JP2001237541A - ビルドアップ多層基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 上部配線層と下部配線層との間の電気的、機
械的接合性の高信頼性が達成されたビルドアップ多層基
板及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 下部配線層１１と、上部配線層１２と、
下部配線層１１と上部配線層１２との間に設けられ、粗
化層１３、保護層１４、及び絶縁層１５を備えた中間層
１６と、中間層１６を貫通し下部配線層１１と上部配線
層１２とをつなぐビア１７と、ビア１７内に設けられた
ビア導体部１８とを有するビルドアップ多層基板１０で
あって、ビア導体部１８の一端が下部配線層１１と直接
接続され、ビア導体部１８の他端が上部配線層１２に直
接接続されることにより下部配線層１１と上部配線層１
２との接続が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、上部配線層と下部
配線層とをビア内に設けられたビア導体部を介して接続
するビルドアップ多層基板及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ビルドアップ多層基板は、サブト
ラクティブ法、セミアディティブ法、及びフルアディテ
ィブ法のいずれかの方法で製造されていた。これらの方
法では、形成した銅の下部配線層とその上に形成する絶
縁層との密着性を向上させるため、下部配線層の表面上
（側面及び上面）には粗化処理として粗化層を形成して
いた。また、下部配線層上に形成した絶縁層にビアを形
成した後、絶縁層の表面をクロム酸で粗化処理して、絶
縁層の上に形成する銅の上部配線層との密着性を向上さ
せていた。クロム酸で絶縁層表面を粗化処理する場合、
ビア内に侵入したクロム酸により粗化層及び下部配線層
が腐食されるため、絶縁層を形成する前に粗化層の表面
上に保護層となる錫めっき層を形成していた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来のビルドアップ多
層基板においては、上部配線層と下部配線層との接続
は、下部配線層上に設けられた保護層である錫めっき層
と上部配線層とをビア内に設けたビア導体部で接続する
ことにより行なわれていた。このように、配線層を構成
する銅とはそれぞれ異種の材質である錫めっき層とその
下面に形成された粗化層を介して上部配線層と下部配線
層とが接続されているため、上部配線層と下部配線層と
の間の電気的、機械的な接合特性が変動し易いという問
題が存在していた。また、ビアの底に現れている錫めっ
き層の上には、絶縁層を除去した際に絶縁層を形成して
いた樹脂の残渣の付着やクロム酸処理時に生じたクロム
酸化物が生成しているため、電気的、機械的接合性が低
下し易いという問題があった。そのため、絶縁層の粗化
後にビアの底に現れている錫めっき層を除去することに
より、上部配線層と下部配線層との接合性を向上させる
ことが提案されている。しかしながら、錫めっき層を除
去しても、下部配線層上の粗化層を介して下部配線層と
上部配線層とをビア導体部により接続するため、粗化層
の状態により電気的、機械的接合性が変動し易く品質の
安定性に劣るという問題があった。本発明はかかる事情
に鑑みてなされたもので、上部配線層と下部配線層との
間の電気的、機械的接合性の高信頼性が達成されたビル
ドアップ多層基板及びその製造方法を提供することを目
的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】前記目的に沿う本発明の
ビルドアップ多層基板は、下部配線層と、上部配線層
と、該下部配線層と該上部配線層との間に設けられ粗化
層、保護層、絶縁層を備えた中間層と、該中間層を貫通
し前記下部配線層及び前記上部配線層をつなぐビアと、
該ビア内に設けられたビア導体部とを有するビルドアッ
プ多層基板であって、前記ビア導体部の一端が前記下部
配線層と直接接続され、前記ビア導体部の他端が前記上
部配線層に直接接続されることにより前記下部配線層と
前記上部配線層との接続が形成されている。粗化層と保
護層を間に存在させないで、下部配線層と上部配線層と
をビア導体部を用いて直接接続することができる構造と
なっている。

