JPH0916920A - スピン・バルブ磁気抵抗センサと、このセンサを使用した磁気記録システム - Google Patents

スピン・バルブ磁気抵抗センサと、このセンサを使用した磁気記録システム

Info

Publication number
JPH0916920A
JPH0916920A JP8150826A JP15082696A JPH0916920A JP H0916920 A JPH0916920 A JP H0916920A JP 8150826 A JP8150826 A JP 8150826A JP 15082696 A JP15082696 A JP 15082696A JP H0916920 A JPH0916920 A JP H0916920A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
ferromagnetic
antiparallel
film
magnetoresistive sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8150826A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3180027B2 (ja
Inventor
Jr Robert E Fontana
ロバート・エドワード・フォンタナ、ジュニア
Bruce A Gurney
ブルース・アルヴィン・ガーニー
Tsann Lin
ツァン・リン
Virgil Simon Speriosu
ヴァージル・サイモン・スペリオース
Ching H Tsang
チン・ホワ・ツァン
Dennis R Wilhoit
デニス・リチャード・ウィルホイト
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPH0916920A publication Critical patent/JPH0916920A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3180027B2 publication Critical patent/JP3180027B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
    • H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
    • H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
    • H01F10/3272—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn by use of anti-parallel coupled [APC] ferromagnetic layers, e.g. artificial ferrimagnets [AFI], artificial [AAF] or synthetic [SAF] anti-ferromagnets
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/80—Constructional details
    • H10N50/85—Magnetic active materials
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices

Abstract

(57)【要約】 【課題】 耐食性で、ブロッキング温度の高い反強磁性
層を有するスピン・バルブ磁気抵抗（ＳＶＭＲ）センサ
を提供する。 【解決手段】 本発明のＳＶＭＲセンサは、積層逆平行
（ＡＰ）ピン止め層を改良型反強磁性（ＡＦ）交換バイ
アス層と組み合わせて使用する。このピン止め層は、非
磁性結合フィルムによって分離された２枚の強磁性フィ
ルムを備え、この２枚の強磁性フィルムの磁化は、逆平
行配向で互いに反強磁性的に強く結合し、ＳＶＭＲセン
サの自由層を回転させる程度の小さい励磁において磁気
的に強固である。この２層の強磁性層の磁気モーメント
がほとんど同じであるとき、ピン止め層の正味磁気モー
メントは小さいがそれに反比例する交換磁界は相応に大
きくなる。ピン止め層は、酸化ニッケルなどの高耐食性
であるが従来のＳＶＭＲセンサ中で使用するには交換異
方性が低すぎるＡＦ材料によってその磁化がピン止めさ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般にスピン・バ
ルブ効果に基づいて磁界を感知する磁気抵抗（ＭＲ）セ
ンサに関し、より詳細には、積層逆平行ピン止め層と、
このピン止め層をピン止めするための改良型反強磁性交
換結合層とを有する前記のセンサ、ならびに前記センサ
を組み込んだ磁気記録システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録ディスク・ドライブに使用され
るものなど、従来の磁気抵抗（ＭＲ）センサは、読取り
素子抵抗の一成分が読取り素子中の磁化と読取り素子中
を流れる感知電流の方向との間の角度の余弦値の二乗と
して変化する、異方性磁気抵抗効果に基づいて動作す
る。磁気媒体から記録されたデータを読取ることができ
るのは、記録済み磁気媒体からの外部磁界（信号磁界）
によって読取り素子中の磁化方向が変化し、それによっ
て読取り素子中の抵抗が変化し、それに対応する感知電
流や感知電圧が変化するからである。
【０００３】巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）と呼ばれる、別
の、より有名な磁気抵抗が、種々の多層構造で観察され
ているが、その本質的特徴は非強磁性金属層で分離され
た少なくとも２層の強磁性金属層である。ＧＭＲ効果の
物理的根拠は、外部磁界の印加によって隣接する強磁性
層の相対配向が変化することである。これによって伝導
電子のスピン依存性散乱が変化し、したがってその構造
の電気抵抗が変化する。したがって、強磁性層の磁化の
相対的整列の変化に伴ってその構造の抵抗が変化する。
【０００４】特に有用なＧＭＲの応用例は、非磁性金属
層で分離された２層の非結合強磁性金属層を備え、一方
の強磁性金属層の磁化がピン止めされている、サンドイ
ッチ構造である。このピン止めは、その層を鉄−マンガ
ン（Ｆｅ−Ｍｎ）などの反強磁性層に付着させてこの２
層を交換結合することによって達成される。この結果、
ピン止めされない自由な強磁性層だけが小さな外部磁界
の存在下で自由に回転する、スピン・バルブ磁気抵抗
（ＳＶＭＲ）センサが得られる。ＩＢＭの米国特許第５
２０６５９０号は、基本的なＳＶＭＲセンサを開示して
いる。ＩＢＭの同時係属の１９９３年１０月１５日出願
の米国特許出願第０８／１３９４７７号は、ピン止め層
が非磁性結合フィルムで分離された２枚の強磁性フィル
ムの積層構造であり、この２枚の強磁性フィルムの磁化
が逆平行の配向で反強磁性的に強く結合している、ＳＶ
ＭＲセンサを記述している。
【０００５】前述の大部分のＳＶＭＲセンサでは、交換
結合によってピン止め層の磁化を固定またはピン止めす
るために、ピン止め層上に付着させた反強磁性層として
Ｆｅ−Ｍｎ、通常はＦｅ50Ｍｎ50を使用している。Ｆｅ
−Ｍｎ反強磁性体の交換異方性によって、ピン止め層の
磁化は、感知すべき信号磁界から生じるような小さな励
磁の影響を受け難くなっている。Ｆｅ−Ｍｎは、０．０
８エルグ／cm2の界面エネルギーでニッケル−鉄（Ｎｉ
−Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）と結合し、し
たがって、典型的なピン止め層磁気モーメントに対して
２００エルステッド（Ｏｅ）を超える交換バイアス磁界
を提供することができる。これは高度に安定なＳＶＭＲ
センサを提供するのに十分な交換エネルギーである。し
かしながら、Ｆｅ−Ｍｎは耐食性に乏しいので、これを
使用しないＳＶＭＲセンサの開発が望ましい。Ｆｅ−Ｍ
ｎよりも耐食性に優れ、ＳＶＭＲセンサに使用できる可
能性のある代替反強磁性体の候補は多い。しかしなが
ら、これらの耐食性反強磁性材料は交換異方性が小さす
ぎるか、または交換バイアス・ピン止め層に生じる飽和
保持力が高すぎる。Ｈ．ホヤシ（Ｈｏｙａｓｈｉ）らの
Journal of the Magnetism Society of Japan, Vol. 1
8, p. 355（1994）記載論文、およびＴ．Ｃ．Ａｎｔｈ
ｏｎｙらのIEEE Transactions on Magnetics, Vol. MAG
-30, p. 3819（1994）記載論文に、ＳＶＭＲセンサ中で
Ｆｅ−Ｍｎの代わりに酸化ニッケル（ＮｉＯ）を使用す
ることが記述されている。しかしながら、その結果はた
った１００Ｏｅの交換バイアス磁界しか示さず、ＳＶＭ
Ｒセンサに応用するには低すぎる。また、ＮｉＯは単層
ピン止め層で約５０Ｏｅという比較的高い飽和保持力を
もたらした。このピン止め層は、ピン止め層自体から生
じる減磁界を含めて中程度の磁界の印加に対して不安定
なので、この低い交換磁界と高い飽和保持力との組合せ
は容認できない。
【０００６】また、前述の大部分のＳＶＭＲセンサは、
底部にまたはセンサ基板に隣接して自由層を有し、頂部
にピン止め層を持つ。磁気記録ディスク・ドライブ用の
ＳＶＭＲ読取りセンサは磁気媒体上の非常に狭いトラッ
ク幅で使用する必要があるので、自由層の精巧な長手方
向バイアスを持つＳＶＭＲセンサ構造が磁区ノイズの抑
制に必要となる。提案された一方式では、構造の頂部に
自由層を、底部にまたはセンサ基板に隣接してピン止め
層を設けることが必要とされる。しかしながら、層が次
々に重なって成長する仕方に違いがあるため、スピン・
バルブ層の付着順序を逆にするだけで同一のフィルム特
性を得ることは不可能である。全てのＳＶＭＲセンサ
は、自由層とピン止め層の間に、静磁気的相互作用、フ
ィルム中のピン・ホール、電子効果などによる層間交換
結合磁界（Ｈｉ）を有する。一般に低いＨｉのＳＶＭＲ
センサが望ましいが、底部にピン止め層を有するＳＶＭ
Ｒセンサは、約２５Ｏｅより低いＨｉを得るには、より
薄いＦｅ−Ｍｎ層（例えば１５０Åの代わりに９０Å）
を必要とする。しかしこのより薄いＦｅ−Ｍｎ層はより
低いブロッキング温度（例えば１６０℃の代わりに１３
０℃）を持つので望ましくない。ブロッキング温度と
は、Ｆｅ−Ｍｎ反強磁性層とピン止め層との間の交換磁
界がそれを超えると消失する温度である。
【０００７】ＳＶＭＲセンサは、非常に薄い厚さで所望
の水準の磁気抵抗（ピン止め層と自由層の磁化の平行整
列と逆平行整列の間のデルタＲ／Ｒ）を示す。したがっ
て、非常に高密度の記録を得るには、２枚のＭＲシール
ド間のＭＲ読取りギャップが非常に薄くなければなら
ず、通常２０００Å未満でなければならない。このた
め、ギャップ材料の電気的連続性に制約が加わり、一方
または両方のＭＲシールドからＳＶＭＲセンサを電気的
に隔離しなければならない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】耐食性で、ピン止め層
に良好な交換異方性も提供し、ブロッキング温度が、約
１３０℃より高い反強磁性体を有するＳＶＭＲセンサが
求められている。また、この反強磁性体はＭＲ読取りギ
ャップ中の絶縁体としても使用できなければならない。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によるＳＶＭＲセ
ンサは、積層された逆平行（ＡＰ）ピン止め層を改良型
の反強磁性（ＡＦ）層と組み合わせて使用する。この構
造においては、ピン止め層は、２枚の強磁性フィルムの
磁化が逆平行配向で反強磁性的に互いに強く結合するよ
うに非強磁性結合フィルムで分離された２枚の強磁性フ
ィルムを備える。この積層ＡＰピン止め層は自由層の回
転に必要な小励磁中で磁気的に強固である。このＡＰピ
ン止め層中の２層の強磁性層の磁気モーメントがほとん
ど同じであるとき、ピン止め層の正味磁気モーメントは
小さい。交換磁界は正味磁気モーメントに反比例するの
で、その結果、交換磁界は相応に大きくなる。積層ＡＰ
ピン止め層は、高度に耐食性であるが従来のＳＶＭＲセ
ンサに使用するには交換異方性が低すぎるＡＦ物質によ
って、その磁化が固定またはピン止めされる。好ましい
実施形態においては、ＡＦ層はＮｉＯであり、基板とし
て機能するＭＲシールドの１枚の上に形成される。すな
わち、ＡＦ材料は絶縁ＭＲギャップ材料としても使用さ
れる。これがＡＦ層とＳＶＭＲセンサの底部で交換結合
される積層ＡＰピン止め層との位置によって、ＳＶＭＲ
センサの製造時に、自由層の長手方向バイアスが改善さ
れる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明のＳＶＭＲセンサは、図１
に示すように磁気ディスク記憶システムとして実施され
たものとして説明するが、本発明は磁気テープ記録シス
テムなど他の磁気記録システムや、磁気抵抗素子がビッ
ト・セルとして使用される磁気ランダム・アクセス・メ
モリ・システムにも適用できる。
【００１１】図１を参照すると、ＭＲセンサを使用する
タイプの従来のディスク・ドライブの概略が断面図で示
してある。このディスク・ドライブは、ディスク・ドラ
イブ・モータ１２とアクチュエータ１４が固定されたベ
ース１０と、カバー１１を備える。このベース１０とカ
バー１１は実質上密封されたディスク・ドライブ用の筐
体を提供する。通常、ベース１０とカバー１１の間にガ
スケット１３があり、ディスク・ドライブの内部と外部
環境の圧力を等しくするための小さな息抜き口（示して
ない）がある。磁気記録ディスク１６はハブ１８によっ
てドライブ・モータ１２に接続され、ディスクは、ドラ
イブ・モータ１２によって回転するようにハブ１８に接
続される。薄く連続した潤滑フィルム５０がディスク１
６の表面に保持される。読み書きヘッドまたはトランス
デューサ２５が、空気ベアリング・スライダ２０などの
キャリアの後端上に形成される。トランスデューサ２５
は、誘導式読み書きトランスデューサでもよく、またこ
れから述べる磁気抵抗（ＭＲ）読取りトランスデューサ
を備えた誘導書込みトランスデューサでもよい。スライ
ダ２０は剛性アーム２２とサスペンション２４によって
アクチュエータ１４に接続される。サスペンション２４
はスライダ２０を記録ディスク１６の表面に押し付ける
バイアス力を与える。ディスク・ドライブの動作中、ド
ライブ・モータ１２が一定の速度でディスク１６を回転
させ、通常はリニア・ボイス・コイル・モータまたはロ
ータリ・ボイス・コイル・モータ（ＶＣＭ）であるアク
チュエータ１４が一般にディスク１６の表面を横切って
半径方向にスライダ２０を移動させて、読み書きヘッド
２５がディスク１６上の異なるデータにアクセスできる
ようにする。
【００１２】図２はカバー１１を取り除いたディスク・
ドライブの内部の平面図であり、スライダ２０に力を加
えて記録ディスク１６に向けて押し付けるサスペンショ
ン２４をより詳細に示す。このサスペンションは、ＩＢ
Ｍの米国特許第４１６７７６５号に記載の公知のＷａｔ
ｒｏｕｓサスペンションなど従来型のサスペンションで
良い。また、このタイプのサスペンションは、スライダ
が空気ベアリングに乗るときそのピッチとロールを可能
にする、スライダのジンバル式取付具を提供する。ヘッ
ド２５がディスク１６から読み取ったデータは、アーム
２２上にある集積回路チップ１５中の信号増幅／処理回
路によってデータ・リードバック信号に処理される。ヘ
ッド２５からの信号はフレックス・ケーブル１７を経て
チップ１５に進み、その出力信号がそこからケーブル１
９を介して送られる。
【００１３】上記の通常の磁気ディスク記憶システムの
説明と添付の図１および図２は、例示の目的に示したも
のにすぎない。ディスク記憶システムは多数のディスク
とアクチュエータを含むことができ、各アクチュエータ
は複数のスライダを支持することができる。さらに、ヘ
ッド・キャリアは、空気ベアリング・スライダの代り
に、液体ベアリングや他の接触記録ディスク・ドライブ
など、ヘッドをディスクと接触または近接触して保持す
るものでもよい。
【００１４】次に図３を参照すると、従来のＳＶＭＲセ
ンサ３０は、例えばガラス、セラミック、半導体などの
適当な基板３１を備え、その上にシード層またはバッフ
ァ層３３、軟強磁性材料の第１の薄い層３５、非強磁性
金属のスペーサ層３７、および強磁性材料の第２の薄い
層３９が付着されている。ＭＲセンサ３０は、図１およ
び図２のディスク・ドライブ・システム内でトランスデ
ューサ２５の一部を形成してもよく、基板３１はヘッド
・キャリアまたはスライダ２０の後端としてもよい。記
録磁気媒体から外部的に印加される磁界がない場合、強
磁性材料の２枚の層３５、３９の磁化は、それぞれ矢印
３２および矢印３８で示すように、互いに好ましくは約
９０°のある角度で配向される。この強磁性層３５は、
その上に破線矢印で示すとおり、（図３に示す磁気媒体
からの磁界ｈなどの）外部印加磁界に応答してその磁化
がその方向を自由に回転できるので、「自由」強磁性層
と呼ばれる。強磁性層３９は、矢印３８で示すとおり、
その磁化方向が好ましい向きに固定またはピン止めされ
るので「ピン止め」強磁性層と呼ばれる。比較的高い電
気抵抗を有する交換バイアス反強磁性材料の薄いフィル
ム層４１が、強磁性層３９に直接接触して付着され、交
換結合によるバイアス磁界を提供する。したがって、層
４１は強磁性層３９の磁化を好ましい方向にピン止め
し、信号磁界の範囲内の強度を有する外部印加磁界層の
存在下で強磁性層の磁化がその方向を回転させることが
できないようにする。この交換バイアス層４１は通常、
鉄−マンガン（Ｆｅ−Ｍｎ）である。この材料は比較的
耐食性に乏しい。しかし、ピン止め層は通常約３０〜１
００ÅのＮｉ−Ｆｅと等値な正味磁気モーメントを有す
るので、この材料はピン止め層の磁化方向を固定するた
めに望ましいレベルの交換結合を提供する。
【００１５】図４は図３の構造の断面図であるが、ピン
止め層３９の磁化方向が矢印３８で示すとおり紙面内と
なるように９０°回転した図である。ピン止め強磁性層
３９は、矢印３８で示すとおり正味の巨視的磁気モーメ
ントを有する。この磁気モーメントに関連する磁界（磁
束線３６で示す）は、その磁化方向（紙に入る矢印３
５）がピン止め層に対して約９０°の角度である自由強
磁性層３５に影響を及ぼす。このピン止め層３９からの
磁界は、自由層３５内の磁化を不均一にする。この自由
層３５はＳＶＭＲセンサ中で比較的短いので、磁気媒体
からの外部印加磁界が存在するとき、この磁化の不均一
性によってセンサの各部分が時期尚早に飽和する可能性
がある。このＳＶＭＲセンサは、自由層３５が底部に、
またはセンサ基板に隣接して存在するので、通常のスピ
ン・バルブ構造体である。
【００１６】本発明のＳＶＭＲセンサでは、従来の単層
ピン止め強磁性層の代わりに、２枚の強磁性フィルムの
逆平行結合（ＡＰＣ）を提供する薄い非強磁性フィルム
で分離された少なくとも２枚の強磁性フィルムを備える
積層構造体を使用する。この積層逆平行（ＡＰ）ピン止
め層は、同時係属の米国特許出願第０８／１３９４７７
号に記載されている。この逆平行結合（ＡＰＣ）フィル
ムは、２枚の強磁性フィルムを相互に反磁性結合させる
ことのできる適切なタイプおよび厚さのものであり、好
ましい実施形態では約２〜８Åのルテニウム（Ｒｕ）で
ある。次に、この積層ピン止め層をＳＶＭＲセンサの底
部で基板の近傍に配置し、積層ピン止め層をピン止めす
るための反強磁性（ＡＦ）層は、耐食性が比較的高い反
強磁性材料のグループから選択する。このＡＦ層は、普
通なら従来のＳＶＭＲセンサでの使用に適さない、比較
的低い交換異方性を有する材料からなるものでよい。
【００１７】図５に示すように、ＳＶＭＲセンサは次の
ような一般的構造を有する。基板／シード／ＡＦ／ＰＦ
1／ＡＰＣ／ＰＦ2／ＳＰ／ＦＲ／ＣＰ。基板４５はガラ
ス、半導体材料、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などのセラミッ
ク材料を含めて適当などんな物質でもよい。シード層５
５は、後続の層の結晶テキスチャまたは粒径を変更する
ために付着させる層であり、基板によっては不要なこと
もある。シード層を使用する場合、タンタル（Ｔａ）、
ジルコニウム（Ｚｒ）、ニッケル−鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）、
またはＡｌ2Ｏ3で形成する。反強磁性層（ＡＦ）５７は
酸化ニッケル（ＮｉＯ）であることが好ましい。このＮ
ｉＯ ＡＦ層５７は、ＮｉＯターゲットのスパッタリン
グや、酸素含有ガスの存在下でのＮｉターゲットのスパ
ッタリングなど任意の従来の方法によって、シード層５
５上に、所望の交換特性が得られる厚さ、通常は２００
〜５００Åに付着させる。ＰＦ1／ＡＰＣ／ＰＦ2積層ピ
ン止め層７０はＡＦ層５７上に形成される。２層の強磁
性層７２、７４（ＰＦ1とＰＦ2）はＣｏで形成され、磁
気モーメントが等しいかまたはほぼ等しく、ＰＦ1とＰ
Ｆ2を反強磁性的に強く結合させる非強磁性材料の逆平
行結合（ＡＰＣ）フィルム７３によって分離することが
好ましい。積層ＡＰピン止め層７０中の２枚のＣｏフィ
ルム７２、７４は、矢印７５、７６で示すように磁化方
向が逆平行に配向している。２枚のフィルム７２、７４
の磁化が逆平行に整列するのは、ＡＰＣフィルム７３を
介する反強磁性交換結合のためである。この反強磁性結
合のため、また２枚のＣｏフィルム７２、７４が実質上
同じ厚さを有するため、各フィルムの磁気モーメントは
相互にほとんど打ち消し合い、したがって積層ＡＰピン
止め層７０中では正味磁気モーメントは非常に小さく、
または本質的にない。その結果、層７２のみをＡＦ層５
７によってピン止めされる単一ピン止め層として使用し
た場合よりも高い交換磁界の増幅がもたらされる。
【００１８】ＳＶＭＲセンサを完成するため、金属スペ
ーサ層６５（ＳＰ）を第２強磁性フィルム７４上に形成
し、自由強磁性層６３（ＦＲ）をスペーサ層６５上に形
成し、キャッピング層６２（ＣＰ）を自由強磁性層６３
上に形成する。磁界が印加されないとき、自由強磁性層
６３はその磁化軸が矢印７７で示す方向、即ち一般にピ
ン止めされたフィルム７２、７４の磁化軸７５、７６に
垂直な方向に配向する。
【００１９】ＡＦ層５７は耐食性の比較的高い反強磁性
材料なら何でもよい。ただし、ＡＦ／ＰＦ1／ＡＰＣ／
ＰＦ2構造の上昇または下降磁化ループ（Ｍ−Ｈルー
プ）が、少なくとも０を中心として約±２００Ｏｅの範
囲内の印加磁界では、一般に平坦になるように、積層ピ
ン止め層７０に充分な交換エネルギーを提供しなければ
ならない。その基準に合うとき、ＰＦ1とＰＦ2の磁化は
ほとんまたは全く回転せず、したがって低い磁界レベル
ではＳＶＭＲセンサの磁化に対する悪影響はない。Ｆｅ
−Ｍｎの交換エネルギーより低い交換エネルギーを持つ
ＡＦ層５７を使用する場合は、図５に示す積層ＡＰピン
止め層を使用することによってこの基準が達成される。
【００２０】ＮｉＯをベースとするＡＰピン止め層を備
えるＳＶＭＲセンサを以下のようにして製作した。Ｎｉ
ＯターゲットからのＲＦマグネトロン・スパッタリング
によって清浄なガラス基板上に４２０ÅのＮｉＯ ＡＦ
層を付着させた。（酸素を含む反応性ガスの存在下でＮ
ｉターゲットを使用してもスパッタ付着ＮｉＯ層が得ら
れる）。ガラス基板上にシード層は使用しなかった。Ｎ
ｉＯ層を数百エルステッドの磁界中で付着させたが、付
着中の印加磁界は必要ではない。ＮｉＯ層を付着させた
後、試料をＮｉＯ付着システムから取り外し、空気中で
第２付着システムへ移した。試料を第２付着システムに
入れ、通常のイオン・ビーム源を用いて５００ｅＶのア
ルゴン（Ａｒ）イオンで１００秒間エッチングした。こ
れによってＮｉＯ表面が清浄化され、表面材料が約１０
Å除去された。エッチングの後、試料が印加磁界中にあ
る間にＤＣマグネトロン・スパッタリングによって積層
Ｃｏ／Ｒｕ／Ｃｏ ＡＰピン止め層と残りのフィルムを
付着させた。付着後、ＮｉＯ ＡＦ層は単一の反強磁性
磁区状態にはないらしく、その結果このＣｏ／Ｒｕ／Ｃ
ｏピン止め層は単一の反強磁性磁区状態にはなく、その
結果磁気抵抗の振幅が小さくなる。したがって、フィル
ムの付着後、１５キロエルステッドの磁界中で試料をＮ
ｉＯ反強磁性ブロッキング温度（約１８０℃）より上ま
で加熱した。この強磁界は、Ｃｏ／Ｒｕ／Ｃｏピン止め
層の２層のＣｏ層をＲｕの影響に逆らって回転させるの
に充分であり、その回転の結果、どちらの層の磁化も共
に印加磁界と平行になり、両方のＣｏは単一磁区状態と
なる。次に、ピン止め層のＮｉＯ／Ｃｏ部分（ＮｉＯ
ＡＦ層および隣接する第１強磁性フィルム）の単一磁区
状態を維持するように磁界をまだ印加したままで試料を
冷却した。室温に冷却した後、印加磁界を除くと、Ｒｕ
の影響によって、ピン止め層の第２Ｃｏフィルムの磁化
が回転して、ＮｉＯ ＡＦ層と接触するＣｏフィルムの
磁化に対して逆平行になる。これによって交換異方性の
方向が整列し、ピン止め層が本質的に単一磁区状態に置
かれ、最大の磁気抵抗を与える。
【００２１】図６に、ＡＰＣフィルムとして４ÅのＲｕ
を備え、ＡＦ層としてＮｉＯを備えた積層ＡＰピン止め
層を備えたＳＶＭＲセンサのＭ−Ｈループを示す。図６
にそのデータを示したこのＳＶＭＲセンサは、図５に示
す構造を有し、ガラス基板４５、シード層なしで直接ガ
ラス基板４５に付着させた４２０ÅのＮｉＯ層５７（Ａ
Ｆ）、３０Åのコバルト（Ｃｏ）の第１ピン止め強磁性
フィルム７２（ＰＦ1）、４ÅのＲｕフィルム７３（Ａ
ＰＣ）、３５ÅのＣｏの第２ピン止め強磁性フィルム７
４（ＰＦ2）、２２．５Åの銅（Ｃｕ）スペーサ層６５
（ＳＰ）、２ÅのＣｏと５６ÅのＮｉ−Ｆｅからなる自
由強磁性層６３（ＦＲ）、および５０Åのタンタル（Ｔ
ａ）キャッピング層６２（ＣＰ）を含んでいた。ＮｉＯ
層５７は、残りのフィルムとは別のチャンバで付着させ
たので、ＰＦ1フィルムの付着前に表面を清浄化するた
めに、ＮｉＯ層５７をイオン・ビームで約１００秒間エ
ッチングした。図６において、印加磁界０における大き
な磁化の変化は、自由層６３の磁化方向と逆である。約
±４００Ｏｅの磁界変化にわたる０から離れた印加磁界
において、磁化は本質的に平坦であり、このことは積層
ＡＰピン止め層７０の回転が小さいことを示す。
【００２２】図７にＮｉＯをベースとする積層ＡＰピン
止め層を備えるＳＶＭＲセンサのＭＲ応答を示す。この
ＳＶＭＲセンサは、自由層６３が２ÅのＣｏと５６Åの
Ｎｉ−Ｆｅの代りに１０ÅのＣｏと５６ÅのＮｉ−Ｆｅ
からなる点を除けば、図６のＭＲ応答を示したセンサと
同一であった。図７は、印加磁界が＋４００Ｏｅに近づ
くにつれて、デルタＲ／Ｒの小さな低下によって表され
るピン止め層の少量の回転を示している。図６と図７に
このデータを示した実施形態では、ＰＦ1／ＡＰＣ／Ｐ
Ｆ2積層ピン止め層の正味磁気モーメントはわずか約１
０ÅのＮｉ80Ｆｅ20に相当した。
【００２３】図６について説明したものと同じ構造の、
ＮｉＯをベースとする積層ＡＰピン止めＳＶＭＲセンサ
の±１０００Ｏｅの磁界変化にわたる磁気抵抗を図８に
示す。ＡＦ層として４２０ÅのＮｉＯを使用した場合、
交換異方性エネルギーは約０．０２エルグ／cm2であ
り、その結果、図８に示すように約６００Ｏｅの交換磁
界Ｈexが得られた。図８は、このような高磁界において
も、このＳＶＭＲセンサの応答が積層ＡＰピン止め層の
可逆的回転によって支配され、その結果、フィルムがこ
のような高磁界の影響を受けるとき磁気抵抗が変化しな
いことを示している。すなわち、ＮｉＯをベースとする
積層ＡＰピン止め層を有するＳＶＭＲセンサは高磁界に
対する所望の安定性レベルを大きく上回る。この応答と
は対照的に、従来の単層ピン止め層と共にＮｉＯ ＡＦ
層を使用する場合、この基準から明らかに外れる。図９
にこのＭＲ応答を示したＳＶＭＲセンサは、４２０Åの
ＮｉＯ ＡＦ層によってピン止めされるピン止め層とし
て、３５Åの単一Ｃｏ層を有していた。図９はこの交換
磁界が約１２０Ｏｅにすぎず、わずか約２００Ｏｅの印
加磁界中でピン止め層が回転し始めることを示してい
る。
【００２４】再び図５を参照すると、ＳＶＭＲセンサを
磁気記録システムの感知回路に接続する手段が略図で示
してある。電気リード８０は、ＳＶＭＲセンサと電流源
８２と感知手段８４の間に回路パスを形成するために提
供される。従来技術で周知のように、最適のＳＶＭＲセ
ンサ応答回路を提供するには、横バイアス層と縦バイア
ス層（図示せず）など、追加のセンサ素子が必要とな
る。好ましい実施形態においては、記録媒体からの印加
磁気信号に応答して自由強磁性層６３の磁化が回転する
ときの抵抗の変化デルタＲを検出する感知手段８４によ
って、媒体中の磁気信号が感知される。
【００２５】図５に示す実施形態においては、積層ＡＰ
ピン止め層７０は、単一ＡＰＣフィルム７３で分離され
た２枚の強磁性フィルム７２、７４を備えるが、この積
層ＡＰピン止め層７０はＡＰＣフィルムによって分離さ
れた複数の強磁性フィルムを備えていてもよい。積層Ａ
Ｐピン止め層７０中の強磁性フィルム７２、７４とＡＰ
Ｃフィルム用に選択された材料に応じて、強磁性フィル
ム７２、７４が強く反強磁性的に結合するようになる好
ましいＡＰＣフィルム厚さがある。好ましいＣｏとＲｕ
の組合せの場合、Ｒｕ ＡＦ結合フィルムの厚さは２〜
８Åの範囲で選択できる。選択した材料の組合せに対す
る振動結合の関係は、パーキン（Ｐａｒｋｉｎ）らによ
りPhys. Rev. Lett., Vol. 64, p. 2034(1990)に詳述さ
れている。強磁性フィルムおよびＡＰＣフィルムとして
それぞれＣｏとＲｕの好ましい材料を使用したＳＶＭＲ
センサ中の積層ＡＰピン止め層を示したが、別の強磁性
材料（Ｃｏ、Ｆｅ、ＮｉおよびＮｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃ
ｏ、Ｆｅ−Ｃｏのようなそれらの合金など）を別のＡＰ
Ｃフィルム（クロム（Ｃｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリ
ジウム（Ｉｒ）、Ｃｕおよびそれらの化合物）と組み合
わせることも可能である。２枚の強磁性フィルム間の反
強磁性結合が確保できるようにＡＰＣフィルムの厚さを
選択するために、このような材料の組合せについて、振
動交換結合の関係が既知でない場合は、それを決定しな
ければならない。
【００２６】積層ＡＰピン止め層７０を形成する強磁性
フィルム７２、７４の厚さが同じ場合、各磁気モーメン
トが厳密に打ち消し合うので、理論上はピン止め層７０
の正味モーメントはゼロになるはずである。各フィルム
を厳密に正確な同じ厚さに形成することは不可能なの
で、通常の付着法の当然の結果として、積層ＡＰピン止
め層７０の正味モーメントは小さいではあろうがゼロの
値にはならない。しかし、ピン止め層内がゼロではない
小さい正味磁気モーメントと成るように、ピン止め強磁
性フィルム７２、７４のうち、一方が他方よりもわずか
に厚くなるように故意に付着させることが望ましいであ
ろう。これによって、磁界の存在下で積層ＡＰピン止め
層７０の磁化が安定となり、その結果、磁化の方向が予
測できるようになる。
【００２７】自由強磁性層６３はまた、スペーサ層６５
に隣接して薄いＣｏフィルム層を含む。これは図５には
示していないが、図６ないし８に示したデータに関して
説明したように好ましい実施形態の一部である。このＣ
ｏフィルムは、ＳＶＭＲセンサの磁気抵抗を増大させる
が、センサの透磁率に対する比較的「硬」磁性のＣｏ材
料の影響を最小限に抑え、かつ適切な自由層のモーメン
トを維持するために２〜２０Åの範囲の比較的薄い厚さ
に維持される。
【００２８】積層ＡＰピン止め層をピン止めするために
使用される高耐食性、低交換異方性のＡＦ材料は、ＭＲ
読取り間隙中の間隙材料としても機能できる点で、ＳＶ
ＭＲセンサに追加の利点をもたらす。再度図５を参照す
ると、ＳＶＭＲ読取り素子と誘導書込み素子を含む集積
読み書きヘッドなどの完全なＳＶＭＲセンサ構造を製作
する際に、図５に示したＳＶＭＲセンサ層は、通常Ｎｉ
80Ｆｅ20またはセンダスト（ＦｅとＳｉとＡｌの磁性合
金）で形成される、１対のＭＲシールドの間に配置す
る。次に、電気絶縁性の間隙材料をシールド間に配置す
る。ただし、本発明においてはＮｉＯ ＡＦ層５７は、
優れた絶縁体であるので間隙材料としても機能できる点
で追加の利点を与える。この場合、最初のＭＲシールド
は基板４５として機能する。
【００２９】図１０は、図５と類似しているが、自由層
６３（ＦＲ）がＳＶＭＲの底部（基板６１の近く）にあ
り、積層ＡＰピン止め層７０がＳＶＭＲセンサの頂部に
ある、代替実施形態を示す。ＡＦ層６６が第２ピン止め
強磁性層７４（ＰＦ2）に付着される。この構造も低交
換異方性反強磁性体と共に使用できる。
【００３０】図１１は、図１０に示したＳＶＭＲセンサ
実施形態の、耐食性層ＡＦがＮｉＯではなくＦｅ−Ｍｎ
とクロム（Ｃｒ）の合金、例えば（Ｆｅ50Ｍｎ50）97Ｃ
ｒ3である、実施形態の磁気抵抗と印加磁界の関係を示
す。図１１の曲線Ａは、反強磁性体としてＦｅ50Ｍｎ50
を使用した従来の単層ピン止め層を備えるＳＶＭＲセン
サのもので、約２２０Ｏｅの交換磁界を示す。曲線Ｂ
は、反強磁性体として（Ｆｅ50Ｍｎ50）97Ｃｒ3を使用
した従来の単層ピン止め層を備えるＳＶＭＲセンサのも
ので、約１６０Ｏｅの交換磁界を示す。（Ｆｅ50Ｍ
ｎ50）97Ｃｒ3はＦｅ−Ｍｎよりも強い耐食性を提供す
ることが知られているが、これは、交換磁界が著しく低
下するため、従来のＳＶＭＲセンサでは望ましくないこ
とを明瞭に示している。曲線Ｃは、（Ｆｅ50Ｍｎ50）Ｃ
ｒ3を有するＣｏ／Ｒｕ／Ｃｏの積層ＡＰピン止め層を
使用した本発明によるＳＶＭＲセンサのもので、約９０
０Ｏｅの交換磁界を示している。（Ｆｅ50Ｍｎ50）97Ｃ
ｒ3はＳＶＭＲセンサの耐食性の顕著な改善をもたら
す。Ｃｒの量は所望の程度の耐食性をもたらすように選
択し、通常約２〜５％である。
【００３１】ＳＶＭＲセンサ中で積層ＡＰピン止め層と
共に使用するＡＦ層としてＮｉＯと（Ｆｅ50Ｍｎ50）97
Ｃｒ3に加えて、普通ならＳＶＭＲセンサ中のＡＦ層と
して使用できないであろうが、必要な腐食耐性と充分な
交換異方性を提供するもう一種類の材料は（Ｎｉ1-xＣ
ｏx）Ｏであり、ここでｘは約０〜０．５である。
【００３２】以上本発明をその好ましい実施例に関して
述べたが、本発明の精神、範囲および教示から逸脱する
ことなく、形態および細部に様々な変更を加えることが
できることが当業者には理解されるであろう。ちなみ
に、開示された発明は、例示的なものにすぎないと見な
すべきであり、特許請求の範囲に明記された範囲にのみ
限定されるものである。
【００３３】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
【００３４】（１）非磁性材料のスペーサ層によって分
離された強磁性材料の第１層および第２層であって、強
磁性材料の前記第１層の磁化方向がゼロ印加磁界のとき
強磁性材料の前記第２層の磁化方向に対してある角度を
なし、強磁性材料の前記第２層が、第１および第２の強
磁性フィルムと、第１の強磁性フィルムと第２の強磁性
フィルムの間にそれらと接触して配置され、その磁化が
相互に逆平行に整列され印加磁界の存在下で逆平行に含
まれるように第１の強磁性フィルムと第２の強磁性フィ
ルムを反強磁性的に結合するための非磁性の逆平行結合
フィルムとを備える強磁性材料の第１層および第２層
と、酸化ニッケル（Ｎｉ1-xＣｏx）Ｏ（ｘは０．０〜
０．５）、（Ｆｅ−Ｍｎ）合金およびＣｒよりなるグル
ープから選択された反強磁性材料の交換バイアス層であ
って、印加磁界の存在下で前記第２強磁性層中の前記強
磁性フィルムのうちの一枚の磁化を固定された方向に維
持するように前記交換バイアス層が前記強磁性フィルム
のうちの一枚に隣接しかつ接触し、それによって印加磁
界の存在下で前記第１強磁性層の磁化は自由に回転する
が、前記第２強磁性層中の第１と第２の強磁性フィルム
の磁化方向は固定され互いに逆平行のままとなる、反強
磁性材料の交換バイアス層とを備える磁気抵抗センサ。 （２）基板を含み、前記反強磁性材料の交換バイアス層
が基板上に形成されることを特徴とする、上記（１）に
記載の磁気抵抗センサ。 （３）前記基板と前記交換バイアス層の間に配置された
シード層を含むことを特徴とする、上記（２）に記載の
磁気抵抗センサ。 （４）前記基板が磁気抵抗シールドであることを特徴と
する、上記（２）に記載の磁気抵抗センサ。 （５）前記交換バイアス層が本質的に酸化ニッケルから
成ることを特徴とする、上記（１）に記載の磁気抵抗セ
ンサ。 （６）前記第２強磁性層中の非磁性逆平行結合フィルム
が本質的にＲｕから成ることを特徴とする、上記（１）
に記載の磁気抵抗センサ。 （７）前記Ｒｕフィルムが約２〜８Åの範囲の厚さを有
することを特徴とする、上記（６）に記載の磁気抵抗セ
ンサ。 （８）前記第２強磁性層中の第１と第２の強磁性フィル
ムがＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉおよびそれらの合金から成るグル
ープから選択された材料ででき、前記第２強磁性層中の
非磁性逆平行結合フィルムがＲｕ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ｉｒお
よびそれらの合金から成るグループから選択された材料
でできていることを特徴とする、上記（１）に記載の磁
気抵抗センサ。 （９）前記第２の強磁性層中の第１と第２の強磁性フィ
ルムが本質的にコバルトから成ることを特徴とする、上
記（８）に記載の磁気抵抗センサ。 （１０）前記第２の強磁性層が本質的にゼロの正味磁気
モーメントを有することを特徴とする、上記（１）に記
載の磁気抵抗センサ。 （１１）前記第２の強磁性層中の第１と第２の強磁性フ
ィルムがほぼ同じ厚さを有することを特徴とする、上記
（１）に記載の磁気抵抗センサ。 （１２）基板と、前記基板上に形成され、酸化ニッケル
（Ｎｉ1-xＣｏx）Ｏ（ｘは０．０〜０．５）、（Ｆｅ−
Ｍｎ）合金およびＣｒを含むグループから選択された反
強磁性材料の交換バイアス層と、前記交換バイアス層に
隣接する積層逆平行ピン止め層であって、前記交換バイ
アス層に隣接しそれと反強磁性的に結合した第１の強磁
性フィルムと、第２の強磁性フィルムと、第１と第２の
強磁性フィルムの間にあってそれらと接続する、第１お
よび第２の強磁性フィルムの磁化が、相互に逆平行に整
列され、印加磁界の存在下で前記交換バイアス層によっ
て逆平行にピン止めされたままとなるように第１の強磁
性フィルムと第２の強磁性フィルムを反強磁性的に結合
して、逆平行結合フィルムを備えるピン止め層と、前記
積層逆平行ピン止め層の第２の強磁性フィルムに隣接し
た非磁性スペーサ層と、前記スペーサ層と隣接し、それ
と接触し、印加磁界の不在下で、前記積層逆平行ピン止
め層中の第１および第２の強磁性フィルムの磁化軸に垂
直な、優先磁化軸を有する自由強磁性層とを備えるスピ
ン・バルブ磁気抵抗センサ。 （１３）前記基板と前記交換バイアス層との間に配置さ
れたシード層を含むことを特徴とする、上記（１２）に
記載のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。 （１４）前記基板が磁気抵抗シールドであることを特徴
とする、上記（１２）に記載のスピン・バルブ磁気抵抗
センサ。 （１５）前記交換バイアス層が本質的に酸化ニッケルか
ら成ることを特徴とする、上記（１２）に記載のスピン
・バルブ磁気抵抗センサ。 （１６）前記逆平行結合フィルムが本質的にＲｕから成
ることを特徴とする、上記（１２）に記載のスピン・バ
ルブ磁気抵抗センサ。 （１７）前記Ｒｕフィルムが約２〜８Åの範囲の厚さを
有することを特徴とする、上記（１６）に記載のスピン
・バルブ磁気抵抗センサ。 （１８）前記積層逆平行ピン止め層中の第１と第２の強
磁性フィルムがＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉおよびその合金から成
るグループから選択される材料ででき、前記第２の強磁
性層中の前記逆平行結合フィルムがＲｕ、Ｃｒ、Ｒｈ、
Ｉｒおよびその合金から成るグループから選択された材
料でできていることを特徴とする、上記（１２）に記載
のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。 （１９）前記積層逆平行ピン止め層中の第１と第２の強
磁性フィルムが本質的にコバルトから成ることを特徴と
する、上記（１８）に記載のスピン・バルブ磁気抵抗セ
ンサ。 （２０）前記積層逆平行ピン止め層が本質的にゼロの正
味磁気モーメントを有することを特徴とする、上記（１
２）に記載のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。 （２１）前記積層逆平行ピン止め層中の第１と第２の強
磁性フィルムがほぼ同じ厚さを有することを特徴とす
る、上記（１２）に記載のスピン・バルブ磁気抵抗セン
サ。 （２２）磁気記録ディスクと、前記ディスクに接続され
た、前記ディスクを回転させるためのモータと、前記デ
ィスク上に磁気的に記録されたデータを感知するための
スピン・バルブ磁気抵抗センサとを備え、前記センサ
が、酸化ニッケル（Ｎｉ1-xＣｏx）Ｏ（ｘは０．０〜
０．５）、（Ｆｅ−Ｍｎ）合金およびＣｒからなるグル
ープから選択された反強磁性材料の交換バイアス層と、
前記交換バイアス層と隣接する積層逆平行ピン止め層で
あって、前記交換バイアス層に隣接しそれと反強磁性的
に結合した第１の強磁性フィルムと、第２の強磁性フィ
ルムと、第１と第２の強磁性フィルムの間にあってそれ
らと接触する、第１および第２の強磁性フィルムの磁化
が相互に逆平行に整列され、印加磁界の存在下で前記交
換バイアス層によって逆平行にピン止めされたままとな
るように第１および第２の強磁性フィルムを反強磁性的
に結合するための逆平行結合フィルムとを備えるピン止
め層と、前記積層逆平行ピン止め層の第２の強磁性フィ
ルムに隣接した非磁性的スペーサ層と、前記スペーサ層
と隣接し、それと接触する自由強磁性層とを備え、さら
に、前記センサが取り付けられた基板を有し、前記スピ
ン・バルブ磁気抵抗センサを支持するキャリアと、前記
センサが前記ディスク上に磁気的に記録されたデータの
異なる領域をアクセスできるように前記キャリアを一般
に前記ディスクを横切って移動させるアクチュエータ
と、前記キャリアを前記ディスクの近くに維持するよう
に前記キャリアを前記アクチュエータに接続する手段
と、前記センサに電気的に結合された、前記磁気記録デ
ィスクからの磁界に応答して、前記自由強磁性層の磁化
軸が、前記積層逆平行ピン止め層中の逆平行に結合され
た第１と第２の強磁性フィルムの固定された磁化に対し
て回転することによって生じる前記センサの抵抗の変化
を検出する手段と、前記モータおよび前記アクチュエー
タを支持する手段とを備える磁気記録ディスク・ドライ
ブ。 （２３）前記キャリアの基板と前記交換バイアス層との
間に配置されたシード層を含むことを特徴とする、上記
（２２）に記載のディスク・ドライブ。 （２４）前記基板が磁気抵抗シールドであり、前記交換
バイアス層がそのシールド上に形成されることを特徴と
する、上記（２２）に記載のディスク・ドライブ。 （２５）前記交換バイアス層が本質的に酸化ニッケルか
ら成ることを特徴とする、上記（２２）に記載のディス
ク・ドライブ。 （２６）前記逆平行結合フィルムが本質的にＲｕから成
ることを特徴とする、上記（２２）に記載のディスク・
ドライブ。 （２７）前記Ｒｕフィルムが約２〜８Åの範囲の厚さを
有することを特徴とする、上記（２６）に記載のディス
ク・ドライブ。 （２８）前記積層逆平行ピン止め層中の第１と第２の強
磁性フィルムがＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉおよびそれらの合金か
ら成るグループから選択された材料ででき、前記積層逆
平行ピン止め層中の前記非磁性逆平行結合フィルムがＲ
ｕ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ｉｒおよびそれらの合金から成るグル
ープから選択された材料でできていることを特徴とす
る、上記（２２）に記載のディスク・ドライブ。 （２９）前記積層逆平行ピン止め層中の前記第１と第２
の強磁性フィルムが本質的にコバルトから成ることを特
徴とする、上記（２８）に記載のディスク・ドライブ。 （３０）前記積層逆平行ピン止め層が本質的にゼロの正
味磁気モーメントを有することを特徴とする、上記（２
２）に記載のディスク・ドライブ。 （３１）前記積層逆平行ピン止め層中の前記第１と第２
の強磁性フィルムがほぼ同じ厚さを有することを特徴と
する、上記（２２）に記載のディスク・ドライブ。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるＳＶＭＲセンサと共に使用される
磁気記録ディスク・ドライブの簡略化したブロック図で
ある。
【図２】カバーを取り外した図１のディスク・ドライブ
の平面図である。
【図３】従来技術のＳＶＭＲセンサの分解斜視図であ
る。
【図４】図３のＳＶＭＲセンサを９０°回転させた断面
図である。
【図５】本発明によるＳＶＭＲセンサの断面図である。
【図６】ＮｉＯをベースとする積層ＡＰピン止め構造
（ＮｉＯ／Ｃｏ／Ｒｕ／Ｃｏ）を４００Ｏｅの磁界偏位
にわたって使用したＳＶＭＲセンサの、積層ＡＰピン止
め層がほとんど回転しないことを示すＭ−Ｈループであ
る。
【図７】ＮｉＯをベースとする積層ＡＰピン止め構造
（ＮｉＯ／Ｃｏ／Ｒｕ／Ｃｏ）を４００Ｏｅの磁界偏位
にわたって使用したＳＶＭＲセンサの、最高の磁界にお
ける磁気抵抗振幅のわずかな低下のみを示す、磁気抵抗
と印加磁界の関係を示すグラフである。
【図８】ＮｉＯをベースとする積層ＡＰピン止め構造
（ＮｉＯ／Ｃｏ／Ｒｕ／Ｃｏ）を１０００Ｏｅの磁界偏
位にわたって使用したＳＶＭＲセンサの、交換磁界が６
００Ｏｅであって従来のＳＶＭＲセンサにおけるよりも
大幅に大きいことを示す、磁気抵抗と印加磁界の関係を
示すグラフである。
【図９】ＮｉＯをベースとする単層ピン止め構造（Ｎｉ
Ｏ／Ｃｏ）を１２００Ｏｅの磁界偏位にわたって使用し
たＳＶＭＲセンサの、交換磁界が約１００Ｏｅと低いこ
とを示す、磁気抵抗と印加磁界の関係を示すグラフであ
る。
【図１０】ＮｉＯをベースとする積層ＡＰピン止め層が
頂部に配置された、本発明のＳＶＭＲセンサの実施形態
を示す図である。
【図１１】（Ａ）Ｆｅ50Ｍｎ50層によってピン止めされ
た従来の単一Ｃｏ層を備えるＳＶＭＲセンサ、（Ｂ）
（Ｆｅ50Ｍｎ50）97Ｃｒ3層によってピン止めされた従
来のＣｏ／Ｎｉ−Ｆｅピン止め層を備えるＳＶＭＲセン
サ、および（Ｃ）（Ｆｅ50Ｍｎ50）97Ｃｒ3層でピン止
めされた積層ＡＰピン止め層（Ｃｏ／Ｒｕ／Ｃｏ）を備
えるＳＶＭＲセンサの磁気抵抗と印加磁界の関係を示す
グラフである。
【符号の説明】
１０ ベース １１ カバー １２ ドライブ・モータ １３ ガスケット １４ アクチュエータ １５ チップ １６ 磁気記録ディスク １７ フレックス・ケーブル １８ ハブ １９ ケーブル ２０ 空気ベアリング・スライダ ２２ 剛性アーム ２４ サスペンション ２５ トランスデューサ（ヘッド） ３０ ＳＶＭＲセンサ ３１ 基板 ３３ バッファ層 ３５ 自由強磁性層 ３７ スペーサ層 ３９ 強磁性ピン止め層 ４１ 交換バイアス層 ４５ 基板 ５０ 潤滑フィルム ５５ シード層 ５７ 反強磁性層（ＡＦ） ６１ 基板 ６２ キャッピング層（ＣＰ） ６３ 自由強磁性層（ＦＲ） ６５ スペーサ層（ＳＰ） ６６ 反強磁性層（ＡＦ） ７０ 強磁性ピン止め層 ７２ 強磁性層（ＰＦ1） ７３ 非強磁性逆平行結合層（ＡＰＣ） ７４ 強磁性層（ＰＦ2） ８０ 電気リード ８２ 電流源 ８４ 感知手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ブルース・アルヴィン・ガーニー アメリカ合衆国95051−4363 カリフォル ニア州サンタ・クララ フローラ・ヴィス タ・アベニュー3770 ナンバー1308 (72)発明者 ツァン・リン アメリカ合衆国95070 カリフォルニア州 サラトガヴィア・グランデ・ドライブ 19686 (72)発明者 ヴァージル・サイモン・スペリオース アメリカ合衆国95119 カリフォルニア州 サンノゼセント・ジュリー・ドライブ351 (72)発明者 チン・ホワ・ツァン アメリカ合衆国94087 カリフォルニア州 サニーヴェール ヘレナ・ドライブ882 (72)発明者 デニス・リチャード・ウィルホイト アメリカ合衆国95037 カリフォルニア州 モーガン・ヒル スプリング・ヒル・ドラ イブ575

Claims (31)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】非磁性材料のスペーサ層によって分離され
    た強磁性材料の第１層および第２層であって、強磁性材
    料の前記第１層の磁化方向がゼロ印加磁界のとき強磁性
    材料の前記第２層の磁化方向に対してある角度をなし、
    強磁性材料の前記第２層が、第１および第２の強磁性フ
    ィルムと、第１の強磁性フィルムと第２の強磁性フィル
    ムの間にそれらと接触して配置され、その磁化が相互に
    逆平行に整列され印加磁界の存在下で逆平行に含まれる
    ように第１の強磁性フィルムと第２の強磁性フィルムを
    反強磁性的に結合するための非磁性の逆平行結合フィル
    ムとを備える強磁性材料の第１層および第２層と、 酸化ニッケル（Ｎｉ1-xＣｏx）Ｏ（ｘは０．０〜０．
    ５）、（Ｆｅ−Ｍｎ）合金およびＣｒよりなるグループ
    から選択された反強磁性材料の交換バイアス層であっ
    て、印加磁界の存在下で前記第２強磁性層中の前記強磁
    性フィルムのうちの一枚の磁化を固定された方向に維持
    するように前記交換バイアス層が前記強磁性フィルムの
    うちの一枚に隣接しかつ接触し、それによって印加磁界
    の存在下で前記第１強磁性層の磁化は自由に回転する
    が、前記第２強磁性層中の第１と第２の強磁性フィルム
    の磁化方向は固定され互いに逆平行のままとなる、反強
    磁性材料の交換バイアス層とを備える磁気抵抗センサ。
  2. 【請求項２】基板を含み、前記反強磁性材料の交換バイ
    アス層が基板上に形成されることを特徴とする、請求項
    １に記載の磁気抵抗センサ。
  3. 【請求項３】前記基板と前記交換バイアス層の間に配置
    されたシード層を含むことを特徴とする、請求項２に記
    載の磁気抵抗センサ。
  4. 【請求項４】前記基板が磁気抵抗シールドであることを
    特徴とする、請求項２に記載の磁気抵抗センサ。
  5. 【請求項５】前記交換バイアス層が本質的に酸化ニッケ
    ルから成ることを特徴とする、請求項１に記載の磁気抵
    抗センサ。
  6. 【請求項６】前記第２強磁性層中の非磁性逆平行結合フ
    ィルムが本質的にＲｕから成ることを特徴とする、請求
    項１に記載の磁気抵抗センサ。
  7. 【請求項７】前記Ｒｕフィルムが約２〜８Åの範囲の厚
    さを有することを特徴とする、請求項６に記載の磁気抵
    抗センサ。
  8. 【請求項８】前記第２強磁性層中の第１と第２の強磁性
    フィルムがＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉおよびそれらの合金から成
    るグループから選択された材料ででき、前記第２強磁性
    層中の非磁性逆平行結合フィルムがＲｕ、Ｃｒ、Ｒｈ、
    Ｉｒおよびそれらの合金から成るグループから選択され
    た材料でできていることを特徴とする、請求項１に記載
    の磁気抵抗センサ。
  9. 【請求項９】前記第２の強磁性層中の第１と第２の強磁
    性フィルムが本質的にコバルトから成ることを特徴とす
    る、請求項８に記載の磁気抵抗センサ。
  10. 【請求項１０】前記第２の強磁性層が本質的にゼロの正
    味磁気モーメントを有することを特徴とする、請求項１
    に記載の磁気抵抗センサ。
  11. 【請求項１１】前記第２の強磁性層中の第１と第２の強
    磁性フィルムがほぼ同じ厚さを有することを特徴とす
    る、請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
  12. 【請求項１２】基板と、 前記基板上に形成され、酸化ニッケル（Ｎｉ1-xＣｏx）
    Ｏ（ｘは０．０〜０．５）、（Ｆｅ−Ｍｎ）合金および
    Ｃｒを含むグループから選択された反強磁性材料の交換
    バイアス層と、 前記交換バイアス層に隣接する積層逆平行ピン止め層で
    あって、前記交換バイアス層に隣接しそれと反強磁性的
    に結合した第１の強磁性フィルムと、第２の強磁性フィ
    ルムと、第１と第２の強磁性フィルムの間にあってそれ
    らと接続する、第１および第２の強磁性フィルムの磁化
    が、相互に逆平行に整列され、印加磁界の存在下で前記
    交換バイアス層によって逆平行にピン止めされたままと
    なるように第１の強磁性フィルムと第２の強磁性フィル
    ムを反強磁性的に結合して、逆平行結合フィルムを備え
    るピン止め層と、 前記積層逆平行ピン止め層の第２の強磁性フィルムに隣
    接した非磁性スペーサ層と、 前記スペーサ層と隣接し、それと接触し、印加磁界の不
    在下で、前記積層逆平行ピン止め層中の第１および第２
    の強磁性フィルムの磁化軸に垂直な、優先磁化軸を有す
    る自由強磁性層とを備えるスピン・バルブ磁気抵抗セン
    サ。
  13. 【請求項１３】前記基板と前記交換バイアス層との間に
    配置されたシード層を含むことを特徴とする、請求項１
    ２に記載のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。
  14. 【請求項１４】前記基板が磁気抵抗シールドであること
    を特徴とする、請求項１２に記載のスピン・バルブ磁気
    抵抗センサ。
  15. 【請求項１５】前記交換バイアス層が本質的に酸化ニッ
    ケルから成ることを特徴とする、請求項１２に記載のス
    ピン・バルブ磁気抵抗センサ。
  16. 【請求項１６】前記逆平行結合フィルムが本質的にＲｕ
    から成ることを特徴とする、請求項１２に記載のスピン
    ・バルブ磁気抵抗センサ。
  17. 【請求項１７】前記Ｒｕフィルムが約２〜８Åの範囲の
    厚さを有することを特徴とする、請求項１６に記載のス
    ピン・バルブ磁気抵抗センサ。
  18. 【請求項１８】前記積層逆平行ピン止め層中の第１と第
    ２の強磁性フィルムがＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉおよびその合金
    から成るグループから選択される材料ででき、前記第２
    の強磁性層中の前記逆平行結合フィルムがＲｕ、Ｃｒ、
    Ｒｈ、Ｉｒおよびその合金から成るグループから選択さ
    れた材料でできていることを特徴とする、請求項１２に
    記載のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。
  19. 【請求項１９】前記積層逆平行ピン止め層中の第１と第
    ２の強磁性フィルムが本質的にコバルトから成ることを
    特徴とする、請求項１８に記載のスピン・バルブ磁気抵
    抗センサ。
  20. 【請求項２０】前記積層逆平行ピン止め層が本質的にゼ
    ロの正味磁気モーメントを有することを特徴とする、請
    求項１２に記載のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。
  21. 【請求項２１】前記積層逆平行ピン止め層中の第１と第
    ２の強磁性フィルムがほぼ同じ厚さを有することを特徴
    とする、請求項１２に記載のスピン・バルブ磁気抵抗セ
    ンサ。
  22. 【請求項２２】磁気記録ディスクと、 前記ディスクに接続された、前記ディスクを回転させる
    ためのモータと、 前記ディスク上に磁気的に記録されたデータを感知する
    ためのスピン・バルブ磁気抵抗センサとを備え、前記セ
    ンサが、 酸化ニッケル（Ｎｉ1-xＣｏx）Ｏ（ｘは０．０〜０．
    ５）、（Ｆｅ−Ｍｎ）合金およびＣｒからなるグループ
    から選択された反強磁性材料の交換バイアス層と、 前記交換バイアス層と隣接する積層逆平行ピン止め層で
    あって、前記交換バイアス層に隣接しそれと反強磁性的
    に結合した第１の強磁性フィルムと、第２の強磁性フィ
    ルムと、第１と第２の強磁性フィルムの間にあってそれ
    らと接触する、第１および第２の強磁性フィルムの磁化
    が相互に逆平行に整列され、印加磁界の存在下で前記交
    換バイアス層によって逆平行にピン止めされたままとな
    るように第１および第２の強磁性フィルムを反強磁性的
    に結合するための逆平行結合フィルムとを備えるピン止
    め層と、 前記積層逆平行ピン止め層の第２の強磁性フィルムに隣
    接した非磁性的スペーサ層と、 前記スペーサ層と隣接し、それと接触する自由強磁性層
    とを備え、 さらに、前記センサが取り付けられた基板を有し、前記
    スピン・バルブ磁気抵抗センサを支持するキャリアと、 前記センサが前記ディスク上に磁気的に記録されたデー
    タの異なる領域をアクセスできるように前記キャリアを
    一般に前記ディスクを横切って移動させるアクチュエー
    タと、 前記キャリアを前記ディスクの近くに維持するように前
    記キャリアを前記アクチュエータに接続する手段と、 前記センサに電気的に結合された、前記磁気記録ディス
    クからの磁界に応答して、前記自由強磁性層の磁化軸
    が、前記積層逆平行ピン止め層中の逆平行に結合された
    第１と第２の強磁性フィルムの固定された磁化に対して
    回転することによって生じる前記センサの抵抗の変化を
    検出する手段と、 前記モータおよび前記アクチュエータを支持する手段と
    を備える磁気記録ディスク・ドライブ。
  23. 【請求項２３】前記キャリアの基板と前記交換バイアス
    層との間に配置されたシード層を含むことを特徴とす
    る、請求項２２に記載のディスク・ドライブ。
  24. 【請求項２４】前記基板が磁気抵抗シールドであり、前
    記交換バイアス層がそのシールド上に形成されることを
    特徴とする、請求項２２に記載のディスク・ドライブ。
  25. 【請求項２５】前記交換バイアス層が本質的に酸化ニッ
    ケルから成ることを特徴とする、請求項２２に記載のデ
    ィスク・ドライブ。
  26. 【請求項２６】前記逆平行結合フィルムが本質的にＲｕ
    から成ることを特徴とする、請求項２２に記載のディス
    ク・ドライブ。
  27. 【請求項２７】前記Ｒｕフィルムが約２〜８Åの範囲の
    厚さを有することを特徴とする、請求項２６に記載のデ
    ィスク・ドライブ。
  28. 【請求項２８】前記積層逆平行ピン止め層中の第１と第
    ２の強磁性フィルムがＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉおよびそれらの
    合金から成るグループから選択された材料ででき、前記
    積層逆平行ピン止め層中の前記非磁性逆平行結合フィル
    ムがＲｕ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ｉｒおよびそれらの合金から成
    るグループから選択された材料でできていることを特徴
    とする、請求項２２に記載のディスク・ドライブ。
  29. 【請求項２９】前記積層逆平行ピン止め層中の前記第１
    と第２の強磁性フィルムが本質的にコバルトから成るこ
    とを特徴とする、請求項２８に記載のディスク・ドライ
    ブ。
  30. 【請求項３０】前記積層逆平行ピン止め層が本質的にゼ
    ロの正味磁気モーメントを有することを特徴とする、請
    求項２２に記載のディスク・ドライブ。
  31. 【請求項３１】前記積層逆平行ピン止め層中の前記第１
    と第２の強磁性フィルムがほぼ同じ厚さを有することを
    特徴とする、請求項２２に記載のディスク・ドライブ。
JP15082696A 1995-06-30 1996-06-12 スピン・バルブ磁気抵抗センサと、このセンサを使用した磁気記録システム Expired - Fee Related JP3180027B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US49732495A 1995-06-30 1995-06-30
US08/497324 1995-06-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0916920A true JPH0916920A (ja) 1997-01-17
JP3180027B2 JP3180027B2 (ja) 2001-06-25

