JPH09181197A - Cmosアナログ半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
Cmosアナログ半導体装置及びその製造方法Info
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Abstract
領域と絶縁領域を一緒に形成して、半導体装置のメタル
ステップカバレッジを改善し、配線不良及びクラックを
減らして収率向上及び信頼性を向上し得るCMOSアナ
ログ半導体装置及びその製造方法を提供しようとするも
のである。 【解決手段】半導体基板201のpウェル202及びn
ウェル203領域に形成するn及びp形MOS電界効果
トランジスタのソース領域253、257及びドレイン
領域254、258や、前記半導体基板201上のフィ
ルド絶縁層204上に形成したキャパシタの下部電極2
25等を、コンタクトホール内に設けた導電層241〜
245を介して電極配線用の金属層280に接続する。
Description
半導体装置及びその製造方法に係るもので、詳しくは、
ポリシリコン等を選択酸化して前記半導体装置の導電領
域及び絶縁領域を一緒に形成する単純な工程により、半
導体装置のメタルステップカバレッジ(Stepcoverage)
を改善すると共に配線不良及びクラックを減らし、収率
及び信頼性を向上し得るCMOSアナログ半導体装置及
びその製造方法に関するものである。
Oxide Semicoductor)アナログ半導体装置においては、
図5に示すように、半導体基板101と、該半導体基板
101上の所定領域に不純物を注入して形成されたpウ
ェル102及びnウェル103と、それらpウェル10
2とnウェル103との接合部の上部並びに、それらウ
ェル102、103領域を除外した前記半導体基板10
1上に夫々形成されたフィルド絶縁層104と、前記p
ウェル102領域に形成されたn形MOS電界効果トラ
ンジスタ(以下、n形MOSFETと称する)105
と、前記nウェル103領域に形成されたp形MOS電
界効果トランジスタ(以下、p形MOSFETと称す
る)106と、前記フィルド絶縁層104上に形成され
たキャパシタ108及び抵抗素子(register;図示され
ず)と、から構成されていた。
前記pウェル102領域上所定領域に形成されたゲート
絶縁層107と、該ゲート絶縁層107上にポリシリコ
ン層111及びシリサイド層121の積層構造に形成さ
れたゲート電極120と、該ゲート電極120両側のp
ウェル102内に所定深さだけ形成された低濃度ドーピ
ング(Lightly Doped Drain ;以下、LDDと称する)
領域151、152を包含したソース及びドレイン領域
153、154と、前記ゲート絶縁層107及びゲート
電極120の両方側壁に形成された側壁スペーサ160
と、該側壁スペーサ160を包含するゲート電極120
上及びフィルド絶縁層104上に低温酸化膜(Low Temp
erature Oxide ;以下、’LTO’と称する)とBPS
G(Boro-Phospho-Silicate Glass )膜とが順次蒸着さ
れて形成された絶縁層170と、該絶縁層170上に形
成されて前記ソース及びドレイン領域153、154と
のコンタクトを形成すると共に電極配線を形成する金属
層180と、を備えていた。そして、前記nウェル10
3上に形成されたp形MOSFET106は前記n形M
OSFET105と同様の構造を有する。
縁層104上に形成されたキャパシタ108及び抵抗
(図示されず)においては、前記フィルド絶縁層104
上にポリシリコン層113とシリサイド層123の積層
構造に形成された下部電極125と、該下部電極125
上の所定領域に形成された絶縁層130と、該絶縁層1
30上所定領域に形成された上部電極140と、前記下
部電極125及び上部電極140上にコンタクト領域が
露出するようにLTO膜及びBPSG膜が順次蒸着形成
された絶縁層170と、前記下部電極125のシリサイ
ド層123とのコンタクトを形成すると共に、下部電極
配線を形成する金属層180と、前記上部電極140上
に形成された抵抗素子(図示されず)と、該抵抗とのコ
ンタクトを形成すると共に上部電極配線を形成する金属
層180と、を備えていた。
ド層123上及び抵抗素子上に夫々形成された金属層1
80は同様な工程により形成された電極配線である。こ
のように構成されたCMOSアナログ半導体装置の製造
方法に対し説明する。先ず、図6(A)に示すように、
半導体基板101上にCMOS素子を形成するためpウ
ェル領域及びnウェル領域を夫々定めた後、p形及びn
形のドープ剤をイオン注入してダブルウェル(double we
ll:pウェル102及びnウェル103)を形成する。
その後、それらpウェル102とnウェル103との接
合部の上部並びにそれら各ウェル102、103領域を
除外した半導体基板101上にフィルド絶縁層104を
夫々形成して、素子分離領域が定められる。以後、前記
半導体基板101のpウェル102及びnウェル103
上に酸化膜のようなゲート絶縁層107を形成し、前記
pウェル102及びnウェル103とフィルド絶縁層1
04とを包含した前記半導体基板101上にポリシリコ
ン膜及びシリサイド膜を蒸着した後写真食刻工程を施し
パターニングして、ポリシリコン層111、112及び
シリサイド層121、122の積層構造に形成されたゲ
ート電極120、124並びに、nウェル103の右側
のフィルド絶縁層104上にポリシリコン層113及び
シリサイド層123の積層構造に形成されたキャパシタ
の下部電極125を夫々形成する。
シタの下部電極125を包含した前記半導体基板101
上に酸化膜及びポリシリコン層を順次蒸着した後、パタ
ーニングして絶縁層130と上部電極140を夫々形成
する。このとき、前記ポリシリコン層を用いて抵抗素子
(図示されず)を形成する。そして、前記絶縁層130
及び上部電極140は下部電極125よりも小さく形成
されるが、その理由は下部電極125のコンタクト領域
を確保するためである。
導体基板101のpウェル102及びnウェル103領
域上に残存するゲート絶縁層107を食刻して除去し、
前記pウェル102及びnウェル103領域内に前記ゲ
ート電極120、124をマスクとして自己整合方式に
より不純物を注入してLDD領域151、152、15
5、156を形成する。その後、前記ゲート電極12
0、124の両方側壁に側壁スペーサ160を夫々形成
し、前記ゲート電極120、124及び側壁スペーサ1
60をマスクとして自己整合方式により前記pウェル及
びnウェル102、103領域内にソース及びドレイン
領域153、154、157、158を夫々形成する。
基板101上全面に表面平坦化及び絶縁のためLTO膜
及びBPSG膜を順次蒸着して絶縁層170を形成した
後、写真食刻法により前記n形MOSFET105及び
p形MOSFET106のソース及びドレイン領域15
3、154、157、158が露出されるように前記絶
縁層170をパターニングしてコンタクトホールを形成
する。以後、該絶縁層170を包含した半導体基板10
1上にアルミニウム膜を蒸着した後選択食刻して金属層
180を形成し、従来のCMOSアナログ半導体装置が
完成される。
素子のサブマイクロ(sub micron)級の微細化に伴
い、コンタクトサイズの縮小は縦横比(aspect ratio)
の増加を招来しており、それで、従来このようなCMO
Sアナログ半導体装置においても同様に、複数のコンタ
クト中キャパシタの下部電極に接続されるコンタクト部
分を拡大してみると、コンタクトホールを中心にして素
子上に蒸着された金属層180は前記コンタクトホール
の内部で均一に蒸着されず(図8参照)、メタルのステ
ップカバレッジが不良になって、配線不良及び信頼性が
低下するという問題点があった。このため、最近、選択
的CVD法を用いているが、工程が複雑で高価な装備を
必要とする問題点があった。
バレッジを向上し、素子の配線不良及びクラック発生を
防止して、収率及び信頼性を向上し得るCMOSアナロ
グ半導体素子及びその製造方法を提供しようとするもの
である。
CMOSアナログ半導体装置は、pウェル及びnウェル
を有した素子領域と、フィルド絶縁層により形成された
