〜200℃、好ましくは0〜60℃が用いられ
る。無機酸もしくは無機酸と有機溶剤との混合溶液また
は有機酸もしくは有機酸と有機溶剤との混合溶液の量と
しては、フタロシアニンと塩を形成する量であればよく
、特に限定されないが、フタロシアニンに対し、2等量
以上の酸を用いることが好ましい。無機酸と有機溶剤と
の比、有機酸と有機溶剤との比は如何なる値でもかまわ
ない。
−10℃〜200℃、好ましくは0〜60℃が用いられ
る。無機酸もしくは無機酸と有機溶剤との混合溶液また
は有機酸もしくは有機酸と有機溶剤との混合溶液の量と
しては、フタロシアニンと塩を形成する量であればよく
、特に限定されないが、フタロシアニンに対し、2等量
以上の酸を用いることが好ましい。無機酸と有機溶剤と
の比、有機酸と有機溶剤との比は如何なる値でもかまわ
ない。
【0014】酸処理後、溶剤による再析出を行い、その
後、所望により有機溶剤で処理するが、その際に用いる
有機溶剤としては、塩化メチレン、クロロホルムなどの
ハロゲン化炭化水素類、トルエン、ベンゼン、クロルベ
ンゼン等の芳香族炭化水素類、メタノール、エタノール
等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等の
ケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル等の酢酸エステル類
、ヘキサン、オクタン等の脂肪族炭化水素類、あるいは
、これら有機溶剤と、水との混合溶液等が用いられる。 水と有機溶剤との混合系の場合には、この混合比(容量
)として、水/有機溶剤=1/99〜95/5、好まし
くは30/70〜90/10の範囲に設定される。再析
出に用いる有機溶剤の使用量は、濃硫酸溶液または、ス
ラリー重量に対して、2〜50倍、好ましくは5〜20
倍の範囲に設定される。溶剤処理の温度としては、0℃
〜溶剤の沸点以下、好ましくは、10℃〜60℃が用い
られる。溶剤量としては、混合結晶が触れる程度以上あ
ればよく、特に制限はない。オキシチタニウムフタロシ
アニンとヒドロキシメタルフタロシアニンとの混合比も
特に制限はないが、塗布液の安定性、分散性等から、ヒ
ドロキシメタルフタロシアニンを60重量%以下にする
のが好ましい。
後、所望により有機溶剤で処理するが、その際に用いる
有機溶剤としては、塩化メチレン、クロロホルムなどの
ハロゲン化炭化水素類、トルエン、ベンゼン、クロルベ
ンゼン等の芳香族炭化水素類、メタノール、エタノール
等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等の
ケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル等の酢酸エステル類
、ヘキサン、オクタン等の脂肪族炭化水素類、あるいは
、これら有機溶剤と、水との混合溶液等が用いられる。 水と有機溶剤との混合系の場合には、この混合比(容量
)として、水/有機溶剤=1/99〜95/5、好まし
くは30/70〜90/10の範囲に設定される。再析
出に用いる有機溶剤の使用量は、濃硫酸溶液または、ス
ラリー重量に対して、2〜50倍、好ましくは5〜20
倍の範囲に設定される。溶剤処理の温度としては、0℃
〜溶剤の沸点以下、好ましくは、10℃〜60℃が用い
られる。溶剤量としては、混合結晶が触れる程度以上あ
ればよく、特に制限はない。オキシチタニウムフタロシ
アニンとヒドロキシメタルフタロシアニンとの混合比も
特に制限はないが、塗布液の安定性、分散性等から、ヒ
ドロキシメタルフタロシアニンを60重量%以下にする
のが好ましい。
【0015】オキシチタニウムフタロシアニンとヒドロ
キシメタルフタロシアニンとの混合結晶は、電子写真用
の電荷発生材として有用である。これら混合結晶を用い
ることにより、同一のタイプの結晶型を有するオキシチ
タニウムフタロシアニンのみの結晶を用いた場合よりも
、繰り返し安定性、特に低湿下での環境安定性に優れた
電子写真感光体を得ることが可能である。また、本発明
の上記混合結晶は、オキシチタニウムフタロシアニンの
みでは得られなかった新規な結晶型のものであり、これ
らを用いて繰り返し安定性、環境安定性の優れた電子写
真感光体を得ることができる。
キシメタルフタロシアニンとの混合結晶は、電子写真用
の電荷発生材として有用である。これら混合結晶を用い
ることにより、同一のタイプの結晶型を有するオキシチ
タニウムフタロシアニンのみの結晶を用いた場合よりも
、繰り返し安定性、特に低湿下での環境安定性に優れた
電子写真感光体を得ることが可能である。また、本発明
の上記混合結晶は、オキシチタニウムフタロシアニンの
みでは得られなかった新規な結晶型のものであり、これ
らを用いて繰り返し安定性、環境安定性の優れた電子写
真感光体を得ることができる。
【0016】次に本発明のオキシチタニウムフタロシア
ニン−ヒドロキシメタルフタロシアニン混合結晶を用い
た感光体の構成例を図67、68を参照して説明する。 第67図および第68図は、本発明の電子写真感光体の
層構成を示す模式図である。第67図(a)〜(d)は
、感光層が積層型構成を有する例であって、(a)にお
いては、導電性支持体1上に電荷発生層2が形成され、
その上に電荷輸送層3が設けられており、(b)におい
ては、導電性支持体1上に電荷輸送層3が設けられ、そ
の上に電荷発生層2が設けられている。また、(c)お
よび(d)においては、導電性支持体1上に下引き層4
が設けられている。また第68図は、感光層が単層構造
を有する例であって、(a)においては、導電性支持体
1上に光導電層5が設けられており、(b)においては
、導電性支持体1上に下引き層4が設けられている。
ニン−ヒドロキシメタルフタロシアニン混合結晶を用い
た感光体の構成例を図67、68を参照して説明する。 第67図および第68図は、本発明の電子写真感光体の
層構成を示す模式図である。第67図(a)〜(d)は
、感光層が積層型構成を有する例であって、(a)にお
いては、導電性支持体1上に電荷発生層2が形成され、
その上に電荷輸送層3が設けられており、(b)におい
ては、導電性支持体1上に電荷輸送層3が設けられ、そ
の上に電荷発生層2が設けられている。また、(c)お
よび(d)においては、導電性支持体1上に下引き層4
が設けられている。また第68図は、感光層が単層構造
を有する例であって、(a)においては、導電性支持体
1上に光導電層5が設けられており、(b)においては
、導電性支持体1上に下引き層4が設けられている。
【0017】本発明の電子写真感光体が、第67図に記
載のごとき積層型構造を有する場合において、電荷発生
層は、上記オキシチタニウムフタロシアニン−ヒドロキ
シメタルフタロシアニン混合結晶、及び結着樹脂から構
成される。結着樹脂は、広範な絶縁性樹脂から選択する
ことができ、また、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポ
リビニルアントラセン、ポリビニルピレン等の有機光導
電性ポリマーから選択することもできる。好ましい結着
樹脂としては、ポリビニルブチラール、ポリアリレート
(ビスフェノールAとフタル酸の重縮合体等)、ポリカ
ーボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹
脂、ポリアクリルアミド、ポリアミド、ポリビニルピリ
ジン、セルロース系樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂
、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリ
ドン等の絶縁性樹脂をあげることができる。
載のごとき積層型構造を有する場合において、電荷発生
層は、上記オキシチタニウムフタロシアニン−ヒドロキ
シメタルフタロシアニン混合結晶、及び結着樹脂から構
成される。結着樹脂は、広範な絶縁性樹脂から選択する
ことができ、また、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポ
リビニルアントラセン、ポリビニルピレン等の有機光導
電性ポリマーから選択することもできる。好ましい結着
樹脂としては、ポリビニルブチラール、ポリアリレート
(ビスフェノールAとフタル酸の重縮合体等)、ポリカ
ーボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹
脂、ポリアクリルアミド、ポリアミド、ポリビニルピリ
ジン、セルロース系樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂
、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリ
ドン等の絶縁性樹脂をあげることができる。
【0018】電荷発生層は、上記結着樹脂を有機溶剤に
溶解した溶液に、上記オキシチタニウムフタロシアニン
−ヒドロキシメタルフタロシアニン混合結晶を分散させ
て塗布液を調製し、それを導電性支持体の上に塗布する
ことによって形成することができる。その場合、使用す
るオキシチタニウムフタロシアニン−ヒドロキシメタル
フタロシアニン混合結晶と結着樹脂との配合比は、40
:1〜1:10、好ましくは10:1〜1:4である。 オキシチタニウムフタロシアニン−ヒドロキシメタルフ
タロシアニン混合結晶の比率が高すぎる場合には、塗布
液の安定性が低下し、低すぎる場合には、感度が低下す
