JPH09191164A - 微細厚膜接続基板とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高密度かつ高信頼性なＬＳＩ・液晶の接続基
板を提供する。 【解決手段】 表面に金属拡散層が形成された導体パタ
ーンが絶縁基板に埋め込まれており、導体パターンは拡
散防止金属を介してのみ絶縁基板面に露出している微細
厚膜接続基板である。 【効果】 パターンギャップを狭くする拡散防止金属を
予めパターン形成レジストの開口幅内に形成しているの
でマイグレーションを防止しつつ、厚膜で高密度な接続
基板が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は配線密度の高い、液
晶やＬＳＩの実装基板・接続部品とその製造方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に液晶の駆動回路基板は表面にＬＳ
Ｉのチップを載せワイアボンディングで基板とＬＳＩを
接続するか、バンプを２次元的に配置したＬＳＩチップ
をフェイスダウンで基板に実装後、基板の他の接続端子
部分を異方導電性シート（ＡＣＦ）で液晶基板の端子部
に接続する。ここで液晶のＶＧＡ、Ｓ−ＶＧＡの出現に
より、より高密度な実装基板が必要とされ、一方では、
接続端子が１次元的にチップの外周４辺にレイアウトさ
れているため、ＬＳＩの集積度があがらずコストダウン
の妨げになっている。

【０００３】また異方導電性シートで接続する場合、基
板面から導体が凸になっていると接続される両方の面か
ら飛び出た凸が互い違いにはまりこみショートしてしま
う。そのため基板面のどちらか一方を平坦にすることが
こういった基板では必要とされる。そこで配線密度が高
く、かつ基板面から導体が飛び出ていない構造の基板が
強く要求されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来、こう言った接続
基板はエッチング法で作られてきたが、配線密度が高く
なるのに従い、いわゆるメッキ法、つまりメッキで必要
なところに導体を形成する方法が有力になってきた。特
に導電性基板にレジストを形成し基板を陰極とし電解メ
ッキを施すことで導体を形成し、その後メッキ面を内側
にしてプリプレグで張り合わせ、導電性基板を除去して
配線基板を形成する方法が最も有効である。この方法に
よれば導体はレジストの壁にその形状を制御され、配線
密度が高くても厚みを厚くできその結果回路抵抗を低く
できる。しかも基板表面には導体が飛び出ていないので
ＡＣＦの接続でも良好である。

【０００５】しかし、こう言った基板では接続部はワイ
アボンディングやＡＣＦでの接続信頼性を上げるため金
メッキを施す必要がある。金メッキ層は下地の銅と拡散
を起こし熱や放置により金層が表面からなくなってしま
う。そこで一般には銅の上にＮｉまたはその合金の様な
拡散防止膜を引いてから金メッキを行う。しかし、表面
が平坦になっても更にＮｉメッキを行うとそのために表
面が凸状になり、同時に線間も狭くなる（図２参照）。
この結果下記の問題が発生する。

【０００６】高配線密度基板ではＮｉメッキを例えば
５μｍ（金メッキの下地として一般的な厚み）行うと線
間はほぼその２倍の１０μｍ狭くなる。これはＮｉメッ
キは特に平滑性が高く厚みと同じかそれ以上広がる性質
があるからである。従って線間絶縁が低下する。また表
面に５μｍ程度の凸状部分ができてしまい、微細ピッチ
でのＡＣＦ接続では問題になる。 表面に凸部分ができると種々の処理によりその凸部分
に処理液の残留を起こし、マイグレーションの原因とな
る。しかも環境雰囲気にさらされる回路パターンの表面
積が増加するのでマイグレーションを促進してしまう。

【０００７】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明は前記の
問題を解決するため、少なくとも１カ所以上配線ピッチ
が８０μｍ以下で、その箇所の導体厚みが配線ピッチの
１／２以上である微細厚膜接続基板であって、導体パタ
ーンの絶縁材料と接触していない部分が金の拡散を防止
できる第１の金属層に覆われており、かつ第１の金属層
を含めて導体パターンが同一の絶縁材料に埋め込まれ、
更に導体パターンの一部の表面には金またはその合金か
らなる第２の金属層が形成されていることを特徴とする
微細厚膜接続基板であり、また拡散防止金属がＮｉ、Ｔ
ｉ、Ｗのいずれかまたはその合金、またはいずれか１種
を含む合金であることを特徴とする前記微細厚膜接続基
板であり、拡散防止金属がＮｉ−ＰまたはＮｉ−Ｂであ
ることを特徴とする前記微細厚膜接続基板を提供するも
のである。

