JPH09175889A - 単結晶引き上げ装置 - Google Patents

単結晶引き上げ装置

Info

Publication number
JPH09175889A
JPH09175889A JP7351367A JP35136795A JPH09175889A JP H09175889 A JPH09175889 A JP H09175889A JP 7351367 A JP7351367 A JP 7351367A JP 35136795 A JP35136795 A JP 35136795A JP H09175889 A JPH09175889 A JP H09175889A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
single crystal
quartz crucible
heater
semiconductor
sub
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7351367A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3907727B2 (ja
Inventor
Hirotoshi Yamagishi
浩利 山岸
Kiyotaka Takano
清隆 高野
Masaki Kimura
雅規 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority to JP35136795A priority Critical patent/JP3907727B2/ja
Priority to US08/777,670 priority patent/US5785758A/en
Priority to EP96120852A priority patent/EP0781868A3/en
Publication of JPH09175889A publication Critical patent/JPH09175889A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3907727B2 publication Critical patent/JP3907727B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y10T117/1072—Seed pulling including details of means providing product movement [e.g., shaft guides, servo means]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 石英るつぼ内の半導体融液の熱的な環境を一
定に保ち、均質な半導体単結晶が得られる単結晶引き上
げ装置を提供する。 【解決手段】 石英るつぼ５に収容した半導体融液１３
より半導体単結晶棒１４を引き上げて半導体単結晶を成
長させる単結晶引き上げ装置において、半導体融液１４
の液面が一定の高さに保たれるように石英るつぼ５を昇
降可能に設けるとともに、半導体融液１３の熱的な環境
が一定に保たれるように半導体融液１３を加熱する昇降
可能なメインヒーター７及び昇降可能なサブヒーター１
０を具備した。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チョクラルスキー
法により半導体単結晶を製造するのに用いられる単結晶
引き上げ装置に関する。さらに詳しくは、多結晶半導体
原料を溶融して得られる半導体融液より半導体単結晶棒
を引き上げて半導体単結晶を成長させる単結晶引き上げ
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体単結晶、特にシリコン単結晶を製
造する方法として、いわゆるチョクラルスキー法が広く
用いられている。この方法では、石英るつぼに収容され
たシリコン融液に種結晶を浸漬し、これを引き上げてシ
リコン単結晶棒を成長させるものである。
【０００３】この方法で用いられる単結晶引き上げ装置
は、多結晶シリコン原料を収容する石英るつぼ、該石英
るつぼを保持する黒鉛るつぼ、該黒鉛るつぼの周囲に配
されヒーター、及び該ヒーターの周囲に配される断熱材
等がチャンバー内に収納された構成を有する。
【０００４】上記単結晶引き上げ装置を用いてシリコン
単結晶を成長する際には、多結晶シリコン原料を石英る
つぼ内に投入し、黒鉛るつぼを円周状に取り囲むように
設けられたヒーターにより黒鉛るつぼを側面から加熱す
る。石英るつぼ内に投入された多結晶シリコンは、黒鉛
るつぼ及び石英るつぼを介して側方よりヒーターにより
加熱されるとともに、ヒーターにより加熱された黒鉛る
つぼの輻射熱により石英るつぼを介して下方からも加熱
され、溶融してシリコン融液となる。この状態で、上方
から吊り下げられた種結晶を石英るつぼ内のシリコン融
液に浸漬し、種結晶を回転させながら引き上げることに
よりシリコン単結晶が棒状に成長し、所望のシリコン単
結晶が得られる。
【０００５】単結晶引き上げ中は、石英るつぼ内のシリ
コン融液がシリコン単結晶棒が成長するにつれて減少
し、シリコン融液の液面は次第に低下する。シリコン融
液の液面が低下して液面位置が変化すると熱的な環境も
変化し、均一なシリコン単結晶が得られないので、シリ
コン融液の高さを一定に保つことにより熱的な環境をほ
ぼ一定に保持する必要がある。そのために、石英るつぼ
は黒鉛るつぼと一体的に昇降可能に設けられ、シリコン
単結晶棒の成長度合いに応じてシリコン融液が減少した
分だけ石英るつぼを上昇させるようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】かかる単結晶引き上げ
装置においては、単結晶の成長とともに石英るつぼを上
昇させるので、石英るつぼとヒーターとの相対位置が変
り、十分な加熱ができない恐れがあった。また、石英る
つぼ下方からの加熱は、上述のように黒鉛るつぼの下方
から石英るつぼを輻射で加熱するに留まっているので、
石英るつぼの直径が大きい場合、その断面積も増大する
ので、下方からの加熱は弱まり、やはり十分な加熱がで
きない恐れがあった。
【０００７】従来より、ヒーターを昇降可能な構造にし
て石英るつぼ（黒鉛るつぼ）を加熱する相対的な位置関
係を一定に保つ手段（特開平３−５３９４）、あるいは
石英るつぼ側方のヒーター（以下「メインヒーター」と
言う。）の他に石英るつぼ下方にいわゆるサブヒーター
を固定的に配置して補助的に加熱する手段（特開平２−
１９２４８６）が知られているが、なお十分とは言えな
かった。
【０００８】本発明は上記のような問題点に鑑みてなさ
れたものであり、石英るつぼ内の半導体融液の熱的な環
境を一定に保ち、均質な半導体単結晶を得ることができ
る単結晶引き上げ装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願の請求項１記載の発
明は、石英るつぼに収容した半導体融液より半導体単結
晶棒を引き上げて半導体単結晶を成長させる単結晶引き
上げ装置において、前記半導体融液の液面が一定の高さ
に保たれるように前記石英るつぼを昇降可能に設けると
ともに、前記半導体融液の熱的な環境が一定に保たれる
ように該半導体融液を加熱する昇降可能なメインヒータ
ー及び昇降可能なサブヒーターを具備したことを特徴と
する単結晶引き上げ装置を提供する。
【００１０】本願の請求項２記載の発明は、請求項１記
載の単結晶引き上げ装置において、サブヒーターが石英
るつぼの昇降又はメインヒーターの昇降に連動して昇降
することを特徴とする単結晶引き上げ装置を提供する。
【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１２】本願の請求項１記載の発明は、固定的なサ
ブヒーターによるメインヒーター、黒鉛るつぼ及びチャ
ンバーの相対位置変更ができない点を、サブヒーターを
昇降可能とする機構を具備させることにより改良しよう
とするものである。すなわち、従来の単結晶引き上げ装
置の欠点であったサブヒーターの固定的な配置を改良
し、サブヒーターを例えば２本の電極とともに上下に昇
降可能な可動式とすることにより、かかる問題を解決し
たものである。
【００１３】また、本願の請求項２記載の発明は、サブ
ヒーターの昇降について、石英るつぼの昇降に連動した
機構も設けたことを特徴とする。すなわち、単結晶引き
上げ中に単結晶の成長に伴うシリコン融液表面の位置の
下降を補って常に一定位置を保つように、例えばコンピ
ューターを使用して石英るつぼ位置そのものを連動させ
て上昇させていくようにする。サブヒーターの上下方向
の位置もかかる石英るつぼ位置の同期的な移動に合わせ
てコンピューターにより移動距離を動的に計算し、移動
させていくことが本発明の特徴である。
【００１４】また、サブヒーターの昇降は、石英るつぼ
の移動に連動させるだけでなく、メインヒーターの移動
にも連動させて行うようにすることも可能である。前述
のように、単結晶引き上げにおいては、石英るつぼ中の
シリコン融液の熱的な環境を一定に保つために、石英る
つぼ位置を一定に保ち、メインヒーターをシリコン融液
表面位置の減少量に合わせコンピューターで計算し、連
動させて下降させていく方法も知られている。本発明で
は、メインヒーターに連動させてサブヒーターを石英る
つぼに対して相対的に移動させる機構を持たせることに
より、シリコン融液に対して熱的なバランスをとろうと
するものである。
【００１５】本発明においては、上述のようにサブヒー
ターが昇降可能に設けられているので、サブヒーターが
固定式である場合に比べ、以下のような利点がある。す
なわち、石英るつぼ又はメインヒーターを単結晶引き上
げ中に移動させた場合、サブヒーターが固定式である場
合には、石英るつぼ又はメインヒーターに対してのサブ
ヒーターの空間的な相対位置が変り、固液界面における
温度を固化温度に一定に保とうとする本来の絶対的な目
的を達成するためには、著しく複雑な制御が必要にな
る。
【００１６】すなわち、加熱系においては輻射伝熱が支
配的であるが、固液界面の温度を制御する際には、メイ
ンヒーター、石英るつぼ及びサブヒーターが所定の相対
的位置にある場合の各々の輻射伝熱形態係数を計算し、
それをもとに固液界面温度を一定に保つように伝熱計算
を行い、その結果に基づいてメインヒーター及びサブヒ
ーターの出力制御を行う。したがって、メインヒーター
又は石英るつぼとサブヒーターとの相対的な位置が変化
した場合は、固液界面温度を一定に保つように新たな伝
熱計算が必要となり、制御が著しく複雑になる。
【００１７】しかし、本発明においては、メインヒータ
ー又は石英るつぼとサブヒーターとの相対的位置は常に
一定に保たれるので、伝熱計算を繰り返す必要はなく、
制御が極めて容易である。
【００１８】
【実施の形態】以下に、本発明の一実施形態を添付図面
に基づいて説明する。
【００１９】図１は本発明の単結晶引き上げ装置の一実
施形態を示す縦断面図である。図において、密閉タンク
状のチャンバー１内の中心には中空状の支持軸２が下方
から垂直に臨んでおり、支持軸２の上端部には上下２段
の支持台３及び４が取り付けられている。そして、支持
台３上には、石英るつぼ５と該石英るつぼ５の周囲を囲
ってこれを保護する黒鉛るつぼ６が載置されている。石
英るつぼ５と黒鉛るつぼ６は、支持軸２が軸方向に移動
することにより上下に昇降できる構造になっている。
【００２０】一方、チャンバー１内において、石英るつ
ぼ５及び黒鉛るつぼ６の側方の周囲には円筒状のメイン
ヒーター７が配置され、さらにメインヒーター７の周囲
には同じく円筒状の断熱材８が配されている。メインヒ
ーター７の下部には電極９が配され、上下に昇降できる
ようになっている。
【００２１】また、チャンバー１内において、石英るつ
ぼ５及び黒鉛るつぼ６の下方には円板状のサブヒーター
１０が配されている。サブヒーター１０の下端部には電
極１１が配され、上下に昇降できるようになっている。
【００２２】なお、チャンバー１の周壁には冷却水通路
（図示せず。）が設けられ、ここに冷却水を流すことに
よってチャンバー１壁面が冷却されている。
【００２３】次に、当該単結晶引き上げ装置を用いてシ
リコン単結晶を成長させる工程について説明する。ま
ず、石英るつぼ５内に投入された多結晶シリコン原料
は、メインヒーター７及びサブヒーター１０によって加
熱されて溶融せしめられ、石英るつぼ５内にシリコン融
液１３が満たされる。そして、上方から吊り下げられる
種結晶１５をシリコン融液１３に浸漬し、種結晶１５を
回転させながら所定の速度で引き上げることにより、種
結晶１５の先に所望のシリコン単結晶棒１４が成長す
る。
【００２４】シリコン単結晶の引き上げ重量が増すにつ
れてシリコン融液１３の体積が減少するので、メインヒ
ーター７に対するシリコン融液１３の表面位置は徐々に
変わってくる。これによるシリコン単結晶とシリコン融
液との界面の位置における温度の固化温度からのずれを
補正するために、単結晶重量に連動した計算により、所
望の距離だけ石英るつぼ５及び黒鉛るつぼ６を上昇させ
るか、あるいはメインヒーター７を所望の距離だけ下降
させる。また、サブヒーター１０は、図２に示すよう
に、計算機により石英るつぼ５及び黒鉛るつぼ６を上昇
させる場合はこれらと連動させて等距離上昇させ、メイ
ンヒーター７を下降させる場合はこれと連動させて等距
離下降させる。
【００２５】
【実施例】次に、当該単結晶引き上げ装置を用いてシリ
コン単結晶棒を引き上げて成長させた例を示す。
【００２６】まず、石英るつぼ５内にシリコン多結晶原
料２１０ｋｇを投入し、メインヒーター７によって加熱
して溶融させ、石英るつぼ５内にシリコン融液１３を得
た。このシリコン融液１３に、上方から吊り下げられた
種結晶を浸漬し、該種結晶を回転させながらこれを所定
の速度で引き上げ、種結晶の先に直径３００ｍｍの単結
晶を成長させた。単結晶の引き上げ重量が増すにつれシ
リコン融液の体積が減少てシリコン融液の表面位置がメ
インヒーター７に対して相対的に変るので、単結晶と融
液との界面の位置における温度を固化温度に保つため
に、単結晶重量に連動した計算により、所望の距離だけ
石英るつぼ５及び黒鉛るつぼ６を上昇させた。また、サ
ブヒーター１０を、石英るつぼ５及び黒鉛るつぼ６と連
動させて等距離上昇させた。引き上がったシリコン単結
晶棒は、直径の公差が３００ｍｍ±５ｍｍの範囲内に収
まり、高精度のシリコン単結晶棒が得られた。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明で明らかな如く、本発明によ
れば、石英るつぼに収容した半導体融液より半導体単結
晶棒を引き上げて半導体単結晶を成長させる単結晶引き
上げ装置において、前記半導体融液の液面が一定の高さ
に保たれるように前記石英るつぼを昇降可能に設けると
ともに、前記半導体融液の熱的な環境が一定に保たれる
ように該半導体融液を加熱する昇降可能なメインヒータ
ー及び昇降可能なサブヒーターを具備したことにより、
複雑な制御を行うことなく石英るつぼ内の半導体融液の
熱的な環境を一定に保ち、均質な半導体単結晶を得るこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係わる単結晶引き上げ装
置を示す縦断面図である。
【図２】サブヒーターの昇降制御法を示すブロック図で
ある。
【符号の説明】
１ チャンバー ２ 支持軸 ３，４ 支持台 ５ 石英るつぼ ６ 黒鉛るつぼ ７ メインヒーター ８ 断熱材 ９，１１ 電極 １０ サブヒーター １３ シリコン融液 １４ シリコン単結晶棒 １５ 種結晶