【０００５】本発明に係るビルドアップ多層基板におい
て、前記粗化層は前記下部配線層の表面上に形成され針
状の金属が表面に露出した無電解めっき層、前記保護層
は前記粗化層の表面上に形成された錫の無電解めっき
層、前記絶縁層は前記保護層の表面上に形成された有機
フィラーを含む樹脂層であって、前記ビア導体部は前記
ビアの底に露出した前記下部配線層の表面に一端が接続
し他端が前記ビア内を通過し前記絶縁層の表面に露出す
る構成を有する無電解めっき層とすることができる。ビ
ア導体部を下部配線層、上部配線層と同一の材質で形成
することにより、下部配線層とビア導体部との接続界面
部、ビア導体部と上部配線層との接続界面部をより均質
化、一体化することが可能となる。このため、下部配線
層と上部配線層との間に安定した電流を流すことが可能
で、下部配線層と上部配線層との間の電気的接合牲の信
頼性を高めることができる。更に、接続界面部の均質
化、一体化は、ビア導体部を介した下部配線層と上部配
線層との接合力の向上を可能とするので、機械的接合性
の信頼性を高めることができる。

【０００６】前記目的に沿う本発明のビルドアップ多層
基板の製造方法は、下部配線層と、上部配線層と、該下
部配線層と該上部配線層との間に設けられ粗化層、保護
層、絶縁層を備えた中間層と、該中間層を貫通し前記下
部配線層と前記上部配線層とをつなぐビアと、該ビア内
に設けられたビア導体部とを有するビルドアップ多層基
板の製造方法であって、前記下部配線層との密着性を向
上させるため前記下部配線層の表面上に前記粗化層を形
成する第１工程と、前記下部配線層と前記粗化層とを保
護する前記保護層を前記粗化層の表面上に形成する第２
工程と、前記保護層の表面上に感光牲樹脂を含む前記絶
縁層を設け、露光現像処理により底に前記保護層が露出
する初期ビアを形成する第３工程と、前記初期ビアが形
成された前記絶縁層との密着性を向上させるため前記初
期ビアが形成された前記絶縁層の表面を粗化する第４工
程と、前記初期ビアの底に露出した前記保護層及び前記
保護層の下面に形成されている前記粗化層を除去して底
に前記下部配線層が露出するビアを形成する第５工程
と、表面が粗化された前記絶縁層、前記ビアの側面に露
出した前記保護層及び前記粗化層、並びに前記ビアの底
に露出した前記下部配線層の表面上に前記ビア導体部を
形成する第６工程と、前記ビア導体部が形成された前記
絶縁層の上面に前記上部配線層用の配線パターンが形成
されたパターンフィルムを積層する第７工程と、前記パ
ターンフィルムに基づいて前記ビア導体部が形成された
前記絶縁層の表面上に前記上部配線層を形成する第８工
程と、前記パターンフィルム及び前記パターンフィルム
の下面に形成されている前記ビア導体部を除去して前記
上部配線層の表面に密着性を向上させるための粗化層を
形成する第９工程とを有する。

【０００７】第１工程で下部配線層の表面上に粗化層を
形成することにより、下部配線層の表面上に形成する保
護層との密着性を高めることができる。第２工程で保護
層を設けることにより、以後の工程で絶縁層の表面を粗
化する際に使用する腐食処理剤から粗化層と下部配線層
を保護することができる。第３工程で初期ビアを形成す
ることにより、下部配線層と上部配線層とを接続する際
に必要なビアを所定個数、所定位置に形成することがで
きる。第４工程で絶縁層の表面を粗化することにより、
絶縁層の表面上に形成するビア導体部の密着性を高める
ことができる。第５工程で底に下部配線層が露出したビ
アを形成することにより、粗化層と保護層と絶縁層を貫
通したビアを形成することができる。

