JPH06279170A - 単結晶の製造方法及びその装置 - Google Patents
単結晶の製造方法及びその装置Info
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- JPH06279170A JPH06279170A JP5095617A JP9561793A JPH06279170A JP H06279170 A JPH06279170 A JP H06279170A JP 5095617 A JP5095617 A JP 5095617A JP 9561793 A JP9561793 A JP 9561793A JP H06279170 A JPH06279170 A JP H06279170A
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
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- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
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- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1076—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone
- Y10T117/1088—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone including heating or cooling details
Abstract
(57)【要約】
【目的】 溶融層法における固体層と単結晶との接触を
回避し得る単結晶の製造方法及びその実施に使用する装
置を提供する。 【構成】 坩堝３の外周にはヒータ４が周設されてい
る。ヒータ４の下方には、ヒータ４を上下移動させるた
めの軸を兼ねた電極4aが取り付けられており、電極4aの
下端は板部4bにて固定され、チャンバ１の下壁と板部4b
との間の電極4aの周囲はベローズ4eにて囲まれている。
板部4bは両側に設けられたガイド4cに沿って上下移動す
るようになっており、この移動は昇降機構4dにて行うよ
うになしてある。そして引き上げ軸12の引き上げ速度に
応じてヒータ４の位置を移動調節して、単結晶８を成長
させる。
回避し得る単結晶の製造方法及びその実施に使用する装
置を提供する。 【構成】 坩堝３の外周にはヒータ４が周設されてい
る。ヒータ４の下方には、ヒータ４を上下移動させるた
めの軸を兼ねた電極4aが取り付けられており、電極4aの
下端は板部4bにて固定され、チャンバ１の下壁と板部4b
との間の電極4aの周囲はベローズ4eにて囲まれている。
板部4bは両側に設けられたガイド4cに沿って上下移動す
るようになっており、この移動は昇降機構4dにて行うよ
うになしてある。そして引き上げ軸12の引き上げ速度に
応じてヒータ４の位置を移動調節して、単結晶８を成長
させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、単結晶の製造方法及び
その実施に使用する装置に関する。
その実施に使用する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】単結晶を成長させるには種々の方法があ
るが、その一つにチョクラルスキー法（ＣＺ法) と呼ば
れる引き上げ方法がある。図５はＣＺ法に用いられる従
来の単結晶の製造装置を示す模式的縦断面図であり、図
中３は図示しないチャンバ内に配設された坩堝を示して
いる。坩堝３は有底円筒状の石英製の内層保持容器3a
と、この内層保持容器3aの外側に嵌合された同じく有底
円筒状の黒鉛製の外層保持容器3bとから構成されてお
り、坩堝３の外側には抵抗加熱式のヒータ４が同心円上
に周設されている。坩堝３内にはこのヒータ４により溶
融された原料の溶融液７が充填されており、坩堝３の中
心には引き上げ棒又はワイヤー等からなる引き上げ軸12
が配設されている。この引き上げ軸12の先には種結晶13
が取り付けられており、単結晶８を成長させる際には、
この種結晶13を溶融液７の表面に接触させて引き上げ軸
12を引き上げていくことにより、溶融液７が凝固して形
成される単結晶８を成長させていく。
るが、その一つにチョクラルスキー法（ＣＺ法) と呼ば
れる引き上げ方法がある。図５はＣＺ法に用いられる従