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 石英るつぼに収容した半導体融液より半
    導体単結晶棒を引き上げて半導体単結晶を成長させる単
    結晶引き上げ装置において、前記半導体融液の液面が一
    定の高さに保たれるように前記石英るつぼを昇降可能に
    設けるとともに、前記半導体融液の熱的な環境が一定に
    保たれるように該半導体融液を加熱する昇降可能なメイ
    ンヒーター及び昇降可能なサブヒーターを具備したこと
    を特徴とする単結晶引き上げ装置。
  2. 【請求項２】 前記サブヒーターは前記石英るつぼの昇
    降又は前記メインヒーターの昇降に連動して昇降するこ
    とを特徴とする請求項１記載の単結晶引き上げ装置。
JP35136795A 1995-12-26 1995-12-26 単結晶引き上げ装置 Expired - Lifetime JP3907727B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35136795A JP3907727B2 (ja) 1995-12-26 1995-12-26 単結晶引き上げ装置
US08/777,670 US5785758A (en) 1995-12-26 1996-12-20 Single crystal growing apparatus
EP96120852A EP0781868A3 (en) 1995-12-26 1996-12-23 A single crystal growing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35136795A JP3907727B2 (ja) 1995-12-26 1995-12-26 単結晶引き上げ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09175889A true JPH09175889A (ja) 1997-07-08
JP3907727B2 JP3907727B2 (ja) 2007-04-18