【０００８】また前記問題を解決するために、導電性基
板にレジストの回路パターンを形成する工程と、レジス
トの形成されていない基板表面に拡散防止金属をメッキ
する工程と、更に導電性基板の回路パターンを形成した
面に導電性金属をメッキし、ピッチの１／２倍以上の厚
みの導体パターンを形成する工程と、レジストを除去す
る工程と、形成された導体パターンを内側にして基板ど
うし、または絶縁基板の両面または片面に接着する工程
と、基板を溶解除去する工程とからなる微細厚膜接続基
板の製造方法を提供するものであり、アルミまたはその
合金からなる基板にジンケート処理を行う工程と、アル
カリ現像タイプドライフィルムレジストの回路パターン
を形成する工程と、レジストの形成されていない基板表
面にＮｉまたはＮｉ−ＰまたはＮｉ−Ｂをメッキする工
程と、更に導電性基板の回路パターンを形成した面に酸
性電解銅メッキを行い、基板内の最も配線密度の高い所
のピッチの１／２倍以上の厚みの銅を形成する工程と、
前記ドライフィルムレジストを除去する工程と、形成さ
れた導体パターンを内側にして基板どうし、または絶縁
基板の両面または片面に接着する工程と、基板を溶解除
去する工程とからなる微細厚膜接続基板の製造方法を提
供するものである。

【０００９】

【作用】本発明では接続のための表面保護金属である金
の拡散防止層、例えばＮｉメッキ層を含めて基板絶縁層
の中に埋め込むことにより、線間の絶縁を防止すること
ができ、表面を拡散防止層を含めて平滑にすることによ
り、銅マイグレーションの原因となる処理液の残留、環
境雰囲気にさらされる回路パターンの表面積をなくし、
信頼性を高めることができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明を例を挙げて具体的
に詳述する。本発明の導電性基板としてアルミまたはそ
の合金からなる基板が用いられる。基板はその表面性が
最終製品の表面性に大きく影響を与えるためできる限り
鏡面を持つ基板が好ましい。基板の厚みは自由に選択で
きるが、一般には１０μｍ〜２００μｍが良い。薄すぎ
るとハンドリングでしわや傷が発生しやすく、かつ抵抗
が高くなり、電解メッキの均一性を損なう。またアルミ
の純度は、９９％以上が良く、好ましくは９９．６％以
上のいわゆるＪＩＳ規格で１Ｎ３０以上が好ましい。純
度が低すぎるとメッキの均一性や基板エッチングでのむ
らを生じる。

【００１１】本発明で用いられるレジストとしては、レ
ジスト工程以降の薬品に耐性があり、必要な導体厚み程
度の厚みを有し、かつその厚みにおいて必要な解像力が
得られればよいが、一般には高解像力を持つドライフィ
ルムレジストが作業性などの特性から好ましい。更にド
ライフィルムの中でも環境対策や剥離の簡便性からアル
カリ現像タイプのドライフィルムが好ましい。次にアル
カリ現像タイプドライフィルムレジストの回路パターン
を形成する場合、更にドライフィルムレジストの密着性
向上と基板面からのマスク露光時の光の反射を防止する
上でレジスト工程に先だって基板に亜鉛の置換メッキ、
いわゆるジンケート処理を行う方が良い。これにより微
細で厚膜な導体をメッキするために必要なアスペクトの
高いレジスト、つまり幅が狭く且つ厚みが厚いレジスト
が形成できる（図３参照）。レジスト厚みはレジストの
解像力とジンケート下地の表面状態に依存するが、最終
的に得ようとする導体厚み以上が好ましい。

