JPH11112052A - 磁気抵抗センサ及びこれを用いた磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気抵抗センサ及びこれを用いた磁気記録再生装置Info
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- JPH11112052A JPH11112052A JP9265474A JP26547497A JPH11112052A JP H11112052 A JPH11112052 A JP H11112052A JP 9265474 A JP9265474 A JP 9265474A JP 26547497 A JP26547497 A JP 26547497A JP H11112052 A JPH11112052 A JP H11112052A
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
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Abstract
(57)【要約】
【課題】バルクハウゼンノイズがなく、再生特性の変動
が小さい磁気抵抗センサ及びそれを用いた磁気記録再生
装置を提供する。 【解決手段】硬磁性層として、少なくともＣｏを含む合
金を下地膜を設けずに用い、第２の強磁性膜に縦バイア
ス磁界を効率良く印加することができ、バルクハウゼン
ノイズがなく、再生特性の変動が小さいスピンバルブ構
造の磁気抵抗センサ。さらに、スピンバルブ構造の磁気
抵抗センサ積層膜の反強磁性膜に、体心立方格子，体心
正方格子または単純正方格子である反強磁性膜、あるい
は、Ｍｎと、Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔから選ばれる少な
くとも１種類の元素を含む反強磁性膜を用いた磁気抵抗
センサ。
が小さい磁気抵抗センサ及びそれを用いた磁気記録再生
装置を提供する。 【解決手段】硬磁性層として、少なくともＣｏを含む合
金を下地膜を設けずに用い、第２の強磁性膜に縦バイア
ス磁界を効率良く印加することができ、バルクハウゼン
ノイズがなく、再生特性の変動が小さいスピンバルブ構
造の磁気抵抗センサ。さらに、スピンバルブ構造の磁気
抵抗センサ積層膜の反強磁性膜に、体心立方格子，体心
正方格子または単純正方格子である反強磁性膜、あるい
は、Ｍｎと、Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔから選ばれる少な
くとも１種類の元素を含む反強磁性膜を用いた磁気抵抗
センサ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気的に情報を記
憶する磁気ディスク装置、及び記録された情報の再生に
用いられる磁気抵抗センサ及び磁気記録再生装置に関す
るものである。
憶する磁気ディスク装置、及び記録された情報の再生に
用いられる磁気抵抗センサ及び磁気記録再生装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の磁気ディスク装置の小型化，高密
度化の進行に伴い、面記録密度が急速に向上し、高密度
に記録された情報をも読み出すことができる磁気抵抗セ
ンサ、つまり磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）が実
用化されている。現在使われているＭＲヘッドは、１９
７５年出版のアイイーイーイー トランザクション オ
ン マグネティクスＭＡＧ−１１巻の１０３９ページに
詳細に説明されている異方性磁気抵抗効果に基づき動作
するものであり、その電気抵抗は、磁気抵抗センサ積層
膜内の磁化の方向と信号検出電流の方向のなす角度θの
余弦の２乗，cos2θで変化することが知られている。
度化の進行に伴い、面記録密度が急速に向上し、高密度
に記録された情報をも読み出すことができる磁気抵抗セ
ンサ、つまり磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）が実
用化されている。現在使われているＭＲヘッドは、１９
７５年出版のアイイーイーイー トランザクション オ
ン マグネティクスＭＡＧ−１１巻の１０３９ページに
詳細に説明されている異方性磁気抵抗効果に基づき動作
するものであり、その電気抵抗は、磁気抵抗センサ積層
膜内の磁化の方向と信号検出電流の方向のなす角度θの
余弦の２乗，cos2θで変化することが知られている。
【０００３】数Ｇｂ／in2 以上の面記録密度になると、
異方性磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗センサでは感度不
足が予想されるため、１９８９年出版のフィジカル レ
ビュー ビー ３９巻の４８２８ページに紹介されてい
るような、非磁性導電性薄膜を介して積層された２層の
磁性膜の互いの磁化の方向のなす角度によって電気抵抗
が変化する巨大磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗センサの
研究開発が盛んに行われている。
異方性磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗センサでは感度不
足が予想されるため、１９８９年出版のフィジカル レ
ビュー ビー ３９巻の４８２８ページに紹介されてい
るような、非磁性導電性薄膜を介して積層された２層の
磁性膜の互いの磁化の方向のなす角度によって電気抵抗
が変化する巨大磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗センサの
研究開発が盛んに行われている。
【０００４】巨大磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗センサ
においても、異方性磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗セン
サと同様に、磁気抵抗センサ積層膜、特に磁気記録媒体
から作用する磁界によって、その磁化が回転する強磁性
膜における磁壁移動に起因するバルクハウゼンノイズを
抑制する必要がある。特開平3−125311 号に磁気抵抗セ
ンサ積層膜の両脇に硬磁性層を配置した構造が、特開平
7−57223号には強磁性材料層と反強磁性材料層の積層
膜、または硬磁性層を配置した構造が開示されている。
１９９５年出版のアイイーイーイー トランザクション
オン マグネティクス ３１巻の２６１２ページに
は、非磁性導電性薄膜を介して積層された２層の磁性膜
のうちの一方をＦｅＭｎ反強磁性膜で固定した、スピン
バルブ構造の磁気抵抗センサ積層膜の両端にＣｏＣｒＰ
ｔ硬磁性層を設けた磁気抵抗センサについて記載されて
いる。
においても、異方性磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗セン
サと同様に、磁気抵抗センサ積層膜、特に磁気記録媒体
から作用する磁界によって、その磁化が回転する強磁性
膜における磁壁移動に起因するバルクハウゼンノイズを
抑制する必要がある。特開平3−125311 号に磁気抵抗セ
ンサ積層膜の両脇に硬磁性層を配置した構造が、特開平
7−57223号には強磁性材料層と反強磁性材料層の積層
膜、または硬磁性層を配置した構造が開示されている。
１９９５年出版のアイイーイーイー トランザクション
オン マグネティクス ３１巻の２６１２ページに
は、非磁性導電性薄膜を介して積層された２層の磁性膜
のうちの一方をＦｅＭｎ反強磁性膜で固定した、スピン
バルブ構造の磁気抵抗センサ積層膜の両端にＣｏＣｒＰ
ｔ硬磁性層を設けた磁気抵抗センサについて記載されて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来技術の特開平3−1
25311 号は、異方性磁気抵抗効果により動作する磁気抵
抗センサ積層膜の両脇に硬磁性層を設けた磁気抵抗セン
サの構造に関するものであり、特開平7−57223号もま
た、異方性磁気抵抗効果により動作する磁気抵抗センサ
における、磁気抵抗センサ積層膜と、両脇に設けられる
縦方向バイアス層（強磁性材料層と反強磁性材料層の積
層膜、または硬磁性層）との接合部の形状について述べ
たものである。
25311 号は、異方性磁気抵抗効果により動作する磁気抵
抗センサ積層膜の両脇に硬磁性層を設けた磁気抵抗セン
サの構造に関するものであり、特開平7−57223号もま
た、異方性磁気抵抗効果により動作する磁気抵抗センサ