来の単結晶の製造装置を示す模式的縦断面図であり、図
中３は図示しないチャンバ内に配設された坩堝を示して
いる。坩堝３は有底円筒状の石英製の内層保持容器3a
と、この内層保持容器3aの外側に嵌合された同じく有底
円筒状の黒鉛製の外層保持容器3bとから構成されてお
り、坩堝３の外側には抵抗加熱式のヒータ４が同心円上
に周設されている。坩堝３内にはこのヒータ４により溶
融された原料の溶融液７が充填されており、坩堝３の中
心には引き上げ棒又はワイヤー等からなる引き上げ軸12
が配設されている。この引き上げ軸12の先には種結晶13
が取り付けられており、単結晶８を成長させる際には、
この種結晶13を溶融液７の表面に接触させて引き上げ軸
12を引き上げていくことにより、溶融液７が凝固して形
成される単結晶８を成長させていく。
【０００３】このＣＺ法では、単結晶８の電気抵抗率，
電気伝導型を調整するために、引き上げ前に溶融液７中
に不純物元素を添加することが多い。ところが添加した
不純物は単結晶８の結晶成長方向に偏析するという現象
が生じ、その結果、結晶成長方向に均一な電気特性を有
する単結晶８が得られないという問題があった。この偏
析は、溶融液７と単結晶８との成長界面における単結晶
８の不純物濃度ＣS と溶融液７中の不純物濃度ＣL との
比ＣS ／ＣL 、即ち実効偏析係数Ｋe が１でないことに
起因する。例えばＫe ＜１の場合には単結晶８が成長す
るに伴って溶融液７中の不純物濃度が高くなり、単結晶
８に偏析が生じる。
電気伝導型を調整するために、引き上げ前に溶融液７中
に不純物元素を添加することが多い。ところが添加した
不純物は単結晶８の結晶成長方向に偏析するという現象
が生じ、その結果、結晶成長方向に均一な電気特性を有
する単結晶８が得られないという問題があった。この偏
析は、溶融液７と単結晶８との成長界面における単結晶
８の不純物濃度ＣS と溶融液７中の不純物濃度ＣL との
比ＣS ／ＣL 、即ち実効偏析係数Ｋe が１でないことに
起因する。例えばＫe ＜１の場合には単結晶８が成長す
るに伴って溶融液７中の不純物濃度が高くなり、単結晶
８に偏析が生じる。
【０００４】このような偏析を抑制する方法として溶融
層法が知られている。図６はこの溶融層法の実施に使用
される単結晶の製造装置を示す模式的縦断面図である。
溶融層法はヒータの制御によって坩堝３内の下部に結晶
用原料の固体層21を、またその上方に結晶用原料の溶融
液層22を共存させ、溶融液層22に種結晶13を接触させて
引き上げ軸12を引き上げ単結晶８を成長させる方法であ
る。この方法では、単結晶８の成長に伴い固体層21を溶
解することにより、溶融液層22中の不純物濃度を一定に
保持し、偏析を抑制することが可能である。またこの方
法は上述のＣＺ法で使用する装置にて実施可能であると
いう利点がある。
層法が知られている。図６はこの溶融層法の実施に使用
される単結晶の製造装置を示す模式的縦断面図である。
溶融層法はヒータの制御によって坩堝３内の下部に結晶
用原料の固体層21を、またその上方に結晶用原料の溶融
液層22を共存させ、溶融液層22に種結晶13を接触させて
引き上げ軸12を引き上げ単結晶８を成長させる方法であ
る。この方法では、単結晶８の成長に伴い固体層21を溶
解することにより、溶融液層22中の不純物濃度を一定に
保持し、偏析を抑制することが可能である。またこの方
法は上述のＣＺ法で使用する装置にて実施可能であると
いう利点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが上述の溶融層
法では、結晶成長中に固体層21上の溶融液層22の中央部
が固化し、引き上げ中の単結晶８と接触することが度々
あった。この状態を図７に示す。この接触が起こると、
単結晶８そのものが損傷するだけでなく、シャフトタイ
プでは、シード（種結晶）折れ，結晶落下が、またワイ
ヤタイプでもワイヤ捩じれ，ワイヤ切断等の２次災害が
発生し、非常に危険である。
法では、結晶成長中に固体層21上の溶融液層22の中央部
が固化し、引き上げ中の単結晶８と接触することが度々
あった。この状態を図７に示す。この接触が起こると、
単結晶８そのものが損傷するだけでなく、シャフトタイ
プでは、シード（種結晶）折れ，結晶落下が、またワイ
ヤタイプでもワイヤ捩じれ，ワイヤ切断等の２次災害が
発生し、非常に危険である。
【０００６】この固体層と単結晶との接触は、結晶界面
直下の温度が影響していると思われる。発明者らはこの
結晶界面直下の温度を決定する要因は、引き上げ速度及
び液面に対するヒータの位置であることを解明し、これ
らの相関関係を求めた。本発明は斯かる知見に基づいて
なされたものであり、単結晶の引き上げ速度と溶融液面
に対するヒータの位置との関係を所定範囲内に保持する
ことにより、固体層と単結晶との接触を回避することが
可能な単結晶の製造方法及びその実施に使用する装置を
提供することを目的とする。
直下の温度が影響していると思われる。発明者らはこの
結晶界面直下の温度を決定する要因は、引き上げ速度及
び液面に対するヒータの位置であることを解明し、これ
らの相関関係を求めた。本発明は斯かる知見に基づいて
なされたものであり、単結晶の引き上げ速度と溶融液面
に対するヒータの位置との関係を所定範囲内に保持する
ことにより、固体層と単結晶との接触を回避することが
可能な単結晶の製造方法及びその実施に使用する装置を
提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る単結晶の製
造方法は、坩堝内の原料の上部はヒータにて溶融して溶
融液層とし、下部は固体層とし、種結晶を前記溶融液層
の表面に接触させて引き上げることにより、前記溶融液
層の溶融液が凝固して形成される単結晶を成長させる単
結晶の製造方法において、前記単結晶の引き上げ速度に
応じて、前記溶融液層の表面位置に対する前記ヒータの
位置を上下方向に移動調節して、前記単結晶を成長させ
ることを特徴とする。
造方法は、坩堝内の原料の上部はヒータにて溶融して溶
融液層とし、下部は固体層とし、種結晶を前記溶融液層
の表面に接触させて引き上げることにより、前記溶融液
層の溶融液が凝固して形成される単結晶を成長させる単
結晶の製造方法において、前記単結晶の引き上げ速度に
応じて、前記溶融液層の表面位置に対する前記ヒータの
位置を上下方向に移動調節して、前記単結晶を成長させ
ることを特徴とする。
【０００８】本発明に係る単結晶の製造装置は、坩堝内
の原料の上部はヒータにて溶融して溶融液層とし、下部
は固体層とし、種結晶を前記溶融液層の表面に接触させ
て引き上げることにより、前記溶融液層の溶融液が凝固
して形成される単結晶を成長させる単結晶の製造装置に
おいて、前記ヒータが前記単結晶の引き上げ方向に移動
可能な構成となしてあることを特徴とする。
の原料の上部はヒータにて溶融して溶融液層とし、下部
は固体層とし、種結晶を前記溶融液層の表面に接触させ
て引き上げることにより、前記溶融液層の溶融液が凝固
して形成される単結晶を成長させる単結晶の製造装置に
おいて、前記ヒータが前記単結晶の引き上げ方向に移動
可能な構成となしてあることを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明にあっては、単結晶の引き上げ速度に応
じて、溶融液層の表面位置に対するヒータの位置を上下
方向に移動調節することにより、溶融液の温度低下を防
止し、溶融液層の中央部が固化することによる固体層と
単結晶との接触を回避することが可能である。また、ヒ
ータを溶融液層の表面位置に対して上下方向に移動可能
な構成とすることにより、単結晶の引き上げ中に引き上
げ速度又はヒータ出力等が変動して溶融液層の温度が低
下しても、ヒータを移動させることによって溶融液層の
温度が回復し、固体層と単結晶との接触を回避すること
ができる。
じて、溶融液層の表面位置に対するヒータの位置を上下
方向に移動調節することにより、溶融液の温度低下を防
止し、溶融液層の中央部が固化することによる固体層と
単結晶との接触を回避することが可能である。また、ヒ
ータを溶融液層の表面位置に対して上下方向に移動可能
な構成とすることにより、単結晶の引き上げ中に引き上
げ速度又はヒータ出力等が変動して溶融液層の温度が低
下しても、ヒータを移動させることによって溶融液層の
温度が回復し、固体層と単結晶との接触を回避すること
ができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
き具体的に説明する。図１は本発明に係る単結晶の製造
装置の模式的縦断面図であり、溶融層法の実施状態を示
している。図中１は円筒形状の真空容器からなるチャン
バであり、チャンバ１の中央位置には坩堝３が配設され
ている。坩堝３は有底円筒形状で石英製の内層保持容器
3aとこの内層保持容器3aの外側に嵌合された同じく有底
円筒形状で黒鉛製の外層保持容器3bとから構成されてお
り、この坩堝３の外層保持容器3bの底部には坩堝３を回
転並びに昇降させる軸10が設けられている。坩堝３の上
方にはチャンバ１の上部に連設された小型の円筒形状の
プルチャンバ２を通して引き上げ軸12が回転、並びに昇
