JPS60124834A - 半導体装置の検査方法 - Google Patents

半導体装置の検査方法

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JPS60124834A
JPS60124834A JP23230583A JP23230583A JPS60124834A JP S60124834 A JPS60124834 A JP S60124834A JP 23230583 A JP23230583 A JP 23230583A JP 23230583 A JP23230583 A JP 23230583A JP S60124834 A JPS60124834 A JP S60124834A
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JP
Japan
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defective
semiconductor device
appearance
inspection
lead frame
Prior art date
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Pending
Application number
JP23230583A
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English (en)
Inventor
Motofumi Kudo
工藤 元文
Teruo Muroya
室屋 照男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は、半導体装置の外観不良を除去するための方法
に関するものである。
口、従来技術 従来、この種の除去方法は、作業者の目視等による外観
検査の後、不良となった半導体装置に目印等を施し除去
している。例えば、第1図の平面図に示すように、リー
ドフレームlの状態で樹脂封止されたデュアルインライ
ンパッケージ(DIP)の半導体装置において、外観検
査を実施する。この場合、図示されている半導体装置2
a、2b、2cのうち、外観不良品となった半導体装置
2bの杜脂表面に次工程でのガイドと欧る目印3を施す
。次工程では、リード切断・曲げ工程の後、不良品2ト
を全数の中から除去しなければならない。この際、人間
による作業では潜在的に作業者が見落すことによる不良
混入の可能性があり、また、自動識別機による作業では
高額な設備投資を要すると共に、将来、この工程を省略
することができないという欠点があった。
ハ0発明の目的 本発明は、予じめ外観不良品に目印をつけ、後工程で目
印の付いた不良品を除去することにおいて、選別洩れに
よる不良品の混入がないようにされた半導体装置の検査
方法を提供することを目的とするものである。
ニ1発明の構成 本発明の検査方法は、目視により半導体装置の外観検査
を行い、不良となった半導体装置の半導体チップ部また
はボンディングワイヤ部あるいはリードフレーム部を破
壊し、後工程で電気的特性不良として除去することを含
むものである。
ホ0発明の効果 本発明によれば、外装不良検査に続く次工程で実施する
w1気特性検査において、自動選別機によシ、電気特性
不良の半導体装置と同時に、人為的に電気特性不良とし
た外観不良品を除去するので、格別の外観不良除去の工
程を追加する必要はなくなり、また、従来の人手による
ような検介洩れなどがなく、信頼性の高い検査が経済性
よ〈実施できる。
へ、実施例 つぎに本発明を実施例によシ説明する。
第2図は、本発明の一実施例に係るリードフレーム状態
の半導体装置の平面図である。第2図において、リード
フレーム1に載置されたままの樹脂封止された1)IP
型半導体装置2a。
2b、2Cに対し、外観、検査を実施する。との際、外
観不良品となった半導体装置2bの半導体チップ部及び
ボンティング・パッド部に穴4を開けて破壊し、次工程
の電気的特性検査によシ、外観検査不良品で電気的特性
不良の半導体装置と同時に外観不良の半導体装置2bを
他の工程追加なしに、1つ検査洩れなしに除去すること
ができる。
上側では、外観不良の目印として半導体チップ部を破壊
しているが、破壊場所は、ボンディングワイヤ部または
、リードフレーム部であっても同様の目的を達すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の半導体装置外観不良の検査方法を説明す
るためのリードフレーム状態の半導体装置の平面図、第
2図は本発明による半導体装置外観不良の検査方法の一
実施例を説明するためのリードフレーム状態の半導体装
置の平面図である。 1・・・・・・リードフレーム、2al 2b、2C・
・・・・・半導体装置、3・・・・・・外観不良の従来
の目印、4・・・・・・半導体チップ部を破壊した穴。 5− h I の 馬?国

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体装置外観検査工程において、不良とがった半導体
    装置の半導体チップ部またはボンディング・ワイヤ部あ
    るいはリード・フレーム部を破懐し電気的特性不良とし
    て不良除去することを特徴とする半導体装置の検査方法
JP23230583A 1983-12-09 1983-12-09 半導体装置の検査方法 Pending JPS60124834A (ja)

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