における、磁気抵抗センサ積層膜と、両脇に設けられる
縦方向バイアス層（強磁性材料層と反強磁性材料層の積
層膜、または硬磁性層）との接合部の形状について述べ
たものである。
【０００６】異方性磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗セ
ンサ積層膜は、一般に基板側より、横バイアス膜，分離
膜，異方性磁気抵抗効果膜、及び保護膜からなってお
り、バルクハウゼンノイズを抑制するために縦バイアス
磁界を印加する異方性磁気抵抗効果膜が積層膜の上の方
に位置していること、及び、磁気抵抗センサ積層膜の全
膜厚の７割近くが、結晶構造が面心立方格子である横バ
イアス膜及び異方性磁気抵抗効果膜であることが特徴で
ある。縦方向バイアス層として用いられるＣｏ合金が、
面心立方構造を有する膜の上に成膜されると、Ｃｏのｃ
軸が膜面と垂直方向に向いてしまい保磁力が劣化してし
まうため、体心立方構造を有するＣｒなどの下地膜を設
け、その上にＣｏ合金を成膜することが行われている。
ンサ積層膜は、一般に基板側より、横バイアス膜，分離
膜，異方性磁気抵抗効果膜、及び保護膜からなってお
り、バルクハウゼンノイズを抑制するために縦バイアス
磁界を印加する異方性磁気抵抗効果膜が積層膜の上の方
に位置していること、及び、磁気抵抗センサ積層膜の全
膜厚の７割近くが、結晶構造が面心立方格子である横バ
イアス膜及び異方性磁気抵抗効果膜であることが特徴で
ある。縦方向バイアス層として用いられるＣｏ合金が、
面心立方構造を有する膜の上に成膜されると、Ｃｏのｃ
軸が膜面と垂直方向に向いてしまい保磁力が劣化してし
まうため、体心立方構造を有するＣｒなどの下地膜を設
け、その上にＣｏ合金を成膜することが行われている。
【０００７】一方、スピンバルブ構造の磁気抵抗センサ
積層膜は、基板側より、第２の強磁性膜，非磁性導電
膜，第１の強磁性膜，反強磁性膜、及び保護膜からなっ
ており、必要によっては結晶配向を促進し特性を向上さ
せる目的で第２の強磁性膜の下にバッファ層を設けるこ
ともある。但し、その厚さは、バッファ層にセンス電流
が分流することにより出力電圧が低下するため、１０ｎ
ｍ以下、望ましくは５ｎｍ程度と薄くしなければならな
い。この積層膜の特徴として、少なくとも第２の強磁性
膜，非磁性導電膜，第１の強磁性膜の３層は、その結晶
構造が面心立方格子であること、及び、縦バイアス磁界
を印加するのが第２の強磁性膜であり、積層膜の下の
方、即ち基板に近い方に位置することが挙げられる。
積層膜は、基板側より、第２の強磁性膜，非磁性導電
膜，第１の強磁性膜，反強磁性膜、及び保護膜からなっ
ており、必要によっては結晶配向を促進し特性を向上さ
せる目的で第２の強磁性膜の下にバッファ層を設けるこ
ともある。但し、その厚さは、バッファ層にセンス電流
が分流することにより出力電圧が低下するため、１０ｎ
ｍ以下、望ましくは５ｎｍ程度と薄くしなければならな
い。この積層膜の特徴として、少なくとも第２の強磁性
膜，非磁性導電膜，第１の強磁性膜の３層は、その結晶
構造が面心立方格子であること、及び、縦バイアス磁界
を印加するのが第２の強磁性膜であり、積層膜の下の
方、即ち基板に近い方に位置することが挙げられる。
【０００８】異方性磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗セ
ンサ積層膜と比較すると、面心立方構造を有する磁性膜
からなることは共通しているが、縦バイアス磁界を印加
する磁性膜の位置が異なっている。硬磁性膜について考
えると、Ｃｏ合金が面心立方構造を有する膜の上に成膜
されるため、保磁力が劣化するうえに、スピンバルブ構
造磁気抵抗センサ積層膜の場合には、下地膜を設けると
硬磁性層が第２の強磁性膜よりも上に位置するために、
縦バイアス磁界が有効に作用しないことが考えられるこ
とから、下地膜を設けずに硬磁性を得なければならない
という問題がある。
ンサ積層膜と比較すると、面心立方構造を有する磁性膜
からなることは共通しているが、縦バイアス磁界を印加
する磁性膜の位置が異なっている。硬磁性膜について考
えると、Ｃｏ合金が面心立方構造を有する膜の上に成膜
されるため、保磁力が劣化するうえに、スピンバルブ構
造磁気抵抗センサ積層膜の場合には、下地膜を設けると
硬磁性層が第２の強磁性膜よりも上に位置するために、
縦バイアス磁界が有効に作用しないことが考えられるこ
とから、下地膜を設けずに硬磁性を得なければならない
という問題がある。
【０００９】硬磁性層により縦バイアス磁界を印加した
スピンバルブ構造磁気抵抗センサが、１９９５年出版の
アイイーイーイー トランザクション オン マグネテ
ィクス ３１巻の２６１２ページに記述されているが、
第１の強磁性膜の磁化の方向を拘束するために設けられ
る反強磁性膜として、結晶構造が面心立方格子であるＦ
ｅＭｎ膜が用いられている。磁気抵抗センサの製造上、
反強磁性膜の側面またはエッチングされた面にＣｏ合金
から成る硬磁性層が乗り上げることは避けられず、硬磁
性層の特性の劣化、及び外部磁界が作用したときの安定
性の劣化が懸念される。
スピンバルブ構造磁気抵抗センサが、１９９５年出版の
アイイーイーイー トランザクション オン マグネテ
ィクス ３１巻の２６１２ページに記述されているが、
第１の強磁性膜の磁化の方向を拘束するために設けられ
る反強磁性膜として、結晶構造が面心立方格子であるＦ
ｅＭｎ膜が用いられている。磁気抵抗センサの製造上、
反強磁性膜の側面またはエッチングされた面にＣｏ合金
から成る硬磁性層が乗り上げることは避けられず、硬磁
性層の特性の劣化、及び外部磁界が作用したときの安定
性の劣化が懸念される。
【００１０】本発明の目的は、スピンバルブ構造の磁気
抵抗センサ積層膜の両脇に、優れた硬磁性を有し、かつ
外部磁界に対しても安定な硬磁性層を設け、バルクハウ
ゼンノイズがなく、再生特性の変動が小さいスピンバル
ブ構造磁気抵抗センサ、及びそれを搭載した磁気記録再
生装置を提供することである。
抵抗センサ積層膜の両脇に、優れた硬磁性を有し、かつ
外部磁界に対しても安定な硬磁性層を設け、バルクハウ
ゼンノイズがなく、再生特性の変動が小さいスピンバル
ブ構造磁気抵抗センサ、及びそれを搭載した磁気記録再
生装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によれば以下のような磁気抵抗センサ及び磁
気記録再生装置が提供される。
に、本発明によれば以下のような磁気抵抗センサ及び磁
気記録再生装置が提供される。
【００１２】すなわち、非磁性導電膜を介して第１の強
磁性膜と第２の強磁性膜が積層されており、前記第１の
強磁性膜の磁化の方向は固定されており、前記第２の強
磁性膜の磁化は外部磁界により回転し、前記第１の強磁
性膜の磁化の方向と前記第２の強磁性膜の磁化の方向の
相対的な角度が変わることによって電気抵抗が変化する
磁気抵抗センサ積層膜と、前記磁気抵抗センサ積層膜に
縦バイアス磁界を印加するために前記磁気抵抗センサ積
層膜の両脇に設けられた硬磁性層と、前記磁気抵抗セン
サ積層膜に信号検出電流を流すための電極と、前記磁気
抵抗センサ積層膜の電気抵抗変化を検知する手段を有す
る磁気抵抗センサにおいて、前記硬磁性層が少なくとも
Ｃｏを含む膜であり、下地膜を有することなく前記磁気
抵抗センサ積層膜の両脇に配置されていることを特徴と
する磁気抵抗センサ、及びこれを搭載した磁気記録再生
装置である。
磁性膜と第２の強磁性膜が積層されており、前記第１の
強磁性膜の磁化の方向は固定されており、前記第２の強
磁性膜の磁化は外部磁界により回転し、前記第１の強磁
性膜の磁化の方向と前記第２の強磁性膜の磁化の方向の
相対的な角度が変わることによって電気抵抗が変化する
磁気抵抗センサ積層膜と、前記磁気抵抗センサ積層膜に
縦バイアス磁界を印加するために前記磁気抵抗センサ積
層膜の両脇に設けられた硬磁性層と、前記磁気抵抗セン
サ積層膜に信号検出電流を流すための電極と、前記磁気
抵抗センサ積層膜の電気抵抗変化を検知する手段を有す
る磁気抵抗センサにおいて、前記硬磁性層が少なくとも
Ｃｏを含む膜であり、下地膜を有することなく前記磁気
抵抗センサ積層膜の両脇に配置されていることを特徴と
する磁気抵抗センサ、及びこれを搭載した磁気記録再生
装置である。
【００１３】ここで、第１の強磁性膜の磁化の方向を固
定するために、結晶構造が体心立方格子，体心正方格子
または単純正方格子である反強磁性膜、あるいは、Ｍｎ
と、Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔから選ばれる少なくとも１
種類の元素を含む反強磁性膜を、前記第１の強磁性膜と
直接接するように積層する。
