JPH06104335A - 半導体ウェーハ - Google Patents
半導体ウェーハInfo
- Publication number
- JPH06104335A JPH06104335A JP27550992A JP27550992A JPH06104335A JP H06104335 A JPH06104335 A JP H06104335A JP 27550992 A JP27550992 A JP 27550992A JP 27550992 A JP27550992 A JP 27550992A JP H06104335 A JPH06104335 A JP H06104335A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dicing
- mark
- semiconductor wafer
- width
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 確実なダイシング位置の把握及び確実なダイ
シング後の目視検査を可能にする。 【構成】 ウェーハのダイシング可能領域２に予めセン
ターマーク１を入れる。センターマーク１の幅の一部
を、ダイシングの許容幅とほぼ同じにする。センターマ
ーク１を基準にしてウェーハをダイシングし、チップと
なる部位３に分割する。 【効果】 ダイシング位置設定時のティーチング誤差が
無くなる。ダイシング後のセンターマークの残り具合を
調べることにより、ダイシング後の目視検査が容易にで
きるようになる。
シング後の目視検査を可能にする。 【構成】 ウェーハのダイシング可能領域２に予めセン
ターマーク１を入れる。センターマーク１の幅の一部
を、ダイシングの許容幅とほぼ同じにする。センターマ
ーク１を基準にしてウェーハをダイシングし、チップと
なる部位３に分割する。 【効果】 ダイシング位置設定時のティーチング誤差が
無くなる。ダイシング後のセンターマークの残り具合を
調べることにより、ダイシング後の目視検査が容易にで
きるようになる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハに関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体ウェーハのダイシングエリ
アには、ダイシング時にそのセンターを示す目標物やダ
イシング後の目視検査時のダイシング可能なエリアを示
す目標物は配置されていなかった。
アには、ダイシング時にそのセンターを示す目標物やダ
イシング後の目視検査時のダイシング可能なエリアを示
す目標物は配置されていなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来は、次のような問
題があった。 ダイシング位置の設定は、ウェーハに具体的目標物が
無いため、作業者の感覚のみに依っており、ダイシング
位置設定に起因した位置ズレ不良を発生し、歩留りの低
下をきたしていた。 ダイシング後の目視検査においても、ダイシング可能
領域の目標が無いため、作業者が概略的な検査を行うの
みであり、ダイシング不良が後工程へ流出していた。
題があった。 ダイシング位置の設定は、ウェーハに具体的目標物が
無いため、作業者の感覚のみに依っており、ダイシング
位置設定に起因した位置ズレ不良を発生し、歩留りの低
下をきたしていた。 ダイシング後の目視検査においても、ダイシング可能
領域の目標が無いため、作業者が概略的な検査を行うの
みであり、ダイシング不良が後工程へ流出していた。
【０００４】そこで、この発明は、確実なダイシング位
置の把握及び確実なダイシング後の目視検査を行うこと
ができる半導体ウェーハを提供することを目的とする。
置の把握及び確実なダイシング後の目視検査を行うこと
ができる半導体ウェーハを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の半導体ウェーハは、ダイシング領域の中心
線上にダイシングされる幅とほぼ同一幅のパターンを設
けたものである。
に、本発明の半導体ウェーハは、ダイシング領域の中心
線上にダイシングされる幅とほぼ同一幅のパターンを設
けたものである。
【０００６】
【作用】上記のようなパターンをダイシング位置に設け
ることにより、ダイシング位置設定時では、作業者が
そのセンター位置を容易に知ることができ、結果とし
て、位置ズレ不良による歩留りダウンを防ぐことがで
き、ダイシング後の目視検査においては、良否判定が
明確となるため、次工程への不良チップの流出が防ぎ易
くなる。
ることにより、ダイシング位置設定時では、作業者が
そのセンター位置を容易に知ることができ、結果とし
て、位置ズレ不良による歩留りダウンを防ぐことがで
き、ダイシング後の目視検査においては、良否判定が
明確となるため、次工程への不良チップの流出が防ぎ易
くなる。
【０００７】
【実施例】図１は、本発明の一実施例で、半導体ウェー
ハの表面の拡大図であり、１はＡｌ（アルミニウム）に
よって構成されるパターンであるセンターマーク（複数
個）、２はダイシング可能領域、３はダイシング後にチ
ップとなる部位である。センターマーク１の細線部は、
ダイシング後の微細Ａｌ線残りを防ぐため、実際に用い
るブレードの９０％程度の幅で、ダイシング位置を示
す。
ハの表面の拡大図であり、１はＡｌ（アルミニウム）に
よって構成されるパターンであるセンターマーク（複数
個）、２はダイシング可能領域、３はダイシング後にチ
ップとなる部位である。センターマーク１の細線部は、
ダイシング後の微細Ａｌ線残りを防ぐため、実際に用い
るブレードの９０％程度の幅で、ダイシング位置を示
す。
【０００８】一方、図２は、ダイシング装置のモニター
を用いてダイシング位置を設定する様子を示すが、モニ
ター上の２本の線４ａ、４ｂによって挟まれる領域がダ
イシング位置であり、センターマーク１の細い線の両端
と実際のダイシング位置４ａ、４ｂとを均等に合せるこ
とにより、容易に正しいダイシング位置設定が可能とな
