JPH09199450A - ウエハ上の半導体素子ダイシング方法及び装置 - Google Patents
ウエハ上の半導体素子ダイシング方法及び装置Info
- Publication number
- JPH09199450A JPH09199450A JP816296A JP816296A JPH09199450A JP H09199450 A JPH09199450 A JP H09199450A JP 816296 A JP816296 A JP 816296A JP 816296 A JP816296 A JP 816296A JP H09199450 A JPH09199450 A JP H09199450A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dicing
- wafer
- semiconductor element
- defective
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダイシング工程での時間ロスをなくし、ダイ
シング工程に要する時間を短縮することができるウエハ
上の半導体素子ダイシング方法及び装置を得る。 【解決手段】 ウエハ１上の半導体素子２をカットライ
ン３から個々に分割するダイシング方法において、ウエ
ハ作製後の特性検査で良品とされた半導体素子５を分割
するのに必要なカットライン６のみをダイシングするウ
エハ上の半導体素子ダイシング方法及び不良マーク４を
検出して良品とされた半導体素子５の位置を認識する認
識装置８あるいは特性検査データを読み込んで良品とさ
れた半導体素子の位置を認識する読み込み装置９を設
け、これらの装置８、９で認識された良品とされた半導
体素子５を分割するのに必要なカットライン６のみをダ
イシングする機能を備えたウエハ上の半導体素子ダイシ
ング装置。
シング工程に要する時間を短縮することができるウエハ
上の半導体素子ダイシング方法及び装置を得る。 【解決手段】 ウエハ１上の半導体素子２をカットライ
ン３から個々に分割するダイシング方法において、ウエ
ハ作製後の特性検査で良品とされた半導体素子５を分割
するのに必要なカットライン６のみをダイシングするウ
エハ上の半導体素子ダイシング方法及び不良マーク４を
検出して良品とされた半導体素子５の位置を認識する認
識装置８あるいは特性検査データを読み込んで良品とさ
れた半導体素子の位置を認識する読み込み装置９を設
け、これらの装置８、９で認識された良品とされた半導
体素子５を分割するのに必要なカットライン６のみをダ
イシングする機能を備えたウエハ上の半導体素子ダイシ
ング装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ上の半導体
素子をカットラインから個々に分割するダイシング方法
とその装置に関するものである。
素子をカットラインから個々に分割するダイシング方法
とその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ウエハ上の半導体素子を個々に分
割するダイシングは、一般に作製されたウエハを特性検
査し、ウエハ上の半導体素子間のカットラインの幅及び
ピッチを認識した後、特性検査による半導体素子の良、
不良に係わらず、全ての半導体素子を分割するようにし
ている。しかしながら、上記のように特性検査の結果に
係わらず、全ての半導体素子を分割するダイシング方法
によると、歩留りの悪いウエハの場合、ほとんどが不良
の半導体素子をダイシングすることになるため、工程上
大きな時間ロスになってしまう問題があった。
割するダイシングは、一般に作製されたウエハを特性検
査し、ウエハ上の半導体素子間のカットラインの幅及び
ピッチを認識した後、特性検査による半導体素子の良、
不良に係わらず、全ての半導体素子を分割するようにし
ている。しかしながら、上記のように特性検査の結果に
係わらず、全ての半導体素子を分割するダイシング方法
によると、歩留りの悪いウエハの場合、ほとんどが不良
の半導体素子をダイシングすることになるため、工程上
大きな時間ロスになってしまう問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、第１
にダイシング工程での時間ロスをなくし、ダイシング工
程に要する時間の短縮を期待することができるウエハ上
の半導体素子ダイシング方法及び装置を得ることにあ
る。本発明の別の課題は、ダイシングに使用するダイシ
ングブレードの磨耗を低減することができるウエハ上の
半導体素子ダイシング方法及び装置を提供することにあ
る。本発明のもう一つの課題は、必要なカットラインを