【０００８】第６工程で下部配線層の表面上にビア導体
部を形成することにより、下部配線層と直接接続したビ
ア導体部を形成することができる。第７工程で絶縁層の
上面にパターンフィルムを積層することにより、ビア導
体部と直接接続する上部配線層の位置を決定することが
できる。第８工程でビア導体部の表面上に上部配線層を
形成することにより、ビア導体部と直接接続した上部配
線層を形成することができる。これによって、下部配線
層と上部配線層とはビア導体部を介して直接接続するこ
とになる。第９工程で上部配線層の表面に密着性を向上
させるための粗化層を形成することにより、上部配線層
の表面上に形成する保護層との密着性を高めることがで
きる。以上の第２工程から第９工程までを必要な積層数
となるまで繰り返すことにより、ビルドアップ多層基板
を製造することができる。

【０００９】

【発明の実施の形態】続いて、添付した図面を参照しつ
つ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発
明の理解に供する。ここに、図１は本発明の一実施の形
態に係るビルドアップ多層基板の構造を説明する部分拡
大断面図、図２、図３、図４は本発明の一実施の形態に
係るビルドアップ多層基板の製造方法における下部配線
層から上部配線層の形成までを説明する部分拡大断面図
である。

【００１０】先ず、図１を参照して、本発明の一実施の
形態に係るビルドアップ多層基板の構造について説明す
る。本発明の一実施の形態に係るビルドアップ多層基板
１０は、下部配線層１１と、上部配線層１２と、下部配
線層１１と上部配線層１２との間に設けられ粗化層１
３、保護層１４、絶縁層１５を備えた中間層１６と、中
間層１６を貫通し下部配線層１１と上部配線層１２とを
つなぐビア１７と、ビア１７内に設けられたビア導体部
１８とを有している。以下、これらについて詳細に説明
する。

【００１１】下部配線層１１と、上部配線層１２は導電
性の、例えば、銅により形成する配線層である。粗化層
１３は、下部配線層１１の表面上（側面及び上面）に形
成され表面に極微小な凹凸を有する層であり、例えば、
針状金属が表面に露出する特性を有する銅−ニッケル−
リンを主成分とする合金層である。保護層１４は、絶縁
層１５の表面を粗化する際に使用す腐食処理剤から粗化
層１３と下部配線層１１を保護するために粗化層１３表
面上（側面及び上面）に設けるものである。例えば、絶
縁層１５が有機フィラーを含むエポキシ系樹脂の場合、
腐食処理剤としてはクロム酸が有効であり、このクロム
酸から銅−ニッケル−リン系の粗化層１３と銅の下部配
線層１１を保護するためには、例えば、錫により構成さ
れる保護層１４を形成することが有効である。

【００１２】ビア１７は、粗化層１３、保護層１４、絶
縁層１５を備えた中間層１６を貫通しているので、ビア
１７の底には下部配線層１１が露出している。ビア導体
部１８は、この露出した下部配線層１１の表面に一端が
接続し、他端はビア１７内を通過して絶縁層１５の表面
に露出するように形成されている。これにより、ビア導
体部１８の一端は下部配線層１１に直接接続し、また、
ビア導体部１８の他端に直接接続するように上部配線層
１２を形成すると、下部配線層１１と上部配線層１２と
が、ビア導体部１８を介して直接接続された構造を形成
することができる。ビア導体部１８を下部配線層１１、
上部配線層１２と同一の材質、例えば、銅で形成するこ
とにより、下部配線層１１とビア導体部１８との接続界
面部１９、ビア導体部１８と上部配線層１２との接続界
面部２０をより均質化、一体化することが可能となる。
このため、下部配線層１１と上部配線層１２との間に安
定した電流を流すことが可能で、下部配線層１１と上部
配線層１２との間の電気的接合牲の信頼性を高めること
ができる。更に、接続界面部１９、２０をより均質化、
一体化することが可能なことから、下部配線層１１と上
部配線層１２との接合力を向上させることが可能で、機
械的接合性の信頼性を高めることができる。