る。
を用いてダイシング位置を設定する様子を示すが、モニ
ター上の２本の線４ａ、４ｂによって挟まれる領域がダ
イシング位置であり、センターマーク１の細い線の両端
と実際のダイシング位置４ａ、４ｂとを均等に合せるこ
とにより、容易に正しいダイシング位置設定が可能とな
る。
【０００９】図３は、ダイシング後のセンターマーク１
の残り具合を示す説明図であり、センターマーク１の太
線部は、ダイシング可能領域２よりも僅かに太い幅で、
ダイシングの良否判定の基準を示す。つまり、図３
（ａ）は、センターマーク１の太線部の両端がダイシン
グ後も残っており良品と判定でき、位置ズレ不良やチッ
ピング不良は図３（ｂ）や（ｃ）等のように、センター
マーク１の太線部の一部が欠損していることで不良との
判定が容易にできる。
の残り具合を示す説明図であり、センターマーク１の太
線部は、ダイシング可能領域２よりも僅かに太い幅で、
ダイシングの良否判定の基準を示す。つまり、図３
（ａ）は、センターマーク１の太線部の両端がダイシン
グ後も残っており良品と判定でき、位置ズレ不良やチッ
ピング不良は図３（ｂ）や（ｃ）等のように、センター
マーク１の太線部の一部が欠損していることで不良との
判定が容易にできる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ダ
イシング位置ズレ不良を防止し、ダイシング歩留りを向
上でき、ダイシング後の目視検査も確実に行うことがで
き、次工程へのダイシング不良の流出も防ぎ易くなる。
イシング位置ズレ不良を防止し、ダイシング歩留りを向
上でき、ダイシング後の目視検査も確実に行うことがで
き、次工程へのダイシング不良の流出も防ぎ易くなる。
【図１】本発明の一実施例におけるセンターマークを説
明する半導体ウェーハの表面の拡大図である。
明する半導体ウェーハの表面の拡大図である。
【図２】実施例におけるダイシング装置のモニター上で
のダイシング位置合せの説明図である。
のダイシング位置合せの説明図である。
【図３】実施例におけるダイシング後のセンターマーク
の説明図であり、（ａ）は正常なダイシング時、（ｂ）
及び（ｃ）は不良なダイシング時を示す。
の説明図であり、（ａ）は正常なダイシング時、（ｂ）
及び（ｃ）は不良なダイシング時を示す。
１ センターマーク ２ ダイシング可能領域 ３ チップとなる部位 ４ａ、４ｂ ダイシング位置の表示線 ５ 実際のダイシング跡
Claims (1)
- 【請求項１】 ダイシング領域の中心線上にダイシング
される幅とほぼ同一幅のパターンを設けたことを特徴と
する半導体ウェーハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27550992A JPH06104335A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 半導体ウェーハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27550992A JPH06104335A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 半導体ウェーハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104335A true JPH06104335A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17556475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27550992A Withdrawn JPH06104335A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 半導体ウェーハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06104335A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9754876B2 (en) | 2015-10-22 | 2017-09-05 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
| CN110587835A (zh) * | 2019-09-24 | 2019-12-20 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种光栅硅片的切割方法 |
| WO2023082411A1 (zh) * | 2021-11-15 | 2023-05-19 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种光罩及其制作方法以及曝光方法 |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP27550992A patent/JPH06104335A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9754876B2 (en) | 2015-10-22 | 2017-09-05 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
| CN110587835A (zh) * | 2019-09-24 | 2019-12-20 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种光栅硅片的切割方法 |
| WO2023082411A1 (zh) * | 2021-11-15 | 2023-05-19 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种光罩及其制作方法以及曝光方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |