JPH09190958A - Ｘ線マスク及びその製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスク及びその製造方法Info
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- JPH09190958A JPH09190958A JP141996A JP141996A JPH09190958A JP H09190958 A JPH09190958 A JP H09190958A JP 141996 A JP141996 A JP 141996A JP 141996 A JP141996 A JP 141996A JP H09190958 A JPH09190958 A JP H09190958A
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- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/10—Scattering devices; Absorbing devices; Ionising radiation filters
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ０．１μｍ以下の微細パターン形成に適した
Ｘ線吸収体を有するＸ線マスクの提供。 【解決手段】 Ｘ線マスクは、スパッタ法によって形成
したＴａとＧｅの合金からなるＸ線吸収体１を有する。
Ｇｅは等倍Ｘ線露光で用いられる波長１０Å付近のＸ線
の質量吸収係数がＢ及びＴｉよりも大きいため、Ｔａと
合金を形成した場合に、従来の材料よりも薄い膜厚で同
等のコントラストを得ることができる。ＴａＧｅは結晶
構造がアモルファス構造であるため、０．１μｍ以下の
パターン形成の際に結晶粒界によってパターン側壁が荒
れるという問題も生じない。また、結晶構造がアモルフ
ァス構造であり、さらに構成元素のＴａが不動態膜を形
成することから化学的安定性が高く、Ｘ線吸収体パター
ン形成後に酸化によるパターンの寸法変化が生じにく
い。
Ｘ線吸収体を有するＸ線マスクの提供。 【解決手段】 Ｘ線マスクは、スパッタ法によって形成
したＴａとＧｅの合金からなるＸ線吸収体１を有する。
Ｇｅは等倍Ｘ線露光で用いられる波長１０Å付近のＸ線
の質量吸収係数がＢ及びＴｉよりも大きいため、Ｔａと
合金を形成した場合に、従来の材料よりも薄い膜厚で同
等のコントラストを得ることができる。ＴａＧｅは結晶
構造がアモルファス構造であるため、０．１μｍ以下の
パターン形成の際に結晶粒界によってパターン側壁が荒
れるという問題も生じない。また、結晶構造がアモルフ
ァス構造であり、さらに構成元素のＴａが不動態膜を形
成することから化学的安定性が高く、Ｘ線吸収体パター
ン形成後に酸化によるパターンの寸法変化が生じにく
い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＸ線マスクに係り、
詳しくは０．１μｍ以下の微細パターン形成に適したＸ
線吸収体を有するＸ線マスクに関するものである。
詳しくは０．１μｍ以下の微細パターン形成に適したＸ
線吸収体を有するＸ線マスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線マスクは、Ｘ線吸収体の大きいＸ線
吸収体、Ｘ線を透過するメンブレンと呼ばれる膜、メン
ブレンを支持するＳｉ基板、及びこれらを支持する支持
枠から構成されている。Ｘ線マスクを用いると半導体素
子及びマイクロマシン等のパターンを転写することがで
きる。具体的には、半導体デバイスパターンに対応する
Ｘ線吸収体パターンを有するＸ線マスクを、Ｘ線レジス
トを塗布したウエハに近接配置し、Ｘ線マスクにＸ線を
照射して、Ｘ線マスク上のパターンをウエハ上のＸ線レ
ジストに露光する事によってパターンを形成することが
できる。
吸収体、Ｘ線を透過するメンブレンと呼ばれる膜、メン
ブレンを支持するＳｉ基板、及びこれらを支持する支持
枠から構成されている。Ｘ線マスクを用いると半導体素
子及びマイクロマシン等のパターンを転写することがで
きる。具体的には、半導体デバイスパターンに対応する
Ｘ線吸収体パターンを有するＸ線マスクを、Ｘ線レジス