決定してダイシングするまでの時間をより短縮すること
ができるウエハ上の半導体素子ダイシング方法及び装置
を提供することにある。本発明の更なる課題は、ダイシ
ング時に発生するウエハのピッチングやコンタミの低減
を期待することができるウエハ上の半導体素子ダイシン
グ方法及び装置を供することにある。
にダイシング工程での時間ロスをなくし、ダイシング工
程に要する時間の短縮を期待することができるウエハ上
の半導体素子ダイシング方法及び装置を得ることにあ
る。本発明の別の課題は、ダイシングに使用するダイシ
ングブレードの磨耗を低減することができるウエハ上の
半導体素子ダイシング方法及び装置を提供することにあ
る。本発明のもう一つの課題は、必要なカットラインを
決定してダイシングするまでの時間をより短縮すること
ができるウエハ上の半導体素子ダイシング方法及び装置
を提供することにある。本発明の更なる課題は、ダイシ
ング時に発生するウエハのピッチングやコンタミの低減
を期待することができるウエハ上の半導体素子ダイシン
グ方法及び装置を供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ため、本発明に係るウエハ上の半導体素子ダイシング方
法は、ウエハ上の半導体素子をカットラインから個々に
分割するダイシング方法において、ウエハ作製後の特性
検査で良品とされた半導体素子を分割するのに必要なカ
ットラインのみをダイジングすることを特徴とするもの
で、良品とされた半導体素子を分割するのに必要なカッ
トラインのみをダイシングすることにより、全てのカッ
トラインをダイシングする必要がなくなり、その分ダイ
シング工程での無駄時間をなくし、ダイシング時間の短
縮を図ることができる。
ため、本発明に係るウエハ上の半導体素子ダイシング方
法は、ウエハ上の半導体素子をカットラインから個々に
分割するダイシング方法において、ウエハ作製後の特性
検査で良品とされた半導体素子を分割するのに必要なカ
ットラインのみをダイジングすることを特徴とするもの
で、良品とされた半導体素子を分割するのに必要なカッ
トラインのみをダイシングすることにより、全てのカッ
トラインをダイシングする必要がなくなり、その分ダイ
シング工程での無駄時間をなくし、ダイシング時間の短
縮を図ることができる。
【０００５】また、本発明に係るウエハ上の半導体素子
ダイシング方法は、前記の良品とされた半導体素子の両
側のカットラインのみをダイシングすることを特徴とす
るもので、良品とされた半導体素子の両側のカットライ
ンのみをダイシングすることによって、少なくとも良品
とされた半導体素子を個々に分割することができ、ダイ
シング時間を短縮することが可能となる。
ダイシング方法は、前記の良品とされた半導体素子の両
側のカットラインのみをダイシングすることを特徴とす
るもので、良品とされた半導体素子の両側のカットライ
ンのみをダイシングすることによって、少なくとも良品
とされた半導体素子を個々に分割することができ、ダイ
シング時間を短縮することが可能となる。
【０００６】更に、本発明に係るウエハ上の半導体素子
ダイシング方法は、前記の良品とされた半導体素子の周
囲のカットラインのみをダイシングすることを特徴とす
るもので、良品とされた半導体素子の周囲のカットライ
ンのみをダイシングすることにより、最小限のダイシン
グで良品とされた半導体素子を個々に分割することがで
き、ダイシング時間を最短にすることができる。
ダイシング方法は、前記の良品とされた半導体素子の周
囲のカットラインのみをダイシングすることを特徴とす
るもので、良品とされた半導体素子の周囲のカットライ
ンのみをダイシングすることにより、最小限のダイシン
グで良品とされた半導体素子を個々に分割することがで
き、ダイシング時間を最短にすることができる。
【０００７】また、本発明に係るウエハ上の半導体素子
ダイシング装置は、ウエハ上の半導体素子をカットライ
ンから個々に分割するダイシング装置において、同ダイ
シング装置にウエハ作製後の特性検査で不良とされた半
導体素子に付けられる不良マークを検出して良品とされ
た半導体素子の位置を認識する認識装置を設け、同認識
装置で認識された良品とされた半導体素子を分割するの
に必要なカットラインのみをダイシングする機能を備え
たことを特徴とするもので、認識装置によって良品とさ
れた半導体素子の位置を認識し、それを分割するのに必
要なカットラインを決定することができるため、速やか
に必要なカットラインのみをダイシングして、良品とさ
れた半導体素子を個々に分割することができる。
ダイシング装置は、ウエハ上の半導体素子をカットライ