降可能に垂設されており、引き上げ軸12の下部には種結
晶13が着脱可能に装着されている。
き具体的に説明する。図１は本発明に係る単結晶の製造
装置の模式的縦断面図であり、溶融層法の実施状態を示
している。図中１は円筒形状の真空容器からなるチャン
バであり、チャンバ１の中央位置には坩堝３が配設され
ている。坩堝３は有底円筒形状で石英製の内層保持容器
3aとこの内層保持容器3aの外側に嵌合された同じく有底
円筒形状で黒鉛製の外層保持容器3bとから構成されてお
り、この坩堝３の外層保持容器3bの底部には坩堝３を回
転並びに昇降させる軸10が設けられている。坩堝３の上
方にはチャンバ１の上部に連設された小型の円筒形状の
プルチャンバ２を通して引き上げ軸12が回転、並びに昇
降可能に垂設されており、引き上げ軸12の下部には種結
晶13が着脱可能に装着されている。
【００１１】一方、坩堝３の外周には抵抗加熱コイル等
で構成されたヒータ４が周設されており、このヒータ４
は以下の構成により昇降可能になしてある。即ち、ヒー
タ４の下方に、ヒータ４を上下移動させるための軸を兼
ねた電極4aが取り付けられており、電極4aの下端は板部
4bにて固定され、チャンバ１の下壁と板部4bとの間の電
極4aの周囲はベローズ4eにて囲まれている。板部4bは両
側に設けられたガイド4cに沿って上下移動するようにな
っており、この移動は昇降機構4dにて行うようになして
ある。
で構成されたヒータ４が周設されており、このヒータ４
は以下の構成により昇降可能になしてある。即ち、ヒー
タ４の下方に、ヒータ４を上下移動させるための軸を兼
ねた電極4aが取り付けられており、電極4aの下端は板部
4bにて固定され、チャンバ１の下壁と板部4bとの間の電
極4aの周囲はベローズ4eにて囲まれている。板部4bは両
側に設けられたガイド4cに沿って上下移動するようにな
っており、この移動は昇降機構4dにて行うようになして
ある。
【００１２】以上の如き構成の本発明装置においては、
前記ヒータ４により坩堝３内の原料の上部を溶融して所
要厚さの溶融液層22とし、下部は所要厚さの固体層21と
して、種結晶13の下端を溶融液層22中に浸漬した後、こ
れを回転させつつ上昇させることにより、種結晶13の下
端から単結晶８を成長させていくようになっている。
前記ヒータ４により坩堝３内の原料の上部を溶融して所
要厚さの溶融液層22とし、下部は所要厚さの固体層21と
して、種結晶13の下端を溶融液層22中に浸漬した後、こ
れを回転させつつ上昇させることにより、種結晶13の下
端から単結晶８を成長させていくようになっている。
【００１３】次に本発明方法について説明する。図２，
図３，図４は、夫々使用回数等の条件が異なる装置にお
いて、溶融液層22の液面とヒータ４の上端との高低差
（ヒータ位置）と引き上げ速度との組み合わせを異なら
せて、固体層と単結晶との接触の有無を調べた結果を示
すものである。ここでヒータ４の上下方向の長さｋは 1
50mm、坩堝３は16″φ×14″ｈ、原料は65kgチャージで
ある。引き上げ速度及びヒータ位置の値が大きいほど溶
融液の温度は下がるため、固体層と単結晶との接触が起
こる可能性は高まるが、図中に示す破線より下側部分の
組み合わせでは、この接触は起こらなかった。
図３，図４は、夫々使用回数等の条件が異なる装置にお
いて、溶融液層22の液面とヒータ４の上端との高低差
（ヒータ位置）と引き上げ速度との組み合わせを異なら
せて、固体層と単結晶との接触の有無を調べた結果を示
すものである。ここでヒータ４の上下方向の長さｋは 1
50mm、坩堝３は16″φ×14″ｈ、原料は65kgチャージで
ある。引き上げ速度及びヒータ位置の値が大きいほど溶
融液の温度は下がるため、固体層と単結晶との接触が起
こる可能性は高まるが、図中に示す破線より下側部分の
組み合わせでは、この接触は起こらなかった。
【００１４】図２，図３，図４に示す３装置の中では、
図２に示すもので、固体層と単結晶との接触が起こらな
い範囲が最も狭く、使用可能範囲が最も制限される。図
３に示すものではこれよりも使用可能範囲が広く、図４
に示すものではさらに広い。このように使用回数等の条
件が異なる装置毎に使用可能範囲は夫々異なるため、各
装置において予め図２，図３，図４に示す如きパラメー
タを求めておく。
図２に示すもので、固体層と単結晶との接触が起こらな
い範囲が最も狭く、使用可能範囲が最も制限される。図
３に示すものではこれよりも使用可能範囲が広く、図４
に示すものではさらに広い。このように使用回数等の条
件が異なる装置毎に使用可能範囲は夫々異なるため、各
装置において予め図２，図３，図４に示す如きパラメー
タを求めておく。
【００１５】そして、このようなパラメータに基づい
て、ヒータ位置及び引き上げ速度を決定し、単結晶の製
造を行う。例えば図４の如きパラメータを示す装置にお
いては、引き上げ速度が 1.2mm/minでヒータ位置が40mm
であると、固体層と単結晶との接触は起こらないが、50
mmであるとこの接触が発生する。しかしながら、ヒータ
位置が50mmであってもすぐに固体層と単結晶とが接触す
るというものではなく、引き上げ途中のある時点でヒー
タ位置を50mmから40mmに変更すれば、この接触を防止す
ることができる。また逆にヒータ位置を40mmに固定した
場合、引き上げ速度が 1.2mm/minであると、固体層と単
結晶との接触は起こらないが、 1.3mm/minであるとこの
接触が発生する。この場合も引き上げ速度が 1.3mm/min
であってもすぐに固体層と単結晶とが接触するというも
のではなく、引き上げ途中のある時点で引き上げ速度を
1.3mm/minから 1.2mm/minに変更すれば、この接触を防
止することができる。
て、ヒータ位置及び引き上げ速度を決定し、単結晶の製
造を行う。例えば図４の如きパラメータを示す装置にお
いては、引き上げ速度が 1.2mm/minでヒータ位置が40mm
であると、固体層と単結晶との接触は起こらないが、50
mmであるとこの接触が発生する。しかしながら、ヒータ
位置が50mmであってもすぐに固体層と単結晶とが接触す
るというものではなく、引き上げ途中のある時点でヒー
タ位置を50mmから40mmに変更すれば、この接触を防止す
ることができる。また逆にヒータ位置を40mmに固定した
場合、引き上げ速度が 1.2mm/minであると、固体層と単
結晶との接触は起こらないが、 1.3mm/minであるとこの
接触が発生する。この場合も引き上げ速度が 1.3mm/min
であってもすぐに固体層と単結晶とが接触するというも
のではなく、引き上げ途中のある時点で引き上げ速度を
1.3mm/minから 1.2mm/minに変更すれば、この接触を防
止することができる。
【００１６】ここで引き上げ速度は、熱履歴等に影響を
及ぼすため、大ていの場合は製造する単結晶の種類によ
り限定される。従ってその引き上げ速度に応じてヒータ
位置を調節すれば、固体層と単結晶との接触を回避する
ことができる。図２の如きパラメータを示す装置におい
ては、使用可能範囲が狭いため引き上げ速度が変わる都
度、ヒータ位置を細かく変更する必要があるが、図４の
如きパラメータを示す装置においては、ヒータ位置を細
かく調節する必要がない。
及ぼすため、大ていの場合は製造する単結晶の種類によ
り限定される。従ってその引き上げ速度に応じてヒータ
位置を調節すれば、固体層と単結晶との接触を回避する
ことができる。図２の如きパラメータを示す装置におい
ては、使用可能範囲が狭いため引き上げ速度が変わる都
度、ヒータ位置を細かく変更する必要があるが、図４の
如きパラメータを示す装置においては、ヒータ位置を細
かく調節する必要がない。
【００１７】
【発明の効果】以上の如く本発明においては、単結晶の
引き上げ速度に応じて、溶融液層の表面位置に対するヒ
ータの位置を上下方向に移動調節することにより、溶融
液層の温度低下が防止され、溶融液層の中央部が固化す
ることによる固体層と単結晶との接触を回避することが
可能である。さらに固体層と単結晶との接触によって生
じる単結晶引き上げの中断及び単結晶の落下を防止する
ことができる等、本発明は優れた効果を奏する。
引き上げ速度に応じて、溶融液層の表面位置に対するヒ
ータの位置を上下方向に移動調節することにより、溶融
液層の温度低下が防止され、溶融液層の中央部が固化す
ることによる固体層と単結晶との接触を回避することが
可能である。さらに固体層と単結晶との接触によって生
じる単結晶引き上げの中断及び単結晶の落下を防止する
ことができる等、本発明は優れた効果を奏する。
【図１】本発明に係る単結晶の製造装置の模式的縦断面
図である。
図である。
【図２】ヒータ位置と引き上げ軸の引き上げ速度との組
み合わせによる固体層と単結晶との接触の有無を表すグ
ラフである。
み合わせによる固体層と単結晶との接触の有無を表すグ
ラフである。
【図３】ヒータ位置と引き上げ軸の引き上げ速度との組
み合わせによる固体層と単結晶との接触の有無を表すグ
ラフである。
み合わせによる固体層と単結晶との接触の有無を表すグ
ラフである。
【図４】ヒータ位置と引き上げ軸の引き上げ速度との組
み合わせによる固体層と単結晶との接触の有無を表すグ
ラフである。
み合わせによる固体層と単結晶との接触の有無を表すグ
ラフである。
【図５】従来の単結晶の製造装置を示す模式的縦断面図
である。
である。
【図６】溶融層法の実施態様を表す模式的縦断面図であ
る。
る。
【図７】溶融層法における固体層と単結晶との接触の発
生状態を表す模式的縦断面図である。
生状態を表す模式的縦断面図である。
１ チャンバ ２ プルチャンバ ３ 坩堝 3a 内層保持容器 3b 外層保持容器 ４ ヒータ 4a 電極 4b 板部 4c ガイド 4d 昇降機構 4e ベローズ ８ 単結晶 12 引き上げ軸 13 種結晶 21 固体層 22 溶融液層
Claims (2)
- 【請求項１】 坩堝内の原料の上部はヒータにて溶融し
て溶融液層とし、下部は固体層とし、種結晶を前記溶融
液層の表面に接触させて引き上げることにより、前記溶
融液層の溶融液が凝固して形成される単結晶を成長させ
る単結晶の製造方法において、前記単結晶の引き上げ速
度に応じて、前記溶融液層の表面位置に対する前記ヒー
タの位置を上下方向に移動調節して、前記単結晶を成長
させることを特徴とする単結晶の製造方法。 - 【請求項２】 坩堝内の原料の上部はヒータにて溶融し
て溶融液層とし、下部は固体層とし、種結晶を前記溶融
液層の表面に接触させて引き上げることにより、前記溶
融液層の溶融液が凝固して形成される単結晶を成長させ
る単結晶の製造装置において、前記ヒータが前記単結晶
の引き上げ方向に移動可能な構成となしてあることを特
徴とする単結晶の製造装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5095617A JPH06279170A (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 単結晶の製造方法及びその装置 |
| US08/216,424 US5435263A (en) | 1993-03-29 | 1994-03-23 | Method of producing single crystal |
| US08/421,789 US5551978A (en) | 1993-03-29 | 1995-04-14 | Apparatus for producing single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5095617A JPH06279170A (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 単結晶の製造方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06279170A true JPH06279170A (ja) | 1994-10-04 |
Family
ID=14142514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5095617A Pending JPH06279170A (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 単結晶の製造方法及びその装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| US (2) | US5435263A (ja) |
| JP (1) | JPH06279170A (ja) |
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1993
- 1993-03-29 JP JP5095617A patent/JPH06279170A/ja active Pending
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1994
- 1994-03-23 US US08/216,424 patent/US5435263A/en not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-04-14 US US08/421,789 patent/US5551978A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| US5435263A (en) | 1995-07-25 |
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