るので、上記範囲に設定するのが好ましい。
溶解した溶液に、上記オキシチタニウムフタロシアニン
−ヒドロキシメタルフタロシアニン混合結晶を分散させ
て塗布液を調製し、それを導電性支持体の上に塗布する
ことによって形成することができる。その場合、使用す
るオキシチタニウムフタロシアニン−ヒドロキシメタル
フタロシアニン混合結晶と結着樹脂との配合比は、40
:1〜1:10、好ましくは10:1〜1:4である。 オキシチタニウムフタロシアニン−ヒドロキシメタルフ
タロシアニン混合結晶の比率が高すぎる場合には、塗布
液の安定性が低下し、低すぎる場合には、感度が低下す
るので、上記範囲に設定するのが好ましい。
【0019】使用する溶剤としては、下層を溶解しない
ものから選択するのが好ましい。具体的な有機溶剤とし
ては、メタノール、エタノール、イソプロパノール等の
アルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロ
ヘキサノン等のケトン類、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメ
チルスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン
、エチレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル
類、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類、クロロホ
ルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、
トリクロルエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、リグロイン、モノクロル
ベンゼン、ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水素等を用
いることができる。
ものから選択するのが好ましい。具体的な有機溶剤とし
ては、メタノール、エタノール、イソプロパノール等の
アルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロ
ヘキサノン等のケトン類、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメ
チルスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン
、エチレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル
類、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類、クロロホ
ルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、
トリクロルエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、リグロイン、モノクロル
ベンゼン、ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水素等を用
いることができる。
【0020】塗布液の塗布は、浸漬コーティング法、ス
プレーコーティング法、スピナーコーティング法、ビー
ドコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、ブレ
ードコーティング法、ローラーコーティング法、カーテ
ンコーティング法等のコーティング法を用いることがで
きる。また、乾燥は、高温における指触乾燥後、加熱乾
燥する方法が好ましい。加熱乾燥は、50〜200℃の
温度で5分〜2時間の範囲で静止又は送風下で行うこと
ができる。また、電荷発生層の膜厚は、通常、0.05
〜5μm程度になるように塗布される。
プレーコーティング法、スピナーコーティング法、ビー
ドコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、ブレ
ードコーティング法、ローラーコーティング法、カーテ
ンコーティング法等のコーティング法を用いることがで
きる。また、乾燥は、高温における指触乾燥後、加熱乾
燥する方法が好ましい。加熱乾燥は、50〜200℃の
温度で5分〜2時間の範囲で静止又は送風下で行うこと
ができる。また、電荷発生層の膜厚は、通常、0.05
〜5μm程度になるように塗布される。
【0021】電荷輸送層は、電荷輸送材料及び結着樹脂
より構成される。電荷輸送材料としては、例えば、アン
トラセン、ピレン、フェナントレン等の多環芳香族化合
物、インドール、カルバゾール、イミダゾール等の含窒
素複素環を有する化合物、ピラゾリン化合物、ヒドラゾ
ン化合物、トリフェニルメタン化合物、トリフェニルア
ミン化合物、エナミン化合物、スチルベン化合物等、公
知のものならば如何なるものでも使用することができる
。更にまた、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ハロゲン
化ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラ
セン、ポリ−N−ビニルフェニルアントラセン、ポリビ
ニルピレン、ポリビニルアクリジン、ポリビニルアセナ
フチレン、ポリグリシジルカルバゾール、ピレン−ホル
ムアルデヒトデ樹脂、エチルカルバゾール−ホルムアル
デヒド樹脂等の光導電性ポリマーがあげられ、これ等は
それ自体で層を形成してもよい。また、結着樹脂として
は、上記した電荷発生層に使用されるものと同様な絶縁
性樹脂が使用できる。
より構成される。電荷輸送材料としては、例えば、アン
トラセン、ピレン、フェナントレン等の多環芳香族化合
物、インドール、カルバゾール、イミダゾール等の含窒
素複素環を有する化合物、ピラゾリン化合物、ヒドラゾ
ン化合物、トリフェニルメタン化合物、トリフェニルア
ミン化合物、エナミン化合物、スチルベン化合物等、公
知のものならば如何なるものでも使用することができる
。更にまた、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ハロゲン
化ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラ
セン、ポリ−N−ビニルフェニルアントラセン、ポリビ
ニルピレン、ポリビニルアクリジン、ポリビニルアセナ
フチレン、ポリグリシジルカルバゾール、ピレン−ホル
ムアルデヒトデ樹脂、エチルカルバゾール−ホルムアル
デヒド樹脂等の光導電性ポリマーがあげられ、これ等は
それ自体で層を形成してもよい。また、結着樹脂として
は、上記した電荷発生層に使用されるものと同様な絶縁
性樹脂が使用できる。
【0022】電荷輸送層は、上記電荷輸送材料と結着樹
脂及び上記と同様な下層を溶解しない有機溶剤とを用い
て塗布液を調製した後、同様に塗布して形成することが
できる。電荷輸送材料と結着樹脂との配合比(重量部)
は、通常5:1〜1:5の範囲で設定される。また、電
荷輸送層の膜厚は、通常5〜50μm程度に設定される
。
脂及び上記と同様な下層を溶解しない有機溶剤とを用い
て塗布液を調製した後、同様に塗布して形成することが
できる。電荷輸送材料と結着樹脂との配合比(重量部)
は、通常5:1〜1:5の範囲で設定される。また、電
荷輸送層の膜厚は、通常5〜50μm程度に設定される
。
【0023】電子写真感光体が、第68図に記載のごと
き単層構造を有する場合においては、感光層は上記のオ
キシチタニウムフタロシアニン−ヒドロキシメタルフタ
ロシアニン混合結晶が電荷輸送材料及び結着樹脂よりな
る層に分散された構成を有する光導電層よりなる。その
場合、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、1:20
〜5:1、オキシチタニウムフタロシアニン−ヒドロキ
シメタルフタロシアニン混合結晶と電荷輸送材料との配
合比は、1:10〜10:1程度に設定するのが好まし
い。電荷輸送材料及び結着樹脂は、上記と同様なものが
使用され、上記と同様にして光導電層が形成される。
き単層構造を有する場合においては、感光層は上記のオ
キシチタニウムフタロシアニン−ヒドロキシメタルフタ
ロシアニン混合結晶が電荷輸送材料及び結着樹脂よりな
る層に分散された構成を有する光導電層よりなる。その
場合、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、1:20
〜5:1、オキシチタニウムフタロシアニン−ヒドロキ
シメタルフタロシアニン混合結晶と電荷輸送材料との配
合比は、1:10〜10:1程度に設定するのが好まし
い。電荷輸送材料及び結着樹脂は、上記と同様なものが
使用され、上記と同様にして光導電層が形成される。
【0024】導電性支持体としては、電子写真感光体と
して使用することが公知のものならば、如何なるもので
も使用することができる。本発明において、導電性支持
体上に下引き層が設けられてもよい。下引き層は、導電
性支持体からの不必要な電荷の注入を阻止するために有
効であり、感光層の帯電性を高める作用がある。さらに
感光層と導電性支持体との密着性を高める作用もある。 下引き層を構成する材料としては、ポリビニルアルコー
ル、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピリジン、セル
ロースエーテル類、セルロースエステル類、ポリアミド
、ポリウレタン、カゼイン、ゼラチン、ポリグルタミン
酸、澱粉、スターチアセテート、アミノ澱粉、ポリアク
リル酸、ポリアクリルアミド、ジルコニウムキレート化
合物、ジルコニウムアルコキシド化合物、有機ジルコニ
ウム化合物、チタニルキレート化合物、チタニルアルコ
キシド化合物、有機チタニル化合物、シランカップリン
グ剤等があげられる。下引き層の膜厚は、0.05〜2
μm程度に設定するのが好ましい。
して使用することが公知のものならば、如何なるもので
も使用することができる。本発明において、導電性支持
体上に下引き層が設けられてもよい。下引き層は、導電
性支持体からの不必要な電荷の注入を阻止するために有
効であり、感光層の帯電性を高める作用がある。さらに
感光層と導電性支持体との密着性を高める作用もある。 下引き層を構成する材料としては、ポリビニルアルコー
ル、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピリジン、セル
ロースエーテル類、セルロースエステル類、ポリアミド
、ポリウレタン、カゼイン、ゼラチン、ポリグルタミン
酸、澱粉、スターチアセテート、アミノ澱粉、ポリアク
リル酸、ポリアクリルアミド、ジルコニウムキレート化
合物、ジルコニウムアルコキシド化合物、有機ジルコニ
ウム化合物、チタニルキレート化合物、チタニルアルコ
キシド化合物、有機チタニル化合物、シランカップリン
グ剤等があげられる。下引き層の膜厚は、0.05〜2
μm程度に設定するのが好ましい。
【0025】
合成例1
1,3−ジイミノイソインドリン30部、チタニウムテ
トラブトキシド17部を1−クロルナフタレン200部
中に入れ、窒素気流下190℃において5時間反応させ
た後、生成物をろ過し、アンニモア水、水、アセトンで
洗浄して、オキシチタニウムフタロシアニン40部を得
た。得られたオキシチタニウムフタロシアニン結晶の粉
末X線回折図を、図1に示す。
トラブトキシド17部を1−クロルナフタレン200部
中に入れ、窒素気流下190℃において5時間反応させ
た後、生成物をろ過し、アンニモア水、水、アセトンで
洗浄して、オキシチタニウムフタロシアニン40部を得
た。得られたオキシチタニウムフタロシアニン結晶の粉
末X線回折図を、図1に示す。
【0026】合成例2
1,3−ジイミノイソインドリン30部、塩化アルミニ
ウム7部をキノリン185部に入れ、窒素気流下200
℃において3時間反応させた後、生成物をろ過し、アセ
トン、メタノールで洗浄し、乾燥して、クロルアルミニ
ウムフタロシアニン結晶24部を得た。このクロルアル
ミニウムフタロシアニン結晶3部を濃硫酸60部に0℃
にて溶解した後、5℃の蒸留水450部に滴下し、結晶
を再析出させた。蒸留水、希アンモニア水、蒸留水で洗
浄後乾燥し、2.5部のヒドロキシアルミニウムフタロ
シアニン結晶を得た。得られたヒドロキシアルミニウム
フタロシアニン結晶の粉末X線回折図を、図2に示す。
ウム7部をキノリン185部に入れ、窒素気流下200
℃において3時間反応させた後、生成物をろ過し、アセ
トン、メタノールで洗浄し、乾燥して、クロルアルミニ
ウムフタロシアニン結晶24部を得た。このクロルアル
ミニウムフタロシアニン結晶3部を濃硫酸60部に0℃
にて溶解した後、5℃の蒸留水450部に滴下し、結晶
を再析出させた。蒸留水、希アンモニア水、蒸留水で洗
浄後乾燥し、2.5部のヒドロキシアルミニウムフタロ
シアニン結晶を得た。得られたヒドロキシアルミニウム
フタロシアニン結晶の粉末X線回折図を、図2に示す。
【0027】合成例3
1,3−ジイミノイソインドリン30部、三塩化ガリウ
ム9.1部をキノリン230部に入れ、窒素気流下20
0℃において3時間反応させた後、生成物をろ過し、ア
セトン、メタノールで洗浄し、乾燥して、クロルガリウ
ムフタロシアニン結晶28部を得た。このクロルガリウ
ムフタロシアニン結晶3部を濃硫酸60部に0℃にて溶
解した後、5℃の蒸留水450部に滴下し、結晶を再析
出させた。蒸留水、希アンモニア水、蒸留水で洗浄後乾
燥し、2.5部のヒドロキシガリウムフタロシアニン結
晶を得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶の粉末X線回折図を、図3に示す。
ム9.1部をキノリン230部に入れ、窒素気流下20
0℃において3時間反応させた後、生成物をろ過し、ア
セトン、メタノールで洗浄し、乾燥して、クロルガリウ
ムフタロシアニン結晶28部を得た。このクロルガリウ
ムフタロシアニン結晶3部を濃硫酸60部に0℃にて溶
解した後、5℃の蒸留水450部に滴下し、結晶を再析
出させた。蒸留水、希アンモニア水、蒸留水で洗浄後乾
燥し、2.5部のヒドロキシガリウムフタロシアニン結
晶を得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶の粉末X線回折図を、図3に示す。
【0028】合成例4
1,3−ジイミノイソインドリン30部、三塩化インジ
ウム11.4部をキノリン230部に入れ、窒素気流下
200℃において3時間反応させたのち、生成物をろ過
し、アセトン、メタノールで洗浄したのち、乾燥して、
クロルインジウムフタロシアニン結晶29部を得た。こ
のクロルインジウムフタロシアニン結晶3部を水酸化ナ
トリウム1.5部、ピリジン17.5部、蒸留水70部
の混合液中に加え、15時間還流した。結晶をろ過し、
蒸留水で洗浄したのち乾燥して、1.8部のヒドロキシ
インジウムフタロシアニン結晶を得た。得られたヒドロ
キシインジウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図を
、図4に示す。
ウム11.4部をキノリン230部に入れ、窒素気流下
200℃において3時間反応させたのち、生成物をろ過
し、アセトン、メタノールで洗浄したのち、乾燥して、
クロルインジウムフタロシアニン結晶29部を得た。こ
のクロルインジウムフタロシアニン結晶3部を水酸化ナ
トリウム1.5部、ピリジン17.5部、蒸留水70部
の混合液中に加え、15時間還流した。結晶をろ過し、
蒸留水で洗浄したのち乾燥して、1.8部のヒドロキシ
インジウムフタロシアニン結晶を得た。得られたヒドロ
キシインジウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図を
、図4に示す。
【0029】合成例5
1,3−ジイミノイソインドリン30部、四塩化シリコ
ン34部をキノリン220部に入れ、窒素気流下200
℃において3時間反応させた後、生成物をろ過し、アセ
トン、メタノールで洗浄し、乾燥して、ジクロルシリコ
ンフタロシアニン結晶21部を得た。このジクロルシリ
コンフタロシアニン結晶3部を濃硫酸60部に0℃にて
溶解した後、5℃の蒸留水450部に滴下して、結晶を
再析出させた。蒸留水、希アンモニア水、蒸留水で洗浄
した後、乾燥して、2.3部のジヒドロキシシリコンフ
タロシアニン結晶を得た。得られたジヒドロキシシリコ
ンフタロシアニン結晶の粉末X線回折図を、図5に示す
。
ン34部をキノリン220部に入れ、窒素気流下200
℃において3時間反応させた後、生成物をろ過し、アセ
トン、メタノールで洗浄し、乾燥して、ジクロルシリコ
ンフタロシアニン結晶21部を得た。このジクロルシリ
コンフタロシアニン結晶3部を濃硫酸60部に0℃にて
溶解した後、5℃の蒸留水450部に滴下して、結晶を
再析出させた。蒸留水、希アンモニア水、蒸留水で洗浄
した後、乾燥して、2.3部のジヒドロキシシリコンフ
タロシアニン結晶を得た。得られたジヒドロキシシリコ
ンフタロシアニン結晶の粉末X線回折図を、図5に示す
。
【0030】合成例6
1,3−ジイミノイソインドリン30部、四塩化ゲルマ
ニウム11部をキノリン220部に入れ、窒素気流下2
00℃において3時間反応させた後、生成物をろ過し、
アセトン、メタノールで洗浄し、乾燥して、ジクロルゲ
ルマニウムフタロシアニン結晶29部を得た。得られた
ジクロルゲルマニウムフタロシアニン結晶の粉末X線回
折図を、図6に示す。このジクロルゲルマニウムフタロ
シアニン結晶3部を濃硫酸60部に0℃にて溶解した後
、5℃の蒸留水450部に滴下して、結晶を再析出させ
た。蒸留水、希アンモニア水、蒸留水で洗浄後乾燥し、
2.9部のジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン結
晶を得た。得られたジヒドロキシゲルマニウムフタロシ
アニン結晶の粉末X線回折図を、図7に示す。その赤外
吸収スペクトルを図60に示す。
ニウム11部をキノリン220部に入れ、窒素気流下2
00℃において3時間反応させた後、生成物をろ過し、
アセトン、メタノールで洗浄し、乾燥して、ジクロルゲ
ルマニウムフタロシアニン結晶29部を得た。得られた
ジクロルゲルマニウムフタロシアニン結晶の粉末X線回
折図を、図6に示す。このジクロルゲルマニウムフタロ
シアニン結晶3部を濃硫酸60部に0℃にて溶解した後
、5℃の蒸留水450部に滴下して、結晶を再析出させ
た。蒸留水、希アンモニア水、蒸留水で洗浄後乾燥し、
2.9部のジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン結
晶を得た。得られたジヒドロキシゲルマニウムフタロシ
アニン結晶の粉末X線回折図を、図7に示す。その赤外
吸収スペクトルを図60に示す。
【0031】合成例7
1,3−ジイミノイソインドリン30部、塩化第錫9.