Family

ID=23976401

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15082696A Expired - Fee Related JP3180027B2 (ja) 1995-06-30 1996-06-12 スピン・バルブ磁気抵抗センサと、このセンサを使用した磁気記録システム

Country Status (9)

Country Link
US (1) US5701223A (ja)
EP (1) EP0751499B1 (ja)
JP (1) JP3180027B2 (ja)
KR (1) KR100261385B1 (ja)
CN (1) CN1076498C (ja)
DE (1) DE69611326T2 (ja)
MY (1) MY114553A (ja)
SG (1) SG46731A1 (ja)
TW (1) TW330285B (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6313973B1 (en) 1998-06-30 2001-11-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Laminated magnetorestrictive element of an exchange coupling film, an antiferromagnetic film and a ferromagnetic film and a magnetic disk drive using same
US6603643B2 (en) 2000-10-06 2003-08-05 Hitachi, Ltd. Magnetoresistive head containing oxide layer
US6612018B1 (en) 1998-11-09 2003-09-02 International Business Machines Corporation Method of making an antiparallel (AP) pinned spin valve sensor with giant magnetoresistive (GMR) enhancing layer
US6655008B2 (en) 1999-06-25 2003-12-02 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B. V. Method of making a dual GMR read head with self-pinned layer and specular reflector
US6671138B2 (en) 1999-09-29 2003-12-30 Fujitsu Limited Multi-layer magnetoresistive head and information-reproducing system
KR100631354B1 (ko) * 1999-03-26 2006-10-09 후지쯔 가부시끼가이샤 스핀 밸브 자기 저항 효과형 소자와 그 제조법, 및 이 소자를 이용한 자기 헤드
JP2007095186A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び複合型磁気ヘッド
US7265948B2 (en) 2001-07-17 2007-09-04 Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd., Magnetoresistive element with oxide magnetic layers and metal magnetic films deposited thereon
JP2009199716A (ja) * 2003-02-03 2009-09-03 Komag Inc 記憶装置
JP2009283126A (ja) * 1999-04-28 2009-12-03 Seagate Technology Llc ピンニング層を有する巨大磁気抵抗効果センサー
US7911736B2 (en) 2002-05-30 2011-03-22 Wd Media, Inc. Storage device and method of using a head that has a concave surface when powered down
US7957109B2 (en) 2006-09-11 2011-06-07 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic head of magnetoresistance effect type with high resistance to external stress

Families Citing this family (134)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6055135A (en) * 1996-03-25 2000-04-25 Alps Electric Co., Ltd. Exchange coupling thin film and magnetoresistive element comprising the same
JPH10241123A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Nec Corp 磁気抵抗効果ヘッド
JP2970590B2 (ja) * 1997-05-14 1999-11-02 日本電気株式会社 磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システム
US5871622A (en) * 1997-05-23 1999-02-16 International Business Machines Corporation Method for making a spin valve magnetoresistive sensor
US6061210A (en) * 1997-09-22 2000-05-09 International Business Machines Corporation Antiparallel pinned spin valve with high magnetic stability
EP1134815A3 (en) * 1997-09-29 2001-10-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magnetoresistance effect device, and method for producing the same
US6040961A (en) * 1997-10-27 2000-03-21 International Business Machines Corporation Current-pinned, current resettable soft AP-pinned spin valve sensor
US5898549A (en) * 1997-10-27 1999-04-27 International Business Machines Corporation Anti-parallel-pinned spin valve sensor with minimal pinned layer shunting
US6038107A (en) * 1997-10-27 2000-03-14 International Business Machines Corporation Antiparallel-pinned spin valve sensor
US6245450B1 (en) 1997-11-17 2001-06-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Exchange coupling film magnetoresistance effect device magnetoresistance effective head and method for producing magnetoresistance effect device
US6175477B1 (en) * 1997-12-05 2001-01-16 International Business Machines Corporation Spin valve sensor with nonmagnetic oxide seed layer
US6141191A (en) * 1997-12-05 2000-10-31 International Business Machines Corporation Spin valves with enhanced GMR and thermal stability
US6261681B1 (en) 1998-03-20 2001-07-17 Asahi Komag Co., Ltd. Magnetic recording medium
JPH11296823A (ja) * 1998-04-09 1999-10-29 Nec Corp 磁気抵抗効果素子およびその製造方法、ならびに磁気抵抗効果センサ，磁気記録システム
US6269027B1 (en) 1998-04-14 2001-07-31 Honeywell, Inc. Non-volatile storage latch
US6191926B1 (en) * 1998-05-07 2001-02-20 Seagate Technology Llc Spin valve magnetoresistive sensor using permanent magnet biased artificial antiferromagnet layer
US6738236B1 (en) * 1998-05-07 2004-05-18 Seagate Technology Llc Spin valve/GMR sensor using synthetic antiferromagnetic layer pinned by Mn-alloy having a high blocking temperature
US6063244A (en) * 1998-05-21 2000-05-16 International Business Machines Corporation Dual chamber ion beam sputter deposition system
US7738220B1 (en) * 1998-06-30 2010-06-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistance effect element, magnetic head, magnetic head assembly, magnetic storage system
KR100334837B1 (ko) * 1998-07-21 2002-05-04 가타오카 마사타카 스핀밸브형 박막소자 및 그 제조 방법
US6195240B1 (en) 1998-07-31 2001-02-27 International Business Machines Corporation Spin valve head with diffusion barrier
US6175476B1 (en) 1998-08-18 2001-01-16 Read-Rite Corporation Synthetic spin-valve device having high resistivity anti parallel coupling layer
US6278594B1 (en) 1998-10-13 2001-08-21 Storage Technology Corporation Dual element magnetoresistive read head with integral element stabilization
US6181534B1 (en) * 1998-11-09 2001-01-30 International Business Machines Corporation Antiparallel (AP) pinned spin valve sensor with specular reflection of conduction electrons
US6201671B1 (en) 1998-12-04 2001-03-13 International Business Machines Corporation Seed layer for a nickel oxide pinning layer for increasing the magnetoresistance of a spin valve sensor
US6633464B2 (en) 1998-12-09 2003-10-14 Read-Rite Corporation Synthetic antiferromagnetic pinned layer with Fe/FeSi/Fe system
US6185077B1 (en) 1999-01-06 2001-02-06 Read-Rite Corporation Spin valve sensor with antiferromagnetic and magnetostatically coupled pinning structure
US6587315B1 (en) 1999-01-20 2003-07-01 Alps Electric Co., Ltd. Magnetoresistive-effect device with a magnetic coupling junction
JP3703348B2 (ja) 1999-01-27 2005-10-05 アルプス電気株式会社 スピンバルブ型薄膜素子とそのスピンバルブ型薄膜素子を備えた薄膜磁気ヘッド
JP3212567B2 (ja) * 1999-01-27 2001-09-25 アルプス電気株式会社 磁気抵抗効果型薄膜磁気素子を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6351355B1 (en) * 1999-02-09 2002-02-26 Read-Rite Corporation Spin valve device with improved thermal stability
US6469878B1 (en) 1999-02-11 2002-10-22 Seagate Technology Llc Data head and method using a single antiferromagnetic material to pin multiple magnetic layers with differing orientation
US6181533B1 (en) 1999-02-19 2001-01-30 Seagate Technology Llc Simultaneous fixation of the magnetization direction in a dual GMR sensor's pinned layers
US6282068B1 (en) * 1999-03-30 2001-08-28 International Business Machines Corporation Antiparallel (AP) pinned read head with improved GMR
US6201673B1 (en) 1999-04-02 2001-03-13 Read-Rite Corporation System for biasing a synthetic free layer in a magnetoresistance sensor
US6331773B1 (en) 1999-04-16 2001-12-18 Storage Technology Corporation Pinned synthetic anti-ferromagnet with oxidation protection layer
JP3575672B2 (ja) * 1999-05-26 2004-10-13 Ｔｄｋ株式会社 磁気抵抗効果膜及び磁気抵抗効果素子
US6821652B1 (en) 1999-06-08 2004-11-23 Fujitsu Limited Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus
US6689495B1 (en) 1999-06-08 2004-02-10 Fujitsu Limited Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus
US6753101B1 (en) 1999-06-08 2004-06-22 Fujitsu Limited Magnetic recording medium, magnetic storage apparatus, recording method and method of producing magnetic recording medium
US6645646B1 (en) 1999-06-08 2003-11-11 Fujitsu Limited Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus
US6602612B2 (en) 1999-06-08 2003-08-05 Fujitsu Limited Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus
US6469877B1 (en) 1999-06-15 2002-10-22 Read-Rite Corporation Spin valve device with improved exchange layer defined track width and method of fabrication
US6226159B1 (en) 1999-06-25 2001-05-01 International Business Machines Corporation Multilayered pinned layer of cobalt based films separated by a nickel base film for improved coupling field and GMR for spin valve sensors
US6398924B1 (en) * 1999-06-29 2002-06-04 International Business Machines Corporation Spin valve sensor with improved pinning field between nickel oxide (NiO) pinning layer and pinned layer
US6295187B1 (en) 1999-06-29 2001-09-25 International Business Machines Corporation Spin valve sensor with stable antiparallel pinned layer structure exchange coupled to a nickel oxide pinning layer
US6687098B1 (en) 1999-07-08 2004-02-03 Western Digital (Fremont), Inc. Top spin valve with improved seed layer
US6252750B1 (en) * 1999-07-23 2001-06-26 International Business Machines Corporation Read head with file resettable double antiparallel (AP) pinned spin valve sensor
US6286200B1 (en) 1999-07-23 2001-09-11 International Business Machines Corporation Dual mask process for making second pole piece layer of write head with high resolution narrow track width second pole tip
US6356419B1 (en) * 1999-07-23 2002-03-12 International Business Machines Corporation Antiparallel pinned read sensor with improved magnetresistance
DE19936896C1 (de) * 1999-07-29 2001-03-29 Hahn Meitner Inst Berlin Gmbh Verfahren zur Herstellung von nm-dicken antiferromagnetischen oder pinnenden Schichten und Verwendungen derartig hergestellter Schichten
US6219210B1 (en) 1999-07-30 2001-04-17 International Business Machines Corporation Spin valve sensor with nickel oxide pinning layer on a chromium seed layer
US6428657B1 (en) * 1999-08-04 2002-08-06 International Business Machines Corporation Magnetic read head sensor with a reactively sputtered pinning layer structure
US6292336B1 (en) 1999-09-30 2001-09-18 Headway Technologies, Inc. Giant magnetoresistive (GMR) sensor element with enhanced magnetoresistive (MR) coefficient
US6590751B1 (en) 1999-09-30 2003-07-08 Headway Technologies, Inc. Anisotropic magnetoresistive (MR) sensor element with enhanced magnetoresistive (MR) coefficient
US6455177B1 (en) * 1999-10-05 2002-09-24 Seagate Technology Llc Stabilization of GMR devices
US6519117B1 (en) 1999-12-06 2003-02-11 International Business Machines Corporation Dual AP pinned GMR head with offset layer
US6178111B1 (en) 1999-12-07 2001-01-23 Honeywell Inc. Method and apparatus for writing data states to non-volatile storage devices
US6388847B1 (en) 2000-02-01 2002-05-14 Headway Technologies, Inc. Specular spin valve with robust pinned layer
US6407890B1 (en) 2000-02-08 2002-06-18 International Business Machines Corporation Dual spin valve sensor read head with a specular reflector film embedded in each antiparallel (AP) pinned layer next to a spacer layer
US6466418B1 (en) 2000-02-11 2002-10-15 Headway Technologies, Inc. Bottom spin valves with continuous spacer exchange (or hard) bias
US6396671B1 (en) 2000-03-15 2002-05-28 Headway Technologies, Inc. Ruthenium bias compensation layer for spin valve head and process of manufacturing
US6496337B1 (en) 2000-03-20 2002-12-17 Headway Technologies, Inc. Copper alloy GMR recording head
US6522507B1 (en) 2000-05-12 2003-02-18 Headway Technologies, Inc. Single top spin valve heads for ultra-high recording density
JP2001358381A (ja) * 2000-06-14 2001-12-26 Fujitsu Ltd 磁気抵抗効果膜、磁気抵抗効果型ヘッド、および情報再生装置
CN1319083C (zh) * 2000-06-21 2007-05-30 皇家菲利浦电子有限公司 具有改进的磁场范围的磁多层结构
US6661622B1 (en) * 2000-07-17 2003-12-09 International Business Machines Corporation Method to achieve low and stable ferromagnetic coupling field
US6396733B1 (en) 2000-07-17 2002-05-28 Micron Technology, Inc. Magneto-resistive memory having sense amplifier with offset control
US6493258B1 (en) * 2000-07-18 2002-12-10 Micron Technology, Inc. Magneto-resistive memory array
US6562487B1 (en) 2000-07-28 2003-05-13 Seagate Technology Llc Writer pole employing a high saturation moment, low permeability layer adjacent to writer gap
EP1187103A3 (en) 2000-08-04 2003-01-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magnetoresistance effect device, head, and memory element
US6363007B1 (en) 2000-08-14 2002-03-26 Micron Technology, Inc. Magneto-resistive memory with shared wordline and sense line
US6724654B1 (en) 2000-08-14 2004-04-20 Micron Technology, Inc. Pulsed write techniques for magneto-resistive memories
US6493259B1 (en) 2000-08-14 2002-12-10 Micron Technology, Inc. Pulse write techniques for magneto-resistive memories
US6580589B1 (en) 2000-10-06 2003-06-17 International Business Machines Corporation Pinned layer structure for a spin valve sensor having cobalt iron (CoFe) and cobalt iron oxide (CoFeO) laminated layers
US6714389B1 (en) * 2000-11-01 2004-03-30 Seagate Technology Llc Digital magnetoresistive sensor with bias
US6764778B2 (en) 2000-11-01 2004-07-20 Alps Electric Co., Ltd. Thin film magnetic element with accurately controllable track width and method of manufacturing the same
US6778357B2 (en) 2000-11-10 2004-08-17 Seagate Technology Llc Electrodeposited high-magnetic-moment material at writer gap pole
JPWO2002045081A1 (ja) * 2000-11-29 2004-04-15 富士通株式会社 磁気記録媒体及び磁気記憶装置
JP3848079B2 (ja) 2000-12-07 2006-11-22 富士通株式会社 磁気記録媒体及び磁気記録装置
US6700757B2 (en) 2001-01-02 2004-03-02 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Enhanced free layer for a spin valve sensor
US6473279B2 (en) 2001-01-04 2002-10-29 International Business Machines Corporation In-stack single-domain stabilization of free layers for CIP and CPP spin-valve or tunnel-valve read heads
US6689497B1 (en) 2001-01-08 2004-02-10 Seagate Technology Llc Stabilized AFC magnetic recording media with reduced lattice mismatch between spacer layer(s) and magnetic layers
US6721146B2 (en) 2001-03-14 2004-04-13 International Business Machines Corporation Magnetic recording GMR read back sensor and method of manufacturing
US6791805B2 (en) * 2001-05-03 2004-09-14 Seagate Technology Llc Current-perpendicular-to-plane spin valve reader with reduced scattering of majority spin electrons
DE10128150C1 (de) * 2001-06-11 2003-01-23 Siemens Ag Magnetoresistives Sensorsystem
JP2002367124A (ja) * 2001-06-13 2002-12-20 Hitachi Ltd スピンバルブ型磁気ヘッド
US20030002232A1 (en) * 2001-06-29 2003-01-02 Storage Technology Corporation Apparatus and method of making a reduced sensitivity spin valve sensor apparatus in which a flux carrying capacity is increased
US20030002231A1 (en) * 2001-06-29 2003-01-02 Dee Richard Henry Reduced sensitivity spin valve head for magnetic tape applications
JP2003067904A (ja) * 2001-08-28 2003-03-07 Hitachi Ltd 磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法
US6581272B1 (en) * 2002-01-04 2003-06-24 Headway Technologies, Inc. Method for forming a bottom spin valve magnetoresistive sensor element
US6865062B2 (en) 2002-03-21 2005-03-08 International Business Machines Corporation Spin valve sensor with exchange biased free layer and antiparallel (AP) pinned layer pinned without a pinning layer
US6741432B2 (en) 2002-03-21 2004-05-25 International Business Machines Corporation Current perpendicular to the planes (CPP) spin valve sensor with in-stack biased free layer and self-pinned antiparallel (AP) pinned layer structure
US6856493B2 (en) 2002-03-21 2005-02-15 International Business Machines Corporation Spin valve sensor with in-stack biased free layer and antiparallel (AP) pinned layer pinned without a pinning layer
US6751072B2 (en) 2002-03-21 2004-06-15 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. High magnetoresistance spin valve sensor with self-pinned antiparallel (AP) pinned layer structure
US6857180B2 (en) * 2002-03-22 2005-02-22 Headway Technologies, Inc. Method for fabricating a patterned synthetic longitudinal exchange biased GMR sensor
US6811890B1 (en) 2002-04-08 2004-11-02 Maxtor Corporation Intermediate layer for antiferromagnetically exchange coupled media
US7426097B2 (en) * 2002-07-19 2008-09-16 Honeywell International, Inc. Giant magnetoresistive device with buffer-oxide layer between seed and ferromagnetic layers to provide smooth interfaces
US6714441B1 (en) * 2002-09-17 2004-03-30 Micron Technology, Inc. Bridge-type magnetic random access memory (MRAM) latch
US7123451B2 (en) * 2002-09-25 2006-10-17 Tdk Corporation Thin-film magnetic head for reading magnetic information on a hard disk by utilizing a magnetoresistance effect
CN100369117C (zh) * 2002-12-31 2008-02-13 有研稀土新材料股份有限公司 一种氧化物巨磁电阻自旋阀及包含其的设备
US6977801B2 (en) * 2003-02-24 2005-12-20 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetoresistive device with exchange-coupled structure having half-metallic ferromagnetic Heusler alloy in the pinned layer
FR2852399B1 (fr) * 2003-03-14 2005-07-15 Roulements Soc Nouvelle Capteur magnetoriesistif comprenant un element sensible ferromagnetique/antiferromagnetique
JP2004296000A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Hitachi Ltd 磁気抵抗効果型ヘッド、及びその製造方法
KR100522943B1 (ko) * 2003-04-25 2005-10-25 학교법인고려중앙학원 소자 크기 변화에 무관하게 작고 안정한 바이어스 자기장을 갖는 자기 저항 구조
US7592079B1 (en) 2003-07-03 2009-09-22 Seagate Technology Llc Method to improve remanence-squareness-thickness-product and coercivity profiles in magnetic media
US20050013059A1 (en) * 2003-07-15 2005-01-20 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor with a net magnetic moment
US7173796B2 (en) * 2003-09-30 2007-02-06 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Spin valve with a capping layer comprising an oxidized cobalt layer and method of forming same
US7145755B2 (en) * 2003-09-30 2006-12-05 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Spin valve sensor having one of two AP pinned layers made of cobalt
JP2005123412A (ja) * 2003-10-16 2005-05-12 Anelva Corp 磁気抵抗多層膜製造方法及び製造装置
US7199986B2 (en) * 2004-02-18 2007-04-03 Hitachi Global Storage Technologies Magnetoresistive sensor with decoupled hard bias multilayers
US7151653B2 (en) * 2004-02-18 2006-12-19 Hitachi Global Technologies Netherlands B.V. Depositing a pinned layer structure in a self-pinned spin valve
US7339818B2 (en) * 2004-06-04 2008-03-04 Micron Technology, Inc. Spintronic devices with integrated transistors
US6870711B1 (en) 2004-06-08 2005-03-22 Headway Technologies, Inc. Double layer spacer for antiparallel pinned layer in CIP/CPP GMR and MTJ devices
US7446982B2 (en) * 2004-07-01 2008-11-04 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Pinning structure with trilayer pinned layer
US7289304B2 (en) * 2004-10-29 2007-10-30 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive sensor with improved antiparallel-pinned structure
US20060146452A1 (en) * 2005-01-04 2006-07-06 Min Li CIP GMR enhanced by using inverse GMR material in AP2
US7612970B2 (en) * 2005-02-23 2009-11-03 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetoresistive sensor with a free layer stabilized by direct coupling to in stack antiferromagnetic layer
US7554775B2 (en) * 2005-02-28 2009-06-30 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. GMR sensors with strongly pinning and pinned layers
US7443638B2 (en) * 2005-04-22 2008-10-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Magnetoresistive structures and fabrication methods
JP4521316B2 (ja) * 2005-05-26 2010-08-11 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、および磁気記録再生装置
JP4466487B2 (ja) * 2005-06-27 2010-05-26 Ｔｄｋ株式会社 磁気センサおよび電流センサ
US8582252B2 (en) * 2005-11-02 2013-11-12 Seagate Technology Llc Magnetic layer with grain refining agent
JP4764294B2 (ja) * 2006-09-08 2011-08-31 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子、及び磁気ヘッド
JP4496189B2 (ja) * 2006-09-28 2010-07-07 株式会社東芝 磁気抵抗効果型素子および磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ
US8514524B2 (en) * 2008-05-09 2013-08-20 Headway Technologies, Inc. Stabilized shields for magnetic recording heads
US9496489B2 (en) 2014-05-21 2016-11-15 Avalanche Technology, Inc. Magnetic random access memory with multilayered seed structure
US10050083B2 (en) 2014-05-21 2018-08-14 Avalanche Technology, Inc. Magnetic structure with multilayered seed
US10347691B2 (en) 2014-05-21 2019-07-09 Avalanche Technology, Inc. Magnetic memory element with multilayered seed structure
US10438997B2 (en) 2014-05-21 2019-10-08 Avalanche Technology, Inc. Multilayered seed structure for magnetic memory element including a CoFeB seed layer
CN104992716B (zh) * 2015-07-03 2019-04-02 河南科技大学 一种无磁锻炼效应交换偏置体系的制备方法
US10115418B2 (en) 2016-11-21 2018-10-30 Headway Technologies, Inc. Hard magnet stabilized shield for double (2DMR) or triple (3DMR) dimension magnetic reader structures
EP3333646A1 (fr) * 2016-12-06 2018-06-13 ETA SA Manufacture Horlogère Suisse Objet portable comprenant une tige de commande rotative dont l'actionnement est détecté au moyen de deux capteurs inductifs
DE102019126320B4 (de) * 2019-09-30 2024-03-28 Infineon Technologies Ag Magnetoresistiver Sensor und Fertigungsverfahren für einen magnetoresistiven Sensor