【００１３】続いて、図２〜図４を参照して、本発明の
一実施の形態に係るビルドアップ多層基板１０の製造方
法について説明する。本発明の一実施の形態に係るビル
ドアップ多層基板１０の製造方法は、下部配線層１１の
表面上に粗化層１３を形成する第１工程と、粗化層１３
の表面上に保護層１４を形成する第２工程と、絶縁層１
５を形成して、底に保護層１４が露出する初期ビア２１
を絶縁層１５に形成する第３工程と、初期ビア２１が形
成された絶縁層１５の表面を粗化する第４工程と、初期
ビア２１を加工して底に下部配線層１１が露出するビア
１７にする第５工程と、中間層１６、下部配線層１１の
露出した表面上にビア導体部１８を形成する第６工程
と、ビア導体部１８が形成された絶縁層１５の上面にパ
ターンフィルム２２を積層する第７工程と、パターンフ
ィルム２２に基づいてビア導体部１８の表面上に上部配
線層１２を形成する第８工程と、前記パターンフィルム
２２を除去して上部配線層１２の表面に密着性を向上さ
せるための粗化層２３を形成する第９工程とを有してい
る。以下、これらについて詳細に説明する。

【００１４】（１）第１工程 下部絶縁層１１を形成する基板となる、例えば、ガラス
エポキシ複合材基板等が使用できるコア基板２４を準備
する。コア基板２４の所定の位置にはスルーホールが加
工により形成されているので、このスルーホールを、例
えば、スクリーン印刷等により埋め込み、その表面を研
磨して平坦化する。平坦化したコア基板２４の表面に、
例えば、電解銅めっきによって厚さ約２５μｍの下部配
線層１１を形成する。次に、形成した下部配線層１１の
表面上に、例えば、無電解の銅−ニッケル−リン系の合
金めっきを約０．５μｍの厚さとなるように施して、表
面に針状結晶が露出した粗化層１３を形成する。粗化層
１３を設けることにより、下部配線層１１の上に形成す
る層の密着性が向上する。

【００１５】（２）第２工程 保護層１４は、第３工程で形成する絶縁層１５の表面を
粗化する際に使用する腐食処理剤から粗化層１３と下部
配線層１１を保護するために粗化層１３表面上に設ける
ものである。例えば、絶縁層１５が有機フィラーを含む
エポキシ系樹脂の場合、腐食処理剤としてはクロム酸が
有効であり、このクロム酸から銅−ニッケル−リン系の
粗化層１３と銅の下部配線層１１を保護するためには、
保護層１４として、例えば、無電解の錫めっきを約０．
５μｍの厚さとなるように施す。

【００１６】（３）第３工程 保護層１４の表面上に、液状の有機フィラーを含むエポ
キシ系の樹脂を、例えば、スピンコーター、ロールコー
ター等で塗布し、これを乾燥させて厚さ約３５μｍの感
光性樹脂の絶縁層１５を形成する。この絶縁層１５を露
光現像処理して、例えば、直径約６０μｍで底に保護層
１４が露出する初期ビア２１を形成する。

【００１７】（４）第４工程 初期ビア２１が形成された絶縁層１５の表面上に、例え
ば、クロム酸溶液をスプレーして杭食孔を形成させて粗
化する。粗化層１３の表面上には保護層１４が施されて
いるため、粗化層１３の上面、側面よりクロム酸が侵入
して、粗化層１３及び粗化層１３の下面に存在する下部
配線層１１を腐食することはない。絶縁層１５の表面を
粗化することにより、絶縁層１５の上に形成する層の密
着性が向上する。

【００１８】（５）第５工程 初期ビア２１の底に露出した保護層１４及び保護層１４
の下面に形成されている粗化層１３を除去して、底に下
部配線層１１が露出するビア１７を形成する。例えば、
保護層１４が錫めっき層である場合、水酸化ナトリウム
等のアルカリ溶液をスプレーしてエッチングにより錫め
っき層を除去する。また、例えば、粗化層１３が銅−ニ
ッケル−リン系の合金めっき層である場合、過酸化水素
−硫酸の混合溶液、過硫酸ソーダ溶液等をスプレーして
エッチングにより銅−ニッケル−リン系の合金めっき層
を除去する。