8部をキノリン220部に入れ、窒素気流下200℃に
おいて3時間反応させた後、生成物をろ過し、アセトン
、メタノールで洗浄した後、乾燥して、ジクロル錫フタ
ロシアニン結晶31部を得た。このジクロルスズフタロ
シアニン結晶3部を水酸化ナトリウム0.75部、ピリ
ジン17.5部、蒸留水70部の混合液中に加え、7時
間還流した。結晶をろ過し、蒸留水で洗浄した後乾燥し
て、1.8部のジヒドロキシ錫フタロシアニン結晶を得
た。得られたジヒドロキシ錫フタロシアニン結晶の粉末
X線回折図を、図8に示す。
8部をキノリン220部に入れ、窒素気流下200℃に
おいて3時間反応させた後、生成物をろ過し、アセトン
、メタノールで洗浄した後、乾燥して、ジクロル錫フタ
ロシアニン結晶31部を得た。このジクロルスズフタロ
シアニン結晶3部を水酸化ナトリウム0.75部、ピリ
ジン17.5部、蒸留水70部の混合液中に加え、7時
間還流した。結晶をろ過し、蒸留水で洗浄した後乾燥し
て、1.8部のジヒドロキシ錫フタロシアニン結晶を得
た。得られたジヒドロキシ錫フタロシアニン結晶の粉末
X線回折図を、図8に示す。
【0032】実施例1
合成例1でオキシチタニウムフタロシアニン結晶9部と
合成例2で得たヒドロキシアルミニウムフタロシアニン
結晶1部を濃硫酸500部に入れ、0℃において2時間
撹拌した後、メタノール2000部、蒸留水2000部
の混合溶液中に混合溶液の温度5℃以下でよく撹拌しな
がら滴下した。結晶をろ過し、蒸留水で洗浄した後乾燥
して、8部のオキシチタニウムフタロシアニン−ヒドロ
キシアルミニウムフタロシアニン混合結晶を得た。得ら
れた混合結晶の粉末X線回折図を、図9に示す。
合成例2で得たヒドロキシアルミニウムフタロシアニン
結晶1部を濃硫酸500部に入れ、0℃において2時間
撹拌した後、メタノール2000部、蒸留水2000部
の混合溶液中に混合溶液の温度5℃以下でよく撹拌しな
がら滴下した。結晶をろ過し、蒸留水で洗浄した後乾燥
して、8部のオキシチタニウムフタロシアニン−ヒドロ
キシアルミニウムフタロシアニン混合結晶を得た。得ら
れた混合結晶の粉末X線回折図を、図9に示す。
【0033】実施例2
合成例1で得たオキシチタニウムフタロシアニン結晶5
部と合成例2で得たヒドロキシアルミニウムフタロシア
ニン結晶5部を用いた以外は、実施例1と同様にして7
.7部のオキシチタニウムフタロシアニン−ヒドロキシ
アルミニウムフタロシアニン混合結晶を得た。得られた
混合結晶の粉末X線回折図を、図10に示す。
部と合成例2で得たヒドロキシアルミニウムフタロシア
ニン結晶5部を用いた以外は、実施例1と同様にして7
.7部のオキシチタニウムフタロシアニン−ヒドロキシ
アルミニウムフタロシアニン混合結晶を得た。得られた
混合結晶の粉末X線回折図を、図10に示す。
【0034】実施例3
合成例1で得たオキシチタニウムフタロシアニン結晶9
部と合成例3で得たヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶1部を用いた以外は、実施例1と同様にして8.1
部のオキシチタニウムフタロシアニン−ヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン混合結晶を得た。得られた混合結晶
の粉末X線回折図を、図11に示す。
部と合成例3で得たヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶1部を用いた以外は、実施例1と同様にして8.1
部のオキシチタニウムフタロシアニン−ヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン混合結晶を得た。得られた混合結晶
の粉末X線回折図を、図11に示す。
【0035】実施例4
合成例1で得られたオキシチタニウムフタロシアニン結
晶5部と合成例3で得たヒドロキシガリウムフタロシア
ニン結晶5部を用いた以外は、実施例1と同様にして8
.7部のオキシチタニウムフタロシアニン−ヒドロキシ
ガリウムフタロシアニン混合結晶を得た。得られた混合
結晶の粉末X線回折図を、図12に示す。
晶5部と合成例3で得たヒドロキシガリウムフタロシア
ニン結晶5部を用いた以外は、実施例1と同様にして8
.7部のオキシチタニウムフタロシアニン−ヒドロキシ
ガリウムフタロシアニン混合結晶を得た。得られた混合
結晶の粉末X線回折図を、図12に示す。
【0036】実施例5
合成例1で得たオキシチタニウムフタロシアニン結晶5
部と合成例5で得たジヒドロキシシリコンフタロシアニ
ン結晶5部を用いた以外は、実施例1と同様にして8.
4部のオキシチタニウムフタロシアニン−ジヒドロキシ
シリコンフタロシアニン混合結晶を得た。得られた混合
結晶の粉末X線回折図を、図13に示す。
部と合成例5で得たジヒドロキシシリコンフタロシアニ
ン結晶5部を用いた以外は、実施例1と同様にして8.
4部のオキシチタニウムフタロシアニン−ジヒドロキシ
シリコンフタロシアニン混合結晶を得た。得られた混合
結晶の粉末X線回折図を、図13に示す。
【0037】実施例6
合成例1で得たオキシチタニウムフタロシアニン結晶9
部と合成例6で得たジヒドロキシゲルマニウムフタロシ
アニン結晶1部を用いた以外は、実施例1と同様にして
7.6部のオキシチタニウムフタロシアニン−ジヒドロ
キシゲルマニウムフタロシアニン混合結晶を得た。得ら
れた混合結晶の粉末X線回折図を、図14に示す。
部と合成例6で得たジヒドロキシゲルマニウムフタロシ
アニン結晶1部を用いた以外は、実施例1と同様にして
7.6部のオキシチタニウムフタロシアニン−ジヒドロ
キシゲルマニウムフタロシアニン混合結晶を得た。得ら
れた混合結晶の粉末X線回折図を、図14に示す。
【0038】実施例7
合成例1で得たオキシチタニウムフタロシアニン結晶5
部と合成例6で得たジヒドロキシゲルマニウムフタロシ
アニン結晶5部を用いた以外は、実施例1と同様にして
6.2部のオキシチタニウムフタロシアニン−ジヒドロ
キシゲルマニウムフタロシアニン混合結晶を得た。得ら
れた混合結晶の粉末X線回折図を、図15に示す。
部と合成例6で得たジヒドロキシゲルマニウムフタロシ
アニン結晶5部を用いた以外は、実施例1と同様にして
6.2部のオキシチタニウムフタロシアニン−ジヒドロ
キシゲルマニウムフタロシアニン混合結晶を得た。得ら
れた混合結晶の粉末X線回折図を、図15に示す。
【0039】実施例8
実施例1で得た混合結晶1.6部を蒸留水7.6部、モ
ノクロロベンゼン1.2部中、50℃において1時間加
熱した後、結晶をろ過し、メタノールで洗浄、乾燥して
、1.4部のオキシチタニウムフタロシアニン−ヒドロ
キシアルミニウムフタロシアニン混合結晶を得た。得ら
れた混合結晶の粉末X線回折図を、図16に示す。
ノクロロベンゼン1.2部中、50℃において1時間加
熱した後、結晶をろ過し、メタノールで洗浄、乾燥して
、1.4部のオキシチタニウムフタロシアニン−ヒドロ
キシアルミニウムフタロシアニン混合結晶を得た。得ら
れた混合結晶の粉末X線回折図を、図16に示す。
【0040】実施例9〜14
実施例1で得た混合結晶1.6部の代わりに実施例2〜
7で得た混合結晶1.6部を用いた以外は、実施例8と
同様にして溶剤処理を行った。粉末X線回折図を図17
〜図22に示す。なお、各実施例において用いた混合結
晶および粉末X線回折図の関係を表1にまとめて示す。
7で得た混合結晶1.6部を用いた以外は、実施例8と
同様にして溶剤処理を行った。粉末X線回折図を図17
〜図22に示す。なお、各実施例において用いた混合結
晶および粉末X線回折図の関係を表1にまとめて示す。
【0041】
【表1】
【0042】実施例15
実施例1で得た混合結晶0.5部を塩化メチレン15m
l、1mmφのガラスビーズ30部共に容積100ml
のガラス容器に入れ、150rpm で24時間ミリン
グした後、結晶をろ過し、乾燥して、0.4部のオキシ
チタニウムフタロシアニン−ヒドロキシアルミニウムフ
タロシアニン混合結晶を得た。得られた混合結晶の粉末
X線回折図を、図23に示す。
l、1mmφのガラスビーズ30部共に容積100ml
のガラス容器に入れ、150rpm で24時間ミリン
グした後、結晶をろ過し、乾燥して、0.4部のオキシ
チタニウムフタロシアニン−ヒドロキシアルミニウムフ
タロシアニン混合結晶を得た。得られた混合結晶の粉末
X線回折図を、図23に示す。
【0043】実施例16〜33
混合結晶と溶剤を表2の組合せの通りにして、実施例1
5と同様のミリング処理を行った。粉末X線回折図を図
24〜図41に示す。
5と同様のミリング処理を行った。粉末X線回折図を図
24〜図41に示す。
【0044】
【表2】
【0045】実施例34
実施例6で得られた混合結晶0.5部を塩化メチレン1
5部、1mmφのガラスビーズ30部とともに容積10
0mlのガラス容器に入れ、150rpmで24時間ミ
リングしたのち、結晶をろ過、乾燥して0.4部の本発
明のオキシチタニウムフタロシアニン−ジヒドロキシゲ
ルマニウムフタロシアニン混合結晶を得た。得られた混
合結晶の粉末X線回折図を、図42に示す。その2θ=
25〜30°を拡大して図56に示す。赤外吸収スペク
トルを図61に示す。
5部、1mmφのガラスビーズ30部とともに容積10
0mlのガラス容器に入れ、150rpmで24時間ミ
リングしたのち、結晶をろ過、乾燥して0.4部の本発
明のオキシチタニウムフタロシアニン−ジヒドロキシゲ
ルマニウムフタロシアニン混合結晶を得た。得られた混
合結晶の粉末X線回折図を、図42に示す。その2θ=
25〜30°を拡大して図56に示す。赤外吸収スペク
トルを図61に示す。
【0046】実施例35
溶剤としてメチルエチルケトンを用いたほかは、実施例
34と同様にして0.3部のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶を得た。得られた混合結晶の粉末X線回折図を、図
43に示す。赤外吸収スペクトルを図62に示す。
34と同様にして0.3部のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶を得た。得られた混合結晶の粉末X線回折図を、図
43に示す。赤外吸収スペクトルを図62に示す。
【0047】実施例36
実施例7で得られた混合結晶を用いたほかは、実施例3
5と同様にして0.4部の本発明のオキシチタニウムフ
タロシアニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニ
ン混合結晶を得た。得られた混合結晶の粉末X線回折図
を、図44に示す。赤外吸収スペクトルを図63に示す
。
5と同様にして0.4部の本発明のオキシチタニウムフ
タロシアニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニ
ン混合結晶を得た。得られた混合結晶の粉末X線回折図
を、図44に示す。赤外吸収スペクトルを図63に示す
。
【0048】比較例1
合成例1で得たオキシチタニウムフタロシアニン結晶1
0部のみを用いたほかは実施例1と同様にして8.2部
のオキシチタニウムフタロシアニン結晶を得た。得られ
た結晶の粉末X線回折図を図45に示す。
0部のみを用いたほかは実施例1と同様にして8.2部
のオキシチタニウムフタロシアニン結晶を得た。得られ
た結晶の粉末X線回折図を図45に示す。
【0049】比較例2
比較例1のオキシチタニウムフタロシアニン結晶1.6
部を蒸留水7.6部、モノクロロベンゼン1.2部中、
50℃において1時間加熱した後、結晶をろ過し、メタ
ノールで洗浄、乾燥して、1部の特開昭64−1706
6号公報に記載のオキシチタニウムフタロシアニン結晶
を得た。得られた結晶の粉末X線回折図を、図46に示
す。赤外吸収スペクトルを図64に示す。図46の2θ
=25〜30°を拡大して図57に示す。また、実施例
34と比較例1で得た結晶を1:1で混合したものの粉
末X線回折図を、図58に示す。図58には明らかに2
7.2℃のピークにショルダーが観測され、実施例34
と比較例1の結晶型が異なっていることを示している。
部を蒸留水7.6部、モノクロロベンゼン1.2部中、
50℃において1時間加熱した後、結晶をろ過し、メタ
ノールで洗浄、乾燥して、1部の特開昭64−1706
6号公報に記載のオキシチタニウムフタロシアニン結晶
を得た。得られた結晶の粉末X線回折図を、図46に示
す。赤外吸収スペクトルを図64に示す。図46の2θ
=25〜30°を拡大して図57に示す。また、実施例
34と比較例1で得た結晶を1:1で混合したものの粉
末X線回折図を、図58に示す。図58には明らかに2
7.2℃のピークにショルダーが観測され、実施例34
と比較例1の結晶型が異なっていることを示している。
【0050】比較例3
比較例1で得たオキシチタニウムフタロシアニン結晶を
用いた以外は、実施例15と同様にしてオキシチタニウ
ムフタロシアニン結晶0.4部を得た。得られたオキシ
チタニウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図を、図
47に示す。
用いた以外は、実施例15と同様にしてオキシチタニウ
ムフタロシアニン結晶0.4部を得た。得られたオキシ
チタニウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図を、図
47に示す。
【0051】比較例4
比較例1で得たオキシチタニウムフタロシアニン結晶を
用いた以外は、実施例17と同様にしてオキシチタニウ
ムフタロシアニン結晶0.4部を得た。得られたオキシ
チタニウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図を、図
48に示す。
用いた以外は、実施例17と同様にしてオキシチタニウ
ムフタロシアニン結晶0.4部を得た。得られたオキシ
チタニウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図を、図
48に示す。
【0052】比較例5
合成例1で得たオキシチタニウムフタロシアニン結晶と
トルエンを溶剤として用いた以外は、実施例15と同様
にしてオキシチタニウムフタロシアニン結晶0.4部を
得た。得られたオキシチタニウムフタロシアニン結晶の
粉末X線回折図を、図49に示す。
トルエンを溶剤として用いた以外は、実施例15と同様
にしてオキシチタニウムフタロシアニン結晶0.4部を
