JPH0918110A - Ｂｇａ型集積回路の実装構造及びその製法 - Google Patents

Ｂｇａ型集積回路の実装構造及びその製法

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JPH0918110A
JPH0918110A JP16024295A JP16024295A JPH0918110A JP H0918110 A JPH0918110 A JP H0918110A JP 16024295 A JP16024295 A JP 16024295A JP 16024295 A JP16024295 A JP 16024295A JP H0918110 A JPH0918110 A JP H0918110A
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透 中村
Kenji Tanabe
賢二 田辺
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 この発明は、ＢＧＡ（ボールグリッドアレ
イ）型集積回路の実装構造に関し、半田付けの信頼性に
優れたＢＧＡ型集積回路の実装構造を提供せんとするも
のである。 【構成】 ＢＧＡ型集積回路１の電極３を電気回路基板
２のパッド４に半田付けしてなるＢＧＡ型集積回路の実
装構造において、ＢＧＡ型集積回路１の電極３より、パ
ッド４上に至るピン６を垂下し、このピン６の回りに半
田バンプ５を形成して成ることを特徴とするＢＧＡ型集
積回路の実装構造。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＢＧＡ（ボールグリ
ッドアレイ）型集積回路の実装構造及びその製法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図５、図６に示すのは、従来の技術によ
り、ＢＧＡ型集積回路１の電極３を電気回路基板２のパ
ッド４に半田付けしたものである。パッド４と電極３の
間には、ピンを介さずに半田バンプ５を介在させただけ
の接合形態を採っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のものにあって
は、パッド４と半田バンプ５、半田バンプ５と電極３と
の接合面積が小さいという欠点があった。
【０００４】このため、半田バンプ５が熱疲労破壊する
おそれがあった。即ち、電源のオン、オフの際に生ずる
ＢＧＡ型集積回路１と電気回路基板２との熱膨張率の差
のために、パッド４と電極３を接合する半田バンプ５に
過大な応力が繰り返し発生し、半田バンプ５が熱的に疲
労し、最終的には、半田クラックが生じ、導通不良を起
こすといった問題がある。
【０００５】本発明は、上記のような点に鑑みてなされ
たものであり、半田付けの信頼性に優れたＢＧＡ型集積
回路の実装構造及びその製法を提供せんとするものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の第１は、ＢＧ
Ａ型集積回路１の電極３を電気回路基板２のパッド４に
半田付けしてなるＢＧＡ型集積回路の実装構造におい
て、ＢＧＡ型集積回路１の電極３より、パッド４上に至
るピン６を垂下し、このピン６の回りに半田バンプ５を
形成して成ることを特徴とするＢＧＡ型集積回路の実装
構造である。
【０００７】ピン６は、パッド４に当接し、あるいは、
略当接する位置まで垂下されていることが望ましい。
【０００８】この発明の第２は、ＢＧＡ型集積回路１の
電極３を電気回路基板２のパッド４に半田付けしてなる
ＢＧＡ型集積回路の実装構造において、ＢＧＡ型集積回
路１の電極３よりピン６を垂下し、このピン６の先端を
電気回路基板２のパッド５に設けたスルホール７に挿通
し、このピン６の回りに半田バンプ５を形成して成るこ
とを特徴とするＢＧＡ型集積回路の実装構造である。
【０００９】この発明の第３は、第２の発明に係るＢＧ
Ａ型集積回路の実装構造の製法であって、電気回路基板
２のパッド４に半田バンプ５１を盛り上げ、他方、ＢＧ
Ａ型集積回路１のピン６にディップ半田５２をディップ
半田付けし、このピン６をスルホール７に挿通して、Ｂ
ＧＡ型集積回路１を電気回路基板２上に配置し、半田バ
ンプ５１をリフローしてディップ半田５２と一体化する
ことを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】第１の発明によれば、電極３とパッド４間に渡
るピン６の回りにも半田バンプ５の接合力が生じるの
で、ＢＧＡ型集積回路１と電気回路基板２との接合が強
固になる。
【００１１】第２の発明によれば、電極３からパッド４
に渡り、その先端がスルホール７に挿入されるピン６の
回りにも半田バンプ５の接合力が生じるので、ＢＧＡ型
集積回路１と電気回路基板２とは、ピン６及び半田バン
プ５によって接合され、その接合が極めて強固となる。
【００１２】第３の発明によれば、半田バンプ５１とデ
ィップ半田５２とから形成される半田バンプ５は、鼓型
をなし、鼓型をなす半田バンプ５は、ボール型のものに
比べ接合強度に優れ、第２の発明のＢＧＡ型集積回路の
実装構造を一層強度的に優れたものとする。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の実施例について説明する。
【００１４】図１は本発明にＢＧＡ型集積回路の実装構
造の一実施例を示す。ＢＧＡ型集積回路１は裏面に形成
した電極３よりピン６を垂下している。このピン６の長
さは半田バンプ５の高さに設定されている。
【００１５】このＢＧＡ型集積回路１は、ピン６の先端
をパッド４に略当接した状態にして電気回路基板２の上
に載置され、ピン６を囲むように充された半田バンプ５
により電極３とパッド４とを接合している。
【００１６】このように、電極３とパッド４間に渡るピ
ン６の回りにも半田バンプ５の接合力が生じるので、Ｂ
ＧＡ型集積回路１と電気回路基板２との接合が強固にな
っている。
【００１７】図２は本発明にＢＧＡ型集積回路の実装構
造の異なる実施例を示す。ＢＧＡ型集積回路１は裏面に
形成した電極３よりピン６を垂下している。このピン６
の長さは半田バンプ５の高さよりやや長めに設定されて
いる。
【００１８】電気回路基板２は、パッド４にスルホール
７を形成している。このＢＧＡ型集積回路１は、ピン６
の先端をパッド４の中央に位置するスルホール７に挿入
した状態にして電気回路基板２の上に配置され、ピン６
を囲むように充されたボール型の半田バンプ５により電
極３とパッド４とを接合している。
【００１９】このように、電極３からパッド４に渡り、
その先端がスルホール７に挿入されるピン６の回りにも
半田バンプ５の接合力が生じるので、ＢＧＡ型集積回路
１と電気回路基板２とは、ピン６及び半田バンプ５によ
って強固に接合されている。
【００２０】図３、図４は本発明にＢＧＡ型集積回路の
実装構造の更に異なる実施例及びその製法を示す。
【００２１】ＢＧＡ型集積回路１は裏面に形成した電極
３よりピン６を垂下している。このピン６の長さは半田
バンプ５の高さよりやや長めに設定されている。
【００２２】電気回路基板２は、パッド４にスルホール
７を形成している。電気回路基板２にＢＧＡ型集積回路
１を実装するのは、次のように行われる。
【００２３】電気回路基板２のパッド４に半田バンプ５
１を盛り上げる。ＢＧＡ型集積回路１のピン６にディッ
プ半田付けを行う。５２はディップ半田である。
【００２４】図４に示すように、ピン６をスルホール７
に挿通して、ＢＧＡ型集積回路１を電気回路基板２上に
載置する。この状態で半田バンプ５１をリフローし、半
田付けを完了する。
【００２５】上記のような手順で半田つけする製法を用
いることにより、半田バンプ５１とディップ半田５２と
からなる半田バンプ５は、鼓型をなす。鼓型をなす半田
バンプ５は、接合強度に優れ、図２に示す実施例よりも
優れたＢＧＡ型集積回路の電気回路基板上への実装構造
を実現する。
【００２６】
【発明の効果】第１の発明によれば、電極３とパッド４
間に渡るピン６の回りにも半田バンプ５の接合力が生じ
るので、ＢＧＡ型集積回路１と電気回路基板２との接合
が強固になる。
【００２７】第２の発明によれば、電極３からパッド４
に渡り、その先端がスルホール７に挿入されるピン６の
回りにも半田バンプ５の接合力が生じるので、ＢＧＡ型
集積回路１と電気回路基板２とは、ピン６及び半田バン
プ５によって接合され、その接合が極めて強固となる。
【００２８】第３の発明によれば、半田バンプ５１とデ
ィップ半田５２とから形成される半田バンプ５は、鼓型
をなし、鼓型をなす半田バンプ５は、ボール型のものに
比べ接合強度に優れ、第２の発明のＢＧＡ型集積回路の
実装構造を一層強度的に優れたものとする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す断面図。
【図２】本発明の異なる実施例を示す断面図。
【図３】本発明の更に異なる実施例を示す断面図。
【図４】同上の断面図。
【図５】従来例を示す斜視図。
【図６】同上の断面図。
【符号の説明】
１ ＢＧＡ型集積回路 ２ 電気回路基板 ３ 電極 ４ パッド ５ 半田バンプ ５１ 半田バンプ ５２ ディップ半田 ６ ピン ７ スルホール

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＢＧＡ型集積回路１の電極３を電気回路
    基板２のパッド４に半田付けしてなるＢＧＡ型集積回路
    の実装構造において、ＢＧＡ型集積回路１の電極３よ
    り、パッド４上に至るピン６を垂下し、このピン６の回
    りに半田バンプ５を形成して成ることを特徴とするＢＧ
    Ａ型集積回路の実装構造。
  2. 【請求項２】 ＢＧＡ型集積回路１の電極３を電気回路
    基板２のパッド４に半田付けしてなるＢＧＡ型集積回路
    の実装構造において、ＢＧＡ型集積回路１の電極３より
    ピン６を垂下し、このピン６の先端を電気回路基板２の
    パッド５に設けたスルホール７に挿通し、このピン６の
    回りに半田バンプ５を形成して成ることを特徴とするＢ
    ＧＡ型集積回路の実装構造。
  3. 【請求項３】 電気回路基板２のパッド４に半田バンプ
    ５１を盛り上げ、他方、ＢＧＡ型集積回路１のピン６に
    ディップ半田５２をディップ半田付けし、このピン６を
    スルホール７に挿通して、ＢＧＡ型集積回路１を電気回
    路基板２上に配置し、半田バンプ５１をリフローしてデ
    ィップ半田５２と一体化することを特徴とする請求項２
    記載のＢＧＡ型集積回路の実装構造の製法。
JP16024295A 1995-06-27 1995-06-27 Ｂｇａ型集積回路の実装構造及びその製法 Withdrawn JPH0918110A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006294828A (ja) * 2005-04-11 2006-10-26 Nec Corp 電子部品およびその実装構造
JP2009065116A (ja) * 2008-05-12 2009-03-26 Shinko Electric Ind Co Ltd 配線基板の製造方法及び配線基板
KR101328551B1 (ko) * 2006-10-02 2013-11-13 삼성전자주식회사 반도체 장치

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