【００１９】（６）第６工程 表面が粗化された絶縁層１５、ビア１７の側面に露出し
た保護層１４及び粗化層１３、並びにビア１７の底に露
出した下部配線層１１の表面上に、例えば、無電解の銅
めっきを約０．５μｍの厚さとなるように施してビア導
体部１８を形成する。その結果、ビア導体部１８の一端
が下部配線層１１に直接接続した状態を有するビア導体
部１８を形成することができる。

【００２０】（７）第７工程 ビア導体部１８が形成された絶縁層１５の上面に、例え
ば、ドライフィルム等を使用して上部配線層用の配線パ
ターンが形成された厚さ約２５μｍのパターンフィルム
２２を、例えば、ホットロールラミネーター等を用いて
積層する。

【００２１】（８）第８工程 パターンフィルム２２に基づいて、絶縁層１５の上面に
形成されたビア導体部１８の表面上に、例えば、ビア導
体部１８を電極として電解銅めっきによって厚さ約２５
μｍの上部配線層１２を形成する。その結果、ビア導体
部１８の他端に上部配線層１２が直接接続した状態を有
する上部配線層１２を形成することができる。

【００２２】ビア導体部１８の一端を下部配線層１１に
直接接続した状態で形成し、ビア導体部１８の他端に直
接接続するように上部配線層１２を形成するので、下部
配線層１１と上部配線層１２とをビア導体部１８を介し
て直接接続する構造を形成することができる。下部配線
層１１、ビア導体部１８、上部配線層１２を、例えば、
銅で形成することにより、下部配線層１１とビア導体部
１８との接続界面部１９、ビア導体部１８と上部配線層
１２との接続界面部２０をより均質化、一体化すること
ができる。このため、下部配線層１１と上部配線層１２
との間に安定した電流を流すことが可能となり、下部配
線層１１と上部配線層１２との間の電気的接合牲の信頼
性を高めることができる。更に、下部配線層１１と上部
配線層１２との接合力を向上することが可能となり、機
械的接合性の信頼性を高めることができる。

【００２３】（９）第９工程 パターンフィルム２２と、パターンフィルム２２の下面
に形成されているビア導体部１８とを除去し、上部配線
層１２の表面に密着性を向上させるための粗化層２３を
形成する。パターンフィルム２２としてドライフィルム
を使用している場合、例えば、水酸化ナトリウムのシャ
ワーによりドライフィルムを除去することができる。ま
た、パターンフィルム２２の除去により現れるビア導体
部１８の除去は、例えば、過硫酸塩系エッチング液を使
用することができる。以後、必要な積層数ととなるま
で、第２工程〜第９工程を繰り返すことにより、ビルド
アップ多層基板１０を製造することができる。

【００２４】

【実施例】本発明に係るビルドアップ多層基板における
上部配線層と下部配線層との間の接合性を、特に機械的
接合性の観点から調査した。先ず、本発明の実施例とし
てビルドアップ多層基板を、下記の９工程により作製し
た。 １）第１工程 ガラスエポキシ複合材基板に設けられたスルーホール
を、スクリーン印刷により埋め込み、その表面を研磨し
て平坦化した。平坦化したガラスエポキシ複合材基板の
表面に電解銅めっきによって厚さ約２５μｍの下部配線
層を形成した。次に、形成した下部配線層の表面に、無
電解の銅−ニッケル−リン系の合金めっきを約０．５μ
ｍの厚さとなるように施して表面に粗化層を形成した。

【００２５】２）第２工程 銅−ニッケル−リン系の粗化層の表面上に保護層として
無電解の錫めっきを約０．５μｍの厚さとなるように施
した。 ３）第３工程 錫めっき層表面に、液状のエポキシ系の樹脂をスピンコ
ーターで塗布し、乾燥させて厚さ約３５μｍの絶縁層を
形成した。この絶縁層を露光現像処理して直径約６０μ
ｍで底に錫めっき層が露出する初期ビアを形成した。 ４）第４工程 初期ビアが形成された絶縁層の表面にクロム酸溶液をス
プレーして、表面を粗化した。