定するために、結晶構造が体心立方格子，体心正方格子
または単純正方格子である反強磁性膜、あるいは、Ｍｎ
と、Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔから選ばれる少なくとも１
種類の元素を含む反強磁性膜を、前記第１の強磁性膜と
直接接するように積層する。
【００１４】また、硬磁性層は、Ｃｏと、Ｃｒ，Ｎｉ，
Ｐｄ，Ｔａ，Ｒｅ，Ｐｔから選ばれる少なくとも１種類
の元素を含むＣｏ合金、あるいは、これらの他に、さら
に、酸化アルミニウム，酸化シリコン，酸化チタン，酸
化ジルコニウム，酸化ハフニウム，酸化タンタル，窒化
アルミニウム，窒化シリコン，窒化チタン，窒化ジルコ
ニウム，窒化ハフニウム、窒化タンタルの内から選ばれ
た少なくとも１種類以上の化合物を含むＣｏ合金を用い
る。
Ｐｄ，Ｔａ，Ｒｅ，Ｐｔから選ばれる少なくとも１種類
の元素を含むＣｏ合金、あるいは、これらの他に、さら
に、酸化アルミニウム，酸化シリコン，酸化チタン，酸
化ジルコニウム，酸化ハフニウム，酸化タンタル，窒化
アルミニウム，窒化シリコン，窒化チタン，窒化ジルコ
ニウム，窒化ハフニウム、窒化タンタルの内から選ばれ
た少なくとも１種類以上の化合物を含むＣｏ合金を用い
る。
【００１５】上述の構成を採用することにより、以下の
作用を生じることができる。
作用を生じることができる。
【００１６】スピンバルブ構造の磁気抵抗センサ積層膜
は、前述のように、バッファ層，第２の強磁性膜，非磁
性導電膜，第１の強磁性膜，反強磁性膜，保護膜から構
成され、このうち少なくとも、第２の強磁性膜，非磁性
導電膜，第１の強磁性膜の３層は面心立方構造を有する
薄膜が用いられている。硬磁性層の磁気特性の劣化を抑
えて、さらに再生特性の外部磁界に対する安定性を確保
するためには、磁気抵抗センサ積層膜を面心立方構造以
外の結晶構造を有する薄膜で構成することが好ましい。
先に述べた３層は、良好な感度および外部磁界に対する
安定性を確保するためには面心立方構造を有する薄膜を
用いることが必要であるが、反強磁性膜は、第１の強磁
性膜の磁化を固定することができ、それが外部磁界に対
しても十分安定であれば、どのような結晶構造であって
もよい。
は、前述のように、バッファ層，第２の強磁性膜，非磁
性導電膜，第１の強磁性膜，反強磁性膜，保護膜から構
成され、このうち少なくとも、第２の強磁性膜，非磁性
導電膜，第１の強磁性膜の３層は面心立方構造を有する
薄膜が用いられている。硬磁性層の磁気特性の劣化を抑
えて、さらに再生特性の外部磁界に対する安定性を確保
するためには、磁気抵抗センサ積層膜を面心立方構造以
外の結晶構造を有する薄膜で構成することが好ましい。
先に述べた３層は、良好な感度および外部磁界に対する
安定性を確保するためには面心立方構造を有する薄膜を
用いることが必要であるが、反強磁性膜は、第１の強磁
性膜の磁化を固定することができ、それが外部磁界に対
しても十分安定であれば、どのような結晶構造であって
もよい。
【００１７】そのため、面心立方格子以外の結晶構造を
有する反強磁性膜、具体的には、体心立方格子，体心正
方格子、または単純正方格子を有する反強磁性膜、ある
いは、Ｍｎと、Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔから選ばれる少
なくとも１種類の元素を含む反強磁性膜を用いることに
より、硬磁性層の特性劣化を抑えることができる。
有する反強磁性膜、具体的には、体心立方格子，体心正
方格子、または単純正方格子を有する反強磁性膜、ある
いは、Ｍｎと、Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔから選ばれる少
なくとも１種類の元素を含む反強磁性膜を用いることに
より、硬磁性層の特性劣化を抑えることができる。
【００１８】また、硬磁性層から発生する縦バイアス磁
界を、効率よく第２の強磁性膜に作用させるためには、
硬磁性層と第２の強磁性膜が基板面からほぼ同じ高さに
あることが好ましく、これは、下地膜を設けなくとも大
きな保磁力が得られる硬磁性層によって実現できる。
界を、効率よく第２の強磁性膜に作用させるためには、
硬磁性層と第２の強磁性膜が基板面からほぼ同じ高さに
あることが好ましく、これは、下地膜を設けなくとも大
きな保磁力が得られる硬磁性層によって実現できる。
【００１９】このような硬磁性層について種々の検討を
行った結果、Ｃｏと、Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｔａ，Ｒｅ，
Ｐｔから選ばれる少なくとも１種類の元素を含むＣｏ合
金をバイアススパッタリング法により作成した場合に、
大きな保磁力が得られることを見出した。また、これら
の合金に、さらに、酸化アルミニウム，酸化シリコン，
酸化チタン，酸化ジルコニウム，酸化ハフニウム，酸化
タンタル，窒化アルミニウム，窒化シリコン，窒化チタ
ン，窒化ジルコニウム，窒化ハフニウム，窒化タンタル
の内から選ばれた少なくとも１種類以上の化合物を含む
Ｃｏ合金の場合には、バイアスを印加しなくとも、優れ
た硬磁性が得られた。
行った結果、Ｃｏと、Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｔａ，Ｒｅ，
Ｐｔから選ばれる少なくとも１種類の元素を含むＣｏ合
金をバイアススパッタリング法により作成した場合に、
大きな保磁力が得られることを見出した。また、これら
の合金に、さらに、酸化アルミニウム，酸化シリコン，
酸化チタン，酸化ジルコニウム，酸化ハフニウム，酸化
タンタル，窒化アルミニウム，窒化シリコン，窒化チタ
ン，窒化ジルコニウム，窒化ハフニウム，窒化タンタル
の内から選ばれた少なくとも１種類以上の化合物を含む
Ｃｏ合金の場合には、バイアスを印加しなくとも、優れ
た硬磁性が得られた。
【００２０】以上のような硬磁性層を用いることによ
り、縦バイアス磁界が有効に作用するため、バルクハウ
ゼンノイズを抑え、再生特性の変動を小さくすることが
できる。
り、縦バイアス磁界が有効に作用するため、バルクハウ
ゼンノイズを抑え、再生特性の変動を小さくすることが
できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】まず、下地膜を必要としない硬磁
性膜について説明する。図１は、硬磁性層の特定の例で
あるＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金（Ｃｏ78.2Ｃｒ11.1Ｐ
ｔ10.7）を、基板バイアスを印加しながらスパッタリン
グ法によりガラス基板上に作成したときの、保磁力Ｈ
ｃ、及び、残留磁束密度と飽和磁束密度の比で定義され
る角型比Ｓと、基板バイアス電位（−Ｖ）との関係を示
したものである。なお、膜厚は２０ｎｍである。
性膜について説明する。図１は、硬磁性層の特定の例で
あるＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金（Ｃｏ78.2Ｃｒ11.1Ｐ
ｔ10.7）を、基板バイアスを印加しながらスパッタリン
グ法によりガラス基板上に作成したときの、保磁力Ｈ
ｃ、及び、残留磁束密度と飽和磁束密度の比で定義され
る角型比Ｓと、基板バイアス電位（−Ｖ）との関係を示
したものである。なお、膜厚は２０ｎｍである。
【００２２】Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金は、Ｃｒなどの下地
膜上に成膜すると２０００Ｏｅ程度またはそれ以上の大
きな保磁力が得られるが、基板バイアスを印加せずにガ
ラス基板上に成膜すると、８５０Ｏｅ程度の保磁力しか
得られない。基板バイアスを印加して成膜すると、保磁
力，角型比ともに向上し、−６００Ｖの基板バイアスに
おいて、それぞれ１３５０Ｏｅ，０.８８ の最大値を示
しており、磁気抵抗センサに十分適用できる特性が得ら
れている。Ｘ線回折により膜構造を調べたところ、基板
バイアス電位が大きくなるに従って、Ｃｏ(００２)の強
度が次第に弱くなっていることが確認され、磁化容易軸
であるｃ軸が膜面方向に傾いたことにより、特性が向上
したものと考えられる。
膜上に成膜すると２０００Ｏｅ程度またはそれ以上の大
きな保磁力が得られるが、基板バイアスを印加せずにガ
ラス基板上に成膜すると、８５０Ｏｅ程度の保磁力しか
得られない。基板バイアスを印加して成膜すると、保磁
力，角型比ともに向上し、−６００Ｖの基板バイアスに
おいて、それぞれ１３５０Ｏｅ，０.８８ の最大値を示
しており、磁気抵抗センサに十分適用できる特性が得ら
れている。Ｘ線回折により膜構造を調べたところ、基板
バイアス電位が大きくなるに従って、Ｃｏ(００２)の強
度が次第に弱くなっていることが確認され、磁化容易軸
であるｃ軸が膜面方向に傾いたことにより、特性が向上
したものと考えられる。
【００２３】なお、膜厚２０ｎｍの図を示したが、より
厚い膜においても保磁力，角型比の大きさは異なるが、
基板バイアスを印加すると特性が向上するという傾向が
確認されている。さらに、本実験では、基板バイアス電
位が−６００Ｖで最も特性が改善されているが、この値
は実験に用いた成膜装置，硬磁性材料に特有の値であ
り、他の実験条件では別の値になることもあり得るもの
であるが、基板バイアスを印加することにより特性が改
善されるという効果については変わりはない。
厚い膜においても保磁力，角型比の大きさは異なるが、
基板バイアスを印加すると特性が向上するという傾向が
確認されている。さらに、本実験では、基板バイアス電
位が−６００Ｖで最も特性が改善されているが、この値
は実験に用いた成膜装置，硬磁性材料に特有の値であ
り、他の実験条件では別の値になることもあり得るもの
であるが、基板バイアスを印加することにより特性が改
善されるという効果については変わりはない。
【００２４】また、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金は、本発明の
特定の例であり、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金，Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｎｉ系合金，Ｃｏ−Ｐｄ系合金，Ｃｏ−Ｒｅ系合金、
またはＣｏ−Ｐｔ系合金でも同様の効果が得られる。
特定の例であり、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金，Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｎｉ系合金，Ｃｏ−Ｐｄ系合金，Ｃｏ−Ｒｅ系合金、
またはＣｏ−Ｐｔ系合金でも同様の効果が得られる。
【００２５】図２は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金（Ｃｏ78.2
Ｃｒ11.1Ｐｔ10.7）ターゲット上にＺｒＯ2 チップを載
せて、スパッタリング法によりガラス基板上に膜厚２０
ｎｍの膜を作成したときの、保磁力Ｈｃ及び角型比Ｓ
と、ＺｒＯ2 含有量との関係を示したものである。ここ
で、横軸は、膜中のＺｒ原子は酸素原子と結合して存在
していると考えられるため、ＺｒがＺｒＯ2 の形で存在
するものと仮定して表わしたものである。
Ｃｒ11.1Ｐｔ10.7）ターゲット上にＺｒＯ2 チップを載
せて、スパッタリング法によりガラス基板上に膜厚２０
ｎｍの膜を作成したときの、保磁力Ｈｃ及び角型比Ｓ
と、ＺｒＯ2 含有量との関係を示したものである。ここ
で、横軸は、膜中のＺｒ原子は酸素原子と結合して存在
していると考えられるため、ＺｒがＺｒＯ2 の形で存在
するものと仮定して表わしたものである。
【００２６】ＺｒＯ2 を添加しないＣｏ78.2Ｃｒ11.1Ｐ
ｔ10.7の保磁力及び角型比は、それぞれ８５０Ｏｅ及び
０.７０ であるが、ＺｒＯ2 含有量が増加するに従って
向上し、２mol％ＺｒＯ2 近傍で１６５０Ｏｅ及び０.９
２の最大値を示す。さらに添加量を増やすと、保磁力，
角型比ともに減少するが、６mol％ＺｒＯ2 までは Ｚ
ｒＯ2 を添加しない膜よりも良好な特性を示す。ＺｒＯ
2 の添加により、Ｃｏの(１００)の強度と（００２）の
強度の比が小さくなっていることが、ｃ軸が膜面方向に
傾いたことによりＸ線回折により確認されており、配向
性が変化することにより特性が向上するものと考えられ
る。
ｔ10.7の保磁力及び角型比は、それぞれ８５０Ｏｅ及び
０.７０ であるが、ＺｒＯ2 含有量が増加するに従って
向上し、２mol％ＺｒＯ2 近傍で１６５０Ｏｅ及び０.９
２の最大値を示す。さらに添加量を増やすと、保磁力，
角型比ともに減少するが、６mol％ＺｒＯ2 までは Ｚ
ｒＯ2 を添加しない膜よりも良好な特性を示す。ＺｒＯ
2 の添加により、Ｃｏの(１００)の強度と（００２）の
強度の比が小さくなっていることが、ｃ軸が膜面方向に
傾いたことによりＸ線回折により確認されており、配向
性が変化することにより特性が向上するものと考えられ
る。
【００２７】図３は、ＺｒＯ2の添加量を２.１mol％一
定として、Ｐｔ含有量を変えたときの保磁力の値を示し
たものである。Ｐｔ含有量が１０at.％では１１３０Ｏ
ｅであるが、２１at.％ において最大値２３５０Ｏｅを
とったのち、再び減少する。従って、Ｐｔ含有量として
は、２０at.％ 近傍が好ましい。なお、保磁力が最大を
示すときの組成は、Ｃｏ68.6Ｃｒ8.6Ｐｔ20.7(ＺｒＯ2)
20.7であった。
定として、Ｐｔ含有量を変えたときの保磁力の値を示し
たものである。Ｐｔ含有量が１０at.％では１１３０Ｏ
ｅであるが、２１at.％ において最大値２３５０Ｏｅを
とったのち、再び減少する。従って、Ｐｔ含有量として
は、２０at.％ 近傍が好ましい。なお、保磁力が最大を
示すときの組成は、Ｃｏ68.6Ｃｒ8.6Ｐｔ20.7(ＺｒＯ2)
20.7であった。
【００２８】なお、ここでは、化合物を添加する合金が
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金、化合物が酸化ジルコニウムであ
る場合について説明したが、これらは本発明の特定の実
施の形態であり、これらに限定されるものでない。化合
物を添加する合金としては、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金，
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉ系合金，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ系合金，Ｃ
ｏ−Ｐｄ系合金，Ｃｏ−Ｒｅ系合金、またはＣｏ−Ｐｔ
系合金が、化合物としては、酸化アルミニウム，酸化シ
リコン，酸化チタン，酸化ジルコニウム，酸化ハフニウ
ム，酸化タンタル，窒化アルミニウム，窒化シリコン，
窒化チタン，窒化ジルコニウム，窒化ハフニウム，窒化
タンタルの内から選ばれた少なくとも１種類以上の化合
物を用いても、同様の効果が得られる。
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金、化合物が酸化ジルコニウムであ
る場合について説明したが、これらは本発明の特定の実
施の形態であり、これらに限定されるものでない。化合
物を添加する合金としては、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金，
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉ系合金，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ系合金，Ｃ
ｏ−Ｐｄ系合金，Ｃｏ−Ｒｅ系合金、またはＣｏ−Ｐｔ
系合金が、化合物としては、酸化アルミニウム，酸化シ
リコン，酸化チタン，酸化ジルコニウム，酸化ハフニウ
ム，酸化タンタル，窒化アルミニウム，窒化シリコン，
窒化チタン，窒化ジルコニウム，窒化ハフニウム，窒化
タンタルの内から選ばれた少なくとも１種類以上の化合
物を用いても、同様の効果が得られる。
【００２９】また、合金ターゲット上に化合物のチップ
を置いて成膜する方法を用いたが、合金に化合物を混入
させたターゲットを用いて作製する方法、または、合金
ターゲットと化合物ターゲットを同時に放電させて基板
上で化合物添加硬磁性膜を作製する方法などを用いても
良い。
を置いて成膜する方法を用いたが、合金に化合物を混入
させたターゲットを用いて作製する方法、または、合金
ターゲットと化合物ターゲットを同時に放電させて基板
上で化合物添加硬磁性膜を作製する方法などを用いても
良い。
【００３０】次に、スピンバルブ構造磁気抵抗センサ積
層膜の両脇に硬磁性層を配置した場合を模擬するため
に、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金に化合物として酸化ジルコニ
ウムを添加した硬磁性層を表１に示す下地の上に成膜し
て、その特性を調べた。具体的には、（１）glass、
（２）glass／Ｔａ５ｎｍ／Ｎｉ−Ｆｅ系合金７ｎｍ／
Ｃｏ２ｎｍ／Ｃｕ２ｎｍ／Ｃｏ３ｎｍ、(３）glass／Ｔ
ａ５ｎｍ／Ｎｉ−Ｆｅ系合金７ｎｍ／Ｃｏ２ｎｍ／Ｃｕ
２ｎｍ／Ｃｏ３ｎｍ／Ｆｅ−Ｍｎ系反強磁性膜１５ｎ
ｍ、(４）glass／Ｔａ５ｎｍ／Ｎｉ−Ｆｅ系合金７ｎｍ
／Ｃｏ２ｎｍ／Ｃｕ２ｎｍ／Ｃｏ３ｎｍ／Ｃｒ−Ｍｎ−
Ｐｔ系反強磁性膜４０ｎｍであり、（２）は反強磁性膜
を成膜していないスピンバルブ構造磁気抵抗センサ積層
膜であり、面心立方構造になっていると考えられ、
（３）は反強磁性膜として面心立方構造を有するＦｅ−
Ｍｎ系反強磁性膜を成膜したもので、これも面心立方構
造になっていると考えられる。これに対し、（４）は、
反強磁性膜として面心立方構造ではなく、体心立方構造
またはそれが歪んだ結晶構造を有するＣｒ−Ｍｎ−Ｐｔ
系反強磁性膜を成膜したものである。ここで、実際の磁
気抵抗センサでは、後に説明するようにリフトオフマス
ク材を形成した状態で硬磁性層を成膜するため、図４の
ように硬磁性層２６は次第に膜厚が薄くなっていくこと
から、硬磁性層の膜厚を２０ｎｍ、及び、これよりもさ
らに薄い１０ｎｍを選び検討した。膜厚２０ｎｍにおい
ては、（１）のglass上では、保磁力が２３５０Ｏｅ，
角型比が０.８０であり、面心立方構造の上に成膜され
（２）及び（３）では、保磁力が約４００Ｏｅ，角型比
が約０.５０ と著しく劣化している。これに対し、面心
立方構造ではないＣｒ−Ｍｎ−Ｐｔ系反強磁性膜の上に
成膜した場合には、保磁力が2100Ｏｅ，角型比が０.７
４ を示しており、特性の変化はわずかである。膜厚が
薄い１０ｎｍでは、Ｃｒ−Ｍｎ−Ｐｔ系反強磁性膜上で
は１９２０Ｏｅ，０.６６ であり、膜厚２０ｎｍのとき
と比べても特性の劣化があまり見られない。以上のこと
から、硬磁性膜を面心立方構造を有する反強磁性膜を用
いた磁気抵抗センサ積層膜の両脇に配置した場合には、
特性が著しく劣化するため、バルクハウゼンノイズを抑
制することは困難と思われるが、Ｃｒ−Ｍｎ−Ｐｔ系反
強磁性膜などのように面心立方構造ではない反強磁性膜
を用いた磁気抵抗センサ積層膜の両脇に配置した場合に
は、glass（実際の磁気抵抗センサではアルミナなどの
絶縁膜)上、及び、反強磁性膜上のかなり膜厚が薄くな
るところまで優れた硬磁気特性を有するため、バルクハ
ウゼンノイズがなく、再生特性の変動が小さい磁気抵抗
センサが得られる。
層膜の両脇に硬磁性層を配置した場合を模擬するため
に、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金に化合物として酸化ジルコニ
ウムを添加した硬磁性層を表１に示す下地の上に成膜し
て、その特性を調べた。具体的には、（１）glass、
（２）glass／Ｔａ５ｎｍ／Ｎｉ−Ｆｅ系合金７ｎｍ／
Ｃｏ２ｎｍ／Ｃｕ２ｎｍ／Ｃｏ３ｎｍ、(３）glass／Ｔ
ａ５ｎｍ／Ｎｉ−Ｆｅ系合金７ｎｍ／Ｃｏ２ｎｍ／Ｃｕ
２ｎｍ／Ｃｏ３ｎｍ／Ｆｅ−Ｍｎ系反強磁性膜１５ｎ
ｍ、(４）glass／Ｔａ５ｎｍ／Ｎｉ−Ｆｅ系合金７ｎｍ
／Ｃｏ２ｎｍ／Ｃｕ２ｎｍ／Ｃｏ３ｎｍ／Ｃｒ−Ｍｎ−
Ｐｔ系反強磁性膜４０ｎｍであり、（２）は反強磁性膜
を成膜していないスピンバルブ構造磁気抵抗センサ積層
膜であり、面心立方構造になっていると考えられ、
（３）は反強磁性膜として面心立方構造を有するＦｅ−
Ｍｎ系反強磁性膜を成膜したもので、これも面心立方構
造になっていると考えられる。これに対し、（４）は、
反強磁性膜として面心立方構造ではなく、体心立方構造
またはそれが歪んだ結晶構造を有するＣｒ−Ｍｎ−Ｐｔ
系反強磁性膜を成膜したものである。ここで、実際の磁
気抵抗センサでは、後に説明するようにリフトオフマス
ク材を形成した状態で硬磁性層を成膜するため、図４の
ように硬磁性層２６は次第に膜厚が薄くなっていくこと
から、硬磁性層の膜厚を２０ｎｍ、及び、これよりもさ
らに薄い１０ｎｍを選び検討した。膜厚２０ｎｍにおい
ては、（１）のglass上では、保磁力が２３５０Ｏｅ，
角型比が０.８０であり、面心立方構造の上に成膜され
（２）及び（３）では、保磁力が約４００Ｏｅ，角型比
が約０.５０ と著しく劣化している。これに対し、面心
立方構造ではないＣｒ−Ｍｎ−Ｐｔ系反強磁性膜の上に
成膜した場合には、保磁力が2100Ｏｅ，角型比が０.７
４ を示しており、特性の変化はわずかである。膜厚が
薄い１０ｎｍでは、Ｃｒ−Ｍｎ−Ｐｔ系反強磁性膜上で
は１９２０Ｏｅ，０.６６ であり、膜厚２０ｎｍのとき
と比べても特性の劣化があまり見られない。以上のこと
から、硬磁性膜を面心立方構造を有する反強磁性膜を用
いた磁気抵抗センサ積層膜の両脇に配置した場合には、
特性が著しく劣化するため、バルクハウゼンノイズを抑
制することは困難と思われるが、Ｃｒ−Ｍｎ−Ｐｔ系反
強磁性膜などのように面心立方構造ではない反強磁性膜
を用いた磁気抵抗センサ積層膜の両脇に配置した場合に
は、glass（実際の磁気抵抗センサではアルミナなどの
絶縁膜)上、及び、反強磁性膜上のかなり膜厚が薄くな
るところまで優れた硬磁気特性を有するため、バルクハ
ウゼンノイズがなく、再生特性の変動が小さい磁気抵抗
センサが得られる。
【００３１】
【表１】
【００３２】図４は、本発明の磁気抵抗センサの一実施
形態の断面構造を示す図である。
形態の断面構造を示す図である。
【００３３】セラミクスからなる非磁性基板の上に、絶
縁膜としてアルミナ膜を約１０μｍ形成し、表面に精密
研磨を施して、下部シールド層としてスパッタリング法
によりＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂ系合金非晶質薄膜を約２μｍ形
成し、イオンミリングを用いて所定の形状に加工する。
さらに、下部ギャップ層としてアルミナ膜を０.１μm成
膜し（以上、不図示）、スピンバルブ構造磁気抵抗セン
サ積層膜の成膜を行う。即ち、下地層３０としてＴａ薄
膜５ｎｍを、第２の強磁性膜３１としてＮｉ−Ｆｅ系合
金薄膜７ｎｍとＣｏ薄膜２ｎｍの積層膜を、非磁性導電
性薄膜３２としてＣｕ薄膜２ｎｍを、第１の強磁性膜３
３としてＣｏ薄膜３ｎｍを、反強磁性膜３４としてＣｒ
−Ｍｎ−Ｐｔ系合金薄膜４０ｎｍを、保護膜３５として
Ｔａ薄膜３ｎｍを、順次成膜した。
縁膜としてアルミナ膜を約１０μｍ形成し、表面に精密
研磨を施して、下部シールド層としてスパッタリング法
によりＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂ系合金非晶質薄膜を約２μｍ形
成し、イオンミリングを用いて所定の形状に加工する。
さらに、下部ギャップ層としてアルミナ膜を０.１μm成
膜し（以上、不図示）、スピンバルブ構造磁気抵抗セン
サ積層膜の成膜を行う。即ち、下地層３０としてＴａ薄
膜５ｎｍを、第２の強磁性膜３１としてＮｉ−Ｆｅ系合
金薄膜７ｎｍとＣｏ薄膜２ｎｍの積層膜を、非磁性導電
性薄膜３２としてＣｕ薄膜２ｎｍを、第１の強磁性膜３
３としてＣｏ薄膜３ｎｍを、反強磁性膜３４としてＣｒ
−Ｍｎ−Ｐｔ系合金薄膜４０ｎｍを、保護膜３５として
Ｔａ薄膜３ｎｍを、順次成膜した。
【００３４】この磁気抵抗センサ積層膜上にリフトオフ
マスク材を形成し、所定の形状に加工した後、その両端
に、バルクハウゼンノイズを抑制するための硬磁性層２
６として、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金に化合物として酸化ジ
ルコニウムを添加した硬磁性膜５０ｎｍを形成する。こ
のときの特性は、保磁力１５００Ｏｅ，角型比0.75であ
る。図３に示した膜厚２０ｎｍのときに比べ保磁力は低
下しているが、膜厚８０ｎｍまではこれと同様の特性が
得られる。次に、磁気抵抗効果積層膜の電気抵抗の変化
を読み出すため、Ｔａ薄膜からなる電極１７を形成した
後、リフトオフマスク材を除去する。さらに、厚さ０.
１μｍ のアルミナからなる上部ギャップ層（不図示）
と、厚さ約２μｍのＮｉ−Ｆｅ系合金からなる上部シー
ルド層（不図示）を順次形成し、その上部に絶縁膜（不
図示）を形成後、記録用の誘導型磁気ヘッドを作成する
が詳細は省略する。
マスク材を形成し、所定の形状に加工した後、その両端
に、バルクハウゼンノイズを抑制するための硬磁性層２
６として、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金に化合物として酸化ジ
ルコニウムを添加した硬磁性膜５０ｎｍを形成する。こ
のときの特性は、保磁力１５００Ｏｅ，角型比0.75であ
る。図３に示した膜厚２０ｎｍのときに比べ保磁力は低
下しているが、膜厚８０ｎｍまではこれと同様の特性が
得られる。次に、磁気抵抗効果積層膜の電気抵抗の変化
を読み出すため、Ｔａ薄膜からなる電極１７を形成した
後、リフトオフマスク材を除去する。さらに、厚さ０.
１μｍ のアルミナからなる上部ギャップ層（不図示）
と、厚さ約２μｍのＮｉ−Ｆｅ系合金からなる上部シー
ルド層（不図示）を順次形成し、その上部に絶縁膜（不
図示）を形成後、記録用の誘導型磁気ヘッドを作成する
が詳細は省略する。
【００３５】素子形成完了後、第１の強磁性膜３３であ
るＣｏ薄膜と、反強磁性膜３４であるＣｒ−Ｍｎ−Ｐｔ
系合金薄膜の間に交換結合を生じさせるために、真空中
で３ｋＯｅの直流磁界を磁気抵抗センサ積層膜の素子高
さ方向（図４において紙面と垂直の方向）に印加しなが
ら、２５０℃，３時間の熱処理を行う。さらに、室温に
おいて、磁気抵抗効果積層膜の長さ方向（図４において
紙面と平行で、磁気抵抗センサ積層膜面と平行な方向）
に、５ｋＯｅの直流磁界を印加して硬磁性層２６を着磁
する。この後、基板を切断し、スライダに加工して磁気
抵抗センサの作製を完了する。
るＣｏ薄膜と、反強磁性膜３４であるＣｒ−Ｍｎ−Ｐｔ
系合金薄膜の間に交換結合を生じさせるために、真空中
で３ｋＯｅの直流磁界を磁気抵抗センサ積層膜の素子高
さ方向（図４において紙面と垂直の方向）に印加しなが
ら、２５０℃，３時間の熱処理を行う。さらに、室温に
おいて、磁気抵抗効果積層膜の長さ方向（図４において
紙面と平行で、磁気抵抗センサ積層膜面と平行な方向）
に、５ｋＯｅの直流磁界を印加して硬磁性層２６を着磁
する。この後、基板を切断し、スライダに加工して磁気
抵抗センサの作製を完了する。
【００３６】以上のように作成した磁気抵抗センサにお
いて、バルクハウゼンノイズは観測されず、再生特性も
安定していることを確認できた。
いて、バルクハウゼンノイズは観測されず、再生特性も
安定していることを確認できた。
【００３７】本実施の形態では、硬磁性層２６と電極１
７が同じ位置に形成されているが、図５のように、電極
１７を硬磁性層２６よりも内側に配置しても、本発明の
効果は変わるものではない。
７が同じ位置に形成されているが、図５のように、電極
１７を硬磁性層２６よりも内側に配置しても、本発明の
効果は変わるものではない。
【００３８】また、本発明の硬磁性層は、図６のよう
に、まず硬磁性層を形成した後で、スピンバルブ構造磁
気抵抗センサ積層膜を形成して構成される磁気抵抗セン
サに用いることもできる。
に、まず硬磁性層を形成した後で、スピンバルブ構造磁
気抵抗センサ積層膜を形成して構成される磁気抵抗セン
サに用いることもできる。
【００３９】図７は、本発明の磁気抵抗センサを適用し
た磁気ディスク装置の一実施形態の概略構造を示す図で
ある。ここでは、磁気記録再生装置としての磁気ディス
ク装置に本発明の磁気抵抗センサを適用した実施形態を
示すが、本発明の磁気抵抗センサは、例えば、磁気テー
プ装置等のような磁気記録再生装置にも適用可能なこと
は明らかである。
た磁気ディスク装置の一実施形態の概略構造を示す図で
ある。ここでは、磁気記録再生装置としての磁気ディス
ク装置に本発明の磁気抵抗センサを適用した実施形態を
示すが、本発明の磁気抵抗センサは、例えば、磁気テー
プ装置等のような磁気記録再生装置にも適用可能なこと
は明らかである。
【００４０】この磁気ディスク装置の概略構造を説明す
る。図７に示すように、磁気ディスク装置は、スピンド
ル２０２と、スピンドル２０２を軸として、等間隔に積
層された複数の磁気ディスク２０４ａ，２０４ｂ，２０
４ｃ，２０４ｄ，２０４ｅと、スピンドル２０２を駆動
するモータ２０３とを備えている。さらに、移動可能な
キャリッジ２０６と、キャリッジ２０６に保持された磁
気抵抗センサを備えた磁気ヘッド群２０５ａ，２０５
ｂ，２０５ｃ，２０５ｄ，２０５ｅと、このキャリッジ
２０６を駆動するボイスコイルモータ２１３を構成する
マグネット２０８及びボイスコイル２０７と、これを支
持するベース２０１とを備えて構成させる。また、磁気
ディスク制御装置等の上位装置２１２から送出される信
号に従って、ボイスコイルモータ２１３を制御するボイ
スコイルモータ制御回路２０９を備えている。また、上
位装置２１２から送られてきたデータを、磁気ディスク
204a等の書き込み方式に対応し、磁気ヘッドに流すべき
電流に変換する機能と、磁気ディスク２０４ａ等から送
られてきたデータを増幅し、ディジタル信号に変換する
機能とを持つリード／ライト回路２１０を備え、このリ
ード／ライト回路210は、インターフェイス２１１を介
して、上位装置２１２と接続されている。
る。図７に示すように、磁気ディスク装置は、スピンド
ル２０２と、スピンドル２０２を軸として、等間隔に積
層された複数の磁気ディスク２０４ａ，２０４ｂ，２０
４ｃ，２０４ｄ，２０４ｅと、スピンドル２０２を駆動
するモータ２０３とを備えている。さらに、移動可能な
キャリッジ２０６と、キャリッジ２０６に保持された磁
気抵抗センサを備えた磁気ヘッド群２０５ａ，２０５
ｂ，２０５ｃ，２０５ｄ，２０５ｅと、このキャリッジ
２０６を駆動するボイスコイルモータ２１３を構成する
マグネット２０８及びボイスコイル２０７と、これを支
持するベース２０１とを備えて構成させる。また、磁気
ディスク制御装置等の上位装置２１２から送出される信
号に従って、ボイスコイルモータ２１３を制御するボイ
スコイルモータ制御回路２０９を備えている。また、上
位装置２１２から送られてきたデータを、磁気ディスク
204a等の書き込み方式に対応し、磁気ヘッドに流すべき
電流に変換する機能と、磁気ディスク２０４ａ等から送
られてきたデータを増幅し、ディジタル信号に変換する
機能とを持つリード／ライト回路２１０を備え、このリ
ード／ライト回路210は、インターフェイス２１１を介
して、上位装置２１２と接続されている。
【００４１】次に、この磁気ディスク装置において、磁
気ディスク２０４ｄのデータを読み出す場合の動作を説
明する。上位装置２１２から、インターフェイス２１１
を介して、ボイスコイルモータ制御回路２０９に、読み
出すべきデータの指示を与える。ボイスコイルモータ制
御回路２０９からの制御電流によって、ボイスコイルモ
ータ２１３がキャリッジ２０６を駆動させ、磁気ディス
ク２０４ｄ上の指示されたデータが記憶されているトラ
ックの位置に、磁気ヘッド群２０５ａ，205ｂ,２０５
ｃ，２０５ｄ，２０５ｅを高速で移動させ、正確に位置
付けする。この位置付けは、磁気ディスク２０４ｄ上に
データとともに書き込まれているサーボ情報を磁気ヘッ
ド２０５ｄが読み取り、位置に関する信号をボイスコイ
ルモータ制御回路２０９に提供することにより行われ
る。また、ベース２０１に支持されたモータ２０３は、
スピンドル２０２に取り付けた複数の磁気ディスク２０
４ａ，２０４ｂ，２０４ｃ，２０４ｄ，２０４ｅを回転
させる。次に、ライト／リード回路２１０からの信号に
従って、指示された所定の磁気ヘッド２０５ｄを選択
し、指示された領域の先頭位置を検出後、磁気ディスク
２０４ｄのデータ信号を読み出す。この読み出しは、ラ
イト／リード回路２１０に接続されている磁気ヘッド２
０５ｄが、磁気ディスク２０４ｄとの間で信号の授受を
行うことにより行われる。読み出されたデータは、所定
の信号に変換され、上位装置２１２に送出される。
気ディスク２０４ｄのデータを読み出す場合の動作を説
明する。上位装置２１２から、インターフェイス２１１
を介して、ボイスコイルモータ制御回路２０９に、読み
出すべきデータの指示を与える。ボイスコイルモータ制
御回路２０９からの制御電流によって、ボイスコイルモ
ータ２１３がキャリッジ２０６を駆動させ、磁気ディス
ク２０４ｄ上の指示されたデータが記憶されているトラ
ックの位置に、磁気ヘッド群２０５ａ，205ｂ,２０５
ｃ，２０５ｄ，２０５ｅを高速で移動させ、正確に位置
付けする。この位置付けは、磁気ディスク２０４ｄ上に
データとともに書き込まれているサーボ情報を磁気ヘッ
ド２０５ｄが読み取り、位置に関する信号をボイスコイ
ルモータ制御回路２０９に提供することにより行われ
る。また、ベース２０１に支持されたモータ２０３は、
スピンドル２０２に取り付けた複数の磁気ディスク２０
４ａ，２０４ｂ，２０４ｃ，２０４ｄ，２０４ｅを回転
させる。次に、ライト／リード回路２１０からの信号に
従って、指示された所定の磁気ヘッド２０５ｄを選択
し、指示された領域の先頭位置を検出後、磁気ディスク
２０４ｄのデータ信号を読み出す。この読み出しは、ラ
イト／リード回路２１０に接続されている磁気ヘッド２
０５ｄが、磁気ディスク２０４ｄとの間で信号の授受を
行うことにより行われる。読み出されたデータは、所定
の信号に変換され、上位装置２１２に送出される。
【００４２】ここでは、磁気ディスク２０４ｄのデータ
を読み出す場合の動作を説明したが、他の磁気ディスク
の場合も同様である。また、図７においては、５枚の磁
気ディスクからなる磁気ディスク装置を示してあるが、
必ずしも５枚である必要はない。
を読み出す場合の動作を説明したが、他の磁気ディスク
の場合も同様である。また、図７においては、５枚の磁
気ディスクからなる磁気ディスク装置を示してあるが、
必ずしも５枚である必要はない。
【００４３】
【発明の効果】上述の通り本発明によれば、スピンバル
ブ構造の磁気抵抗センサにおいて、硬磁性層として、少
なくともＣｏを含む合金を下地膜を設けずに用いること
により、第２の強磁性膜に縦バイアス磁界を効率良く印
加することができ、これにより、バルクハウゼンノイズ
がなく、再生特性の変動が小さい磁気抵抗センサを提供
することができる。さらに、スピンバルブ構造磁気抵抗
センサ積層膜の反強磁性膜に、結晶構造が面心立方格子
ではなく、体心立方格子，体心正方格子または単純正方
格子である反強磁性膜、あるいは、Ｍｎと、Ｃｒ，Ｎ
ｉ，Ｐｄ，Ｐｔから選ばれる少なくとも１種類の元素を
含む反強磁性膜を用いることにより、より安定な磁気抵
抗センサを提供することができる。
ブ構造の磁気抵抗センサにおいて、硬磁性層として、少
なくともＣｏを含む合金を下地膜を設けずに用いること
により、第２の強磁性膜に縦バイアス磁界を効率良く印
加することができ、これにより、バルクハウゼンノイズ
がなく、再生特性の変動が小さい磁気抵抗センサを提供
することができる。さらに、スピンバルブ構造磁気抵抗
センサ積層膜の反強磁性膜に、結晶構造が面心立方格子
ではなく、体心立方格子，体心正方格子または単純正方
格子である反強磁性膜、あるいは、Ｍｎと、Ｃｒ，Ｎ
ｉ，Ｐｄ，Ｐｔから選ばれる少なくとも１種類の元素を
含む反強磁性膜を用いることにより、より安定な磁気抵
抗センサを提供することができる。
【図１】Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金硬磁性膜を形成する際
の基板バイアスと、保磁力および角型比の関係を示す図
である。
の基板バイアスと、保磁力および角型比の関係を示す図
である。
【図２】Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金に酸化ジルコニウムを
添加して作成した硬磁性膜のＺｒＯ2 含有量と、保磁力
および角型比の関係を示す図である。
添加して作成した硬磁性膜のＺｒＯ2 含有量と、保磁力
および角型比の関係を示す図である。
【図３】Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金に酸化ジルコニウムを
添加して作成した硬磁性膜のＰｔ含有量と保磁力の関係
を示す図である。
添加して作成した硬磁性膜のＰｔ含有量と保磁力の関係
を示す図である。
【図４】本発明の磁気抵抗センサの一実施の形態を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】本発明の磁気抵抗センサの一実施の形態を示す
断面図である。
断面図である。
【図６】本発明の磁気抵抗センサの一実施の形態を示す
断面図である。
断面図である。
【図７】本発明の磁気抵抗センサを備えた磁気ヘッドを
用いた磁気ディスク装置の一実施形態の概略構造を示す
図である。
用いた磁気ディスク装置の一実施形態の概略構造を示す
図である。
１７…電極、２６…硬磁性層、３０…下地層、３１…第
２の強磁性膜、３２…非磁性導電性薄膜、３３…第１の
強磁性膜、３４…反強磁性膜、３５…保護膜、２０１…
ベース、２０２…スピンドル、２０３…モータ、２０４
ａ，２０４ｂ，２０４ｃ，２０４ｄ，２０４ｅ…磁気デ
ィスク、２０５ａ，２０５ｂ，２０５ｃ，２０５ｄ，２
０５ｅ…磁気ヘッド、２０６…キャリッジ、２０７…ボ
イスコイル、２０８…マグネット、２０９…ボイスコイ
ルモータ制御回路、２１０…リード／ライト回路、２１
１…インターフェイス、２１２…上位装置。
２の強磁性膜、３２…非磁性導電性薄膜、３３…第１の
強磁性膜、３４…反強磁性膜、３５…保護膜、２０１…
ベース、２０２…スピンドル、２０３…モータ、２０４
ａ，２０４ｂ，２０４ｃ，２０４ｄ，２０４ｅ…磁気デ
ィスク、２０５ａ，２０５ｂ，２０５ｃ，２０５ｄ，２
０５ｅ…磁気ヘッド、２０６…キャリッジ、２０７…ボ
イスコイル、２０８…マグネット、２０９…ボイスコイ
ルモータ制御回路、２１０…リード／ライト回路、２１
１…インターフェイス、２１２…上位装置。
Claims (19)
- 【請求項１】非磁性導電膜を介して第１の強磁性膜と第
２の強磁性膜が積層されており、前記第１の強磁性膜の
磁化の方向は固定されており、前記第２の強磁性膜の磁
化は外部磁界により回転し、前記第１の強磁性膜の磁化
の方向と前記第２の強磁性膜の磁化の方向の相対的な角
度が変わることによって電気抵抗が変化する磁気抵抗セ
ンサ積層膜と、前記磁気抵抗センサ積層膜に縦バイアス
磁界を印加するために前記磁気抵抗センサ積層膜の両脇
に設けられた硬磁性層と、前記磁気抵抗センサ積層膜に
信号検出電流を流すための電極と、前記磁気抵抗センサ
積層膜の電気抵抗変化を検知する手段を有する磁気抵抗
センサにおいて、 前記硬磁性層が少なくともＣｏを含む膜であり、下地膜
を有することなく前記磁気抵抗センサ積層膜の両脇に配
置されていることを特徴とする磁気抵抗センサ。 - 【請求項２】前記第１の強磁性膜の磁化の方向を固定す
るために、前記第１の強磁性膜と直接接するように反強
磁性膜が積層されていることを特徴とする請求項１に記
載の磁気抵抗センサ。 - 【請求項３】前記反強磁性膜の結晶構造が、体心立方格
子，体心正方格子または単純正方格子であることを特徴
とする請求項２に記載の磁気抵抗センサ。 - 【請求項４】前記反強磁性膜が、Ｍｎと、Ｃｒ，Ｎｉ，
Ｐｄ，Ｐｔから選ばれる少なくとも１種類の元素を含む
ことを特徴とする請求項２または３に記載の磁気抵抗セ
ンサ。 - 【請求項５】前記反強磁性膜が、Ｃｒ−Ｍｎ−Ｐｔ系合
金，Ｎｉ−Ｍｎ系合金，Ｐｄ−Ｐｔ−Ｍｎ系合金、また
はＰｔ−Ｍｎ系合金からなることを特徴とする請求項４
に記載の磁気抵抗センサ。 - 【請求項６】非磁性導電膜を介して第１の強磁性膜と第
２の強磁性膜が積層されており、前記第１の強磁性膜の
磁化の方向は固定されており、前記第２の強磁性膜の磁
化は外部磁界により回転し、前記第１の強磁性膜の磁化
の方向と前記第２の強磁性膜の磁化の方向の相対的な角
度が変わることによって電気抵抗が変化する磁気抵抗セ
ンサ積層膜と、前記磁気抵抗センサ積層膜に縦バイアス
磁界を印加するために前記磁気抵抗センサ積層膜の両脇
に設けられた硬磁性層と、前記磁気抵抗センサ積層膜に
信号検出電流を流すための電極と、前記磁気抵抗センサ
積層膜の電気抵抗変化を検知する手段を有する磁気抵抗
センサにおいて、 前記第１の強磁性膜と直接接するようにＣｒ−Ｍｎ−Ｐ
ｔ系合金からなる反強磁性膜が積層されており、前記硬
磁性層が少なくともＣｏを含む膜であり、下地膜を有す
ることなく前記磁気抵抗センサ積層膜の両脇に配置され
ていることを特徴とする磁気抵抗センサ。 - 【請求項７】前記硬磁性層が、Ｃｏと、Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐ
ｄ，Ｔａ，Ｒｅ，Ｐｔから選ばれる少なくとも１種類の
元素を含むことを特徴とする請求項１ないし６のうちい
ずれかに記載の磁気抵抗センサ。 - 【請求項８】前記硬磁性層が、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合
金，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉ系合
金，Ｃｏ−Ｐｄ系合金，Ｃｏ−Ｒｅ系合金、またはＣｏ
−Ｐｔ系合金からなることを特徴とする請求項７に記載
の磁気抵抗センサ。 - 【請求項９】前記硬磁性層が、Ｃｏと、Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐ
ｄ，Ｔａ，Ｒｅ，Ｐｔから選ばれる少なくとも１種類の
元素を含み、さらに、酸化アルミニウム，酸化シリコ
ン，酸化チタン，酸化ジルコニウム，酸化ハフニウム，
酸化タンタル，窒化アルミニウム，窒化シリコン，窒化
チタン，窒化ジルコニウム，窒化ハフニウム，窒化タン
タルの内から選ばれた少なくとも１種類以上の化合物を
含むことを特徴とする請求項１ないし６のうちいずれか
に記載の磁気抵抗センサ。 - 【請求項１０】前記硬磁性層が、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合
金，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉ系合
金，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ系合金，Ｃｏ−Ｐｄ系合金，Ｃｏ
−Ｒｅ系合金、またはＣｏ−Ｐｔ系合金と、酸化アルミ
ニウム，酸化シリコン，酸化チタン，酸化ジルコニウ
ム，酸化ハフニウム，酸化タンタル，窒化アルミニウ
ム，窒化シリコン，窒化チタン，窒化ジルコニウム，窒
化ハフニウム，窒化タンタルの内から選ばれた少なくと
も１種類以上の化合物を含むことを特徴とする請求項９
に記載の磁気抵抗センサ。 - 【請求項１１】前記硬磁性層の化合物の含有量が、酸素
あるいは窒素を除いた化合物を構成する元素の、酸素あ
るいは窒素を除いた硬磁性層を構成する全ての元素に対
する割合が、０から６原子パーセントであることを特徴
とする請求項９または１０に記載の磁気抵抗センサ。 - 【請求項１２】非磁性導電膜を介して第１の強磁性膜と
第２の強磁性膜が積層されており、前記第１の強磁性膜
の磁化の方向は固定されており、前記第２の強磁性膜の
磁化は外部磁界により回転し、前記第１の強磁性膜の磁
化の方向と前記第２の強磁性膜の磁化の方向の相対的な
角度が変わることによって電気抵抗が変化する磁気抵抗
センサ積層膜と、前記磁気抵抗センサ積層膜に縦バイア
ス磁界を印加するために前記磁気抵抗センサ積層膜の両
脇に設けられた硬磁性層と、前記磁気抵抗センサ積層膜
に信号検出電流を流すための電極と、前記磁気抵抗セン
サ積層膜の電気抵抗変化を検知する手段を有する磁気抵
抗センサにおいて、 前記第１の強磁性膜と直接接するようにＣｒ−Ｍｎ−Ｐ
ｔ系合金からなる反強磁性膜が積層されており、前記硬
磁性層が、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金またはＣｏ−Ｐｔ系
合金と、酸化ジルコニウムを含むことを特徴とする磁気
抵抗センサ。 - 【請求項１３】前記硬磁性層の化合物の含有量が、酸素
あるいは窒素を除いた化合物を構成する元素の、酸素あ
るいは窒素を除いた硬磁性層を構成する全ての元素に対
する割合が、０から６原子パーセントであることを特徴
とする請求項１２に記載の磁気抵抗センサ。 - 【請求項１４】情報を記録する磁気記録媒体と、 前記磁気記録媒体上に磁気的に記録されたデータを検出
するための磁気抵抗センサとを備え、前記磁気抵抗セン
サが、非磁性導電膜を介して第１の強磁性膜と第２の強
磁性膜が積層され、反強磁性膜と前記第１の強磁性膜が
積層されており、前記第１の強磁性膜の磁化の方向が固
定されており、前記第２の強磁性膜の磁化は外部磁界に
より回転し、前記第１の強磁性膜の磁化の方向と前記第
２の強磁性膜の磁化の方向の相対的な角度が変わること
によって電気抵抗が変化する磁気抵抗センサ積層膜と、
前記磁気抵抗センサ積層膜に縦バイアス磁界を印加する
ために前記磁気抵抗センサ積層膜の両脇に設けた、少な
くともＣｏを含む膜からなり下地膜を有しない硬磁性層
と、前記磁気抵抗センサ積層膜に信号検出電流を流すた
めの電極と、前記磁気抵抗センサ積層膜の電気抵抗変化
を検知する手段とを備え、 さらに、前記磁気抵抗センサを前記磁気記録媒体上の所
定位置に移動させるアクチュエータ手段と、前記磁気抵
抗センサが読み取り又は書き込みする前記情報の送受信
とアクチュエータ手段の移動を制御する制御手段とを含
むことを特徴とする磁気記録再生装置。 - 【請求項１５】前記反強磁性膜の結晶構造が体心立方格
子，体心正方格子または単純立方格子であることを特徴
とする請求項１４に記載の磁気記録再生装置。 - 【請求項１６】前記反強磁性膜がＭｎと、Ｃｒ，Ｎｉ，
Ｐｄ，Ｐｔから選ばれる少なくとも１種類の元素を含む
ことを特徴とする請求項１４または１５に記載の磁気記
録再生装置。 - 【請求項１７】前記反強磁性膜が、Ｃｒ−Ｍｎ−Ｐｔ系
合金からなることを特徴とする請求項１６に記載の磁気
記録再生装置。 - 【請求項１８】前記硬磁性層が、Ｃｏと、Ｃｒ，Ｎｉ，
Ｐｄ，Ｔａ，Ｒｅ，Ｐｔから選ばれる少なくとも１種類
の元素を含み、さらに、酸化アルミニウム，酸化シリコ
ン，酸化チタン，酸化ジルコニウム，酸化ハフニウム，
酸化タンタル，窒化アルミニウム，窒化シリコン，窒化
チタン，窒化ジルコニウム，窒化ハフニウム，窒化タン
タルの内から選ばれた少なくとも１種類以上の化合物を
含むことを特徴とする請求項１４ないし１７のうちいず
れかに記載の磁気記録再生装置。 - 【請求項１９】前記硬磁性層が、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合
金またはＣｏ−Ｐｔ系合金と、酸化ジルコニウムを含む
ことを特徴とする請求項１４ないし１７のうちいずれか
に記載の磁気記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9265474A JPH11112052A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 磁気抵抗センサ及びこれを用いた磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9265474A JPH11112052A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 磁気抵抗センサ及びこれを用いた磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11112052A true JPH11112052A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17417682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9265474A Pending JPH11112052A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 磁気抵抗センサ及びこれを用いた磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11112052A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000065578A1 (en) * | 1999-04-28 | 2000-11-02 | Seagate Technology Llc | Giant magnetoresistive sensor with pinning layer |
| CN111554806A (zh) * | 2020-04-23 | 2020-08-18 | 西安交通大学 | 一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器及其制备方法 |
| CN112753099A (zh) * | 2019-03-28 | 2021-05-04 | Tdk株式会社 | 存储元件、半导体装置、磁记录阵列和存储元件的制造方法 |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP9265474A patent/JPH11112052A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000065578A1 (en) * | 1999-04-28 | 2000-11-02 | Seagate Technology Llc | Giant magnetoresistive sensor with pinning layer |
| GB2363671A (en) * | 1999-04-28 | 2002-01-02 | Seagate Technology Llc | Giant magnetoresistive sensor with pinning layer |
| US6433972B1 (en) | 1999-04-28 | 2002-08-13 | Seagate Technology Llc | Giant magnetoresistive sensor with pinning layer |
| GB2363671B (en) * | 1999-04-28 | 2003-12-24 | Seagate Technology Llc | Giant magnetoresistive sensor with pinning layer |
| CN112753099A (zh) * | 2019-03-28 | 2021-05-04 | Tdk株式会社 | 存储元件、半导体装置、磁记录阵列和存储元件的制造方法 |
| CN112753099B (zh) * | 2019-03-28 | 2024-04-16 | Tdk株式会社 | 存储元件、半导体装置、磁记录阵列和存储元件的制造方法 |
| US11974507B2 (en) | 2019-03-28 | 2024-04-30 | Tdk Corporation | Storage element, semiconductor device, magnetic recording array, and method of manufacturing storage element |
| CN111554806A (zh) * | 2020-04-23 | 2020-08-18 | 西安交通大学 | 一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器及其制备方法 |
| CN111554806B (zh) * | 2020-04-23 | 2022-02-11 | 西安交通大学 | 一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器及其制备方法 |
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