トを塗布したウエハに近接配置し、Ｘ線マスクにＸ線を
照射して、Ｘ線マスク上のパターンをウエハ上のＸ線レ
ジストに露光する事によってパターンを形成することが
できる。
【０００３】図５に従来のＸ線マスクの構成の一例を示
す。図において、４はＳｉＣまたは石英ガラス等からな
る支持枠、３はＳｉ基板、２はＳｉＮまたはＳｉＣ等か
らなるメンブレン、１′はＷあるいはＴａからなるＸ線
吸収体である。他にＸ線吸収体として、ＷＴｉＮ（Ｈ．
Ｙａｂｅ，ｅｔ ａｌ，Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．３１，４２１０，１９９０）、Ｔａ4 Ｂ（Ｍ．Ｓｕ
ｇｉｈａｒａ，ｅｔａｌ，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃ
ｎｏｌ．Ｂ７（６），１５６１，１９８９）、及びＴａ
とＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｍｏの少なくとも一種との合金
（特開平２−２１０９号公報）が用いられる場合もあ
る。
す。図において、４はＳｉＣまたは石英ガラス等からな
る支持枠、３はＳｉ基板、２はＳｉＮまたはＳｉＣ等か
らなるメンブレン、１′はＷあるいはＴａからなるＸ線
吸収体である。他にＸ線吸収体として、ＷＴｉＮ（Ｈ．
Ｙａｂｅ，ｅｔ ａｌ，Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．３１，４２１０，１９９０）、Ｔａ4 Ｂ（Ｍ．Ｓｕ
ｇｉｈａｒａ，ｅｔａｌ，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃ
ｎｏｌ．Ｂ７（６），１５６１，１９８９）、及びＴａ
とＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｍｏの少なくとも一種との合金
（特開平２−２１０９号公報）が用いられる場合もあ
る。
【０００４】次に、図６に従来のＸ線マスク作成プロセ
スを示す。図６（ａ）に示すように、厚さ１〜２ｍｍの
Ｓｉ基板３の両面にＣＶＤ法によりＳｉＣからなるメン
ブレン２を１〜２μｍ堆積する。次に、エポキシ樹脂を
用いてＳｉ基板３の裏面に厚さ５ｍｍ程度のＳｉＣ等の
支持枠４を接着する。次に図６（ｂ）に示すように、Ｋ
ＯＨを用いたＳｉの異方性エッチングによってＳｉＣの
メンブレン２を作成する。その後、図６（ｃ）に示すよ
うに、ＳｉＣ上にスパッタ−法よりＸ線吸収体１′を形
成する。そして、図６（ｄ）に示すようにドライエッチ
ングにより、Ｘ線吸収体１′のパターンを形成すること
によってＸ線マスクが完成する。
スを示す。図６（ａ）に示すように、厚さ１〜２ｍｍの
Ｓｉ基板３の両面にＣＶＤ法によりＳｉＣからなるメン
ブレン２を１〜２μｍ堆積する。次に、エポキシ樹脂を
用いてＳｉ基板３の裏面に厚さ５ｍｍ程度のＳｉＣ等の
支持枠４を接着する。次に図６（ｂ）に示すように、Ｋ
ＯＨを用いたＳｉの異方性エッチングによってＳｉＣの
メンブレン２を作成する。その後、図６（ｃ）に示すよ
うに、ＳｉＣ上にスパッタ−法よりＸ線吸収体１′を形
成する。そして、図６（ｄ）に示すようにドライエッチ
ングにより、Ｘ線吸収体１′のパターンを形成すること
によってＸ線マスクが完成する。
【０００５】このプロセスにおいて、Ｘ線吸収体１′は
パターン位置精度等を確保するために低応力でなおかつ
ドライエッチング特性が良好であること、等倍Ｘ線露光
において十分なコントラストが得られるように波長１０
Å付近のＸ線阻止能（質量吸収係数×密度）が大きいこ
と等が要求されていた。
パターン位置精度等を確保するために低応力でなおかつ
ドライエッチング特性が良好であること、等倍Ｘ線露光
において十分なコントラストが得られるように波長１０
Å付近のＸ線阻止能（質量吸収係数×密度）が大きいこ
と等が要求されていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体素子の
デザインルールの微細化に伴って緻密な結晶構造、化学
的安定性、内部応力の面内分布の均一性等が要求される
ようになり、従来のＸ線吸収体ではこれらの条件のすべ
てを満たすことができないという問題が生じた。
デザインルールの微細化に伴って緻密な結晶構造、化学
的安定性、内部応力の面内分布の均一性等が要求される
