JPH09169973A - 希土類ホスフェートを基剤とした化合物のプラズマシステムにおける発光体としての用法 - Google Patents
希土類ホスフェートを基剤とした化合物のプラズマシステムにおける発光体としての用法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7777—Phosphates
-
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- C09K11/7795—Phosphates
Abstract
(57)【要約】
【課題】 希土類ホスフェートを基剤とした化合物をプ
ラズマシステムにおいて発光体として使用する方法を提
供する。 【解決手段】 テルビウム、プラセオジム、ユウロピウ
ム及びセリウムを含む群から選ぶ少なくとも一種の希土
類をドープしたイットリウム、ランタン、ガドリニウム
又はルテシウムホスフェートを基剤とする化合物をプラ
ズマシステムにおいて発光体として使用する方法。
ラズマシステムにおいて発光体として使用する方法を提
供する。 【解決手段】 テルビウム、プラセオジム、ユウロピウ
ム及びセリウムを含む群から選ぶ少なくとも一種の希土
類をドープしたイットリウム、ランタン、ガドリニウム
又はルテシウムホスフェートを基剤とする化合物をプラ
ズマシステムにおいて発光体として使用する方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、希土類ホスフェー
トを基剤とした化合物をプラズマシステムにおいて発光
体として使用する方法に関する。
トを基剤とした化合物をプラズマシステムにおいて発光
体として使用する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマシステム（スクリーン及びラン
プ）は、開発されている新規なディスプレー及び照明技
術の一部を形成する。一つの具体例は、現行のテレビジ
ョンスクリーンを、一層軽くかつ一層大きな寸法を有す
るフラットなスクリーンに置換することに在り、この置
換は、今プラズマパネルを使用することによって解決さ
れようとしている。
プ）は、開発されている新規なディスプレー及び照明技
術の一部を形成する。一つの具体例は、現行のテレビジ
ョンスクリーンを、一層軽くかつ一層大きな寸法を有す
るフラットなスクリーンに置換することに在り、この置
換は、今プラズマパネルを使用することによって解決さ
れようとしている。
【０００３】プラズマシステムでは、チャンバー中に導
入されるガスは放電の作用下でイオン化される。このプ
ロセスの間に、高エネルギーの電磁線が発せられ、光子
が発光性物質に向けられる。この物質は、有効であるた
めには、プラズマの発光範囲において吸収し及び可視範
囲において可能な限り高い効率でかつ適した色で発する
発光体にすべきである。
入されるガスは放電の作用下でイオン化される。このプ
ロセスの間に、高エネルギーの電磁線が発せられ、光子
が発光性物質に向けられる。この物質は、有効であるた
めには、プラズマの発光範囲において吸収し及び可視範
囲において可能な限り高い効率でかつ適した色で発する
発光体にすべきである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】発明の目的は、そのよ
うな発光体物質を提供するにある。
うな発光体物質を提供するにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的のために、発明
に従えば、プラズマシステムにおいて発光体として使用
する物質は、テルビウム、プラセオジム、ユウロピウム
及びセリウムを含む群から選ぶ少なくとも一種の希土類
をドープしたイットリウム、ランタン、ガドリニウム又
はルテシウムホスフェートを基剤とする化合物である。
発明のその他の特性、詳細及び利点は、下記の記述を読
む際に一層はっきり現れるものと思う。
に従えば、プラズマシステムにおいて発光体として使用
する物質は、テルビウム、プラセオジム、ユウロピウム
及びセリウムを含む群から選ぶ少なくとも一種の希土類
をドープしたイットリウム、ランタン、ガドリニウム又
はルテシウムホスフェートを基剤とする化合物である。
発明のその他の特性、詳細及び利点は、下記の記述を読