ンから個々に分割するダイシング装置において、同ダイ
シング装置にウエハ作製後の特性検査で不良とされた半
導体素子に付けられる不良マークを検出して良品とされ
た半導体素子の位置を認識する認識装置を設け、同認識
装置で認識された良品とされた半導体素子を分割するの
に必要なカットラインのみをダイシングする機能を備え
たことを特徴とするもので、認識装置によって良品とさ
れた半導体素子の位置を認識し、それを分割するのに必
要なカットラインを決定することができるため、速やか
に必要なカットラインのみをダイシングして、良品とさ
れた半導体素子を個々に分割することができる。
【０００８】更に、本発明に係るウエハ上の半導体素子
ダイシング装置は、ウエハ上の半導体素子をカットライ
ンから個々に分割するダイシング装置において、同ダイ
シング装置にウエハ作製後の特性検査データを読み込ん
で良品とされた半導体素子の位置を認識する読み込み装
置を設け、同読み込み装置で認識された良品とされた半
導体素子を分割するのに必要なカットラインのみをダイ
シングする機能を備えたことを特徴とするもので、読み
込み装置により特性検査データを読み込んで良品とされ
た半導体素子の位置を認識して、必要なカットラインを
決定することができるため、速やかにダイシングして良
品とされた半導体素子を個々に分割することができる。
ダイシング装置は、ウエハ上の半導体素子をカットライ
ンから個々に分割するダイシング装置において、同ダイ
シング装置にウエハ作製後の特性検査データを読み込ん
で良品とされた半導体素子の位置を認識する読み込み装
置を設け、同読み込み装置で認識された良品とされた半
導体素子を分割するのに必要なカットラインのみをダイ
シングする機能を備えたことを特徴とするもので、読み
込み装置により特性検査データを読み込んで良品とされ
た半導体素子の位置を認識して、必要なカットラインを
決定することができるため、速やかにダイシングして良
品とされた半導体素子を個々に分割することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図１
乃至図６に基づいて説明する。図１は本発明に係るウエ
ハ上の半導体素子ダイシング方法の第１の実施形態を示
す説明図、図２は同方法に用いる半導体素子ダイシング
装置の第１の実施形態を示す構成図、図３は同方法に用
いる半導体素子ダイシング装置の第２の実施形態を示す
構成図、図４は本発明に係るウエハ上の半導体素子ダイ
シング方法の第２の実施形態を示す説明図、図５はその
ダイシング状態を示す断面図、図６は本発明に係るウエ
ハ上の半導体素子ダイシング方法の第３の実施形態を示
す説明図である。
乃至図６に基づいて説明する。図１は本発明に係るウエ
ハ上の半導体素子ダイシング方法の第１の実施形態を示
す説明図、図２は同方法に用いる半導体素子ダイシング
装置の第１の実施形態を示す構成図、図３は同方法に用
いる半導体素子ダイシング装置の第２の実施形態を示す
構成図、図４は本発明に係るウエハ上の半導体素子ダイ
シング方法の第２の実施形態を示す説明図、図５はその
ダイシング状態を示す断面図、図６は本発明に係るウエ
ハ上の半導体素子ダイシング方法の第３の実施形態を示
す説明図である。
【００１０】ウエハ１上に構成された半導体素子２は、
カットライン３に沿ってダイシングされ、個々に分割さ
れる。このダイシングに際して、作製されたウエハ１
は、先ず特性検査により良、不良が検査され、不良とな
った半導体素子２上には図１の（Ａ）に示すように不良
マーク４が付けられる。この不良マーク４を検出するこ
とによって、良品とされた半導体素子５の位置を把握す
ることができ、これから図１の（Ｂ）に示すように良品
とされた半導体素子５を個々に分割するのに必要なカッ
トライン６を決定することができる。
カットライン３に沿ってダイシングされ、個々に分割さ
れる。このダイシングに際して、作製されたウエハ１
は、先ず特性検査により良、不良が検査され、不良とな
った半導体素子２上には図１の（Ａ）に示すように不良
マーク４が付けられる。この不良マーク４を検出するこ
とによって、良品とされた半導体素子５の位置を把握す
ることができ、これから図１の（Ｂ）に示すように良品
とされた半導体素子５を個々に分割するのに必要なカッ
トライン６を決定することができる。
【００１１】従って、ダイシングして半導体素子２を個
々に分割する前に、図２に示すようにダイシング装置７
に設けられた認識装置８により、半導体素子２上に付け
られた不良マーク４を検出して良品とされた半導体素子
５の位置を把握し、この半導体素子５のみを分割するの
に必要なカットライン６を決定した後、そのカットライ