ようになり、従来のＸ線吸収体ではこれらの条件のすべ
てを満たすことができないという問題が生じた。
【０００７】単体の純粋なＷ及びＴａはスパッタ法で形
成すると、結晶構造が柱状構造になる。そのため、微細
なパターンを形成する際には、パターンの側壁に結晶の
粒界が現れて、荒れた形状になる。
成すると、結晶構造が柱状構造になる。そのため、微細
なパターンを形成する際には、パターンの側壁に結晶の
粒界が現れて、荒れた形状になる。
【０００８】この結晶構造の改善のため、ＷＴｉＮ及び
Ｔａ4 ＢがＸ線吸収体として用いられるようになった。
これらの合金はアモルファス構造なので前述の結晶構造
の問題に関しては解決が図られた。しかしながら、Ｔｉ
及びＢはＸ線阻止能が低いため、その合金をＸ線吸収体
に用いた場合にＸ線露光において十分なコントラストを
得るため必要な膜厚が単体元素よりも厚くなる。さら
に、ＷＴｉＮは成膜時の応力制御性が単体のＴａよりも
劣っている。
Ｔａ4 ＢがＸ線吸収体として用いられるようになった。
これらの合金はアモルファス構造なので前述の結晶構造
の問題に関しては解決が図られた。しかしながら、Ｔｉ
及びＢはＸ線阻止能が低いため、その合金をＸ線吸収体
に用いた場合にＸ線露光において十分なコントラストを
得るため必要な膜厚が単体元素よりも厚くなる。さら
に、ＷＴｉＮは成膜時の応力制御性が単体のＴａよりも
劣っている。
【０００９】ＴａとＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｍｏの少なくと
も一種との合金（上記特開平２−２１０９号公報に開示
されている。）については、Ａｌ、Ｔｉ、ＳｉはＸ線阻
止能が低いという問題があり、Ｍｏはスパッタ法による
成膜では柱状構造をとりやすく、原子半径がＴａとほぼ
同様で、Ｔａとの合金が固溶体を作りやすい為、常温で
はアモルファス構造になりにくく、さらにＴａＭｏＮ
（これも、上記特開平２−２１０９号公報に開示されて
いる。）では窒素がＸ線阻止能及びエッチング特性を阻
害するという問題がある。
も一種との合金（上記特開平２−２１０９号公報に開示
されている。）については、Ａｌ、Ｔｉ、ＳｉはＸ線阻
止能が低いという問題があり、Ｍｏはスパッタ法による
成膜では柱状構造をとりやすく、原子半径がＴａとほぼ
同様で、Ｔａとの合金が固溶体を作りやすい為、常温で
はアモルファス構造になりにくく、さらにＴａＭｏＮ
（これも、上記特開平２−２１０９号公報に開示されて
いる。）では窒素がＸ線阻止能及びエッチング特性を阻
害するという問題がある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、Ｘ線透
過膜上に選択的に形成されたＸ線吸収体を有するＸ線マ
スクであって、前記Ｘ線吸収体をＴａとＧｅとの合金で
構成したことを特徴とするＸ線マスクが得られる。
過膜上に選択的に形成されたＸ線吸収体を有するＸ線マ
スクであって、前記Ｘ線吸収体をＴａとＧｅとの合金で
構成したことを特徴とするＸ線マスクが得られる。
【００１１】更に本発明によれば、Ｘ線透過膜上に選択
的に形成されたＸ線吸収体を有するＸ線マスクの製造方
法であって、前記Ｘ線透過膜上にＴａとＧｅとの合金を
前記Ｘ線吸収体として選択的に形成するステップを含む
ことを特徴とするＸ線マスクの製造方法が得られる。
的に形成されたＸ線吸収体を有するＸ線マスクの製造方
法であって、前記Ｘ線透過膜上にＴａとＧｅとの合金を
前記Ｘ線吸収体として選択的に形成するステップを含む
ことを特徴とするＸ線マスクの製造方法が得られる。
【００１２】また本発明によれば、前記ステップが、前
記Ｘ線透過膜上にＴａとＧｅとの合金を前記Ｘ線吸収体
として選択的にスパッタ法によって形成するステップで
あることを特徴とするＸ線マスクの製造方法が得られ
る。
記Ｘ線透過膜上にＴａとＧｅとの合金を前記Ｘ線吸収体
として選択的にスパッタ法によって形成するステップで
あることを特徴とするＸ線マスクの製造方法が得られ
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明では上記課題を解決するた
め、後述するようにスパッタ法によって形成したＴａと
Ｇｅとの合金をＸ線吸収体に用いる。
め、後述するようにスパッタ法によって形成したＴａと
Ｇｅとの合金をＸ線吸収体に用いる。
【００１４】Ｇｅは等倍Ｘ線露光で用いられる波長１０
Å付近のＸ線の質量吸収係数がＢ及びＴｉよりも大きい
ため、Ｔａと合金を形成した場合に、従来の材料よりも
薄い膜厚で同等のコントラストを得ることができる。Ｔ
ａＧｅは構造がアモルファスであるため、０．１μｍ以
下のパターン形成の際に結晶粒界によってパターン側壁
が荒れるという問題も生じない。即ち、Ｘ線吸収体パタ
ーンの側壁は非常になめらかなものとなる。また、結晶
構造がアモルファス構造であり、さらに構成元素のＴａ
が不動態膜を形成することから化学的安定性が高く、Ｘ
線吸収体パターン形成後に酸化によるパターンの寸法変
化が生じにくい。
Å付近のＸ線の質量吸収係数がＢ及びＴｉよりも大きい
ため、Ｔａと合金を形成した場合に、従来の材料よりも
薄い膜厚で同等のコントラストを得ることができる。Ｔ
ａＧｅは構造がアモルファスであるため、０．１μｍ以
下のパターン形成の際に結晶粒界によってパターン側壁
が荒れるという問題も生じない。即ち、Ｘ線吸収体パタ
ーンの側壁は非常になめらかなものとなる。また、結晶
構造がアモルファス構造であり、さらに構成元素のＴａ
が不動態膜を形成することから化学的安定性が高く、Ｘ
線吸収体パターン形成後に酸化によるパターンの寸法変
化が生じにくい。
【００１５】Ｘ線吸収体の応力は図１に示すようにスパ
ッタガスの圧力の増加に伴い、圧縮応力から引っ張り応
力に大きく変化する。図１からわかるように、Ｘ線吸収
体としてのＴａＧｅは単体のＴａよりもスパッタガス圧
の変化に対する応力の変化量が小さいので、低応力化が
容易である。また、スパッタガス圧依存性が小さいとガ
ス圧の揺らぎによる応力の面内分布の不均一も小さくな
る利点がある。成膜後にアニールによって応力を調整す
ることも可能である。
ッタガスの圧力の増加に伴い、圧縮応力から引っ張り応
力に大きく変化する。図１からわかるように、Ｘ線吸収
体としてのＴａＧｅは単体のＴａよりもスパッタガス圧
の変化に対する応力の変化量が小さいので、低応力化が
容易である。また、スパッタガス圧依存性が小さいとガ
ス圧の揺らぎによる応力の面内分布の不均一も小さくな
る利点がある。成膜後にアニールによって応力を調整す
ることも可能である。
【００１６】（第１の実施形態）本発明によるＸ線マス
クの構成を図２に示す。このＸ線マスクは、ＴａとＧｅ
との合金からなるＸ線吸収体１を有している点が従来例
とは異なる。
クの構成を図２に示す。このＸ線マスクは、ＴａとＧｅ
との合金からなるＸ線吸収体１を有している点が従来例
とは異なる。
【００１７】次に図３を用いてＸ線マスクの製造工程を
説明する。従来例と同様に図３（ｂ）まで作成した後、
ＴａＧｅ合金からなるＸ線吸収体１をスパッタ法により
Ｘ線マスク上に成膜する。ターゲットにはＴａＧｅ合金
を用いる。スパッタチャンバー内にＸｅガスを１００ｓ
ｃｃｍ導入して０．５Ｐａの圧力に保ち、１ｋｗの電力
パワーを導入すると低応力なＴａＧｅアモルファス合金
薄膜がＸ線マスク基板上に形成される。
説明する。従来例と同様に図３（ｂ）まで作成した後、
ＴａＧｅ合金からなるＸ線吸収体１をスパッタ法により
Ｘ線マスク上に成膜する。ターゲットにはＴａＧｅ合金
を用いる。スパッタチャンバー内にＸｅガスを１００ｓ
ｃｃｍ導入して０．５Ｐａの圧力に保ち、１ｋｗの電力
パワーを導入すると低応力なＴａＧｅアモルファス合金
薄膜がＸ線マスク基板上に形成される。
【００１８】図１に示すように、スパッタガスの圧力が
変化すると、Ｘ線吸収体の応力は大きく変化する。スパ
ッタガスとしてＡｒを用いても同様の膜が得られるが、
Ｘｅの方が原子半径が大きいため、膜中に取り込まれる
ガスの量が少なくなり、Ｘ線吸収体の応力制御、安定
性、密度等が良好な膜を得ることができる。また、成膜
中はメンブレンの温度が上昇するのでメンブレンの裏面
にＨｅを満たして冷却するとメンブレンとＳｉ基板間の
温度勾配が小さくなり、Ｘ線吸収体材料内部応力の面内
分布が均一になる。ついで、Ｘ線吸収体上にレジストを
塗布し、半導体素子のパターンを形成した後、ＳＦ6 ま
たはＣｌ2 等のエッチングガスでＸ線吸収体パターンを
形成してＸ線マスクは完成する。
変化すると、Ｘ線吸収体の応力は大きく変化する。スパ
ッタガスとしてＡｒを用いても同様の膜が得られるが、
Ｘｅの方が原子半径が大きいため、膜中に取り込まれる