む際に一層はっきり現れるものと思う。
【０００６】
【発明の実施の形態】発明は、上記の化合物をプラズマ
システムにおける条件に一致する条件下で発光体として
使用することに関する。本発明の関係で、この表現は、
イオン化した後に、少なくとも波長１０〜２００ｎｍ、
すなわち遠紫外線範囲に相当する放射線を発するガスを
用いるすべてのシステムを意味するのに用いる。挙げる
ことができるこのタイプのシステムはプラズマランプ及
びスクリーンを含む。
システムにおける条件に一致する条件下で発光体として
使用することに関する。本発明の関係で、この表現は、
イオン化した後に、少なくとも波長１０〜２００ｎｍ、
すなわち遠紫外線範囲に相当する放射線を発するガスを
用いるすべてのシステムを意味するのに用いる。挙げる
ことができるこのタイプのシステムはプラズマランプ及
びスクリーンを含む。
【０００７】発明に従えば、イットリウム、ランタン、
ガドリニウム又はルテシウムホスフェートタイプのマト
リックスを使用する。いくかのタイプのホスフェートを
使用することができる。それらはＬｎＰＯ4式（Ｌｎは
上述した元素の内の一種を表わす）のオルトホスフェー
トにすることができる。また、ＬｎＰ3 Ｏ9 式のメタホ
スフェート或はＬｎＰ5 Ｏ14式のペンタホスフェートを
使用してもよい。
ガドリニウム又はルテシウムホスフェートタイプのマト
リックスを使用する。いくかのタイプのホスフェートを
使用することができる。それらはＬｎＰＯ4式（Ｌｎは
上述した元素の内の一種を表わす）のオルトホスフェー
トにすることができる。また、ＬｎＰ3 Ｏ9 式のメタホ
スフェート或はＬｎＰ5 Ｏ14式のペンタホスフェートを
使用してもよい。
【０００８】上記のタイプのマトリックスに、テルビウ
ム、プラセオジム、ユウロピウム及びセリウムを含む群
から選ぶ少なくとも一種の希土類をドープする。希土類
は、所望の発色に従って選ぶ。
ム、プラセオジム、ユウロピウム及びセリウムを含む群
から選ぶ少なくとも一種の希土類をドープする。希土類
は、所望の発色に従って選ぶ。
【０００９】希土類ドーパント含量は、ホスフェート中
の全希土類含量に対する原子パーセンテージ（希土類ド
ーパント／希土類ドーパント＋Ｌｎ）として表わして、
大概１０〜５０％であり、一層特には２０〜４５％であ
る。
の全希土類含量に対する原子パーセンテージ（希土類ド
ーパント／希土類ドーパント＋Ｌｎ）として表わして、
大概１０〜５０％であり、一層特には２０〜４５％であ
る。
【００１０】発明の特別の実施態様に従えば、使用する
ホスフェートはランタンホスフェートである。発明の別
の特別の実施態様に従えば、希土類ドーパントはテルビ
ウムとセリウムとを組み合わせたものである。テルビウ
ムはセリウムに比べて主要な割合で、一層特にはＴｂ／
Ｃｅ＋Ｔｂの原子割合少なくとも８０％にあることがで
きる。例として、下記式の生成物を挙げることができ
る： Ｌａ0.76Ｔｂ0.22Ｃｅ0.02ＰＯ4
ホスフェートはランタンホスフェートである。発明の別
の特別の実施態様に従えば、希土類ドーパントはテルビ
ウムとセリウムとを組み合わせたものである。テルビウ
ムはセリウムに比べて主要な割合で、一層特にはＴｂ／
Ｃｅ＋Ｔｂの原子割合少なくとも８０％にあることがで
きる。例として、下記式の生成物を挙げることができ
る： Ｌａ0.76Ｔｂ0.22Ｃｅ0.02ＰＯ4
【００１１】発明の別の変法に従えば、特定の粒径分布
を有するホスフェートを使用するのが有利になり得る。
これより、ホスフェートの平均サイズは１〜２０μｍ、
一層特には２〜６μｍがよい。
を有するホスフェートを使用するのが有利になり得る。
これより、ホスフェートの平均サイズは１〜２０μｍ、
一層特には２〜６μｍがよい。
【００１２】その上、それらの分散指数は０．５よりも
小さく、一層特には０．４よりも小さいのがよい。粒子
の平均直径は、ＣＩＬＡＳタイプのレーザー粒度計（Ｃ
ＩＬＡＳ ＨＲ８５０）を使用することによって測定す
る。
小さく、一層特には０．４よりも小さいのがよい。粒子
の平均直径は、ＣＩＬＡＳタイプのレーザー粒度計（Ｃ
ＩＬＡＳ ＨＲ８５０）を使用することによって測定す
る。
【００１３】それとしては、分散指数Ｉは、下記式によ
って求める：
って求める：
【数１】 式中、φ84は、粒子の８４％がφ84よりも小さい直径を
有する粒子直径であり、φ16は、粒子の１６％がφ16よ
りも小さい直径を有する粒子直径であり、φ50は粒子の
平均直径である。
有する粒子直径であり、φ16は、粒子の１６％がφ16よ
りも小さい直径を有する粒子直径であり、φ50は粒子の
平均直径である。
【００１４】使用するホスフェート、一層特にはオルト
ホスフェートは、単斜晶結晶形態であるのがよい。本発
明の関係で使用するホスフェートは、任意の知られた方
法によって得ることができる。一つの特定の方法を下記
に記載することにするが、それは何ら制限するために挙
げるものではない。
ホスフェートは、単斜晶結晶形態であるのがよい。本発
明の関係で使用するホスフェートは、任意の知られた方
法によって得ることができる。一つの特定の方法を下記
に記載することにするが、それは何ら制限するために挙
げるものではない。
【００１５】この方法は、管理されたｐＨにおいて、
（Ｉ）希土類の可溶性塩を含有する第一溶液を、（Ｉ
Ｉ）ホスフェートイオンを含有する第二溶液と反応させ
ることによって直接の沈殿を行うことに在り、この際、
これらの元素は所望の式を有する生成物を得るために要
する化学量論的割合で存在させる。
（Ｉ）希土類の可溶性塩を含有する第一溶液を、（Ｉ
Ｉ）ホスフェートイオンを含有する第二溶液と反応させ
ることによって直接の沈殿を行うことに在り、この際、
これらの元素は所望の式を有する生成物を得るために要
する化学量論的割合で存在させる。
【００１６】可溶性希土類塩の溶液は、ホスフェートイ
オンを含有する溶液中に累進的にかつ連続に導入する。
ホスフェートイオンを含有する溶液の初期ｐＨは、２よ
り小さくし、１〜２にするのが好ましい。次いで、沈殿
媒体のｐＨを調整してｐＨ値を２より小さくし、１〜２
にするのが好ましい。
オンを含有する溶液中に累進的にかつ連続に導入する。
ホスフェートイオンを含有する溶液の初期ｐＨは、２よ
り小さくし、１〜２にするのが好ましい。次いで、沈殿
媒体のｐＨを調整してｐＨ値を２より小さくし、１〜２
にするのが好ましい。
【００１７】「管理されたｐＨ」なる用語は、沈殿媒体
のｐＨを、可溶性希土類塩を含有する溶液をホスフェー
トイオンを含有する溶液中に導入するのと同時に、塩基
性化合物又は緩衝溶液をこの溶液中に加えることによっ
てある一定の又は実質的に一定の値に保つことを意味す
る。これより、媒体のｐＨは、固定した設定点値のあた
りを変わるｐＨ単位が大きくて０．５になり、この値の
あたりを変わるｐＨ単位が大きくて０．１になるのが一
層好ましい。固定した設定点値は、ホスフェートイオン
を含有する溶液の初期ｐＨ（２より小さい）に一致する
ことになるのが有利である。
のｐＨを、可溶性希土類塩を含有する溶液をホスフェー
トイオンを含有する溶液中に導入するのと同時に、塩基
性化合物又は緩衝溶液をこの溶液中に加えることによっ
てある一定の又は実質的に一定の値に保つことを意味す
る。これより、媒体のｐＨは、固定した設定点値のあた
りを変わるｐＨ単位が大きくて０．５になり、この値の
あたりを変わるｐＨ単位が大きくて０．１になるのが一
層好ましい。固定した設定点値は、ホスフェートイオン
を含有する溶液の初期ｐＨ（２より小さい）に一致する
ことになるのが有利である。
【００１８】ｐＨは、下記に説明する通りに、塩基性化
合物を加えることによって調整するのが有利である。沈
殿は、臨界的な要因にはならないが、室温（１５°〜２
５℃）〜１００℃にするのが有利な温度の水性媒体中で
行うのが好ましい。この沈殿は、反応媒体を攪拌しなが
ら行う。
合物を加えることによって調整するのが有利である。沈
殿は、臨界的な要因にはならないが、室温（１５°〜２
５℃）〜１００℃にするのが有利な温度の水性媒体中で
行うのが好ましい。この沈殿は、反応媒体を攪拌しなが
ら行う。
【００１９】第一溶液中の希土類塩の濃度は、広い範囲
内で変えることができる。すなわち、全希土類濃度は
０．０１〜３モル／リットルにするのがよい。
内で変えることができる。すなわち、全希土類濃度は
０．０１〜３モル／リットルにするのがよい。
【００２０】適した希土類塩は、特に水性媒体に可溶性
の塩、例えば硝酸塩、塩化物、酢酸塩、カルボン酸塩又
はこれらの混合物である。発明に従って好適な塩は硝酸
塩である。