【００１２】第１の金属層は、レジストの形成されてい
ない基板表面に拡散防止金属のメッキを行うことにより
形成される。拡散防止金属としては、Ｎｉ，Ｔｉ，Ｗの
いずれか、またはその合金、またはいずれか１種を含む
合金が用いられ、拡散防止特性や経済面から特にＮｉま
たはその合金Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂが好ましい。このＮｉ
（またはＮｉ合金）層はアルミ基板の酸に対する弱さを
防ぐバリア層となり、後の工程である酸性銅メッキから
基板を守ることや、最終製品での基板からの銅マイグレ
ーションを防止しつつ基板表面からの突出を防ぐ効果が
ある。拡散防止金属のメッキは、電解メッキでも無電解
メッキでも良いが、特に無電解メッキが設備的にも有利
である。ここでメッキ液はいずれでも良いが、アルカリ
性ではドライフィルムレジストが溶解してしまうため、
中性または酸性のメッキ液であることが望ましい。さら
に基材のメッキ液への溶解を考えると中性に近いことが
望ましい。この点でＮｉまたはその合金は中性領域に近
いメッキ液が多いので好ましい。

【００１３】次に導体パターンの主たる第２の金属層を
形成する。導体パターンとしては銅、銅合金、銅銀合金
などの導電性材料が用いられ、その導体厚みは配線ピッ
チの１／２以上であることが好ましい。例えば、基板を
陰極とし、導電性基板の回路パターンを形成した面に酸
性電解銅メッキを行い、基板内最小ピッチの１／２倍以
上の厚みの銅を形成する（図４参照）。またメッキ厚み
が薄いと形成された基板の回路抵抗が高くなり、液晶駆
動回路に用いた場合には画面のＳ／Ｎ比が低下する。ま
た回路抵抗が高くなることで伝達可能周波数が低下す
る。酸性銅メッキを行う場合は、アルカリ性の銅メッキ
液ではレジストが溶解してしまうため、良好な添加剤を
選択することで良好な質の銅が低コストで形成できる硫
酸銅メッキが好ましい。メッキ終了後、ドライフィルム
レジストを除去する。一般には苛性ソーダが用いられ
る。

【００１４】次に形成された導体パターンを内側にして
基板どうし、または絶縁基板の両面または片面に接着剤
を用いて接着する（図５参照）。一般に使われているプ
リプレグか接着剤シート（この場合シートは基材フィル
ムの両面に接着剤がついているものでも接着剤のみの物
でも良い）を用いれば良い。ここで用いられた接着剤は
硬化後、絶縁材料となる。また基材フィルムの両面に接
着剤がついている基材フィルムを含めて絶縁材料とな
る。次に基板を溶解除去する。溶解する液としては導体
パターンや拡散防止金属を溶解する速度より導電性基板
を溶解する速度が十分大きいものを選ぶ。例えば、導体
パターンが銅で拡散防止金属がＮｉで基板がアルミであ
れば１０％程度の塩酸が好ましい。

【００１５】最後に必要に応じて金メッキを行う（図６
参照）。実際には接合に使われるランドには金メッキを
する。これは通常Ｎｉメッキの上に行う金メッキプロセ
スであれば何でもよいがメッキ厚みとしては通常１μｍ
以下で行う。また、コストの上から金メッキ前にメッキ
不要部分があれば耐金メッキレジストで不要部分をコー
ティングしても良い。本発明の製造方法で得られた基板
は先に述べた拡散防止金属層を含めて同一の絶縁材料に
埋め込まれており、表面が平滑で、かつそのため表面に
おける汚染がないのでマイグレーションのない微細厚膜
接続基板となる（図１参照）。以下、実施例を挙げるが
本発明はこれらに限定されるものではない。

【００１６】

【実施例１】厚み１５０μｍ、純度規格１Ｎ３０で表面
アルミ箔に上村工業（株）製ジンケート液（ＡＺ−４０
１−３Ｘ）を３倍に希釈した液で液温３０℃、８０秒処
理した。水洗後、１５％硝酸で２０秒間洗浄し、再び前
記ジンケート液で液温３０℃８０秒処理し、その後水洗
した。次に旭化成工業（株）製ドライフィルムレジスト
（ＳＰＧー２０１、厚み２０μｍ）をラミネートし、線
ピッチ５０μｍ、線幅２５μｍ（レジストが除去される
幅）、線間２５μｍのマスクパターンを露光器で露光
し、現像した。得られた基板を奥野製薬（株）製Ｎｉー
Ｐ電解メッキ液、商標ニッケリン浴（ＬニッケリンＤを
２００ｃｃ／リットル、硫酸ニッケル１５０ｇ／リット
ル、塩化ナトリウム３０ｇ／リットル）で液温６０℃、
８分メッキし約５μｍのＮｉ−Ｐ層を形成した。次に硫
酸銅メッキ液により銅を３０μｍメッキし、ピッチ５０
μｍ線幅２５μｍパターン厚み３５μｍのパターンを形
成した。