ン６に沿ってダイシングすることにより、良品とされた
半導体素子５のみを個々に分割することができる。
々に分割する前に、図２に示すようにダイシング装置７
に設けられた認識装置８により、半導体素子２上に付け
られた不良マーク４を検出して良品とされた半導体素子
５の位置を把握し、この半導体素子５のみを分割するの
に必要なカットライン６を決定した後、そのカットライ
ン６に沿ってダイシングすることにより、良品とされた
半導体素子５のみを個々に分割することができる。
【００１２】このため、不良品を含む全ての半導体素子
２のカットライン３をダイシングする必要がなくなり、
その分ダイシング工程での時間ロスをなくし、ダイシン
グ時間を短縮して生産性を向上させることができる。ま
た、全てのカットライン３をダイシングする必要がなく
なるため、ダイシングに使用するダイシングブレードの
磨耗を低減し、その使用期間を延ばすことができる。
２のカットライン３をダイシングする必要がなくなり、
その分ダイシング工程での時間ロスをなくし、ダイシン
グ時間を短縮して生産性を向上させることができる。ま
た、全てのカットライン３をダイシングする必要がなく
なるため、ダイシングに使用するダイシングブレードの
磨耗を低減し、その使用期間を延ばすことができる。
【００１３】図３にダイシング装置７の他の実施形態が
示されている。これはダイシング装置７に、ウエハ１上
のどの位置に良品の半導体素子５があるのかを示す特性
検査データを読み込むための読み込み装置９を設け、こ
の読み込み装置９によって特性検査データを読み込んで
良品の半導体素子５の位置を認識し、それを分割するの
に必要なカットライン６を決定して、ダイシングできる
ようにしたものである。
示されている。これはダイシング装置７に、ウエハ１上
のどの位置に良品の半導体素子５があるのかを示す特性
検査データを読み込むための読み込み装置９を設け、こ
の読み込み装置９によって特性検査データを読み込んで
良品の半導体素子５の位置を認識し、それを分割するの
に必要なカットライン６を決定して、ダイシングできる
ようにしたものである。
【００１４】このようなダイシング装置７によると、特
性検査データをそのまま読み込んで良品の半導体素子５
がある位置から必要なカットライン６を決定することが
できるため、良品の半導体素子５を認識して必要なカッ
トライン６を決定するまでの時間をより短縮することが
でき、ダイシング工程に必要な時間の更なる短縮を期待
することができる。
性検査データをそのまま読み込んで良品の半導体素子５
がある位置から必要なカットライン６を決定することが
できるため、良品の半導体素子５を認識して必要なカッ
トライン６を決定するまでの時間をより短縮することが
でき、ダイシング工程に必要な時間の更なる短縮を期待
することができる。
【００１５】次に、図４及び図５に示すダイシング方法
について説明する。このダイシング方法は、良品とされ
た半導体素子５のみを分割するのに必要なカットライン
６を、先ずウエハ１の端面から切り込みはじめ、良品と
された半導体素子５の少なくとも両側のカットライン６
のみをダイシングし、カットライン６の途中であって
も、不良マーク４が付けられた半導体素子２の存在によ
って、それ以上ダイシングする必要がない場合は、ダイ
シングを途中で止めて次の必要なカットライン６をダイ
シングするようにしたものである。
について説明する。このダイシング方法は、良品とされ
た半導体素子５のみを分割するのに必要なカットライン
６を、先ずウエハ１の端面から切り込みはじめ、良品と
された半導体素子５の少なくとも両側のカットライン６
のみをダイシングし、カットライン６の途中であって
も、不良マーク４が付けられた半導体素子２の存在によ
って、それ以上ダイシングする必要がない場合は、ダイ
シングを途中で止めて次の必要なカットライン６をダイ
シングするようにしたものである。
【００１６】この場合、図５の（Ａ）に示すようにダイ
シングブレード１０によってウエハ１をダイシングして
行き、必要な部分を切り終わったら、ダイシングブレー
ド１０を図５の（Ｂ）に示すように上方に移動させるこ
とにより、切り込み不要な部分をスキップすればよく、
これによって、ダイシングに必要な時間を更に短縮する
ことができるようになると共に、ダイシングブレード１
０の磨耗を低減してその寿命を延長させることができ
る。
シングブレード１０によってウエハ１をダイシングして
行き、必要な部分を切り終わったら、ダイシングブレー
ド１０を図５の（Ｂ）に示すように上方に移動させるこ
とにより、切り込み不要な部分をスキップすればよく、
これによって、ダイシングに必要な時間を更に短縮する
ことができるようになると共に、ダイシングブレード１
０の磨耗を低減してその寿命を延長させることができ
る。
【００１７】また、図６には別のダイシング方法が示さ
れている。この方法は、特性検査により良品とされた半
導体素子５のみを分割するために必要なカットライン６
の途中から切り込んで、良品とされた半導体素子５の周
囲のカットライン６のみをダイシングするものである。
このように良品とされた半導体素子５の周囲のカットラ
イン６のみをダイシングすることによって、最小限のダ
イシングで良品とされた半導体素子５を個々に分割する
ことができる。
れている。この方法は、特性検査により良品とされた半
導体素子５のみを分割するために必要なカットライン６
の途中から切り込んで、良品とされた半導体素子５の周
囲のカットライン６のみをダイシングするものである。
このように良品とされた半導体素子５の周囲のカットラ
イン６のみをダイシングすることによって、最小限のダ
イシングで良品とされた半導体素子５を個々に分割する
ことができる。
【００１８】このため、この方法によると、ダイシング
に要する時間を最短にすることができると共に、特にこ
の方法では、ウエハ１の端面からではなく、必要なカッ
トライン６の途中から切り込むことになるため、ウエハ
１の端面を切り込むときに発生するウエハ１のピッチン
グやコンタミの低減を期待することができる。
に要する時間を最短にすることができると共に、特にこ
の方法では、ウエハ１の端面からではなく、必要なカッ
トライン６の途中から切り込むことになるため、ウエハ
１の端面を切り込むときに発生するウエハ１のピッチン
グやコンタミの低減を期待することができる。
【００１９】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明に係るウ
エハ上の半導体素子ダイシング方法及び装置によれば、
特性検査により良品とされた半導体素子を分割するのに
必要なカットラインのみをダイシングすればよく、従来
のように特性検査の結果に係わらず、全てのカットライ
ンをダイシングする必要がなくなる。このため、ダイシ
ング工程での無駄時間をなくし、ダイシング時間の短縮
を図り、半導体素子の生産性を向上させることができる
と共に、ダイシング時間の短縮によりダイシングに使用
するダイシングブレードの磨耗を低減し、その寿命を延
長することができる。
エハ上の半導体素子ダイシング方法及び装置によれば、
特性検査により良品とされた半導体素子を分割するのに
必要なカットラインのみをダイシングすればよく、従来
のように特性検査の結果に係わらず、全てのカットライ
ンをダイシングする必要がなくなる。このため、ダイシ
ング工程での無駄時間をなくし、ダイシング時間の短縮
を図り、半導体素子の生産性を向上させることができる
と共に、ダイシング時間の短縮によりダイシングに使用
するダイシングブレードの磨耗を低減し、その寿命を延
長することができる。
【００２０】また、特性検査データを読み込んで必要な
カットラインを決定するようにしているため、必要なカ
ットラインを決定してダイシングするまでの時間をより
短縮して、速やかにダイシングすることができる。更
に、良品とされた半導体素子の周囲のカットラインのみ
をダイシングすることにより、ウエハ端面を切り込むと
きに発生するウエハのピッチングやコンタミを低減する
ことができる。
カットラインを決定するようにしているため、必要なカ
ットラインを決定してダイシングするまでの時間をより
短縮して、速やかにダイシングすることができる。更
に、良品とされた半導体素子の周囲のカットラインのみ
をダイシングすることにより、ウエハ端面を切り込むと
きに発生するウエハのピッチングやコンタミを低減する
ことができる。
【図１】本発明の係るウエハ上の半導体素子ダイシング
方法の第１の実施形態を示す説明図である。
方法の第１の実施形態を示す説明図である。
【図２】本発明に係るウエハ上の半導体素子ダイシング
装置の第１の実施形態を示す構成図である。
装置の第１の実施形態を示す構成図である。
【図３】本発明に係るウエハ上の半導体素子ダイシング
装置の第２の実施形態を示す構成図である。
装置の第２の実施形態を示す構成図である。
【図４】本発明の係るウエハ上の半導体素子ダイシング
方法の第２の実施形態を示す説明図である。
方法の第２の実施形態を示す説明図である。
【図５】本発明の係るウエハ上の半導体素子ダイシング
方法の第２の実施形態のダイシング状態を示す断面図で
ある。
方法の第２の実施形態のダイシング状態を示す断面図で
ある。
【図６】本発明の係るウエハ上の半導体素子ダイシング
方法の第３の実施形態を示す説明図である。