の塩、例えば硝酸塩、塩化物、酢酸塩、カルボン酸塩又
はこれらの混合物である。発明に従って好適な塩は硝酸
塩である。
【００２１】希土類塩溶液と反応させる意図のホスフェ
ートイオンは、純化合物又は溶液中の化合物、例えばリ
ン酸、アルカリ金属のホスフェート又はアニオンが希土
類により会合される可溶性化合物を与えるその他の金属
元素のホスフェートによって供給することができる。
ートイオンは、純化合物又は溶液中の化合物、例えばリ
ン酸、アルカリ金属のホスフェート又はアニオンが希土
類により会合される可溶性化合物を与えるその他の金属
元素のホスフェートによって供給することができる。
【００２２】好適な変法に従えば、ホスフェートイオン
は、アンモニウムカチオンが続くか焼の間に分解し、こ
うして高純度の希土類ホスフェートを得ることを可能に
することになることから、アンモニウムホスフェートの
形態で加える。アンモニウムホスフェートの中で、ジア
ンモニウム又はモノアンモニウムホスフェートが、発明
を実施するために好適な化合物である。
は、アンモニウムカチオンが続くか焼の間に分解し、こ
うして高純度の希土類ホスフェートを得ることを可能に
することになることから、アンモニウムホスフェートの
形態で加える。アンモニウムホスフェートの中で、ジア
ンモニウム又はモノアンモニウムホスフェートが、発明
を実施するために好適な化合物である。
【００２３】ホスフェートイオンは、２つの溶液の間
で、ＰＯ4 ／Ｌｎモル比が１よりも大きくなる、有利に
は１．１〜３になるような量で存在させる。
で、ＰＯ4 ／Ｌｎモル比が１よりも大きくなる、有利に
は１．１〜３になるような量で存在させる。
【００２４】すでに示した通りに、ホスフェートイオン
を含有する溶液は、初めに（すなわち、希土類塩溶液の
導入を開始する前）２より小さい、好ましくは１〜２の
ｐＨを有すべきである。これより、使用する溶液が本来
そのようなｐＨを持たないならば、塩基（例えば、リン
酸初期溶液の場合、アンモニウム溶液）を加えるか或は
酸（例えば、ジアンモニウムホスフェート初期溶液の場
合、硝酸）を加えるかのいずれかによって、ｐＨを所望
の適した値にもたらす。
を含有する溶液は、初めに（すなわち、希土類塩溶液の
導入を開始する前）２より小さい、好ましくは１〜２の
ｐＨを有すべきである。これより、使用する溶液が本来
そのようなｐＨを持たないならば、塩基（例えば、リン
酸初期溶液の場合、アンモニウム溶液）を加えるか或は
酸（例えば、ジアンモニウムホスフェート初期溶液の場
合、硝酸）を加えるかのいずれかによって、ｐＨを所望
の適した値にもたらす。
【００２５】次いで、希土類塩を含有する溶液を導入す
るにつれて、沈殿媒体のｐＨは累進的に低下する。これ
より、沈殿媒体のｐＨを２より小さい、好ましくは１〜
２の所望の一定の使用値に保つことを目的として、塩基
を同時にこの媒体中に導入する。
るにつれて、沈殿媒体のｐＨは累進的に低下する。これ
より、沈殿媒体のｐＨを２より小さい、好ましくは１〜
２の所望の一定の使用値に保つことを目的として、塩基
を同時にこの媒体中に導入する。
【００２６】例として挙げることができる適した塩基性
化合物は、水酸化金属（ＮａＯＨ、ＫＯＨ、Ｃａ（Ｏ
Ｈ）2 、. . . ）又は水酸化アンモニウム、又は任意の
その他の塩基性化合物であって、その構成種が、反応媒
体に加える際に、またこの媒体に含有される種の内の一
種と組み合わさることによって沈殿を形成しないことに
なり、かつ沈殿媒体のｐＨを調整することを可能にする
ものである。
化合物は、水酸化金属（ＮａＯＨ、ＫＯＨ、Ｃａ（Ｏ
Ｈ）2 、. . . ）又は水酸化アンモニウム、又は任意の
その他の塩基性化合物であって、その構成種が、反応媒
体に加える際に、またこの媒体に含有される種の内の一
種と組み合わさることによって沈殿を形成しないことに
なり、かつ沈殿媒体のｐＨを調整することを可能にする
ものである。
【００２７】沈殿工程の終りにおいて、ホスフェート沈
殿が直接得られ、この沈殿は、それ自体が知られている
任意の手段により、特に簡単なろ過によって回収するこ
とができる。回収された生成物を、次いで、可能な不純
物、特に吸着された硝酸塩及び／又はアンモニウム基を
それから取り除くことを目的として、例えば水で洗浄す
ることができる。
殿が直接得られ、この沈殿は、それ自体が知られている