【００１７】次いでドライフィルムレジストを３％苛性
ソーダで除去し、日立化成工業（株）製プリプレグ（Ｇ
ＥＡ−６７Ｎ ＫＬＮ）を介して上で得られた基板を銅
メッキパターンがある側を内側にして接着した。次にア
ルミ基板を１０％の塩酸で溶解除去した。得られた基板
は回路パターンの表面に出ている部分はＮｉ−Ｐで覆わ
れているので、その上に直接置換型無電解金メッキ液
（エヌ・イーケムキャット（株）製商標Ａｔｏｍｅｘ）
で置換メッキ後、自己触媒無電解メッキ液（エヌ・イー
ケムキャット（株）製商標Ｓｕｐｅｒ Ｍｅｘ＃６０
０）で合計約０．５μｍ金を析出させた。得られた基板
は配線密度５０μｍ、導体厚み３５μｍで表面はＮｉ−
Ｐ５μｍ＋金０．５μｍで覆われており、１００ｍｍ×
３０ｍｍの基板１５０枚中不良は無く、且つ線間に５０
Ｖをかけ、６０℃、９０〜９５％環境下で１０００時間
後でも線間絶縁に変化は無かった。

【００１８】

【実施例２】厚み８０μｍ、純度規格１Ｎ３０で表面ア
ルミ箔に上村工業（株）製ジンケート液（ＡＺ−４０１
−３Ｘ）を３倍に希釈した液で液温３０℃、８０秒処理
した。水洗後、１５％硝酸で２０秒間洗浄し、再び前記
ジンケート液で液温３０℃、８０秒処理しその後水洗し
た。次に旭化成工業（株）製ドライフィルムレジスト
（ＳＰＧ−２０１、厚み２０μｍ）をラミネートし、線
ピッチ２６μｍ、線幅１３μｍ（レジストが除去される
幅）、線間１３μｍのマスクパターンを露光器で露光
し、現像した。得られた基板を奥野製薬（株）製Ｎｉ無
電解メッキ液（ＩＣＰ−ニコロンＵ）を８５℃処理し、
約２μｍのＮｉ−Ｐを形成した。次に硫酸銅メッキ液に
より銅を１５μｍメッキし、ピッチ２６μｍ、線幅１３
μｍパターン厚み１７μｍのパターンを形成した。

【００１９】次いでドライフィルムレジストを３％苛性
ソーダで除去し、東レデュポン（株）製ポリイミドフィ
ルム（５０μｍ厚み）の表面に接着剤シート、商標パイ
ラックス（ＬＦ−０１００ ５００Ｈ、厚み２５μｍ、
デュポンジャパンリミテッド（株）製）を介して上で得
られた基板を銅メッキパターンがある側を内側にして接
着した。次にアルミ基板を１０％の塩酸で溶解除去し
た。

【００２０】得られた基板は回路パターンの表面に出て
いる部分はＮｉ−Ｐで覆われているので、その上に直接
置換型無電解金メッキ液（エヌ・イーケムキャット
（株）製商標Ｓｕｐｅｒ Ｍｅｘ＃２００）で約０．１
μｍ金を析出させた。得られた基板は配線ピッチ２６μ
ｍ、導体厚み１７μｍで表面はＮｉ−Ｐ２μｍ＋金０．
１μｍで覆われており、８０ｍｍ×１５ｍｍの基板１５
０枚中不良は無く、且つ線間に２５Ｖをかけ、６０℃、
９０〜９５％環境下で１０００時間後でも線間絶縁に変
化は無かった。

