JPS6156616B2 - - Google Patents
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- JPS6156616B2 JPS6156616B2 JP395382A JP395382A JPS6156616B2 JP S6156616 B2 JPS6156616 B2 JP S6156616B2 JP 395382 A JP395382 A JP 395382A JP 395382 A JP395382 A JP 395382A JP S6156616 B2 JPS6156616 B2 JP S6156616B2
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- probe
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 31
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07314—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being perpendicular to test object, e.g. bed of nails or probe with bump contacts on a rigid support
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体素子を多数形成済のウエー
ハへ検針を当接させて、素子の特性チエツクを行
うプローバ用検針のチエツク方法に関するもので
ある。
ハへ検針を当接させて、素子の特性チエツクを行
うプローバ用検針のチエツク方法に関するもので
ある。
半導体装置の製造においては、一枚のウエーハ
に数十〜数千個もの多数の素子を形成するのが一
般的であり、素子形成後、ウエーハをプローブヘ
ツドへ送り、ヘツドに半固定状に装着した検針
を、測定対象素子を仮にトランジスタとすれば、
エミツタ及びベース電極へ適合するようにプロー
ブヘツドと検針の固定位置を調整して、素子間隔
のピツチ送りをさせる毎に、検針を当接させて、
素子の特性チエツクを行つていた。この場合に、
特性チエツク回数が増すに従つて、検針のウエー
ハ接触先端の摩耗や固定位置座標からのずれが顕
著となり、固定位置調整が困難となる。そこで、
従来より行われてきた特性チエツク作業では、例
えば数十枚のウエーハをチエツク後、作業者が検
針の摩耗やずれを定期的に監視し、作業続行の可
否を判断して、検針の取換えや固定位置の改訂を
行つていた。したがつて上記従来のウエーハ特性
チエツクにおいては、省人化、作業工数低減に関
して改善すべき余地があつた。
に数十〜数千個もの多数の素子を形成するのが一
般的であり、素子形成後、ウエーハをプローブヘ
ツドへ送り、ヘツドに半固定状に装着した検針
を、測定対象素子を仮にトランジスタとすれば、
エミツタ及びベース電極へ適合するようにプロー
ブヘツドと検針の固定位置を調整して、素子間隔
のピツチ送りをさせる毎に、検針を当接させて、
素子の特性チエツクを行つていた。この場合に、
特性チエツク回数が増すに従つて、検針のウエー
ハ接触先端の摩耗や固定位置座標からのずれが顕
著となり、固定位置調整が困難となる。そこで、
従来より行われてきた特性チエツク作業では、例
えば数十枚のウエーハをチエツク後、作業者が検
針の摩耗やずれを定期的に監視し、作業続行の可
否を判断して、検針の取換えや固定位置の改訂を
行つていた。したがつて上記従来のウエーハ特性
チエツクにおいては、省人化、作業工数低減に関
して改善すべき余地があつた。
この発明は、上記従来の問題解決を図る目的で
提唱するもので、各々のウエーハを特性チエツク
を行わせるステージ上へ逐次移送するにあたつ
て、所定枚数のウエーハ毎に、検針の良否判別用
のモデル被検体を移送させることにより、予め記
憶した正常な検針の状態画像パターンと、被検体
へ検針を当接させて得た傷パターンとを照合して
検針の状態の良否判定を行うもので省人化や作業
工数抵減はもとより、ウエーハプローバ用検針の
状態チエツク作業の自動化を促進することができ
る特徴を有している。以下に、この発明の実施例
を説明する。
提唱するもので、各々のウエーハを特性チエツク
を行わせるステージ上へ逐次移送するにあたつ
て、所定枚数のウエーハ毎に、検針の良否判別用
のモデル被検体を移送させることにより、予め記
憶した正常な検針の状態画像パターンと、被検体
へ検針を当接させて得た傷パターンとを照合して
検針の状態の良否判定を行うもので省人化や作業
工数抵減はもとより、ウエーハプローバ用検針の
状態チエツク作業の自動化を促進することができ
る特徴を有している。以下に、この発明の実施例
を説明する。
第1図乃至第3図は、この発明の実施例を示す
ための設備であるウエーハプローバの平面図、要
部側面図及びモデル被検体の平面図である。まず
第1図は、ウエーハプローバの概略構造を示す平
面図で、半導体素子例えばトランジスタやサイリ
スタ或いはIC等を各々形成済みのウエーハ1,
1,…を積載したマガジンラツク2を搭載したマ
ガジンロード部3、ウエーハを搬送する搬送ベル
ト4,5,6,7を設けたウエーハ搬入・搬出部
8と、マガジンアンロード部9、そしてウエーハ