方法の第３の実施形態を示す説明図である。
１ ウエハ ２ 半導体素子 ３ カットライン ４ 不良マーク ５ 良品の半導体素子 ６ 必要なカットライン ７ ダイシング装置 ８ 認識装置 ９ 読み込み装置
Claims (5)
- 【請求項１】 ウエハ上の半導体素子をカットラインか
ら個々に分割するダイシング方法において、 ウエハ作製後の特性検査で良品とされた半導体素子を分
割するのに必要なカットラインのみをダイシングするこ
とを特徴とするウエハ上の半導体素子ダイシング方法。 - 【請求項２】 前記の良品とされた半導体素子の両側の
カットラインのみをダイシングすることを特徴とする請
求項１記載のウエハ上の半導体素子ダイシング方法。 - 【請求項３】 前記の良品とされた半導体素子の周囲の
カットラインのみをダイシングすることを特徴とする請
求項１記載のウエハ上の半導体素子ダイシング方法。 - 【請求項４】 ウエハ上の半導体素子をカットラインか
ら個々に分割するダイシング装置において、 同ダイシング装置にウエハ作製後の特性検査で不良とさ
れた半導体素子に付けられる不良マークを検出して良品
とされた半導体素子の位置を認識する認識装置を設け、
同認識装置で認識された良品とされた半導体素子を分割
するのに必要なカットラインのみをダイシングする機能
を備えたことを特徴とするウエハ上の半導体素子ダイシ
ング装置。 - 【請求項５】 ウエハ上の半導体素子をカットラインか
ら個々に分割するダイシング装置において、 同ダイシング装置にウエハ作製後の特性検査データを読
み込んで良品とされた半導体素子の位置を認識する読み
込み装置を設け、同読み込み装置で認識された良品とさ
れた半導体素子を分割するのに必要なカットラインのみ
をダイシングする機能を備えたことを特徴とするウエハ
上の半導体素子ダイシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP816296A JPH09199450A (ja) | 1996-01-22 | 1996-01-22 | ウエハ上の半導体素子ダイシング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP816296A JPH09199450A (ja) | 1996-01-22 | 1996-01-22 | ウエハ上の半導体素子ダイシング方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199450A true JPH09199450A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=11685644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP816296A Pending JPH09199450A (ja) | 1996-01-22 | 1996-01-22 | ウエハ上の半導体素子ダイシング方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09199450A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999060618A1 (fr) * | 1998-05-19 | 1999-11-25 | T.I.F. Co., Ltd. | Dispositif a semi-conducteurs et procede de fabrication dudit dispositif |
| WO1999060619A1 (fr) * | 1998-05-19 | 1999-11-25 | T.I.F. Co., Ltd. | Dispositif a semi-conducteurs et procede de fabrication dudit dispositif |
| US6479306B1 (en) | 1998-05-19 | 2002-11-12 | Niigata Seimitsu Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2006147720A (ja) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | パネルの切削方法 |
| WO2010095355A1 (ja) * | 2009-02-20 | 2010-08-26 | 昭和電工株式会社 | 半導体ウェーハのダイシング方法 |
-
1996