【００２６】５）第５工程 初期ビアの底に露出した錫めっき層を水酸化ナトリウム
溶液をスプレーしてエッチングにより除去し、銅−ニッ
ケル−リン系の合金めっき層からなる粗化層を過酸化水
素−硫酸の混合溶液をスプレーしてエッチングにより除
去して、底に下部配線層が露出するビアを形成した。 ６）第６工程 表面が粗化された絶縁層の表面及びビアの底に露出した
下部配線層の表面に、無電解の銅めっきを約０．５μｍ
の厚さとなるように施してビア導体部を形成した。 ７）第７工程 ビア導体部が形成された絶縁層の上面に上部配線層用の
配線パターンが形成された厚さ約２５μｍのドライフィ
ルムをホットロールラミネーターを用いて積層した。

【００２７】８）第８工程 ドライフィルムに基づいて、ビア導体部が形成された絶
縁層の表面上に、ビア導体部を電極として、電解銅めっ
きによって厚さ約２５μｍの上部配線層を形成した。 ９）第９工程 水酸化ナトリウム溶液をスプレーしてドライフィルムを
除去し、上部配線層が上面に形成されていないビア導体
部を硫酸−過酸化水素系エッチング液をスプレーして除
去した。以上の工程により、銅の下部配線層と銅の上部
配線層とは、銅のビア導体部を介して同材質間の接続を
有しているビルドアップ多層基板が得られる。

【００２８】次に、本実施例と特性を比較するため、２
種類の比較用のビルドアップ多層基板（比較例１、２）
を作製した。比較例１として、前記工程のうち第３〜第
６工程を以下のように変えてビルドアップ多層基板を作
製した。

【００２９】錫めっき層表面上に、液状のエポキシ系の
樹脂をスピンコーターで塗布し、乾燥させて厚さ約３５
μｍの絶縁層を形成した。この絶縁層を露光現像処理し
て直径約６０μｍで底に錫めっき層が露出するビアを形
成した。ビアが形成された絶縁層の表面にクロム酸溶液
をスプレーして粗化した。表面が粗化された絶縁層と、
ビアの底に露出した錫めっき層の表面上に無電解の銅め
っきを約０．５μｍの厚さとなるように施してビア導体
部を形成した。

【００３０】また、比較例２として、前記工程のうち第
５、第６工程を以下のように変えてビルドアップ多層基
板を作製した。 第５工程 初期ビアの底に露出した錫めっき層を水酸化ナトリウム
溶液をスプレーしてエッチングにより除去し、底に銅−
ニッケル−リン系の合金めっき層からなる粗化層が露出
したビアを形成した。 第６工程 表面が粗化された絶縁層と、ビアの底に露出した粗化層
の表面上に無電解の銅めっきを約０．５μｍの厚さとな
るように施してビア導体部を形成した。

【００３１】作製したビルドアップ多層基板（実施例、
比較例１、２）から、それぞれ絶縁層のみを除去して評
価用の試料とした。評価方法として、下部配線層を固定
して上部配線層に横方向から力を加えてビルドアップ多
層基板を破壊させたときの破壊形態により、接合部の機
械的接合性を判定した。破壊は強度の最小部位で発生す
るという一般則があるので、ビア導体部が接合している
下層から剥がれずに他の部位から破壊した場合を合格、
ビア導体部が接合している下層から剥がれて破壊した場
合を不合格とした。判定結果を表１に示す。

【００３２】

【表１】

【００３３】本実施例の合格率が８２％であるのに対し
て、錫めっき層（保護層）の上面にビア導体層を形成し
た比較例１の合格率は２０％、錫めっき層を除去して銅
−ニッケル−リン系の合金めっき層（粗化層）の上面に
ビア導体層を形成した比較例２の合格率は４５％とな
り、本発明のビルドアップ多層基板の機械的接合性が優
れていることが判明した。なお、機械的接合性に優れて
いることは接合界面が均質化、一体化していることを示
しており、このことから本発明のビルドアップ多層基板
は、電気的接合性にも優れていることが考えられる。

【００３４】以上、本発明の実施の形態を説明したが、
本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。
例えば、ビア導体部を無電解銅めっきにより約０．５μ
ｍの厚さとなるように形成したが、無電解銅めっきと電
解銅めっきを併用してビア内を充填するようにビア導体
部を形成してもよい。また、絶縁層表面の粗化処理に使
用する腐食処理剤、保護層及び粗化層の除去処理に使用
するエッチング処理液は、いずれもスプレーにより供給
する方法を採用したが、被処理物を腐食処理剤、エッチ
ング処理液に浸漬する方法を採用することもできる。特
に、保護層及び粗化層の除去処理を浸漬方式により実施
する場合は、ビア導体部を形成する無電解めっき工程の
前処理工程のひとつとすることもできる。

【００３５】

【発明の効果】請求項１記載のビルドアップ多層基板に
おいては、ビア導体部の一端が下部配線層と直接接続さ
れ、ビア導体部の他端が上部配線層に直接接続されるこ
とにより下部配線層と上部配線層との接続が形成されて
いるので、下部配線層表面上の粗化層、粗化層表面上の
保護層が除去されていることにより、ビアを用いた下部
配線層と上部配線層との接続性の優れたビルドアップ多
層基板が得られる。

【００３６】特に、請求項２記載のビルドアップ多層基
板においては、粗化層は下部配線層の表面上に形成され
針状の金属が表面に露出した無電解めっき層、保護層は
粗化層の表面上に形成された錫の無電解めっき層、絶縁
層は保護層の表面上に形成された有機フィラーを含む樹
脂層であって、ビア導体部はビアの底に露出した下部配
線層の表面に一端が接続し他端がビア内を通過し絶縁層
の表面に露出する構成を有する無電解めっき層であるの
で、下部配線層と上部配線層との電気的接合牲と機械的
接合性の信頼性が高まり、ビルドアップ多層基板の品質
の高安定性が達成される。

【００３７】請求項３記載のビルドアップ多層基板の製
造方法においては、下部配線層との密着性を向上させる
ため下部配線層の表面上に粗化層を形成する第１工程
と、下部配線層と粗化層とを保護する保護層を粗化層の
表面上に形成する第２工程と、保護層の表面上に感光牲
樹脂を含む絶縁層を設け、露光現像処理により底に保護
層が露出する初期ビアを形成する第３工程と、初期ビア
が形成された絶縁層との密着性を向上させるため初期ビ
アが形成された絶縁層の表面を粗化する第４工程と、初
期ビアの底に露出した保護層及び保護層の下面に形成さ
れている粗化層を除去して底に下部配線層が露出するビ
アを形成する第５工程と、表面が粗化された絶縁層、ビ
アの側面に露出した保護層及び粗化層、並びにビアの底
に露出した下部配線層の表面上にビア導体部を形成する
第６工程と、ビア導体部が形成された絶縁層の上面に上
部配線層用の配線パターンが形成されたパターンフィル
ムを積層する第７工程と、パターンフィルムに基づいて
ビア導体部が形成された絶縁層の表面上に上部配線層を
形成する第８工程と、パターンフィルム及びパターンフ
ィルムの下面に形成されているビア導体部を除去して上
部配線層の表面に密着性を向上させるための粗化層を形
成する第９工程とを有するので、配線層と絶縁層との接
着性が高く、下部配線層と上部配線層との間の接合の信
頼性が高いビルドアップ多層基板を高歩留りで作製する
ことが可能となり、製造コストの低下が達成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に係るビルドアップ多層
基板の構造を説明する部分拡大断面図である。