1を真空吸着・固定するステージ10を、X,Y
方向に各素子区分寸法ピツチで移動させるX,Y
テーブル11,12、及びステージ10を昇降移
動させて、第2図のように一部断面視した側面図
で示す通り、ウエーハ1上の各々の素子電極へ当
接する検針13,13,…を有するリング状プロ
ーブカード14へ接近・離隔させるエレベータ1
5を設けたウエーハチエツク部16とからなつて
いる。第3図は、ウエーハ1,1,…を所要枚数
搬送する毎に検針13,13,…の当接先端部の
摩耗具合、当初設定位置からのずれを検知するた
めのAlデイスク状モデル被検体17の平面図
で、プローブカード14の中心と、被検体の中心
とを目合せ可能とするために、直交する直径線分
18,19、同心円20a,20b,20c,…
を刻設してある。
ための設備であるウエーハプローバの平面図、要
部側面図及びモデル被検体の平面図である。まず
第1図は、ウエーハプローバの概略構造を示す平
面図で、半導体素子例えばトランジスタやサイリ
スタ或いはIC等を各々形成済みのウエーハ1,
1,…を積載したマガジンラツク2を搭載したマ
ガジンロード部3、ウエーハを搬送する搬送ベル
ト4,5,6,7を設けたウエーハ搬入・搬出部
8と、マガジンアンロード部9、そしてウエーハ
1を真空吸着・固定するステージ10を、X,Y
方向に各素子区分寸法ピツチで移動させるX,Y
テーブル11,12、及びステージ10を昇降移
動させて、第2図のように一部断面視した側面図
で示す通り、ウエーハ1上の各々の素子電極へ当
接する検針13,13,…を有するリング状プロ
ーブカード14へ接近・離隔させるエレベータ1
5を設けたウエーハチエツク部16とからなつて
いる。第3図は、ウエーハ1,1,…を所要枚数
搬送する毎に検針13,13,…の当接先端部の
摩耗具合、当初設定位置からのずれを検知するた
めのAlデイスク状モデル被検体17の平面図
で、プローブカード14の中心と、被検体の中心
とを目合せ可能とするために、直交する直径線分
18,19、同心円20a,20b,20c,…
を刻設してある。
さて、以上説明したウエーハプローバを用い
て、この発明を説明すると次の通りである。ま
ず、マガジンロード部3よりウエーハ1を切り出
し、搬送ベルト4,5によつて、ウエーハチエツ
ク部16へ送り込み、個々の素子毎に検針13,
13,…を当接させて、所望特性が得られるか否
かをチエツクし、チエツク後搬送ベルト7,6を
介してマガジンアンロード部9へ搬出させる。こ
の動作をウエーハ所定枚数繰り返したところで、
被検体17をウエーハチエツク部16へ送り、ウ
エーハ1,1,…と同様に検針13,13,…を
当接させて、被検体17表面上に傷21,21,
…を付ける。この際傷21,21,…の作り方
は、ウエーハ1と同様にステージ10上に被検体
17を真空吸引チヤツクし、単にプローブカード
14へ接近させ押圧するだけでよい。その後は、
被検体17の表面を、TVカメラで撮影し、従来
より公知のパターン認識技術を利用して、予め摩
耗がなく位置ずれを生じていない検針13,1
3,…の正常な画像パターンを記憶しているマイ
クロコンピユータ等へ入力して記憶している正常
なパターンと被検体のパターンとを照合の結果、
検針13,13,…の状態が不良と判定されれ
ば、新規のプローブカードに取付変更を行わせる
のである。すなわち、このプローバにおいては、
被検体17表面上の傷をパターン認識することに
よつて、検針13,13,…の摩耗や位置ずれを
判定するので、次のような優れた長所を発揮す
る。つまり、被検体17は、所要枚数のウエーハ
を処理する毎に、その状態を記憶し、マイクロコ
ンピユータ内の標準画像パターンと照合するの
で、照合の都度標準画像パターンとの不一致度合
をも記憶することになり、その結果、検針状態の
検知作業知能化が図れるのである。換言すれば、
検知作業回数が増す程検知精度が高くなるのであ
る。
て、この発明を説明すると次の通りである。ま
ず、マガジンロード部3よりウエーハ1を切り出
し、搬送ベルト4,5によつて、ウエーハチエツ
ク部16へ送り込み、個々の素子毎に検針13,
13,…を当接させて、所望特性が得られるか否
かをチエツクし、チエツク後搬送ベルト7,6を
介してマガジンアンロード部9へ搬出させる。こ
の動作をウエーハ所定枚数繰り返したところで、
被検体17をウエーハチエツク部16へ送り、ウ
エーハ1,1,…と同様に検針13,13,…を
当接させて、被検体17表面上に傷21,21,
…を付ける。この際傷21,21,…の作り方
は、ウエーハ1と同様にステージ10上に被検体
17を真空吸引チヤツクし、単にプローブカード
14へ接近させ押圧するだけでよい。その後は、
被検体17の表面を、TVカメラで撮影し、従来
より公知のパターン認識技術を利用して、予め摩
耗がなく位置ずれを生じていない検針13,1
3,…の正常な画像パターンを記憶しているマイ
クロコンピユータ等へ入力して記憶している正常
なパターンと被検体のパターンとを照合の結果、
検針13,13,…の状態が不良と判定されれ
ば、新規のプローブカードに取付変更を行わせる
のである。すなわち、このプローバにおいては、
被検体17表面上の傷をパターン認識することに
よつて、検針13,13,…の摩耗や位置ずれを
判定するので、次のような優れた長所を発揮す
る。つまり、被検体17は、所要枚数のウエーハ
を処理する毎に、その状態を記憶し、マイクロコ
ンピユータ内の標準画像パターンと照合するの
で、照合の都度標準画像パターンとの不一致度合
をも記憶することになり、その結果、検針状態の
検知作業知能化が図れるのである。換言すれば、
検知作業回数が増す程検知精度が高くなるのであ
る。
尚上記実施例は、モデル被検体を、Alデイス
ク状の物とした場合であつたが、この発明では、
その他に石英デイスクとしたり、Si単結晶インゴ
ツトをスライスした、いわゆる未加工ウエーハを
用いたりしてもよく、全く同様な作用効果が期待
できる。
ク状の物とした場合であつたが、この発明では、
その他に石英デイスクとしたり、Si単結晶インゴ
ツトをスライスした、いわゆる未加工ウエーハを
用いたりしてもよく、全く同様な作用効果が期待
できる。
この発明によれば、従来作業者が行つていた検
針の取換えや固定位置改訂を、マイクロコンピユ
ータを用いたパターン認識システムを導入して、
自動化することができ、省人化、作業工数低減が
達成でき、さらに作業学習を経て、作業の知能化
をも図れウエーハ検査精度向上に貢献できる優れ
た特徴がある。
針の取換えや固定位置改訂を、マイクロコンピユ
ータを用いたパターン認識システムを導入して、
自動化することができ、省人化、作業工数低減が
達成でき、さらに作業学習を経て、作業の知能化
をも図れウエーハ検査精度向上に貢献できる優れ
た特徴がある。
第1図は、この発明の実施例を示すためウエー
ハプローバの平面図、第2図は、その要部側面
図、第3図は、モデル被検体の平面図である。 1……ウエーハ、10……ステージ、13……
検針、17……モデル被検体。
ハプローバの平面図、第2図は、その要部側面
図、第3図は、モデル被検体の平面図である。 1……ウエーハ、10……ステージ、13……
検針、17……モデル被検体。
Claims (1)
- 1 半導体素子形成済の各々のウエーハをステー
ジ上へ逐次移送して載置し、検針を夫々の素子へ
当接して特性チエツクを行う方法において、所定
枚数のウエーハ毎に、検針の良否判別用のモデル
被検体を移送させることにより、予め記憶した正
常な検針の状態画像パターンと、被検体へ検針を
当接させて得た傷パターンとを照合して検針の状
態の良否判定を行うことを特徴とするウエーハプ
ローバ用検針のチエツク方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP395382A JPS58121638A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | ウエ−ハプロ−バ用検針のチエツク方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP395382A JPS58121638A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | ウエ−ハプロ−バ用検針のチエツク方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58121638A JPS58121638A (ja) | 1983-07-20 |
JPS6156616B2 true JPS6156616B2 (ja) | 1986-12-03 |
Family
ID=11571464
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP395382A Granted JPS58121638A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | ウエ−ハプロ−バ用検針のチエツク方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58121638A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6024030A (ja) * | 1983-07-19 | 1985-02-06 | Telmec Co Ltd | 半導体ウエハ測定方法 |
JPS6279640A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-13 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | ウエハプロ−バ装置 |
JPS63265441A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | Tokyo Electron Ltd | 測定装置 |
JPH0828408B2 (ja) * | 1990-12-15 | 1996-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体ウエハ測定方法 |
-
1982
- 1982-01-12 JP JP395382A patent/JPS58121638A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58121638A (ja) | 1983-07-20 |
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