得た。得られたオキシチタニウムフタロシアニン結晶の
粉末X線回折図を、図49に示す。
【0053】比較例6〜11
合成例2〜7で得たヒドロキシメタルフタロシアニン結
晶を用いた以外は、実施例15と同様にして、結晶ヒド
ロキシメタルフタロシアニンを得た。粉末X線回折図を
図50〜図55に示す。なお、各実施例において用いた
混合結晶および粉末X線回折図の関係を表3にまとめて
示す。
晶を用いた以外は、実施例15と同様にして、結晶ヒド
ロキシメタルフタロシアニンを得た。粉末X線回折図を
図50〜図55に示す。なお、各実施例において用いた
混合結晶および粉末X線回折図の関係を表3にまとめて
示す。
【0054】
【表3】
【0055】比較例12
フタロジニトリル97.5部をα−クロロナフタレン7
50部中に加え、窒素気流下よく撹拌したのち四塩化チ
タン22部を滴下した。滴下終了後、徐々に昇温し、2
00℃で3時間反応した。反応終了後100℃まで放冷
し、析出した結晶をろ過し、あらかじめ100℃に加熱
しておいたα−クロロナフタレン200部で洗浄し、さ
らに、α−クロロナフタレン300部、メタノール30
0部で洗浄した。ついで、メタノール800部に分散さ
せ、還流温度で1時間懸洗し、結晶をろ過したのち、蒸
留水700部に分散させ、60℃で1時間懸洗した。こ
の水洗を10回繰り返した。最終ろ液のpHは6.0で
あった。得られたウエットケーキをフリーズドライして
、オキシチタニウムフタロシアニン結晶70部を得た。 得られたオキシチタニウムフタロシアニン結晶の粉末X
線回折図を、図59に示す。赤外吸収スペクトルを図6
5に示す。
50部中に加え、窒素気流下よく撹拌したのち四塩化チ
タン22部を滴下した。滴下終了後、徐々に昇温し、2
00℃で3時間反応した。反応終了後100℃まで放冷
し、析出した結晶をろ過し、あらかじめ100℃に加熱
しておいたα−クロロナフタレン200部で洗浄し、さ
らに、α−クロロナフタレン300部、メタノール30
0部で洗浄した。ついで、メタノール800部に分散さ
せ、還流温度で1時間懸洗し、結晶をろ過したのち、蒸
留水700部に分散させ、60℃で1時間懸洗した。こ
の水洗を10回繰り返した。最終ろ液のpHは6.0で
あった。得られたウエットケーキをフリーズドライして
、オキシチタニウムフタロシアニン結晶70部を得た。 得られたオキシチタニウムフタロシアニン結晶の粉末X
線回折図を、図59に示す。赤外吸収スペクトルを図6
5に示す。
【0056】図61と図65の960cm−1付近を拡
大し、図66a,bに示す。また、実施例34と比較例
12で得られた結晶を1:1で混合したものの赤外吸収
スペクトルを図66cに示す。図66a,b,cから明
らかにこれら結晶型が異なっていることがわかる。
大し、図66a,bに示す。また、実施例34と比較例
12で得られた結晶を1:1で混合したものの赤外吸収
スペクトルを図66cに示す。図66a,b,cから明
らかにこれら結晶型が異なっていることがわかる。
【0057】実施例37
アルミニウムメッキ板上に、有機ジルコニウム化合物(
商品名;オルガチックスZC540、松本製薬(株)製
)10部、シランカップリング材(商品名;A1110
、日本ユニカー(株)製)2部、イソプロピルアルコー
ル30部、n−ブタノール30部からなる塗布液を用い
て浸漬コーティング法で塗布し、150℃において5分
間加熱乾燥して、膜厚0.1μmの下引き層を形成した
。次に、この下引き層に実施例8で得たオキシチタニウ
ムフタロシアニン−ヒドロキシアルミフタロシアニン混
合結晶0.1部をポリビニルブチラール(商品名;エス
レックBM−S、積水化学(株)製)0.1部及びシク
ロヘキサノン10部と混合し、ガラスビーズと共にペイ
ントシェーカーで1時間処理して分散した後、得られた
塗布液を浸漬コーティング法で塗布し、100℃におい
て5分間加熱乾燥し、膜厚0.2μmの電荷発生層を形
成した。次に、下記化合物(1)1部と下記構造式(2
)で示されるポリ(4,4−シクロヘキシリデンジフェ
ニレンカーボネート)1部を、モノクロロベンゼン8部
に溶解し、得られた塗布液を、電荷発生層が形成れたア
ルミニウム基板上に浸漬コーティング法で塗布し、12
0℃において1時間加熱乾燥し、膜厚20μmの電荷輸
送層を形成した。得られた電子写真感光体を、常温恒湿
(20℃、40%RH)、低温低湿(10℃、15%R
H)、高温高湿(28℃、80%RH)の各々の環境下
で、静電複写試験装置(エレクトロスタティックアナラ
イザーEPA−8100、川口電気(株)製)を用いて
、次の測定を行った。
商品名;オルガチックスZC540、松本製薬(株)製
)10部、シランカップリング材(商品名;A1110
、日本ユニカー(株)製)2部、イソプロピルアルコー
ル30部、n−ブタノール30部からなる塗布液を用い
て浸漬コーティング法で塗布し、150℃において5分
間加熱乾燥して、膜厚0.1μmの下引き層を形成した
。次に、この下引き層に実施例8で得たオキシチタニウ
ムフタロシアニン−ヒドロキシアルミフタロシアニン混
合結晶0.1部をポリビニルブチラール(商品名;エス
レックBM−S、積水化学(株)製)0.1部及びシク
ロヘキサノン10部と混合し、ガラスビーズと共にペイ
ントシェーカーで1時間処理して分散した後、得られた
塗布液を浸漬コーティング法で塗布し、100℃におい
て5分間加熱乾燥し、膜厚0.2μmの電荷発生層を形
成した。次に、下記化合物(1)1部と下記構造式(2
)で示されるポリ(4,4−シクロヘキシリデンジフェ
ニレンカーボネート)1部を、モノクロロベンゼン8部
に溶解し、得られた塗布液を、電荷発生層が形成れたア
ルミニウム基板上に浸漬コーティング法で塗布し、12
0℃において1時間加熱乾燥し、膜厚20μmの電荷輸
送層を形成した。得られた電子写真感光体を、常温恒湿
(20℃、40%RH)、低温低湿(10℃、15%R
H)、高温高湿(28℃、80%RH)の各々の環境下
で、静電複写試験装置(エレクトロスタティックアナラ
イザーEPA−8100、川口電気(株)製)を用いて
、次の測定を行った。
【0058】
【0059】
【0060】VDDP :−6.0KVのコロナ放電を
行って負帯電させ、1秒後の表面電位。 E1/2 :バンドパスフィルターを用いて800nm
に分光した光での電位の減衰率。 VRP:50erg/cm2 の白色光を0.5秒照射
した後の表面電位。 △E1/2 :各環境下で測定された、上記E1/2
の環境間における変動量。 △VDDP :上記帯電、露光を1000回繰り返した
後のVDDP と初期のVDDPの変動量。 △VRP:上記帯電、露光を1000回繰り返した後の
VRPと初期のVRPの変動量。 結果を表4に示す。
行って負帯電させ、1秒後の表面電位。 E1/2 :バンドパスフィルターを用いて800nm
に分光した光での電位の減衰率。 VRP:50erg/cm2 の白色光を0.5秒照射
した後の表面電位。 △E1/2 :各環境下で測定された、上記E1/2
の環境間における変動量。 △VDDP :上記帯電、露光を1000回繰り返した
後のVDDP と初期のVDDPの変動量。 △VRP:上記帯電、露光を1000回繰り返した後の
VRPと初期のVRPの変動量。 結果を表4に示す。
【0061】実施例38〜65
電荷発生層に用いる電荷発生材と、表4に示すものに代
えた以外は、実施例37と同様にして電子写真感光体を
作製し、同様に評価を行った。結果を表4に示す。
えた以外は、実施例37と同様にして電子写真感光体を
作製し、同様に評価を行った。結果を表4に示す。
【0062】比較例13〜23
電荷発生層に用いる電荷発生材と、表4に示すものに代
えた以外は、実施例37と同様にして電子写真感光体を
作製し、同様に評価を行った。結果を表4に示す。
えた以外は、実施例37と同様にして電子写真感光体を
作製し、同様に評価を行った。結果を表4に示す。
【0063】
【表4】
【0064】
【0065】
【発明の効果】本発明のオキシチタニウムフタロシアニ
ン−ヒドロキシメタルフタロシアニンよりなる混合結晶
は、新規な結晶型のものであって、電子写真感光体の電
荷発生材として優れたものであり、高い感度、優れた繰
り返し安定性、および低湿下での優れた環境安定性を有
する電子写真感光体を作製することができる。
ン−ヒドロキシメタルフタロシアニンよりなる混合結晶
は、新規な結晶型のものであって、電子写真感光体の電
荷発生材として優れたものであり、高い感度、優れた繰
り返し安定性、および低湿下での優れた環境安定性を有
する電子写真感光体を作製することができる。
【図1】 オキシチタニウムフタロシアニン結晶の粉
末X線回折図。
末X線回折図。
【図2】 ヒドロキシアルミニウムフタロシアニン結
晶の粉末X線回折図。
晶の粉末X線回折図。
【図3】 ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の
粉末X線回折図。
粉末X線回折図。
【図4】 ヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶
の粉末X線回折図。
の粉末X線回折図。
【図5】 ジヒドロキシシリコンフタロシアニン結晶
の粉末X線回折図。
の粉末X線回折図。
【図6】 ジクロルゲルマニウムフタロシアニン結晶
の粉末X線回折図。
の粉末X線回折図。
【図7】 ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン
結晶の粉末X線回折図。
結晶の粉末X線回折図。
【図8】 ジヒドロキシ錫フタロシアニン結晶の粉末
X線回折図。
X線回折図。
【図9】 実施例1のオキシチタニウムフタロシアニ
ン−ヒドロキシアルミニウムフタロシアニン混合結晶の
粉末X線回折図。
ン−ヒドロキシアルミニウムフタロシアニン混合結晶の
粉末X線回折図。
【図10】 実施例2のオキシチタニウムフタロシア
ニン−ヒドロキシアルミニウムフタロシアニン混合結晶
の粉末X線回折図。
ニン−ヒドロキシアルミニウムフタロシアニン混合結晶
の粉末X線回折図。
【図11】 実施例3のオキシチタニウムフタロシア
ニン−ヒドロキシガリウムフタロシアニン混合結晶の粉
末X線回折図。
ニン−ヒドロキシガリウムフタロシアニン混合結晶の粉
末X線回折図。
【図12】 実施例4のオキシチタニウムフタロシア
ニン−ヒドロキシガリウムフタロシアニン混合結晶の粉
末X線回折図。
ニン−ヒドロキシガリウムフタロシアニン混合結晶の粉
末X線回折図。
【図13】 実施例5のオキシチタニウムフタロシア
ニン−ジヒドロキシシリコンフタロシアニン混合結晶の
粉末X線回折図。
ニン−ジヒドロキシシリコンフタロシアニン混合結晶の
粉末X線回折図。
【図14】 実施例6のオキシチタニウムフタロシア
ニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合結
晶の粉末X線回折図。
ニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合結
晶の粉末X線回折図。
【図15】 実施例7のオキシチタニウムフタロシア
ニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合結
晶の粉末X線回折図。
ニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合結
晶の粉末X線回折図。
【図16】 実施例8のオキシチタニウムフタロシア
ニン−ヒドロキシアルミニウムフタロシアニン混合結晶
の粉末X線回折図。
ニン−ヒドロキシアルミニウムフタロシアニン混合結晶
の粉末X線回折図。
【図17】 実施例9のオキシチタニウムフタロシア
ニン−ヒドロキシアルミニウムフタロシアニン混合結晶
の粉末X線回折図。
ニン−ヒドロキシアルミニウムフタロシアニン混合結晶
の粉末X線回折図。
【図18】 実施例10のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ヒドロキシガリウムフタロシアニン混合結晶の
粉末X線回折図。
アニン−ヒドロキシガリウムフタロシアニン混合結晶の
粉末X線回折図。
【図19】 実施例11のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ヒドロキシガリウムフタロシアニン混合結晶の
粉末X線回折図。
アニン−ヒドロキシガリウムフタロシアニン混合結晶の
粉末X線回折図。
【図20】 実施例12のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ジヒドロキシシリコンフタロシアニン混合結晶
の粉末X線回折図。
アニン−ジヒドロキシシリコンフタロシアニン混合結晶
の粉末X線回折図。
【図21】 実施例13のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
【図22】 実施例14のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
【図23】 実施例15のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ヒドロキシアルミニウムフタロシアニン混合結
晶の粉末X線回折図。
アニン−ヒドロキシアルミニウムフタロシアニン混合結
晶の粉末X線回折図。
【図24】 実施例16のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ヒドロキシアルミニウムフタロシアニン混合結
晶の粉末X線回折図。
アニン−ヒドロキシアルミニウムフタロシアニン混合結
晶の粉末X線回折図。
【図25】 実施例17のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ヒドロキシアルミニウムフタロシアニン混合結
晶の粉末X線回折図。
アニン−ヒドロキシアルミニウムフタロシアニン混合結
晶の粉末X線回折図。
【図26】 実施例18のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ヒドロキシアルミニウムフタロシアニン混合結
晶の粉末X線回折図。
アニン−ヒドロキシアルミニウムフタロシアニン混合結
晶の粉末X線回折図。
【図27】 実施例19のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ヒドロキシアルミニウムフタロシアニン混合結
晶の粉末X線回折図。
アニン−ヒドロキシアルミニウムフタロシアニン混合結
晶の粉末X線回折図。
【図28】 実施例20のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ヒドロキシアルミニウムフタロシアニン混合結
晶の粉末X線回折図。
アニン−ヒドロキシアルミニウムフタロシアニン混合結
晶の粉末X線回折図。
【図29】 実施例21のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ヒドロキシガリウムフタロシアニン混合結晶の
粉末X線回折図。
アニン−ヒドロキシガリウムフタロシアニン混合結晶の
粉末X線回折図。
【図30】 実施例22のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ヒドロキシガリウムフタロシアニン混合結晶の
粉末X線回折図。
アニン−ヒドロキシガリウムフタロシアニン混合結晶の
粉末X線回折図。
【図31】 実施例23のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ヒドロキシガリウムフタロシアニン混合結晶の
粉末X線回折図。
アニン−ヒドロキシガリウムフタロシアニン混合結晶の
粉末X線回折図。
【図32】 実施例24のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ヒドロキシガリウムフタロシアニン混合結晶の
粉末X線回折図。
アニン−ヒドロキシガリウムフタロシアニン混合結晶の
粉末X線回折図。
【図33】 実施例25のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ヒドロキシガリウムフタロシアニン混合結晶の
粉末X線回折図。
アニン−ヒドロキシガリウムフタロシアニン混合結晶の
粉末X線回折図。
【図34】 実施例26のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
【図35】 実施例27のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
【図36】 実施例28のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
【図37】 実施例29のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
【図38】 実施例30のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
【図39】 実施例31のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
【図40】 実施例32のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
【図41】 実施例33のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
【図42】 実施例34のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
【図43】 実施例35のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
【図44】 実施例36のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の粉末X線回折図。
【図45】 比較例1のオキシチタニウムフタロシア
ニン結晶の粉末X線回折図。
ニン結晶の粉末X線回折図。
【図46】 比較例2の溶剤処理オキシチタニウムフ
タロシアニン結晶の粉末X線回折図。
タロシアニン結晶の粉末X線回折図。
【図47】 比較例3のオキシチタニウムフタロシア
ニン結晶の粉末X線回折図。
ニン結晶の粉末X線回折図。
【図48】 比較例4のオキシチタニウムフタロシア
ニン結晶の粉末X線回折図。
ニン結晶の粉末X線回折図。
【図49】 比較例5のオキシチタニウムフタロシア
ニン結晶の粉末X線回折図。
ニン結晶の粉末X線回折図。
【図50】 比較例6のヒドロキシアルミニウムフタ
ロシアニン結晶の粉末X線回折図。
ロシアニン結晶の粉末X線回折図。
【図51】 比較例7のヒドロキシガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末X線回折図。
アニン結晶の粉末X線回折図。
【図52】 比較例8のヒドロキシインジウムフタロ
シアニン結晶の粉末X線回折図。