Family

ID=18416820

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP35136795A Expired - Lifetime JP3907727B2 (ja) 1995-12-26 1995-12-26 単結晶引き上げ装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5785758A (ja)
EP (1) EP0781868A3 (ja)
JP (1) JP3907727B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001063023A1 (fr) * 2000-02-22 2001-08-30 Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. Procede permettant de faire pousser des monocristaux de semi-conducteur
JP2010150052A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Sumitomo Metal Mining Co Ltd サファイア単結晶育成装置
WO2011108417A1 (ja) * 2010-03-04 2011-09-09 昭和電工株式会社 サファイア単結晶の製造方法、サファイア単結晶引き上げ装置及びサファイア単結晶
JP2011236092A (ja) * 2010-05-12 2011-11-24 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶製造装置および単結晶の製造方法
JP2019167285A (ja) * 2018-03-26 2019-10-03 住友金属鉱山株式会社 単結晶育成装置及び単結晶育成方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6309461B1 (en) * 1999-06-07 2001-10-30 Sandia Corporation Crystal growth and annealing method and apparatus
JP4150167B2 (ja) * 2001-02-16 2008-09-17 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコン単結晶の製造方法
JP4184725B2 (ja) * 2002-07-12 2008-11-19 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 単結晶半導体の製造方法、単結晶半導体の製造装置
CN110172730B (zh) * 2019-06-25 2023-11-10 内蒙古中环光伏材料有限公司 一种单晶炉用加热器及其加热工艺
CN115341265B (zh) * 2021-05-13 2024-04-19 内蒙古中环晶体材料有限公司 一种埚底吸空后的复投工艺

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4650540A (en) * 1975-07-09 1987-03-17 Milton Stoll Methods and apparatus for producing coherent or monolithic elements
US4784715A (en) * 1975-07-09 1988-11-15 Milton Stoll Methods and apparatus for producing coherent or monolithic elements
DE2634256A1 (de) * 1976-07-30 1978-02-02 Gni I Pi Pedkometallitscheskoj Einrichtung zur gruppenweisen zuechtung von einkristallen aus der schmelze
JP2681114B2 (ja) 1989-01-20 1997-11-26 住友シチックス株式会社 単結晶製造方法
JPH02293390A (ja) * 1989-05-01 1990-12-04 Kawasaki Steel Corp 単結晶引上げ装置
JP2678383B2 (ja) * 1989-05-30 1997-11-17 信越半導体 株式会社 単結晶上装置
JPH03183689A (ja) * 1989-12-11 1991-08-09 Mitsubishi Materials Corp 単結晶引上装置および引上方法
US5260037A (en) * 1990-03-12 1993-11-09 Osaka Titanium Co., Ltd. Apparatus for producing silicon single crystal
US5162072A (en) * 1990-12-11 1992-11-10 General Electric Company Apparatus and method for control of melt flow pattern in a crystal growth process
JPH06279170A (ja) * 1993-03-29 1994-10-04 Sumitomo Sitix Corp 単結晶の製造方法及びその装置
DE4318184A1 (de) * 1993-06-01 1994-12-08 Wacker Chemitronic Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001063023A1 (fr) * 2000-02-22 2001-08-30 Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. Procede permettant de faire pousser des monocristaux de semi-conducteur
US7235133B2 (en) 2000-02-22 2007-06-26 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for growing single crystal of semiconductor
KR100733114B1 (ko) * 2000-02-22 2007-06-27 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 반도체단결정의 성장방법
JP2010150052A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Sumitomo Metal Mining Co Ltd サファイア単結晶育成装置
WO2011108417A1 (ja) * 2010-03-04 2011-09-09 昭和電工株式会社 サファイア単結晶の製造方法、サファイア単結晶引き上げ装置及びサファイア単結晶
JP2011236092A (ja) * 2010-05-12 2011-11-24 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶製造装置および単結晶の製造方法
JP2019167285A (ja) * 2018-03-26 2019-10-03 住友金属鉱山株式会社 単結晶育成装置及び単結晶育成方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3907727B2 (ja) 2007-04-18
EP0781868A2 (en) 1997-07-02
US5785758A (en) 1998-07-28
EP0781868A3 (en) 1998-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5714004A (en) Process for producing polycrystalline semiconductors
EP0781865B1 (en) Process for producing polycrystalline semiconductors
JP4830312B2 (ja) 化合物半導体単結晶とその製造方法
JP3907727B2 (ja) 単結晶引き上げ装置
JPH1179880A (ja) 大口径蛍石の製造装置および製造方法
CN114277434A (zh) 一种用于单晶生长的热场调节装置和方法
US7195671B2 (en) Thermal shield
JP2560418B2 (ja) 単結晶の育成装置
JPH0315550Y2 (ja)
JPS5930795A (ja) 単結晶引上装置
JP3725280B2 (ja) 蛍石単結晶の製造装置及び製造方法
KR20190088653A (ko) 실리콘 단결정 성장 방법 및 장치
JP3079991B2 (ja) 単結晶の製造装置および製造方法
JPH06345585A (ja) 単結晶引き上げ装置
JPH01317188A (ja) 半導体単結晶の製造方法及び装置
KR100831809B1 (ko) 쵸크랄스키법에 의한 잉곳 성장용 히터 및 이를 구비하는단결정 잉곳 제조 장치
JP2024504533A (ja) 単結晶成長用の熱場調整装置及び方法
JPH05139879A (ja) 単結晶成長装置及び単結晶成長方法
CN105803518A (zh) 类提拉法单晶生长装置及方法
JPH10324592A (ja) 単結晶引き上げ装置
JPH02172885A (ja) シリコン単結晶の製造方法
JPH05319973A (ja) 単結晶製造装置
JPH08333189A (ja) 結晶引き上げ装置
JPH0782084A (ja) 単結晶成長方法及び単結晶成長装置
CN115537911A (zh) 提拉法制备大尺寸晶体的方法和设备

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20031216

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040119

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040315

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20040510

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20040528

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061212

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070117

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100126

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100126

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110126

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110126

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120126

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120126

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130126

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130126

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140126

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term