【図２】本発明の一実施の形態に係るビルドアップ多層
基板の製造方法における下部配線層から上部配線層の形
成までを説明する部分拡大断面図である。

【図３】同部分拡大断面図である。

【図４】同部分拡大断面図である。

【符号の説明】

１０：ビルドアップ多層基板、１１：下部配線層、１
２：上部配線層、１３：粗化層、１４：保護層、１５：
絶縁層、１６：中間層、１７：ビア、１８：ビア導体
部、１９、２０：接続界面部、２１：初期ビア、２２：
パターンフィルム、２３：粗化層、２４：コア基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E317 AA21 AA24 BB02 BB12 BB15 CC25 CC32 CD05 CD25 CD32 GG03 5E346 AA12 AA43 CC05 CC08 CC32 CC33 CC37 DD23 DD44 DD45 EE06 EE19 EE38 FF08 FF13 GG15 GG17 GG18 GG27 GG28 HH31

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下部配線層と、上部配線層と、該下部配
   線層と該上部配線層との間に設けられ、粗化層、保護
   層、及び絶縁層を備えた中間層と、該中間層を貫通し前
   記下部配線層及び前記上部配線層をつなぐビアと、該ビ
   ア内に設けられたビア導体部とを有するビルドアップ多
   層基板であって、前記ビア導体部の一端が前記下部配線
   層と直接接続され、前記ビア導体部の他端が前記上部配
   線層に直接接続されることにより前記下部配線層と前記
   上部配線層との接続が形成されていることを特徴とする
   ビルドアップ多層基板。
2. 【請求項２】 請求項１記載のビルドアップ多層基板に
   おいて、前記粗化層は前記下部配線層の表面上に形成さ
   れ針状の金属が表面に露出した無電解めっき層、前記保
   護層は前記粗化層の表面上に形成された錫の無電解めっ
   き層、前記絶縁層は前記保護層の表面上に形成された有
   機フィラーを含む樹脂層であって、前記ビア導体部は前
   記ビアの底に露出した前記下部配線層の表面に一端が接
   続し他端が前記ビア内を通過し前記絶縁層の表面に露出
   する構成を有する無電解めっき層であることを特徴とす
   るビルドアップ多層基板。
3. 【請求項３】 下部配線層と、上部配線層と、該下部配
   線層と該上部配線層との間に設けられ粗化層、保護層、
   絶縁層を備えた中間層と、該中間層を貫通し前記下部配
   線層と前記上部配線層とをつなぐビアと、該ビア内に設
   けられたビア導体部とを有するビルドアップ多層基板の
   製造方法であって、前記下部配線層との密着性を向上さ
   せるため前記下部配線層の表面上に前記粗化層を形成す
   る第１工程と、前記下部配線層と前記粗化層とを保護す
   る前記保護層を前記粗化層の表面上に形成する第２工程
   と、前記保護層の表面上に感光牲樹脂を含む前記絶縁層
   を設け、露光現像処理により底に前記保護層が露出する
   初期ビアを形成する第３工程と、前記初期ビアが形成さ
   れた前記絶縁層との密着性を向上させるため前記初期ビ
   アが形成された前記絶縁層の表面を粗化する第４工程
   と、前記初期ビアの底に露出した前記保護層及び前記保
   護層の下面に形成されている前記粗化層を除去して底に
   前記下部配線層が露出するビアを形成する第５工程と、
   表面が粗化された前記絶縁層、前記ビアの側面に露出し
   た前記保護層及び前記粗化層、並びに前記ビアの底に露
   出した前記下部配線層の表面上に前記ビア導体部を形成
   する第６工程と、前記ビア導体部が形成された前記絶縁
   層の上面に前記上部配線層用の配線パターンが形成され
   たパターンフィルムを積層する第７工程と、前記パター
   ンフィルムに基づいて前記ビア導体部が形成された前記
   絶縁層の表面上に前記上部配線層を形成する第８工程
   と、前記パターンフィルム及び前記パターンフィルムの
   下面に形成されている前記ビア導体部を除去して前記上
   部配線層の表面に密着性を向上させるための粗化層を形
   成する第９工程とを有することを特徴とするビルドアッ
   プ多層基板の製造方法。