シアニン結晶の粉末X線回折図。
【図53】 比較例9のジヒドロキシシリコンフタロ
シアニン結晶の粉末X線回折図。
シアニン結晶の粉末X線回折図。
【図54】 比較例10のジヒドロキシゲルマニウム
フタロシアニン結晶の粉末X線回折図。
フタロシアニン結晶の粉末X線回折図。
【図55】 比較例11のジヒドロキシ錫フタロシア
ニン結晶の粉末X線回折図。
ニン結晶の粉末X線回折図。
【図56】 第42図の2θ=25〜30°を拡大し
た拡大図。
た拡大図。
【図57】 第46図の2θ=25〜30°を拡大し
た拡大図。
た拡大図。
【図58】 実施例34と比較例1で得た結晶を1:
1で混合したものの粉末X線回折図。
1で混合したものの粉末X線回折図。
【図59】 比較例12のオキシチタニウムフタロシ
アニン結晶の粉末X線回折図。
アニン結晶の粉末X線回折図。
【図60】 合成例6のジヒドロキシゲルマニウムフ
タロシアニン結晶の赤外吸収スペクトル図。
タロシアニン結晶の赤外吸収スペクトル図。
【図61】 実施例34のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の赤外吸収スペクトル図。
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の赤外吸収スペクトル図。
【図62】 実施例35のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の赤外吸収スペクトル図。
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の赤外吸収スペクトル図。
【図63】 実施例36のオキシチタニウムフタロシ
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の赤外吸収スペクトル図。
アニン−ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン混合
結晶の赤外吸収スペクトル図。
【図64】 比較例2のオキシチタニウムフタロシア
ニン結晶の赤外吸収スペクトル図。
ニン結晶の赤外吸収スペクトル図。
【図65】 比較例12のオキシチタニウムフタロシ
アニン結晶の赤外吸収スペクトル図。
アニン結晶の赤外吸収スペクトル図。
【図66】 図61、図65、および実施例34の結
晶と比較例12の結晶を1:1で混合した混合結晶の9
60cm−1付近を拡大した拡大図。
晶と比較例12の結晶を1:1で混合した混合結晶の9
60cm−1付近を拡大した拡大図。
【図67】 本発明の電子写真感光体の層構成を示す
模式図。
模式図。
【図68】 本発明の電子写真感光体の他の層構成を
示す模式図。
示す模式図。
1…導電性支持体、2…電荷発生層、3…電荷輸送層、
4…下引き層、5…光導電層。
4…下引き層、5…光導電層。
Claims (16)
- 【請求項1】 オキシチタニウムフタロシアニンと少
なくとも1種のヒドロキシメタルフタロシアニンとから
なるフタロシアニン混合結晶。 - 【請求項2】 ヒドロキシメタルフタロシアニンの中
心金属が、アルミニウム、ガリウム、インジウム、シリ
コン、ゲルマニウム、錫であることを特徴とする請求項
1記載のフタロシアニン混合結晶。 - 【請求項3】 ヒドロキシメタルフタロシアニンの混
合比が60重量%以下であることを特徴とする請求項1
記載のフタロシアニン混合結晶。 - 【請求項4】 X線回折スペクトルにおいて、ブラッ
グ角(2θ±0.2°)=6.8°、15.5°、23
.8°に強い回折ピークを有することを特徴とするオキ
シチタニウムフタロシアニンとヒドロキシアルミニウム
フタロシアニンとからなる請求項1記載のフタロシアニ
ン混合結晶。 - 【請求項5】 X線回折スペクトルにおいて、ブラッ
グ角(2θ±0.2°)=8.3°、12.3°、16
.6°、26.5°に強い回折ピークを有することを特
徴とするオキシチタニウムフタロシアニンとヒドロキシ
ガリウムフタロシアニンとからなる請求項1記載のフタ
ロシアニン混合結晶。 - 【請求項6】 X線回折スペクトルにおいて、ブラッ
グ角(2θ±0.2°)=7.5°、16.3°、25
.3°、26.3°、28.6°に強い回折ピークを有
することを特徴とするオキシチタニウムフタロシアニン
とヒドロキシガリウムフタロシアニンとからなる請求項
1記載のフタロシアニン混合結晶。 - 【請求項7】 X線回折スペクトルにおいて、ブラッ
グ角(2θ±0.2°)=6.9°、15.5°、23
.5°、26.3°に強い回折ピークを有することを特
徴とするオキシチタニウムフタロシアニンとヒドロキシ
ガリウムフタロシアニンとからなる請求項1記載のフタ
ロシアニン混合結晶。 - 【請求項8】 X線回折スペクトルにおいて、ブラッ
グ角(2θ±0.2°)=7.0°、9.6°、16.
9°、27.3°に強い回折ピークを有することを特徴
とするオキシチタニウムフタロシアニンとジヒドロキシ
シリコンフタロシアニンとからなる請求項1記載のフタ
ロシアニン混合結晶。 - 【請求項9】 X線回折スペクトルにおいて、ブラッ
グ角(2θ±0.2°)=27.2°に最も強い回折ピ
ークを有することを特徴とするオキシチタニウムフタロ
シアニンとジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニンと
からなる請求項1記載の混合結晶。 - 【請求項10】 X線回折スペクトルにおいて、ブラ
ッグ角(2θ±0.2°)=7.2°,11.8°,1
7.4°,27.2°および28.8°に強い回折ピー
クを有することを特徴とする請求項9記載の混合結晶。 - 【請求項11】 X線回折スペクトルにおいて、ブラ
ッグ角(2θ±0.2°)=7.4°,12.6°,2
7.2°および28.5°に強い回折ピークを有するこ
とを特徴とする請求項9記載の混合結晶。 - 【請求項12】 X線回折スペクトルにおいて、ブラ
ッグ角(2θ±0.2°)=12.0°,12.8°,
16.0°,18.6°,27.2°および30.1°
に強い回折ピークを有することを特徴とする請求項9記
載の混合結晶。 - 【請求項13】 X線回折スペクトルにおいて、ブラ
ッグ角(2θ±0.2°)=7.0°、12.8°、1
6.9°、26.7°に強い回折ピークを有することを
特徴とするオキシチタニウムフタロシアニンとジヒドロ
キシゲルマニウムフタロシアニンとからなる請求項1記
載のフタロシアニン混合結晶。 - 【請求項14】 オキシチタニウムフタロシアニンと
ヒドロキシメタルフタロシアニン、または、オキシチタ
ニウムフタロシアニンとハロゲン化メタルフタロシアニ
ンを濃硫酸に溶解、またはスラリー化した後、有機溶剤
、または、水と少なくとも1種の有機溶剤との混合液中
で再析出させ、得られたオキシチタニウムフタロシアニ
ンとヒドロキシメタルフタロシアニンの混合結晶を、さ
らに有機溶剤で処理することを特徴とする請求項1〜1
3のいずれかに記載の混合結晶の製造方法。 - 【請求項15】導電性支持体上に、オキシチタニウムフ
タロシアニンと少なくとも1種のヒドロキシメタルフタ
ロシアニンとからなるフタロシアニン混合結晶を電荷発
生材として含有する感光層を設けてなることを特徴とす
る電子写真感光体。 - 【請求項16】 フタロシアニン混合結晶が、請求項
2ないし請求項13記載のフタロシアニン混合結晶から
選択された少なくとも1種である請求項15記載の電子
写真感光体。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP15087291A JPH04351673A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | オキシチタニウムフタロシアニンとヒドロキシメタルフタロシアニンとの混合結晶、その製造方法および電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP15087291A JPH04351673A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | オキシチタニウムフタロシアニンとヒドロキシメタルフタロシアニンとの混合結晶、その製造方法および電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH04351673A true JPH04351673A (ja) | 1992-12-07 |
Family
ID=15506225
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP15087291A Pending JPH04351673A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | オキシチタニウムフタロシアニンとヒドロキシメタルフタロシアニンとの混合結晶、その製造方法および電子写真感光体 |
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JP (1) | JPH04351673A (ja) |
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1991
- 1991-05-28 JP JP15087291A patent/JPH04351673A/ja active Pending
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