- 1996-01-22 JP JP816296A patent/JPH09199450A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999060618A1 (fr) * | 1998-05-19 | 1999-11-25 | T.I.F. Co., Ltd. | Dispositif a semi-conducteurs et procede de fabrication dudit dispositif |
| WO1999060619A1 (fr) * | 1998-05-19 | 1999-11-25 | T.I.F. Co., Ltd. | Dispositif a semi-conducteurs et procede de fabrication dudit dispositif |
| US6479306B1 (en) | 1998-05-19 | 2002-11-12 | Niigata Seimitsu Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2006147720A (ja) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | パネルの切削方法 |
| JP4522234B2 (ja) * | 2004-11-17 | 2010-08-11 | 株式会社ディスコ | パネルの切削方法 |
| WO2010095355A1 (ja) * | 2009-02-20 | 2010-08-26 | 昭和電工株式会社 | 半導体ウェーハのダイシング方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8736832B2 (en) | Method of detecting specific defect, and system and program for detecting specific defect | |
| JP2011249571A (ja) | 切削ブレード外形形状検査方法 | |
| KR20060055337A (ko) | 웨이퍼를 검사하는 방법 | |
| JPH09199450A (ja) | ウエハ上の半導体素子ダイシング方法及び装置 | |
| JP2000340746A (ja) | 半導体装置 | |
| TWI713083B (zh) | 晶圓切單製程控制技術 | |
| JP2009074952A (ja) | 外観検査方法 | |
| US6992499B2 (en) | Test method and test apparatus for semiconductor device | |
| US6377866B2 (en) | Device for engraving and inspecting a semiconductor wafer identification mark | |
| JPH03236260A (ja) | 半導体ウェーハのダイシング装置 | |
| JPS6157837A (ja) | 外観検査装置 | |
| JP3170780B2 (ja) | ダイシング工程の品質検査方法及びその装置 | |
| JP2003270168A (ja) | 欠陥検査方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH06104336A (ja) | 半導体ウェーハ及びその検査方法 | |
| JP2647053B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06275686A (ja) | 半導体装置の製造方法及び製造装置 | |
| JP3730106B2 (ja) | 半導体の選別方法 | |
| JPH04162644A (ja) | 半導体ウェーハ及び半導体素子の識別方法 | |
| US20030229457A1 (en) | Method for inspecting wafer defects of a semiconductor device | |
| JPH10233350A (ja) | 半導体チップおよびそれを用いた半導体装置の製造システム | |
| KR20010018786A (ko) | 반도체 웨이퍼의 취약부 검사방법 | |
| JPS6222448A (ja) | Ｉｃの形成されたウエ−ハ | |
| KR19990000215A (ko) | 포스트 마스크의 검사패턴 | |
| JPS63178373A (ja) | 基板のカツト状態検査方法 | |
| JP3414821B2 (ja) | 半導体製品のボンディング検査方法およびその装置 |