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5206590A (en) * 1990-12-11 1993-04-27 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect
US5159513A (en) * 1991-02-08 1992-10-27 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect
US5315468A (en) * 1992-07-28 1994-05-24 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor having antiferromagnetic layer for exchange bias
US5287238A (en) * 1992-11-06 1994-02-15 International Business Machines Corporation Dual spin valve magnetoresistive sensor
US5422571A (en) * 1993-02-08 1995-06-06 International Business Machines Corporation Magnetoresistive spin valve sensor having a nonmagnetic back layer
US5343422A (en) * 1993-02-23 1994-08-30 International Business Machines Corporation Nonvolatile magnetoresistive storage device using spin valve effect
US5465185A (en) * 1993-10-15 1995-11-07 International Business Machines Corporation Magnetoresistive spin valve sensor with improved pinned ferromagnetic layer and magnetic recording system using the sensor
US5408377A (en) * 1993-10-15 1995-04-18 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor with improved ferromagnetic sensing layer and magnetic recording system using the sensor
US5583725A (en) * 1994-06-15 1996-12-10 International Business Machines Corporation Spin valve magnetoresistive sensor with self-pinned laminated layer and magnetic recording system using the sensor

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6313973B1 (en) 1998-06-30 2001-11-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Laminated magnetorestrictive element of an exchange coupling film, an antiferromagnetic film and a ferromagnetic film and a magnetic disk drive using same
US6612018B1 (en) 1998-11-09 2003-09-02 International Business Machines Corporation Method of making an antiparallel (AP) pinned spin valve sensor with giant magnetoresistive (GMR) enhancing layer
KR100631354B1 (ko) * 1999-03-26 2006-10-09 후지쯔 가부시끼가이샤 스핀 밸브 자기 저항 효과형 소자와 그 제조법, 및 이 소자를 이용한 자기 헤드
JP2009283126A (ja) * 1999-04-28 2009-12-03 Seagate Technology Llc ピンニング層を有する巨大磁気抵抗効果センサー
US6655008B2 (en) 1999-06-25 2003-12-02 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B. V. Method of making a dual GMR read head with self-pinned layer and specular reflector
US6671138B2 (en) 1999-09-29 2003-12-30 Fujitsu Limited Multi-layer magnetoresistive head and information-reproducing system
US6603643B2 (en) 2000-10-06 2003-08-05 Hitachi, Ltd. Magnetoresistive head containing oxide layer
US7265948B2 (en) 2001-07-17 2007-09-04 Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd., Magnetoresistive element with oxide magnetic layers and metal magnetic films deposited thereon
US7911736B2 (en) 2002-05-30 2011-03-22 Wd Media, Inc. Storage device and method of using a head that has a concave surface when powered down
JP2009199716A (ja) * 2003-02-03 2009-09-03 Komag Inc 記憶装置
JP2007095186A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び複合型磁気ヘッド
JP4694332B2 (ja) * 2005-09-29 2011-06-08 ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び複合型磁気ヘッド
US7957109B2 (en) 2006-09-11 2011-06-07 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic head of magnetoresistance effect type with high resistance to external stress

Also Published As

Publication number Publication date
SG46731A1 (en) 1998-02-20
KR970002377A (ko) 1997-01-24
US5701223A (en) 1997-12-23
EP0751499B1 (en) 2000-12-27
EP0751499A1 (en) 1997-01-02
CN1153371A (zh) 1997-07-02
MY114553A (en) 2002-11-30
DE69611326T2 (de) 2001-05-31
JP3180027B2 (ja) 2001-06-25
KR100261385B1 (ko) 2000-07-01
CN1076498C (zh) 2001-12-19
DE69611326D1 (de) 2001-02-01
TW330285B (en) 1998-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3180027B2 (ja) スピン・バルブ磁気抵抗センサと、このセンサを使用した磁気記録システム
US5465185A (en) Magnetoresistive spin valve sensor with improved pinned ferromagnetic layer and magnetic recording system using the sensor
US6023395A (en) Magnetic tunnel junction magnetoresistive sensor with in-stack biasing
US6127045A (en) Magnetic tunnel junction device with optimized ferromagnetic layer
US5408377A (en) Magnetoresistive sensor with improved ferromagnetic sensing layer and magnetic recording system using the sensor
JP3033934B2 (ja) スピン・バルブ磁気抵抗素子及び関連する装置
US8133363B2 (en) Dual magnetic tunnel junction sensor with a longitudinal bias stack
JP3177229B2 (ja) 縦方向及び横方向バイアスを有する磁気トンネル接合型磁気抵抗読取りヘッド
US5966012A (en) Magnetic tunnel junction device with improved fixed and free ferromagnetic layers
US5574605A (en) Antiferromagnetic exchange coupling in magnetoresistive spin valve sensors
US6947264B2 (en) Self-pinned in-stack bias structure for magnetoresistive read heads
EP0622781B1 (en) Granular multilayer magnetoresistive sensor
US6038107A (en) Antiparallel-pinned spin valve sensor
US8474127B2 (en) Method for enhancing thermal stability, improving biasing and reducing damage from electrostatic discharge in self-pinned abutted junction heads
US6735058B2 (en) Current-perpendicular-to-plane read head with an amorphous magnetic bottom shield layer and an amorphous nonmagnetic bottom lead layer
US7092220B2 (en) Apparatus for enhancing thermal stability, improving biasing and reducing damage from electrostatic discharge in self-pinned abutted junction heads having a first self-pinned layer extending under the hard bias layers
JPH06223336A (ja) 二重スピン・バルブ磁気抵抗センサ
US6788502B1 (en) Co-Fe supermalloy free layer for magnetic tunnel junction heads
US7072154B2 (en) Method and apparatus for providing a self-pinned bias layer that extends beyond the ends of the free layer
US6175477B1 (en) Spin valve sensor with nonmagnetic oxide seed layer
JP2001068760A (ja) 強磁性トンネル接合素子
US7050277B2 (en) Apparatus having a self-pinned abutted junction magnetic read sensor with hard bias layers formed over ends of a self-pinned layer and extending under a hard bias layer
US20040120082A1 (en) Optical proximity spatial transmission system
US6430013B1 (en) Magnetoresistive structure having improved thermal stability via magnetic barrier layer within a free layer
JPH0936455A (ja) 磁気抵抗効果素子

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080413

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090413

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100413

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees