JPH05326695A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH05326695A
JPH05326695A JP15582192A JP15582192A JPH05326695A JP H05326695 A JPH05326695 A JP H05326695A JP 15582192 A JP15582192 A JP 15582192A JP 15582192 A JP15582192 A JP 15582192A JP H05326695 A JPH05326695 A JP H05326695A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
chamfering
resin
periphery
topside
Prior art date
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Pending
Application number
JP15582192A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasushi Nakajima
恭史 中島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 樹脂クラックの発生を防止し、信頼性の高い
半導体装置を得る。 【構成】 ＩＣチップ１を樹脂３で封止するものにおい
て、上記ＩＣチップの上面周囲をＣ面取り加工又はＲ面
取り加工を施すことで、樹脂クラックの発生を防止し、
ひいてはワイヤの断線を防ぐ。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、樹脂封止形半導体装
置において、ＩＣチップ上面周囲より発生するパッケー
ジクラックの防止対策に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のダイシング工程におけるウ
エハ断面図である。図において、１はウエハ上のＩＣチ
ップ、２はダイサの刃で、その刃先は平板状であり、従
ってＩＣチップのカット部の上面周囲はＩＣで示す様に
直角になっている。
【０００３】次に動作について説明する。図３におい
て、ダイサの刃４は平板形状をしており、ダイシングラ
インに沿って回転しながらウエハをカットして行く。よ
ってウエハ上のＩＣチップ１の上面周囲は１ｃに示す様
に直角になる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のウエハダイシン
グ装置を使用してカットした場合、ウエハ上のＩＣチッ
プ上面周囲に接触している樹脂に熱及び外力による応力
が集中しやすくなり、その為、図４に示す様に、チップ
上面周囲から樹脂３にクラック３ａが入り、ワイヤ４を
切断するおそれがあるという問題があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ＩＣチップ上面周囲に接触して
いる樹脂に発生する応力を分散することで、樹脂クラッ
クの発生を防止し、信頼性の高い半導体装置を得ること
を目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、ＩＣチップ上面周囲にＣまたはＲ面取り加工を施
したものである。
【０００７】
【作用】この発明における半導体装置は、ＩＣチップ上
面周囲にＣまたはＲ面取り加工をすることにより、ＩＣ
チップ上面周囲に接触している樹脂に発生する集中応力
を分散する。
【０００８】
【実施例】
実施例１．以下この発明の一実施例を図について説明す
る。図１において、１はウエハ上のＩＣチップ、５はダ
イサの刃で、その刃先はダイシング加工及びＩＣチップ
上面周囲のＣ面取り加工を同時にできる形状になってお
り、ＩＣチップ上面周囲は１ａに示すように、Ｃ面取り
されている。
【０００９】次にその動作を説明する。図１において、
ダイサの刃５の刃先は、ダイシング加工及びＩＣチップ
上面周囲のＣ面取り加工を同時にできる形状になってお
り、ダイシングラインに沿って回転しながらウエハをカ
ットしていく。よってウエハ上のＩＣチップ１の上面周
囲は１ａに示す様にＣ面取り加工がされる。
【００１０】実施例２．なお上記実施例では、ダイサの
刃先はＩＣチップ上面周囲にＣ面取りができる形状とし
たが、図２に示す様に、ＩＣチップ上面周囲にＲ面取り
ができる形状のダイサの刃６を用いてもよく、これによ
り１ｂのようにカット部上面角部がＲ面に加工される。
【００１１】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、ＩＣチ
ップ上面周囲をＣまたはＲ面取り加工することにより、
樹脂クラックの発生を防ぎ、ワイヤ切断の防止ができ、
信頼性の高い半導体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例によるウエハとダイサの刃
の断面図である。
【図２】この発明の他の実施例によるウエハとダイサの
刃の断面図である。
【図３】従来のウエハとダイサの刃の断面図である。
【図４】従来の樹脂封止形半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
１ａ Ｃ面取り加工部 １ｂ Ｒ面取り加工部 ３ 封止樹脂 ４ ワイヤ ５，６ ダイサの刃

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＩＣチップを樹脂で封止した半導体装置
    において、上記ＩＣチップ上面周囲にＣまたはＲ面取り
    加工を施したことを特徴とする半導体装置。
JP15582192A 1992-05-22 1992-05-22 半導体装置 Pending JPH05326695A (ja)

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