【００２１】

【実施例３】厚み８０μｍ、純度規格１Ｎ３０で表面ア
ルミ箔に上村工業（株）製ジンケート液（ＡＺ−４０１
−３Ｘ）を３倍に希釈した液で液温３０℃、８０秒処理
した。水洗後、１５％硝酸で２０秒間洗浄し、再び前記
ジンケート液で液温３０℃、８０秒処理しその後水洗し
た。次に旭化成工業（株）製ドライフィルムレジスト
（ＳＰＧ−２０１、厚み２０μｍ）をラミネートし、線
ピッチ２６μｍ、線幅１３μｍ（レジストが除去される
幅）、線間１３μｍのマスクパターンを露光器で露光
し、現像した。得られた基板を奥野製薬（株）製Ｎｉ−
Ｂ無電解メッキ液（トップケミアロイＢ−１）を液温６
５℃で処理し約２μｍのＮｉ−Ｂを形成した。

【００２２】次に硫酸銅メッキ液により銅を１５μｍメ
ッキし、ピッチ２６μｍ、線幅１３μｍパターン厚み１
７μｍのパターンを形成した。次いでドライフィルムレ
ジストを３％苛性ソーダで除去し、東レデュポン（株）
製ポリイミドフィルム（５０μｍ厚み）の表面に接着剤
シート、商標パイラックス（ＬＦ−０１００ ５００
Ｈ、厚み２５μｍ、デュポンジャパンリミテッド（株）
製）を介して上で得られた基板を銅メッキパターンがあ
る側を内側にして接着した。次にアルミ基板を１０％の
塩酸で溶解除去した。

【００２３】得られた基板は回路パターンの表面に出て
いる部分はＮｉ−Ｂで覆われているのでその上に直接置
換型無電解金メッキ液（エヌ・イーケムキャット（株）
製商標Ｓｕｐｅｒ Ｍｅｘ＃２００）で約０．１μｍ金
を析出させた。得られた基板は配線ピッチ２６μｍ、導
体厚み１７μｍで表面はＮｉ−Ｂ２μｍ＋金０．１μｍ
で覆われており、８０ｍｍ×１５ｍｍの基板１５０枚中
不良は無く、且つ線間に２５Ｖをかけ、６０℃、９０〜
９５％環境下で１０００時間後でも線間絶縁に変化は無
かった。

【００２４】

【比較例１】厚み１５０μｍ、純度規格１Ｎ３０で表面
アルミ箔に上村工業（株）製ジンケート液（ＡＺ−４０
１−３Ｘ）を３倍に希釈した液で液温３０℃、８０秒処
理した。水洗後、１５％硝酸で２０秒間洗浄し、再び前
記ジンケート液で液温３０℃、８０秒処理し、その後水
洗した。次に旭化成工業（株）製ドライフィルムレジス
ト（ＳＰＧ−２０１、厚み２０μｍ）をラミネートし、
線ピッチ５０μｍ、線幅２５μｍ（レジストが除去され
る幅）、線間２５μｍのマスクパターンを露光器で露光
し、現像した。得られた基板をピロリン酸銅メッキで約
２μｍの銅を形成した。このときドライフィルムに一部
剥離が見られた。

【００２５】次に硫酸銅メッキ液により銅を３３μｍメ
ッキし、ピッチ５０μｍ線幅２５μｍパターン厚み３５
μｍのパターンを形成した。次いでドライフィルムレジ
ストを３％苛性ソーダで除去し、日立化成工業（株）製
プリプレグ（ＧＥＡ−６７Ｎ ＫＬＮ）を介して上で得
られた基板を銅メッキパターンがある側を内側にして接
着した。次にアルミ基板を１０％の塩酸で溶解除去し
た。得られた基板は回路パターンの表面に出ている部分
は銅なので表面を１０％硫酸で洗浄後、Ｎｉ電解メッキ
ワット浴に荏原ユージライト（株）製光沢ニッケル＃６
６プロセス（添加剤は＃６１０、＃６２、＃６３を所定
量添加した建浴液）で５μｍ、Ｎｉを形成した。更にそ
の上に直接電解金メッキ液（エヌ・イーケムキャット
（株）製ＥＣＦ−６８）で約０．５μｍ金を析出させ
た。