ガスの量が少なくなり、Ｘ線吸収体の応力制御、安定
性、密度等が良好な膜を得ることができる。また、成膜
中はメンブレンの温度が上昇するのでメンブレンの裏面
にＨｅを満たして冷却するとメンブレンとＳｉ基板間の
温度勾配が小さくなり、Ｘ線吸収体材料内部応力の面内
分布が均一になる。ついで、Ｘ線吸収体上にレジストを
塗布し、半導体素子のパターンを形成した後、ＳＦ6 ま
たはＣｌ2 等のエッチングガスでＸ線吸収体パターンを
形成してＸ線マスクは完成する。
【００１９】（第２の実施形態）図４に本発明によるＸ
線マスクの別の製造方法を示す。図４（ａ）に示すよう
に、厚さ１〜２ｍｍのＳｉ基板３の両面にＣＶＤ法によ
りＳｉＣからなるメンブレン２を１〜２μｍ堆積する。
次に、図４（ｂ）に示すように、図３と同様にＴａＧｅ
のスパッタリングターゲットを用いてＸ線吸収体１を成
膜する。但し、本例では基板の裏面が異方性エッチング
されていないので、基板をウエハステージに密着させ、
ウエハステージと基板の熱伝導によって基板の温度制御
することが可能である。よって、Ｈｅ等のガスを裏面に
満たす必要はない。ついで、図４（ｃ）に示すようにＸ
線吸収体１上にレジストを塗布し、半導体素子のパター
ンを形成した後、ＳＦ6 またはＣｌ2 等のエッチングガ
スでＸ線吸収体１のパターンを形成する。次に、図４
（ｄ）に示すようにＫＯＨを用いたＳｉの異方性エッチ
ングによってＳｉＣのメンブレン２を作成する。そし
て、エポキシ樹脂を用いてＳｉ基板３の裏面に厚さ５ｍ
ｍ程度の支持枠４を接着する事によってＸ線マスクは完
成する。
線マスクの別の製造方法を示す。図４（ａ）に示すよう
に、厚さ１〜２ｍｍのＳｉ基板３の両面にＣＶＤ法によ
りＳｉＣからなるメンブレン２を１〜２μｍ堆積する。
次に、図４（ｂ）に示すように、図３と同様にＴａＧｅ
のスパッタリングターゲットを用いてＸ線吸収体１を成
膜する。但し、本例では基板の裏面が異方性エッチング
されていないので、基板をウエハステージに密着させ、
ウエハステージと基板の熱伝導によって基板の温度制御
することが可能である。よって、Ｈｅ等のガスを裏面に
満たす必要はない。ついで、図４（ｃ）に示すようにＸ
線吸収体１上にレジストを塗布し、半導体素子のパター
ンを形成した後、ＳＦ6 またはＣｌ2 等のエッチングガ
スでＸ線吸収体１のパターンを形成する。次に、図４
（ｄ）に示すようにＫＯＨを用いたＳｉの異方性エッチ
ングによってＳｉＣのメンブレン２を作成する。そし
て、エポキシ樹脂を用いてＳｉ基板３の裏面に厚さ５ｍ
ｍ程度の支持枠４を接着する事によってＸ線マスクは完
成する。
【００２０】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明によれ
ば、０．１μｍ以下のパターン形成に適したＸ線吸収体
を容易に得ることができる。
ば、０．１μｍ以下のパターン形成に適したＸ線吸収体
を容易に得ることができる。
【図１】本発明のＸ線マスクのＸ線吸収体（ＴａＧｅ）
の応力とスパッタガス圧との関係を説明するための図で
ある。
の応力とスパッタガス圧との関係を説明するための図で
ある。
【図２】本発明のＸ線マスクの断面図である。
【図３】図２のＸ線マスクの製造方法を説明するための
断面図である。
断面図である。
【図４】図２のＸ線マスクの別の製造方法を説明するた
めの断面図である。
めの断面図である。
【図５】従来のＸ線マスクの断面図である。
【図６】図５のＸ線マスクの製造方法を説明するための
断面図である。
断面図である。
１ Ｘ線吸収体 １′ Ｘ線吸収体 ２ メンブレン ３ Ｓｉ基板 ４ 支持枠
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｘ線透過膜上に選択的に形成されたＸ線
吸収体を有するＸ線マスクであって、前記Ｘ線吸収体を
ＴａとＧｅとの合金で構成したことを特徴とするＸ線マ
スク。 - 【請求項２】 Ｘ線透過膜上に選択的に形成されたＸ線
吸収体を有するＸ線マスクの製造方法であって、前記Ｘ
線透過膜上にＴａとＧｅとの合金を前記Ｘ線吸収体とし
て選択的に形成するステップを含むことを特徴とするＸ
線マスクの製造方法。 - 【請求項３】 前記ステップが、前記Ｘ線透過膜上にＴ
ａとＧｅとの合金を前記Ｘ線吸収体として選択的にスパ
ッタ法によって形成するステップであることを特徴とす
る請求項２に記載のＸ線マスクの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP141996A JP2877190B2 (ja) | 1996-01-09 | 1996-01-09 | Ｘ線マスク及びその製造方法 |
| US08/773,836 US5754619A (en) | 1996-01-09 | 1996-12-27 | X-ray mask for X-ray lithography and method of producing same |
| KR1019970000242A KR100229262B1 (ko) | 1996-01-09 | 1997-01-08 | X 선 리소그래피를 위한 x선 마스크와 그의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP141996A JP2877190B2 (ja) | 1996-01-09 | 1996-01-09 | Ｘ線マスク及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09190958A true JPH09190958A (ja) | 1997-07-22 |
| JP2877190B2 JP2877190B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=11500953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP141996A Expired - Lifetime JP2877190B2 (ja) | 1996-01-09 | 1996-01-09 | Ｘ線マスク及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5754619A (ja) |
| JP (1) | JP2877190B2 (ja) |
| KR (1) | KR100229262B1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US6197457B1 (en) | 1998-05-22 | 2001-03-06 | Nec Corporation | X-ray mask and method of fabricating the same |
| KR20020043184A (ko) * | 2000-12-01 | 2002-06-08 | 가네꼬 히사시 | 전자빔프로젝션리소그래피용 마스크 및 그의 제조방법 |
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| JP2006024920A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Schott Ag | Ｅｕｖフォトリソグラフィー用マスクブランクの作製方法及びマスクブランク |
| WO2022259915A1 (ja) * | 2021-06-10 | 2022-12-15 | Hoya株式会社 | マスクブランク、反射型マスク及び半導体デバイスの製造方法 |
Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
| US5958627A (en) * | 1996-09-03 | 1999-09-28 | Hoya Corporation | X-ray mask blank and method of manufacturing the same |
| KR100244458B1 (ko) * | 1997-03-26 | 2000-03-02 | 김영환 | 마스크 및 그 제조방법 |
| US6365326B1 (en) | 1999-05-07 | 2002-04-02 | International Business Machines Corporation | Pattern density tailoring for etching of advanced lithographic mask |
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