JP2003043104A - 半導体装置の検査装置 - Google Patents
半導体装置の検査装置Info
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- JP2003043104A JP2003043104A JP2001233238A JP2001233238A JP2003043104A JP 2003043104 A JP2003043104 A JP 2003043104A JP 2001233238 A JP2001233238 A JP 2001233238A JP 2001233238 A JP2001233238 A JP 2001233238A JP 2003043104 A JP2003043104 A JP 2003043104A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の外部電極または外部電極に接合
したボール電極に接触端子が接触することにより圧痕が
生じると、半導体装置が基板に実装された時に、圧痕部
分が密封され、加熱されると、圧痕部分に含まれる空気
が膨張してボール電極と実装基板の電極との接続部にお
いて亀裂が生じる。 【解決手段】 接触端子１４の先端部の形状は、先端形
状が４つの凸部を有する割王冠形状２０で、その中央部
に半球状または筒状の凹部１９が設けられている。１６
はボール電極で接触端子１４の先端に接触させる。その
窪みの深さはハンダボール等のボール電極１６の頭頂部
が接触しない深さとする。２１はボール電極１６を底面
から見た接触端子との接触によって生じた傷である。
したボール電極に接触端子が接触することにより圧痕が
生じると、半導体装置が基板に実装された時に、圧痕部
分が密封され、加熱されると、圧痕部分に含まれる空気
が膨張してボール電極と実装基板の電極との接続部にお
いて亀裂が生じる。 【解決手段】 接触端子１４の先端部の形状は、先端形
状が４つの凸部を有する割王冠形状２０で、その中央部
に半球状または筒状の凹部１９が設けられている。１６
はボール電極で接触端子１４の先端に接触させる。その
窪みの深さはハンダボール等のボール電極１６の頭頂部
が接触しない深さとする。２１はボール電極１６を底面
から見た接触端子との接触によって生じた傷である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の検査
装置に関するものであり、特に、検査対象の電極に接触
する接触端子の先端形状を考慮した半導体装置の検査装
置に関するものである。
装置に関するものであり、特に、検査対象の電極に接触
する接触端子の先端形状を考慮した半導体装置の検査装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ
Ａｒｒａｙ）タイプの半導体装置の検査においては、
半導体装置の裏面電極に接合された半田等からなるボー
ル電極に接触させる検査用接続端子の形状は、その先端
部が半球状またはＶ字の凹部であった。
Ａｒｒａｙ）タイプの半導体装置の検査においては、
半導体装置の裏面電極に接合された半田等からなるボー
ル電極に接触させる検査用接続端子の形状は、その先端
部が半球状またはＶ字の凹部であった。
【０００３】図３は、従来の半導体装置の検査装置を示
す断面図である。
す断面図である。
【０００４】図３に示すように、ソケット本体１に設け
られた穴２に挿入された接触端子３の下端は、検査基板
４の上面に形成された電極５に接触し、接触端子３の上
端は被検査対象である半導体装置６の外部電極に形成さ
れたボール電極７に接触する。
られた穴２に挿入された接触端子３の下端は、検査基板
４の上面に形成された電極５に接触し、接触端子３の上
端は被検査対象である半導体装置６の外部電極に形成さ
れたボール電極７に接触する。
【０００５】図４（ａ）は従来の半導体装置の検査装置
の接触端子の部分を示した斜視図であり、図４（ｂ）は
接続端子の先端部にボール電極が接触した状態を示す斜
視図であり、図４（ｃ）は接触端子の先端部がボール電
極に接触して形成された圧痕を示す図である。
の接触端子の部分を示した斜視図であり、図４（ｂ）は
接続端子の先端部にボール電極が接触した状態を示す斜
視図であり、図４（ｃ）は接触端子の先端部がボール電
極に接触して形成された圧痕を示す図である。
【０００６】図４（ａ）〜図４（ｃ）に示すように、３
は接触端子でその先端部で半球状の窪み８を有する。７
は球状のＢＧＡの外部電極に接合したボール電極であ
る。ボール電極７を接触端子３の先端部に接触させる
と、接触部に円周上の傷９が付く。同様に、図５は、別
の従来の半導体装置の検査装置の接触端子を示す斜視図
である。
は接触端子でその先端部で半球状の窪み８を有する。７
は球状のＢＧＡの外部電極に接合したボール電極であ
る。ボール電極７を接触端子３の先端部に接触させる
と、接触部に円周上の傷９が付く。同様に、図５は、別
の従来の半導体装置の検査装置の接触端子を示す斜視図
である。
【０００７】図５に示すように、接触端子３の先端にＶ
字の王冠形状の窪み１０を有する。王冠形状の窪み１０
は、内側に山と谷となる部分を有している。７は球状の
ＢＧＡの外部電極に接合しているボール電極である。ボ