素子分離領域を有した半導体基板と、前記pウェル領域
とnウェル領域にそれぞれ形成されるn及びpMOS電
界効果トランジスタと、前記素子分離領域に形成される
キャパシタ及び抵抗を備えたCMOSアナログ半導体装
置であって、前記各電界効果トランジスタ及び前記キャ
パシタの電極配線用コンタクトホール部に、導電層を形
成し、該導電層を介して前記各電界効果トランジスタの
ソース及びドレイン領域及びキャパシタの下部電極と配
線用金属層とを接続する構成とした。
ジスタのソース及びドレイン電極やキャパシタの下部電
極は、コンタクトホール部に形成した導電層を介在して
金属層と電気的に接続される。このため、金属層のステ
ップカバレッジを改善できる。請求項2記載の発明で
は、具体的に、前記各MOS電界効果トランジスタは、
対応するウェル領域上に形成されるゲート電極と、該ゲ
ート電極両方側のウェル内に形成された前記ソース及び
ドレイン領域と、前記ゲート電極の両方側壁と上面及び
前記フィルド絶縁層上に形成された第1絶縁層と、前記
ゲート電極の両方側の前記ソース及びドレイン領域の所
定領域上の前記コンタクトホール部を除いて前記第1絶
縁層上に形成された第2絶縁層と、前記コンタクトホー
ル部に形成されて前記ソース及びドレイン領域に接触す
る前記導電層と、前記導電層に接触する前記金属層と
を、それぞれ備える構成であり、前記キャパシタは、前
記半導体基板のフィルド絶縁層上に形成された下部電極
と、該下部電極を包含したフィルド絶縁層上に下部電極
の前記コンタクトホール部を除いて形成された前記第1
絶縁層と、該第1絶縁層上の前記コンタクトホール部を
除外した下部電極上面のみに形成された上部電極と、前
記コンタクトホール部に形成する前記導電層と、前記第
1絶縁層上に形成されて前記導電層と上部電極とを絶縁
させる前記第2絶縁層と、前記導電層と接触する前記金
属層とを備えた構成される。
パシタの下部電極上に形成された第1絶縁層の所定部位
が、当該キャパシタの誘電体に用いられるようにした。
かかる構成では、第1絶縁層の形成とと同時にキャパシ
タの誘電体が形成される。請求項4記載の発明では、前
記第1絶縁層は、具体的に酸化膜(SiO2)である。
は、ポリシリコン酸化物である。かかる構成では、ポリ
シリコンを選択酸化することで、導電層と同時に第2絶
縁層が形成される。請求項6記載の発明では、具体的に
は、前記導電層は、ポリシリコンにより形成した。
で、第2絶縁層と同時に導電層を形成することが可能で
ある。本発明のCMOSアナログ半導体装置の製造方法
においては、半導体基板の素子領域にp、nウェルを夫
々形成する工程と、前記p、nウェル上の所定領域にゲ
ート電極を夫々形成し、前記フィルド領域上にキャパシ
タ下部電極を形成する工程と、前記ゲート電極の夫々の
両方側壁と上面、及び前記キャパシタ下部電極上の所定
領域に第1絶縁層を形成する工程と、前記第1絶縁層を
形成した半導体基板上に導電層を形成し、該導電層上に
窒化層を形成する工程と、前記窒化層をマスクとして露
出された導電層だけを選択的に酸化させて第2絶縁層を
形成する工程と、マスクされた導電層が露出されるよう
に前記パターニングされた窒化層を食刻して除去する工
程と、前記第2絶縁層をマスクとして前記非酸化の導電
層を介して前記半導体基板のp、nウェル内に高濃度イ
オン注入を施して高濃度ソース及びドレイン領域を形成
する工程と、前記非酸化の導電層上に金属層を形成する
工程と、を順次行ってなることを特徴とする。
去する工程以後に、前記第2絶縁層及び非酸化の導電層
を平坦化する工程が追加行われることを特徴とする。か
かる構成では、金属層の形成面がより平坦化できる。前
記平坦化工程は、請求項9記載のように、第2絶縁層部
と非酸化の導電層部が同じ高さに除去されて平坦化され
るように全面食刻を行うようにする。
導電層部が第2絶縁層部よりも多く除去されるように全
面食刻するようにしてもよい。請求項11記載の発明で
は、前記第1絶縁層を形成する工程以後に、前記第1絶
縁層をマスクとして半導体基板のp、nウェル内に低濃
度イオンを注入して低濃度ソース及びドレイン領域を形
成する工程が追加される。
電極は、前記p、nウェル上のゲート絶縁層上にポリシ
リコン層及びシリサイド層が順次積層されて形成され
る。請求項13記載の発明では、前記キャパシタ下部電
極は、前記フィルド絶縁層領域上にポリシリコン層及び
シリサイド層が順次積層されて形成される。請求項14
記載の発明では、前記第1絶縁層は、酸化膜である。
形成する工程は、前記第2絶縁層及び非酸化の導電層上
に第3絶縁層を蒸着した後コンタクトホールを形成する
ようにパターニングする工程と、前記第3絶縁層上に金
属材料を蒸着した後該コンタクトホールと連結されるよ
うにパターニングして金属層を形成する工程とを含む。
説明する。本発明に係るCMOSアナログ半導体装置に
おいては、図1に示すように、半導体基板201上に定
められたpウェル及びnウェル領域上に不純物を拡散さ
せて形成されたpウェル202及びnウェル203と、
それらpウェル202及びnウェル203領域に夫々n
形MOS電界効果トランジスタ及びp形MOS電界効果
トランジスタを形成してなるCMOS素子と、前記半導
体基板201上のフィルド絶縁層204上に該CMOS
素子の一方側に位置して形成されたキャパシタ及び抵抗
素子(図示されず)と、から構成されている。
02にはn形MOSFETを形成し、nウェル203に
はp形MOSFETを形成してなるものであって、前記
pウェル202に形成されたn形MOSFETは、LD
D構造(251、252)を有するn形のソース及びド
レイン253、254と、前記pウェル202上に形成
されたゲート絶縁層207と、該ゲート絶縁層207上
にポリシリコン層211及びシリサイド層221の積層
構造を有して形成されたゲート電極220と、該ゲート
電極220の上面と側壁並びにフィルド絶縁層204上
に形成された第1絶縁層231、234と、該第1絶縁
層231の両方側面に隣接し前記ソース及びドレイン2
53、254と接触される導電層241、242と、前
記フィルド絶縁層204上の第1絶縁層234上に形成
されて前記導電層241、242と隣接し、前記ゲート
電極220上の第1絶縁層231上に形成された第2絶
縁層247と、前記導電層241、242上にアルミニ
ウム膜を蒸着した後パターニングして形成され、それら
導電層241、242とのコンタクトを形成する電極配
線として用いられる金属層280と、を備えている。
MOSFETは前記n形MOSFETと同様に構成され
る。即ち、n形のソース及びドレイン領域253、25
4はp形のソース及びドレイン領域257、258に、
ゲート電極220はゲート電極224に対応して形成さ
れ、その以外の素子部分も同様である。又、前記半導体
基板201のpウェルとnウェルとの接合部の上部並び
に、それら各ウェル領域を除外した部分に夫々形成され
たフィルド酸化膜中、前記CMOS素子の一方側に位置
したフィルド絶縁層204上に抵抗素子及びキャパシタ
が形成される。
絶縁層204上にポリシリコン層213及びシリサイド
層223の積層構造に形成された下部電極225と、該
下部電極225を包含したフィルド絶縁層204上に形
成され前記下部電極225との連結のためのコンタクト
領域が露出するように形成された第1絶縁層233と、
該第1絶縁層233上のコンタクトホール領域を除外し
た上面のみに形成された上部電極246と、コンタクト
ホールに形成されて前記下部電極225とのコンタクト
を形成するキャパシタにおける導電層としての下部電極
連結層245と、前記第1絶縁層233及び前記下部電
極225のシリサイド層223上の所定領域に形成され
て前記下部電極連結層245と上部電極246を絶縁さ
せる第2絶縁層247と、前記上部電極246上に形成
された抵抗(図示されず)と、前記下部電極連結層24
5と上部電極246上に接触するようにそれぞれ形成さ
れた金属層280と、から構成される。
25上にポリシリコンによりなる上部電極246、前記
下部電極225の下部電極連結層246、及び金属層2
80がそれぞれ形成されるため、上部電極246の幅が
下部電極225よりも小さく形成される。図2は、図1
に示した複数のコンタクト部分及び配線中任意のキャパ
シタの下部電極225に接続されるコンタクト部分を示
している。
のシリサイド層223上に蒸着されたポリシリコン層を
選択酸化することで、前記下部電極上部のシリサイド層
223と接触する非酸化部分の下部電極連結層245
と、前記下部電極連結層245の両方側に形成されて隣
接する所定の導電性素子と電気的に絶縁させる選択酸化
工程により酸化されたポリシリコン酸化物からなる第2
絶縁層247と、が形成される。以後、前記下部電極連
結層245及び第2絶縁膜247上にアルミニウム膜を
形成しパターニングして金属層280が形成される。よ
って、前記コンタクト及び配線は下部電極225のシリ
サイド層223と下部電極連結層245(導電層)とが
接触して形成された第1コンタクトと、前記下部電極連
結層245と金属層280とが接触して形成された第2
コンタクトと、が形成されて、金属層280が下部電極
225のシリサイド層223と直接コンタクトを形成せ
ず、その間に下部電極連結層245が置かれて下部電極
/下部電極連結層/金属層のコンタクト構造が形成され
る。
先ず、図3(A)に示すように、半導体基板201上の
所定領域にCMOS素子領域を定め、不純物イオンを注
入して前記半導体基板201内にp、nウェル202、
203を形成した後、それらp、nウェル202、20
3の接合部の上部並びにそれら各ウェルを除外した領域
にフィルド絶縁層204を形成して、素子分離領域(キ
ャパシタ形成領域を包含)が定められる。
にゲート絶縁層207を形成し、前記半導体基板201
上の全面にポリシリコン膜及びシリサイド膜を順次蒸着
した後、写真食刻工程を施してそれらp、nウェル20
2、203上の所定領域に夫々ポリシリコン層211、
212及びシリサイドサイド層221、222の積層構
造に形成されたn形MOSFETとp形MOSFETの
各ゲート電極220、224を形成し、前記キャパシタ
形成領域のフィルド絶縁層204上にもポリシリコン層
213及びシリサイド層223の積層構造に形成された
キャパシタの下部電極225が同時に形成される。次い
で、各ゲート電極220、224をマスクとして自己整
合法によりp、nウェル内にイオン注入を施して、n形
MOSFETの低濃度ソース及びドレイン251、25
2とp形MOSFETの低濃度ソース及びドレイン領域
255、256を形成する。
ト電極220、221及びキャパシタ下部電極225を
包含した半導体基板201上に酸化膜の材料を蒸着して
第1絶縁層230を形成する。以後、図3(C)に示す
ように、写真食刻工程により該第1絶縁層230をパタ
ーニングして前記各ゲート電極220、224の上面と
両方側壁、前記フィルド絶縁層204、及び前記キャパ
シタ下部電極225上に第1絶縁層231、232、2
33、234を形成する。この時、前記キャパシタ下部
電極225のシリサイド層223上の所定領域を露出さ
せてコンタクト領域を形成する。その結果、前記p、n
ウェル202、203の各低濃度ソース及びドレイン領
域251、252、255、256の上面が露出され
る。
層231、234を包含した半導体基板201上にポリ
シリコン層240及び窒化層290の積層構造を形成す
る。前記キャパシタの下部電極225のシリサイド層2
23上に形成された第1絶縁層233はキャパシタ誘電
体に用いられる。次いで、図4(A)に示すように、前
記窒化層290に写真食刻工程を施してパターニング
し、該パターニングされた窒化層をマスクとして前記ポ
リシリコン層240を選択的に酸化した後、前記パター
ニングされた窒化層を除去する。以後、前記選択酸化さ
れたポリシリコン層240の全面を食刻工程を施して平
坦化させる工程を進行する。この時、該平坦化工程は非
酸化部分と酸化部分が同じ高さに除去されて平坦化され
るように全面を食刻するか、非酸化部分を酸化部分より
も多く除去して非酸化部分が一層露出されるように全面
食刻してもよい。前記パターンは、コンタクト領域及び
キャパシタの上部電極領域が酸化されなくて、導電層2
41〜244及び前記下部電極連結層245と上部電極
246として残り、その以外の領域は酸化されてそれら
導電層241〜244と下部電極連結層245と上部電
極246とを相互に電気的に絶縁させる第2絶縁層24
7となる。
択酸化工程で酸化されないポリシリコン層により形成さ
れたCMOS素子のコンタクト(導電層)領域を通って
前記半導体基板201のpウェル202及びnウェル2
03内のソース及びドレイン領域に夫々高濃度のイオン
を注入した後アニーリングして、n形MOSFETに高
濃度のソース及びドレイン253、254を形成し、p
形MOSFETに高濃度のソース及びドレイン257、
258を形成する。以後、各ゲート電極220、224
及びキャパシタ上部電極246を包含した半導体基板2
01上にアルミニウム膜を蒸着した後パターニングして
金属層280を形成する。該金属層280を形成する工
程は、別の導電性素子との絶縁のため前記選択酸化され
た第2絶縁層247及び下部電極連結層245と上部電
極246上に第3絶縁層(図示されず)を蒸着した後コ
ンタクト領域を形成してパターニングする工程と、前記
第3絶縁層上にアルミニウム膜の金属材料を蒸着しパタ
ーニングして形成することもできる。
明によれば、CMOS素子の各ソース及びドレイン領域
と、キャパシタの下部電極とを、コンタクトホール部に
設けた導電層を介して電極配線用の金属層と電気的に接
続する構成としたので、金属層のステップカバレッジを
改善できると共に、配線不良及びクラックを防止して素
子の収率及び信頼性を向上できる。
構造において、請求項3記載のように第1絶縁層の一部
をキャパシタの誘電体に用いれば、導電領域の絶縁層と
同時に誘電体を形成できる。請求項5,6記載の発明で
は、導電層と、この導電層周囲の絶縁のための第2絶縁
層とを選択酸化処理で形成することができる。
構成するゲート電極、キャパシタを構成する下部電極、
及び第1絶縁層を形成した後、それら上面に導電層を蒸
着しこれを選択酸化し、キャパシタの上部電極と抵抗及
び各導電層のコンタクト領域は酸化せず、絶縁層及び平
坦化層の導電層部分は酸化物に形成することにより、製
造工程が単純になり、コンタクト領域のメチルステップ
カバレッジを改善し、配線不良及びクラックを防止して
素子の収率及び信頼性を向上し得るという効果がある。
面層がより一層平坦化でき、ステップカバレッジを改善
できる。
施形態の断面図である。
タクトを拡大して示した断面図である。
造方法の一実施形態を示す工程順序図である。
ある。
示した工程順序図である。
タの下部電極と接触するコンタクトを拡大して示した断
面図である。
Claims (15)
- 【請求項1】pウェル及びnウェルを有した素子領域
と、フィルド絶縁層により形成された素子分離領域を有
した半導体基板と、前記pウェル領域とnウェル領域に
それぞれ形成されるn及びpMOS電界効果トランジス
タと、前記素子分離領域に形成されるキャパシタ及び抵
抗を備えたCMOSアナログ半導体装置であって、 前記各電界効果トランジスタ及び前記キャパシタの電極
配線用コンタクトホール部に、導電層を形成し、該導電
層を介して前記各電界効果トランジスタのソース及びド
レイン領域及びキャパシタの下部電極と配線用金属層と
を接続する構成としたことを特徴とするCMOSアナロ
グ半導体装置。 - 【請求項2】前記各MOS電界効果トランジスタは、対
応するウェル領域上に形成されるゲート電極と、該ゲー
ト電極両方側のウェル内に形成された前記ソース及びド
レイン領域と、前記ゲート電極の両方側壁と上面及び前
記フィルド絶縁層上に形成された第1絶縁層と、前記ゲ
ート電極の両方側の前記ソース及びドレイン領域の所定
領域上の前記コンタクトホール部を除いて前記第1絶縁
層上に形成された第2絶縁層と、前記コンタクトホール
部に形成されて前記ソース及びドレイン領域に接触する
前記導電層と、前記導電層に接触する前記金属層とを、
それぞれ備える構成であり、 前記キャパシタは、前記半導体基板のフィルド絶縁層上
に形成された下部電極と、該下部電極を包含したフィル
ド絶縁層上に下部電極の前記コンタクトホール部を除い
て形成された前記第1絶縁層と、該第1絶縁層上の前記
コンタクトホール部を除外した下部電極上面のみに形成
された上部電極と、前記コンタクトホール部に形成する
前記導電層と、前記第1絶縁層上に形成されて前記導電
層と上部電極とを絶縁させる前記第2絶縁層と、前記導
電層と接触する前記金属層とを備えた構成である請求項
1記載のCMOSアナログ半導体装置。 - 【請求項3】前記キャパシタの下部電極上に形成された
第1絶縁層の所定部位が、当該キャパシタの誘電体に用
いられることを特徴とする請求項2記載のCMOSアナ
ログ半導体装置。 - 【請求項4】前記第1絶縁層は、酸化膜(SiO2)で
あることを特徴とする請求項2又は3記載のCMOSア
ナログ半導体装置。 - 【請求項5】前記第2絶縁層は、ポリシリコン酸化物で
あることを特徴とする請求項2〜4のいずれか1つに記
載のCMOSアナログ半導体装置。 - 【請求項6】前記導電層は、ポリシリコンにより形成さ
れることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記
載のCMOSアナログ半導体装置。 - 【請求項7】半導体基板の素子領域にp、nウェルを夫
々形成する工程と、 前記p、nウェル上の所定領域にゲート電極を夫々形成
し、前記フィルド領域上にキャパシタ下部電極を形成す
る工程と、 前記ゲート電極の夫々の両方側壁と上面、及び前記キャ
パシタ下部電極上の所定領域に第1絶縁層を形成する工
程と、 前記第1絶縁層を形成した半導体基板上に導電層を形成
し、該導電層上に窒化層を形成する工程と、 前記窒化層をマスクとして露出された導電層だけを選択
的に酸化させて第2絶縁層を形成する工程と、 マスクされた導電層が露出されるように前記パターニン
グされた窒化層を食刻して除去する工程と、 前記第2絶縁層をマスクとして前記非酸化の導電層を介
して前記半導体基板のp、nウェル内に高濃度イオン注
入を施して高濃度ソース及びドレイン領域を形成する工
程と、 前記非酸化の導電層上に金属層を形成する工程と、 を順次行ってなることを特徴とするCMOSアナログ半
導体装置の製造方法。 - 【請求項8】前記窒化層を除去する工程以後に、前記第
2絶縁層及び非酸化の導電層を平坦化する工程が追加行
われることを特徴とする請求項7記載のCMOSアナロ
グ半導体装置の製造方法。 - 【請求項9】前記平坦化工程は、第2絶縁層部と非酸化
の導電層部が同じ高さに除去されて平坦化されるように
全面食刻を行うことを特徴とする請求項8記載のCMO
Sアナログ半導体装置の製造方法。 - 【請求項10】前記平坦化工程は、非酸化の導電層部が
第2絶縁層部よりも多く除去されるように全面食刻する
ことを特徴とする請求項8記載のCMOSアナログ半導
体装置の製造方法。 - 【請求項11】前記第1絶縁層を形成する工程以後に、
前記第1絶縁層をマスクとして半導体基板のp、nウェ
ル内に低濃度イオンを注入して低濃度のソース及びドレ
イン領域を形成する工程が追加される請求項7〜10の
いずれか1つに記載のCMOSアナログ半導体装置の製
造方法。 - 【請求項12】前記各ゲート電極は、前記各ウェル上の
ゲート絶縁層上にポリシリコン層及びシリサイド層が順
次積層されて形成されたことを特徴とする請求項7〜1
1のいずれか1つに記載のCMOSアナログ半導体装置
の製造方法。 - 【請求項13】前記キャパシタ下部電極は、前記フィル
ド絶縁層領域上にポリシリコン層及びシリサイド層が順
次積層されて形成されたことを特徴とする請求項7〜1
2のいずれか1つに記載のCMOSアナログ半導体装置
の製造方法。 - 【請求項14】前記第1絶縁層は、酸化膜であることを
特徴とする請求項7〜13のいずれか1つに記載のCM
OSアナログ半導体装置の製造方法。 - 【請求項15】前記金属層を形成する工程は、前記第2
絶縁層及び非酸化の導電層上に第3絶縁層を蒸着した後
コンタクトホールを形成するようにパターニングする工
程と、前記第3絶縁層上に金属材料を蒸着した後該コン
タクトホールと連結されるようにパターニングして金属
層を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項7
〜14のいずれか1つに記載のCMOSアナログ半導体
装置の製造方法。
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