【００２６】得られた基板は配線ピッチ５０μｍ、導体
厚み３５μｍで線間ギャップは平均１０μｍであるが、
基板によってはドライフィルムの剥離によると思われる
ショート箇所が数多く見られ、線間ギャップが０μｍに
見える所もあった。１００ｍｍ×３０ｍｍの基板１５０
枚中不良は９３枚あり、残る良品７７枚に線間に５０Ｖ
をかけ、６０℃、９０〜９５％環境下で１０００時間放
置後、絶縁があったのが６９枚で８枚は絶縁不良になっ
ていた。

【００２７】

【発明の効果】本発明の微細厚膜接続基板は従来の基板
に比べて、微細、且つ厚膜でありながら、接続部分の拡
散防止金属層により線間のギャップが狭くなることな
く、拡散防止層によりマイグレーションがない信頼性の
高い基板であり、また表面の凸がないので異方導電性シ
ートによる接続においても信頼性の高いものである。従
って、高密度のＬＳＩや液晶の実装が可能である。また
本発明の方法によれば上記の微細厚膜接続基板が短い工
程で製造可能となり、低コストな接続基板を供給するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の微細厚膜接続基板の断面図を示す。

【図２】従来の接続基板の断面図を示す。

【図３】アルミ基板にジンケート処理を行った後ドライ
フィルムレジストを形成した断面図である。

【図４】更にＮｉメッキと銅メッキを行い、配線ピッチ
の１／２倍以上の厚みの導体を形成した断面図である。

【図５】アルミ基板の導体を形成した側の面を内側にし
てプリプレグで接着した断面図である。

【図６】アルミ基板をエッチングした後、表面に出たＮ
ｉ層の上に金メッキをした断面図である。

【符号の説明】

１ 銅（パターン） ２ 絶縁層 ３ Ｎｉ（またはＮｉ−ＰまたはＮｉ−Ｂ）層 ４ Ａｕ層 ５ アルミ基板 ６ ドライフィルムレジスト（パターン形成後） ７ ジンケート層 ８ Ｎｉ層

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも１カ所以上配線ピッチが８０
   μｍ以下で、その箇所の導体厚みが配線ピッチの１／２
   以上である微細厚膜接続基板であって、導体パターンの
   絶縁材料と接触していない部分が金の拡散を防止できる
   第１の金属層に覆われており、かつ第１の金属層を含め
   て導体パターンが同一の絶縁材料に埋め込まれ、更に導
   体パターンの一部の表面には金またはその合金からなる
   第２の金属層が形成されていることを特徴とする微細厚
   膜接続基板。
2. 【請求項２】 拡散防止金属がＮｉ、Ｔｉ、Ｗのいずれ
   かまたはその合金、またはいずれか１種を含む合金であ
   ることを特徴とする請求項１記載の微細厚膜接続基板。
3. 【請求項３】 拡散防止金属がＮｉ−ＰまたはＮｉ−Ｂ
   であることを特徴とする請求項１記載の微細厚膜接続基
   板。
4. 【請求項４】 導電性基板にレジストの回路パターンを
   形成する工程と、レジストの形成されていない基板表面
   に拡散防止金属をメッキする工程と、更に導電性基板の
   回路パターンを形成した面に導電性金属をメッキし、ピ
   ッチの１／２倍以上の厚みの導体パターンを形成する工
   程と、レジストを除去する工程と、形成された導体パタ
   ーンを内側にして基板どうし、または絶縁基板の両面ま
   たは片面に接着する工程と、基板を溶解除去する工程と
   からなる微細厚膜接続基板の製造方法。
5. 【請求項５】 アルミまたはその合金からなる基板にジ
   ンケート処理を行う工程と、アルカリ現像タイプドライ
   フィルムレジストの回路パターンを形成する工程と、レ
   ジストの形成されていない基板表面にＮｉまたはＮｉ−
   ＰまたはＮｉ−Ｂをメッキする工程と、更に導電性基板
   の回路パターンを形成した面に酸性電解銅メッキを行
   い、基板内の最も配線密度の高い所のピッチの１／２倍
   以上の厚みの銅パターンを形成する工程と、前記ドライ
   フィルムレジストを除去する工程と、形成された導体パ
   ターンを内側にして基板どうし、または絶縁基板の両面
   または片面に接着する工程と、基板を溶解除去する工程
   とからなる微細厚膜接続基板の製造方法。