ール電極７を接続端子３に接触させると接触部に王冠形
状の山の部分が食い込んだ不定形の傷１１が付く。
字の王冠形状の窪み１０を有する。王冠形状の窪み１０
は、内側に山と谷となる部分を有している。７は球状の
ＢＧＡの外部電極に接合しているボール電極である。ボ
ール電極７を接続端子３に接触させると接触部に王冠形
状の山の部分が食い込んだ不定形の傷１１が付く。
【０００８】ＢＧＡの外部端子に接合されるボール電極
は、半田からなるボール電極であり、半田の融点未満の
温度の状態であっても、室温以上の高温では半田は軟化
し、バーイン時に接触端子が接触する部分の圧痕は大き
くなる。
は、半田からなるボール電極であり、半田の融点未満の
温度の状態であっても、室温以上の高温では半田は軟化
し、バーイン時に接触端子が接触する部分の圧痕は大き
くなる。
【０００９】例えば、融点１８０[℃]付近の錫鉛共晶ハ
ンダボールでは、１２０[℃]で１０秒間の電気テスト
で、検査用接触端子の１ピン当りの荷重２００[ｍＮ]で
も、ハンダボールに検査用端子の接触による圧痕が発生
する。
ンダボールでは、１２０[℃]で１０秒間の電気テスト
で、検査用接触端子の１ピン当りの荷重２００[ｍＮ]で
も、ハンダボールに検査用端子の接触による圧痕が発生
する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体装置の検査装置は、半導体装置の外部電極または
外部電極に接合したボール電極に接触端子が接触するこ
とにより圧痕が生じると、圧痕部が酸化してしまい、半
導体装置の基板への実装時に、基板の電極とボール電極
との接合力が低下する。
半導体装置の検査装置は、半導体装置の外部電極または
外部電極に接合したボール電極に接触端子が接触するこ
とにより圧痕が生じると、圧痕部が酸化してしまい、半
導体装置の基板への実装時に、基板の電極とボール電極
との接合力が低下する。
【００１１】また、圧痕のサイズが大きくなると、半導
体装置が基板に実装された時に、圧痕部分が密封され、
加熱されると、圧痕部分に含まれる空気が膨張してボー
ル電極と実装基板の電極との接続部において亀裂が生じ
るという不具合があった。
体装置が基板に実装された時に、圧痕部分が密封され、
加熱されると、圧痕部分に含まれる空気が膨張してボー
ル電極と実装基板の電極との接続部において亀裂が生じ
るという不具合があった。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の半導体装置の検査装置は、被検査対
象の半導体装置の電極に接触端子を接触させて検査を行
う半導体装置の検査装置であって、貫通穴が設けられた
ソケット本体と、前記貫通穴に挿入された接触端子とか
らなり、前記接触端子の一端は被検査対象物の半導体装
置の外部端子に接触し、前記接触端子の他端は検査基板
の電極に接触し、前記接触端子の一端は半球状の凹部が
形成され、前記接触端子の一端の側面はＶ字型に開口
し、４点の鋭利な凸部が形成されている。
るために、本発明の半導体装置の検査装置は、被検査対
象の半導体装置の電極に接触端子を接触させて検査を行
う半導体装置の検査装置であって、貫通穴が設けられた
ソケット本体と、前記貫通穴に挿入された接触端子とか
らなり、前記接触端子の一端は被検査対象物の半導体装
置の外部端子に接触し、前記接触端子の他端は検査基板
の電極に接触し、前記接触端子の一端は半球状の凹部が
形成され、前記接触端子の一端の側面はＶ字型に開口
し、４点の鋭利な凸部が形成されている。
【００１３】また、複数の接触端子がソケット本体の複
数の貫通穴に各々挿入され、前記複数の接触端子どうし
のピッチは、０．３〜０．６５[ｍｍ]である。
数の貫通穴に各々挿入され、前記複数の接触端子どうし
のピッチは、０．３〜０．６５[ｍｍ]である。
【００１４】また、半導体装置の外部電極にボール電極
が接合し、接触端子の一端は前記ボール電極に接触す
る。
が接合し、接触端子の一端は前記ボール電極に接触す
る。
【００１５】したがって、接触端子が接触することによ
り形成される被検査対象物の反動体装置の外部端子の圧
痕のサイズを小さくすることができ、接合力の低下や接
合部の亀裂等の不具合の発生を防止できる。
り形成される被検査対象物の反動体装置の外部端子の圧
痕のサイズを小さくすることができ、接合力の低下や接
合部の亀裂等の不具合の発生を防止できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体装置の検査
装置の一実施形態について、図面を参照しながら説明す
る。
装置の一実施形態について、図面を参照しながら説明す
る。
【００１７】図１は、本実施形態の半導体装置の検査装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【００１８】図１に示すように、ソケット本体１２に設
けられた複数の穴１３に複数の接触端子１４が各々挿入
され、接触端子１４の上端（一端）と被検査対象である
ＢＧＡ等の半導体装置１５の外部電極に形成されたボー
ル電極１６とが接触し、接触端子１４の下端（他端）と
検査基板１７の上面に形成された電極１８とが接触し、
接触端子１４にはコイルバネが内蔵されており、検査基
板１７の電極１８およびボール電極１６に対して一定荷
重で接触する。なお、本実施形態では、接触端子１４ど
うしのピッチは、０．３〜０．６５[ｍｍ]である。
けられた複数の穴１３に複数の接触端子１４が各々挿入
され、接触端子１４の上端（一端）と被検査対象である
ＢＧＡ等の半導体装置１５の外部電極に形成されたボー
ル電極１６とが接触し、接触端子１４の下端（他端）と
検査基板１７の上面に形成された電極１８とが接触し、
接触端子１４にはコイルバネが内蔵されており、検査基
板１７の電極１８およびボール電極１６に対して一定荷
重で接触する。なお、本実施形態では、接触端子１４ど
うしのピッチは、０．３〜０．６５[ｍｍ]である。
【００１９】次に、本実施形態の半導体装置の検査装置
の接触端子の上端の形状について詳細に説明する。
の接触端子の上端の形状について詳細に説明する。
【００２０】図２は、本実施形態の半導体装置の検査装
置の接触端子の先端部（一端）の形状を示す斜視図であ
る。
置の接触端子の先端部（一端）の形状を示す斜視図であ
る。
【００２１】図２に示すように、接触端子１４の先端部
のボール電極１６に対する接触部の凹部１９の曲面の曲
率は、接触端子１４に接触するボール電極１６の外面の
曲率よりもやや小さい。従来は、接触端子のボール電極
の曲率よりも、接触端子の凹部の曲率の方がかなり小さ
かったので、接触端子の周囲の凸部のボール電極に対す
る圧力が大きかったが、本実施形態の半導体装置の検査
装置の接触端子１４の先端の凹部の曲率は、ボール電極
１６の曲率よりもわずかに小さいので、接触端子１４の
先端の周囲の凸部のボール電極１６に対する圧力は小さ
くなる。したがって、ボール電極１６の接触端子１４が
接触することによる圧痕のサイズは小さくなる。
のボール電極１６に対する接触部の凹部１９の曲面の曲
率は、接触端子１４に接触するボール電極１６の外面の
曲率よりもやや小さい。従来は、接触端子のボール電極
の曲率よりも、接触端子の凹部の曲率の方がかなり小さ
かったので、接触端子の周囲の凸部のボール電極に対す
る圧力が大きかったが、本実施形態の半導体装置の検査
装置の接触端子１４の先端の凹部の曲率は、ボール電極
１６の曲率よりもわずかに小さいので、接触端子１４の
先端の周囲の凸部のボール電極１６に対する圧力は小さ
くなる。したがって、ボール電極１６の接触端子１４が
接触することによる圧痕のサイズは小さくなる。
【００２２】また、２０は先端形状が４つの凸部を有す
る割王冠形状で、その中央部に半球状または筒状の凹部
１９が設けられている。１６はボール電極で接触端子１
４の先端に接触させる。その窪みの深さはハンダボール
等のボール電極１６の頭頂部が接触しない深さとする。
２１はボール電極１６を底面から見た接触端子との接触
によって生じた傷である。傷２１はハンダボールの頭頂
部を除く円周上に４点からなる。点接触は鋭くボール電
極１６に食い込み、安定した接触が得られる。また半円
状に窪みを設けており、上記の４点以外には接触痕の傷
は付かない。先端は４点以上の点接触であればボール電
極１６を安定して支えられる。接触点数が３点以下では
安定してハンダボールを支えられない。
る割王冠形状で、その中央部に半球状または筒状の凹部
１９が設けられている。１６はボール電極で接触端子１
４の先端に接触させる。その窪みの深さはハンダボール
等のボール電極１６の頭頂部が接触しない深さとする。
２１はボール電極１６を底面から見た接触端子との接触
によって生じた傷である。傷２１はハンダボールの頭頂
部を除く円周上に４点からなる。点接触は鋭くボール電
極１６に食い込み、安定した接触が得られる。また半円
状に窪みを設けており、上記の４点以外には接触痕の傷
は付かない。先端は４点以上の点接触であればボール電
極１６を安定して支えられる。接触点数が３点以下では
安定してハンダボールを支えられない。
【００２３】本実施形態では、４つ割王冠形状の先端形
状に半球状の窪みを設けたが、先に半球状の窪みのある
所に後から４つ割王冠形状の加工を施してもよい。
状に半球状の窪みを設けたが、先に半球状の窪みのある
所に後から４つ割王冠形状の加工を施してもよい。
【００２４】
【発明の効果】本発明の半導体装置の検査装置は、被検
査対象物の半導体装置の外部電極に生じる圧痕のサイズ
を小さくすることができるので、半導体装置を基板に実
装した時の実装不良を抑制できる。
査対象物の半導体装置の外部電極に生じる圧痕のサイズ
を小さくすることができるので、半導体装置を基板に実
装した時の実装不良を抑制できる。
【図１】本発明の一実施形態の半導体装置の検査装置を
示す断面図
示す断面図
【図２】本発明の一実施形態の半導体装置の検査装置を
示す図
示す図
【図３】従来の半導体装置を示す断面図
【図４】従来の半導体装置を示す図
【図５】従来の半導体装置を示す図
１ ソケット本体
２ 穴
３ 接触端子
４ 検査基板
５ 電極
６ 半導体装置
７ ボール電極
８ 半球状の窪み
９ 円周上の傷
１０ 王冠形状の窪み
１１ 不定形の傷
１２ ソケット本体
１３ 穴
１４ 接触端子
１５ 半導体装置
１６ ボール電極
１７ 検査基板
１８ 電極
１９ 凹部
２０ 割王冠形状
２１ 傷
Claims (3)
- 【請求項１】 被検査対象の半導体装置の電極に接触端
子を接触させて検査を行う半導体装置の検査装置であっ
て、貫通穴が設けられたソケット本体と、前記貫通穴に
挿入された接触端子とからなり、前記接触端子の一端は
被検査対象物の半導体装置の外部端子に接触し、前記接
触端子の他端は検査基板の電極に接触し、前記接触端子
の一端は半球状の凹部が形成され、前記接触端子の一端
の側面はＶ字型に開口し、４点の鋭利な凸部が形成され
ていることを特徴とする半導体装置の検査装置。 - 【請求項２】 複数の接触端子がソケット本体の複数の
貫通穴に各々挿入され、前記複数の接触端子どうしのピ
ッチは、０．３〜０．６５[ｍｍ]であることを特徴とす
る請求項１に記載の半導体装置の検査装置。 - 【請求項３】 半導体装置の外部電極にボール電極が接
合し、接触端子の一端は前記ボール電極に接触すること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置の検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001233238A JP2003043104A (ja) | 2001-08-01 | 2001-08-01 | 半導体装置の検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001233238A JP2003043104A (ja) | 2001-08-01 | 2001-08-01 | 半導体装置の検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003043104A true JP2003043104A (ja) | 2003-02-13 |
Family
ID=19065035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001233238A Pending JP2003043104A (ja) | 2001-08-01 | 2001-08-01 | 半導体装置の検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003043104A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005283359A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Kiyota Seisakusho:Kk | ケルビンプローブ |
| US7446545B2 (en) | 2003-05-08 | 2008-11-04 | Unitechno Inc. | Anisotropically conductive sheet |
| US7872629B2 (en) | 2005-09-29 | 2011-01-18 | Hitachi Displays, Ltd. | Shift register circuit and display apparatus using the same |
| KR101759471B1 (ko) * | 2016-02-26 | 2017-07-19 | (주) 테크웰 | 반도체 패키지 테스트 소켓 및 그 제작방법 |
| WO2020217816A1 (ja) * | 2019-04-23 | 2020-10-29 | 株式会社ヨコオ | コンタクトプローブ |
-
2001
- 2001-08-01 JP JP2001233238A patent/JP2003043104A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7446545B2 (en) | 2003-05-08 | 2008-11-04 | Unitechno Inc. | Anisotropically conductive sheet |
| JP2005283359A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Kiyota Seisakusho:Kk | ケルビンプローブ |
| JP4562122B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2010-10-13 | 有限会社清田製作所 | 半田ボール検査用２探針ケルビンプローブ |
| US7872629B2 (en) | 2005-09-29 | 2011-01-18 | Hitachi Displays, Ltd. | Shift register circuit and display apparatus using the same |
| KR101759471B1 (ko) * | 2016-02-26 | 2017-07-19 | (주) 테크웰 | 반도체 패키지 테스트 소켓 및 그 제작방법 |
| WO2020217816A1 (ja) * | 2019-04-23 | 2020-10-29 | 株式会社ヨコオ | コンタクトプローブ |
| US11959940B2 (en) | 2019-04-23 | 2024-04-16 | Yokowo Co., Ltd. | Contact probe |
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