JPH02192143A - 半導体ウェハおよびそれに用いるダイシング方法 - Google Patents

半導体ウェハおよびそれに用いるダイシング方法

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JPH02192143A
JPH02192143A JP1009741A JP974189A JPH02192143A JP H02192143 A JPH02192143 A JP H02192143A JP 1009741 A JP1009741 A JP 1009741A JP 974189 A JP974189 A JP 974189A JP H02192143 A JPH02192143 A JP H02192143A
Authority
JP
Japan
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dicing
semiconductor wafer
different
pitches
marks
Prior art date
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Pending
Application number
JP1009741A
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English (en)
Inventor
Yoshiaki Hanabusa
英 善明
Yasuyuki Uchiumi
内海 康行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPH02192143A publication Critical patent/JPH02192143A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体ウェハの技術に関し、特に、ペレット
サイズの異なるペレットにダイシングされる半導体ウェ
ハのダイシング技術などに適用して有効な技術に関する
[従来の技術] 半導体ウェハのダイシング技術としては、たとえば、特
開昭54−111757号公報に記載されている。
その概要としては、半導体装置の製造において、半導体
ウェハを高速回転させたグイソングブレードにより切断
する際に、グイソングブレードに対する半導体ウェハの
ダイシングエリアの位置が許容範囲内にあるか否かを検
出し、その許容範囲外にあるものはその位置ずれを修正
してダイシングを行う自動ダイシング技術が記載されて
いる。
[発明が解決しようとする課題] ところで、たとえば、ペレットサイズの異なる複数のペ
レットが形成される半導体ウェハの場合には、複数のダ
イシングピッチの異なるグイソング作業が必要とされる
が、このようなグイソング作業において、従来は、目視
によってスクライブライン上にダイシング基準点を仮想
してダイシング作業をしている。
しかしながら、このような目視によるダイシング基準点
の仮想では、ダイシング作業性に劣り、誤りが生じ易く
、ダイシングピッチずれなどにより、ペレット不良が発
生するという問題点がある。
本発明の目的は、ダイシング作業性やダイシング精度の
向上を図ることができ、ダイシングピッチずれなどに起
因するダイシング不良を防止してペレットの歩留の向上
を図ることができる半導体ウェハを提供することにある
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
[課題を解決するための手段] 本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
すなわち、ダイシング用の基準マークが付されている半
導体ウェハおよびそれに用いるグイシング方法である。
[作用] 前記した手段によれば、ダイシング用の基準マークによ
り、たとえばダイシングピッチの異なる半導体ウェハの
ダイシング作業などにおいて、異なるダイシングピッチ
の設定やダイシンダスタート点の確認を容易、かつ正確
に行うことができるので、ダイシング作業の作業性やダ
イシング精度の向上を図ることができ、ダイシングピッ
チずれなどに起因するダイシング不良を防止してペレッ
トの歩留の向上を図ることができる。
[実施例] 第1図は本発明の一実施例である半導体ウェハの部分的
平面図、第2図は第1図に示す半導体ウェハの基準マー
クの拡大図である。
本実施例の半導体ウェハ1は、ペレットサイズの異なる
複数のペレット2a、2b、2c、2dに夫々グイシン
グされるた必、ダイシングピッチが異なるものとされて
いる。
半導体ウェハ1の回路形成領域側のスクライブライン上
には、ダイシング用の基準マーク3が複数配置されて付
されている。
基準マーク3は、たとえばアルミニウムパターンなどに
よって形成されている。
また、基準マーク3は、第2図において拡大して示すよ
うに、一方向およびこの一方向と直交する方向、すなわ
ちX方向およびY方向を示すように、たとえば十字状に
形成されている。
このように構成された半導体ウェハ1をペレソ1−2a
、2b、2c、2dに分離するには、たとえばダイシン
グブレード(図示せず)を用いて分離するが、この場合
に、本実施例の半導体ウェハ1は、スクライブライン上
にダイシング用の基準マーク3が複数配置されて付され
ているので、このダイシング用の基準マーク3を基準と
して目視(こより、あるいは自動δ忍識で確ε忍してダ
イシング作業を行う。
たとえば、X方向のダイシングピッチX+、X、Y方向
のダイシングピッチY+ 、 Y2 でダイシング作業
を行う。
このように、本実施例によれば、ダイシング用の基準マ
ーク3を基準として目視により、あるいは自動認識で確
認してダイシング作業を行うことができるので、たとえ
ば異なるダイシングピッチの設定やダイシンダスタート
点の確δ忍などを容易、かつ正確に行うことができる。
この結果、ダイシング作業の作業性やダイシング精度の
向上を図ることができ、ダイシングピンチずれなどに起
因するダイシング不良を防止してペレットの歩留の向上
を図ることができる。
特に、ダイシング用の基準マーク3を自動認識してダイ
シング作業が行われるようにすれば、ダイシング作業の
自動化やダインングの高精度化を効果的に図ることがで
きる。
また、本実施例においては、ダイシング用の基準マーク
3がX方向およびY方向を夫々示すように形成されてい
るため、更に確実に、ダイシングの作業性の向上とダイ
シング不良を防止してペレットの歩留りの向上を図るこ
とができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
たとえば、本実施例における半導体ウェハ1は、ペレッ
トサイズが異なる複数のペレット2a、2b、2c、2
dにダイシングされるものとされているが、本発明にお
いてはペレットサイズが同一の複数のペレットにダイシ
ングされるものでも良い。
また、本実施例における半導体ウェハ1は、ダイシング
用の基準マーク3が複数形成されているが、本発明にお
ける半導体ウェハ1のダイシング用の基準マーク3は単
数でも良い。
また、本実施例におけるダイシング用の基準マーク3は
、十字状とされているが、本発明においては、そのよう
な十字状の基準マーク3に限定されるものではない。
更に、本実施例におけるダイシング用の基準マーク3は
、アルミニウムパターンなどによって形成されているが
、そのようなアルミニウムパターンなどの基準マーク3
に限定されるものではない。
[発明の効果] 本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、次のとおりであ
る。
すなわち、ダイシング用の基準マークが付されているこ
とにより、ダイシングピッチの設定やダイシンダスター
ト点の確認を容易、かつ正確に行うことができるので、
ダイシング作業の作業性やダイシング精度の向上を図る
ことができ、ピッチングずれなどに起因するダイシング
作業を確実に防止してペレットの歩留の向上を図ること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例である半導体ウェハを示す部
分的平面図、 第2図は第1図に示す半導体ウェハの基準マークを示す
拡大図である。 1・・・半導体つzハ 2a、  2b、2C,2d・
・・ペレット、3・・・基準マーク、XX2 、 Y+
  、 Y2  ・・・ダイシングピッチ。 代理人 弁理士 小 川 勝 男 1:半導体ウーハ 6:基準マーク

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ダイシング用の基準マークが付されていることを特
    徴とする半導体ウェハ。 2、少なくとも一方向のダイシングピッチが異なること
    を特徴とする請求項1記載の半導体ウェハ。 3、前記基準マークが一方向およびこの一方向に直交す
    る方向を夫々示していることを特徴とする請求項1、ま
    たは2記載の半導体ウェハ。 4、請求項1、2、または3記載の半導体ウェハのダイ
    シング方法であって、前記基準マークを基準としてダイ
    シングすることを特徴とするダイシング方法。
JP1009741A 1989-01-20 1989-01-20 半導体ウェハおよびそれに用いるダイシング方法 Pending JPH02192143A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5593815A (en) * 1989-07-31 1997-01-14 Goldstar Co., Ltd. Cleaving process in manufacturing a semiconductor laser
JP2005175927A (ja) * 2003-12-11 2005-06-30 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波素子の製造方法
JP2012038877A (ja) * 2010-08-06 2012-02-23 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体ウェーハ及び半導体装置の製造方法

Cited By (3)

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