任意の手段により、特に簡単なろ過によって回収するこ
とができる。回収された生成物を、次いで、可能な不純
物、特に吸着された硝酸塩及び／又はアンモニウム基を
それから取り除くことを目的として、例えば水で洗浄す
ることができる。
【００２８】得られた沈殿に、次いで、温度が通常６０
０℃よりも高い、有利には９００°〜１２００℃の熱処
理を施す。この熱処理又はか焼は、ルミネセンス特性を
有する生成物を得ることを可能にする。か焼を還元性雰
囲気（例えば水素）又は中性雰囲気（例えばアルゴ
ン）、又はこれらの混合物下で、さもなければ非還元性
雰囲気下で、特に例えば空気のような酸化性雰囲気下で
行うことが同等に申し分なく可能である。
０℃よりも高い、有利には９００°〜１２００℃の熱処
理を施す。この熱処理又はか焼は、ルミネセンス特性を
有する生成物を得ることを可能にする。か焼を還元性雰
囲気（例えば水素）又は中性雰囲気（例えばアルゴ
ン）、又はこれらの混合物下で、さもなければ非還元性
雰囲気下で、特に例えば空気のような酸化性雰囲気下で
行うことが同等に申し分なく可能である。
【００２９】本発明の関係で使用するホスフェートは、
またシャモットプロセスによっても得ることができる。
この場合、採用する手順は、種々の希土類の酸化物の混
合物を形成し或は混成希土類酸化物を利用し、この混合
物又はこの混成酸化物をジアンモニウムホスフェートの
存在においてか焼することによってリン酸塩にするもの
にしてもよい。
またシャモットプロセスによっても得ることができる。
この場合、採用する手順は、種々の希土類の酸化物の混
合物を形成し或は混成希土類酸化物を利用し、この混合
物又はこの混成酸化物をジアンモニウムホスフェートの
存在においてか焼することによってリン酸塩にするもの
にしてもよい。
【００３０】ルミネセンス特性を更に発現させるため
に、ホスフェートにフラックスの存在において熱処理を
施してもよい。挙げることができる適したフラックス
は、特にフッ化リチウム、塩化リチウム、塩化アンモニ
ウム、酸化硼素及びアンモニウムホスフェートであり、
このリストがいささかも限定するものでないのはもちろ
んである。フラックスを処理すべき混成ホスフェートに
混合し、次いで混合物を加熱して１０００℃よりも高
い、大概１０００°〜１２００℃の温度にする。これ
は、希土類の性質に適しかつ例えばセリウム又はテルビ
ウムの場合に還元性雰囲気にする雰囲気下で行う。処理
した後に、発光体を解凝集された状態で得るように、生
成物を洗浄し、次いですすぐ。
に、ホスフェートにフラックスの存在において熱処理を
施してもよい。挙げることができる適したフラックス
は、特にフッ化リチウム、塩化リチウム、塩化アンモニ
ウム、酸化硼素及びアンモニウムホスフェートであり、
このリストがいささかも限定するものでないのはもちろ
んである。フラックスを処理すべき混成ホスフェートに
混合し、次いで混合物を加熱して１０００℃よりも高
い、大概１０００°〜１２００℃の温度にする。これ
は、希土類の性質に適しかつ例えばセリウム又はテルビ
ウムの場合に還元性雰囲気にする雰囲気下で行う。処理
した後に、発光体を解凝集された状態で得るように、生
成物を洗浄し、次いですすぐ。
【００３１】上述した通りに、直ぐ上に記載したホスフ
ェートベースの化合物は、プラズマシステムにおいて用
いられる波長範囲の電磁励起下でルミネセンスの特性を
有する。
ェートベースの化合物は、プラズマシステムにおいて用
いられる波長範囲の電磁励起下でルミネセンスの特性を
有する。
【００３２】この理由で、それらはこれらのシステムに
おいて発光体として用いることができ、一層普通には、
それらはそのようなシステムの製造において組み入れて
もよい。発光体は良く知られた技術、例えばスクリーン
印刷による付着、電気泳動或は沈降に従って用いる。下
記に例を挙げる。
おいて発光体として用いることができ、一層普通には、
それらはそのようなシステムの製造において組み入れて
もよい。発光体は良く知られた技術、例えばスクリーン
印刷による付着、電気泳動或は沈降に従って用いる。下
記に例を挙げる。
【００３３】
【実施例】例 ホスフェートの調製 Ｌａ0.55Ｃｅ0.30Ｔｂ0.15ＰＯ4 式の生成物の調製を下
記に挙げる。Ｌａ0.88Ｔｂ0.12ＰＯ4 、Ｌａ0.83Ｔｂ
