JP2009283126A - ピンニング層を有する巨大磁気抵抗効果センサー - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁気読み取りヘッドに用いられる巨大磁気抵抗効果スタック(10)は、NiFeCr種層(12)と、強磁性体自由層(14)と、非磁性体スペーサー層(16)と強磁性体ピン化層(18)と、XをCrあるいはPdとしたPtMnXピンニング層(20)とを含んでいる。強磁性体自由層(14)は、回転可能な磁気モーメントを有し、NiFeCr種層(12)に隣接して設けられている。強磁性体ピン化層(18)は固定した磁気モーメントを有し、PtMnXピンニング層(20)に隣接して設けられている。非磁性体スペーサー層(16)は、自由層(14)とピン化層(18)との間に設けられている。
【選択図】図1
Description
本発明は、一般的に、磁気読み取りヘッドに用いられる巨大磁気抵抗効果センサーに関し、特に、本発明は、改善された熱的および磁気的安定性を有する巨大磁気抵抗効果読み取りセンサーに関するものである。
本発明は、磁気読み取りヘッドに用いられる巨大磁気抵抗効果スタックである。巨大磁気抵抗効果スタックは、NiFeCr種層と、強磁性体自由層と、非磁性体スペーサー層と、強磁性体ピン化層と、PtMnXピン化層とを含み、ここで、Xは、CrあるいはPdである。自由層は、回転可能な磁気モーメントを有し、NiFeCr種層に隣接して設けられる。ピン化層は、固定した磁気モーメントを有し、PtMnXピンニング層に隣接して設けられる。スペーサー層は、自由層とピン化層との間に配される。第一の実施例では、自由層はNiFe/CoFeからなる二層構造であり、スペーサー層は銅によって形成され、ピン化層はCoFeによって形成されている。第二の実施例では、自由層はNiFe/CoFeからなる二層構造であり、スペーサー層は銅によって形成され、ピン化層はCoFe/Ru/CoFeからなる合成反強磁性体である。
ピン化層18の組成は、概ねCo(90)Fe(10)であることが好ましい。ピン化層18の厚さは、約18×10-10mから約30×10-10mの間の領域にあることが好ましく、概ね25×10-10mであることがより好ましい。
Claims (20)
- 強磁性体ピン化層を有する巨大磁気抵抗効果スタックと、高い耐ブロック温度と低いアニーリング温度とを有しながら、ピン化層をピン操作するための高いピンニング力交換結合フィールドを提供する手段とを含む、磁気読み取りヘッドに用いられる読み取りセンサー。
- 請求項1記載の読み取りセンサーにおいて、高い耐ブロック温度と低いアニーリング温度とを有しながらピン化層をピン操作するための高いピンニング力交換結合フィールドを提供する手段は、NiFeCr種層と、XをCrあるいはPdとしたPnMnXピンニング層とを有することを特徴とする読み取りセンサー。
- NiFeCr種層と、回転可能な磁気モーメントを有し種層と隣接して設けられた強磁性体自由層と、固定した磁気モーメントを有する強磁性体ピン化層と、ピン化層に隣接して設けられ、XをCr、Pd、Nb、Re、RhおよびTaからなる一群から選択してなるPtMnXピンニング層と、自由層とピン化層とに隣接して設けられた非磁性体スペーサー層とを含む、磁気読み取りヘッドに用いられる巨大磁気抵抗効果スタック。
- 請求項3記載の巨大磁気抵抗効果スタックにおいて、自由層は、種層に隣接して設けられたNiFe層と、スペーサー層に隣接して設けられたCoFe層とを含む二重層であることを特徴とする巨大磁気抵抗効果スタック。
- 請求項4記載の巨大磁気抵抗効果スタックにおいて、NiFe層は約20×10-10mと約100×10-10mの間の範囲の厚さを有し、CoFe層は約5×10-10mと約25×10-10mの間の範囲の厚さを有する巨大磁気抵抗効果スタック。
- 請求項3記載の巨大磁気抵抗効果スタックにおいて、ピン化層は合成反強磁性体磁石であることを特徴とする巨大磁気抵抗効果スタック。
- 請求項6記載の巨大磁気抵抗効果スタックにおいて、合成反強磁性体磁石は、スペーサー層に隣接して設けられた第一CoFe層と、ピンニング層に隣接して設けられた第二CoFe層と、第一および第二CoFe層の間に設けられたルテニウム層とを含むことを特徴とする巨大磁気抵抗効果スタック。
- 請求項7記載の巨大磁気抵抗効果スタックにおいて、第一および第二CoFe層は約15×10-10mと約40×10-10mの間の範囲の厚さを有し、ルテニウム層は約8×10-10mと約12×10-10mの間の範囲の厚さを有することを特徴とする巨大磁気抵抗効果スタック。
- 請求項3記載の巨大磁気抵抗効果スタックにおいて、種層は約20×10-10mと約60×10-10mの間の範囲の厚さを有することを特徴とする巨大磁気抵抗効果スタック。
- 請求項9記載の巨大磁気抵抗効果スタックにおいて、種層は約45×10-10mと約50×10-10mの間の範囲の厚さを有することを特徴とする巨大磁気抵抗効果スタック。
- 請求項3記載の巨大磁気抵抗効果スタックにおいて、種層は約25%と約40%の間のCr原子比率を有することを特徴とする巨大磁気抵抗効果スタック。
- 請求項3記載の巨大磁気抵抗効果スタックにおいて、ピン化層は約20×10-10mと約30×10-10mの間の範囲の厚さを有することを特徴とする巨大磁気抵抗効果スタック。
- 請求項3記載の巨大磁気抵抗効果スタックにおいて、ピンニング層は約100×10-10mと約300×10-10mの間の範囲の厚さを有することを特徴とする巨大磁気抵抗効果スタック。
- 請求項3記載の巨大磁気抵抗効果スタックにおいて、XはCrであり、約0%と約1%の間の原子比率を有することを特徴とする巨大磁気抵抗効果スタック。
- 請求項3記載の巨大磁気抵抗効果スタックにおいて、XはPdであり、約25%と約35%の間の原子比率を有することを特徴とする巨大磁気抵抗効果スタック。
- NiFeCr種層を形成するステップと、磁気モーメントを有する強磁性体材料からなる自由層を種層の上に形成するステップと、非磁性体材料からなるスペーサー層を自由層の上に形成するステップと、磁気モーメントを有する強磁性体材料からなるピン化層をスペーサー層の上に形成するステップと、XをCrまたはPdとしてPtMnXからなるピンニング層をピン化層の上に形成するステップとを含むことを特徴とする、磁気読み取りヘッドに用いられる巨大磁気抵抗効果スタックを形成する方法。
- 請求項16記載の巨大磁気抵抗効果スタックを形成する方法において、種層は約20×10-10mと約60×10-10mの間の範囲の厚さを有し、ピンニング層は約100×10-10mと約300×10-10mの間の範囲の厚さを有することを特徴とする方法。
- 請求項16記載の巨大磁気抵抗効果スタックを形成する方法において、種層は約25%と約40%の間のCr原子比率を有することを特徴とする方法。
- 請求項16記載の巨大磁気抵抗効果スタックを形成する方法において、XはCrであり、約0%と約1%の間の原子比率を有することを特徴とする方法。
- 請求項16記載の巨大磁気抵抗効果スタックを形成する方法において、XはPdであり、約25%と約35%の間の原子比率を有することを特徴とする方法。
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