0.17ＰＯ4 、Ｌａ0.70Ｔｂ0.30ＰＯ4 及びＬａ0. 78Ｔｂ
0.22ＰＯ4 式のその他のホスフェートを、反応体割合を
適応させることによって同じようにして調製する。
記に挙げる。Ｌａ0.88Ｔｂ0.12ＰＯ4 、Ｌａ0.83Ｔｂ
0.17ＰＯ4 、Ｌａ0.70Ｔｂ0.30ＰＯ4 及びＬａ0. 78Ｔｂ
0.22ＰＯ4 式のその他のホスフェートを、反応体割合を
適応させることによって同じようにして調製する。
【００３４】総括濃度１．５モル／ｌ及び下記の組成：
Ｌａ（ＮＯ3 ）3 ０．８２５モル／ｌ；Ｃｅ（ＮＯ3 ）
3 ０．４５モル／ｌ；及びＴｂ（ＮＯ3 ）3 ０．２２５
モル／ｌを有する希土類硝酸塩の溶液５００ｍｌを、あ
らかじめアンモニウム溶液を加えることによってｐＨ
１．４にもたらしたリン酸溶液Ｈ3 ＰＯ4 ５００ｍｌに
１時間で加え、加熱して６０℃にする。
Ｌａ（ＮＯ3 ）3 ０．８２５モル／ｌ；Ｃｅ（ＮＯ3 ）
3 ０．４５モル／ｌ；及びＴｂ（ＮＯ3 ）3 ０．２２５
モル／ｌを有する希土類硝酸塩の溶液５００ｍｌを、あ
らかじめアンモニウム溶液を加えることによってｐＨ
１．４にもたらしたリン酸溶液Ｈ3 ＰＯ4 ５００ｍｌに
１時間で加え、加熱して６０℃にする。
【００３５】ホスフェート／希土類モル比は１．１５で
ある。沈殿させる間のｐＨは、アンモニウム溶液を加え
ることによって１．４に調整する。沈殿工程の後に、反
応媒体を更に６０℃に１時間保つ。
ある。沈殿させる間のｐＨは、アンモニウム溶液を加え
ることによって１．４に調整する。沈殿工程の後に、反
応媒体を更に６０℃に１時間保つ。
【００３６】次いで、沈殿をろ過によって回収し、水で
洗浄し、次いで空気下で６０℃において乾燥させる。次
いで、生成物は、それら自体サイズ３０〜１５０ｎｍを
有する元素クリスタライイトの凝集によって形成された
およそ２５０ｎｍのコンパクトな凝集体によって形成さ
れた３〜６ミクロンの粒子（凝集塊）からなる白色粉末
（タルクに似た）の形態になる。次いで、粉末に空気下
で１１５０℃の熱処理を施す。
洗浄し、次いで空気下で６０℃において乾燥させる。次
いで、生成物は、それら自体サイズ３０〜１５０ｎｍを
有する元素クリスタライイトの凝集によって形成された
およそ２５０ｎｍのコンパクトな凝集体によって形成さ
れた３〜６ミクロンの粒子（凝集塊）からなる白色粉末
（タルクに似た）の形態になる。次いで、粉末に空気下
で１１５０℃の熱処理を施す。
【００３７】Ｘ線分析は、生成物が単斜晶結晶構造を有
するオルトホスフェートであることを示す。それはサイ
ズ３〜６ミクロンを有するの球形粒子の形態で凝集され
たおよそ２５０ｎｍのコンパクトなグレンからなる。超
音波下でおおざっぱに解凝集した後に測定したＣＩＬＡ
Ｓ粒径分布は、分散指数が０．４よりも小さいので、非
常にタイトな分布でφ50４．５ミクロンを与える。
するオルトホスフェートであることを示す。それはサイ
ズ３〜６ミクロンを有するの球形粒子の形態で凝集され
たおよそ２５０ｎｍのコンパクトなグレンからなる。超
音波下でおおざっぱに解凝集した後に測定したＣＩＬＡ
Ｓ粒径分布は、分散指数が０．４よりも小さいので、非
常にタイトな分布でφ50４．５ミクロンを与える。
【００３８】ホスフェートの性能 性能を２つの方法で評価する。Ａ−粉末を、直径８ｍｍ
の円筒形キャビティ中に手によって圧縮し、次いでキャ
ビティをチャンバーに１０-6トルの減圧下で室温で配置
する。励起源は、シンクロトロンによって発生させる波
長１５０〜３５０ｎｍを有する電磁発光にする。効率値
は、可視範囲で放出される光子の数を、１６０ｎｍ及び
２００ｎｍにおける入射光子の数にそれぞれ比べたもの
に一致する。
の円筒形キャビティ中に手によって圧縮し、次いでキャ
ビティをチャンバーに１０-6トルの減圧下で室温で配置
する。励起源は、シンクロトロンによって発生させる波
長１５０〜３５０ｎｍを有する電磁発光にする。効率値
は、可視範囲で放出される光子の数を、１６０ｎｍ及び
２００ｎｍにおける入射光子の数にそれぞれ比べたもの
に一致する。
【００３９】
【表１】
【００４０】Ｂ−生成物を、ヘリウム−ネオンタイプの
ガスを含有するプラズスクリーン試験セル上で評価す
る。光出力効率を光度計で測定し、それをマンガンドー
プされた亜鉛シリケートの光出力効率に比べる。マンガ
ンドープされた亜鉛シリケートに任意に１００の値を割
り当てる。
ガスを含有するプラズスクリーン試験セル上で評価す
る。光出力効率を光度計で測定し、それをマンガンドー
プされた亜鉛シリケートの光出力効率に比べる。マンガ
ンドープされた亜鉛シリケートに任意に１００の値を割
り当てる。
【００４１】
【表２】
【００４２】光出力効率は、従来技術で用いられるドー
プされた亜鉛シリケートによって得られる光出力効率に
比べて優れていることが分かる。
プされた亜鉛シリケートによって得られる光出力効率に
比べて優れていることが分かる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年８月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【請求項３】 ホスフェートが、ホスフェートの全希土
類含量に対して原子パーセンテージとして表わして希土
類ドーパント含量１０〜５０％を有することを特徴とす
る請求項１又は２の方法。
類含量に対して原子パーセンテージとして表わして希土
類ドーパント含量１０〜５０％を有することを特徴とす
る請求項１又は２の方法。
【請求項４】 希土類ドーパントがテルビウムとセリウ
ムとを組み合わせたものであることを特徴とする請求項
１〜３のいずれか一の方法。
ムとを組み合わせたものであることを特徴とする請求項
１〜３のいずれか一の方法。
【請求項５】 テルビウムが、Ｔｂ／Ｃｅ＋Ｔｂの原子
割合少なくとも８０％で存在することを特徴とする請求
項４の方法。
割合少なくとも８０％で存在することを特徴とする請求
項４の方法。
Claims (7)
- 【請求項１】 テルビウム、プラセオジム、ユウロピウ
ム及びセリウムを含む群から選ぶ少なくとも一種の希土
類をドープしたイットリウム、ランタン、ガドリニウム
又はルテシウムホスフェートを基剤とする化合物をプラ
ズマシステムにおいて発光体として使用する方法。 - 【請求項２】 ホスフェートをＬｎＰＯ4 、ＬｎＰ3 Ｏ
9 、ＬｎＰ5 Ｏ14式（Ｌｎはイットリウム、ランタン、
ガドリニウム又はルテシウムを表わす）に一致するもの
から選ぶことを特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項３】 ホスフェートがランタンホスフェートで
あることを特徴とする請求項１又は２の方法。 - 【請求項４】 ホスフェートが、ホスフェートの全希土
類含量に対して原子パーセンテージとして表わして希土
類ドーパント含量１０〜５０％を有することを特徴とす
る請求項１〜３のいずれか一の方法。 - 【請求項５】 希土類ドーパントがテルビウムとセリウ
ムとを組み合わせたものであり、一層特にはテルビウム
がセリウムに比べて主要な割合で存在することを特徴と
する請求項１〜４のいずれか一の方法。 - 【請求項６】 テルビウムが、Ｔｂ／Ｃｅ＋Ｔｂの原子
割合少なくとも８０％で存在することを特徴とする請求
項５の方法。 - 【請求項７】 ホスフェートが平均粒径１〜２０μｍ及
び０．５よりも小さい分散指数を有することを特徴とす
る請求項１〜６のいずれか一の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9507759A FR2736062B1 (fr) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | Utilisation comme luminophore dans les systemes a plasma d'un compose a base d'un phosphate de terre rare |
| FR95-07759 | 1995-06-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09169973A true JPH09169973A (ja) | 1997-06-30 |
Family
ID=9480465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8181660A Pending JPH09169973A (ja) | 1995-06-28 | 1996-06-24 | 希土類ホスフェートを基剤とした化合物のプラズマシステムにおける発光体としての用法 |
Country Status (14)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US5725800A (ja) |
| EP (1) | EP0751201B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09169973A (ja) |
| KR (1) | KR970001506A (ja) |
| CN (1) | CN1095867C (ja) |
| AT (1) | ATE184311T1 (ja) |
| BR (1) | BR9602895A (ja) |
| CA (1) | CA2180174C (ja) |
| DE (1) | DE69604134T2 (ja) |
| FR (1) | FR2736062B1 (ja) |
| HU (1) | HU221257B1 (ja) |
| MY (1) | MY113808A (ja) |
| SG (1) | SG70993A1 (ja) |
| TW (1) | TW379248B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002212553A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-07-31 | Kasei Optonix Co Ltd | 真空紫外線用燐酸ランタン蛍光体及び希ガス放電ランプ |
| JP2006152034A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Koito Mfg Co Ltd | 赤色発光蛍光体およびそれを用いた発光モジュール |
| JP2006233051A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Koito Mfg Co Ltd | 赤色発光蛍光体およびそれを用いた発光モジュール |
| JP2008138199A (ja) * | 2006-12-01 | 2008-06-19 | General Electric Co <Ge> | セリウム活性剤イオン及びプラセオジム活性剤イオンを含有するシンチレータ組成物、並びに関連する方法及び製造物品 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2736062B1 (fr) * | 1995-06-28 | 1997-09-19 | Rhone Poulenc Chimie | Utilisation comme luminophore dans les systemes a plasma d'un compose a base d'un phosphate de terre rare |
| US6197218B1 (en) * | 1997-02-24 | 2001-03-06 | Superior Micropowders Llc | Photoluminescent phosphor powders, methods for making phosphor powders and devices incorporating same |
| CN1085719C (zh) * | 1997-11-21 | 2002-05-29 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 镝、铅共掺高压汞灯用荧光粉的制备方法 |
| CN1085718C (zh) * | 1997-11-21 | 2002-05-29 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 镝离子激活高压汞灯用荧光粉的制备方法 |
| DE10009916A1 (de) * | 2000-03-01 | 2001-09-13 | Philips Corp Intellectual Pty | Plasmabildschirm mit blauem Leuchtstoff |
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